JPH0923062A - 回路基板の製造方法 - Google Patents
回路基板の製造方法Info
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- JPH0923062A JPH0923062A JP16978895A JP16978895A JPH0923062A JP H0923062 A JPH0923062 A JP H0923062A JP 16978895 A JP16978895 A JP 16978895A JP 16978895 A JP16978895 A JP 16978895A JP H0923062 A JPH0923062 A JP H0923062A
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- Insulated Metal Substrates For Printed Circuits (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
- Manufacturing Of Printed Circuit Boards (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 回路基板が反るのを防止する。
【解決手段】 銅板２１に貫通穴２２を設け、貫通穴２
２内にエポキシ樹脂２３を充填し、銅板２１に溶剤に解
けたポリイミド系樹脂２４ａを介して銅箔２５を張り、
銅箔２５を選択的にエッチングし、その上に溶剤に解け
たポリイミド系樹脂２４ｂを介して銅箔２６を張り、銅
箔２６の一部をウエットエッチングしたのち、それによ
り露出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射し
て、銅箔２６、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７
を設け、無電解銅メッキを行なったのちに電解銅メッキ
を行なって、銅箔２６側の面に銅メッキ層２８を形成し
たのち、銅箔２６、銅メッキ層２８を選択的にエッチン
グする。
２内にエポキシ樹脂２３を充填し、銅板２１に溶剤に解
けたポリイミド系樹脂２４ａを介して銅箔２５を張り、
銅箔２５を選択的にエッチングし、その上に溶剤に解け
たポリイミド系樹脂２４ｂを介して銅箔２６を張り、銅
箔２６の一部をウエットエッチングしたのち、それによ
り露出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射し
て、銅箔２６、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７
を設け、無電解銅メッキを行なったのちに電解銅メッキ
を行なって、銅箔２６側の面に銅メッキ層２８を形成し
たのち、銅箔２６、銅メッキ層２８を選択的にエッチン
グする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は回路基板の製造方
法に関するものである。
法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の回路基板の製造方法を図４により
説明する。まず、図４(ａ)に示すように、銅板１に貫通
穴２を設け、貫通穴２内にエポキシ樹脂３を充填し、ま
た樹脂板４の両面に配線層５を形成し、さらに樹脂板６
の一方の面に配線層５を形成するとともに他方の面に銅
箔７を張り、銅板１、樹脂板４、６をプリプレーグ８、
９で接着する。つぎに、図４(ｂ)に示すように、銅板
１、樹脂板４、６にスルホール用穴１０を設ける。つぎ
に、図４(ｃ)に示すように、無電解銅メッキを行なった
のちに電解銅メッキを行なって銅メッキ層１１を形成
し、銅メッキ層１１、銅箔７を選択的にエッチングする
ことにより、スルホール１２を形成する。
説明する。まず、図４(ａ)に示すように、銅板１に貫通
穴２を設け、貫通穴２内にエポキシ樹脂３を充填し、ま
た樹脂板４の両面に配線層５を形成し、さらに樹脂板６
の一方の面に配線層５を形成するとともに他方の面に銅
箔７を張り、銅板１、樹脂板４、６をプリプレーグ８、
９で接着する。つぎに、図４(ｂ)に示すように、銅板
１、樹脂板４、６にスルホール用穴１０を設ける。つぎ
に、図４(ｃ)に示すように、無電解銅メッキを行なった
のちに電解銅メッキを行なって銅メッキ層１１を形成
し、銅メッキ層１１、銅箔７を選択的にエッチングする
ことにより、スルホール１２を形成する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、このような回
路基板の製造方法においては、絶縁層である樹脂板４、
６とプリプレーグ８、９との間に界面が存在するから、
回路基板が反ってしまうことがある。
路基板の製造方法においては、絶縁層である樹脂板４、
６とプリプレーグ８、９との間に界面が存在するから、
回路基板が反ってしまうことがある。
【０００４】この発明は上述の課題を解決するためにな
されたもので、回路基板が反ることがない回路基板の製
造方法を提供することを目的とする。
されたもので、回路基板が反ることがない回路基板の製
造方法を提供することを目的とする。
【０００５】
【課題を解決するための手段】この目的を達成するた
め、この発明においては、金属板に溶剤に解けたポリイ
ミド系樹脂を介して第１の金属箔を張り、上記第１の金
属箔を選択的にエッチングし、その上に溶剤に解けたポ
リイミド系樹脂を介して第２の金属箔を張り、上記第２
の金属箔、ポリイミド系樹脂層に接続用穴を設け、上記
第２の金属箔側の面にメッキ層を形成し、上記第２の金
属箔、上記メッキ層を選択的にエッチングする。
め、この発明においては、金属板に溶剤に解けたポリイ
ミド系樹脂を介して第１の金属箔を張り、上記第１の金
属箔を選択的にエッチングし、その上に溶剤に解けたポ
リイミド系樹脂を介して第２の金属箔を張り、上記第２
の金属箔、ポリイミド系樹脂層に接続用穴を設け、上記
第２の金属箔側の面にメッキ層を形成し、上記第２の金
属箔、上記メッキ層を選択的にエッチングする。
【０００６】
【発明の実施の形態】図１〜図３によりこの発明に係る
回路基板の製造方法を説明する。まず、図１(ａ)に示す
ように、銅板２１に貫通穴２２を設け、貫通穴２２内に
エポキシ樹脂２３を充填する。つぎに、図１(ｂ)に示す
ように、銅板２１に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４
ａを介して第１の銅箔２５を張る。つぎに、図１(ｃ)に
示すように、銅箔２５を選択的にエッチングし、その上
に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４ｂを介して第２の
銅箔２６を張る。この場合、ポリイミド系樹脂２４ａ、
２４ｂが一体となって、ポリイミド系樹脂層２４とな
る。つぎに、図１(ｄ)に示すように、銅箔２６の一部を
ウエットエッチングしたのち、それにより露出したポリ
イミド系樹脂層２４にレーザ光を照射して、銅箔２６、
ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７を設け、銅箔２
５の一部を露出させる。つぎに、図１(ｅ)に示すよう
に、無電解銅メッキを行なったのちに電解銅メッキを行
なって、銅箔２６側の面すなわち図１紙面上部面に銅メ
ッキ層２８を形成する。この場合、接続用穴２７の内面
にも銅メッキ層２８が形成される。つぎに、銅箔２６、
銅メッキ層２８を選択的にエッチングする。つぎに、図
２(ｆ)に示すように、その上に溶剤に解けたポリイミド
系樹脂２４ｃを介して第３の銅箔２９を張る。この場
合、ポリイミド系樹脂２４ｃはポリイミド系樹脂層２４
と一体となる。つぎに、図２(ｇ)に示すように、銅箔２
９の一部をウエットエッチングしたのち、それにより露
出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射して、
銅箔２９、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴３０を設
け、銅メッキ層２８の一部を露出させる。この場合、接
続用穴２７内のポリイミド系樹脂層２４を残す。つぎ
に、図２(ｈ)に示すように、無電解銅メッキを行なった
のちに電解銅メッキを行なって、銅箔２９側の面すなわ
ち図２紙面上部面に銅メッキ層３１を形成する。この場
合、接続用穴３０の内面にも銅メッキ層３１が形成され
る。つぎに、図２(ｉ)に示すように、銅箔２９、銅メッ
キ層３１を選択的にエッチングしたのち、その上に溶剤
に解けたポリイミド系樹脂２４ｄを介して第４の銅箔３
２を張る。この場合、ポリイミド系樹脂２４ｄはポリイ
ミド系樹脂層２４と一体となる。つぎに、図３(ｊ)に示
すように、銅箔３２の一部をウエットエッチングしたの
ち、それにより露出したポリイミド系樹脂層２４にレー
ザ光を照射して、銅箔３２、ポリイミド系樹脂層２４に
接続用穴３３を設け、銅メッキ層３１の一部を露出させ
る。この場合、接続用穴３０内のポリイミド系樹脂層２
４を残す。つぎに、無電解銅メッキを行なったのちに電
解銅メッキを行なって、銅箔３２側の面すなわち図３紙
面上部面に銅メッキ層３４を形成する。この場合、接続
用穴３３の内面にも銅メッキ層３４が形成される。つぎ
に、銅箔３２、銅メッキ層３４を選択的にエッチングし
たのち、その上に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４ｅ
を塗布する。この場合、ポリイミド系樹脂２４ｅはポリ
イミド系樹脂層２４と一体となる。つぎに、図３(ｋ)に
示すように、プラズマエッチングにより表面のポリイミ
ド系樹脂層２４を除去して、銅メッキ層３４を露出させ
たのち、銅板２１の貫通穴２２に充填されたエポキシ樹
脂２３、ポリイミド系樹脂層２４にスルホール用穴３５
を設ける。つぎに、図３(ｌ)に示すように、無電解銅メ
ッキを行なったのちに電解銅メッキを行なって銅メッキ
層３６を形成し、銅メッキ層３６を選択的にエッチング
することにより、スルホール３７、接続用パッド３８を
形成する。
回路基板の製造方法を説明する。まず、図１(ａ)に示す
ように、銅板２１に貫通穴２２を設け、貫通穴２２内に
エポキシ樹脂２３を充填する。つぎに、図１(ｂ)に示す
ように、銅板２１に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４
ａを介して第１の銅箔２５を張る。つぎに、図１(ｃ)に
示すように、銅箔２５を選択的にエッチングし、その上
に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４ｂを介して第２の
銅箔２６を張る。この場合、ポリイミド系樹脂２４ａ、
２４ｂが一体となって、ポリイミド系樹脂層２４とな
る。つぎに、図１(ｄ)に示すように、銅箔２６の一部を
ウエットエッチングしたのち、それにより露出したポリ
イミド系樹脂層２４にレーザ光を照射して、銅箔２６、
ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７を設け、銅箔２
５の一部を露出させる。つぎに、図１(ｅ)に示すよう
に、無電解銅メッキを行なったのちに電解銅メッキを行
なって、銅箔２６側の面すなわち図１紙面上部面に銅メ
ッキ層２８を形成する。この場合、接続用穴２７の内面
にも銅メッキ層２８が形成される。つぎに、銅箔２６、
銅メッキ層２８を選択的にエッチングする。つぎに、図
２(ｆ)に示すように、その上に溶剤に解けたポリイミド
系樹脂２４ｃを介して第３の銅箔２９を張る。この場
合、ポリイミド系樹脂２４ｃはポリイミド系樹脂層２４
と一体となる。つぎに、図２(ｇ)に示すように、銅箔２
９の一部をウエットエッチングしたのち、それにより露
出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射して、
銅箔２９、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴３０を設
け、銅メッキ層２８の一部を露出させる。この場合、接
続用穴２７内のポリイミド系樹脂層２４を残す。つぎ
に、図２(ｈ)に示すように、無電解銅メッキを行なった
のちに電解銅メッキを行なって、銅箔２９側の面すなわ
ち図２紙面上部面に銅メッキ層３１を形成する。この場
合、接続用穴３０の内面にも銅メッキ層３１が形成され
る。つぎに、図２(ｉ)に示すように、銅箔２９、銅メッ
キ層３１を選択的にエッチングしたのち、その上に溶剤
に解けたポリイミド系樹脂２４ｄを介して第４の銅箔３
２を張る。この場合、ポリイミド系樹脂２４ｄはポリイ
ミド系樹脂層２４と一体となる。つぎに、図３(ｊ)に示
すように、銅箔３２の一部をウエットエッチングしたの
ち、それにより露出したポリイミド系樹脂層２４にレー
ザ光を照射して、銅箔３２、ポリイミド系樹脂層２４に
接続用穴３３を設け、銅メッキ層３１の一部を露出させ
る。この場合、接続用穴３０内のポリイミド系樹脂層２
４を残す。つぎに、無電解銅メッキを行なったのちに電
解銅メッキを行なって、銅箔３２側の面すなわち図３紙
面上部面に銅メッキ層３４を形成する。この場合、接続
用穴３３の内面にも銅メッキ層３４が形成される。つぎ
に、銅箔３２、銅メッキ層３４を選択的にエッチングし
たのち、その上に溶剤に解けたポリイミド系樹脂２４ｅ
を塗布する。この場合、ポリイミド系樹脂２４ｅはポリ
イミド系樹脂層２４と一体となる。つぎに、図３(ｋ)に
示すように、プラズマエッチングにより表面のポリイミ
ド系樹脂層２４を除去して、銅メッキ層３４を露出させ
たのち、銅板２１の貫通穴２２に充填されたエポキシ樹
脂２３、ポリイミド系樹脂層２４にスルホール用穴３５
を設ける。つぎに、図３(ｌ)に示すように、無電解銅メ
ッキを行なったのちに電解銅メッキを行なって銅メッキ
層３６を形成し、銅メッキ層３６を選択的にエッチング
することにより、スルホール３７、接続用パッド３８を
形成する。
【０００７】この回路基板の製造方法においては、絶縁
層であるポリイミド系樹脂層２４に界面が存在しないか
ら、回路基板が反ってしまうことがない。
層であるポリイミド系樹脂層２４に界面が存在しないか
ら、回路基板が反ってしまうことがない。
【０００８】なお、上述実施の形態においては、金属板
が銅板１である場合について説明したが、他の金属板を
用いてもよい。また、上述実施の形態においては、第
１、第２の金属箔が第１、第２の銅箔２５、２６の場合
について説明したが、他の第１、第２の金属箔を用いて
もよい。また、上述実施の形態においては、メッキ層が
銅メッキ層２８の場合について説明したが、他のメッキ
層を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、
露出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射し
て、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７、３０、３
３を設けたが、露出したポリイミド系樹脂層２４をプラ
ズマエッチングして、ポリイミド系樹脂層２４に接続用
穴２７、３０、３３を設けてもよい。
が銅板１である場合について説明したが、他の金属板を
用いてもよい。また、上述実施の形態においては、第
１、第２の金属箔が第１、第２の銅箔２５、２６の場合
について説明したが、他の第１、第２の金属箔を用いて
もよい。また、上述実施の形態においては、メッキ層が
銅メッキ層２８の場合について説明したが、他のメッキ
層を用いてもよい。また、上述実施の形態においては、
露出したポリイミド系樹脂層２４にレーザ光を照射し
て、ポリイミド系樹脂層２４に接続用穴２７、３０、３
３を設けたが、露出したポリイミド系樹脂層２４をプラ
ズマエッチングして、ポリイミド系樹脂層２４に接続用
穴２７、３０、３３を設けてもよい。
【０００９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明に係る回
路基板の製造方法においては、絶縁層であるポリイミド
系樹脂層に界面が存在しないから、回路基板が反ってし
まうことがない。
路基板の製造方法においては、絶縁層であるポリイミド
系樹脂層に界面が存在しないから、回路基板が反ってし
まうことがない。
【図１】この発明に係る回路基板の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図２】この発明に係る回路基板の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図３】この発明に係る回路基板の製造方法の説明図で
ある。
ある。
【図４】従来の回路基板の製造方法の説明図である。
２１…銅板 ２４…ポリイミド系樹脂層 ２４ａ…ポリイミド系樹脂 ２４ｂ…ポリイミド系樹脂 ２５…第１の銅箔 ２６…第２の銅箔 ２７…接続用穴 ２８…銅メッキ層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｈ０５Ｋ 3/44 Ｈ０５Ｋ 3/44 Ｂ
Claims (1)
- 【請求項１】金属板に溶剤に解けたポリイミド系樹脂を
介して第１の金属箔を張り、上記第１の金属箔を選択的
にエッチングし、その上に溶剤に解けたポリイミド系樹
脂を介して第２の金属箔を張り、上記第２の金属箔、ポ
リイミド系樹脂層に接続用穴を設け、上記第２の金属箔
側の面にメッキ層を形成し、上記第２の金属箔、上記メ
ッキ層を選択的にエッチングすることを特徴とする回路
基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7169788A JP2733209B2 (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 回路基板の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7169788A JP2733209B2 (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 回路基板の製造方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0923062A true JPH0923062A (ja) | 1997-01-21 |
| JP2733209B2 JP2733209B2 (ja) | 1998-03-30 |
Family
ID=15892895
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7169788A Expired - Lifetime JP2733209B2 (ja) | 1995-07-05 | 1995-07-05 | 回路基板の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2733209B2 (ja) |
Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312999A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-11-04 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH0537159A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH05144973A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
-
1995
- 1995-07-05 JP JP7169788A patent/JP2733209B2/ja not_active Expired - Lifetime
Patent Citations (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH04312999A (ja) * | 1991-01-09 | 1992-11-04 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH0537159A (ja) * | 1991-07-26 | 1993-02-12 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH05144973A (ja) * | 1991-11-20 | 1993-06-11 | Nec Corp | ポリイミド多層配線基板およびその製造方法 |
| JPH05312998A (ja) * | 1992-05-13 | 1993-11-26 | Hamamatsu Photonics Kk | イオン発生装置 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2733209B2 (ja) | 1998-03-30 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
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