JPH0923065A - 薄膜多層配線基板及びその製法 - Google Patents

薄膜多層配線基板及びその製法

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JPH0923065A
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Abstract

(57)【要約】 【目的】ビアスタッド接続方式の高密度配線，高信号伝
送特性の薄膜多層配線基板の提供にある。 【構成】有機絶縁層を介して形成された第１と第２の金
属配線層４を有する薄膜多層配線基板において、前記第
１と第２の金属配線層４のランド間がビアスタッド３に
よって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無電解め
っきによる導電性金属の充填体からなり、該ビアスタッ
ドの上面径と底面径との差が１０％以内か、もしくは、
ビアスタッドの絶縁層界面のテーパとビアスタッド軸と
のなす角度が５度以下である薄膜多層配線基板にある。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子機器あるいは各種電
気装置の実装用の薄膜多層配線基板とその製法に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】電子計算機の演算速度の高速化を図るに
は、用いられる実装用モジュール基板の信号伝送速度の
高速化が重要な課題となっている。
【０００３】従来、こうしたモジュール基板には、主と
してＷやＭｏ等からなる配線層をセラミックへの積層焼
結法により形成した厚膜基板が用いられてきた。しか
し、信号伝送速度の高速化を図るため、最近ではセラミ
ック基板上に誘電率の低いポリイミドを層間絶縁膜とし
て形成し、高導電性のＣｕ，Ａｌ，Ａｕ等を導体層とし
た多層薄膜配線基板が注目されている。
【０００４】しかし、近年、計算機の高性能化はますま
す進み、実装ゲート数の増大も顕著であり、これに対応
するためには薄膜配線方式における配線層数の増大が必
要とされる。
【０００５】薄膜多層配線技術については、いくつか報
告されているが、一般に逐次積層方式が採用されてい
る。つまり、セラミック基板やＳｉ基板上にＣｕ，Ａｌ
などの導体層を形成し、ビアホール及び絶縁層のパター
ニングをフォトリソグラフィ技術によって形成し、電気
的接続を行うものである。
【０００６】上記の層間接続には、直径１００μｍ以下
のビアホールやスルーホールの形成技術が必要とされて
いる。また、薄膜配線にはライン幅やスペース幅が２０
〜５０μｍと云うファインパターンが要求されており、
例えば、１５０〜５００μｍの接続パッド間に上記配線
を２〜５本敷設すると云うものである。この場合、ビア
ホール径としては、おおよそ２０〜３０μｍが要求され
る。しかし、現状のドリルによる穴穿け技術では約７０
μｍが限界であり、それより小さい穴径のものは他の方
法を適用せざるを得ない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】上記のような微細穴の
加工に好適な方法として、近年、レーザ加工法、ドライ
エッチング法が注目されつつある。これらはいずれも微
細加工性に優れているが、加工された穴の形状に差異が
見られる。
【０００８】エキシマレーザによる方法は、微小ビアホ
ールやスルーホール形成用として優れた加工法であるこ
とが知られている（特開昭６０−２６１６８５号公
報）。但し、加工された穴の投影法による形状は、穴の
軸に対して約２０〜３０度のテーパ状になり、先端（底
部）が先細りの穴になるという傾向がある。
【０００９】これを解消する方法として、有機絶縁層の
穴加工したいパターン部に金属膜に窓を空けたマスクを
用い、このマスク越しにレーザ加工する方法、いわゆる
コンフォーマルマスク法が有効である。これによれば、
図２で示すように、加工穴は軸に対してエキシマレーザ
のエネルギ密度が３００〜１０００ｍＪ／ｃｍ2で約１
５〜５度のテーパ角（θ）となり、先端（底部）の先細
り現象をかなり抑えることができる。本発明者らの実験
結果によればエネルギ密度が高いほど加工テーパ角度θ
は小さくなり、穴のストレート性を向上することができ
る。
【００１０】一方、上記レーザ加工法に対し、低い圧力
（例えば、５Ｐａ以下）に制御された酸素プラズマによ
るドライエッチング法によれば、上記テーパ角（θ）が
５度以下のほとんどストレート状の穴を形成することが
できる。なお、一連の実験によれば、ポリイミドのよう
な有機絶縁層のドライエッチング加工で、プラズマガス
圧が５Ｐａよりも高くなると、加工穴断面はビア樽状に
わん曲してくることが分かった。
【００１１】こうしたドライエッチング加工法は、従
来、ＬＳＩ用半導体プロセスにおいて、配線や絶縁層の
パターン形成に用いられている。例えば、特開平４−１
５００２３号公報や特開平５−１２１３７１号公報に、
半導体基板上の層間絶縁膜に反応性ガス（ＣＦ4，ＣＨ
Ｆ3，Ａｒ，Ｏ2，Ｃｌ等の混合ガス）を用いたドライエ
ッチング法により、コンタクト穴を形成する方法が開示
されているが、前者ではストレート状の穴を形成するた
めにエッチングガスの圧力を０.６Ｔｏｒｒ以下（８０
Ｐａ以下）、後者では１０〜５０ｍＴｏｒｒ（１.３３
〜６.６５Ｐａ）と規定している。
【００１２】本発明の目的は、有機絶縁層に形成された
直径（例えば、７０μｍ以下）の微小ビアホール内に、
導電性金属が充填されたビアスタッドにより基板の上下
配線層が接続された薄膜多層配線基板およびその製法を
提供することにある。
【００１３】
【課題を解決するための手段】前記課題を解決する本発
明の要旨は次のとおりである。
【００１４】〔１〕 有機絶縁層を介して形成された第
１と第２の金属配線層を有する薄膜多層配線基板におい
て、前記第１と第２の金属配線層のランド間がビアスタ
ッドによって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無
電解めっきによる導電性金属の充填体からなる薄膜多層
配線基板。
【００１５】〔２〕 前記第１と第２の金属配線層のラ
ンド間がビアスタッドによって電気的に接続され、前記
ビアスタッドは無電解めっきによる導電性金属の充填体
からなり、該ビアスタッドの上面径と底面径との差が１
０％以内か、もしくは、ビアスタッドの絶縁層界面のテ
ーパとビアスタッド軸とのなす角度が５度以下である薄
膜多層配線基板。
【００１６】微細薄膜パターンを得るには、前記のよう
なテーパ角度のビアホールを配置し、できるだけ配線エ
リアを確保することが不可欠である。
【００１７】なお、上記のビアスタッドとは、学術用語
ではないが、プリント回路プロセス技術でしばしば用い
られている。つまり、スタッドの持つ意味「鋲、釘ある
いは栓」から、ビアホール内を鋲のようなもので完全に
埋めた（充填した）ものを意味する。本発明において
は、電気的接続を得るための柱状の金属層間接続体を云
う。
【００１８】〔３〕 前記ビアスタッドが無電解めっき
によるＣｕの充填体である薄膜多層配線基板。
【００１９】〔４〕 前記第２の金属配線層が蒸着また
は／およびスパッタリングによる金属膜で形成されてい
る薄膜多層配線基板。
【００２０】〔５〕 前記ビアスタッドと第２の金属配
線層との接続面のビアスタッド側が研磨面である薄膜配
線基板。
【００２１】〔６〕 表面に第１の金属配線層を有する
基板に絶縁性接着シートを接着して絶縁層を形成し、該
絶縁層にドライエッチングまたはレーザ加工によりビア
ホールを形成し、次いで前記ビアホール内を無電解めっ
きにより導電性金属を充填することによりビアスタッド
を形成し、前記ビアスタッドが絶縁層より突出した部分
を研磨することにより前記絶縁層面と平坦化し、次いで
第２の金属配線層を前記絶縁層上に前記ビアスタッドと
接続，形成する薄膜多層配線基板の製法。
【００２２】〔７〕 （１）キャリアシート上に接着層
が一体に形成されている複合シートの接着層面と、基板
面に予め第１の金属配線層が形成されている面とを積層
接着する工程、（２）前記キャリアシートを除去し、接
着層を硬化して絶縁層を形成する工程、（３）前記絶縁
層にビアホールを形成する工程、（４）前記ビアホール
内を無電解めっきにより導電性金属を充填する工程、
（５）前記ビアホールに充填した導電性金属が前記絶縁
層の表面より突出した部分を研磨し平坦化してビアスタ
ッドを形成する工程、（６）前記絶縁層上に第２の金属
配線層を形成し前記ビアスタッドと接続する工程を有す
る薄膜多層配線基板の製法。
【００２３】本発明のビアスタッド接続型の薄膜多層基
板の一例を図１に示す。セラミックスまたはガラスエポ
キシからなる基板１上に絶縁層（例えばポリイミド等）
２を形成し、該絶縁層２にビアホールを形成し、金属配
線層４間を無電解めっきの導電性金属の充填体からなる
ビアスタッド３で接続しながら絶縁層２を積層し、上記
と同様にしてビアスタッド３で逐次接続した金属配線層
４を積層した薄膜多層配線基板である。
【００２４】図３は、２層の薄膜多層配線基板の製法
（製造工程）の一例を模式断面図で示すフロー図であ
る。金属配線層４を有する基板１上にレジスト１１を形
成し、エッチング（図示せず）により第１の金属配線層
９を形成し、これの上に絶縁層２を形成してＡｌのエッ
チングマスク８を介してドライエッチングによりビアホ
ール７を形成する。
【００２５】次いで、無電解めっきによりビアホール７
内に導電性金属を充填してビアスタッド３を形成する。
その後、金属配線膜４を蒸着またはスパッタリングによ
り形成し、ウエットエッチング法により第２の金属配線
層１０を形成するものである。なお、図２の工程（ｄ）
以下をくり返すことにより、３層以上の多層配線板を形
成することができる。
【００２６】前記絶縁層２として、ポリイミド前駆体の
ワニスをコーテイングし熱硬化させた膜、あるいは、ポ
リイミド膜に接着層を形成しシート化した複合シートが
用いられるが、作業性の点では複合シートが優れてい
る。
【００２７】なお、上記絶縁層（ポリイミド）は、ドラ
イエッチング法（酸素ガスプラズマ）もしくはエキシマ
レーザ加工法により、第１の金属配線層（銅）のランド
部を終点とするビアホールを形成し、次いで、穴底のラ
ンド部から無電解めっき法によりビアスタッドを成長さ
せる。
【００２８】
【作用】本発明において、ビアスタッド形成に無電解め
っき法を選んだ理由は、逐次積層法では基板上に形成さ
れた第１の金属配線層の上に絶縁層を形成するプロセス
をとるため、おおむね、上記金属配線パターンは独立し
たパターンであり、電解めっきのように共通電極を引き
出すことは容易ではない。この点無電解めっきはこうし
た共通電極を必要としない。
【００２９】なお、両面多層プリント基板のスルーホー
ル内を無電解めっきにより形成する例として、特開平５
−３３５７１３号公報があるが、これは絶縁層の裏面が
銅箔で閉塞されたスルーホール内に円柱状導通めっきを
施して層間接続を形成すると同時に表面の導体箔に接続
するものである。この方法は、配線パターンが比較的大
きく、導体層も数十μｍと厚い場合には有効な方法であ
る。
【００３０】しかし、絶縁層がこれよりも薄く微小なビ
アスタッドで接続する薄膜多層配線基板では、上記のよ
うな両面に導体箔を設けたものでは導体箔（配線層）を
薄くできないため、第２の金属配線層の微細パターンを
ウエットエッチング法で形成することは困難である。従
って、本発明では第１番目の配線層のみ導体箔（接続用
ランド）を用いている。
【００３１】また、微小ビアスタッドを形成するための
微小ビアホールの形成は、プラズマができる程度にガス
圧を低く（５Ｐａ以下）制御することにより、図４に示
すように加工穴の軸に対する加工穴壁面のテーパ角が５
度以下（基板面とのテーパ角では８５度以上）の極めて
ストレート性に優れた微小ビアホールを形成することが
できる。
【００３２】なお、図４は厚さ２０μｍのポリイミドシ
ートにビアホールを形成した場合の上記テーパ角とプラ
ズマの酸素ガス分圧との関係を示す。
【００３３】高周波（ＲＦ）出力を５００Ｗ、酸素流量
を２５ｍｌ／分と固定し、ドライエッチング加工した結
果、酸素分圧が１〜５Ｐａではテーパ角が１０〜１５度
であるが、酸素分圧１０Ｐａでは１５度以上になり加工
穴のストレート性が低下する。
【００３４】上記に基づく薄膜多層配線基板は、ビアス
タッドの接続性（接続率で示す）も良好で、表１に示す
ように６０μｍ以下の小径のものでも接続率が高く、ま
た、図５に示すように、ビアスタッド抵抗も小さいこと
が分かった。
【００３５】
【表１】
【００３６】本発明によるビアスタッドの断面は、めっ
き終点となる上部においても水平にめっき銅が生長して
いることを確認した。こうしたビアスタッド表面の平坦
性は、第２の金属配線層を形成する上でフォトリソグラ
フィのパターン形成精度が良くなる他に、第２のビアス
タッドの垂直接続が可能となる。つまり、表面が平坦に
生長したビアスタッド面に次の層の接続用配線ランドを
形成し、更に、その直上に次層のビアスタッドを乗せる
ことができる。これによって、層間の配線長がより短縮
できるので、信号の高速伝送化を図ることができる。
【００３７】また、ビアスタッドの形成後に平坦化研
磨，ポリシング工程等を加えて、更にビアスタッド面の
平坦性を向上させることにより、層間接続抵抗をより小
さくすることができる。
【００３８】こうした、めっきによる導電性金属が充填
されたビアスタッドは、室温⇔３００℃のヒートサイク
ル試験における接続の信頼性が優れ、また、３００℃，
１００時間の高温放置試験においても、その特性の変化
は殆ど見受けられなかった。
【００３９】直径１００μｍ以下のビアスタッドの形成
により、ライン幅およびスペース幅が２０〜５０μｍと
云うファインパターンの敷設が実現できるので、１５０
〜５００μｍの接続パッド間に上記配線を２〜５本敷設
することが可能となる。
【００４０】また、前記絶縁層としてポリイミドワニス
等の塗布による逐次積層方法に比べて、前記複合シート
を接着する方法は、ワニスのキュア工程がないので、製
造工程をより簡略化できると共に、高信頼性の高密度実
装が可能な薄膜多層配線基板を提供することができる。
【００４１】
【実施例】
〔実施例 １〕本発明の実施例を図面により詳細に説明
する。
【００４２】図６は、銅／ポリイミド薄膜多層配線基板
の製造工程の一例を示す各工程における基板の模式断面
図によるフロー図である。
【００４３】工程(ａ)：厚さ６ｍｍのガラスセラミック
の基板１上に第１の金属配線層となるＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ
（Ｃｒ：５００Å厚さ、Ｃｕ：５μｍ厚さ）からなる導
体膜をＡｒ中スパッタリングにより形成した。
【００４４】工程(ｂ)：上記のＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ導体膜
上にレジストパターン（ポジ型レジスト）を形成し、ウ
エットエッチング法により第１の金属配線層９を形成し
た。
【００４５】工程(ｃ)：第１の金属配線層９上に絶縁層
２として厚さ２０μｍの半硬化状態のポリイミド系接着
シートを２５０℃，１５ｋｇ／ｃｍ2で加圧接着し、硬
化処理した。
【００４６】工程(ｄ)：次に、ドライエッチング用マス
クとして、厚さ２０００ÅのＡｌ膜１２を真空蒸着法に
より形成した。
【００４７】工程(ｅ)：フォトエッチング法によりビア
ホール形成用のドライエッチング用マスク８を形成し、
次いで、ガス圧３Ｐａ，ＲＦ出力５００Ｗの酸素ガスプ
ラズマによる平行平板型ドライエッチング装置（図示せ
ず）によりビアホール７を形成した。
【００４８】このビアホール７の形成に要するドライエ
ッチング時間は約８０分であるが、更に、そのまま２０
〜２５分エッチングを続行すると、ビアホール底のラン
ド１３の面のＣｒ層（５００Å）が除去されてＣｕ面が
露出する。なお、前記ポリイミドのドライエッチング速
度は０.２〜０.３μｍ／分であった。
【００４９】工程(ｆ)：ビアホール底のランド１３の面
をＣｕ面としたことにより、前処理等を施すことなく、
直接化学銅めっきを生長（通称パターンめっき法と呼ば
れる）させて、Ｃｕからなるビアスタッド３を形成す
る。
【００５０】なお、直径３０μｍφ×高さ２５μｍのＣ
ｕビアスタッド形成に要する化学銅めっき時間は約５時
間であった。
【００５１】工程(ｇ)：上記絶縁層２上に、前記工程
(ａ)及び工程(ｂ)と同様にしてＣｒ／Ｃｕ／Ｃｒ（Ｃ
ｒ：５００Å厚さ、Ｃｕ：５μｍ厚さ）からなる導体膜
を形成しスパッタリング法により第２の金属配線層１０
を形成した。
【００５２】このようにして上記を繰り返すことによっ
て３層以上の薄膜多層配線基板を製造することができ
る。
【００５３】また、図７は上記実施例１で得た薄膜多層
配線基板２４に、ＬＳＩ１４を搭載した実装基板の模式
断面図である。セラミックス基板１５上にポリイミド／
銅からなる薄膜配線層を形成し、ビアスタッド接続した
薄膜多層配線基板２４に、はんだバンプ１６によりＬＳ
Ｉ１４を搭載，接続した。
【００５４】〔実施例 ２〕図８は、実施例１の工程
(ｃ)で用いた半硬化状態のポリイミド系接着シートの代
わりに複合シートを用いて行った、銅／ポリイミド薄膜
多層配線基板の製造工程の一例を示す各工程における基
板の模式断面図によるフロー図である。
【００５５】上記複合シート１７としては、化学構造中
にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイミド樹脂とフ
ッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂からなる接着層
１８を、予めポリイミドシート１９上に塗布形成したも
ので、ポリイミドシート１９の厚さが１０μｍ、接着層
１８の厚さが１０μｍである。
【００５６】これを前記第１の金属配線層９上に２８０
℃，１５ｋｇ／ｃｍ2で加圧し接着した工程(ｃ)以外
は、実施例１と同様にして行った。
【００５７】なお、工程(ｅ)におけるビアホールの形成
は、ガス圧３Ｐａ，ＲＦ出力８００Ｗの酸素ガスプラズ
マにより形成した。
【００５８】ちなみに、直径３０μｍ×高さ２０μｍの
ビアホール７の形成に要するドライエッチング時間は約
１００分であり、上記複合シート１７のドライエッチン
グ速度は０.２μｍ／分で、実施例１のポリイミド層の
加工速度とほぼ同程度であった。
【００５９】〔実施例 ３〕図９は、実施例２で用いた
複合シート１７の上面に銅箔を有する銅張り複合シート
２０を用いた、銅／ポリイミド薄膜配線基板の製造工程
の一例を示す模式断面図である。
【００６０】上記銅張り複合シート２０としては、化学
構造中にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイミド樹
脂とフッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂からなる
接着剤を、予め銅張りポリイミドシートにコートしたも
ので、銅層，ポリイミドシートおよび接着層の厚さがい
ずれも１０μｍのもので、上記銅層はビアホール形成用
のドライエッチングマスク８となる。
【００６１】これを前記第１の金属配線層９上に２８０
℃，１５ｋｇ／ｃｍ2で加圧し接着した工程(ｃ)以外
は、実施例１と同様にして行った。
【００６２】なお、工程(ｅ)におけるビアホール７の形
成は、ガス圧３Ｐａ，ＲＦ出力８００Ｗの酸素ガスプラ
ズマにより形成した。
【００６３】なお、本実施における、直径３０μｍ×高
さ２０μｍのビアホール７の形成に要するドライエッチ
ング時間は約１００分（０.２μｍ／分）であり、実施
例１のポリイミド層の加工速度とほぼ同程度であった。
【００６４】〔実施例 ４〕６層の金属配線層を有する
ビアスタッド接続基板の一例を図１の模式断面図に示
す。
【００６５】本実施例では、絶縁層２となる接着層成分
が化学構造中にキナゾリン環を有する脱水縮合型ポリイ
ミド樹脂とフッ素基を有する熱硬化性マレイミド樹脂か
らなる複合シートを用い、エキシマレーザによってビア
ホールを形成し、前記実施例と同様にビアスタッド接続
により多層化を図った薄膜多層配線基板の例である。
【００６６】〔実施例 ５〕図１０は前記実施例１によ
って得られる薄膜多層配線基板を大型計算機用基板に用
いた実装例を示す模式断面図で、大型プリント配線基板
２１上にピン挿入型のモジュール基板２２を搭載した一
例である。
【００６７】モジュール基板２２は、ガラスセラミック
スと銅層との多層焼結体からなり、下面に接続ピン２３
が設けられている。このモジュール基板２２上に本発明
になる薄膜多層配線基板２４を形成して、はんだバンプ
１６によりＬＳＩ１４が接続搭載されている。
【００６８】本実施例の実装基板によれば、配線総数も
約１／４に減らすことができ、配線密度を上げることが
でた。また、信号伝送速度を従来のものに比べて約１.
５倍速くすることができる。
【００６９】なお、実装基板の製造コストを全体で１／
２以下にすることが可能である。
【００７０】
【発明の効果】本発明による薄膜多層配線基板は、実装
の高密度化と配線長の短縮による信号伝送の高速化を図
ることができる。また、シート状の絶縁層（例えば、前
記ポリイミド系複合シート）を採用することにより製造
工程を大幅に短縮することができる。
【００７１】本発明による薄膜多層配線基板は、大型電
子計算機用基板、ワークステーション用実装基板、ビデ
オカメラ等の小型電子機器用実装基板として優れてい
る。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のビアスタッド接続による薄膜多層基板
の模式断面図である。
【図２】本発明のビアホールの模式断面図である。
【図３】本発明のビアスタッド接続型の薄膜２層配線基
板の製造工程の一例を模式断面図で示すフロー図であ
る。
【図４】本発明のエッチングによる加工テーパ角と酸素
ガス分圧との関係を示すグラフ図である。
【図５】本発明のビアスタッド径と抵抗値との関係を示
すグラフ図である。
【図６】実施例１の薄膜多層配線基板の製造工程図であ
る。
【図７】本発明の薄膜多層配線基板を用いた実装構造体
の模式断面図である。
【図８】実施例２の薄膜多層配線基板の製造工程図であ
る。
【図９】実施例３の薄膜多層配線基板の製造工程図であ
る。
【図１０】本発明による大型電子計算機用基板の実装例
を示す模式断面図である。
【符号の説明】
１…基板、２…絶縁層、３…ビアスタッド、４…金属配
線層、５…接続用スルーホール、６…レーザマスク、７
…ビアホール、８…エッチングマスク、９…第１の金属
配線層、１０…第２の金属配線層、１１…レジスト、１
２…Ａｌ膜、１３…ランド、１４…ＬＳＩ、１５…セラ
ミックス基板、１６…はんだバンプ、１７…複合シー
ト、１８…接着層、１９…ポリイミドシート、２０…銅
張り複合シート、２１…大型プリント配線基板、２２…
モジュール基板、２３…接続ピン、２４…薄膜多層配線
基板、２５…スルホール。
フロントページの続き (72)発明者 高橋 昭雄 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 大越 幸夫 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 斉 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 鈴木 正博 茨城県日立市大みか町七丁目１番１号 株 式会社日立製作所日立研究所内 (72)発明者 今井 勉 神奈川県秦野市堀山下１番地 株式会社日 立製作所汎用コンピュータ事業部内

Claims (13)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 有機絶縁層を介して形成された第１と第
    ２の金属配線層を有する薄膜多層配線基板において、前
    記第１と第２の金属配線層のランド間がビアスタッドに
    よって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無電解め
    っきによる導電性金属の充填体からなることを特徴とす
    る薄膜多層配線基板。
  2. 【請求項２】 有機絶縁層を介して形成された第１と第
    ２の金属配線層を有する薄膜多層配線基板において、前
    記第１と第２の金属配線層のランド間がビアスタッドに
    よって電気的に接続され、前記ビアスタッドは無電解め
    っきによる導電性金属の充填体からなり、該ビアスタッ
    ドの上面径と底面径との差が１０％以内か、もしくは、
    ビアスタッドの絶縁層界面のテーパとビアスタッド軸と
    のなす角度が５度以下であることを特徴とする薄膜多層
    配線基板。
  3. 【請求項３】 前記ビアスタッドが無電解めっきによる
    Ｃｕの充填体である請求項１または２に記載の薄膜多層
    配線基板。
  4. 【請求項４】 前記第２の金属配線層が蒸着または／お
    よびスパッタリングによる金属膜で形成されている請求
    項１または２に記載の薄膜多層配線基板。
  5. 【請求項５】 前記ビアスタッドと第２の金属配線層と
    の接続面のビアスタッド側が研磨面である請求項１また
    は２に記載の薄膜多層配線基板。
  6. 【請求項６】 表面に第１の金属配線層を有する基板に
    絶縁性接着シートを接着して絶縁層を形成し、該絶縁層
    にドライエッチングまたはレーザ加工によりビアホール
    を形成し、次いで前記ビアホール内を無電解めっきによ
    り導電性金属を充填することによりビアスタッドを形成
    し、前記ビアスタッドが絶縁層より突出した部分を研磨
    することにより前記絶縁層面と平坦化し、次いで第２の
    金属配線層を前記絶縁層上に前記ビアスタッドと接続，
    形成することを特徴とする薄膜多層配線基板の製法。
  7. 【請求項７】 （１）キャリアシート上に接着層が一体
    に形成されている複合シートの接着層面と、基板面に予
    め第１の金属配線層が形成されている面とを積層接着す
    る工程、（２）前記キャリアシートを除去し、接着層を
    硬化して絶縁層を形成する工程、（３）前記絶縁層にビ
    アホールを形成する工程、（４）前記ビアホール内を無
    電解めっきにより導電性金属を充填する工程、（５）前
    記ビアホールに充填した導電性金属が前記絶縁層の表面
    より突出した部分を研磨し平坦化してビアスタッドを形
    成する工程、（６）前記絶縁層上に第２の金属配線層を
    形成し前記ビアスタッドと接続する工程を有することを
    特徴とする薄膜多層配線基板の製法。
  8. 【請求項８】 前記複合シートが有機のキャリアシート
    上に有機接着層が形成されている請求項７に記載の薄膜
    多層配線基板の製法。
  9. 【請求項９】 前記ビアホールの形成は、Ｏ2，ＣＦ4ま
    たはこれらの混合ガスのプラズマによるドライエッチン
    グ法により行う請求項６，７または８に記載の薄膜多層
    配線基板の製法。
  10. 【請求項１０】 前記ビアホールを形成するＯ2，ＣＦ4
    またはこれらの混合ガスのプラズマが、５Ｐａ以下のガ
    ス圧である請求項６〜９のいずれかに記載の薄膜多層配
    線基板の製法。
  11. 【請求項１１】 前記ビアホールをエキシマレーザによ
    リ形成する請求項６，７または８のいずれかに記載の薄
    膜多層配線基板の製法。
  12. 【請求項１２】 前記ビアホールをエキシマレーザを用
    いたコンフォーマルマスク加工法により形成する請求項
    ６，７または８に記載の薄膜多層配線基板の製法。
  13. 【請求項１３】 前記接着層がキナゾリン環を有する脱
    水縮合型ポリイミド樹脂と、フッ素基を有する熱硬化性
    マレイミド樹脂からなる請求項６〜１２のいずれかに記
    載の薄膜多層配線基板の製法。
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