JPH09231631A - 光磁気記録媒体 - Google Patents

光磁気記録媒体

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JPH09231631A
JPH09231631A JP8033665A JP3366596A JPH09231631A JP H09231631 A JPH09231631 A JP H09231631A JP 8033665 A JP8033665 A JP 8033665A JP 3366596 A JP3366596 A JP 3366596A JP H09231631 A JPH09231631 A JP H09231631A
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magneto
reproducing
recording medium
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Naoyasu Iketani
直泰 池谷
Yoshiteru Murakami
善照 村上
Junji Hirokane
順司 広兼
Akira Takahashi
明 高橋
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 面内磁化状態にある部分の記録磁区情報がマ
スクされ、集光された光ビームのビーム径内に隣接する
記録ビットが入る場合においても、高い信号品質で個々
の記録ビットを分離して再生可能な光磁気記録媒体を得
る。 【解決手段】 基板上に、透明誘電体層と、室温におい
て面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態
となる再生層と、金属膜層と、垂直磁化膜からなる記録
層と、保護層とが順次形成されてなる光磁気記録媒体に
おいて、前記再生層の膜厚を５ｎｍ乃至３０ｎｍとし、
前記金属膜層の膜厚を６ｎｍ乃至４０ｎｍとし、前記記
録層の膜厚を２０ｎｍ乃至８０ｎｍとする。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光磁気記録再生装
置に適用される光磁気ディスク、光磁気テープ、光磁気
カード等の光磁気記録媒体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来から、書き換え可能な光記録媒体と
して、光磁気記録媒体が実用化されている。このような
光磁気記録媒体では、半導体レーザから出射され光磁気
記録媒体上に集光される光ビームのビーム径に対して、
記録用磁区である記録ビット径及び記録ビット間隔が小
さくなってくると、再生特性が劣化してくるという欠点
が生じている。これは、目的とする記録ビット上に集光
される光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入
るために、個々の記録ビットを分離して再生することが
できなくなることが原因である。
【０００３】上記の欠点を解消するために、特開平６−
１５０４１８号公報においては、室温において面内磁化
状態であり、温度上昇と共に垂直磁化状態となる再生層
と記録層との間に非磁性中間層を設け、再生層と記録層
とが静磁結合した構造とする光磁気記録媒体が開示され
ている。この光磁気記録媒体によれば、面内磁化状態に
ある部分の記録磁区情報がマスクされるため、集光され
た光ビームのビーム径内に隣接する記録ビットが入った
場合においても、個々の記録ビットを分離して再生する
ことが可能となることが示されている。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述の
特開平６−１５０４１８号公報では、さらに小さい記録
ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生を
行った場合、再生層に存在する磁化から発生する漏洩磁
界が記録層へ達し、記録・消去に大きな磁界を必要とす
る問題点があることが確認された。
【０００５】本発明は、上記従来の問題点を解決するた
めになされたものであり、その目的は、さらに小さい記
録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生
を行った場合においても再生可能な光磁気記録媒体を得
ると共に、小さな磁界でも記録消去可能な光磁気記録媒
体を得ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の光磁気記録媒体は、基板上に、透明誘電体層
と、室温において面内磁化状態であり温度上昇にともな
い垂直磁化状態となる再生層と、金属膜層と、垂直磁化
膜からなる記録層と、保護層とが順次形成されてなる光
磁気記録媒体において、前記再生層の膜厚が５ｎｍ乃至
３０ｎｍであり、前記金属膜層の膜厚が６ｎｍ乃至４０
ｎｍであり、前記記録層の膜厚が２０ｎｍ乃至８０ｎｍ
であることを特徴とする。
【０００７】また、基板上に、第１の透明誘電体層と、
室温において面内磁化状態であり温度上昇にともない垂
直磁化状態となる再生層と、第２の透明誘電体層と、金
属膜層と、垂直磁化膜からなる記録層と、保護層とが順
次形成されてなる光磁気記録媒体において、前記再生層
の膜厚が５ｎｍ乃至３０ｎｍであり、前記第２の透明誘
電体層及び金属膜層の膜厚の合計が６ｎｍ乃至４０ｎｍ
であり、前記記録層の膜厚が２０ｎｍ乃至８０ｎｍであ
ることを特徴とする。
【０００８】また、前記光磁気記録媒体において、前記
記録層の補償温度Ｔwcompが５０℃以下であるか、また
は室温からキュリー温度Ｔwcまで常に前記記録層の遷移
金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントよ
りも大きいことを特徴とし、あるいは、前記再生層の補
償温度Ｔrcompが１８０℃以上であるか、またはキュリ
ー温度Ｔrcまで常に前記再生層の希土類金属副格子モー
メントが遷移金属副格子モーメントよりも大きいことを
特徴とする。
【０００９】さらに前記光磁気記録媒体において、前記
記録層と前記保護層との間に前記記録層のキュリー温度
よりも高いキュリー温度を有する記録補助層を備え、該
記録補助層と前記記録層との膜厚の合計が２０ｎｍ以上
であることを特徴とし、該光磁気記録媒体において、前
記記録補助層の補償温度Ｔicompが５０℃以下である
か、または室温からキュリー温度Ｔicまで常に前記記録
補助層の遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子
モーメントよりも大きいことを特徴とする。
【００１０】
【発明の実施の形態】
〔実施の形態１〕本発明の第１の実施形態について図１
に基づいて説明すれば以下の通りである。なお本願の実
施形態では、光磁気記録媒体として光磁気ディスクを適
用した場合について説明する。
【００１１】本実施形態に係る光磁気ディスクは図１に
示すように、基板１、第１の透明誘電体層２、再生層
３、金属膜層４、記録層５、保護層６、オーバーコート
層７がこの順にて積層され、ディスク本体８を形成して
いる。このような光磁気ディスクでは、その記録方式と
してキュリー温度記録方式が用いられており、半導体レ
ーザから出射される光ビーム９が対物レンズ１０により
再生層３に絞り込まれ、極カー効果として知られている
光磁気効果によって情報が記録再生されるようになって
いる。極カー効果とは、入射表面に垂直な磁化の向きに
より、反射光の偏光面の回転の向きが逆方向になる現象
である。
【００１２】基板１は、例えばポリカーボネート等の透
明な基材からなり、ディスク状に形成される。再生層３
は、希土類遷移金属合金からなる磁性膜からなり、その
磁気特性は、室温において面内磁化状態であり、温度上
昇にともない垂直磁化状態となるように組成調整され、
膜厚は５〜３０ｎｍの範囲に設定されている。金属膜層
４は、単一金属または２種類以上の合金で形成される金
属膜からなり、膜厚は６〜４０ｎｍに設定されている。
記録層５は、希土類遷移金属合金からなる垂直磁化膜か
らなり、膜厚は２０〜８０ｎｍの範囲に設定されてい
る。
【００１３】本実施形態においては、再生層３と記録層
５とが静磁結合しており、再生層３の磁化方向は、記録
層５の磁化から発生する漏洩磁界と同じ方向、すなわち
記録層５の磁化と同じ方向を向こうとする。しかし、再
生層の面内磁化状態にある部分、すなわち温度上昇して
いない部分は極カー効果を示さないため、再生層の垂直
磁化状態にある部分、すなわち再生のためのレーザ光照
射により温度上昇した部分のみの情報を再生することが
可能となり、光ビームスポットよりも小さなピッチで記
録された記録磁区を再生することが可能となる。
【００１４】第１の透明誘電体層２の膜厚は、入射する
レーザ光に対して良好な干渉効果が実現し、媒体のカー
回転角が増大すべく設定する必要があり、再生層の波長
をλ、透明誘電体層の屈折率をｎとした場合、第１の透
明誘電体層２の膜厚は、（λ／４ｎ）程度に設定する。
例えば、レーザ光の波長を６８０ｎｍとした場合、第１
の透明誘電体層２の膜厚は、４０〜１００ｎｍ程度に設
定すれば良い。
【００１５】〔実施の形態２〕本発明の第２の実施形態
について図２に基づいて説明すれば以下の通りである。
【００１６】本実施形態に係る光磁気ディスクは図２に
示すように、基板１、第１の透明誘電体層２、再生層
３、第２の透明誘電体層１１、金属膜層４、記録層５、
保護層６、オーバーコート層７がこの順にて積層され、
ディスク本体８を形成している。本実施形態における記
録再生動作については、実施形態１と同様である。
【００１７】本実施形態においては、再生層３に接して
第２の透明誘電体層１１を設けることにより、熱感度が
改善され、再生レーザ光の低出力化及びより大きな再生
信号を得ることを可能としている。
【００１８】〔実施の形態３〕本発明の第３の実施形態
について図３及び図４に基づいて説明すれば以下の通り
である。
【００１９】本実施形態に係る光磁気ディスクは図３に
示すように、基板１、第１の透明誘電体層２、再生層
３、金属膜層４、記録層５、記録補助層１２、保護層
６、オーバーコート層７がこの順にて積層され、ディス
ク本体８を形成しているか、あるいは図４に示すよう
に、基板１、第１の透明誘電体層２、再生層３、第２の
透明誘電体層１１、金属膜層４、記録層５、記録補助層
１２、保護層６、オーバーコート層７がこの順にて積層
され、ディスク本体８を形成している。本実施形態にお
ける記録再生動作については、実施形態１と同様であ
る。
【００２０】本実施形態においては、記録層５と保護層
６との間に記録層５のキュリー温度よりも高いキュリー
温度を有する記録補助層１２を形成することにより、記
録動作の改善を行うことを可能としている。
【００２１】
【実施例】
〔実施例１〕本発明の第１の実施形態の光磁気ディスク
の形成方法について説明する。
【００２２】まず、Ａｌターゲットと、ＧｄＦｅＣｏ合
金ターゲットと、ＴｂＤｙＦｅＣｏターゲットとをそれ
ぞれ備えたスパッタ装置内に、プリグルーブ及びプリピ
ットを有しディスク状に形成されたポリカーボネート製
の基板１を基板ホルダーに配置する。スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンと窒
素の混合ガスを導入し、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒの条件で、基板１にＡｌ
Ｎからなる第１の透明誘電体層２を膜厚８０ｎｍで形成
する。
【００２３】次に、再度スパッタ装置内を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ｇ
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４
×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記第１の透明誘電体層２上に
Ｇｄ0.31(Ｆｅ0.78Ｃｏ0.22)0.69からなる再生層３を膜
厚２０ｎｍで形成する。その再生層３は、室温において
面内磁化状態であり、１２０℃の温度で垂直磁化状態と
なる特性を有し、補償温度が３００℃、キュリー温度が
３６０℃である。
【００２４】次に、アルゴンガスを導入し、Ａｌターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧３×１０-3Ｔｏｒｒの条
件で、再生層３上にＡｌからなる金属膜層４を膜厚２０
ｎｍで形成する。
【００２５】次に、再度スパッタ装置内を１×１０-6Ｔ
ｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガスを導入し、Ｔ
ｂＤｙＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス
圧４×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記金属膜層４上に(Ｔｂ
0.75Ｄｙ0.25)0.30(Ｆｅ0.72Ｃｏ0.28)0.70からなる記
録層５を膜厚４０ｎｍで形成する。その記録層５は、２
５℃に補償温度を有し、キュリー温度が２７５℃であ
る。
【００２６】次に、アルゴンと窒素の混合ガスを導入
し、Ａｌターゲットに電力を供給して、ガス圧４×１０
-3Ｔｏｒｒの条件で、記録層５上にＡｌＮからなる保護
層６を形成する。保護層６の膜厚は、記録層５を酸化等
の腐食から保護することが可能であればよく、５ｎｍ以
上であることが望ましい。本実施例においては、保護層
６の膜厚を２０ｎｍとした。
【００２７】次に、上記保護層６上に、紫外線硬化樹脂
または熱硬化樹脂をスピンコートにより塗布して、紫外
線を照射するか、あるいは加熱するかによってオーバー
コート層７を形成する。
【００２８】上記ディスクについて、波長６８０ｎｍの
半導体レーザを用いた光ピックアップにより測定したＣ
ＮＲ（信号対雑音比）のマーク長依存性を図５に示す。
比較のため、現在市販されている光磁気ディスクのＣＮ
Ｒのマーク長依存性も併せて同図に記載する。なお、現
在市販されている光磁気ディスクの媒体構成は、図６に
示すように、（基板９１／第１の誘電体層９２／記録層
９３／第２の誘電体層９４／反射層９５／オーバーコー
ト層９６）となっている。
【００２９】本発明に関するＣＮＲの測定は、波長６８
０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップで行って
おり、市販光磁気ディスクにマーク長０．３μｍ、マー
クピッチ０．６μｍにて普通に記録された記録磁区列の
場合、複数の記録磁区が光ビームスポットの中に入り、
個々の記録磁区を分離して再生することができなくな
る。そのため、市販光磁気ディスクにおいて、マーク長
０．３μｍでのＣＮＲはゼロとなっている。
【００３０】これに対して、本発明の光ディスクは、レ
ーザ照射に伴い温度上昇し、再生層３が垂直磁化状態と
なった部分のみを再生することが可能であるため、マー
ク長０．３μｍの場合においても、４０．５ｄＢのＣＮ
Ｒが得られている。
【００３１】従来、本発明のように再生層３と記録層５
とが静磁結合した構成の光磁気記録媒体においては、再
生層３と記録層５の間に形成される非磁性中間層、すな
わち本発明における金属膜層４は、特開平６−１５０４
１８号公報に記載されているように、５ｎｍと薄く形成
されている。これは、記録層から発生する漏洩磁界が記
録層から離れるにつれて小さくなるため、再生層が記録
層から発生する漏洩磁界と十分静磁結合するように、再
生層と記録層との間隔を小さく、すなわち非磁性中間層
を薄く形成するためである。しかし、本実施例では図５
に示すように、金属膜層４（非磁性中間層）を２０ｎｍ
と厚くした場合においても良好な超解像再生特性を得る
ことができる。
【００３２】次に表１は、実施例１における再生層３と
記録層５の膜厚を変えて、マーク長０.４５μｍでのＣ
ＮＲを測定した結果を示すものである。
【００３３】
【表１】
【００３４】表１において、再生層３の膜厚を３ｎｍと
した場合、再生層３が存在しない場合よりもＣＮＲが低
くなっており、再生特性の改善が確認されなかった。こ
れは、再生層３が薄くなり過ぎたために、室温において
面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁化状態とな
るべき再生層３の磁気特性が良好に実現されなかったこ
とによる。良好なＣＮＲを得るためには、再生層３の膜
厚が５ｎｍ以上必要である。また、再生層３の膜厚が３
５ｎｍ以上になると消去磁界が急激に上昇し、４０ｋＡ
／ｍ以上の消去磁界が必要となるため、消去磁界発生装
置の大型化・消費電力の増大を招くこととなる。現在の
光磁気ディスクドライブにおいて、現実的な消去磁界を
実現するためには、再生層膜厚を３０ｎｍ以下とする必
要がある。
【００３５】次に、再生層３の膜厚を２０ｎｍとし、記
録層５の膜厚を１０ｎｍとした場合には、まったく再生
信号が得られなかった。これは、再生層３の磁化方向が
記録層５から発生する漏洩磁界により決定されるため、
記録層５の膜厚が薄くなり記録層５から発生する漏洩磁
界が小さくなった場合、記録情報の再生を行うことがで
きないためである。表１から分かるように、本発明の構
成においては、記録層５の膜厚を２０ｎｍ以上とする必
要がある。また、再生特性（ＣＮＲ）のみから判断する
と、記録層５の膜厚に上限は存在しないが、記録層５が
厚くなり過ぎると大きな消去磁界が必要となる。３１ｋ
Ａ／ｍより大きな消去磁界を発生させるためには、大型
の磁界発生装置が必要となり、光磁気記録再生装置の大
型化を招くことになる。したがって実用的な消去磁界
（３１ｋＡ／ｍ以下）を実現するためには、記録層５の
膜厚を８０ｎｍ以下とする必要がある。
【００３６】次に表２は、実施例１における金属膜層４
の膜厚を変えて、マーク長０．４５μｍでのＣＮＲ・消
去磁界を測定した結果を示すものである。
【００３７】
【表２】
【００３８】表２からわかるように、金属膜層４の膜厚
が５ｎｍ以下になると、消去磁界が急激に大きくなる。
これは、金属膜層４の膜厚が薄くなり、再生層３と記録
層５とが近づくにつれて、再生層３から発生する漏洩磁
界が記録層５に及ぼす影響が大きくなり、消去磁界が増
大するためである。金属膜層４の膜厚が８ｎｍ以上にな
ると、再生層から発生する漏洩磁界は記録特性に全く影
響を及ぼさず、消去磁界は記録層５の記録特性のみによ
り決定されることとなり、２０ｋＡ／ｍと一定の値を示
す。
【００３９】消去磁界の増大は、光磁気ディスクドライ
ブにおける磁界発生装置の大型化、消費電力の増大を招
くことになる。現在の光磁気ディスクドライブにおい
て、現実的な消去磁界の大きさは３１ｋＡ／ｍ以下であ
り、したがって金属膜層４の膜厚としては、６ｎｍ以上
が必要であることがわかる。
【００４０】また、再生時においては、記録層５から発
生する漏洩磁界により再生層３の磁化方向が決定される
ため、金属膜層４の膜厚が５０ｎｍと厚くなると、記録
層５から発生する漏洩磁界が十分に再生層３へと届かな
くなり、ＣＮＲの劣化が発生することになる。良好な信
号品質、すなわち、高いＣＮＲを得るためには、金属膜
層４の膜厚を４０ｎｍ以下とする必要がある。
【００４１】〔実施例２〕次に、実施例１の構成におい
て、記録層５の組成のみを変えて光磁気ディスクを作製
し、その記録再生特性を調べた。各ディスクの記録層５
の組成、補償温度、キュリー温度を表３に示し、記録層
５の保磁力Ｈｃと磁化Ｍの温度依存性を図７及び図８に
示す。
【００４２】
【表３】
【００４３】上記ディスクＡ２〜Ｄ２について、実施例
１と同様に波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップにより、マーク長０．４５μｍでの最適再童
条件におけるＣＮＲを測定した結果を表４に示す。
【００４４】
【表４】
【００４５】ディスクＡ２〜Ｄ２の再生特性を比較する
と、ディスクＡ２〜Ｃ２は良好なＣＮＲが得られている
のに対して、ディスクＤ２は２０ｄＢのＣＮＲしか得ら
れなかった。これは、各ディスクの磁気特性（図７、図
８）から理解される結果である。
【００４６】本発明の光磁気記録媒体における再生層３
の磁化方向は、記録層５から発生する漏洩磁界により決
定されるため、記録層５から発生する漏洩磁界が小さく
なった場合、記録情報の再生を行うことができなくな
る。記録層５から発生する漏洩磁界は記録層５の磁化の
大きさに比例するものであり、したがって再生層３の磁
化方向が面内から垂直に移行する温度、すなわち１００
℃〜１５０℃の温度において、記録層５が十分大きな磁
化を有し、十分大きな漏洩磁界を発生している必要があ
る。
【００４７】図８から分かるように、ディスクＡ２〜Ｃ
２の場合、記録層５の補償温度は、再生層３の磁化方向
が面内から垂直に移行する温度（１００℃〜１５０℃）
から離れているため、記録層５は十分大きな磁化を有
し、十分大きな漏洩磁界を発生させることが可能であ
る。しかし、ディスクＤ２の場合、記録層５の補償温度
が再生層３の磁化方向が面内から垂直に移行する温度
（１００℃〜１５０℃）に近接しており、磁化が小さ
く、再生に必要な漏洩磁界を発生させることができなく
なってしまう。
【００４８】このような理由から、記録層５の磁気特性
としては、補償温度が５０℃以下である（ディスクＢ
２，Ｃ２）か、または記録層５が室温からそのキュリー
温度Ｔwcまで、常に遷移金属副格子モーメントが希土類
金属副格子モーメントよりも大きい（ディスクＡ２）こ
とが必要である。
【００４９】〔実施例３〕次に、実施例１の構成におい
て、再生層３の組成のみを変えて光磁気ディスクを作製
し、その記録再生特性を調べた。各ディスクの再生層３
の組成、補償温度、キュリー温度を表５に示し、再生層
３の保磁力Ｈｃと磁化Ｍの温度依存性を図９及び図１０
に示す。
【００５０】
【表５】
【００５１】上記ディスクＡ３〜Ｅ３について、実施例
１と同様に波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップにより、マーク長０．４５μｍでの最適再生
条件におけるＣＮＲを測定した結果を表６に示す。
【００５２】
【表６】
【００５３】ディスクＡ３〜Ｅ３の再生特性を比較する
と、ディスクＡ３〜Ｄ３は良好なＣＮＲが得られている
のに対して、ディスクＥ３は３０ｄＢのＣＮＲしか得ら
れなかった。これは、各ディスクの磁気特性（図９、図
１０）から理解される結果である。
【００５４】本発明の光磁気記録媒体における再生層３
の磁化方向は、記録層５から発生する漏洩磁界により決
定されるため、再生層３の磁化が小さくなると、記録層
５から発生する漏洩磁界との静磁結合が弱くなり、記録
情報の再生を行うことができなくなる。したがって、再
生層３の磁化方向が面内から垂直に移行する温度、すな
わち１００℃〜１５０℃の温度において、再生層３が十
分大きな磁化を有し、記録層５から発生する漏洩磁界と
十分に静磁結合する必要がある。
【００５５】図１０から分かるように、ディスクＡ３〜
Ｄ３の場合、再生層３の補償温度は再生層３の磁化方向
が面内から垂直に移行する温度（１００℃〜１５０℃）
から離れており、再生層３は十分大きな磁化を有し、記
録層５から発生する漏洩磁界と十分に静磁結合すること
が可能である。しかし、ディスクＥ３の場合、再生層３
の補償温度が再生層３の磁化方向が面内から垂直に移行
する温度（１００℃〜１５０℃）に近接しており、再生
層３の磁化が小さく、十分な静磁結合を実現することが
できなくなってしまう。
【００５６】さらに、ディスクＥ３の場合、記録層５の
キュリー温度（２７５℃）においてディスクＡ３〜Ｄ３
に比べて大きな磁化を有することになり、再生層から発
生する漏洩磁界が記録消去特性に影響を与えることとな
り、表６に示すように大きな消去磁界が必要となる。
【００５７】以上のような理由から再生層３の磁気特性
としては、室温で面内磁化状態であり、温度上昇に伴い
垂直磁化状態になるとともに、補償温度が１８０℃以上
である（ディスクＢ３〜Ｄ３）か、またはそのキュリー
温度Ｔrcまで、常に希土類金属副格子モーメントが遷移
金属副格子モーメントよりも大きい（ディスクＡ３）こ
とが必要である。
【００５８】〔実施例４〕本発明の第２の実施形態の光
磁気ディスクの形成方法について説明する。本実施形態
の光磁気ディスクの形成方法は、第２の透明誘電体層１
１を形成する以外は実施形態１と同様である。
【００５９】基板１上に、第１の透明誘電体層２、再生
層３を形成後、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒま
で真空排気し、アルゴンと窒素ガス雰囲気中、ガス圧４
×１０-3Ｔｏｒｒで、Ａｌターゲットに電力を供給し
て、再生層３上にＡｌＮからなる上記第２の透明誘電体
層１１を膜厚２０ｎｍで形成する。その後、膜厚５ｎｍ
の金属膜層４、記録層５、保護層６、オーバーコート層
７を作製することにより形成する。
【００６０】実施例４における第２の透明誘電体層１１
と金属膜層４の膜厚を変えて、マーク長０．４５μｍで
のＣＮＲと消去磁界を測定した結果を表７に示す。な
お、波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いて測定を行っ
た。
【００６１】
【表７】
【００６２】表７より、第２透明誘電体層１１と金属膜
層４の合計膜厚が４ｎｍと薄い時には、実施例１の場合
と同様に消去磁界が大きくなった。これは、第２透明誘
電体層１１と金属膜層４の合計膜厚が薄くなり、再生層
３と記録層５とが近づくにつれて、再生層３から発生す
る漏洩磁界が記録層５に及ぼす影響が大きくなり、消去
磁界が増大したためである。第２透明誘電体層１１と金
属膜層４の合計膜厚が１０ｎｍ以上の場合は、再生層か
ら発生する漏洩磁界は記録特性に全く影響を及ぼさず、
消去磁界は記録層５の記録特性のみにより決定されるこ
とになり、２０ｋＡ／ｍと一定の値を示す。
【００６３】消去磁界の増大は、光磁気ディスクドライ
ブにおける磁界発生装置の大型化、消費電力の増大を招
くことになる。現在の光磁気ディスクドライブにおい
て、現実的な消去磁界の大きさは３１ｋＡ／ｍ以下であ
り、第２透明誘電体層１１と金属膜層４の合計膜厚とし
ては、６ｎｍ以上必要であることがわかる。
【００６４】また、再生時においては、記録層５から発
生する漏洩磁界により再生層３の磁化方向が決定される
ため、第２透明誘電体層１１と金属膜層４の合計膜厚が
５０ｎｍと厚くなると、記録層５から発生する漏洩磁界
が十分に再生層３へと届かなくなり、ＣＮＲの劣化が発
生することになる。良好な信号品質、すなわち高いＣＮ
Ｒを得るためには、第２透明誘電体層１１と金属膜層４
の合計膜厚を４０ｎｍ以下とする必要がある。
【００６５】また、実施例１と比較すると、金属膜層４
の膜厚が同じ場合、第２の透明誘電体層１１を設けるこ
とによってさらにＣＮＲが高くなり、再生レーザパワー
が少なくなった。これは、第２の透明誘電体層１１を設
けたことにより、熱感度が改善されたためと考えられ
る。
【００６６】〔実施例５〕次に実施例４の構成におい
て、記録層５の組成のみを変えて光磁気ディスクを作製
し、その記録再生特性を調べた。なお、記録層５の組成
は実施例２と同様に変えた。各ディスクの記録層５の組
成、補償温度、キュリー温度を表３に、記録層５の保磁
力Ｈｃと磁化Ｍの温度依存性を図７、図８に示す。
【００６７】上記ディスクＦ２〜Ｉ２について、実施例
１と同様に波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップにより、０．４５μｍでの最適再生条件にお
けるＣＮＲを測定した結果を表８に示す。
【００６８】
【表８】
【００６９】ディスクＦ２〜Ｉ２の再生特性を比較する
と、ディスクＦ２〜Ｈ２は良好なＣＮＲが得られている
のに対して、ディスクＩ２は２０．５ｄＢのＣＮＲしか
得られなかった。これは、各ディスクの磁気特性（図
７、図８）から理解される結果である。
【００７０】本発明の光磁気記録媒体における再生層３
の磁化方向は、記録層５から発生する漏洩磁界により決
定されるため、記録層５から発生する漏洩磁界が小さく
なった場合、記録情報の再生を行うことができなくな
る。記録層５から発生する漏洩磁界は、記録層５の磁化
の大きさに比例するものであり、したがって再生層３の
磁化方向が面内から垂直に移行する温度、すなわち１０
０℃〜１５０℃の温度において、記録層５が十分大きな
磁化を有し、十分大きな漏洩磁界を発生している必要が
ある。
【００７１】図８から分かるように、ディスクＦ２〜Ｈ
２の場合、記録層５の補償温度は再生層３の磁化方向が
面内から垂直に移行する温度（１００℃〜１５０℃）か
ら離れており、記録層５は十分大きな磁化を有し、十分
大きな漏洩磁界を発生させることが可能である。しか
し、ディスクＩ２の場合、記録層５の補償温度は再生層
３の磁化方向が面内から垂直に移行する温度（１００℃
〜１５０℃）に近接しており、磁化が小さく、再生に必
要な漏洩磁界を発生させることができなくなってしま
う。
【００７２】このような理由から、記録層５の磁気特性
としては、補償温度が５０℃以下である（ディスクＧ
２，Ｈ２）か、または記録層５が室温からそのキュリー
温度Ｔwcまで、常に遷移金属副格子モーメントが希土類
金属副格子モーメントよりも大きい（ディスクＦ２）こ
とが必要である。
【００７３】〔実施例６〕次に実施例４の構成におい
て、再生層３の組成のみを実施例２と同様に変えて光磁
気ディスクを作製し、その記録再生特性を調べた。各デ
ィスクの再生層３の組成、補償温度、キュリー温度は表
５に、再生層３の保磁力Ｈｃと磁化Ｍの温度依存性は図
９、図１０に示す。
【００７４】上記ディスクＦ３〜Ｊ３について、実施例
１と同様に波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップにより、マーク長０．４５μｍでの最適再生
条件におけるＣＮＲを測定した結果を表９に示す。
【００７５】
【表９】
【００７６】ディスクＦ３〜Ｊ３の再生特性を比較する
と、ディスクＦ３〜Ｉ３は良好なＣＮＲが得られている
のに対して、ディスクＪ３は３０ｄＢのＣＮＲしか得ら
れなかった。これは、各ディスクの磁気特性（図９、図
１０）から理解される結果である。
【００７７】本発明の光磁気記録媒体における再生層３
の磁化方向は、記録層５から発生する漏洩磁界により決
定されるため、再生層３の磁化が小さくなると、記録層
５から発生する漏洩磁界との静磁結合が弱くなり、記録
情報の再生を行うことができなくなる。したがって再生
層３の磁化方向が面内から垂直に移行する温度、すなわ
ち１００℃〜１５０℃の温度において、再生層３が十分
大きな磁化を有し、記録層５から発生する漏洩磁界と十
分に静磁結合する必要がある。
【００７８】図１０から分かるように、ディスクＦ３〜
Ｉ３の場合、再生層３の補償温度は再生層３の磁化方向
が面内から垂直に移行する温度（１００℃〜１５０℃）
から離れており、再生層３は十分大きな磁化を有し、記
録層５から発生する漏洩磁界と十分に静磁結合すること
が可能である。しかしディスクＪ３の場合、再生層３の
補償温度が再生層３の磁化方向が面内から垂直に移行す
る温度（１００℃〜１５０℃）に近接しており、再生層
３の磁化が小さく、十分な静磁結合を実現することがで
きなくなってしまう。
【００７９】さらにディスクＪ３の場合、記録層５のキ
ュリー温度（２７５℃）においてディスクＦ３〜Ｉ３に
比べて大きな磁化を有することになり、再生層から発生
する漏洩磁界が記録消去特性に影響を与えるため、表９
に示すように、大きな消去磁界が必要となる。以上のよ
うな理由から再生層３の磁気特性としては、室温で面内
磁化状態であり、温度上昇に伴い垂直磁化状態になると
ともに、補償温度が１８０℃以上である（ディスクＧ３
〜Ｉ３）か、またはそのキュリー温度Ｔrcまで、常に希
土類金属副格子モーメントが遷移金属副格子モーメント
よりも大きい（ディスクＦ３）ことが必要である。
【００８０】〔実施例７〕第３の実施形態の光磁気ディ
スクの形成方法について説明する。第３の実施形態の光
磁気ディスクの形成方法は、記録補助層１２を付加して
設ける以外は、実施形態１、２と同じ方法である。
【００８１】図３に示す光磁気記録媒体は、第１の透明
誘電体層２、再生層３、金属膜層４、記録層５を形成
し、スパッタ装置内を１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気
した後、アルゴンガスを導入し、記録補助層１２用のＧ
ｄＦｅＣｏ合金ターゲットに電力を供給して、ガス圧４
×１０-3Ｔｏｒｒとし、上記記録層５上にＧｄ0.24(Ｆ
ｅ0.83Ｃｏ0.17)0.76からなる記録補助層１２を膜厚２
０ｎｍで形成し、保護層６、オーバーコート層７を形成
することにより作製される。上記記録補助層１２は２５
℃以下に補償温度を有し、キュリー温度は２９０℃であ
る。本実施例においては、図３記載の光磁気ディスクを
ディスクＡ６として記述する。
【００８２】次に、図４に示す光磁気記録媒体は、第１
の透明誘電体層２、再生層３、第２の透明誘電体層１
１、金属膜層４、記録層５を形成し、スパッタ装置内を
１×１０-6Ｔｏｒｒまで真空排気した後、アルゴンガス
を導入し、記録補助層１２用のＧｄＦｅＣｏ合金ターゲ
ットに電力を供給して、ガス圧４×１０-3Ｔｏｒｒと
し、上記記録層５上にＧｄ0.24(Ｆｅ0.83Ｃｏ0.17)0.76
からなる記録補助層１２を膜厚２０ｎｍで形成し、保護
層６、オーバーコート層７を形成することにより作製さ
れる。上記記録補助層１２は、図９の構成における記録
補助層同様２５℃以下に補償温度を有し、キュリー温度
は２９０℃である。本実施例においては、図４記載の光
磁気ディスクをディスクＢ６として記述する。
【００８３】上記ディスクＡ６、Ｂ６について、波長６
８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピックアップによ
り、マーク長０．４５μｍでの最適再生条件において測
定したＣＮＲと記録磁区を消去するのに必要な磁界（消
去磁界）を表１０に示す。比較のため、実施形態１のデ
ィスクＢ２の特性を併せて同表に記載する。
【００８４】
【表１０】
【００８５】表１０から、実施形態１のディスクＢ２の
場合、２０．０ｋＡ／ｍの消去磁界が必要であったのに
対して、実施の形態３記載のディスクＡ６及びディスク
Ｂ６の場合、７．５ｋＡ／ｍの消去磁界で消去可能であ
ることが確認された。この結果は、記録層５のキュリー
温度（２７５℃）よりも記録補助層１２のキュリー温度
（２９０℃）の方が高く、記録層５（ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ）よりも磁化反転が容易な記録補助層１２（ＧｄＦｅ
Ｃｏ）が消去動作を主導することにより、消去磁界の低
減が実現したことを意味している。次に表１１は、ディ
スクＡ６における再生層３、記録補助層１２、記録層４
の膜厚を変えて、マーク長０.４５μｍでのＣＮＲを測
定した結果を示すものである。
【００８６】
【表１１】
【００８７】表１１において、再生層３の膜厚を３ｎｍ
とした場合、ＣＮＲが低く再生特性の改善が確認されな
かった。これは、再生層３が薄くなり過ぎたために、室
温において面内磁化状態であり温度上昇とともに垂直磁
化状態となるべき再生層３の磁気特性が良好に実現され
なかったことによる。ＣＮＲを改善するためには、再生
層３の膜厚が５ｎｍ以上必要である。また、再生層３の
膜厚が３５ｎｍ以上になると消去磁界が急激に上昇し、
３６．５ｋＡ／ｍ以上の消去磁界が必要となり、消去磁
界発生装置の大型化・消費電力の増大を招く。現在の光
磁気ディスクドライブにおいて現実的な消去磁界を実現
するためには、再生層膜厚を３０ｎｍ以下とする必要が
ある。
【００８８】次に、再生層３の膜厚を２０ｎｍとし、記
録補助層１２の膜厚を５ｎｍ、記録層５の膜厚を５ｎｍ
とした場合、まったく再生信号が得られなかった。再生
層３の磁化方向は、記録補助層１２と記録層５から発生
する漏洩磁界により決定されるため、記録補助層１２と
記録層５のトータル膜厚が薄くなり、発生する漏洩磁界
が小さくなった場合、記録情報の再生を行うことができ
なくなる。表１１から分かるように本発明の構成におい
ては、記録補助層１２の膜厚を１０ｎｍ、記録層５の膜
厚を１０ｎｍ、すなわち記録補助層１２と記録層５のト
ータル膜厚を２０ｎｍ以上とする必要がある。また、実
施形態１、２においては、消去磁界の増大から記録補助
層１２と記録層５のトータル膜厚を８０ｎｍ以下とした
が、実施形態３においては、記録補助層１２が記録動作
を主導しているため、記録補助層１２と記録層５のトー
タル膜厚の上限は存在しない。しかし、記録補助層１２
と記録層５のトータル膜厚が厚くなり過ぎた場合、記録
を行う際に大きなレーザ光強度が必要となるため、トー
タル膜厚は２００ｎｍ以下とすることが望ましい。
【００８９】次に表１２は、ディスクＡ６の構成におい
て金属膜層４の膜厚を変えて、マーク長０．４５μｍで
のＣＮＲ・消去磁界を測定した結果を示すものである。
【００９０】
【表１２】
【００９１】表１２からわかるように、金属膜層４の膜
厚が５ｎｍ以下になると消去磁界が急激に大きくなる。
これは、金属膜層４の膜厚が薄くなり、再生層３と記録
層５及び記録補助層１２とが近づくにつれて、再生層３
から発生する漏洩磁界が記録層５と記録補助層１２に及
ぼす影響が大きくなり、消去磁界が増大するためであ
る。金属膜層４の膜厚が８ｎｍ以上の場合は、再生層か
ら発生する漏洩磁界は記録特性に全く影響を及ぼさず、
消去磁界は記録層５の記録特性のみにより決定されるこ
ととなり、７．５ｋＡ／ｍと一定の値を示す。
【００９２】消去磁界の増大は、光磁気ディスクドライ
ブにおける磁界発生装置の大型化、消費電力の増大を招
くことになる。現在の光磁気ディスクドライブにおい
て、現実的な消去磁界の大きさは３１ｋＡ／ｍ以下であ
り、したがって金属膜層４の膜厚としては、６ｎｍ以上
が必要であることがわかる。
【００９３】また、再生時においては、記録層５及び記
録補助層１２から発生する漏洩磁界により再生層３の磁
化方向が決定されるため、金属膜層４の膜厚が５０ｎｍ
と厚くなると、記録層５及び記録補助層１２から発生す
る漏洩磁界が十分に再生層３へと届かなくなり、ＣＮＲ
の劣化が発生することになる。良好な信号品質、すなわ
ち高いＣＮＲを得るためには、金属膜層４の膜厚を４０
ｎｍ以下とする必要がある。
【００９４】〔実施例８〕次に、実施例７のディスクＡ
６の構成において、記録補助層１２の組成のみを変えて
光磁気ディスクを作製し、その記録再生特性を調べた。
各ディスクの記録補助層１２の組成、補償温度、キュリ
ー温度を表１３に示す。
【００９５】
【表１３】
【００９６】上記ディスクＡ７〜Ｅ７について、実施例
８と同様に波長６８０ｎｍの半導体レーザを用いた光ピ
ックアップにより、マーク長０．４５μｍでの最適再生
条件におけるＣＮＲ、記録磁区を消去するのに必要な磁
界（消去磁界）及び記録磁区を形成するのに必要な磁界
（記録磁界）を測定した結果を表１４に示す。
【００９７】
【表１４】
【００９８】ディスクＡ７〜Ｅ７の再生特性を比較する
と、ディスクＡ７からディスクＥ７へと徐々にＣＮＲが
低くなっていることがわかる。これは、記録補助層１２
の補償温度が徐々に上昇し漏洩磁界が小さくなるため、
ＣＮＲも徐々に低下するためである。しかし、記録補助
層１２に隣接して記録層５が存在し、十分な大きさの漏
洩磁界を発生させているため、ＣＮＲの低下は小さいも
のに抑えられている。
【００９９】次に、消去磁界は、記録補助層１２の補償
温度が高くなるにつれて小さくなるため、記録補助層１
２の補償温度は高いほど望ましいことになる。しかしこ
の時、記録磁界も記録補助層の補償温度の上昇とともに
大きくなり、ディスクＥ７の場合４５ｋＡ／ｍもの記録
磁界が必要であり、非実用的であることがわかる。
【０１００】以上の理由から、記録補助層１２は、その
補償温度が５０℃以下（ディスクＣ７、ディスクＤ７）
であるか、または室温からそのキュリー温度まで、常に
遷移金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメン
トより大きいこと（ディスクＡ７、ディスクＢ７）が必
要である。
【０１０１】以上の実施例において本発明では、透明誘
電体層、金属層、再生層、記録層、記録補助層としてそ
れぞれ、ＡｌＮ、Ａｌ、ＧｄＦｅＣｏ、ＴｂＤｙＦｅＣ
ｏ、ＧｄＦｅＣｏについて説明したが、これに限られる
ものではない。
【０１０２】透明誘電体層としては他に、ＳｉＮ、Ｓｉ
ＡｌＮ、ＴａＯ2等の屈折率の高い透明膜を使用するこ
とが可能である。金属膜層としては他に、Ａｕ、Ｔｉ、
Ａｇ、Ｃｕ等、及び、ＡｌＮｉ、ＡｌＴｉ等の合金から
なる高反射率を示す金属膜を使用することが可能であ
る。再生層としては、室温で面内磁化状態であり、温度
上昇とともに垂直磁化状態となればよく、希土類金属と
してＧｄを主成分としたＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦ
ｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ等の磁性膜を使用することが可能
である。記録層としては、希土類金属としてＤｙ又はＴ
ｂを主成分としたＤｙＦｅＣｏ、ＴｂＦｅＣｏ、ＧｄＴ
ｂＦｅＣｏ等の磁性膜を使用することが可能である。記
録補助層としては、希土類金属としてＧｄを主成分とし
たＧｄＤｙＦｅＣｏ、ＧｄＴｂＦｅ、ＧｄＴｂＦｅＣｏ
等の磁性膜を使用することが可能である。
【０１０３】
【発明の効果】以上のように、本発明の請求項１記載の
光磁気記録媒体は、基板上に、透明誘電体層と、室温に
おいて面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化
状態となる再生層と、金属膜層と、垂直磁化膜からなる
記録層と、保護層とが順次形成されてなる光磁気記録媒
体において、前記再生層の膜厚を５ｎｍ乃至３０ｎｍと
し、前記金属膜層の膜厚を６ｎｍ乃至４０ｎｍとし、前
記記録層の膜厚を２０ｎｍ乃至８０ｎｍとした構成であ
る。
【０１０４】これにより、小さい記録ビット径及び小さ
い記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても十
分な信号品質を得ることが可能となるとともに、小さな
消去磁界での消去が可能となるという効果を奏する。
【０１０５】請求項２記載の光磁気記録媒体は、基板上
に、第１の透明誘電体層と、室温において面内磁化状態
であり温度上昇にともない垂直磁化状態となる再生層
と、第２の透明誘電体層と、金属膜層と、垂直磁化膜か
らなる記録層と、保護層とが順次形成されてなる光磁気
記録媒体において、前記再生層の膜厚を５ｎｍ乃至３０
ｎｍとし、前記第２の透明誘電体層及び金属膜層の膜厚
の合計を６ｎｍ乃至４０ｎｍとし、前記記録層の膜厚を
２０ｎｍ乃至８０ｎｍとした構成である。
【０１０６】これにより、小さい記録ビット径及び小さ
い記録ビット間隔で記録再生を行った場合においても十
分な信号品質を得ることが可能となるとともに、小さな
消去磁界での消去が可能となるという効果を奏する。さ
らに、レーザーパワーの低減化及び高ＣＮＲ化が可能に
なるという効果を有する。
【０１０７】請求項３記載の光磁気記録媒体は、請求項
１または請求項２記載の光磁気記録媒体において、前記
記録層の補償温度Ｔwcompが５０℃以下であるか、また
は室温からキュリー温度Ｔwcまで常に前記記録層の遷移
金属副格子モーメントが希土類金属副格子モーメントよ
りも大きいことを特徴とした構成である。
【０１０８】これにより、請求項１、２記載の光磁気記
録媒体において、記録層から発生する漏洩磁界の大きさ
の温度依存性が再生特性に対して最適化され、小さい記
録ビット径及びさらに小さい記録ビット間隔で記録再生
を行った場合においても、十分な信号品質を得ることが
可能となるという効果を奏する。
【０１０９】請求項４記載の光磁気記録媒体は、請求項
１または請求項２記載の光磁気記録媒体において、前記
再生層の補償温度Ｔrcompが１８０℃以上であるか、ま
たはキュリー温度Ｔrcまで常に再生層の希土類金属副格
子モーメントが遷移金属副格子モーメントよりも大きい
ことを特徴とした構成である。
【０１１０】これにより、請求項１乃至請求項３記載の
光磁気記録媒体において、記録を行う際に再生層から発
生する漏洩磁界が小さくなり、小さな消去磁界で消去可
能な光磁気記録媒体を得ることが可能となるという効果
を奏する。
【０１１１】請求項５記載の光磁気記録媒体は、請求項
１または請求項２記載の光磁気記録媒体において、前記
記録層と前記保護層との間に前記記録層のキュリー温度
よりも高いキュリー温度を有する記録補助層を備え、該
記録補助層と前記記録層との膜厚の合計を２０ｎｍ以上
とした構成である。
【０１１２】これにより、請求項１、２記載の光磁気記
録媒体において、記録層よりも磁界に対して感度の高い
記録補助層を用いることになり、小さな消去磁界で消去
可能な光磁気記録媒体を得ることが可能となるという効
果を奏する。
【０１１３】請求項６記載の光磁気記録媒体は、請求項
５記載の光磁気記録媒体において、前記記録補助層の補
償温度Ｔicompが５０℃以下であるか、または室温から
キュリー温度Ｔicまで常に前記記録補助層の遷移金属副
格子モーメントが希土類金属副格子モーメントよりも大
きいことを特徴とした構成である。
【０１１４】これにより、請求項５記載の光磁気記録媒
体において、記録補助層の磁気特性が最適化され、実用
可能な記録磁界で記録可能な光磁気記録媒体を得ること
が可能になるという効果を奏する。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の第１の実施形態に係る光磁気ディスク
の膜構成を示す図である。
【図２】本発明の第２の実施形態に係る光磁気ディスク
の膜構成を示す図である。
【図３】本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスク
の膜構成を示す図である。
【図４】本発明の第３の実施形態に係る光磁気ディスク
の別の膜構成を示す図である。
【図５】本発明に係る光磁気ディスクと従来の光磁気デ
ィスクとの再生特性の比較を示す図である。
【図６】従来の光磁気ディスクの膜構成を示す図であ
る。
【図７】本発明に係る光磁気ディスクの記録層の磁気特
性を示す図である。
【図８】本発明に係る光磁気ディスクの記録層の別の磁
気特性を示す図である。
【図９】本発明に係る光磁気ディスクの再生層の磁気特
性を示す図である。
【図１０】本発明に係る光磁気ディスクの再生層の別の
磁気特性を示す図である。
【符号の説明】
１ 基板 ２ 第１の透明誘電体層 ３ 再生層 ４ 金属膜層 ５ 記録層 ６ 保護層 ７ オーバーコート層 ８ ディスク本体 ９ 光ビーム １０ 対物レンズ １１ 第２の透明誘電体層 １２ 記録補助層
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 高橋 明 大阪府大阪市阿倍野区長池町22番22号 シ ャープ株式会社内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に、透明誘電体層と、室温におい
    て面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁化状態
    となる再生層と、金属膜層と、垂直磁化膜からなる記録
    層と、保護層とが順次形成されてなる光磁気記録媒体に
    おいて、 前記再生層の膜厚が５ｎｍ乃至３０ｎｍであり、前記金
    属膜層の膜厚が６ｎｍ乃至４０ｎｍであり、前記記録層
    の膜厚が２０ｎｍ乃至８０ｎｍであることを特徴とする
    光磁気記録媒体。
  2. 【請求項２】 基板上に、第１の透明誘電体層と、室温
    において面内磁化状態であり温度上昇にともない垂直磁
    化状態となる再生層と、第２の透明誘電体層と、金属膜
    層と、垂直磁化膜からなる記録層と、保護層とが順次形
    成されてなる光磁気記録媒体において、 前記再生層の膜厚が５ｎｍ乃至３０ｎｍであり、前記第
    ２の透明誘電体層及び金属膜層の膜厚の合計が６ｎｍ乃
    至４０ｎｍであり、前記記録層の膜厚が２０ｎｍ乃至８
    ０ｎｍであることを特徴とする光磁気記録媒体。
  3. 【請求項３】 請求項１または請求項２記載の光磁気記
    録媒体において、前記記録層の補償温度Ｔwcompが５０
    ℃以下であるか、または室温からキュリー温度Ｔwcまで
    常に前記記録層の遷移金属副格子モーメントが希土類金
    属副格子モーメントよりも大きいことを特徴とする光磁
    気記録媒体。
  4. 【請求項４】 請求項１または請求項２記載の光磁気記
    録媒体において、前記再生層の補償温度Ｔrcompが１８
    ０℃以上であるか、またはキュリー温度Ｔrcまで常に前
    記再生層の希土類金属副格子モーメントが遷移金属副格
    子モーメントよりも大きいことを特徴とする光磁気記録
    媒体。
  5. 【請求項５】 請求項１または請求項２記載の光磁気記
    録媒体において、前記記録層と前記保護層との間に前記
    記録層のキュリー温度よりも高いキュリー温度を有する
    記録補助層を備え、該記録補助層と前記記録層との膜厚
    の合計が２０ｎｍ以上であることを特徴とする光磁気記
    録媒体。
  6. 【請求項６】 請求項５記載の光磁気記録媒体におい
    て、前記記録補助層の補償温度Ｔicompが５０℃以下で
    あるか、または室温からキュリー温度Ｔicまで常に前記
    記録補助層の遷移金属副格子モーメントが希土類金属副
    格子モーメントよりも大きいことを特徴とする光磁気記
    録媒体。
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