JPH09232180A - 積層セラミックコンデンサ - Google Patents
積層セラミックコンデンサInfo
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- JPH09232180A JPH09232180A JP8126405A JP12640596A JPH09232180A JP H09232180 A JPH09232180 A JP H09232180A JP 8126405 A JP8126405 A JP 8126405A JP 12640596 A JP12640596 A JP 12640596A JP H09232180 A JPH09232180 A JP H09232180A
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- H01G4/002—Details
- H01G4/018—Dielectrics
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 誘電率が３０００以上、絶縁抵抗が室温およ
び１２５℃での絶縁抵抗がそれぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２，０００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度
特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で
規定するＸ７Ｒ特性を満足し、高温負荷、耐湿負荷等の
耐候性能に優れた、低コストの小型大容量の積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ１０におい
て、誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂは、（１−α−
β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋αＲｅ2 Ｏ3 ＋β（Ｍｎ
1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（０．００２５≦α≦０．０２
５、０．００２５≦β≦０．０５、β／α≦４、０≦ｘ
＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋ｙ＜１．０、１．
０００＜ｍ≦１．０３５）で表される主成分１００モル
に対して、副成分として、ＭｇＯを０．５〜５．０モル
含有し、上記成分を１００重量部として、ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を０．２〜３．０重量部含有し
た材料によって構成される。
び１２５℃での絶縁抵抗がそれぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２，０００ＭΩ・μＦ以上と高く、静電容量の温度
特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ規格で
規定するＸ７Ｒ特性を満足し、高温負荷、耐湿負荷等の
耐候性能に優れた、低コストの小型大容量の積層セラミ
ックコンデンサを提供する。 【解決手段】 積層セラミックコンデンサ１０におい
て、誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂは、（１−α−
β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋αＲｅ2 Ｏ3 ＋β（Ｍｎ
1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（０．００２５≦α≦０．０２
５、０．００２５≦β≦０．０５、β／α≦４、０≦ｘ
＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋ｙ＜１．０、１．
０００＜ｍ≦１．０３５）で表される主成分１００モル
に対して、副成分として、ＭｇＯを０．５〜５．０モル
含有し、上記成分を１００重量部として、ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を０．２〜３．０重量部含有し
た材料によって構成される。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、電子機器に用い
られる積層セラミックコンデンサ、特に、ニッケルまた
はニッケル合金からなる内部電極を有する積層セラミッ
クコンデンサに関する。
られる積層セラミックコンデンサ、特に、ニッケルまた
はニッケル合金からなる内部電極を有する積層セラミッ
クコンデンサに関する。
【０００２】
【従来の技術】一般的に積層セラミックコンデンサの製
造工程は、以下の通りである。まず、その表面に内部電
極となる電極材料を塗布したシート状の誘電体材料が準
備される。誘電体材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3
を主成分とする材料が用いられる。次に、この電極材料
を塗布したシート状の誘電体材料を積層して熱圧着し、
一体化したものを自然雰囲気中において１２５０〜１３
５０℃で焼成することによって、内部電極を有する誘電
体磁器が得られる。そして、この誘電体磁器の端面に、
内部電極と導通する外部電極を焼き付けることによっ
て、積層セラミックコンデンサが得られる。
造工程は、以下の通りである。まず、その表面に内部電
極となる電極材料を塗布したシート状の誘電体材料が準
備される。誘電体材料としては、たとえばＢａＴｉＯ3
を主成分とする材料が用いられる。次に、この電極材料
を塗布したシート状の誘電体材料を積層して熱圧着し、
一体化したものを自然雰囲気中において１２５０〜１３
５０℃で焼成することによって、内部電極を有する誘電
体磁器が得られる。そして、この誘電体磁器の端面に、
内部電極と導通する外部電極を焼き付けることによっ
て、積層セラミックコンデンサが得られる。
【０００３】したがって、内部電極の材料としては、次
のような条件を満たす必要がある。 （ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼成されるの
で、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点を有するこ
と。 （ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、し
かも誘電体と反応しないこと。 このような条件を満足させる電極としては、白金、金、
パラジウムあるいは銀−パラジウム合金などのような貴
金属が用いられてきた。しかしながら、これらの電極材
料は優れた特性を有する反面、高価であった。そのた
め、積層セラミックコンデンサに占める電極材料費の割
合は３０〜７０％にも達し、製造コストを上昇させる最
大の要因となっていた。
のような条件を満たす必要がある。 （ａ）誘電体磁器と内部電極とが同時に焼成されるの
で、誘電体磁器が焼成される温度以上の融点を有するこ
と。 （ｂ）酸化性の高温雰囲気中においても酸化されず、し
かも誘電体と反応しないこと。 このような条件を満足させる電極としては、白金、金、
パラジウムあるいは銀−パラジウム合金などのような貴
金属が用いられてきた。しかしながら、これらの電極材
料は優れた特性を有する反面、高価であった。そのた
め、積層セラミックコンデンサに占める電極材料費の割
合は３０〜７０％にも達し、製造コストを上昇させる最
大の要因となっていた。
【０００４】貴金属以外に高融点をもつものとしてＮ
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の卑金属があるが、これら
の卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化されて
しまい、電極としての役目を果たさなくなってしまう。
そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデンサ
の内部電極として使用するためには、誘電体磁器ととも
に中性または還元性雰囲気中で焼成する必要がある。し
かしながら、従来の誘電体磁器材料では、このような中
性または還元性雰囲気で焼成すると著しく還元してしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
ｉ，Ｆｅ，Ｃｏ，Ｗ，Ｍｏ等の卑金属があるが、これら
の卑金属は高温の酸化性雰囲気中では容易に酸化されて
しまい、電極としての役目を果たさなくなってしまう。
そのため、これらの卑金属を積層セラミックコンデンサ
の内部電極として使用するためには、誘電体磁器ととも
に中性または還元性雰囲気中で焼成する必要がある。し
かしながら、従来の誘電体磁器材料では、このような中
性または還元性雰囲気で焼成すると著しく還元してしま
い、半導体化してしまうという欠点があった。
【０００５】このような欠点を克服するために、たとえ
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料
や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示されるよう
に、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄ
ｙ，Ｙ等の希土類酸化物を添加した誘電体材料が提案さ
れた。
ば特公昭５７−４２５８８号公報に示されるように、チ
タン酸バリウム固溶体において、バリウムサイト／チタ
ンサイトの比を化学量論比より過剰にした誘電体材料
や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示されるよう
に、チタン酸バリウム固溶体にＬａ，Ｎｄ，Ｓｍ，Ｄ
ｙ，Ｙ等の希土類酸化物を添加した誘電体材料が提案さ
れた。
【０００６】また、誘電率の温度変化を小さくしたもの
として、たとえば特開昭６２−２５６４２２号に示され
るＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組
成や、特公昭６１−１４６１１号に示されるＢａＴｉＯ
3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系の組成の誘電体材料が提案されてきた。
として、たとえば特開昭６２−２５６４２２号に示され
るＢａＴｉＯ3 −ＣａＺｒＯ3 −ＭｎＯ−ＭｇＯ系の組
成や、特公昭６１−１４６１１号に示されるＢａＴｉＯ
3 −（Ｍｇ，Ｚｎ，Ｓｒ，Ｃａ）Ｏ−Ｂ2 Ｏ3 −ＳｉＯ
2 系の組成の誘電体材料が提案されてきた。
【０００７】このような誘電体材料を使用することによ
って、還元性雰囲気で焼成しても半導体化しない誘電体
磁器を得ることができ、内部電極としてニッケル等の卑
金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造が可能
となった。
って、還元性雰囲気で焼成しても半導体化しない誘電体
磁器を得ることができ、内部電極としてニッケル等の卑
金属を使用した積層セラミックコンデンサの製造が可能
となった。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】近年のエレクトロニク
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化、大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、誘電体材料の高誘電率化と誘
電体層の薄層化が急速な勢いで進んでいる。したがっ
て、高誘電率で、誘電率の温度変化が小さく、信頼性に
優れる誘電体材料に対する需要が大きくなっている。
スの発展に伴い電子部品の小型化が急速に進行し、積層
セラミックコンデンサも小型化、大容量化の傾向が顕著
になってきた。そのため、誘電体材料の高誘電率化と誘
電体層の薄層化が急速な勢いで進んでいる。したがっ
て、高誘電率で、誘電率の温度変化が小さく、信頼性に
優れる誘電体材料に対する需要が大きくなっている。
【０００９】しかしながら、特公昭５７−４２５８８号
公報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘
電体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた
誘電体磁器の結晶粒が大きくなり、積層コンデンサにお
ける誘電体層厚みが１０μｍ以下のような薄膜になる
と、１つの層中に存在する結晶粒の数が減少し、信頼性
が低下してしまう欠点があった。また、誘電率の温度変
化も大きいという問題点もあり、市場の要求に応えられ
ていない。
公報や、特開昭６１−１０１４５９号公報に示される誘
電体材料は、大きな誘電率が得られるものの、得られた
誘電体磁器の結晶粒が大きくなり、積層コンデンサにお
ける誘電体層厚みが１０μｍ以下のような薄膜になる
と、１つの層中に存在する結晶粒の数が減少し、信頼性
が低下してしまう欠点があった。また、誘電率の温度変
化も大きいという問題点もあり、市場の要求に応えられ
ていない。
【００１０】一方、特開昭６２−２５６４２２号公報に
示される誘電体材料では、誘電率が比較的高く、得られ
た誘電体磁器の結晶粒も小さく、誘電率の温度変化も小
さいものの、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温での信頼性に問題点があった。
示される誘電体材料では、誘電率が比較的高く、得られ
た誘電体磁器の結晶粒も小さく、誘電率の温度変化も小
さいものの、ＣａＺｒＯ3 や焼成過程で生成するＣａＴ
ｉＯ3 が、Ｍｎなどとともに二次相を生成しやすいた
め、高温での信頼性に問題点があった。
【００１１】また、特公昭６１−１４６１１号公報に示
される誘電体材料では、得られる誘電率が２０００〜２
８００であり、積層コンデンサの小型大容量化という点
で不利であるという欠点があった。さらに、ＥＩＡ規格
で規定されているＸ７Ｒ特性、すなわち、温度範囲−５
５℃〜＋１２５℃の間で静電容量の変化率が±１５％以
内を満足し得ないという問題点があった。
される誘電体材料では、得られる誘電率が２０００〜２
８００であり、積層コンデンサの小型大容量化という点
で不利であるという欠点があった。さらに、ＥＩＡ規格
で規定されているＸ７Ｒ特性、すなわち、温度範囲−５
５℃〜＋１２５℃の間で静電容量の変化率が±１５％以
内を満足し得ないという問題点があった。
【００１２】さらに、これまで提案されている非還元性
誘電体磁器組成物では、高温負荷寿命試験での絶縁抵抗
の劣化については種々の改善がなされているものの、耐
湿負荷試験での絶縁抵抗の劣化についてはあまり改善さ
れていなかった。
誘電体磁器組成物では、高温負荷寿命試験での絶縁抵抗
の劣化については種々の改善がなされているものの、耐
湿負荷試験での絶縁抵抗の劣化についてはあまり改善さ
れていなかった。
【００１３】そこで、上記問題点を解決すべく、特開平
０５−０９０６６号、特開平０５−０９０６７号、特開
平０５−０９０６８号の組成が提案されている。しか
し、その後のさらなる小型大容量化の要求によって、誘
電体層の薄層化と並行して信頼性に対する市場要求がよ
り厳しくなり、さらに信頼性に優れた薄層化対応の誘電
体材料への要求が高まってきている。したがって、高
温、高湿下での信頼性特性に優れた小型大容量の積層セ
ラミックコンデンサを提案する必要が生じてきた。
０５−０９０６６号、特開平０５−０９０６７号、特開
平０５−０９０６８号の組成が提案されている。しか
し、その後のさらなる小型大容量化の要求によって、誘
電体層の薄層化と並行して信頼性に対する市場要求がよ
り厳しくなり、さらに信頼性に優れた薄層化対応の誘電
体材料への要求が高まってきている。したがって、高
温、高湿下での信頼性特性に優れた小型大容量の積層セ
ラミックコンデンサを提案する必要が生じてきた。
【００１４】それゆえに、この発明の主たる目的は、誘
電率が３０００以上、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、室温および１２５℃での絶縁抵抗
がそれぞれ６，０００ＭΩ・μＦ、２，０００ＭΩ・μ
Ｆ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規格
するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満
足し、さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性能に優
れた、低コストの小型大容量の積層セラミックコンデン
サを提供することである。
電率が３０００以上、絶縁抵抗が静電容量との積（ＣＲ
積）で表した場合に、室温および１２５℃での絶縁抵抗
がそれぞれ６，０００ＭΩ・μＦ、２，０００ＭΩ・μ
Ｆ以上と高く、静電容量の温度特性がＪＩＳ規格で規格
するＢ特性およびＥＩＡ規格で規定するＸ７Ｒ特性を満
足し、さらには、高温負荷、耐湿負荷等の耐候性能に優
れた、低コストの小型大容量の積層セラミックコンデン
サを提供することである。
【００１５】
【課題を解決するための手段】この発明は、複数の誘電
体セラミック層と、それぞれの端縁が誘電体セラミック
層の両端面に露出するように誘電体セラミック層間に形
成された複数の内部電極、および、露出した内部電極に
電気的に接続されるように設けられた外部電極を含む積
層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層
は、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量
が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化イッテルビウム、酸化マンガン、酸化コ
バルトおよび酸化ニッケルとからなり、次の組成式、
（１−α−β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋αＲｅ2 Ｏ3
＋β（Ｍｎ1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（ただし、Ｒｅ2 Ｏ
3 は、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ
3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる一種類以上であり、
α、β、ｍ、ｘ、ｙは、０．００２５≦α≦０．０２
５、０．００２５≦β≦０．０５、β／α≦４、０≦ｘ
＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋ｙ＜１．０、１．
０００＜ｍ≦１．０３５）で表される主成分１００モル
に対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに
換算して０．５〜５．０モル添加含有し、さらに、上記
成分を１００重量部として、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ
系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、
ＭｎＯの中から選ばれる酸化物）の酸化物を０．２〜
３．０重量部含有した材料によって構成され、内部電極
はニッケルまたはニッケル合金によって構成される、積
層セラミックコンデンサである。
体セラミック層と、それぞれの端縁が誘電体セラミック
層の両端面に露出するように誘電体セラミック層間に形
成された複数の内部電極、および、露出した内部電極に
電気的に接続されるように設けられた外部電極を含む積
層セラミックコンデンサにおいて、誘電体セラミック層
は、不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量
が０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、酸化テル
ビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化エ
ルビウム、酸化イッテルビウム、酸化マンガン、酸化コ
バルトおよび酸化ニッケルとからなり、次の組成式、
（１−α−β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋αＲｅ2 Ｏ3
＋β（Ｍｎ1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（ただし、Ｒｅ2 Ｏ
3 は、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ
3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる一種類以上であり、
α、β、ｍ、ｘ、ｙは、０．００２５≦α≦０．０２
５、０．００２５≦β≦０．０５、β／α≦４、０≦ｘ
＜１．０、０≦ｙ＜１．０、０≦ｘ＋ｙ＜１．０、１．
０００＜ｍ≦１．０３５）で表される主成分１００モル
に対して、副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに
換算して０．５〜５．０モル添加含有し、さらに、上記
成分を１００重量部として、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ
系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、
ＭｎＯの中から選ばれる酸化物）の酸化物を０．２〜
３．０重量部含有した材料によって構成され、内部電極
はニッケルまたはニッケル合金によって構成される、積
層セラミックコンデンサである。
【００１６】ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系（ＭＯはＢａ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から
選ばれる酸化物）の酸化物は、｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，
ＭＯ｝の三角図としたときに（モル％で示す）、Ａ（８
５，１，１４）、Ｂ（３５，５１，１４）、Ｃ（３０，
２０，５０）、Ｄ（３９，１，６０）の４点を結ぶ４本
の直線で囲まれた組成範囲にあり、上記成分を１００重
量部として、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 のうち少なくと
も一種類を合計で１５重量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は
５重量部以下）を添加含有するのが好ましい。
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から
選ばれる酸化物）の酸化物は、｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，
ＭＯ｝の三角図としたときに（モル％で示す）、Ａ（８
５，１，１４）、Ｂ（３５，５１，１４）、Ｃ（３０，
２０，５０）、Ｄ（３９，１，６０）の４点を結ぶ４本
の直線で囲まれた組成範囲にあり、上記成分を１００重
量部として、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ2 のうち少なくと
も一種類を合計で１５重量部以下（ただし、ＺｒＯ2 は
５重量部以下）を添加含有するのが好ましい。
【００１７】外部電極は、導電性金属粉末またはガラス
フリットを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構
成されているのが好ましい。また、外部電極は、導電性
金属粉末またはガラスフリットを添加した導電性金属粉
末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からな
る第２層とからなるのが好ましい。
フリットを添加した導電性金属粉末の焼結層によって構
成されているのが好ましい。また、外部電極は、導電性
金属粉末またはガラスフリットを添加した導電性金属粉
末の焼結層からなる第１層と、その上のメッキ層からな
る第２層とからなるのが好ましい。
【００１８】
【作用】誘電体セラミック層の材料として、チタン酸バ
リウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化
ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中
から選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルとの組成比を調整
し、酸化マグネシウムおよびＳｉＯ2 −ＴｉＯ2−ＭＯ
系の酸化物を添加含有させた誘電体磁器組組成物を用い
ることによって、還元性雰囲気中で焼成しても、その特
性を劣化させることなく焼成することができ、静電容量
の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ
規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足し、室温、高温の絶縁
抵抗の高い、高信頼性の積層セラミックコンデンサを得
ることができる。また、得られる焼結体の結晶粒径が１
μｍ以下と小さいため、１つの誘電体層中に存在する結
晶粒の数を増やすことができ、積層セラミックコンデン
サの誘電体層の厚みを薄くしても信頼性の低下を防ぐこ
とができる。
リウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化
ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中
から選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルとの組成比を調整
し、酸化マグネシウムおよびＳｉＯ2 −ＴｉＯ2−ＭＯ
系の酸化物を添加含有させた誘電体磁器組組成物を用い
ることによって、還元性雰囲気中で焼成しても、その特
性を劣化させることなく焼成することができ、静電容量
の温度特性がＪＩＳ規格で規定するＢ特性およびＥＩＡ
規格で規定するＸ７Ｒ特性を満足し、室温、高温の絶縁
抵抗の高い、高信頼性の積層セラミックコンデンサを得
ることができる。また、得られる焼結体の結晶粒径が１
μｍ以下と小さいため、１つの誘電体層中に存在する結
晶粒の数を増やすことができ、積層セラミックコンデン
サの誘電体層の厚みを薄くしても信頼性の低下を防ぐこ
とができる。
【００１９】さらに、誘電体セラミック層がチタン酸バ
リウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化
ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中
から選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルにより構成される
誘電体磁器組成物において、そのチタン酸バリウム中に
不純物として存在するＳｒＯ、ＣａＯ等のアルカリ土類
金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化
物、その他Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の酸化物のうち、特
にＮａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化物の含有量が
電気的特性に大きく影響することを、本願発明者等は見
い出した。すなわち、不純物として存在するアルカリ金
属酸化物量が０．０２重量％未満のチタン酸バリウムを
用いることによって、３，０００以上の誘電率が得られ
る。
リウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化
ホルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中
から選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルにより構成される
誘電体磁器組成物において、そのチタン酸バリウム中に
不純物として存在するＳｒＯ、ＣａＯ等のアルカリ土類
金属酸化物、Ｎａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化
物、その他Ａｌ2 Ｏ3 、ＳｉＯ2 等の酸化物のうち、特
にＮａ2 Ｏ、Ｋ2 Ｏ等のアルカリ金属酸化物の含有量が
電気的特性に大きく影響することを、本願発明者等は見
い出した。すなわち、不純物として存在するアルカリ金
属酸化物量が０．０２重量％未満のチタン酸バリウムを
用いることによって、３，０００以上の誘電率が得られ
る。
【００２０】また、誘電体セラミック層中にＳｉＯ2 −
ＴｉＯ2 −ＭＯ（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から選ばれる一種以上の酸化
物）を主成分とする酸化物を添加させることによって、
焼結性が良くなるとともに、耐湿負荷特性が向上するこ
とも、本願発明者等は見い出した。さらに、前記ＳｉＯ
2 −ＴｉＯ2 −ＭＯを主成分とする酸化物にＡｌ
2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 を添加含有させることで、より高い絶
縁抵抗を得る事が可能となる。
ＴｉＯ2 −ＭＯ（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から選ばれる一種以上の酸化
物）を主成分とする酸化物を添加させることによって、
焼結性が良くなるとともに、耐湿負荷特性が向上するこ
とも、本願発明者等は見い出した。さらに、前記ＳｉＯ
2 −ＴｉＯ2 −ＭＯを主成分とする酸化物にＡｌ
2 Ｏ3 、ＺｒＯ2 を添加含有させることで、より高い絶
縁抵抗を得る事が可能となる。
【００２１】以上のことから、静電容量の温度変化が小
さい、高信頼で小型大容量のニッケルおよびニッケル合
金を内部電極とする積層コンデンサを実現することが可
能となる。
さい、高信頼で小型大容量のニッケルおよびニッケル合
金を内部電極とする積層コンデンサを実現することが可
能となる。
【００２２】
【発明の効果】この発明によれば、積層コンデンサの誘
電体セラミック層が還元性雰囲気中で焼成しても還元さ
れず、半導体化しない誘電体磁器組成物から構成されて
いるので、電極材料として卑金属であるニッケルおよび
ニッケル合金を用いることができ、１３００℃以下と比
較的低温で焼成可能であるため、積層セラミックコンデ
ンサのコストダウンを図る事ができる。
電体セラミック層が還元性雰囲気中で焼成しても還元さ
れず、半導体化しない誘電体磁器組成物から構成されて
いるので、電極材料として卑金属であるニッケルおよび
ニッケル合金を用いることができ、１３００℃以下と比
較的低温で焼成可能であるため、積層セラミックコンデ
ンサのコストダウンを図る事ができる。
【００２３】また、この誘電体磁器組成物を用いた積層
セラミックコンデンサは、誘電率が３，０００以上あ
り、しかもこのように高誘電率であるにもかかわらず、
誘電率の温度変化が小さい。この積層セラミックコンデ
ンサは、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化
のない優れた特性を示す。さらに、結晶粒径が１μｍ以
下と小さく、誘電体層を薄層化しても、従来の積層セラ
ミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒の量が
少なくならない。このため、信頼性が高く、しかも小型
で大容量の積層セラミックコンデンサを得る事ができ
る。
セラミックコンデンサは、誘電率が３，０００以上あ
り、しかもこのように高誘電率であるにもかかわらず、
誘電率の温度変化が小さい。この積層セラミックコンデ
ンサは、絶縁抵抗も高く、高温下、高湿下での特性劣化
のない優れた特性を示す。さらに、結晶粒径が１μｍ以
下と小さく、誘電体層を薄層化しても、従来の積層セラ
ミックコンデンサのように層中に存在する結晶粒の量が
少なくならない。このため、信頼性が高く、しかも小型
で大容量の積層セラミックコンデンサを得る事ができ
る。
【００２４】この発明の上述の目的，その他の目的，特
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態および実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
徴および利点は、図面を参照して行う以下の発明の実施
の形態および実施例の詳細な説明から一層明らかとなろ
う。
【００２５】
【発明の実施の形態】図１はこの発明の一実施例を示す
断面図である。この積層セラミックコンデンサ１０は、
積層誘電体セラミック体１２を含む。積層誘電体セラミ
ック体１２は、複数枚の第１の誘電体セラミック層１４
ａおよび２枚の第２の誘電体セラミック層１４ｂを積層
することによって形成される。この積層誘電体セラミッ
ク体１２では、第２の誘電体セラミック層１４ｂが両端
面に配置され、２枚の第２の誘電体セラミック層１４ｂ
が複数枚の第１の誘電体セラミック層１４ａを挟み込む
ように、誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂが積層され
る。これらの誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂは、内
部電極１６を介在して積層される。また、積層誘電体セ
ラミック体１２の両端面には、外部電極１８，第１のメ
ッキ被膜２０ａおよび第２のメッキ被膜２０ｂがこの順
に形成される。第１のメッキ被膜２０ａとしては、ニッ
ケル、銅などが用いられ、第２のメッキ被膜２０ｂとし
ては、半田、錫などが用いられる。すなわち、積層セラ
ミックコンデンサ１０は、直方体形状のチップタイプと
なるように形成される。
断面図である。この積層セラミックコンデンサ１０は、
積層誘電体セラミック体１２を含む。積層誘電体セラミ
ック体１２は、複数枚の第１の誘電体セラミック層１４
ａおよび２枚の第２の誘電体セラミック層１４ｂを積層
することによって形成される。この積層誘電体セラミッ
ク体１２では、第２の誘電体セラミック層１４ｂが両端
面に配置され、２枚の第２の誘電体セラミック層１４ｂ
が複数枚の第１の誘電体セラミック層１４ａを挟み込む
ように、誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂが積層され
る。これらの誘電体セラミック層１４ａ，１４ｂは、内
部電極１６を介在して積層される。また、積層誘電体セ
ラミック体１２の両端面には、外部電極１８，第１のメ
ッキ被膜２０ａおよび第２のメッキ被膜２０ｂがこの順
に形成される。第１のメッキ被膜２０ａとしては、ニッ
ケル、銅などが用いられ、第２のメッキ被膜２０ｂとし
ては、半田、錫などが用いられる。すなわち、積層セラ
ミックコンデンサ１０は、直方体形状のチップタイプと
なるように形成される。
【００２６】次に、この発明にかかる積層セラミックコ
ンデンサ１０の製造方法について、製造工程順に説明す
る。
ンデンサ１０の製造方法について、製造工程順に説明す
る。
【００２７】まず、積層誘電体セラミック体１２が以下
のように形成される。図２に示すように、チタン酸バリ
ウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホ
ルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中か
ら選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム
と、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯを主成分とする酸化物と
からなる材料粉末をスラリ化してシート状とした第１の
誘電体セラミック層１４ａ（グリーンシート）を用意
し、その一面にニッケルまたはニッケル合金からなる内
部電極１６を形成する。なお、内部電極１６を形成する
方法は、スクリーン印刷などによる形成でもよいし、蒸
着、メッキ法による形成でもよい。内部電極１６が形成
された第１の誘電体セラミック層１４ａは必要枚数積層
され、図３に示す如く、内部電極１６が形成されない第
２の誘電体セラミック層１４ｂにて挟んで圧着し、積層
体とする。その後、この積層体を、還元性雰囲気中、所
定の温度にて焼成し、積層誘電体セラミック体１２が形
成される。
のように形成される。図２に示すように、チタン酸バリ
ウムと、酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホ
ルミウム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウムの中か
ら選ばれる１種類以上の希土類酸化物と、酸化マンガ
ン、酸化コバルト、酸化ニッケル、酸化マグネシウム
と、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯを主成分とする酸化物と
からなる材料粉末をスラリ化してシート状とした第１の
誘電体セラミック層１４ａ（グリーンシート）を用意
し、その一面にニッケルまたはニッケル合金からなる内
部電極１６を形成する。なお、内部電極１６を形成する
方法は、スクリーン印刷などによる形成でもよいし、蒸
着、メッキ法による形成でもよい。内部電極１６が形成
された第１の誘電体セラミック層１４ａは必要枚数積層
され、図３に示す如く、内部電極１６が形成されない第
２の誘電体セラミック層１４ｂにて挟んで圧着し、積層
体とする。その後、この積層体を、還元性雰囲気中、所
定の温度にて焼成し、積層誘電体セラミック体１２が形
成される。
【００２８】次に、積層誘電体セラミック体１２の両端
面に、内部電極１６と接続するように、二つの外部電極
１８が形成される。この外部電極１８の材料としては、
内部電極１６と同じ材料を使用することができる。ま
た、外部電極１８の材料としては、銀、パラジウム、銀
−パラジウム合金等が使用可能であり、また、これらの
金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスなどの
ガラスフリットを添加したものも使用されるが、積層セ
ラミックコンデンサ１０の使用用途、使用場所などを考
慮に入れて、適当な材料が選択される。また、外部電極
１８は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得
た積層誘電体セラミック体１２に塗布して、焼き付ける
ことによって形成されるが、焼成前に塗布して、積層誘
電体セラミック体１２と同時に形成してもよい。この
後、外部電極１８上にニッケル、銅などのメッキを施
し、第１のメッキ被膜２０ａが形成される。最後に、こ
の第１のメッキ被膜２０ａの上に、半田、錫などの第２
のメッキ被膜２０ｂが形成され、チップ型の積層セラミ
ックコンデンサ１０が製造される。
面に、内部電極１６と接続するように、二つの外部電極
１８が形成される。この外部電極１８の材料としては、
内部電極１６と同じ材料を使用することができる。ま
た、外部電極１８の材料としては、銀、パラジウム、銀
−パラジウム合金等が使用可能であり、また、これらの
金属粉末にＢ2 Ｏ3 −ＳｉＯ2 −ＢａＯ系ガラスなどの
ガラスフリットを添加したものも使用されるが、積層セ
ラミックコンデンサ１０の使用用途、使用場所などを考
慮に入れて、適当な材料が選択される。また、外部電極
１８は、材料となる金属粉末ペーストを、焼成により得
た積層誘電体セラミック体１２に塗布して、焼き付ける
ことによって形成されるが、焼成前に塗布して、積層誘
電体セラミック体１２と同時に形成してもよい。この
後、外部電極１８上にニッケル、銅などのメッキを施
し、第１のメッキ被膜２０ａが形成される。最後に、こ
の第１のメッキ被膜２０ａの上に、半田、錫などの第２
のメッキ被膜２０ｂが形成され、チップ型の積層セラミ
ックコンデンサ１０が製造される。
【００２９】
（実施例１）まず、出発原料として種々の純度のＴｉＣ
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ）として沈澱させ、沈澱物を得た。この沈澱
物を１０００℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４
種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
また、０．６６ＳｉＯ2 −０．１７ＴｉＯ2 −０．１５
ＢａＯ−０．０２ＭｎＯ（モル比）の組成割合になるよ
うに、各成分の酸化物、炭酸塩および水酸化物を秤量
し、混合粉砕して粉末を得た。この粉末を白金るつぼ中
において、１５００℃まで加熱した後、急冷し、粉砕す
ることによって、平均粒径が１μｍ以下の酸化物粉末を
得た。
ｌ4 とＢａ（ＮＯ3 ）2 とを準備して秤量した後、蓚酸
により蓚酸チタニルバリウム（ＢａＴｉＯ（Ｃ2 Ｏ4 ）
・４Ｈ2 Ｏ）として沈澱させ、沈澱物を得た。この沈澱
物を１０００℃以上の温度で加熱分解させて、表１の４
種類のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ3 ）を合成した。
また、０．６６ＳｉＯ2 −０．１７ＴｉＯ2 −０．１５
ＢａＯ−０．０２ＭｎＯ（モル比）の組成割合になるよ
うに、各成分の酸化物、炭酸塩および水酸化物を秤量
し、混合粉砕して粉末を得た。この粉末を白金るつぼ中
において、１５００℃まで加熱した後、急冷し、粉砕す
ることによって、平均粒径が１μｍ以下の酸化物粉末を
得た。
【００３０】
【表１】
【００３１】次に、チタン酸バリウムのＢａ／Ｔｉモル
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙ
ｂ2Ｏ3 、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯとを準備し
た。これらの原料粉末と上記酸化物粉末を表２に示す組
成比となるように配合し、配合物を得た。この配合物
に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール
等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、
セラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリ
ーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み１１
μｍの矩形のグリーンシートを得た。次に、このセラミ
ックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電ペース
トを印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層
を形成した。
比ｍを調整するためのＢａＣＯ3 と、純度９９％以上の
Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙ
ｂ2Ｏ3 、ＭｎＯ、ＮｉＯ、ＣｏＯ、ＭｇＯとを準備し
た。これらの原料粉末と上記酸化物粉末を表２に示す組
成比となるように配合し、配合物を得た。この配合物
に、ポリビニルブチラール系バインダおよびエタノール
等の有機溶剤を加えて、ボールミルにより湿式混合し、
セラミックスラリーを調製した。このセラミックスラリ
ーをドクターブレード法によりシート成形し、厚み１１
μｍの矩形のグリーンシートを得た。次に、このセラミ
ックグリーンシート上に、Ｎｉを主体とする導電ペース
トを印刷し、内部電極を構成するための導電ペースト層
を形成した。
【００３２】
【表２】
【００３３】導電ペースト層が形成されたセラミックグ
リーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互
い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。この
積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、
バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 Ｍ
ＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中
において表３に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼
結体を得た。
リーンシートを導電ペーストの引き出されている側が互
い違いとなるように複数枚積層し、積層体を得た。この
積層体を、Ｎ2 雰囲気中にて３５０℃の温度に加熱し、
バインダを燃焼させた後、酸素分圧１０-9〜１０-12 Ｍ
ＰａのＨ2 −Ｎ2 −Ｈ2 Ｏガスからなる還元性雰囲気中
において表３に示す温度で２時間焼成し、セラミック焼
結体を得た。
【００３４】
【表３】
【００３５】得られたセラミック焼結体の表面を走査型
電子顕微鏡にて、倍率１５００倍で観察し、グレインサ
イズを測定した。
電子顕微鏡にて、倍率１５００倍で観察し、グレインサ
イズを測定した。
【００３６】焼成後、得られたセラミック焼結体の両端
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。
面にＢ2 Ｏ3 −Ｌｉ2 Ｏ−ＳｉＯ2−ＢａＯ系のガラス
フリットを含有する銀ペーストを塗布し、Ｎ2 雰囲気中
において６００℃の温度で焼き付け、内部電極と電気的
に接続された外部電極を形成した。
【００３７】このようにして得られた積層コンデンサの
外形寸法は、幅；１．６ｍｍ、長さ；３．２ｍｍ、厚
さ；１．２ｍｍであり、内部電極間に介在される誘電体
セラミック層の厚みは８μｍであった。また、有効誘電
体セラミック層の総数は１９であり、一層当たりの対向
電極の面積は２．１ｍｍ2 であった。
外形寸法は、幅；１．６ｍｍ、長さ；３．２ｍｍ、厚
さ；１．２ｍｍであり、内部電極間に介在される誘電体
セラミック層の厚みは８μｍであった。また、有効誘電
体セラミック層の総数は１９であり、一層当たりの対向
電極の面積は２．１ｍｍ2 であった。
【００３８】そして、これらについて電気的特性を測定
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて、周波数１ＫＨｚ、１Ｖ
ｒｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するた
めに、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印
加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。また、温度変化に対する静電容量の変
化率を測定した。
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて、周波数１ＫＨｚ、１Ｖ
ｒｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗（Ｒ）を測定するた
めに、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの直流電圧を２分間印
加して、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗（Ｒ）を測定
し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）との積、すなわち
ＣＲ積を求めた。また、温度変化に対する静電容量の変
化率を測定した。
【００３９】なお、温度変化に対する静電容量の変化率
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静電
容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率（ΔＣ
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の範囲内で絶対値と
してその変化率が最大である値（｜ΔＣ｜ｍａｘ）を示
した。
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静電
容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率（ΔＣ
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の範囲内で絶対値と
してその変化率が最大である値（｜ΔＣ｜ｍａｘ）を示
した。
【００４０】また、高温負荷寿命試験として、各試料を
３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印加
して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温
負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω
以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命
時間を示す。耐湿負荷試験は、各試料を７２個ずつ、２
気圧（相対湿度１００％），温度１２１℃にて直流電圧
を１６Ｖ印加した場合において、２５０時間経過するま
でに絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω以下になった試料の個
数を示す。
３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印加
して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温
負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω
以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命
時間を示す。耐湿負荷試験は、各試料を７２個ずつ、２
気圧（相対湿度１００％），温度１２１℃にて直流電圧
を１６Ｖ印加した場合において、２５０時間経過するま
でに絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω以下になった試料の個
数を示す。
【００４１】以上の結果を表３に示した。
【００４２】表１、表２、表３から明らかなように、こ
の発明の積層コンデンサは、誘電率εが３，０００以上
と高く、誘電正接ｔａｎδは２．５％以下で、温度に対
する静電容量の変化率が、−２５℃〜８５℃での範囲で
ＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足し、−５５℃と
１２５℃での範囲内でＥＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性
規格を満足する。
の発明の積層コンデンサは、誘電率εが３，０００以上
と高く、誘電正接ｔａｎδは２．５％以下で、温度に対
する静電容量の変化率が、−２５℃〜８５℃での範囲で
ＪＩＳ規格に規定するＢ特性規格を満足し、−５５℃と
１２５℃での範囲内でＥＩＡ規格に規定するＸ７Ｒ特性
規格を満足する。
【００４３】しかも、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗を
ＣＲ積で表したときに、それぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２，０００ＭΩ・μＦ以上と高い値を示す。また、
平均寿命時間が３００時間以上と長く、耐湿負荷試験で
の不良の発生は認められない。さらに、焼成温度も１３
００℃以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径につい
ても１μｍ以下と小さい。
ＣＲ積で表したときに、それぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２，０００ＭΩ・μＦ以上と高い値を示す。また、
平均寿命時間が３００時間以上と長く、耐湿負荷試験で
の不良の発生は認められない。さらに、焼成温度も１３
００℃以下と比較的低温で焼結可能であり、粒径につい
ても１μｍ以下と小さい。
【００４４】ここで、この発明の組成限定理由について
説明する。
説明する。
【００４５】（１−α−β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋
αＲｅ2 Ｏ3 ＋β（Ｍｎ1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（ただ
し、Ｒｅ2 Ｏ3 は、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ
3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる一種類以
上）における限定理由について、まず述べる。
αＲｅ2 Ｏ3 ＋β（Ｍｎ1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ（ただ
し、Ｒｅ2 Ｏ3 は、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈｏ2 Ｏ
3 、Ｅｒ2 Ｏ3 、Ｙｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる一種類以
上）における限定理由について、まず述べる。
【００４６】試料番号１のように、Ｒｅ2 Ｏ3 量αが
０．００２５未満の場合、誘電率εが３，０００以下と
低く、静電容量の温度変化率も大きくなり、また、１２
５℃での絶縁抵抗が低くなり、さらに、平均寿命時間が
極端に短くなり、好ましくない。また、試料番号１７の
ように、Ｒｅ2 Ｏ3 量αが０．０２５を超えると、誘電
率が３，０００を越えず、２５℃，１２５℃での絶縁抵
抗が低下し、平均寿命時間が短くなるとともに、耐湿負
荷試験での不良が発生し、また、焼成温度が高くなり、
好ましくない。
０．００２５未満の場合、誘電率εが３，０００以下と
低く、静電容量の温度変化率も大きくなり、また、１２
５℃での絶縁抵抗が低くなり、さらに、平均寿命時間が
極端に短くなり、好ましくない。また、試料番号１７の
ように、Ｒｅ2 Ｏ3 量αが０．０２５を超えると、誘電
率が３，０００を越えず、２５℃，１２５℃での絶縁抵
抗が低下し、平均寿命時間が短くなるとともに、耐湿負
荷試験での不良が発生し、また、焼成温度が高くなり、
好ましくない。
【００４７】試料番号２のように、（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃ
ｏ）Ｏ量βが０．００２５より小さくなると、還元性雰
囲気で焼成したとき磁器が還元され、半導体化して絶縁
抵抗が低下してしまい、好ましくない。また、試料番号
１８のように、（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βが０．０５
を超えると、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が、それぞ
れ６，０００ＭΩ・μＦ、２，０００ＭΩ・μＦを満足
せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなり、さら
に、静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり、好ましくない。
ｏ）Ｏ量βが０．００２５より小さくなると、還元性雰
囲気で焼成したとき磁器が還元され、半導体化して絶縁
抵抗が低下してしまい、好ましくない。また、試料番号
１８のように、（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βが０．０５
を超えると、２５℃、１２５℃での絶縁抵抗が、それぞ
れ６，０００ＭΩ・μＦ、２，０００ＭΩ・μＦを満足
せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなり、さら
に、静電容量の温度変化率が大きくなり、ＥＩＡ規格の
Ｘ７Ｒ特性を満足しなくなり、好ましくない。
【００４８】試料番号１９、試料番号２０のように、Ｎ
ｉＯ量ＸまたはＣｏＯ量ｙが１．０の場合、２５℃、１
２５℃での絶縁抵抗が、それぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２０００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が３
００時間よりも短くなり、好ましくない。
ｉＯ量ＸまたはＣｏＯ量ｙが１．０の場合、２５℃、１
２５℃での絶縁抵抗が、それぞれ６，０００ＭΩ・μ
Ｆ、２０００ＭΩ・μＦを満足せず、平均寿命時間が３
００時間よりも短くなり、好ましくない。
【００４９】試料番号２１のように、Ｒｅ2 Ｏ3 量αと
（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βの比率β／αが４よりも大
きくなると、静電容量の温度変化率が大きくなり、さら
に、１２５℃での絶縁抵抗が、２，０００ＭΩ・μＦを
満足せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなり、
好ましくない。
（Ｍｎ，Ｎｉ，Ｃｏ）Ｏ量βの比率β／αが４よりも大
きくなると、静電容量の温度変化率が大きくなり、さら
に、１２５℃での絶縁抵抗が、２，０００ＭΩ・μＦを
満足せず、平均寿命時間が３００時間よりも短くなり、
好ましくない。
【００５０】試料番号３および試料番号４のように、チ
タン酸バリウムのモル比ｍが１．０００以下であると、
還元性雰囲気で焼成したとき磁器が還元され、半導体化
して絶縁抵抗が低下してしたり、絶縁抵抗が低下し、平
均寿命時間も短くなり、誘電体厚みの薄層化に対応でき
ず、好ましくない。また、試料番号２２のように、モル
比ｍが１．０３５を超えると、焼結性が極端に悪くな
り、好ましくない。
タン酸バリウムのモル比ｍが１．０００以下であると、
還元性雰囲気で焼成したとき磁器が還元され、半導体化
して絶縁抵抗が低下してしたり、絶縁抵抗が低下し、平
均寿命時間も短くなり、誘電体厚みの薄層化に対応でき
ず、好ましくない。また、試料番号２２のように、モル
比ｍが１．０３５を超えると、焼結性が極端に悪くな
り、好ましくない。
【００５１】試料番号５のように、ＭｇＯ量が０．５モ
ル未満の場合、絶縁抵抗が低下し、静電容量の温度変化
率がＪＩＳ規格が規定するＢ特性規格とＥＩＡ規格が規
定するＸ７Ｒ特性をともに満足せず、好ましくない。ま
た、試料番号２３のように、ＭｇＯ量が５．０モルを超
えると、焼結温度が高くなり、誘電率が３，０００以下
となり、また、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くな
り、好ましくない。
ル未満の場合、絶縁抵抗が低下し、静電容量の温度変化
率がＪＩＳ規格が規定するＢ特性規格とＥＩＡ規格が規
定するＸ７Ｒ特性をともに満足せず、好ましくない。ま
た、試料番号２３のように、ＭｇＯ量が５．０モルを超
えると、焼結温度が高くなり、誘電率が３，０００以下
となり、また、耐湿負荷試験での不良率が極端に多くな
り、好ましくない。
【００５２】試料番号６のように、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2
−ＭＯ系の酸化物の量が０．２重量部未満の場合、焼結
不足となり、好ましくない。また、試料番号２４のよう
に、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物の量が３．０
重量部を超えると、誘電率が３，０００を越えず、２５
℃での絶縁抵抗が６，０００ＭΩ・μＦを満足せず、好
ましくない。
−ＭＯ系の酸化物の量が０．２重量部未満の場合、焼結
不足となり、好ましくない。また、試料番号２４のよう
に、ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物の量が３．０
重量部を超えると、誘電率が３，０００を越えず、２５
℃での絶縁抵抗が６，０００ＭΩ・μＦを満足せず、好
ましくない。
【００５３】試料番号２５のように、チタン酸バリウム
に不純物として含有されるアルカリ金属量が０．０２重
量部よりも大きくなると、誘電率の低下を生じ、好まし
くない。
に不純物として含有されるアルカリ金属量が０．０２重
量部よりも大きくなると、誘電率の低下を生じ、好まし
くない。
【００５４】（実施例２）誘電体粉末として、表１のＡ
のチタン酸バリウムを用いて、９８．０｛ＢａＯ｝
1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．５Ｄｙ2 Ｏ3 ＋０．５Ｅｒ2 Ｏ
3 ＋１．０（Ｍｎ0.3Ｎｉ0.7 ）Ｏ（モル比）に対し
て、ＭｇＯが１．０モルになるように配合された原料を
準備し、実施例１と同様の方法で、１２００℃〜１５０
０℃で加熱して作製した表４に示す平均粒径１μｍ以下
のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を添加して、実
施例１と同様の方法で、内部電極と電気的に接続された
銀からなる外部電極を形成した積層コンデンサを作製し
た。なお、作製した積層コンデンサの外形寸法などは、
実施例１と同様である。
のチタン酸バリウムを用いて、９８．０｛ＢａＯ｝
1.010 ・ＴｉＯ2 ＋０．５Ｄｙ2 Ｏ3 ＋０．５Ｅｒ2 Ｏ
3 ＋１．０（Ｍｎ0.3Ｎｉ0.7 ）Ｏ（モル比）に対し
て、ＭｇＯが１．０モルになるように配合された原料を
準備し、実施例１と同様の方法で、１２００℃〜１５０
０℃で加熱して作製した表４に示す平均粒径１μｍ以下
のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を添加して、実
施例１と同様の方法で、内部電極と電気的に接続された
銀からなる外部電極を形成した積層コンデンサを作製し
た。なお、作製した積層コンデンサの外形寸法などは、
実施例１と同様である。
【００５５】
【表４】
【００５６】そして、これらについて電気的特性を測定
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ＫＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの
直流電圧を２分間印加して、２５℃、１２５℃での絶縁
抵抗（Ｒ）を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）
との積、すなわちＣＲ積を求めた。また、温度変化に対
する静電容量の変化率を測定した。
した。静電容量（Ｃ）および誘電損失（ｔａｎδ）は、
自動ブリッジ式測定器を用いて周波数１ＫＨｚ、１Ｖｒ
ｍｓ、温度２５℃にて測定し、静電容量から誘電率
（ε）を算出した。次に、絶縁抵抗計を用い、１６Ｖの
直流電圧を２分間印加して、２５℃、１２５℃での絶縁
抵抗（Ｒ）を測定し、静電容量（Ｃ）と絶縁抵抗（Ｒ）
との積、すなわちＣＲ積を求めた。また、温度変化に対
する静電容量の変化率を測定した。
【００５７】なお、温度変化に対する静電容量の変化率
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静電
容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率（ΔＣ
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の範囲内で絶対値と
してその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ｜ｍａｘ）
を示した。
については、２０℃での静電容量を基準とした−２５℃
と８５℃での変化率（ΔＣ／Ｃ20）と、２５℃での静電
容量を基準とした−５５℃と１２５℃での変化率（ΔＣ
／Ｃ25）および−５５℃〜１２５℃の範囲内で絶対値と
してその変化率が最大である値（｜ΔＣ／Ｃ｜ｍａｘ）
を示した。
【００５８】また、高温負荷寿命試験として、各試料を
３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印加
して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温
負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω
以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命
時間を示す。耐湿負荷試験は、各試料を７２個ずつ、２
気圧（相対湿度１００％），温度１２１℃にて直流電圧
を１６Ｖ印加した場合において、２５０時間経過するま
でに絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω以下になった試料の個
数を示す。
３６個ずつ、温度１５０℃にて直流電圧を１００Ｖ印加
して、その絶縁抵抗の経時変化を測定した。なお、高温
負荷寿命試験は、各試料の絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω
以下になったときの時間を寿命時間とし、その平均寿命
時間を示す。耐湿負荷試験は、各試料を７２個ずつ、２
気圧（相対湿度１００％），温度１２１℃にて直流電圧
を１６Ｖ印加した場合において、２５０時間経過するま
でに絶縁抵抗値（Ｒ）が１０6 Ω以下になった試料の個
数を示す。
【００５９】以上の結果を表５に示した。
【００６０】
【表５】
【００６１】表４、表５から明らかなように、この発明
のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を添加含有した
誘電体セラミック層から構成される積層コンデンサは誘
電率εが３，０００以上と高く、誘電正接ｔａｎδは
２．５％以下で、温度に対する静電容量の変化率が、−
２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性
規格を満足し、−５５℃と１２５℃での範囲内でＥＩＡ
規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
のＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化物を添加含有した
誘電体セラミック層から構成される積層コンデンサは誘
電率εが３，０００以上と高く、誘電正接ｔａｎδは
２．５％以下で、温度に対する静電容量の変化率が、−
２５℃〜８５℃での範囲でＪＩＳ規格に規定するＢ特性
規格を満足し、−５５℃と１２５℃での範囲内でＥＩＡ
規格に規定するＸ７Ｒ特性規格を満足する。
【００６２】しかも、２５℃、１２５℃において測定し
た絶縁抵抗は、ＣＲ積で表したときに、それぞれ６，０
００Ω・Ｆ、２０００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。ま
た、平均寿命時間が３００時間以上と長い上に、耐湿負
荷試験においても不良の発生は認められない。
た絶縁抵抗は、ＣＲ積で表したときに、それぞれ６，０
００Ω・Ｆ、２０００Ω・Ｆ以上と高い値を示す。ま
た、平均寿命時間が３００時間以上と長い上に、耐湿負
荷試験においても不良の発生は認められない。
【００６３】これに対して、この発明のＳｉＯ2 −Ｔｉ
Ｏ2 −ＭＯ系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から選ばれる酸化物）の酸化物
は、｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭＯ｝の図４に示す三角図
としたときに、ＳｉＯ2 が８５モル％、ＴｉＯ2 が１モ
ル％、ＭＯが１４モル％の組成を示す点Ａと、ＳｉＯ2
が３５モル％、ＴｉＯ2 が５１モル％、ＭＯが１４モル
％の組成を示す点Ｂと、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＴｉＯ
2 が２０モル％、ＭＯが５０モル％の組成を示す点Ｃ
と、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＴｉＯ2 が１モル％、ＭＯ
が６０モル％の組成を示す点Ｄとの４点とを結ぶ４本の
直線で囲まれた組成範囲外にある、試料番号１１３〜１
１６、１１９については、焼結不足となるか、焼結して
耐湿負荷試験において不良が発生し、好ましくない。
Ｏ2 −ＭＯ系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から選ばれる酸化物）の酸化物
は、｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭＯ｝の図４に示す三角図
としたときに、ＳｉＯ2 が８５モル％、ＴｉＯ2 が１モ
ル％、ＭＯが１４モル％の組成を示す点Ａと、ＳｉＯ2
が３５モル％、ＴｉＯ2 が５１モル％、ＭＯが１４モル
％の組成を示す点Ｂと、ＳｉＯ2 が３０モル％、ＴｉＯ
2 が２０モル％、ＭＯが５０モル％の組成を示す点Ｃ
と、ＳｉＯ2 が３９モル％、ＴｉＯ2 が１モル％、ＭＯ
が６０モル％の組成を示す点Ｄとの４点とを結ぶ４本の
直線で囲まれた組成範囲外にある、試料番号１１３〜１
１６、１１９については、焼結不足となるか、焼結して
耐湿負荷試験において不良が発生し、好ましくない。
【００６４】試料番号１１１、１１２のように、ＳｉＯ
2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系からなる酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｒＯ2 を含有させることで、２５℃、１２５℃の絶縁
抵抗が７，０００ＭΩ・μＦ、３，０００ＭΩ・μＦ以
上の積層コンデンサが得られるもの、試料番号１１７、
１１８のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として１５重量部お
よびＺｒＯ2 添加量として５重量部を超えると、焼結性
が極端に低下し、好ましくない。
2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系からなる酸化物に、Ａｌ2 Ｏ3 、
ＺｒＯ2 を含有させることで、２５℃、１２５℃の絶縁
抵抗が７，０００ＭΩ・μＦ、３，０００ＭΩ・μＦ以
上の積層コンデンサが得られるもの、試料番号１１７、
１１８のように、Ａｌ2 Ｏ3 添加量として１５重量部お
よびＺｒＯ2 添加量として５重量部を超えると、焼結性
が極端に低下し、好ましくない。
【００６５】なお、上記実施例では、チタン酸バリウム
として、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに
限定するものではなく、アルコキシド法あるいは水熱合
成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用いても
よい。これらの粉末を用いることにより、本実施例で示
した特性よりも向上することも有り得る。また、酸化テ
ルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化
エルビウム、酸化イッテルビウム、酸化マンガン、酸化
コバルトおよび酸化ニッケルなども、酸化物粉末を用い
たが、これに限定されるものではなく、この発明の範囲
の誘電体セラミック層を構成するように配合すれば、ア
ルコキシド、有機金属などの溶液を用いても、得られる
特性を何ら損なうものではない。
として、蓚酸法により作製した粉末を用いたが、これに
限定するものではなく、アルコキシド法あるいは水熱合
成法により作製されたチタン酸バリウム粉末を用いても
よい。これらの粉末を用いることにより、本実施例で示
した特性よりも向上することも有り得る。また、酸化テ
ルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウム、酸化
エルビウム、酸化イッテルビウム、酸化マンガン、酸化
コバルトおよび酸化ニッケルなども、酸化物粉末を用い
たが、これに限定されるものではなく、この発明の範囲
の誘電体セラミック層を構成するように配合すれば、ア
ルコキシド、有機金属などの溶液を用いても、得られる
特性を何ら損なうものではない。
【図１】この発明の一実施例を示す断面図である。
【図２】積層前の第１の誘電体セラミック層の一例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図３】積層誘電体セラミック体を第１の誘電体セラミ
ック層および第２の誘電体セラミック層を積層すること
によって形成する状態を示す分解斜視図である。
ック層および第２の誘電体セラミック層を積層すること
によって形成する状態を示す分解斜視図である。
【図４】添加成分であるＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の
酸化物の組成範囲を示す｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭＯ｝
の３成分組成図である。
酸化物の組成範囲を示す｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭＯ｝
の３成分組成図である。
１０ 積層セラミックコンデンサ １２ 積層誘電体セラミック体 １４ａ 第１の誘電体セラミック層 １４ｂ 第２の誘電体セラミック層 １６ 内部電極 １８ 外部電極 ２０ａ 第１のメッキ被膜 ２０ｂ 第２のメッキ被膜
Claims (4)
- 【請求項１】 複数の誘電体セラミック層、 それぞれの端縁が前記誘電体セラミック層の両端面に露
出するように前記誘電体セラミック層間に形成された複
数の内部電極、および露出した前記内部電極に電気的に
接続されるように設けられた外部電極を含む積層セラミ
ックコンデンサにおいて、 前記誘電体セラミック層が、 不純物として含まれるアルカリ金属酸化物の含有量が
０．０２重量％以下のチタン酸バリウムと、 酸化テルビウム、酸化ジスプロシウム、酸化ホルミウ
ム、酸化エルビウム、酸化イッテルビウム、酸化マンガ
ン、酸化コバルトおよび酸化ニッケルとからなり、 次の組成式、 （１−α−β）｛ＢａＯ｝m ・ＴｉＯ2 ＋αＲｅ2 Ｏ3
＋β（Ｍｎ1-x-y Ｎｉx Ｃｏy ）Ｏ （ただし、Ｒｅ2 Ｏ3 は、Ｔｂ2 Ｏ3 、Ｄｙ2 Ｏ3 、Ｈ
ｏ2 Ｏ3 、Ｅｒ2 Ｏ3、Ｙｂ2 Ｏ3 の中から選ばれる一
種類以上であり、 α、β、ｍ、ｘ、ｙは、 ０．００２５≦α≦０．０２５ ０．００２５≦β≦０．０５ β／α≦４ ０≦ｘ＜１．０ ０≦ｙ＜１．０ ０≦ｘ＋ｙ＜１．０ １．０００＜ｍ≦１．０３５） で表される主分１００モルに対して、 副成分として、酸化マグネシウムをＭｇＯに換算して
０．５〜５．０モル添加含有し、 さらに、上記成分を１００重量部として、ＳｉＯ2 −Ｔ
ｉＯ2 −ＭＯ系（ＭＯはＢａＯ、ＣａＯ、ＳｒＯ、Ｍｇ
Ｏ、ＺｎＯ、ＭｎＯの中から選ばれる少なくとも１種類
以上の酸化物）の酸化物を０．２〜３．０重量部含有し
た材料によって構成され、 前記内部電極はニッケルまたはニッケル合金によって構
成されることを特徴とする、積層セラミックコンデン
サ。 - 【請求項２】 前記ＳｉＯ2 −ＴｉＯ2 −ＭＯ系の酸化
物が、 ｛ＳｉＯ2 ，ＴｉＯ2 ，ＭＯ｝（ただし、ＭＯはＢａ
Ｏ、ＣａＯ、ＳｒＯ、ＭｇＯ、ＺｎＯ、ＭｎＯから選ば
れる少なくとも１種類以上の酸化物）の三角図としたと
きに（モル％で示す）、 Ａ（８５，１，１４） Ｂ（３５，５１，１４） Ｃ（３０，２０，５０） Ｄ（３９，１，６０） の４点を結ぶ４本の直線で囲まれた組成範囲にあり、 上記成分を１００重量部として、Ａｌ2 Ｏ3 およびＺｒ
Ｏ2 のうち少なくとも一種類を合計で１５重量部以下
（ただし、ＺｒＯ2 は５重量部以下）を添加含有するこ
とを特徴とする、請求項１に記載の積層セラミックコン
デンサ。 - 【請求項３】 外部電極は、導電性金属粉末またはガラ
スフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層によって
構成されていることを特徴とする、請求項１または請求
項２に記載の積層セラミックコンデンサ。 - 【請求項４】 外部電極は、導電性金属粉末またはガラ
スフリットを添加した導電性金属粉末の焼結層からなる
第１層と、その上のメッキ層からなる第２層とからな
る、請求項１または請求項２に記載の積層セラミックコ
ンデンサ。
Priority Applications (6)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8126405A JP2993425B2 (ja) | 1995-12-20 | 1996-04-22 | 積層セラミックコンデンサ |
| EP96120012A EP0780349B1 (en) | 1995-12-20 | 1996-12-12 | Dielectric ceramic composition and use thereof for a monolithic capacitor |
| DE69619947T DE69619947T2 (de) | 1995-12-20 | 1996-12-12 | Dielektrische keramische Zusammensetzung und ihre Verwendung für einen monolithischen Kondensator |
| KR1019960069105A KR100201201B1 (ko) | 1995-12-20 | 1996-12-20 | 모놀리딕 세라믹 커패시터 |
| CN96116728A CN1072831C (zh) | 1995-12-20 | 1996-12-20 | 叠层陶瓷电容器 |
| US08/771,312 US5742473A (en) | 1995-12-20 | 1996-12-20 | Monolithic ceramic capacitor |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34973495 | 1995-12-20 | ||
| JP7-349734 | 1995-12-20 | ||
| JP8126405A JP2993425B2 (ja) | 1995-12-20 | 1996-04-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232180A true JPH09232180A (ja) | 1997-09-05 |
| JP2993425B2 JP2993425B2 (ja) | 1999-12-20 |
Family
ID=26462601
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8126405A Expired - Lifetime JP2993425B2 (ja) | 1995-12-20 | 1996-04-22 | 積層セラミックコンデンサ |
Country Status (6)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5742473A (ja) |
| EP (1) | EP0780349B1 (ja) |
| JP (1) | JP2993425B2 (ja) |
| KR (1) | KR100201201B1 (ja) |
| CN (1) | CN1072831C (ja) |
| DE (1) | DE69619947T2 (ja) |
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| JP2023184543A (ja) * | 2019-02-01 | 2023-12-28 | サムソン エレクトロ－メカニックス カンパニーリミテッド． | 誘電体磁器組成物及びこれを含む積層セラミックキャパシタ |
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