JPH09232289A - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置Info
- Publication number
- JPH09232289A JPH09232289A JP4139196A JP4139196A JPH09232289A JP H09232289 A JPH09232289 A JP H09232289A JP 4139196 A JP4139196 A JP 4139196A JP 4139196 A JP4139196 A JP 4139196A JP H09232289 A JPH09232289 A JP H09232289A
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- JP
- Japan
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- dry etching
- etching apparatus
- leakage current
- plasma
- electrode
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- Pending
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims abstract description 22
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 abstract description 14
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007789 gas Substances 0.000 abstract description 3
- 238000001514 detection method Methods 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 abstract description 2
- 239000012495 reaction gas Substances 0.000 abstract description 2
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 abstract 2
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 8
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 4
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 239000000498 cooling water Substances 0.000 description 1
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 1
Landscapes
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】プラズマ電位の変化を検出できない為、エッチ
ングにばらつきが発生する。 【解決手段】接地配線６に、電流計７，演算器８，ＣＰ
Ｕ９，アラーム表示器１０等からなるリーク電流モニタ
を設ける。
ングにばらつきが発生する。 【解決手段】接地配線６に、電流計７，演算器８，ＣＰ
Ｕ９，アラーム表示器１０等からなるリーク電流モニタ
を設ける。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
工程等で用いられるドライエッチング装置に関する。
工程等で用いられるドライエッチング装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のドライエッチング装置は、被エッ
チング物であるウェハーを載置する下部電極と、この下
部電極に対向して設けられた上部電極とを有する処理室
内にプロセスガスを導入し、圧力を一定に保ち絶縁を保
持した電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、被エッチング物をエッチングするように構成されて
いる。この時対向電極間で生じるプラズマ電位は、表面
の酸化膜のはがれによる電極自体の絶縁性の劣化あるい
は電極内を循環する冷却水の絶縁性の変化によって大き
く変る。
チング物であるウェハーを載置する下部電極と、この下
部電極に対向して設けられた上部電極とを有する処理室
内にプロセスガスを導入し、圧力を一定に保ち絶縁を保
持した電極間に高周波電力を印加してプラズマを発生さ
せ、被エッチング物をエッチングするように構成されて
いる。この時対向電極間で生じるプラズマ電位は、表面
の酸化膜のはがれによる電極自体の絶縁性の劣化あるい
は電極内を循環する冷却水の絶縁性の変化によって大き
く変る。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上述した従来のドライ
エッチング装置では電極の絶縁が劣化した場合、接地側
へ高周波電力（電流）が漏洩（リーク）し、プラズマ電
位が大きく変動するが、装置は高周波電源からの出力信
号が設定値通りリターンしてくれば正常と認識する。
エッチング装置では電極の絶縁が劣化した場合、接地側
へ高周波電力（電流）が漏洩（リーク）し、プラズマ電
位が大きく変動するが、装置は高周波電源からの出力信
号が設定値通りリターンしてくれば正常と認識する。
【０００４】プラズマ電位が変化すると通常の処理雰囲
気とは異なった状態となり、これによりエッチング特性
が劣化しエッチングにばらつきが生じる為、オーバーエ
ッチングやエッチング残りが発生し、歩留りが、低下す
るという問題が生じる。
気とは異なった状態となり、これによりエッチング特性
が劣化しエッチングにばらつきが生じる為、オーバーエ
ッチングやエッチング残りが発生し、歩留りが、低下す
るという問題が生じる。
【０００５】本発明の目的は、エッチング特性の劣化を
抑制し信頼性の向上したドライエッチング装置を提供す
ることにある。
抑制し信頼性の向上したドライエッチング装置を提供す
ることにある。
【０００６】
【課題を解決するための手段】本発明のドライエッチン
グ装置は、エッチング中にリアルタイムで高周波電力の
リーク電流を検出するモニタを設けたものであり、電極
の絶縁破壊を認識し、プラズマ電位の変動によるエッチ
ング特性の劣化を抑制する。
グ装置は、エッチング中にリアルタイムで高周波電力の
リーク電流を検出するモニタを設けたものであり、電極
の絶縁破壊を認識し、プラズマ電位の変動によるエッチ
ング特性の劣化を抑制する。
【０００７】
【作用】リーク電流をモニタしているため電極の劣化
（絶縁破壊）の早期発見が可能となりエッチング特性劣
化による歩留り低下という問題を最小限に抑える事がで
きる。
（絶縁破壊）の早期発見が可能となりエッチング特性劣
化による歩留り低下という問題を最小限に抑える事がで
きる。
【０００８】
【発明の実施の形態】次に本発明について図面を参照し
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のドライエッチング装置の構成図である。
て説明する。図１は本発明の第１の実施の形態を説明す
る為のドライエッチング装置の構成図である。
【０００９】図１を参照するとドライエッチング装置
は、処理室１内に設けられ、ウェハー２を載置する下部
電極３と、この下部電極３に対向して設けられた上部電
極４と、下部電極３に接続された高周波電源５と、上部
電極４に接続する接地配線６に設けられ、電流計７、演
算器８、ＣＰＵ９及びアラーム表示器１０等からなるリ
ーク電流検出用のモニタとから主に構成される。以下動
作について説明する。
は、処理室１内に設けられ、ウェハー２を載置する下部
電極３と、この下部電極３に対向して設けられた上部電
極４と、下部電極３に接続された高周波電源５と、上部
電極４に接続する接地配線６に設けられ、電流計７、演
算器８、ＣＰＵ９及びアラーム表示器１０等からなるリ
ーク電流検出用のモニタとから主に構成される。以下動
作について説明する。
【００１０】ガス導入管より反応ガスを導入し、一定の
圧力のもとで電力を印加すると電極間にプラズマが発生
し、ウェハー２上の被エッチング物である絶縁膜や導電
体膜等がエッチングされる。このエッチングの途中で電
極抵抗に絶縁破壊が生じた場合、リーク電流Ｉ1 が接地
配線６に流れ、プラズマ電位が変化する。このリーク電
流Ｉ1 を電流計７で測定し、演算器８で初期状態でのリ
ーク電流Ｉ0 と比較しＩ1 −Ｉ0 が許容範囲を越えた場
合をＣＰＵ９で判定し、アラーム表示器１０で警報を表
示すると共に、必要に応じてドライエッチング装置の稼
働を停止させる。
圧力のもとで電力を印加すると電極間にプラズマが発生
し、ウェハー２上の被エッチング物である絶縁膜や導電
体膜等がエッチングされる。このエッチングの途中で電
極抵抗に絶縁破壊が生じた場合、リーク電流Ｉ1 が接地
配線６に流れ、プラズマ電位が変化する。このリーク電
流Ｉ1 を電流計７で測定し、演算器８で初期状態でのリ
ーク電流Ｉ0 と比較しＩ1 −Ｉ0 が許容範囲を越えた場
合をＣＰＵ９で判定し、アラーム表示器１０で警報を表
示すると共に、必要に応じてドライエッチング装置の稼
働を停止させる。
【００１１】このように本実施の形態によれば、プラズ
マの電位変化をすぐに検出できる為、エッチング特性の
劣化を抑制でき、歩留りの低下を防止できる。
マの電位変化をすぐに検出できる為、エッチング特性の
劣化を抑制でき、歩留りの低下を防止できる。
【００１２】図２は本発明の第２の実施の形態を説明す
る為のドライエッチング装置の構成図であり、図１に示
したドライエッチング装置と異なる所は電流計７の代り
に処理室１の側壁部にプラズマモニタ１２を設けたこと
である。
る為のドライエッチング装置の構成図であり、図１に示
したドライエッチング装置と異なる所は電流計７の代り
に処理室１の側壁部にプラズマモニタ１２を設けたこと
である。
【００１３】このプラズマモニタ１２はプラズマ中の特
定波長の光を検出する受光素子等から構成されており、
上部電極４と下部電極３間に発生したプラズマの強度を
検出する。この場合も、初期のプラズマ強度とリーク電
流が流れプラズマ密度が変化した場合のプラズマ強度と
が演算器８Ａで比較計算され、その差が許容範囲を越え
た場合、ＣＰＵ９はアラーム表示器１０に信号を送り警
報を表示させると共に必要に応じてドライエッチング装
置を停止させる。
定波長の光を検出する受光素子等から構成されており、
上部電極４と下部電極３間に発生したプラズマの強度を
検出する。この場合も、初期のプラズマ強度とリーク電
流が流れプラズマ密度が変化した場合のプラズマ強度と
が演算器８Ａで比較計算され、その差が許容範囲を越え
た場合、ＣＰＵ９はアラーム表示器１０に信号を送り警
報を表示させると共に必要に応じてドライエッチング装
置を停止させる。
【００１４】本実施の形態では直接プラズマ密度の変化
を検出できる為、エッチング特性の劣化をより早くかつ
正確に把握できるという利点がある。
を検出できる為、エッチング特性の劣化をより早くかつ
正確に把握できるという利点がある。
【００１５】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、リーク電
流検出用のモニタを設けることによりプラズマ電位の変
化を早期に発見できる為、エッチング特性の劣化を少く
でき、ドライエッチング装置の信頼性を向上させること
ができる。
流検出用のモニタを設けることによりプラズマ電位の変
化を早期に発見できる為、エッチング特性の劣化を少く
でき、ドライエッチング装置の信頼性を向上させること
ができる。
【図１】本発明の第１の実施の形態を説明する為のドラ
イエッチング装置の構成図。
イエッチング装置の構成図。
【図２】本発明の第２の実施の形態を説明する為のドラ
イエッチング装置の構成図。
イエッチング装置の構成図。
１ 処理室 ２ ウェハー ３ 下部電極 ４ 上部電極 ５ 高周波電源 ６ 接地配線 ７ 電流計 ８，８Ａ 演算器 ９ ＣＰＵ １０ アラーム表示器 １１ 電極抵抗 １２ プラズマモニタ
Claims (3)
- 【請求項１】 高周波電力により電極間にプラズマを発
生させるドライエッチング装置において、漏洩電流検出
用のモニタを設けたことを特徴とするドライエッチング
装置。 - 【請求項２】 処理室内に設けられ半導体基板を載置す
る下部電極と、この下部電極に対向して設けられた上部
電極と、前記２つの電極の一方の電極に接続された電源
と他方の電極に接続された接地配線とを有するドライエ
ッチング装置において、前記接地配線に漏洩電流検出用
の電流計を設け、検出された漏洩電流が規定値を越えた
場合警告を表示する手段を設けたことを特徴とするドラ
イエッチィング装置。 - 【請求項３】 処理室内に設けられ半導体基板を載置す
る下部電極と、この下部電極に対向して設けられた上部
電極とを有し、電極間にプラズマを発生させるドライエ
ッチング装置において、前記処理室の側壁部にプラズマ
密度を測定する為のモニタを設けたことを特徴とするド
ライエッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139196A JPH09232289A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4139196A JPH09232289A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | ドライエッチング装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232289A true JPH09232289A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12607084
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4139196A Pending JPH09232289A (ja) | 1996-02-28 | 1996-02-28 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232289A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118095A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体製造装置、被処理基板表面の処理方法およびプラズマ生成物の付着状態の観察方法 |
| KR100476460B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2005-03-17 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 공정챔버 모니터링 방법 및 그 시스템 |
| JP2009540569A (ja) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理反応器の故障状態を検出する方法及び装置 |
Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490533A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing device |
| JPH04259800A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | プラズマパラメーターの測定用探針 |
| JPH08170180A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
-
1996
- 1996-02-28 JP JP4139196A patent/JPH09232289A/ja active Pending
Patent Citations (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS6490533A (en) * | 1987-09-30 | 1989-04-07 | Mitsubishi Electric Corp | Plasma processing device |
| JPH04259800A (ja) * | 1991-02-15 | 1992-09-16 | Mitsui Toatsu Chem Inc | プラズマパラメーターの測定用探針 |
| JPH08170180A (ja) * | 1994-12-19 | 1996-07-02 | Nissin Electric Co Ltd | プラズマ処理装置 |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002118095A (ja) * | 2000-10-06 | 2002-04-19 | Kawasaki Microelectronics Kk | 半導体製造装置、被処理基板表面の処理方法およびプラズマ生成物の付着状態の観察方法 |
| KR100476460B1 (ko) * | 2001-11-05 | 2005-03-17 | 주성엔지니어링(주) | 플라즈마 공정챔버 모니터링 방법 및 그 시스템 |
| JP2009540569A (ja) * | 2006-06-07 | 2009-11-19 | ラム リサーチ コーポレーション | プラズマ処理反応器の故障状態を検出する方法及び装置 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 19980526 |