JPH09232786A - 電波吸収体 - Google Patents
電波吸収体Info
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- JPH09232786A JPH09232786A JP8039499A JP3949996A JPH09232786A JP H09232786 A JPH09232786 A JP H09232786A JP 8039499 A JP8039499 A JP 8039499A JP 3949996 A JP3949996 A JP 3949996A JP H09232786 A JPH09232786 A JP H09232786A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ギガヘルツ帯の高周波に対するＥＭＣ・
ＥＭＩ対策として利用可能な薄型の電波吸収体を提供す
る。 【解決手段】 化学合成高分子と強誘電性セラミックと
の複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブチレート）若
しくはその共重合体と強誘電性セラミックとの複合体を
誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵
抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物あるいはこれら
の混合体からなる薄膜を形成してなる電波吸収体。
ＥＭＩ対策として利用可能な薄型の電波吸収体を提供す
る。 【解決手段】 化学合成高分子と強誘電性セラミックと
の複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブチレート）若
しくはその共重合体と強誘電性セラミックとの複合体を
誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵
抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物あるいはこれら
の混合体からなる薄膜を形成してなる電波吸収体。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、ギガヘルツ帯の高
周波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電波
吸収体に関するものであり、特に比誘電率の大きな誘電
体層を用いた薄型の電波吸収体に関するものである。
周波に対するＥＭＣ・ＥＭＩ対策として利用される電波
吸収体に関するものであり、特に比誘電率の大きな誘電
体層を用いた薄型の電波吸収体に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年、通信技術の発達により電波の利用
が進み、これに伴い電波障害による誤作動等の問題が発
生している。これらの問題の対策として、様々な電波吸
収体が利用されている。電波吸収体は３０ＭＨｚ〜３０
ＧＨｚにおいて実用化されている。最近では、より短波
長領域の３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ（ＥＨＦ帯域）にお
いて使用可能な電波吸収体の必要性が高まってきてい
る。しかし、このようなＥＨＦ帯域における電波吸収体
は、例えば、カーボンや金属等の導電性フィラーを高
分子材料中に分散配合された皮膜を用いたもの、導電
性繊維を一定間隔で格子状に配置した抵抗皮膜を用いた
もの、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
等の樹脂板を誘電体層としたもの、が提案されている。
はフィラーの分散状態や膜厚分布のバラツキのため短
波長領域で電波吸収性能が劣化する問題がある。は導
電性繊維の格子間に隙間があるため短波長領域では格子
間隙間から電波が漏れ、動作しなくなるという問題があ
る。は使用した誘電体層の比誘電率が低いため、誘電
体膜厚が厚くなる問題がある。
が進み、これに伴い電波障害による誤作動等の問題が発
生している。これらの問題の対策として、様々な電波吸
収体が利用されている。電波吸収体は３０ＭＨｚ〜３０
ＧＨｚにおいて実用化されている。最近では、より短波
長領域の３０ＧＨｚ〜３００ＧＨｚ（ＥＨＦ帯域）にお
いて使用可能な電波吸収体の必要性が高まってきてい
る。しかし、このようなＥＨＦ帯域における電波吸収体
は、例えば、カーボンや金属等の導電性フィラーを高
分子材料中に分散配合された皮膜を用いたもの、導電
性繊維を一定間隔で格子状に配置した抵抗皮膜を用いた
もの、ポリカーボネート、ポリメチルメタクリレート
等の樹脂板を誘電体層としたもの、が提案されている。
はフィラーの分散状態や膜厚分布のバラツキのため短
波長領域で電波吸収性能が劣化する問題がある。は導
電性繊維の格子間に隙間があるため短波長領域では格子
間隙間から電波が漏れ、動作しなくなるという問題があ
る。は使用した誘電体層の比誘電率が低いため、誘電
体膜厚が厚くなる問題がある。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】本発明の課題は、短波
長周波数域においても電波の吸収特性が低下しない、従
来より薄型の電波吸収体を提供することにある。
長周波数域においても電波の吸収特性が低下しない、従
来より薄型の電波吸収体を提供することにある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明者らは、このよう
な背景のもと鋭意検討を重ねた結果、化学合成高分子と
強誘電性セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒド
ロキシブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セ
ラミックとの複合体を誘電体層として用いることによ
り、短波長周波数域においても電波の吸収特性が低下し
ない薄型の電波吸収体が得られることを見出し、本発明
を完成するに至った。
な背景のもと鋭意検討を重ねた結果、化学合成高分子と
強誘電性セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒド
ロキシブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セ
ラミックとの複合体を誘電体層として用いることによ
り、短波長周波数域においても電波の吸収特性が低下し
ない薄型の電波吸収体が得られることを見出し、本発明
を完成するに至った。
【０００５】すなわち、本発明は、化学合成高分子と強
誘電性セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロ
キシブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラ
ミックとの複合体を誘電体層とし、この誘電体層の少な
くとも片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒
化物あるいはこれらの混合体からなる薄膜を形成したこ
とを特徴とする電波吸収体である。
誘電性セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロ
キシブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラ
ミックとの複合体を誘電体層とし、この誘電体層の少な
くとも片表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒
化物あるいはこれらの混合体からなる薄膜を形成したこ
とを特徴とする電波吸収体である。
【０００６】本発明における化学合成高分子としては、
ポリフッ化ビニリデン、ポリオキシメチレン、ポリウレ
タン、ポリエステルなどが例示される。フッ化ビニリデ
ンをトリフルオロエチレンなどと共重合させた共重合体
等を使用する事もできる。
ポリフッ化ビニリデン、ポリオキシメチレン、ポリウレ
タン、ポリエステルなどが例示される。フッ化ビニリデ
ンをトリフルオロエチレンなどと共重合させた共重合体
等を使用する事もできる。
【０００７】本発明におけるポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）又はその共重合体は、通常の合成方法により得
られるものであればよく、例えば、有機合成、微生物合
成等を行えばよい。有機合成では、例えば、β−ブチロ
ラクトンを触媒として、例えばＺｎ系、Ａｌ系、Ｓｎ系
等を用いリビング重合すればよい。しかし、得られるポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は、Ｒ体とＬ体とが混
ざり合っているので、均一性という点から次にあげる微
生物合成で得られるものが好ましい。微生物合成では、
菌体として、例えば、Ａｌｃａｌｉｇｅｎｅｓ ｅｕｔ
ｒｏｐｈｕｓに炭素源としてグルコースを用いて、培地
中で発酵合成し、所定時間後に菌体を取り出し、例え
ば、クロロホルムで抽出することにより、モノマーユニ
ットが全てＲ体であるポリ（β−ヒドロキシブチレー
ト）が得られる。
レート）又はその共重合体は、通常の合成方法により得
られるものであればよく、例えば、有機合成、微生物合
成等を行えばよい。有機合成では、例えば、β−ブチロ
ラクトンを触媒として、例えばＺｎ系、Ａｌ系、Ｓｎ系
等を用いリビング重合すればよい。しかし、得られるポ
リ（β−ヒドロキシブチレート）は、Ｒ体とＬ体とが混
ざり合っているので、均一性という点から次にあげる微
生物合成で得られるものが好ましい。微生物合成では、
菌体として、例えば、Ａｌｃａｌｉｇｅｎｅｓ ｅｕｔ
ｒｏｐｈｕｓに炭素源としてグルコースを用いて、培地
中で発酵合成し、所定時間後に菌体を取り出し、例え
ば、クロロホルムで抽出することにより、モノマーユニ
ットが全てＲ体であるポリ（β−ヒドロキシブチレー
ト）が得られる。
【０００８】本発明においてポリ（β−ヒドロキシブチ
レート）と共重合させるユニットとしては、例えば、β
−ヒドロキシバリレート、β−ヒドロキシブチレート、
側鎖に−Ｆ、−ＣＮ、−Ｃｌ、ベンゼン環、不飽和結合
等を有するヒドロキシアルカン酸等が例示され、これら
を通常の方法により共重合させればよい。
レート）と共重合させるユニットとしては、例えば、β
−ヒドロキシバリレート、β−ヒドロキシブチレート、
側鎖に−Ｆ、−ＣＮ、−Ｃｌ、ベンゼン環、不飽和結合
等を有するヒドロキシアルカン酸等が例示され、これら
を通常の方法により共重合させればよい。
【０００９】本発明における強誘電性セラミックとして
は、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ0.52−Ｔｉ0.48）Ｏ3 、ＫＴＮ
（ＫＴａ1-x Ｎｂx Ｏ8 ）、ＰｂＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ
3 等を例示することができ、本発明においてはこれらの
微粉末を使用した。
は、ＰＺＴ（Ｐｂ（Ｚｒ0.52−Ｔｉ0.48）Ｏ3 、ＫＴＮ
（ＫＴａ1-x Ｎｂx Ｏ8 ）、ＰｂＴｉＯ3 、ＢａＴｉＯ
3 等を例示することができ、本発明においてはこれらの
微粉末を使用した。
【００１０】本発明における化学合成高分子と強誘電性
セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブ
チレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミック
との複合体は、延伸処理及び／又は電界によるポーリン
グ処理により、高分子の双極子の配向及び／又は非晶質
である高分子中に分散したセラミック粒子の自発分極に
よる分子配向を制御することで、その比誘電率を向上さ
せることができ、従来より薄型の電波吸収体を得ること
が可能となる。なお、ポーリング処理とは、電圧を印加
することにより、被処理物を構成している分子の双極子
モーメントの配向を制御する方法である。
セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブ
チレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミック
との複合体は、延伸処理及び／又は電界によるポーリン
グ処理により、高分子の双極子の配向及び／又は非晶質
である高分子中に分散したセラミック粒子の自発分極に
よる分子配向を制御することで、その比誘電率を向上さ
せることができ、従来より薄型の電波吸収体を得ること
が可能となる。なお、ポーリング処理とは、電圧を印加
することにより、被処理物を構成している分子の双極子
モーメントの配向を制御する方法である。
【００１１】本発明における化学合成高分子と強誘電性
セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブ
チレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミック
との複合体の加工方法は、特に限定するものではなく、
通常の方法により成形すればよく、例えば、カレンダー
成形、押出成形、キャスト成形等により、目的とする成
形物、例えば、シート、フィルム、板等に加工すればよ
い。従来より薄型の電波吸収体を得るためには、例え
ば、シート、フィルム等を用いればよく、また、シー
ト、フィルム等を延伸することにより、さらに薄型の電
波吸収体を得ることが可能となる。この延伸方法は、特
に限定されるものではなく、通常の方法により行えばよ
く、例えば、得られたフィルムを単一方向へ所定の倍率
まで延伸させればよい。
セラミックとの複合体、又は、ポリ（β−ヒドロキシブ
チレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミック
との複合体の加工方法は、特に限定するものではなく、
通常の方法により成形すればよく、例えば、カレンダー
成形、押出成形、キャスト成形等により、目的とする成
形物、例えば、シート、フィルム、板等に加工すればよ
い。従来より薄型の電波吸収体を得るためには、例え
ば、シート、フィルム等を用いればよく、また、シー
ト、フィルム等を延伸することにより、さらに薄型の電
波吸収体を得ることが可能となる。この延伸方法は、特
に限定されるものではなく、通常の方法により行えばよ
く、例えば、得られたフィルムを単一方向へ所定の倍率
まで延伸させればよい。
【００１２】本発明における抵抗皮膜として用いる金属
酸化物、金属窒化物としては、特に限定されないが、例
えば、ＩＴＯ（酸化インジウム／酸化錫）、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン等が例示できる。
この抵抗皮膜の形成方法は、通常の薄膜形成方法であれ
ばなんら制限されることなく、例えば、イオンプレーテ
ィング法、蒸着法、スパッタリング法等が使用可能であ
り、この抵抗皮膜の厚さは、効果、生産性等の点から
０．０１〜０．６ミクロンが好ましい。本発明では、こ
の抵抗皮膜は誘電体層の少なくとも片表面上に形成すれ
ばよく、両面に形成しても何等問題はない。抵抗皮膜を
誘電体層の両面に形成した場合、透明な電波吸収体を得
ることが可能である。
酸化物、金属窒化物としては、特に限定されないが、例
えば、ＩＴＯ（酸化インジウム／酸化錫）、酸化インジ
ウム、酸化錫、酸化亜鉛、酸化チタン等が例示できる。
この抵抗皮膜の形成方法は、通常の薄膜形成方法であれ
ばなんら制限されることなく、例えば、イオンプレーテ
ィング法、蒸着法、スパッタリング法等が使用可能であ
り、この抵抗皮膜の厚さは、効果、生産性等の点から
０．０１〜０．６ミクロンが好ましい。本発明では、こ
の抵抗皮膜は誘電体層の少なくとも片表面上に形成すれ
ばよく、両面に形成しても何等問題はない。抵抗皮膜を
誘電体層の両面に形成した場合、透明な電波吸収体を得
ることが可能である。
【００１３】本発明において抵抗皮膜を形成していない
面に積層される金属としては、電波を反射できる金属で
あれば特に限定するものではなく、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等が挙
げられる。この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方
法であればなんら制限されることなく、例えば、イオン
プレーティング法、蒸着法、スパッタリング法等が使用
可能であり、この金属層の積層膜厚は、電波の反射能、
生産性、経済性等から０．０１ミクロン〜０．６ミクロ
ンが好ましい。
面に積層される金属としては、電波を反射できる金属で
あれば特に限定するものではなく、例えば、アルミニウ
ム、銅、鉄、金、銀、ニッケル等の金属及び合金等が挙
げられる。この金属層の積層方法は、通常の薄膜形成方
法であればなんら制限されることなく、例えば、イオン
プレーティング法、蒸着法、スパッタリング法等が使用
可能であり、この金属層の積層膜厚は、電波の反射能、
生産性、経済性等から０．０１ミクロン〜０．６ミクロ
ンが好ましい。
【００１４】本発明における誘電体層の抵抗皮膜、金属
層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシートにより
ラミネート等するか又は有機塗料等によりコーティング
する等の方法で保護膜を形成することが好ましい。本保
護膜がない場合、電波吸収体の取り扱い時に擦れにより
傷ついたりあるいは長期間放置することにより金属の腐
食等が進行し、電波吸収体の特性劣化を招く恐れがあ
る。本発明における保護膜は、物理的擦傷や腐食に対す
る保護能等から１〜６０ミクロンの膜厚が好ましい。保
護膜として用いる有機高分子としては、特に限定するも
のではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、酢酸ビニル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・ス
チレン共重合体）等が挙げられ、それらの加工方法は特
に限定するものではなく、例えば、カレンダー成形、押
出成形、キャスト成形等によりフィルム又はシートにす
ればよい。また、有機塗料としては、特に限定するもの
ではなく、例えば、フェノール樹脂塗料、塩化ビニル樹
脂塗料、ブチラール樹脂塗料、スチレンブタジエン樹脂
塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗料、エポキシ樹脂塗料、
ポリウレタン樹脂塗料等が挙げられる。
層の表面は、有機高分子フィルムあるいはシートにより
ラミネート等するか又は有機塗料等によりコーティング
する等の方法で保護膜を形成することが好ましい。本保
護膜がない場合、電波吸収体の取り扱い時に擦れにより
傷ついたりあるいは長期間放置することにより金属の腐
食等が進行し、電波吸収体の特性劣化を招く恐れがあ
る。本発明における保護膜は、物理的擦傷や腐食に対す
る保護能等から１〜６０ミクロンの膜厚が好ましい。保
護膜として用いる有機高分子としては、特に限定するも
のではなく、例えば、ポリエチレンテレフタレート、ポ
リブチレンテレフタレート、ポリエチレン、ポリスチレ
ン、酢酸ビニル樹脂、ＡＳ樹脂（アクリロニトリル・ス
チレン共重合体）等が挙げられ、それらの加工方法は特
に限定するものではなく、例えば、カレンダー成形、押
出成形、キャスト成形等によりフィルム又はシートにす
ればよい。また、有機塗料としては、特に限定するもの
ではなく、例えば、フェノール樹脂塗料、塩化ビニル樹
脂塗料、ブチラール樹脂塗料、スチレンブタジエン樹脂
塗料、熱硬化型アクリル樹脂塗料、エポキシ樹脂塗料、
ポリウレタン樹脂塗料等が挙げられる。
【００１５】本発明の電波吸収体は、化学合成高分子と
強誘電性セラミックとの複合体、ポリ（β−ヒドロキシ
ブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミッ
クとの複合体、又は、それらを延伸処理及び／若しくは
ポーリング処理したものを誘電体層とし、この誘電体層
の少なくとも片表面上に抵抗皮膜を形成し、この両面を
保護層で保護する積層構造を有することにより、従来よ
り薄型の電波吸収体を提供することができる。
強誘電性セラミックとの複合体、ポリ（β−ヒドロキシ
ブチレート）若しくはその共重合体と強誘電性セラミッ
クとの複合体、又は、それらを延伸処理及び／若しくは
ポーリング処理したものを誘電体層とし、この誘電体層
の少なくとも片表面上に抵抗皮膜を形成し、この両面を
保護層で保護する積層構造を有することにより、従来よ
り薄型の電波吸収体を提供することができる。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下、本発明を実施例により詳細
に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定され
るものではない。
に説明するが、本発明はこれらの実施例にのみ限定され
るものではない。
【００１７】図１に本実施例の電波吸収体の断面の模式
図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵抗
皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
図を示す。図中１は誘電体層、２は抵抗皮膜、３は抵抗
皮膜又は金属層、４、５は保護膜である。
【００１８】実施例１ ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）−ＰＺＴ複合体のフ
ィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４
５゜の角度に来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍ
の試験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の
電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルト
の直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷却すること
でポーリング処理を行った。この電極を利用し、比誘電
率を測定し、比誘電率３００を得た。その結果、目的と
する周波数において、従来のポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）と比較して誘電体膜の厚さを１／１０にす
ることができた。
ィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４
５゜の角度に来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍ
の試験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の
電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルト
の直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷却すること
でポーリング処理を行った。この電極を利用し、比誘電
率を測定し、比誘電率３００を得た。その結果、目的と
する周波数において、従来のポリメチルメタクリレート
（ＰＭＭＡ）と比較して誘電体膜の厚さを１／１０にす
ることができた。
【００１９】上記フィルムからなる誘電体膜に抵抗皮膜
としてスパッタリング法でＩＴＯを３００オングストロ
ーム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層とし
てアルミニウム０．５ミクロンを積層した。次に、抵抗
皮膜と反射層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ
５０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収
体を作成した。
としてスパッタリング法でＩＴＯを３００オングストロ
ーム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層とし
てアルミニウム０．５ミクロンを積層した。次に、抵抗
皮膜と反射層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ
５０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収
体を作成した。
【００２０】このようにして形成した積層フィルムを、
密閉箱の窓にセットして周波数−吸収特性を測定した。
この測定は図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７はトラッキングジュネレー
ター、８は増幅器、９は近磁界プローブ、１０は磁界発
生源アンテナ、１１は被試験密閉箱、１２は被測定電波
吸収体をそれぞれ示す。
密閉箱の窓にセットして周波数−吸収特性を測定した。
この測定は図２に示した測定系で行った。図中６はスペ
クトラム・アナライザー、７はトラッキングジュネレー
ター、８は増幅器、９は近磁界プローブ、１０は磁界発
生源アンテナ、１１は被試験密閉箱、１２は被測定電波
吸収体をそれぞれ示す。
【００２１】図３に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。被測定電波吸収体の有無による、
近磁界プローブで検出される信号レベルの差をとって透
過減衰量とした。
Ｂ）の関係を示した。被測定電波吸収体の有無による、
近磁界プローブで検出される信号レベルの差をとって透
過減衰量とした。
【００２２】実施例２ ポリオキシメチレン−ＰＺＴ複合体のフィルムを単一方
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、
比誘電率２４０を得た。その結果、目的とする周波数に
おいて、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１
／８にすることができた。
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、
比誘電率２４０を得た。その結果、目的とする周波数に
おいて、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１
／８にすることができた。
【００２３】前記フィルムからなる誘電体膜に実施例１
と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜と
してサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして
得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収
特性を測定した。図４に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜と
してサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして
得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収
特性を測定した。図４に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
【００２４】実施例３ ポリウレタン−ＰＺＴ複合体のフィルムを単一方向に
４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来るよ
うに切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１
００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を印加
し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング処理
を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、比誘
電率１８０を得た。その結果、目的とする周波数におい
て、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１／７
にすることができた。
４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来るよ
うに切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１
００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を印加
し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング処理
を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、比誘
電率１８０を得た。その結果、目的とする周波数におい
て、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１／７
にすることができた。
【００２５】前記フィルムからなる誘電体膜に実施例１
と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜と
してサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして
得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収
特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜と
してサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして
得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収
特性を測定した。図５に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
【００２６】実施例４ ポリフッ化ビニリデン（ＰＶＤＦ）−ＰＺＴ複合体のフ
ィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４
５゜の角度に来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍ
の試験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の
電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルト
の直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷却すること
でポーリング処理を行った。この電極を利用し、比誘電
率を測定し、比誘電率３００を得た。その結果、目的と
する周波数において、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体
膜の厚さを１／１０にすることができた。
ィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４
５゜の角度に来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍ
の試験片を得た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の
電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５００ボルト
の直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷却すること
でポーリング処理を行った。この電極を利用し、比誘電
率を測定し、比誘電率３００を得た。その結果、目的と
する周波数において、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体
膜の厚さを１／１０にすることができた。
【００２７】前記フィルムからなる誘電体膜に実施例１
と同様にして抵抗被膜としてスパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂で
ラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体を
実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。
図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を
示した。
と同様にして抵抗被膜としてスパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂で
ラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体を
実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。
図６に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を
示した。
【００２８】実施例５ ポリオキシメチレン−ＰＺＴ複合体のフィルムを単一方
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、
比誘電率２４０を得た。その結果、目的とする周波数に
おいて、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１
／８にすることができた。
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用し、比誘電率を測定し、
比誘電率２４０を得た。その結果、目的とする周波数に
おいて、従来のＰＭＭＡと比較して誘電体膜の厚さを１
／８にすることができた。
【００２９】前記フィルムからなる誘電体膜に実施例１
と同様にして抵抗被膜としてスパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂で
ラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体を
実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。
図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を
示した。
と同様にして抵抗被膜としてスパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、保護膜としてサラン樹脂で
ラミネート加工した。このようにして得た電波吸収体を
実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。
図７に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を
示した。
【００３０】実施例６ ポリ（β−ヒドロキシブチレート）を以下、Ｐ（３Ｈ
Ｂ）と省略する。Ｐ（３ＨＢ）と強誘電性セラミックＰ
ＺＴ微粉末を体積比で２：１に混合したフィルムを単一
方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に
来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のポリメチルメタクリレート （ＰＭＭＡ）を
使用した場合の１／３にすることができた。
Ｂ）と省略する。Ｐ（３ＨＢ）と強誘電性セラミックＰ
ＺＴ微粉末を体積比で２：１に混合したフィルムを単一
方向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に
来るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、比誘電率を測定し、得られた比誘電率は４０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のポリメチルメタクリレート （ＰＭＭＡ）を
使用した場合の１／３にすることができた。
【００３１】上記複合体からなる誘電体膜に抵抗皮膜と
してスパッタリング法でＩＴＯを３００オングストロー
ム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層として
アルミニウム０．５ミクロンを積層した。次に、抵抗皮
膜と反射層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ５
０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収体
を作製した。このようにして得た電波吸収体を実施例１
と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。図８に周
波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を示した。
してスパッタリング法でＩＴＯを３００オングストロー
ム積層し、抵抗皮膜の反対側の誘電体層に反射層として
アルミニウム０．５ミクロンを積層した。次に、抵抗皮
膜と反射層を保護するためにサラン樹脂からなる厚さ５
０ミクロンのフィルムをラミネート加工し、電波吸収体
を作製した。このようにして得た電波吸収体を実施例１
と同様の方法で周波数−吸収特性を測定した。図８に周
波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄＢ）の関係を示した。
【００３２】実施例７ Ｐ（３ＨＢ）とセラミックＰＺＴ微粉末を体積比で１：
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
に℃冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１２
０であった。その結果、目的とする周波数において誘電
体膜の厚さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／６に
する事ができた。
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０
に℃冷却することでポーリング処理を行った。この電極
を利用して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１２
０であった。その結果、目的とする周波数において誘電
体膜の厚さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／６に
する事ができた。
【００３３】上記複合体からなる誘電体膜に実施例１と
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図９に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図９に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
【００３４】実施例８ Ｐ（３ＨＢ）とセラミックＰＺＴ微粉末を体積比で１：
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却
することでポーリング処理を行った。この電極を利用し
て比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１８０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／７にすること
ができた。
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却
することでポーリング処理を行った。この電極を利用し
て比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１８０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／７にすること
ができた。
【００３５】上記複合体からなる誘電体膜に実施例１と
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図１０に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図１０に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
【００３６】実施例９ ポリ（β−ヒドロキシブチレート／β−ヒドロキシバリ
レート）共重合体を以下、Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体と省略する。このＰ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体とセラミックＰＺＴ微粉末を体積比で１：１に
混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延
伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０×７×
０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に５×５
ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５
００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷
却することでポーリング処理を行った。この電極を利用
して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は２００であ
った。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の
厚さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／８にするこ
とができた。
レート）共重合体を以下、Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体と省略する。このＰ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）
共重合体とセラミックＰＺＴ微粉末を体積比で１：１に
混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸した。延
伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０×７×
０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に５×５
ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しながら５
００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に５０℃に冷
却することでポーリング処理を行った。この電極を利用
して比誘電率を測定し、得られた比誘電率は２００であ
った。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の
厚さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／８にするこ
とができた。
【００３７】上記複合体からなる誘電体膜に実施例１と
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図１１に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜とし
てサラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得
た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特
性を測定した。図１１に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量
（ｄＢ）の関係を示した。
【００３８】実施例１０ Ｐ（３ＨＢ）とセラミックＰＺＴ微粉末を体積比で１：
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却
することでポーリング処理を行った。この電極を利用し
て比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１８０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／７にすること
ができた。
１に混合したフィルムを単一方向に４．５倍に延伸し
た。延伸方向が４５゜の角度に来るように切断し、２０
×７×０．１ｍｍの試験片を得た。この試験片の両側に
５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、１００℃に加熱しな
がら５００ボルトの直流電界を印加し、１時間後に冷却
することでポーリング処理を行った。この電極を利用し
て比誘電率を測定し、得られた比誘電率は１８０であっ
た。その結果、目的とする周波数において誘電体膜の厚
さを従来のＰＭＭＡを使用した場合の１／７にすること
ができた。
【００３９】上記複合体からなる誘電体膜に実施例１と
同様にして抵抗被膜として、スパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、その表面に保護膜としてサ
ラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得た電
波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を
測定した。図１２に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。
同様にして抵抗被膜として、スパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、その表面に保護膜としてサ
ラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得た電
波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を
測定した。図１２に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。
【００４０】実施例１１ Ｐ（３ＨＢ−ｃｏ−３ＨＶ）共重合体とセラミックＰＺ
Ｔ微粉末を体積比で１：１に混合したフィルムを単一方
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用して比誘電率を測定し、
得られた比誘電率は２００であった。その結果、目的と
する周波数において誘電体膜の厚さを従来のＰＭＭＡを
使用した場合の１／８にすることができた。
Ｔ微粉末を体積比で１：１に混合したフィルムを単一方
向に４．５倍に延伸した。延伸方向が４５゜の角度に来
るように切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得
た。この試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付
け、１００℃に加熱しながら５００ボルトの直流電界を
印加し、１時間後に５０℃に冷却することでポーリング
処理を行った。この電極を利用して比誘電率を測定し、
得られた比誘電率は２００であった。その結果、目的と
する周波数において誘電体膜の厚さを従来のＰＭＭＡを
使用した場合の１／８にすることができた。
【００４１】上記複合体からなる誘電体膜に実施例１と
同様にして抵抗被膜として、スパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、その表面に保護膜としてサ
ラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得た電
波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を
測定した。図１３に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。
同様にして抵抗被膜として、スパッタリング法で誘電体
膜の両面にＩＴＯを積層し、その表面に保護膜としてサ
ラン樹脂でラミネート加工した。このようにして得た電
波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸収特性を
測定した。図１３に周波数（ＧＨｚ）と透過減衰量（ｄ
Ｂ）の関係を示した。
【００４２】比較例 市販のポリメチルメタクリレート（ＰＭＭＡ）のフィル
ムを切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比
誘電率を測定した。得られた比誘電率は３であり、フィ
ルムの厚さは５．０ｍｍとなった。
ムを切断し、２０×７×０．１ｍｍの試験片を得た。こ
の試験片の両側に５×５ｍｍの銀の電極を取り付け、比
誘電率を測定した。得られた比誘電率は３であり、フィ
ルムの厚さは５．０ｍｍとなった。
【００４３】このフィルムからなる誘電体膜に、実施例
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図１４に周波数（ＧＨｚ）と透過減
衰量（ｄＢ）の関係を示した。満足する電波吸収体が得
られなかった。
１と同様にしてＩＴＯとアルミニウムを積層し、保護膜
としてサラン樹脂でラミネート加工した。このようにし
て得た電波吸収体を実施例１と同様の方法で周波数−吸
収特性を測定した。図１４に周波数（ＧＨｚ）と透過減
衰量（ｄＢ）の関係を示した。満足する電波吸収体が得
られなかった。
【００４４】
【発明の効果】本発明の電波吸収体は、誘電率および誘
電損失がこれまでに電波吸収体材料として使用されてい
たものに比べ、大きな値を示す層を有することで、従来
より薄型化を達成できる。
電損失がこれまでに電波吸収体材料として使用されてい
たものに比べ、大きな値を示す層を有することで、従来
より薄型化を達成できる。
【図１】電波吸収体の構造を示す模式図である。
【図２】周波数−吸収特性測定系の概要を示す模式図で
ある。
ある。
【図３】本発明の実施例１での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図４】本発明の実施例２での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図５】本発明の実施例３での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図６】本発明の実施例４での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図７】本発明の実施例５での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図８】本発明の実施例６での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図９】本発明の実施例７での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図１０】本発明の実施例８での電波吸収体の周波数
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図１１】本発明の実施例９での電波吸収体の周波数
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図１２】本発明の実施例１０での電波吸収体の周波数
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図１３】本発明の実施例１１での電波吸収体の周波数
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
（ＧＨｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
【図１４】本発明の比較例での電波吸収体の周波数（Ｇ
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
Ｈｚ）−透過減衰量（ｄＢ）を示す図である。
１：誘電体層 ２：抵抗皮膜 ３：抵抗皮膜又は金属層 ４：保護膜 ５：保護膜 ６：スペクトラム・アナライザー ７：トラッキングジュネレーター ８：増幅器 ９：近磁界プローブ １０：磁界発生源アンテナ １１：被試験密閉箱 １２：被測定電波吸収体
Claims (8)
- 【請求項１】 化学合成高分子と強誘電性セラミックと
の複合体を誘電体層とし、この誘電体層の少なくとも片
表面上に抵抗皮膜として、金属酸化物、金属窒化物ある
いはこれらの混合体からなる薄膜を形成したことを特徴
とする電波吸収体。 - 【請求項２】 ポリ（β−ヒドロキシブチレート）又は
その共重合体と強誘電性セラミックとの複合体を誘電体
層とし、この誘電体層の少なくとも片表面上に抵抗皮膜
として、金属酸化物、金属窒化物あるいはこれらの混合
体からなる薄膜を形成したことを特徴とする電波吸収
体。 - 【請求項３】 誘電体層が複合体を延伸処理して得られ
たものであることを特徴とする請求項１又は請求項２い
ずれか記載の電波吸収体。 - 【請求項４】 誘電体層が複合体を電界によりポーリン
グ処理したものであることを特徴とする請求項１〜請求
項３いずれか記載の電波吸収体。 - 【請求項５】 抵抗皮膜がイオンプレーティング、蒸着
あるいはスパッタリングにより形成した薄膜であること
を特徴とする請求項１〜請求項４いずれか記載の電波吸
収体。 - 【請求項６】 抵抗皮膜が、ＩＴＯ（酸化インジウム／
酸化スズ）、酸化インジウム、酸化スズ、酸化亜鉛、窒
化チタンから選ばれたものであり、その膜厚が０．０１
〜０．６ミクロンであることを特徴とする請求項１〜請
求項５いずれか記載の電波吸収体。 - 【請求項７】 抵抗皮膜を形成していない誘電体層の表
面に金属層を積層し、その厚さが０．０１〜０．６ミク
ロンであることを特徴とする請求項１〜請求項６いずれ
か記載の電波吸収体。 - 【請求項８】 抵抗皮膜、金属層の表面に有機高分子フ
ィルム、有機高分子シート、有機塗料から選択した保護
膜を形成したことを特徴とする請求項１〜請求項６いず
れか記載の電波吸収体。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8039499A JPH09232786A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 電波吸収体 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8039499A JPH09232786A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 電波吸収体 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09232786A true JPH09232786A (ja) | 1997-09-05 |
Family
ID=12554747
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8039499A Pending JPH09232786A (ja) | 1996-02-27 | 1996-02-27 | 電波吸収体 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09232786A (ja) |
Cited By (3)
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| JP2007157413A (ja) * | 2005-12-02 | 2007-06-21 | Forestry & Forest Products Research Institute | 良好な高誘電性、焦電性、圧電性を有する電子部品材料 |
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-
1996
- 1996-02-27 JP JP8039499A patent/JPH09232786A/ja active Pending
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