JPH09235155A

JPH09235155A - セラミック基板組成物、それを用いたセラミック基板及びその製造方法

Info

Publication number: JPH09235155A
Application number: JP8043746A
Authority: JP
Inventors: Toshinobu Miyakoshi; 俊伸宮越
Original assignee: TDK Corp
Current assignee: TDK Corp
Priority date: 1996-02-29
Filing date: 1996-02-29
Publication date: 1997-09-09

Abstract

(57)【要約】（修正有）【課題】低温焼成が可能であり、実用十分な抗折強度を
もち、低比誘電率、低誘電正接であり、さらに絶縁抵抗
及び絶縁破壊電圧が高い多層セラミック回路基板に適し
た組成物、それからなるセラミック基板及びその製造方
法を提供する。【解決手段】ほう珪酸ガラスが６５〜７５ｖｏｌ％、ス
トロンチウム長石が２５〜３５ｖｏｌ％、α−石英が０
〜１０ｖｏｌ％からなるセラミック基板組成物であっ
て、前記ほう珪酸ガラスは、ＳｉＯ₂を５３〜６３ｍｏ
ｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃を４．３〜１０．５ｍｏｌ％、Ｂ₂Ｏ₃を
２５〜３０ｍｏｌ％、ＳｒＯを２．２〜９．１ｍｏｌ％
からなる組成物である。また、この組成物は低温焼成が
可能で、この基板は、十分な抗折強度及び電気特性等を
持つ。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、低誘電率、低誘電
正接及び実用十分な抗折強度をもち、低温焼成が可能な
セラミック基板に適した組成物及びそれを用いたセラミ
ック基板及びその製造方法に関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、コンピューターの高速化、民生機
器の高周波化に伴い、それら一般に使用される多層セラ
ミック基板には比誘電率が低く、誘電損失が少ないもの
が望まれている。これは、回路信号伝達を高速化する上
で、重要な要因である。そのためには基板材料の比誘電
率と誘電正接を低下させる必要がある。

【０００３】また、配線回路用材料として抵抗の低い導
体材料を使用することも、回路信号伝達を高速化する上
で望ましい。低抵抗の導体材料としては、例えば銀（Ａ
ｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−Ｐｄ）、銀−白金（Ａｇ
−Ｐｔ）、金（Ａｕ）等が挙げられる。しかし、これら
金属の融点は高くても１１００℃程度であり、基板材料
と同時焼成するために、基板材料は、少なくとも上記導
体材料の融点より低温度で焼成できるものでなくてはな
らない。

【０００４】さらに、回路を保持するための基板として
は抗折強度も高くする必要がある。

【０００５】このような目的には、従来、電気絶縁性、
熱伝導性に優れ、機械的強度も高い基板材料としてアル
ミナ（Ａｌ₂Ｏ₃）等が用いられてきた。しかし、１ＭＨ
ｚでの比誘電率が９〜１０と高いため、伝達信号速度が
極めて遅いという欠点をもつ。さらに焼成温度が１６０
０℃前後と高いため、配線回路用導体材料としては高融
点で、比較的抵抗の高いモリブデン（Ｍｏ）、タングス
テン（Ｗ）等に限定されてしまい、これも信号遅延の原
因となる。

【０００６】このような欠点を解決するため、低比誘電
率で、低温焼成の可能な基板材料として、特開昭６２−
１３８３５７号公報では酸化ケイ素粉末、酸化亜鉛ほう
珪酸ガラス粉末、酸化アルミニウムよりなるセラミック
組成物が開示されている。また、特開昭６３−６４９５
７号公報、特開昭６３−７４９５７号公報等において
も、低温焼成可能で、低比誘電率の無機組成物が開示さ
れている。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、何れに
おいても、１０００℃以下の温度で焼成が可能で、比誘
電率が低く、抗折強度が高く、さらに誘電正接が低いと
いう全ての条件を満足する例は見あたらない。

【０００８】そこで、本発明は低温焼成が可能であり、
実用十分な抗折強度をもち、低比誘電率、低誘電正接で
あり、さらに絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高い多層セラ
ミック回路基板に適した組成物及びセラミック基板を提
供するものである。

【０００９】

【課題を解決するための手段】具体的には、下記（１）
〜（６）の構成により達成される。

【００１０】（１）ほう珪酸ガラス、ストロンチウム長
石及びα−石英からなるセラミック基板組成物であっ
て、各含有元素を酸化物に換算した場合、ＳｉＯ₂を５
３〜６３ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃を４．３〜１０．５ｍｏｌ
％、Ｂ₂Ｏ₃を２５〜３０ｍｏｌ％、ＳｒＯを２．２〜
９．１ｍｏｌ％からなるほう珪酸ガラス６５〜７５ｖｏ
ｌ％と、各含有元素を酸化物に換算し、ＳｉＯ₂をＸ、
ＳｒＯをＹ、Ａｌ₂Ｏ₃をＺと表示した場合のそれぞれの
モル比率（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）が三成分系組成図において
以下の組成点の各点（Ａ、Ｂ、Ｃ）Ａ（Ｘ：０．７２、Ｙ：０．１４、Ｚ：０．１４）Ｂ（Ｘ：０．６０、Ｙ：０．２５、Ｚ：０．１５）Ｃ（Ｘ：０．６０、Ｙ：０．１０、Ｚ：０．３０）を結ぶ三角形の各辺上及び内部で表される組成物である
ストロンチウム長石２５〜３５ｖｏｌ％と、α−石英０
〜１０ｖｏｌ％とからなるセラミック基板組成物。

【００１１】上記範囲のセラミック基板組成物は、低温
焼成が可能であり、実用十分な抗折強度をもち、低比誘
電率、低誘電正接であり、さらに絶縁抵抗及び絶縁破壊
電圧が高い基板が得られる。

【００１２】ここで、ストロンチウム長石とは、一般的
にバリウム長石（celsian、ＢａＯ・Ａｌ₂Ｏ₃・２Ｓｉ
Ｏ₂）とよばれる三成分系の無機酸化物のうち、Ｂａを
Ｓｒに置き変えたものを言う。ただし、厳密に言うとＢ
ａＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系はその平衡状態図において
バリウム長石（celsian）すなわち、ＢａＯ・Ａｌ₂Ｏ₃
・２ＳｉＯ₂となりうる領域があるが、ここで言うスト
ロンチウム長石はＳｒＯ−Ａｌ₂Ｏ₃−ＳｉＯ₂系のうち
ＳｒＯ・Ａｌ₂Ｏ₃・２ＳｉＯ₂をとりうる領域だけでな
く、それ以外の領域も含む無機酸化物である。換言すれ
ば、ＳｒＯ、Ａｌ₂Ｏ₃、ＳｉＯ₂からなる組成物である
と言うことができる。

【００１３】また、ほう珪酸ガラスはガラス成分とし
て、ストロンチウム長石及びα−石英は基板の骨格を形
成するフィラー成分としての役割がある。

【００１４】（２）（１）記載のセラミック基板組成物
からなるセラミック基板。

【００１５】このセラミック基板は、低温焼成が可能で
あり、実用十分な抗折強度をもち、低比誘電率、低誘電
正接であり、さらに絶縁抵抗及び絶縁破壊電圧が高い。

【００１６】（３）１ＭＨｚでの比誘電率が５．２以下
である（２）記載のセラミック基板。

【００１７】１ＭＨｚでの比誘電率を５．２以下とする
ことにより、回路信号伝達の高速化が可能であり、高周
波領域での使用において好ましい。

【００１８】（４）１ＭＨｚでの誘電正接が０．１％以
下である（２）又は（３）記載のセラミック基板。

【００１９】１ＭＨｚでの静電正接を０．１％以下とす
ることにより、回路信号伝達の高速化が可能であり、高
周波領域での使用において好ましい。

【００２０】（５）抗折強度が１５０ＭＰａ以上である
（２）〜（４）記載のセラミック基板。

【００２１】抗折強度を１５０ＭＰａ以上とすることに
より、基板の信頼性が向上し好ましい。

【００２２】（６）９２０℃以下で焼成することを特徴
とする（２）〜（５）記載のセラミック基板の製造方
法。

【００２３】焼成温度を９２０℃以下とすることによ
り、低融点の配線用低抵抗導体材料と同時焼成すること
ができ好ましい。

【００２４】

【発明の実施の形態】

（セラミック基板組成物）本発明に係るセラミック基板
組成物は、ガラス成分としてほう珪酸ガラス、フィラー
成分としてストロンチウム長石とからなり、必要に応じ
てフィラー成分としてα−石英が添加される。

【００２５】すなわち、本発明に係るセラミック基板組
成物は、上記ほう珪酸ガラス６５〜７５ｖｏｌ％、上記
ストロンチウム長石が２５〜３５ｖｏｌ％、上記α−石
英が０〜１０ｖｏｌ％である。

【００２６】以下にセラミック基板組成物の組成比率を
上記範囲に限定した理由について述べる。

【００２７】本発明の範囲より少ないほう珪酸ガラスの
含有量では、本発明の目的の一つである低温焼成が困難
となり、また、多すぎると得られたセラミック基板の抗
折強度が低下するからである。

【００２８】ストロンチウム長石は基板の抗折強度を高
める効果をもつ。従ってストロンチウム長石の不足は抗
折強度の低下をまねく。また比誘電率を上昇させる作用
と、焼成温度を上昇させる作用をもつため、必要以上に
加えると、比誘電率と焼成温度の上昇をまねき好ましく
ない。

【００２９】α−石英は、必ずしも必要としないが、比
誘電率を低下させる効果を持つため、比誘電率の制御が
可能である。また、抗折強度を低下させる作用をもつた
め、必要以上の添加は抗折強度の低下をまねき好ましく
ない。

【００３０】（ほう珪酸ガラス）ほう珪酸ガラスの組成
は、それぞれの成分を酸化物換算表記したとき、ＳｉＯ
₂が５３〜６３ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃が４．３〜１０．５
ｍｏｌ％、Ｂ₂Ｏ₃が２５〜３０ｍｏｌ％、ＳｒＯが２．
２〜９．１ｍｏｌ％である。

【００３１】ＳｉＯ₂は、ガラス骨格を形成するもの
で、この含有量範囲より少なすぎると、ガラスの比誘電
率が大きくなりすぎ、多すぎると、溶融が困難になる。

【００３２】Ａｌ₂Ｏ₃は、主にガラスの化学的安定性を
与えると同時にガラスの溶融温度を調整するためのもの
で、この含有量範囲より少なすぎると化学的に不安定と
なることから、本発明においては欠くことができず、ま
た、多すぎても溶融が困難となるため、いずれも好まし
くない。ここで化学的安定とは、ガラス成分中のＢ₂O₃
が、大気中の水分等と反応してオルトほう酸（Ｈ₃Ｂ
Ｏ₃）を生成するが、この生成が抑えられることをい
う。このオルトほう酸の発生は、多層セラミック基板を
作成する上でハンドリング上の問題がある。

【００３３】Ｂ₂Ｏ₃は、ガラス骨格を形成すると同時に
ガラスの溶融温度を調整するために添加するもので、こ
の含有量範囲より少なすぎると、溶融が困難となり、多
すぎると、ガラスの化学的安定性が低下する。

【００３４】ＳｒＯはガラスの化学的安定性を与えると
共にガラスの電気的特性を調整するもので、この含有量
範囲より少なすぎると化学的に不安定となり、一方、多
すぎると比誘電率が大きくなるため、いずれも好ましく
ない。

【００３５】また、さらに上記成分の他にＮａ₂Ｏ、Ｆ
ｅ₂Ｏ₃、ＺｒＯ₂等を通常０．２〜０．５重量％程度含
有してもよい。これは、原料の不純物に由来されるもの
で、この程度の含有量であれば特性に影響はない。

【００３６】（フィラー成分）ストロンチウム長石の組
成は、図１に示す、ＳｉＯ₂−ＳｒＯ−Ａｌ₂Ｏ₃三成分
系組成図において表されている三角形で示される領域
内、すなわち前記したようにＳｉＯ₂をＸ、ＳｒＯを
Ｙ、Ａｌ₂Ｏ₃をＺとしたときのモル比がＸ＝０．７２、
Ｙ＝０．１４、Ｚ＝０．１４からなる点、Ｘ＝０．６
０、Ｙ＝０．２５、Ｚ＝０．１５からなる点及びＸ＝
０．６０、Ｙ＝０．１０、Ｚ＝０．３０からなる点を結
ぶ三角形の角辺上及び内部で表されるものである。

【００３７】上記領域外の組成のストロンチウム長石
は、クリストバライトが残留する、焼成温度が高い等の
問題があり好ましくない。なお、クリストバライトは基
板の焼成時、半田付け時にクラックが発生し問題とな
る。

【００３８】（製造方法）このような組成のセラミック
基板は、通常次のようにして形成すればよい。

【００３９】ほう珪酸ガラスの作成方法は、特に限定し
ないがその一例を示すと、原料としては、原料元素の酸
化物、あるいはこれら元素をもつ炭酸塩、水酸化物等
で、熱処理後に酸化物となる化合物等を用いることがで
きる。これらの原料を、焼成後の最終組成が前記範囲と
なるように秤量して混合後、例えばるつぼ中で１５００
〜１６００℃、２〜５時間程度溶融し、水砕後、ボール
ミル等により粉砕することで、セラミック基板の原料と
なる、ほう珪酸ガラス粉末を得ることができる。この粉
末は平均粒径が、３μｍ以下、好ましくは１〜２μｍ程
度の範囲に微粉砕したものが用いられる。この平均粒径
が大きすぎると抗折強度が小さくなり、一方、小さすぎ
るとグリーンシート形成時にクラックが生じやすくな
り、良好なグリーンシートが得られないためである。

【００４０】また、ストロンチウム長石の作成方法もま
た、特に限定しない。例えば原料としては、原料元素の
酸化物、あるいはこれら元素をもつ炭酸塩、水酸化物等
で加熱後に酸化物となる化合物を用いることができる。
これら原料を、焼成後の最終組成が前記範囲となるよう
に秤量して混合後、例えばるつぼ中で１３００〜１４５
０℃、２時間程度焼成することによりストロンチウム長
石が得られる。さらに、ボールミル等により粉砕するこ
とで、セラミック基板の原料となる、ストロンチウム長
石粉末を得ることができる。この粉末はほう珪酸ガラス
粉末と同様の理由により、平均粒径が３μｍ以下、好ま
しくは１〜２μｍ程度の範囲に微粉砕されたものが用い
られる。

【００４１】さらに、α−石英は市販品等により入手し
うるものをボールミル等で粉砕することにより、セラミ
ック基板の原料となる粉末を得ることができる。この粉
末はほう珪酸ガラス粉末と同様の理由により、平均粒径
が３μｍ以下、好ましくは１〜２μｍ程度の範囲に微粉
砕されたものが用いられる。

【００４２】粉砕後の上記各原料を、焼成後の最終組成
が前記範囲となるように秤量して、有機ヒビクル等と混
合する。この混合方法は通常用いられる方法であればど
のような方法でも良く、十分混合して各成分が均一に分
散されればよく、例えば磁器製のボールミルポット等を
用いて混合される。さらに、用いる有機ヒビクル等につ
いても、通常用いられるものであれば特に限定はなく、
例えば結合剤としてはポリビニルブチラール（ＰＶ
Ｂ）、エチルセルロース、アクリル系樹脂などを単独ま
たは２種類以上を、通常セラミック基板組成物の粉末１
００重量部に対して７〜２０重量部程度添加すればよ
い。

【００４３】また、溶剤としてはメタノール、エタノー
ル、プロパノール、ブタノール等のアルコール類、トル
エン、キシレン、メチルエチルケトン、アセトン等を単
独または２種類以上を、通常セラミック基板組成物の粉
末１００重量部に対して４０〜６０重量部程度添加すれ
ばよい。

【００４４】また、可塑剤としてはジエチルフタレート
（ＤＥＰ）、ジブチルフタレート（ＤＢＰ）、ジオクチ
ルフタレート（ＤＯＰ）、ｎ−ブチルフタリルｎ−ブチ
ルグリコラート（ＢＰＢＧ）などを単独または２種類以
上を、通常セラミック基板組成物の粉末１００重量部に
対して３〜７重量部程度添加すればよい。

【００４５】その他、通常このような目的で用いられる
有機ヒビクル等の添加物に制限はなく、必要に応じて使
用することができる。

【００４６】このようにして有機ヒビクル等とともにボ
ールミル等により均一に混合したセラミック基板組成物
のスラリーを、目的に応じて所定の厚さをもつグリーン
シートに成形する。さらに、成形したグリーンシートに
スルーホールを形成したり、目的とする製品の回路等を
形成したりした上で、必要に応じて積層化する。グリー
ンシート成形法、回路の形成方法及び積層化方法につい
ては特に制限はなく、通常用いられる方法であればどの
ような方法でも良く、例えばドクターブレード法等によ
りグリーンシートを成形し、スクリーン印刷法等により
抵抗体、コンデンサ、配線用導体等からなる回路を成形
して圧着して積層すればよい。

【００４７】回路等の形成に用いられる配線用低抵抗導
体材料は、例えば銀（Ａｇ）、銀−パラジウム（Ａｇ−
Ｐｄ）、銀−白金（Ａｇ−Ｐｔ）、金（Ａｕ）等の金属
材料が用いられる。抵抗の低い配線用導体材料を用いる
ことにより、信号伝達遅延時間が短く、低雑音で高周波
パルス追随性に優れた基板を形成することができ、回路
信号伝達を高速化する上で好ましいためである。また、
一般的に抵抗体の材料は、ＲｕＯ₂系又はＳｉＣ系等、
コンデンサの材料は、ＢａＴｉＯ₃系やＳｒＴｉＯ₃系等
の材料が用いられ、回路が形成される。

【００４８】回路形成等がなされたグリーンシート又は
その積層体は、９２０℃以下、好ましくは８７０℃〜９
００℃程度の温度で通常１５分〜１時間程度焼成すれば
よい。焼成温度がこの範囲より高すぎると、上記の様な
低融点の配線用低抵抗導体材料が拡散し、低すぎると得
られた基板の焼結密度が低くなり好ましくない。すなわ
ち、本発明に係るセラミック基板組成物は、９２０℃以
下で焼成できることが好ましい。

【００４９】（セラッミク基板組成物の諸特性）一般に
高周波信号の遅延時間は、比誘電率の平方根に比例する
とされ、回路信号の高速化のためには配線用導体材料の
抵抗を低くするだけでなく、セラミック基板の比誘電率
もまた低くすることが必要となる。このようにして得ら
れたセラミック基板の１ＭＨｚでの比誘電率は５．２以
下であることが好ましく、通常４．８〜５．２程度であ
る。また、静電正接は通常０．１％以下程度が好まし
い。

【００５０】さらに、セラミック基板の抗折強度は１５
０ＭＰａ程度以上であることが好ましく、通常１６０〜
１８０ＭＰａ程度である。抗折強度が低すぎると、機械
的な強度が不足することとなり、基板の信頼性及びハン
ドリング性が低下するためである。

【００５１】

【実施例】以下、本発明の具体的実施例を示す。

【００５２】試料表１に示される試料Ｎｏ．１〜７のほう珪酸ガラス、表
２に示される試料Ａ〜Ｆのストロンチウム長石及びα−
石英（密度は２．６５ｇ／ｃｃ）の粉末を表３の組成と
なるように秤量し、この原料粉末１００重量部に対し、
それぞれ結合剤としてアクリル系樹脂を１５重量部、溶
剤としてトルエンを５０重量部、可塑剤としてＢＰＢＧ
を５重量部からなる有機ヒビクルと共に混合し、ドクタ
ーブレード法により厚さ０．２〜０．２５ｍｍのグリー
ンシートを成形した。このシートを用いて、各測定条件
に合わせて所定の大きさに成形し、焼成し、試料を作製
した。また、測定によっては銀電極を形成した。

【００５３】ここで、表１に、ほう珪酸ガラスの組成と
諸特性を示し、表２に、ストロンチウム長石の組成と諸
特性を示す。ここで、ガラスの比誘電率は１ＭＨｚにて
測定した。また、表２に示すストロンチウム長石の３成
分系組成図を図１に示す。

【００５４】

【表１】

【００５５】

【表２】

【００５６】また、ここで用いたほう珪酸ガラスは、Ｓ
ｉＯ₂、Ａｌ₂Ｏ₃、Ｂ₂Ｏ₃、ＳｒＯを、焼成後の各元素
比率の最終組成が表１の範囲になるように秤量して混合
後、るつぼ中で１５００〜１６００℃、２〜５時間程度
溶融することにより得た。さらに、水砕後、ボールミル
により１．９μｍ程度に粉砕し、原料となるほう珪酸ガ
ラス粉末を得た。

【００５７】ストロンチウム長石は、ＳｉＯ₂、Ｓｒ
Ｏ、Ａｌ₂Ｏ₃を、焼成後の最終組成が表２の範囲になる
ように秤量して混合後、るつぼ中で１３００〜１４５０
℃、２時間程度焼成することにより得た。さらに、ボー
ルミルにより１．７μｍ程度に粉砕し、原料となるスト
ロンチウム長石粉末を得た。

【００５８】α−石英（日窒工業製ハイシリカ）のも
のをボールミルにより１．７μｍ程度に粉砕することに
より原料となる粉末を得た。

【００５９】測定（比誘電率及び静電正接）比誘電率は、以下の方法によ
り求めた。まず、上記方法で調製した厚さ０．２〜０．
２５ｍｍのグリーンシートを直径３０ｍｍの円形に打ち
抜き、６〜７枚重ねて温度８０℃、圧力５０ＭＰａで熱
圧着する。得られた積層体を空気中で８７０〜９００
℃、２０〜３０分焼成し、さらに得られた焼結体の片面
に直径１９ｍｍ、その裏面に直径２０ｍｍの銀電極を形
成することにより素体を作成した。ここで、電極は銀ペ
ーストを塗布し、焼き付けることにより形成した。次
に、その素体についてＬＣＲメーター（ＨＰ−４２８４
Ａヒューレットパッカード製）で周波数１ＭＨｚの条
件で静電容量を測定し、素体の有効電極面積、電極間距
離（素体の厚さ）及び静電容量より求めた。静電正接も
また上記測定機器より測定した。

【００６０】（抗折強度）抗折強度は、ＪＩＳ規格に定
められている、ファインセラミックスの曲げ強さ試験方
法（Ｒ１６０１）に準じて求めた。試料は、以下の方法
により作成した。上記の方法で調製した厚さ０．２〜
０．２５ｍｍのグリーンシートを４５ｍｍ×１５ｍｍの
角形に切断し、１５〜１８枚重ねて、温度８０℃、圧力
５０ＭＰａで熱圧着した。得られた積層体を空気中で９
００℃、２０〜３０分焼成することにより焼結体を得
て、規格に定められている寸法（長さ３８ｍｍ、巾４ｍ
ｍ、厚さ３ｍｍ程度）に成形し試料とした。この試料を
用いて、３点曲げ法によりクロスヘッドの速度を０．５
ｍｍ／ｍｉｎで加重を加え、破壊荷重を測定することで
求めた。

【００６１】（体積抵抗率）体積抵抗率は、上記比誘電
率測定と同様にして得られた円形の焼結体の両面に銀電
極を形成し、絶縁抵抗計（ＨＰ−４３２９Ａヒューレ
ットパッカード製）を用いてＤＣ５００Ｖを１分間印加
して抵抗値を測定し求めた。

【００６２】（密度）密度は、ＪＩＳ規格（Ｃ２１４１
−１９９２）に準じて測定し算出した。

【００６３】評価結果表３に１８種類のセラミック基板について、ほう珪酸ガ
ラス、ストロンチウム長石並びにα−石英の配合比率、
焼成温度、比誘電率、誘電正接及び抗折強度の各測定結
果を示す。ここで、比誘電率及び静電正接は１ＭＨｚに
て測定した。なお、セラミック基板の体積抵抗率は全て
１０¹⁵Ω・ｃｍ以上の値が得られた。

【００６４】

【表３】

【００６５】本発明の組成範囲のほう珪酸ガラス、同じ
く組成範囲のストロンチウム長石及びα−石英を用い
て、ほう珪酸ガラスが６５〜７５ｖｏｌ％、ストロンチ
ウム長石が２５〜３５ｖｏｌ％、α−石英が０〜１０ｖ
ｏｌ％の組成物は８７０℃〜９００℃での焼成が可能で
ある。また、得られたセラミック基板は、比誘電率が
５．２以下、静電正接が０．１％以下、抗折強度は１６
０ＭＰａ以上となった。一方、本発明外のセラミック組
成物からなるセラミック基板は、いずれも比誘電率、静
電正接、抗折強度のうち１又は２項目で範囲外となっ
た。すなわち、表３の試料Ｎｏ．１３は、原料に本発明
の範囲外のほう珪酸ガラスを使用したもので、比誘電
率、静電正接が範囲外の値となった。また、Ｎｏ．１４
〜１８は本発明外のセラミック組成物からなるセラミッ
ク基板であり、抗折強度を中心として範囲外の値となっ
た。

【００６６】

【発明の効果】本発明のセラミック基板組成物を用いる
ことにより、低比誘電率、低誘電正接及び高抗折強度を
もち、低温焼成可能なセラミック基板を得ることができ
る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の組成物の一成分であるストロンチウム
長石の組成範囲を示す三成分系組成図である。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ほう珪酸ガラス、ストロンチウム長石及び
α−石英からなるセラミック基板組成物であって、各含
有元素を酸化物に換算した場合、ＳｉＯ₂を５３〜６３
ｍｏｌ％、Ａｌ₂Ｏ₃を４．３〜１０．５ｍｏｌ％、Ｂ₂
Ｏ₃を２５〜３０ｍｏｌ％、ＳｒＯを２．２〜９．１ｍ
ｏｌ％からなるほう珪酸ガラス６５〜７５ｖｏｌ％と、
各含有元素を酸化物に換算し、ＳｉＯ₂をＸ、ＳｒＯを
Ｙ、Ａｌ₂Ｏ₃をＺと表示した場合のそれぞれのモル比率
（Ｘ＋Ｙ＋Ｚ＝１）が三成分系組成図において以下の組
成点の各点（Ａ、Ｂ、Ｃ）Ａ（Ｘ：０．７２、Ｙ：０．１４、Ｚ：０．１４）Ｂ（Ｘ：０．６０、Ｙ：０．２５、Ｚ：０．１５）Ｃ（Ｘ：０．６０、Ｙ：０．１０、Ｚ：０．３０）を結ぶ三角形の各辺上及び内部で表される組成物である
ストロンチウム長石２５〜３５ｖｏｌ％と、α−石英０
〜１０ｖｏｌ％とからなるセラミック基板組成物。
【請求項２】請求項１記載のセラミック基板組成物から
なるセラミック基板。
【請求項３】１ＭＨｚでの比誘電率が５．２以下である
請求項２記載のセラミック基板。
【請求項４】１ＭＨｚでの誘電正接が０．１％以下であ
る請求項２又は３記載のセラミック基板。
【請求項５】抗折強度が１５０ＭＰａ以上である請求項
２〜４記載のセラミック基板。
【請求項６】９２０℃以下で焼成することを特徴とする
請求項２〜５記載のセラミック基板の製造方法。