JPH09236790A - 液晶表示装置およびその駆動方法 - Google Patents
液晶表示装置およびその駆動方法Info
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Abstract
示装置を提供する。 【解決手段】 垂直方向および水平方向にそれぞれ複数
のソース配線2およびゲート配線3が形成され、該ソー
ス配線とゲート配線の交差部に薄膜トランジスタが接続
され、前記薄膜トランジスタのゲート電極3aにゲート
電圧が入力され、かつ前記薄膜トランジスタがオンオフ
制御されて、ソース電圧が前記薄膜トランジスタのドレ
イン電極11に充電され、前記ドレイン電極に接続され
た保持容量と液晶容量によってドレイン電圧が保持され
ることで液晶材料が駆動される液晶表示装置において、
ゲート選択期間ごとに前記ソース電圧が極性反転するラ
イン反転駆動方式によって液晶材料を駆動する方法であ
って、前記ゲート選択期間内にドレイン電極に充電がで
きるようにゲート電圧を設定する。
Description
(以下、単にTFTという)が設けられたアクティブマ
トリクス型の液晶表示装置(以下、単にLCDという)
およびその駆動方法に関する。さらに詳しくは、画質性
能が向上したLCDおよびその駆動方法に関する。
価回路図を図5(a)に示し、図5(a)のA−A線断
面図を図5(b)に示す。図5において、1はアレイ基
板であり、2は複数のソース配線であり、3は複数のゲ
ート配線であり、4はTFTであり、5は画素であり、
6はアレイ基板1に対向する対向基板であり、7は配向
膜であり、8は液晶材料であり、9はシール材であり、
10は偏光板である。
うに、ガラスなどからなるアレイ基板1上にアルミニウ
ムなどの金属からなる複数のソース配線2および複数の
ゲート配線3とを、チッ化シリコンなどからなる絶縁膜
(図示せず)を介して直角に交差させ、該交差部にTF
T4をそれぞれ設けて画素5を形成する。さらに該画素
5を複数個形成したアレイ基板1の表面で表示部にあた
る部分、およびアレイ基板1に対向する対向基板6の上
面の全面にわたって配向膜7を設け、アレイ基板1と対
向基板6とのあいだに前記液晶材料8を挟持させ、前記
2枚の基板をシール材9で封止して液晶パネルを形成し
ている。また、アレイ基板1と対向基板6のそれぞれの
外側表面全面に偏光板10が設けられている。
としては、各画素に入力されるソース電圧について3つ
の方式が考えられている。かかる3つの方式の模式図を
図6(a)、図6(b)、および図6(c)に示す。図
6(a)、図6(b)、および図6(c)は、それぞ
れ、或るフレーム時間における画素に印加される電圧の
極性を示しており、つぎのフレーム時間には、前記或る
フレーム時間の電圧とは逆極性の電圧が入力される。こ
こで、電圧の極性とは、電圧が正または負であることを
いい、図6において、「+」は正電圧が印加されている
ことを示し、「−」は負電圧が印加されていることを示
す。
(ソース配線2方向)の画素5にはすべて同じ極性、た
とえば正電圧を印加し、水平方向(ゲート配線3方向)
の隣り合う画素5には逆極性、たとえば負電圧を入力す
る方式である。また、図6(b)に示される方式は、水
平方向(ゲート配線3方向)の画素5に同じ極性の電圧
を印加し、垂直方向(ソース配線2方向)の隣り合う画
素5には逆極性の電圧を入力する方式である。さらに、
図6(c)に示される方式は、画面上の互いに隣り合う
画素に互いに逆極性の電圧を印加する方式である。以上
のように全画面内で入力電圧の極性をすべて同じにしな
いのは、逆極性電圧の補償効果によるフリッカや輝度ば
らつきを低減させるためである。
価回路図を示す。一般に、ゲート配線GL1、GL2、
・・・、GLm(mは整数)、ソース配線SL1、SL
2、・・・SLn(nは整数)が交差して形成される領
域ごとの画素上にTFT4が1個ずつ設けられている。
TFT4はオンオフ制御される。整数mは600、整数
nは2400である。GLmおよびSLnの各ラインは
独立に駆動ICの出力端子に接続されており、TFT4
のドレイン電極に接続された画素電極にソース電圧を充
電することによって液晶材料が駆動される。画素電極は
液晶層を介して共通対向電極COMLに、また、保持容
量Cstを介して保持容量電極CSL1に接続されてい
る。保持容量Cstは画素電極上に蓄積された電荷を保持
するための容量であり、画素電極と保持容量電極とのあ
いだで絶縁膜によって生成されている。保持容量Cstと
液晶容量Clcによってドレイン電圧をつぎの充電まで保
持し、液晶材料を駆動する。保持容量電極CSL1は、
水平方向、つまりゲート配線と平行に設けられており、
また、表示部の外側で共通に接続されている。図6
(b)で説明した、水平方向(ゲート配線3方向)の画
素5に同じ極性の電圧を印加し、垂直方向(ソース配線
2方向)の隣り合う画素5には逆極性の電圧を入力する
ライン反転駆動方式においては、図7に示す保持容量電
極および対向電極に入力する電圧を、それぞれ周期は同
じで、位相を逆として交流化するコモン反転駆動方式を
前記ライン反転駆動方式に組み合わせることができる。
この組み合わせた駆動方式はラインコモン反転駆動方式
とよばれる。前記駆動方式では保持容量によって保持容
量電極に生じる電圧(以下、単に保持容量電圧という)
および対向電極の電圧を利用してソース駆動電圧を低減
できる。保持容量電圧の極性は、ゲートを選択する期間
(以下、単にゲート選択期間という)ごとに反転され
る。したがって安価な低駆動電圧ソース駆動ICが採用
できるとともに消費電力の低減が可能になる。
ゲート電圧、ドレイン電圧および保持容量電圧の各電圧
波形を図8に示す。図8においては、ソース電圧はゲー
ト選択期間ごとに反転しており、図8(a)にはソース
電圧が示されている。ゲート電圧がオン状態(ゲート電
圧Vg+状態)になると、TFTのオン電流によってソー
ス電圧がドレイン電極に印加される。かかるドレイン電
極に印加される電圧、すなわちドレイン電圧が、ある時
間をもって上昇する特性は一般にTFTの充電特性とよ
ばれる。図8は、垂直方向に隣接する任意の2画素、す
なわちnを正の整数としてn番目のゲートライン(以
下、単にnラインという)上の画素と、n+1番目のゲ
ートライン(以下、単にn+1ラインという)上の画素
の2画素のゲート電圧およびドレイン電圧の波形を示し
ている。nラインにゲート電圧が入力されると(図8
(b)参照)、nラインのドレイン電圧は、図8(c)
に示すように、たとえば正電圧が印加される。n+1ラ
インのドレイン電圧は、図8(d)に示すゲート電圧が
印加されると同時に、ライン反転方式であるので、図8
(e)に示すようにnラインと逆極性である負電圧が印
加される。このように、図8における液晶表示装置はラ
イン反転方式であるから、垂直方向に隣接する2画素に
逆極性の電圧が印加され、それぞれ1フレーム期間後に
逆極性の電圧が印加されるまでその電圧が保持される。
ただし、ここでは説明を簡単にするため、図7に示すゲ
ート−ドレイン間の寄生容量Cgd、およびドレイン−ソ
ース間の寄生容量Cdsb の影響による波形変動は省いて
いる。また、図示していないが、入力される対向電極電
圧はDC電圧である。
態にある電極に第2電圧を印加することをいう。ただ
し、第2電圧は、通常正の値をとるが、負の値をもとり
うるものとする。したがって、「充電する」は、第1電
圧が、印加される第2電圧よりも高いばあい、および第
1電圧が、印加される第2電圧よりも低いばあいの両方
のばあいに用いられる。
持容量電極CSL1は保持容量Cstを介してTFT4の
ドレイン電極に接続されているため、図8(f)および
図8(g)に保持容量電圧の波形が示されるように、保
持容量電圧の波形はドレイン電圧からの結合効果の影響
によってひずんでいる。まず、ゲートオン期間では、ド
レイン電圧の上昇、下降につれて保持容量電圧も上昇、
下降する。ここでは、ドレイン電圧の充電がゲートオン
期間(ゲート電圧がVg+の期間であり、ゲート選択期間
ともいう)のほぼ終了時に完了しているため、ゲートが
オフ状態になる瞬間には保持容量電圧は入力電圧に対し
て変動している。そののち、ゲートのオフ状態では保持
容量電圧は入力電圧に向かって回復する。この期間中T
FTは高抵抗状態になっているため、今度は、保持容量
電圧変動の結合効果をうけてドレイン電圧が変動する。
すなわち、保持容量電圧の下降、上昇につれてドレイン
電圧も下降、上昇し、クロストークが発生するという問
題がある。
響で横方向クロストークが発生するメカニズムを図9を
用いて示す。図9(a)はテストパターンの平面図であ
る。いま、テストパターンの表示画面において、パター
ンCが黒表示のばあいについて説明する。水平方向に並
んでいる保持容量Cstは、図7に示すように同一ゲート
ライン上の全画素が、1本の保持容量電極につながって
いるため、図9(a)に示されるテストパターンを表示
すると、A点の位置とB点の位置とでは電圧ひずみの様
子が変化する。この変化がA点とB点の位置における輝
度差となり、目視では横方向クロストークとなって現わ
れる。この表示パターンを表示するばあいのA点および
B点における電圧についてつぎに説明する。液晶表示パ
ネルの表示モードとしてはノーマリーホワイトを仮定し
ている。また、B点の画素電極はA点の画素電極より上
部の位置にあり、かつ同一ソース配線に接続されてい
る。
示し、図9(c)はグレー表示におけるソース電圧を示
す。図に示されるように、黒表示をするばあいのソース
信号の振幅電圧は、グレー表示をするばあいのソース信
号の振幅電圧に比べて大きい。そのため、1本の保持容
量電極に保持容量を介して接続される画素電極P11、P
12などに印加される電圧は、A点のほうがB点より大き
くなる。その結果、A点の保持容量電圧の変動(図9
(e)参照)がB点の保持容量電圧の変動(図9(d)
参照)より大きくなる。さらには、ゲート選択が終了し
たのちに、保持容量電圧変動の結合効果を受けて変動し
たあとで到達するドレイン電圧が変化する。このばあ
い、正電圧を印加すると、A点のドレイン電圧が最終的
に到達する電圧(図9(f)の実線で示されている)が
B点の到達する電圧(図9(f)の点線で示されてい
る)より低いので、液晶層への印加電圧も低くなり、A
点においての表示は、B点に比べて明るくなる。
白表示のテストパターンを表示するばあいには、A点の
保持容量電圧変動がB点より小さくなり、A点のドレイ
ン電圧の到達する電圧がB点の到達する電圧より高くな
るので、画面表示は暗くなる。また、ラインコモン反転
方式においても、ライン反転方式と同様の電圧変動が発
生する。
おいて横方向クロストークが発生する原因は、保持容量
電圧変動にあるため、これを低減するためには保持容量
値を小さくするか、または保持容量電極の抵抗を小さく
して変動の回復を早くすることが考えられている。しか
し、保持容量の減少は画素へ電圧を印加したのちの液晶
層への印加電圧の保持特性の悪化、寄生容量Cgd、Cds
b の影響の増加を招くためにあまり小さくできない。一
方、保持容量電極抵抗は配線材料の抵抗値に限界があ
り、液晶パネルの高精細化に伴って現在の値以下に低下
させることが困難になっている。
はかかる問題を解決するためになされたものであり、横
方向クロストークを低減することができる液晶表示装置
およびその駆動方法を提供することを目的とする。
駆動方法は、垂直方向および水平方向にそれぞれ複数の
ソース配線およびゲート配線が形成され、該ソース配線
とゲート配線の交差部に薄膜トランジスタが接続されて
なる液晶表示装置を駆動するために、前記薄膜トランジ
スタのゲート電極にゲート電圧を入力し、かつ前記薄膜
トランジスタをオンオフ制御して、ソース電圧を前記薄
膜トランジスタのドレイン電極に充電し、前記ドレイン
電極に接続された保持容量と液晶容量によってドレイン
電圧を保持することによって液晶材料を駆動する際に、
トランジスタのゲート電極に電圧が印加されてトランジ
スタがオン状態になり、かつドレイン電極への充電を可
能にする期間であるゲート選択期間ごとに前記ソース電
圧が極性反転するライン反転駆動方式によって液晶材料
を駆動する方法であって、前記ゲート選択期間内にドレ
イン電極に充電が完了するようにゲート電圧を設定する
ことによって、前記保持容量によって生じる電圧の変動
をゲート選択期間内に回復させ、横方向クロストークを
低減することを特徴とする。
極に充電が完了する設定電圧よりも高くなるようにゲー
ト電圧が設定されることが、前記ゲート選択期間内にド
レイン電極に充電ができるため好ましい。
れ、1番目の期間のゲート電圧は該期間内に前記ドレイ
ン電極への充電が完了する電圧に設定され、2番目の期
間のゲート電圧は前記1番目の期間に最終的に到達でき
たドレイン電圧を維持するのに必要なトランジスタ抵抗
を実現できる電圧に設定されてもよい。
割され、1番目の期間のゲート電圧は該期間内に前記ド
レイン電極への充電が完了する電圧に設定され、2番目
の期間のゲート電圧は前記1番目の期間に最終的に到達
できた電圧より低く、かつ前記1番目の期間に最終的に
到達できたドレイン電圧を維持するのに必要なトランジ
スタ抵抗を実現できる電圧に設定され、3番目以降の期
間についても同様にしてゲート電圧が設定されてもよ
い。
ース配線および複数のゲート配線、薄膜トランジスタ、
ドレイン電極ならびに該ドレイン電極に接続された保持
容量および液晶容量からなり、前記複数のソース配線と
前記複数のゲート配線は互いに直角に交差し、前記薄膜
トランジスタは前記交差した部分にそれぞれ設けられ、
前記ドレイン電極は前記薄膜トランジスタに接続されて
なる液晶表示装置であって、ゲート選択期間内に前記ド
レイン電極に充電および放電ができるようにゲート電圧
が設定されることによって、前記保持容量によって生じ
る電圧の変動がゲート選択期間内に回復されることを特
徴とする。
ン電極に充電が完了する設定電圧よりも、ゲート電圧が
高く設定されてなる。
れており、ゲート電圧が、1番目の期間は当該期間内に
前記ドレイン電極への充電が完了する電圧に設定され、
2番目の期間は前記1番目の期間に最終的に到達できた
ドレイン電圧を維持するのに必要なトランジスタ抵抗を
実現できる電圧に設定されていてもよい。
ース配線および複数のゲート配線、薄膜トランジスタ、
ドレイン電極ならびに該ドレイン電極に接続された保持
容量および液晶容量からなり、前記複数のソース配線と
前記複数のゲート配線は互いに直角に交差し、前記薄膜
トランジスタは前記交差した部分にそれぞれ設けられ、
前記ドレイン電極は前記薄膜トランジスタに接続されて
なる液晶表示装置であって、ゲート選択期間内に前記ド
レイン電極に充電ができるように前記ソース電極の幅お
よび前記ソース電極とドレイン電極のあいだの距離が設
定されていることを特徴とする。
の液晶表示装置について説明する。
性を示す図である。
れる。
された電圧)である。図4に示される充電率−ゲート選
択期間特性は、TFTのオン抵抗と負荷容量で決まる。
ここで、TFTのオン抵抗とはTFTをオン状態にした
ときのソースドレイン間抵抗であり、すなわちゲート選
択期間中のソースドレイン間抵抗のことである。また、
負荷容量とはTFTのドレイン電極に接続された負荷容
量であり、ゲート選択期間中にソースドレイン間電流に
よって負荷容量が充電される。実際の液晶表示装置で
は、CstとClcの並列合成容量が負荷容量に値する。ま
た、前記充電率が100%に達する時間を充電時間と定
義する。
FT2で示されるように、充電時間が液晶表示装置のゲ
ートオン期間に相当するゲート選択期間tH にほぼ一致
するように設計されている。しかし、実際には、前述の
ようにライン反転駆動方式およびラインコモン反転駆動
方式においては、充電時間がゲート選択期間に一致する
ように設計されているのでは、画素保持容量の結合効果
で変動した保持容量電圧の変動の影響を画素電圧(ドレ
イン電圧)が受けてしまう。しかるに、ゲート選択期間
終了よりも前に画素電極の充電が終了すれば、ゲート選
択期間中に保持容量・電圧の回復が可能になり、画素電
圧の変動が少なくなる。したがって、本発明の液晶表示
装置の駆動方法においては、実線TFT1で示されるT
FTのように、(1/2)×tH の期間で充電を終了さ
せることを特徴とする。
を図2にもとづいて説明する。図2は充電時間を(1/
2)×tH にするばあいのライン反転駆動方式における
ソース電圧、ゲート電圧、ドレイン電圧および保持容量
電圧の各電圧波形である。
(b)はnラインのゲート電圧であり、図2(c)はn
+1ラインのドレイン電圧であり、図2(d)はn+1
ラインのゲート電圧であり、図2(e)はn+1ライン
のドレイン電圧であり、図2(f)はnラインの保持容
量電圧であり、図2(g)はn+1ラインの保持容量電
圧である。図2においては、TFTの充電時間が従来の
1/2倍であるため、ドレイン電圧は、図2(c)およ
び図2(e)に示されるように、ゲート選択期間の半分
で充電を完了している。ドレイン電圧の充電時間の変動
により、ドレイン電圧の結合効果による保持容量電圧も
変動するが、ドレイン電圧の充電時間がゲートオン期間
の半分であるため、該保持容量電圧の変動もゲートオン
期間の半分で終了する。そののち、保持容量電圧は図2
の(f)および図2(g)に示されるように、ゲートオ
ン期間の終了時には、入力電圧にほぼ戻っている。この
条件下では、図9(a)に示すテストパターンを表示し
たばあいでも、保持容量電圧の変動が全体に抑えられる
ため、A点、B点におけるドレイン電圧の差は小さくな
り、表示上の明るさの違いが小さくなる。
トオン電圧Vg+を上昇させたときのクロストーク率とコ
ントラスト比の変化について、表1を用いて説明する。
ここで、クロストーク率とはパターンC部分の水平方向
に位置する画素と、パターンCが存在しない部分の水平
部分に位置する画素の背景表示の輝度差を背景表示輝度
で規格化した値であり、クロストーク率CTRは、図9
(a)に示すA点の輝度をL(AG)、B点の輝度をL
(BG)とすると、次式(2)で示される。
画面全体が白表示のばあいの輝度と、画面の任意の位置
における画面全体が黒表示のばあいの輝度との比を表示
するものである。したがって、コントラスト比CRは、
A点の画面全体白表示における輝度をL(AW)、A点
の画面全体黒表示における輝度をL(AB)とすると、
次式(3)で示される。
になる。すなわち、ゲート選択期間内に、ソース電圧が
ドレイン電極にほぼ100%充電を完了していれば、充
分なコントラスト比がえられる。ここで、従来のゲート
オン電圧Vg+の条件は、ドレイン電極に充電が完了する
設定電圧である15Vであり、本発明におけるゲート電
圧は17Vである。
がVg+=15Vのばあい、クロストーク率CTRが8%
であったが、本発明ではゲートオン電圧がVg+=17V
と増加することによって、クロストーク率は5%と改善
されている。
電圧Vg+を15Vから12Vに減少させると、95から
70と低下するが、ゲートオン電圧Vg+を15Vから1
7Vに上昇させても、95から96となり、ほとんど変
化していない。したがって、従来のゲートオン電圧Vg+
=15Vはゲート選択期間終了時点でほぼドレイン電極
に充電が完了する条件であり、Vg+=17Vはゲート選
択期間内に充電が完了する本発明の条件になる。
よってTFTの充電特性は改善されるが、同時につぎの
ような問題も発生する。
間に加わる電圧が大きくなり、トランジスタの絶縁破壊
を起こす可能性が大きくなる。また、ゲート−ドレイン
間の寄生容量Cgdの影響によって発生するドレイン電圧
の変動値ΔVgdは、次式(4)で表されるように、前記
寄生容量Cgdに比例するため、変動値ΔVgdも大きくな
ってしまう。
駆動方法の他の実施例にかかわる図3に示すように、ゲ
ートオン期間を2つの期間に分割し、前記分割された2
つのそれぞれの期間のゲート電圧を異ならせることによ
って同時に解消することができた。
し、かつゲートオン期間を2つに分割し、前記分割され
たそれぞれの期間のゲート電圧を異ならせるばあいの、
ライン反転駆動方式におけるソース電圧、ゲート電圧、
ドレイン電圧および保持容量電極電圧の各電圧波形であ
る。図2と同様に、図3(a)はソース電圧であり、図
3(b)はnラインのゲート電圧であり、図3(c)は
n+1ラインのドレイン電圧であり、図3(d)はn+
1ラインのゲート電圧であり、図3(e)はn+1ライ
ンのドレイン電圧であり、図3(f)はnラインの保持
容量電圧であり、図3(g)はn+1ラインの保持容量
電圧である。
FTに印加するゲートオン電圧を最初のtH1期間につい
てはVg+1 とし、そののちのtH2期間については低い電
圧であるVg+2 に設定する。Vg+1 についてはTFTの
充電がtH1の期間内に完了するように設定し、Vg+2 に
ついては保持容量電圧の回復電圧の影響を受けてもドレ
イン電圧が変動しないために、最初のtH1期間に最終的
に到達できた電圧を維持するのに必要な、TFTのオン
抵抗を実現できる電圧に設定すればよい。たとえば、t
H1=1/2tH で完了するには、Vg+1 =18Vに設定
し、Vg+2 =13Vに設定すればよい。
分割しなくともよく、3つ以上の期間に分割し、1番目
の期間のゲート電圧は、該1番目の期間内にドレン電極
への充電が完了する電圧に設定され、2番目の期間のゲ
ート電圧は前記1番目の期間に最終的に到達できた電圧
よりも低く、かつ前記1番目の期間に最終的に到達でき
たドレイン電圧を維持するのに必要なトランジスタ抵抗
を実現できる電圧に設定され、3番目以降の期間につい
ても同様にしてそれぞれの期間のゲートオン電圧を異な
らせることによっても、本実施例と同様に保持容量電圧
がゲート選択期間中に回復可能になる。したがって、ゲ
ートオン期間を3つ以上の期間に分割したばあいでも、
ライン反転駆動方式またはラインコモン反転駆動方式に
おける横方向クロストークを低減することができる。
クロストーク率を従来のVg+=15Vの条件で達成する
ための方法として、TFTのオン電流値を上昇させ、充
電時間を短くする方法を図1にもとづいて説明する。
平面図であり、図1(b)は、図1(a)のB−B線断
面図である。
はソース配線であり、2aはソース電極であり、3はゲ
ート配線であり、3aはゲート電極であり、10は画素
電極であり、11はドレイン電極である。ソース電極2
aとゲート電極3aとドレイン電極11とからTFTが
構成されている。ソース配線2およびソース電極2a
は、一体に形成されてもよいし、別々に形成されてもよ
い。ゲート配線3とゲート電極3aの関係も同様であ
る。画素電極10は、ドレイン電極11と電気的に接続
されている。また、ゲート電極とソース、ドレイン電極
のあいだにはゲート絶縁膜13および半導体膜12が挟
持されている(図1(b)参照)。
(a)のTFTにおけるソース電極の幅W、およびソー
ス電極とドレイン電極のあいだの距離Lについて、その
比W/Lが、従来のゲート選択期間で画素電極の充電が
完了する設計値の2倍になるようにTFTのサイズを変
更すれば、TFTのオン電流値も約2倍に上昇する。そ
の結果、ドレイン電極への充電期間は約半分になり、ゲ
ート選択期間内に充電が完了する。TFTのサイズは、
たとえば、Wが2×10-2mmに対してLが5×10-3
mmであれば、その比W/Lが4になり、ドレイン電極
への充電時間は13マイクロ秒、すなわち従来の26マ
イクロ秒に比べて約半分になる。
液晶表示装置の駆動方法によれば、ゲート選択期間内に
ドレイン電極(画素電極)の充電が完了できるため、ド
レイン電極(画素電極)からの容量結合効果によって変
動した保持容量電圧がゲート選択期間中に回復でき、ラ
イン反転もしくはラインコモン反転駆動方式におけるク
ロストークを低減できる。
表示装置の駆動方法によれば、ゲート選択期間内を複数
の期間に分割したうちの、1番目の期間にドレイン電極
(画素電極)の充電が完了でき、2番目の期間に画素電
圧は変動しないで保持容量電圧の回復ができる。また、
高いゲート電圧が印加される時間が短くできるので、ト
ランジスタの絶縁破壊の問題およびゲート−ドレイン間
の寄生容量Cgdの影響によって発生するフリッカまたは
パターンの残像を低減できる。
によれば、ゲート選択期間内にドレイン電極(画素電
極)の充電が完了できるため、ドレイン電極(画素電
極)からの容量結合効果によって変動した保持容量電圧
がゲート選択期間中に回復でき、ライン反転方式もしく
はラインコモン反転駆動方式における横方向クロストー
クを低減できる。
表示装置の駆動方法によれば、ゲート選択期間内を複数
の期間に分割したうちの、1番目の期間にドレイン電極
(画素電極)の充電が完了でき、2番目の期間に画素電
圧は変動しないで保持容量電圧の回復ができる。また、
高いゲート電圧が印加される時間が短くできるので、ト
ランジスタの絶縁破壊の問題およびゲート−ドレイン間
の寄生容量Cgdの影響によって発生するドレイン電圧の
変動の影響を低く抑えてラインの反転もしくはラインコ
モン反転駆動方式における横方向クロストークを低減で
きる。
図である。
用いたばあいの、ライン反転駆動方式におけるソース電
圧、ゲート電圧、ドレイン電圧および保持容量電圧の各
電圧波形を示す図である。
を用いたばあいの、ライン反転駆動方式におけるソース
電圧、ゲート電圧、ドレイン電圧および保持容量電圧の
各電圧波形を示す図である。
を従来のTFTの充電率−ゲート選択期間特性と比較し
て示す図である。
図である。
TFT型LCDの駆動方式を3種類示す図である。
る。
の、ライン反転駆動方式におけるソース電圧、ゲート電
圧、ドレイン電圧および保持容量電圧の各電圧波形を示
す図である。
の、ライン反転駆動方式におけるテストパターン表示画
面の平面図、ソース電圧、ゲート電圧、ドレイン電圧お
よび保持容量電圧の各電圧波形を示す図である。
Claims (8)
- 【請求項1】 垂直方向および水平方向にそれぞれ複数
のソース配線およびゲート配線が形成され、該ソース配
線とゲート配線の交差部に薄膜トランジスタが接続され
てなる液晶表示装置を駆動するために、前記薄膜トラン
ジスタのゲート電極にゲート電圧を入力し、かつ前記薄
膜トランジスタをオンオフ制御して、ソース電圧を前記
薄膜トランジスタのドレイン電極に充電し、前記ドレイ
ン電極に接続された保持容量と液晶容量によってドレイ
ン電圧を保持することによって液晶材料を駆動する際
に、トランジスタのゲート電極に電圧が印加されてトラ
ンジスタがオン状態になり、かつドレイン電極への充電
を可能にする期間であるゲート選択期間ごとに前記ソー
ス電圧が極性反転するライン反転駆動方式によって液晶
材料を駆動する方法であって、前記ゲート選択期間内に
ドレイン電極に充電が完了するようにゲート電圧を設定
することによって、前記保持容量によって生じる電圧の
変動をゲート選択期間内に回復させ、横方向クロストー
クを低減することを特徴とする液晶表示装置の駆動方
法。 - 【請求項2】 前記ゲート選択期間内に、前記ドレイン
電極に充電が完了する設定電圧よりも高くなるようにゲ
ート電圧が設定される請求項1記載の駆動方法。 - 【請求項3】 前記ゲート選択期間が2つの期間に分割
され、1番目の期間のゲート電圧は該期間内に前記ドレ
イン電極への充電が完了する電圧に設定され、2番目の
期間のゲート電圧は前記1番目の期間に最終的に到達で
きたドレイン電圧を維持するのに必要なトランジスタ抵
抗を実現できる電圧に設定される請求項1記載の駆動方
法。 - 【請求項4】 前記ゲート選択期間が3つ以上の期間に
分割され、1番目の期間のゲート電圧は該期間内に前記
ドレイン電極への充電が完了する電圧に設定され、2番
目の期間のゲート電圧は前記1番目の期間に最終的に到
達できた電圧より低く、かつ前記1番目の期間に最終的
に到達できたドレイン電圧を維持するのに必要なトラン
ジスタ抵抗を実現できる電圧に設定され、3番目以降の
期間についても同様にしてゲート電圧が設定される請求
項1記載の駆動方法。 - 【請求項5】 複数のソース配線および複数のゲート配
線、薄膜トランジスタ、ドレイン電極ならびに該ドレイ
ン電極に接続された保持容量および液晶容量からなり、
前記複数のソース配線と前記複数のゲート配線は互いに
直角に交差し、前記薄膜トランジスタは前記交差した部
分にそれぞれ設けられ、前記ドレイン電極は前記薄膜ト
ランジスタに接続されてなる液晶表示装置であって、ゲ
ート選択期間内に前記ドレイン電極に充電ができるよう
にゲート電圧が設定されることによって、前記保持容量
によって生じる電圧の変動がゲート選択期間内に回復さ
れることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項6】 前記ゲート選択期間終了時点で前記ドレ
イン電極に充電が完了する設定電圧よりも、ゲート電圧
が高く設定されてなる請求項5記載の液晶表示装置。 - 【請求項7】 前記ゲート選択期間が2つの期間に分割
されており、ゲート電圧が、1番目の期間は当該期間内
に前記ドレイン電極への充電が完了する電圧に設定さ
れ、2番目の期間は前記1番目の期間に最終的に到達で
きたドレイン電圧を維持するのに必要なトランジスタ抵
抗を実現できる電圧に設定されてなる請求項5記載の液
晶表示装置。 - 【請求項8】 複数のソース配線および複数のゲート配
線、薄膜トランジスタ、ドレイン電極ならびに該ドレイ
ン電極に接続された保持容量および液晶容量からなり、
前記複数のソース配線と前記複数のゲート配線は互いに
直角に交差し、前記薄膜トランジスタは前記交差した部
分にそれぞれ設けられ、前記ドレイン電極は前記薄膜ト
ランジスタに接続されてなる液晶表示装置であって、ゲ
ート選択期間内に前記ドレイン電極に充電ができるよう
にソース電極の幅、およびソース電極とドレイン電極の
あいだの距離が設定されてなることを特徴とする液晶表
示装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34774196A JP3245733B2 (ja) | 1995-12-28 | 1996-12-26 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP34322195 | 1995-12-28 | ||
| JP7-343221 | 1995-12-28 | ||
| JP34774196A JP3245733B2 (ja) | 1995-12-28 | 1996-12-26 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09236790A true JPH09236790A (ja) | 1997-09-09 |
| JP3245733B2 JP3245733B2 (ja) | 2002-01-15 |
Family
ID=26577468
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| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP34774196A Expired - Fee Related JP3245733B2 (ja) | 1995-12-28 | 1996-12-26 | 液晶表示装置およびその駆動方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3245733B2 (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000147539A (ja) * | 1998-11-17 | 2000-05-26 | Hitachi Ltd | 液晶表示装置の製造方法 |
| JP2001296843A (ja) * | 2000-02-08 | 2001-10-26 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体表示装置及び半導体表示装置の駆動方法 |
| US6396485B1 (en) | 1998-05-20 | 2002-05-28 | Nec Corporation | Display apparatus with drive circuit capable of reducing power consumption |
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| KR100687323B1 (ko) * | 1999-06-28 | 2007-02-27 | 비오이 하이디스 테크놀로지 주식회사 | 액정 표시 소자의 라인 반전용 공통 전압 변환 회로 |
| US9318071B2 (en) | 2012-10-17 | 2016-04-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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| JPH07152013A (ja) * | 1993-11-29 | 1995-06-16 | Nippondenso Co Ltd | 液晶表示素子 |
-
1996
- 1996-12-26 JP JP34774196A patent/JP3245733B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| US9318071B2 (en) | 2012-10-17 | 2016-04-19 | Samsung Display Co., Ltd. | Display device |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3245733B2 (ja) | 2002-01-15 |
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