JPH09237164A - 半導体ディスク装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 不揮発性半導体メモリの試験時間を短縮す
る。 【解決手段】 試験コマンドをマイクロコントローラ１
２で受信すると、データ生成回路１５を制御して、試験
データ生成し、生成したデータをバッファメモリ１３に
書き込んでゆく。そして、バッファメモリ１３が満杯に
なると、シーケンサ１４を制御して、不揮発性半導体メ
モリ１９に試験データを書き込む。不揮発性半導体メモ
リ１９の全領域に試験データを書き込みが終了すると、
シーケンサ１４により不揮発性半導体メモリ１９より試
験データを読み込んで、バッファメモリ１３に書き込ん
でゆく。バッファメモリ１３が満杯になると、読み出し
回路１７で読み出しパルスを生成して、バッファメモリ
１３からデータを読み出す。データ生成回路１５で試験
データを作成する。データ比較回路１８は、比較して、
ステータスをマイクロコントローラ１２に出力する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ディスク装
置に関するものであり、特に、その内部に搭載される不
揮発性半導体などの半導体ディスク装置に対して試験を
自動的に行う回路に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、不揮発性半導体ディスク装置（Ｐ
ＣＭＩＡ−ＡＴＡフラッシュメモリカードなど）は、ホ
ストとなるコンピュータに接続されて使用される。一般
には、ホストは不揮発性ディスク装置へデータを書き込
む場合、またはデータを読み出す場合、不揮発性半導体
ディスク装置へコマンドを発行して、セクタ（５１２バ
イト）単位でデータの読み書きを行う。図２は、従来の
不揮発性半導体ディスク装置の構成図である。図２に示
すように、ホストが不揮発性半導体ディスク装置にデー
タを書き込む場合、ホストが先ず不揮発性半導体ディス
ク装置に対してデータの書き込みを指示するコマンドを
出す。不揮発性半導体ディスク装置は、ホストインタフ
ェース１を介してコマンドを受け取ると、マイクロコン
トローラ２に通知され、マイクロコントローラ２はデー
タの書き込み動作のフローに従って不揮発性半導体ディ
スク装置内のシーケンサ４及びバッファメモリ３を制御
する。先ず、ホストから書き込まれたデータはホストイ
ンタフェースを一旦、バッファメモリ３に格納され、１
セクタ（５１２バイト）のデータが溜まると、バッファ
メモリ３からマイクロコントローラ２に対して、バッフ
ァメモリにデータが溜まったことを示す信号が送られ
る。

【０００３】マイクロコントローラ２は、シーケンサ４
を制御して、シーケンサ４は、バッファメモリ３からデ
ータを順次読み出し、不揮発性半導体アレイ５のインタ
フェースに合わせてフォーマット変換して、不揮発性半
導体アレイ５に書き込む。この動作をバッファメモリ３
のセクタカウンタにて指示された回数だけ実行する。ま
た、ホストが不揮発性半導体ディスク装置からデータを
読み出す場合、ホストが先ず、不揮発性半導体ディスク
装置に対してデータの読み出しを指示するコマンドを出
す。不揮発性半導体ディスク装置は、ホストインタフェ
ース１を介して、コマンドを受け取ると、マイクロコン
トローラ２に通知され、マイクロコントローラ２は、デ
ータの読み出し動作のフローに従って不揮発性半導体デ
ィスク装置内のシーケンサ４及びをバッファメモリ３を
制御する。先ず、マイクロコントローラ２は、シーケン
サ４を制御し、シーケンサ４は、不揮発性半導体アレイ
５より１セクタのデータを読み出して、バッファメモリ
３に格納する。バッファメモリ３に１セクタのデータが
溜まると、マイクロコントローラ２を介して、ホストに
通知される。ホストがホストインタフェース１を介して
バッファメモリ３から読み出す。この動作をセクタカウ
ンタにて指示された回数だけ実行する。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
不揮発性半導体ディスク装置は、以下の課題があった。
不揮発性半導体５への書き込みは、１回のコマンドで１
トラック単位、または最大２５６セクタ（通常、転送す
るセクタ数はセクタカウンタの値で指定されるため）し
か連続してできない。ところが、不揮発性半導体ディス
ク装置内の不揮発性半導体アレイ５の試験をしようとす
ると全ての記憶領域に対して、書き込みと読み出しとを
する必要があり、そのため、ホストは何回もコマンドを
発行しなければならない。そのため、試験などで不揮発
性半導体ディスク装置内の不揮発性半導体の全ての記憶
領域が正常であるかを調べるには時間がかかる。また、
１台の不揮発性半導体ディスクを調べるには、コマンド
の送信とデータの送受信を何度も行う必要がありその間
はホストをすることになり結局、１台のホストが必要と
なり、１個の半導体ディスク装置の試験で時間がかかる
ことを補うために、複数個を並列的に試験しようとする
と複数台のホストが必要となり、コストがかかるという
問題点がある。

【０００５】

【課題を解決するための手段】第１の発明は、前記課題
を解決するために、ホストコンピータに接続されて使用
され、該ホストコンピュータからのコマンドに従って、
半導体記憶装置にデータの書き込み及び該半導体記憶装
置からデータの読み出しをする半導体ディスク装置にお
いて、以下の手段を備えている。前記ホストコンピュー
タからの試験を指示するコマンドを受信して、前記半導
体記憶装置へのデータの書き込み及び前記半導体記憶装
置からの読み出しを制御する制御手段と、ライト信号に
基づいてデータを書き込み、リード信号に基づいて書き
込んだデータを読み出すバッファメモリと、前記制御手
段によって動作が制御され、試験用のデータと照合用の
データを生成するデータ生成手段と、前記制御手段によ
って動作が制御され、前記データ生成手段で生成した試
験用のデータを前記バッファメモリに書き込むための前
記ライト信号を生成するデータ書き込み手段とを備えて
いる。

【０００６】そして、前記制御手段によって動作が制御
され、前記リード信号を生成して前記バッファメモリに
書き込まれた試験用のデータを読み出して、前記半導体
記憶装置に書き込み、前記半導体記憶装置に書き込まれ
た該試験用のデータを読み出して、前記ライト信号を生
成して前記バッファメモリに書き込むシーケンサと、前
記制御手段によって動作が制御され、前記バッファメモ
リに書き込まれたデータを読み出すための前記リード信
号を生成するデータ読み出し手段と、前記制御手段によ
って動作が制御され、前記読み出し手段により出力され
るデータと前記データ生成手段により出力される照合用
のデータとの照合をして照合結果を出力するデータ比較
手段とを備えている。

【０００７】以上のように、半導体デイスク装置を構成
したので、制御手段で試験用のコマンドを入力すると、
データ書き込み手段とデータ書き込み手段とを制御し
て、試験用のデータを作成して、バッファメモリに書き
込んむ。そして、シーケンサを制御して、バッファメモ
リに書き込んだデータを読み出して、半導体記憶手段に
書き込む。さらに、シーケンサを制御して、半導体記憶
手段に書き込んだデータを読み出してゆき、バッファメ
モリにそのデータを書き込む。バッファメモリに書き込
んだデータをデータ読み出し手段を制御して、読み出す
とともに、データ生成手段を制御して、照合用データを
生成して、その照合用データとバッファメモリから読み
出したデータをデータ比較手段で比較する。これによっ
て、半導体ディスク装置内で半導体記憶手段の試験がで
きる。

【０００８】

【発明の実施の形態】第１の実施形態 図１は、本発明の第１の実施形態を示す不揮発性半導体
ディスク装置の構成図である。本第１の実施形態の不揮
発性半導体ディスク装置が従来の不揮発性半導体ディス
ク装置と異なる点は、データを作成するデータ生成回路
１５、データ書き込み回路１６、データ読み出し回路１
７、データ比較回路１８を設けて、不揮発性半導体ディ
スク装置内で不揮発性半導体メモリ１９の記憶領域が正
常であるか否かを試験するようにしたことである。図１
に示すように、本第１の実施形態の不揮発性半導体ディ
スク装置は、ホストインタフェース１１、マイクロコン
トローラ１２、バッファメモリ１３、シーケンサ１４、
データ生成回路（データ生成手段）１５、データ書き込
み回路（データ書き込み手段）１６、データ読み出し回
路（データ読み出し手段）１７、データ比較回路１８
（データ比較手段）、不揮発性半導体メモリ１９、セレ
クタ２０、２１を備えている。

【０００９】データ生成回路１５は、８ビットのデータ
レジスタ１５−１、８ビットのカウンタ１５−２、８ビ
ットのメモリアドレスレジスタ１５−３、セレクタ１５
−４，１５−５を有している。データ書き込み回路１６
は、５１２カウンタ１６−１とライトパルス生成回路１
６−２とを有している。データ読み出し回路１７は、５
１２カウンタ１７−１とリードパルス生成回路１７−２
とを有している。ホストインタフェース１１の入出力
は、マイクロコントローラ１２、バッファメモリ１３、
及びホストが接続されている。バッファメモリ１３はデ
ータ生成回路１５との間は、データバスＤＢＡによって
接続されている。バッファメモリ１３とデータ比較回路
１８との間は、データバスＤＢＢによって接続されてい
る。バッファメモリ１３はシーケンサ１４との間は、デ
ータバスＤＢＣによって接続されている。バッファメモ
リ１３の入出力は、マイクロコントローラ１２に接続さ
れている。マイクロコントローラ１２からの初期値アド
レス信号ｓ１２ａは、バッファメモリ１３の入力に接続
されている。マイクロコントローラ１２からの不揮発性
半導体メモリ１９への読み出し・書き込みアドレス信号
ｓ１２ｂ及びシーケンサ１４の動作制御信号ｓ１２ｂ
は、シーケンサ１４の入力に接続されている。

【００１０】マイクロコントローラ１２からのデータ値
ｓ１２ｃ、初期カウント値（０）ｓ１２ｄ、メモリアド
レス１２ｅは、データ生成回路１５のデータレジスタ１
５−１、カウンタ１５−２、メモリアドレスレジスタ１
５−３の入力にそれぞれ接続されている。マイクロコン
トローラ１２からのカウンタ１５−２のクロック選択信
号ｓ１２ｆは、セレクタ１５−４の選択信号入力に接続
されている。マイクロコントローラ１２からのデータ生
成回路１５のデータ出力選択信号ｓ１２ｇは、セレクタ
１５−５の選択信号入力に接続されている。マイクロコ
ントローラ１２からのカウント開始信号ｓ１２ｈは、デ
ータ書き込み回路１６の５１２カウンタ１６−１の入力
に接続されている。マイクロコントローラ１２からのカ
ウント開始信号ｓ１２ｉは、データ読み出し回路１７の
５１２カウンタ１７−１の入力に接続されている。

【００１１】マイクロコントローラ１２からのライト信
号選択信号ｓ１２ｊは、セレクタ２０の選択信号入力に
接続されている。マイクロコントローラ１２からのリー
ドパルス選択信号ｓ１２ｋは、セレクタ２１の選択信号
入力に接続されている。マイクロコントローラ１２から
のデータ比較タイミング信号ｓ１２ｌは、データ比較回
路１８の入力に接続されている。シーケンサ１４からの
ライト信号ｓ１４Ｒは、セレクタ２０の一方の入力に接
続されている。シーケンサ１４からのリード信号ｓ１４
Ｗは、セレクタ２１の他方の入力に接続されている。シ
ーケンサ１４と不揮発性半導体メモリ１９との間は、デ
ータ信号線によって接続されている。データ生成回路１
５のデータレジスタ１５−１の出力は、セレクタ１５−
５の入力に接続されている。カウンタ１５−２の出力
は、セレクタ１５−５の入力に接続されている。メモリ
アドレスレジスタ１５−３の出力は、セレクタ１５−５
の入力に接続されている。セレクタ１５−４の出力は、
カウンタ１５−２のクロック端子に接続されている。

【００１２】データ書き込み回路１６のカウンタ１６−
１のクロック端子はクロック信号ＣＬＫが接続されてい
る。カウンタ１６−１の出力は、ライトパルス生成回路
１６−２の一方の入力が接続されている。ライトパルス
生成回路１６−２の他方の入力は、クロック信号ＣＬＫ
が接続されている。ライトパルス生成回路１６−２のラ
イト信号ｓ１６は、セレクタ２０及びデータ生成回路１
５のセレクタ１５−４の入力に接続されている。データ
読み出し回路１７のカウンタ１７−１のクロック端子は
クロック信号ＣＬＫが接続されている。カウンタ１７−
１の出力は、リードパルス生成回路１７−２の一方の入
力が接続されている。リードパルス生成回路１７−２の
他方の入力は、クロック信号ＣＬＫが接続されている。
リードパルス生成回路１７−２のライト信号ｓ１７は、
セレクタ２１及びデータ生成回路１５のセレクタ１５−
４の入力に接続されている。

【００１３】データ比較回路１８のステータスｓｔａｔ
ｕｓは、マイクロコントローラ１２の入力に接続されて
いる。セレクタ２０の出力は、バッファメモリ１３のラ
イト信号入力に接続されている。セレクタ２１の出力
は、バッファメモリ１３のリード信号入力に接続されて
いる。ホストインタフェース１１は、例えば、ＡＴＡイ
ンタフェース回路である。マイクロコントローラ１２
は、シーケンサ１４、データ生成回路１５、データ書き
込み回路１６、データ読み出し回路１７、データ比較回
路１８、セレクタ２０，２１の動作制御するものであ
る。バッファメモリ１３は、例えば、５１２バイトのＳ
ＲＡＭであり、アドレスカウンタによってアドレスをラ
イト信号、又はリード信号に従って生成して、ライト信
号、又はリード信号に従ってアドレスカウンタが示すア
ドレスにテータの着込み、アドレスカウンタが示すアド
レスからデータを読み出すものである。

【００１４】シーケンサ１４は、リード信号ｓ１４Ｒを
生成してバッファメモリ１３からデータを読み出して、
そのデータをフォーマット変換（例えば、パラレル／シ
リアル変換など）して、不揮発性半導体メモリ１９に書
き込む回路と、不揮発性半導体メモリ１９からデータを
読み出して、フォーマット変換（例えば、シリアル／パ
ラレル変換）して、ライト信号ｓ１４Ｗを生成してバッ
ファメモリ１３に書き込む回路であり、その動作がマイ
クロコントローラ１２によって制御されるロジック回路
である。データ生成回路１５は、試験用のデータを生成
する回路であり、マイクロコントローラ１２によって、
データを生成するタイミング及び生成するデータの種別
が制御されるものであり、例えば、固定値、カウンタ
値、メモリアドレスの３種類のうちいずれかの試験用の
データを生成する。

【００１５】データ書き込み回路１６は、バッファメモ
リ１３に試験データの書き込み、及びデータ生成回路１
５のカウンタ１５−２のクロックを生成するための回路
である。データ読み出し回路１７は、バッファメモリ１
３からデータの読み出し、及びデータ生成回路１５のカ
ウンタ１５−２のクロックを生成するための回路であ
る。データ比較回路１８は、バッファメモリ１３から読
み出したデータとデータ生成回路１５からの出力とを、
マイクロコントローラ１２からの比較タイミング信号ｓ
１２ｌに従って、比較してステートタスｓｔａｔｕｓを
出力する回路である。

【００１６】図３は、図１のタイムチャートである。以
下、図３を参照しつつ、図１の動作の説明をする。 （ａ） 不揮発性半導体メモリ１９を試験する場合 ホストが不揮発性半導体ディスク装置内の不揮発性半導
体を試験する場合、ホストが先ず不揮発性半導体ディス
ク装置に対して、不揮発性半導体の試験を指示するコマ
ンドを出す。不揮発性半導体ディスク装置は、ホストイ
ンタフェース１１を介して、マイクロコントローラ１２
に通知される。マイクロコントローラ１２は、コマンド
を解析して、不揮発性半導体の試験であることを認識す
ると、データレジスタ１５−１に固定値データｓ１２
ｃ、カウンタ２２にカウント初期値（０）ｓ１２ｄ、も
しくはメモリアドレスレジスタ１５−３にここで生成す
る試験データを不揮発性半導体メモリ１９に書き込むア
ドレスｓ１２ｅを出力する。また、マイクロコントロー
ラ１２は、カウントの初期値（０）ｓ１２ｄの出力と同
時にバッファメモリ１３のアドレスカウンタに、アドレ
スの初期値（０）ｓ１２ａを出力する。

【００１７】そして、マイクロコントローラ１２は、セ
レクタ１５−４の選択信号入力にデータ書き込み回路１
６からの出力ｓ１６を選択するようにクロック選択信号
ｓ１２ｆを出力し、セククタ１５−５の選択入力にデー
タレジスタ１５−１の出力、カウンタ１５−２の出力、
メモリアドレスレジスタ１５−３のいずれかの出力を選
択する選択信号ｓ１２ｇを出力する。さらに、マイクロ
コントローラ１２は、５１２カウンタ１６−１にカウン
ト開始指示信号ｓ１２ｈを出力し、セレクタ２０の選択
信号入力にデータ書き込み回路１６の出力ｓ１６を選択
するよう選択信号ｓ１２ｊを出力する。５１２カウンタ
１６−１は、カウント開始信号ｓ１２ｈに指示により、
クロック信号ＣＬＫのカウントを開始して、１〜５１２
をカウントするまでは、例えば、“１”、それ以降は、
“０”を出力する。ライトパルス生成回路１６−２は、
カウンタ１６−１の出力が“１”になっている間、クロ
ック信号ＣＬＫをライト信号ｓ１６として出力する。

【００１８】ライト信号ｓ１６は、データ生成回路１５
のセレクタ１５−４及びセレクタ２０の入力に出力され
る。セレクタ１５−４は、クロック選択信号ｓ１２ｆに
より、ライト信号ｓ１６をカウンタ１５−２のクロック
端子に出力する。カウンタ１５−２は、ライト信号ｓ１
６をクロック信号として、マイクロコントローラ１２か
らのカウンタ初期値（０）をロードして、０，１，２，
…，２５５，０，…と順次カウントしてセレクタ１５−
５に出力する。セククタ１５−５は、データレジスタ１
５−１の出力、カウンタ１５−２の出力、メモリアドレ
スレジスタ１５−３の出力を選択信号ｓ１２ｇに従って
選択して、データバスＤＢＡに出力する。一方、セレク
タ２０は、選択信号ｓ１２ｊによりデータ書き込み回路
１６の出力ｓ１６を選択して、出力する。バッファメモ
リ１３のアドレスカウンタは、マイクロコントローラ１
２からのアドレス初期値（０）ｓ１２ａをロードして、
ライト信号をクロックとしてアドレスを生成する。そし
て、バッファ１３は、アドレスカウンタが示すアドレス
にライト信号に従って、データバスＤＢＡからデータ生
成回路１５の出力を入力して書き込んでゆく。

【００１９】例えば、データ生成回路１５からの出力が
カウンタ１５−２の出力が選択されているとすると、カ
ウンタ１５−２及びアドレスカウンタは同じライトパル
スをクロックとしているので、カウンタ１５−２の出力
（０，１，…，２５５，０，…，）が、バッファメモリ
のアドレス（０，１，…，２５５，２５６，…）にそれ
ぞれ書き込まれることになる。そして、バッファメモリ
１３に１セクタ（５１２バイト）のデータが溜まると、
アドレスカウンタがマイクロコントローラ１２に通知す
る。マイクロコントローラ１２は、バッファメモリ１３
からの通知を受けると、シーケンサ１４のバッファメモ
リ１３への読み出し回路と不揮発性半導体メモリ１９へ
の書き込み回路を起動させ、不揮発性半導体メモリ１９
への書き込みアドレスをアドレスレジスタに設定する。

【００２０】シーケンサ１４は、読み出し信号ｓ１４Ｒ
を順次発生させて、バッファメモリ１３から順次データ
を読み出してゆき、不揮発性半導体メモリ１９とのイン
タフェースに従って、フォーマット変換（例えば、パラ
レル／シリアル変換）して、不揮発性半導体メモリ１９
に書き込んでゆく。そして、１セクタのデータが不揮発
半導体メモリ１９に書き込まれると、シーケンサ１９
は、マイクロコントローラ１２に通知する。マイクロコ
ントローラ１２は、次の１セクタの試験データを不揮発
性メモリ１９に書き込むべく上述したと同様に制御す
る。以上の動作を不揮発性半導体メモリ１９の全記憶領
域もしくはホストより指定された範囲の半導体領域に対
して書き込みを行う。

【００２１】上記、書き込み動作が終了すると、マイク
ロコントローラ１２は、シーケンサ１４に対して、不揮
発性半導体メモリ１９の読み出しとバッファメモリ１３
への書き込みの指示ｓ１２ｂ及び読み出しアドレスｓ１
２ｂをアドレスレジスタに設定し、バッファメモリ１３
のアドレスカウンタに初期値（０）ｓ１２ａ、セレクタ
２１にシーケンサ１４からのライト信号ｓ１４Ｗを選択
するように選択信号ｓ１２ｋを出力する。シーケンサ１
４は、不揮発性半導体メモリ１９より１セクタ（５１２
バイト）のデータを読み出し、ライト信号ｓ１４Ｗを順
次生成して、データをデータバスＤＢＣに出力し、ライ
ト信号ｓ１４Ｗをセレクタ２１に出力する。セレクタ２
１は、選択信号ｓ１２ｋによりシーケンサ１４からのラ
イト信号ｓ１４Ｗを選択して、バッファメモリ１３のラ
イト信号入力に出力する。バッファメモリ１３のアドレ
スカウンタは、マイクロコントローラ１２からの初期値
（０）をロードして、ライト信号ｓ１４Ｗをクロック信
号としてアドレスを生成して、バッファメモリ１３は、
ライト信号ｓ１４Ｗに従って、データバスＤＢＣからシ
ーケンサ１４の出力を入力して、アドレスカウンタが示
すアドレスに書き込んでゆく。

【００２２】そして、バッファメモリ１３に１セクタ
（５１２バイト）のデータが溜まると、アドレスカウン
タがマイクロコントローラ１２に通知する。マイクロコ
ントローラ１２は、通知を受けると、データ生成回路１
５のデータレジスタ１５−１に試験データを生成したと
きの固定値データｓ１２ｃ、カウンタ１５−２にカウン
タの初期値（０）ｓ１２ｄ、もしくはメモリアドレスレ
ジスタ１５−３にメモリアドレスｓ１６ｅを設定する。
また、マイクロコントローラ１２は、カウンタの初期値
（０）ｓ１２ｄの出力と同時にバッファメモリ１３のア
ドレスカウンタに、アドレスの初期値（０）を出力し、
セレクタ１５−４の選択信号入力に、データ読み出し回
路１７の出力ｓ１７を選択するように選択信号ｓ１２ｆ
を出力し、データ読み出し回路１７の５１２カウンタ１
７−１にカウント開始信号ｓ１２ｉを出力し、セレクタ
２１にデータ読み出し回路１７の出力ｓ１７を選択する
ように選択信号ｓ１２ｋを出力する。

【００２３】カウンタ１７−１は、カウント開始信号ｓ
１２ｉに従って、クロック信号ＣＬＫのカウント動作を
開始して、１セクタの読み出し期間である１〜５１２カ
ウントする間は“１”を出力して、以降は、“０”を出
力する。リードパルス生成回路１７−２は、カウンタ１
７−１の出力が“１”間は、クロックＣＬＫをリード信
号ｓ１７として出力する。リード信号ｓ１７は、セレク
タ１５−４及びセレクタ２１に出力される。セレクタ１
５−４は、選択信号ｓ１２ｆにより、リード信号ｓ１７
を選択して、カウンタ１５−２のクロック端子に出力す
る。カウンタ１５−２は、マイクロコントローラ１２か
らの初期値（０）ｓ１２ｄをロードして、リード信号ｓ
１７をクロック信号として、カウント動作して、０，
１，２，…，２５５，０，…と順次出力する。セレクタ
１５−４は、データレジスタ１５−１，カウンタ１５−
２、メモリアドレスレジスタ１５−３のいずれかを選択
信号ｓ１２ｇに従って、選択してデータバスＤＢＡに出
力する。

【００２４】一方、セレクタ２１は、選択信号ｓ１２ｋ
により、ライト信号ｓ１７を選択して、バッファメモリ
１３のリード信号入力に出力する。バッファメモリ１３
のアドレスカウンタは、初期値（０）ｓ１２ａをロード
し、リード信号ｓ１７をクロック信号として、アドレス
を生成し、バッファメモリ１３は、リード信号ｓ１７に
従って、アドレスカウンタが示すアドレスからデータを
詠み出し、データバスＤＢＢに出力する。もし、不揮発
性半導体メモリ１９が正常で、カウンタ１５−２の出力
が試験データとして格納されていたとすると、バッファ
メモリ１３には、０，１，２，…，２５５，０，…が格
納されることになり、これがリード信号ｓ１７に従っ
て、出力されることになる。マイクロコントローラ１２
は、データ比較回路１８にデータ比較するタイミングを
指示する信号ｓ１２ｌを出力する。データ比較回路１８
は、マイクロコントローラ１２からの信号ｓ１２ｌに従
って、データ生成回路１５の出力とバッファメモリ１３
との出力を比較して、比較結果をフリップフロップでラ
ッチして、マイクロコントローラ１２にステータス信号
ｓｔａｔｕｓを出力する。

【００２５】例えば、カウンタ１５−２の出力が選択さ
れているとすると、データ比較回路１８のデータ生成回
路１５からの入力は、リード信号ｓ１７に同期して、
０，１，２，３，…，２５５，０…となり、不揮発性半
導体メモリ１９が正常であれば、バッファメモリ１３か
らの入力は、リード信号ｓ１７に同期して、０，１，
２，…，２５５，０，…となるので、リード信号ｓ１７
に同期した信号で前記のデータを比較することにより、
不揮発性半導体メモリ１９の正常・異常が判定できる。
また、他のデータレジスタ１５−１、メモリアドレスレ
ジスタ１５−２が選択される場合も、１セクタの間は、
マイクロコントローラ１２からの設定される値は同じな
ので、不揮発性半導体メモリ１９の正常・異常が判定で
きる。異常があった場合は、マイクロコントローラ１２
は、ホストインタフェース１１を介して、ホストに通知
する。１セクタの試験データの照合が終わると、マイク
ロコントローラ１２は、次の１セクタの試験データの照
合をするべく、上述したように制御する。の動作を全て
の不揮発性半導体メモリ１９もしくは指定された範囲の
半導体メモリ１９へ書き込みが行われた回数実行する。

【００２６】（ｂ） 通常動作 通常動作では、マイクロコントローラ１２は、セレクタ
２０の選択入力にシーケンサ１４からのライト信号ｓ１
４Ｗを選択するよう選択信号ｓ１２ｊを出力し、セレク
タ２１の選択入力にシーケンサ１４からのリード信号ｓ
１４Ｒを選択するように選択信号ｓ１２ｋを出力する。
ホストインタフェース１１を介してコマンドを受け取る
と、マイクロコントローラ１２に通知され、マイクロコ
ントローラ１２はデータの書き込み動作のフローに従っ
て不揮発性半導体ディスク装置内のシーケンサ１４及び
バッファメモリ１３を制御する。先ず、ホストから書き
込まれたデータはホストインタフェース１１を一旦、バ
ッファメモリ１３に格納され、１セクタ（５１２バイ
ト）のデータが溜まると、バッファメモリ１３からマイ
クロコントローラ１２に対して、バッファメモリ１３に
データが溜まったことを示す信号が送られる。

【００２７】マイクロコントローラ１２は、シーケンサ
１４を制御して、シーケンサ１４は、リード信号ｓ１４
Ｒをセレクタ２０を通してバッファメモリ１３に出力
し、バッファメモリ１３からライトデータを順次読み出
し、不揮発性半導体メモリ１９のインタフェースに合わ
せてフォーマット変換して、不揮発性半導体メモリ１９
に書き込む。この動作をバッファメモリ１３のセクタカ
ウンタにて指示された回数だけ実行する。また、ホスト
が不揮発性半導体ディスク装置からデータを読み出す場
合、ホストが先ず、不揮発性半導体ディスク装置に対し
てデータの読み出しを指示するコマンドを出す。不揮発
性半導体ディスク装置は、ホストインタフェース１１を
介して、コマンドを受け取ると、マイクロコントローラ
１２に通知され、マイクロコントローラ１２は、データ
の読み出し動作のフローに従って不揮発性半導体ディス
ク装置内のシーケンサ１４及びをバッファメモリ１３を
制御する。先ず、マイクロコントローラ１２は、シーケ
ンサ１４を制御し、シーケンサ１４は、不揮発性半導体
メモリ５より１セクタのデータを読み出して、ライト信
号ｓ１４Ｒを生成し、セレクタ２１を通してバッファメ
モリ１３に出力し、バッファメモリ１３にデータを書き
込んでゆく。バッファメモリ１３に１セクタのデータが
溜まると、マイクロコントローラ１２を介して、ホスト
に通知される。ホストがホストインタフェース１１を介
してバッファメモリ１３から読み出す。この動作をセク
タカウンタにて指示された回数だけ実行する。

【００２８】以上説明したように、本第１の実施形態に
よれば、データ生成回路１５、データ書き込み回路１６
を設けたので不揮発性半導体メモリ１９へ書き込むデー
タをホストから転送する必要がなく、データ読み出し回
路１７、データ比較回路１８とを設けたので、読み出さ
れたデータをホストに転送する必要がないため、ホスト
との転送時間分が短縮され、転送時の外部からノイズに
よるデータ化けの恐れがなくなり、不揮発性半導体メモ
リ１９の試験を高速かつ正確にできるという利点があ
る。また、１回のコマンドで不揮発性半導体ディクス内
全ての不揮発性半導体メモリ１９を試験することが可能
となり、コマンドの発行する回数が少なくなり、試験を
さらに高速にできる。

【００２９】第２の実施形態 図４は、本発明の第２の実施形態を示す不揮発性半導体
ディスク装置の構成図であり、図１中の要素に共通する
要素には共通の符号を付してある。本第２の実施形態の
不揮発性半導体ディスク装置が第１の実施形態の不揮発
性半導体ディスク装置と異なる点は、不揮発性半導体メ
モリ１９へライトするためのデータ生成回路１５の出力
をバッファメモリ１３に出力せずにシーケンサ４４に直
接出力し、不揮発性半導体メモリ１９からシーケンサ１
４でリードしたデータをバッファメモリ１３にライトす
るのではなく直接、データ比較回路１８に出力するよう
にしたことである。図４に示すように、本第２の実施形
態の不揮発性半導体ディスク装置は、ホストインタフェ
ース１１、マイクロコントローラ２２、バッファメモリ
１３、シーケンサ１４、データ生成回路１５、データ比
較回路１８、不揮発性半導体メモリ１９、バスセレクタ
２５、セレクタ２６，２７を備えている。ホストインタ
フェース１１の入出力は、マイクロコントローラ２２、
バッファメモリ１３、及びホストが接続されている。バ
ッファメモリ１３とバスセレクタ２５との間は、データ
バスＤＢＣによって接続されている。バスセレクタ２５
とシーケンサ及びデータ比較回路１８との間は、データ
バスＤＢＢによって接続されている。バスセレクタ２５
とデータ生成回路１５及びデータ比較回路１８の間は、
データバスＤＢＣによって接続されている。バッファメ
モリ１３の入出力は、マイクロコントローラ２２に接続
されている。

【００３０】マイクロコントローラ２２からの初期値ア
ドレス信号ｓ２２ａは、バッファメモリ１３の入力に接
続されている。マイクロコントローラ２２からの不揮発
性半導体メモリ１９への読み出し・書き込みアドレス信
号ｓ２２ｂ及びシーケンサ１４の動作制御信号ｓ２２ｂ
は、シーケンサ１４の入力に接続されている。マイクロ
コントローラ２２からのデータ値ｓ２２ｃ、初期カウン
ト値（０）ｓ２２ｄ、メモリアドレス２２ｅは、データ
生成回路１５のデータレジスタ１５−１、カウンタ１５
−２、メモリアドレスレジスタ１５−３の入力にそれぞ
れ接続されている。マイクロコントローラ２２からのカ
ウンタ１５−２のクロック選択信号ｓ２２ｆは、セレク
タ１５−４の選択信号入力に接続されている。マイクロ
コントローラ１２からのデータ生成回路１５のデータ出
力選択信号ｓ２２ｇは、セレクタ１５−５の選択信号入
力に接続されている。

【００３１】マイクロコントローラ２２からのバス選択
信号ｓ２２ｈ、バスセレクタ２５の選択信号入力に接続
されている。マイクロコントローラ２２からのリード信
号ｓ１４Ｒの出力先の選択信号ｓ２２ｉは、セレクタ２
６の選択信号入力に接続されている。マイクロコントロ
ーラ２２からのライト信号ｓ１４Ｗの出力先の選択信号
ｓ２２ｉは、セレクタ２７の選択信号入力に接続されて
いる。シーケンサ１４のリード信号ｓ１４Ｒは、セレク
タ２６の入力に接続されている。シーケンサ１４のライ
ト信号ｓ１４Ｗは、セレクタ２７の入力に接続されてい
る。セレクタ２６の一方の出力は、バッファメモリ１３
のリード信号入力に接続され、他方の出力は、セレクタ
１５−４の入力に接続されている。セレクタ２７の一方
の出力は、バッファメモリ１３のライト信号入力に接続
され、他方の出力は、セレクタ１５−４の入力に接続さ
れている。シーケンサ１４のデータ比較タイミング信号
は、データ比較回路１８の入力に接続されている。

【００３２】図５は、図４のタイムチャートである。以
下、図５を参照しつつ、図４の動作の説明をする。 （ａ） 不揮発性半導体を試験する場合 ホストが不揮発性半導体ディスク装置内の不揮発性半導
体を試験する場合、ホストが先ず不揮発性半導体ディス
ク装置に対して、不揮発性半導体の試験を指示するコマ
ンドを出す。不揮発性半導体ディスク装置は、ホストイ
ンタフェース１１を介して、マイクロコントローラ２２
に通知される。マイクロコントローラ２２は、コマンド
を解析して、不揮発性半導体の試験であると認識する
と、バッファメモリ１３に対してバッファメモリに書き
込むバッファメモリアドレスを初期化する。マイクロコ
ントローラ２２は、データ生成回路１５に対して、デー
タ値ｓ２２ｃ、カウンタの初期値（０）ｓ２２ｄ、メモ
リアドレス値ｓ２２ｅのいずれかを出力する。マイクロ
コントローラ２２は、シーケンサ１４に対して、データ
を読み出しの指示２２ｂ及びメモリアドレス２２ｂを設
定し、セレクタ１５−４の選択入力にリード信号ｓ１４
Ｒを選択するよう選択信号ｓ２２ｆを出力する。

【００３３】セレクタ１５−５にデータレジスタ１５−
１、カウンタ１５−２、メモリアドレスレジスタ１５−
３のいずれかの出力を選択するよう選択信号ｓ２２ｇを
出力する。シーケンサ１４は、マイクロコントローラ２
２からデータの読み出しを指示されると、リード信号１
４Ｒを順次生成して出力する（シーケンサ１４は、バッ
ファメモリ１３からの読み出しとデータ生成回路１５か
らの読み出しの区別はない）。セレクタ２６は、リード
信号ｓ１４Ｒの出力先を選択して、セレクタ１５−４に
リード信号ｓ１４Ｒを出力する。セレクタ１５−４は、
選択信号ｓ２２ｆによりリード信号ｓ１４Ｒを選択し
て、カウンタ１４のクロック端子にクロック信号として
出力する。カウンタ１４は、初期値（０）ｓ２２ｄをロ
ードして、リード信号ｓ１４Ｒをクロック信号としてカ
ウント動作して、０，１，２，…，２５５，０，１…を
順次出力する。セレクタ１５−５は、データレジスタ１
５−１、カウンタ１５−２、メモリアドレスレジスタ１
５−３の出力のうちいずれかを選択信号ｓ２２ｇにより
選択して、データバスＤＢＡに出力する。バスセレクタ
２５は、選択信号ｓ２２ｈによりデータバスＤＢＡを選
択して、シーケンサ１４のデータに出力する。

【００３４】この結果、カウンタ１５−２の出力が選択
指定されていれば、リード信号ｓ１４Ｒに従って順次、
バッファメモリ１３から読み出しと全く同様に０，１，
２，…，２５５，０，…，２５５とシーケンサ１４に入
力されることになる。シーケンサ１４は、データを入力
すると、フォーマット変換して、不揮発性半導体メモリ
１９に対して、マイクロコントローラ２２が指示するメ
モリアドレス領域にデータを順次書き込んでゆく。１セ
クタの試験データの不揮発性半導体メモリ１９へ書き込
みが終了すると、シーケンサ１４は、マイクロコントロ
ーラ２２に通知する。マイクロコントローラ２２は、次
の１セクタの試験データを不揮発性半導体メモリ１９に
書き込むべく上述したと同様にして制御する。以上の動
作を不揮発性半導体メモリ１９の全記憶領域もしくは指
定された範囲の半導体領域に対して書き込みを行う。

【００３５】上記、書き込み動作が終了すると、マイク
ロコントローラ２２は、シーケンサ１４に対して、不揮
発性半導体メモリ１９の読み出しとデータ比較回路１８
への出力と読み出しアドレスをアドレスレジスタに設定
する。シーケンサ１４は、アドレスレジスタに設定され
たアドレスに従って、不揮発性半導体メモリ１９よりデ
ータを読み出してゆき、そのデータをデータバスＤＢＣ
に出力するとともに、ライト信号ｓ１４Ｗをバッファメ
モリ１３に書き込む場合と全く同様にして生成して出力
する。マイクロコントローラ２２は、データ生成回路１
５のデータレジスタ１５−１に試験データを生成したと
きの固定値データｓ２２ｃ、カウンタ１５−２にカウン
タの初期値（０）ｓ２２ｄ、もしくはメモリアドレスレ
ジスタ１５−３にメモリアドレスをｓ２２ｅを設定す
る。また、マイクロコントローラ２２は、セレクタ１５
−４の選択信号入力に、ライト信号ｓ１４Ｗを選択する
よう選択信号ｓ２２ｆを出力し、セレクタ１５−５に試
験データを作成したときの、データレジスタ１５−１、
カウンタ１５−２、メモリアドレスレジスタ１５−３の
出力のいずれかを選択するよう選択信号ｓ２２ｇを出力
し、セレクタ２７に出力先をセレクタ１５−４にするよ
うに選択信号ｓ２２ｊを出力する。

【００３６】セレクタ２７は、選択信号ｓ２２ｊにより
セレクタ１５−４を出力先に選択して、セレクタ１５−
４にライト信号ｓ１４Ｗを出力する。セレクタ１５−４
は、選択信号ｓ２２ｆによりライト信号ｓ１４Ｗを選択
して、カウンタ１５−２のクロック端子に出力する。カ
ウンタ１５−２は、初期値（０）ｓ２２ｄをロードし
て、セレクタ１５−４から出力されるライト信号ｓ１４
Ｗをクロック信号として、カウントを開始する。セレク
タ１５−５は、選択信号ｓ２２ｇによりデータレジスタ
１５−１、カウンタ１５−２、メモリアドレスレジスタ
１５−３の出力のうちいずれかの出力を選択して、バス
セレクタ２５に出力する。バスセレクタ２５は、選択信
号ｓ２２ｈにより、データ生成回路１５の出力を選択し
て、データバスＤＢＡを通して、データ比較回路１８に
出力する。データ比較回路１８は、シーケンサ１４から
出力されるデータとデータ生成回路１５から出力される
データをシーケンサ１４からの比較タイミング信号に従
って、照合して、ステータスをマイクロコントローラ２
２に出力する。

【００３７】例えば、カウンタ１４−２の出力が選択さ
れているとすると、データ比較回路１８のデータ生成回
路１５からの入力は、ライト信号ｓ１４Ｗに同期して、
０，１，２，３，…，２５５，０…となり、不揮発性半
導体メモリ１９が正常であれば、シーケンサ１４からの
入力は、ライト信号ｓ１４Ｗに同期して、０，１，２，
…，２５５，０，…となるので、比較するタイミングを
シーケンサにより制御してライト信号ｓ１４Ｗに同期し
た信号で前記のデータを比較することにより、不揮発性
半導体メモリ１９の正常・異常が判定できる。また、他
のデータレジスタ１２−１、メモリアドレスレジスタ１
２−２が選択される場合も、１セクタの間は、マイクロ
コントローラ１２からの設定される値は保持されるの
で、不揮発性半導体メモリ１９の正常・異常が判定でき
る。異常があった場合は、マイクロコントローラ１２
は、ホストインタフェース１１を介して、ホストに通知
する。１セクタの試験データ分のライト信号を出力する
と、シーケンサ１４は、マイクロコントローラ２２に通
知する。マイクロコントローラ２２は、次の１セクタの
試験データの照合をするべく上述したと同様にして制御
する。この動作を全ての不揮発性半導体メモリ１９もし
くは指定された範囲の半導体メモリへ書き込みが行われ
た回数実行する。

【００３８】（ｂ） 通常動作の場合 通常動作の場合は、マイクロコントローラ２２は、バス
セレクタ２５の選択信号ｓ２２ｈをデータバスＤＢＣを
選択するよう指示し、セレクタ２６の出力先をバッファ
メモリ１３にするように指示する選択信号ｓ２２ｉ、セ
レクタ２７の出力先をバッファメモリ１３にするように
指示する選択信号ｓ２２ｊを生成して、出力する。以降
は第１の実施形態の通常動作の場合と同様に動作する。
以上説明したように、本第２の実施形態によれば、試験
用のデータを生成するデータ生成回路１５とデータ生成
回路１５の出力を直接不揮発性半導体メモリ１９に書き
込むように構成したので、不揮発性半導体メモリ１９へ
書き込むデータをホストから転送する必要がなく、更に
バッファメモリ１３へデータを格納する必要がない。ま
た、不揮発性半導体メモリ１９から読み出し中にデータ
を比較するデータ比較回路１８を設けたので、不揮発性
半導体メモリ１９から読み出されたデータをホストへ転
送する必要がなく、更にバッファメモリ１３へデータを
格納する必要がない。従って、ホストとの転送時間分が
短縮され、転送時の外部からノイズによるデータ化の恐
れがなくなり、更にバッファメモリ１３へのデータを格
納する時間分が短縮され、不揮発性半導体メモリ１９の
試験を高速かつ正確にできるという利点がある。

【００３９】なお、本発明は、上記実施形態に限定され
ず種々の変形が可能である。その変形例としては、例え
ば次のようなものがある。 （１） 第１の実施形態ではデータ生成回路１５と書き
込み回路１６と読み出し回路１７とデータ比較回路１８
とを設けたが、データ生成回路１５と書き込み回路１６
あるいは読み出し回路１７とデータ比較回路１８のいず
れかのみ追加することも可能である。この場合、不揮発
性半導体メモリ１９から読み出されバッファメモリ１３
に格納されたデータと試験データを生成してそのデータ
との比較、あるいか試験データを生成してバッファメモ
リ１３に格納は、マイクロコントローラ１２が実行する
ようにする。第１の実施形態のように比較する専用回路
を設ける場合に比べて、実行速度は劣るが、読み出し回
路１７とデータ比較回路１８の分だけ不揮発性半導体デ
ィスク装置のハードウェア規模を小さくすることができ
る。 （２） 第１と第２の実施形態を組み合わせることも可
能である。つまり、データ生成回路１５で生成した試験
データを不揮発性半導体１９に書き込むまでの構成は、
第１または第２の実施形態の同じ構成にし、不揮発性半
導体メモリ１９から読み出して、データ比較手段１９で
比較する構成は、第２または第１の実施形態と同じ構成
にする。

【００４０】（３） 本実施形態では、ホストに１個の
不揮発性半導体ディスク装置が接続される構成について
説明したが、従来と異なり１台のホストに複数台の不揮
発性半導体ディスク装置の接続して、同時に試験するこ
とが可能となる。このときは、ホストから不揮発性半導
体ディスク装置に対して、それぞれ試験用のコマンドを
出せば良い。この場合、各不揮発性半導体ディスク装置
は、それぞれ独立して、不揮発性半導体メモリの試験を
行うことになる。 （４） データ生成回路１５は、固定値、カウンタ値、
アドレス値の３種類のデヘタを生成する場合を説明した
が、他のデータ（例えば、ＰＮ符号）を発生するように
してもよい。

【００４１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、第１〜第８
の発明によれば、半導体ディスク装置内で半導体記憶装
置の試験をできるようにしたので、半導体記憶装置の試
験が早く終わらせることができる。また、ホストへデー
タ転送の際のノイズにより試験に誤りが生じる恐れがあ
ったが、それがなくなり試験の信頼性が向上する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態の不揮発性半導体ディ
スク装置の構成図である。

【図２】従来の不揮発性半導体ディスク装置の構成図で
ある。

【図３】図１のタイムチャートである。

【図４】本発明の第２の実施形態の不揮発性半導体ディ
スク装置の構成図である。

【図５】図４のタイムチャートである。

【符号の説明】

１１ ホストインタェ
ース １２，２２ マイクロコント
ローラ １３ バッファメモリ １４ シーケンサ １５ データ生成回路 １６ データ書き込み
回路 １７ データ読み出し
回路 １８ データ比較回路 １９ 不揮発性半導体
メモリ ２１，２２，２６，２７ セレクタ ２５ バスセレクタ

Claims (8)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ホストコンピータに接続されて使用さ
   れ、該ホストコンピュータからのコマンドに従って、半
   導体記憶装置にデータの書き込み及び該半導体記憶装置
   からデータの読み出しをする半導体ディスク装置におい
   て、 前記ホストコンピュータからの試験を指示するコマンド
   を受信して、前記半導体記憶装置へのデータの書き込み
   及び前記半導体記憶装置からのデータ読み出しを制御す
   る制御手段と、 ライト信号に基づいてデータを書き込み、リード信号に
   基づいて書き込んだデータを読み出すバッファメモリ
   と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記半導体記憶
   装置へ書き込むための試験用のデータと前記半導体記憶
   装置へ書き込んだ前記試験用のデータを照合するための
   照合用のデータを生成するデータ生成手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記データ生成
   手段で生成した試験用のデータを前記バッファメモリに
   書き込むための前記ライト信号を生成するデータ書き込
   み手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記リード信号
   を生成して前記バッファメモリに書き込まれた試験用の
   データを読み出して、前記半導体記憶装置に書き込み、
   前記半導体記憶装置に書き込まれた該試験用のデータを
   読み出して、前記ライト信号を生成して該ライト信号に
   基づいて前記読み出したデータを前記バッファメモリに
   出力するシーケンサと、 前記制御手段によって動作が制御され、前記バッファメ
   モリに書き込まれたデータを読み出すための前記リード
   信号を生成するデータ読み出し手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記バッファメ
   モリより出力されるデータと前記データ生成手段により
   出力される照合用のデータとの照合をして照合結果を出
   力するデータ比較手段とを、 備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。
2. 【請求項２】 前記データ生成手段は、 前記制御手段の制御によって、前記データ書き込み手段
   が生成する前記ライト信号もしくは前記データ読み出し
   手段が生成する前記リード信号のいずれかを選択する選
   択手段と、 前記選択手段の出力信号に基づいて動作するカウンタと
   を、 備えたことを特徴とする請求項１記載の半導体ディスク
   装置。
3. 【請求項３】 ホストコンピータに接続されて使用さ
   れ、該ホストコンピュータからのコマンドに従って、半
   導体記憶装置にデータの書き込み及び該半導体記憶装置
   からデータの読み出しをする半導体ディスク装置におい
   て、 前記ホストコンピュータからの試験を指示するコマンド
   を受信して、前記半導体記憶装置へのデータの書き込み
   及び前記半導体記憶装置からのデータ読み出しを制御す
   る制御手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記半導体記憶
   装置へ書き込むための試験用のデータと前記半導体記憶
   装置へ書き込んだ前記試験用のデータとを照合するため
   の照合用のデータを生成するデータ生成手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、リード信号を生
   成して該リード信号に基づいて前記データ生成手段で生
   成した試験用のデータを入力して、前記半導体記憶装置
   に書き込み、前記半導体記憶装置に書き込まれた該試験
   用のデータを読み出して、ライト信号を生成して該ライ
   ト信号に基づいて読み出したデータを出力するシーケン
   サと、 前記制御手段又は前記シーケンサによって動作が制御さ
   れ、前記シーケンサにより出力されるデータと前記デー
   タ生成手段により出力される照合用のデータとを照合し
   て照合結果を出力するデータ比較手段とを、 備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。
4. 【請求項４】 前記データ生成手段は、前記制御手段の
   制御によって、前記リード信号もしくは前記ライト信号
   のいずれかを選択する選択手段と、 前記選択手段の出力信号に基づいて動作するカウンタと
   を、 備えたことを特徴とする請求項３記載の半導体ディスク
   装置。
5. 【請求項５】 ホストコンピータに接続されて使用さ
   れ、該ホストコンピュータからのコマンドに従って、半
   導体記憶装置にデータの書き込み及び該半導体記憶装置
   からデータの読み出しをする半導体ディスク装置におい
   て、 前記ホストコンピュータからの試験を指示するコマンド
   を受信して、前記半導体記憶装置へのデータの書き込み
   及び前記半導体記憶装置からのデータ読み出しを制御す
   る制御手段と、 ライト信号に基づいてデータを書き込み、リード信号に
   基づいて書き込んだデータを読み出すバッファメモリ
   と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記半導体記憶
   装置へ書き込むための試験用のデータと前記半導体記憶
   装置へ書き込んだ前記試験用のデータとを照合するため
   の照合用のデータを生成するデータ生成手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記データ生成
   手段で生成した試験用のデータを前記バッファメモリに
   書き込むための前記ライト信号を生成するデータ書き込
   み手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記リード信号
   を生成して前記バッファメモリに書き込まれた試験用の
   データを読み出して、前記半導体記憶装置に書き込み、
   前記半導体記憶装置に書き込まれた該試験用のデータを
   読み出して、ライト信号を生成して該ライト信号に基づ
   いて読み出したデータを出力するシーケンサと、 前記制御手段又は前記シーケンサによって動作が制御さ
   れ、前記シーケンサにより出力されるデータと前記デー
   タ生成手段により出力される前記照合用のデータとを照
   合して照合結果を出力するデータ比較手段とを、 備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。
6. 【請求項６】 ホストコンピータに接続されて使用さ
   れ、該ホストコンピュータからのコマンドに従って、半
   導体記憶装置にデータの書き込み及び該半導体記憶装置
   からデータの読み出しをする半導体ディスク装置におい
   て、 前記ホストコンピュータからの試験を指示するコマンド
   を受信して、前記半導体記憶装置へのデータの書き込み
   及び前記半導体記憶装置からのデータ読み出しを制御す
   る制御手段と、 ライト信号に基づいてデータを書き込み、リード信号に
   基づいて書き込んだデータを読み出すバッファメモリ
   と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記半導体記憶
   装置へ書き込むための試験用のデータと前記半導体記憶
   装置へ書き込んだ前記試験用のデータとを照合するため
   の照合用のデータを生成するデータ生成手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、入力制御信号を
   生成して該入力制御信号に基づいて前記データ生成手段
   で生成した試験用のデータを入力して、前記半導体記憶
   装置に書き込み、前記半導体記憶装置に書き込まれた該
   試験用のデータを読み出して、前記ライト信号を生成し
   て前記バッファメモリに書き込むシーケンサと、 前記制御手段によって動作が制御され、前記バッファメ
   モリに書き込まれたデータを読み出すための前記リード
   信号を生成するデータ読み出し手段と、 前記制御手段によって動作が制御され、前記バッファメ
   モリより出力されるデータと前記データ生成手段により
   出力される前記照合用のデータとを照合して照合結果を
   出力するデータ比較手段とを、 備えたことを特徴とする半導体ディスク装置。
7. 【請求項７】 前記制御手段及び前記データ生成手段を
   マイクロコントローラで構成したことを特徴とする請求
   項１、２、３、４、５又は６記載の半導体ディスク装
   置。
8. 【請求項８】 前記制御手段及び前記比較手段をマイク
   ロコントローラで構成したことを特徴とする請求項１、
   ２、３、４、５又は６記載の半導体ディスク装置。