JPH09237753A

JPH09237753A - 投影露光装置

Info

Publication number: JPH09237753A
Application number: JP8044469A
Authority: JP
Inventors: Naomasa Shiraishi; 直正白石
Original assignee: Nikon Corp
Current assignee: Nikon Corp
Priority date: 1996-03-01
Filing date: 1996-03-01
Publication date: 1997-09-09

Abstract

(57)【要約】【課題】より短波長の露光光のもとで、投影光学系を
用いても高精度にＴＴＲ方式のアライメントができる投
影露光装置を提供する。【解決手段】投影光学系ＰＬを第１の光学系９と第２
の光学系１０とで構成する。アライメント光学系２２か
ら発したアライメント用の光束に対する投影光学系ＰＬ
による軸上色収差補正する色収差補正部材２１を露光光
が形成する中間像１９の近傍で、且つ結像光束の光路外
に設ける。色収差補正部材２１で色収差補正されたアラ
イメント光束を用いて、レチクル７上のアライメントマ
ークＲＭとウエハ１１上のアライメントマークＷＭの位
置関係を検出するアライメント光学系２２を設ける。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、例えば半導体素
子、液晶表示素子、撮像素子（ＣＣＤ等）又は薄膜磁気
ヘッド等を製造をするためのフォトリソグラフィ工程で
マスク上のパターンを感光性基板上に露光するために使
用される投影露光装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】例えば半導体素子、液晶表示素子、撮像
素子（ＣＣＤ等）、又は薄膜磁気ヘッド等を製造するた
めのフォトリソグラフィ工程では、マスクとしてのレチ
クルに形成された転写用のパターンの像を、投影光学系
により、フォトレジストが塗布されたウエハ（又はガラ
スプレート等）上に転写する投影露光装置（例えば、ス
テッパー等）が使用されている。

【０００３】最近では、投影光学系の負担を重くするこ
となく、転写用パターンの大面積化するために、レチク
ル及びウエハを投影光学系に対して走査して露光を行
う。ステップ・アンド・スキャン方式の走査露光型の投
影光学系も使用されつつある。投影露光装置は、例えば
エキシマレーザー（波長２４８ｎｍ又は１９３ｎｍ）等
の光源で発した露光光が、整形レンズ、照明視野絞り
（レチクルブラインド）、コンデンサレンズ、ミラー等
を経て、レチクルステージに保持されたレチクルに照射
される。レチクルを通過した露光光は、露光光に対して
最適に収差補正された投影光学系を経て、ウエハ上にレ
チクルパターンを転写露光する。

【０００４】このような投影露光装置においては、露光
に先立ってレチクルとウエハとの位置合わせ（アライメ
ント）を高精度に行う必要がある。このアライメントを
行うために、ウエハ上には以前の工程で形成された位置
検出マークとしてのアライメントマークが形成されてお
り、このアライメントマークの位置を検出することで、
ウエハ（より正確には、ウエハ上の回路パターン）の正
確な位置を検出することができる。

【０００５】このようなアライメントの方式は、その構
成上、以下の３種に大別される。一つは、投影光学系と
は全く別のアライメント顕微鏡等のアライメントセンサ
ーを備え、このセンサーによってアライメントマークを
位置検出するタイプ（以下、「別付センサー方式」）で
ある。一般に、アライメント用のアライメント波長は、
露光すべきウエハ上のフォトレジストの感光を防ぐため
に、フォトレジストに対して非感光な波長域（波長５５
０ｎｍ以上）が使用される。別付センサー方式では、ア
ライメントセンサーに対してアライメント波長に最適な
光学系を使用できるため、後述する色収差の問題のない
検出系が実現できる。しかしながら、アライメントセン
サーは投影光学系とは全く別系統であるため、例えば、
投影露光装置本体の温度変化による熱膨張等により、投
影光学系とアライメントセンサーとの位置関係が変動し
てしまうことにより、アライメントの結果に誤差が生じ
てしまう恐れがある。

【０００６】残る２種は、投影光学系そのものをアライ
メントセンサーの光学系の一部としても使用するタイプ
である。これはＴＴＬ(Through The Lens)方式のアライ
メントとＴＴＲ(Through The Reticle）方式のアライメ
ントとに分類される。ＴＴＬ方式のアライメントは、ア
ライメント波長の光束の光路が投影光学系を使用するも
ののレチクルは介さず検出を行うため、その結像光束は
折り曲げミラー等で結像光路外へ導かれる。

【０００７】また、ＴＴＲ方式と呼ばれているアライメ
ントでは、レチクル上とウエハ上とのそれぞれのアライ
メントマークを光学的に重ね合わせて（結像させて）直
接的に検出を行うため、アライメント波長の光束の光路
はレチクルを介したものとなる。このように、投影光学
系そのものをアライメントセンサーとしての光学系の一
部としても使用するＴＴＬ方式及びＴＴＲ方式のアライ
メントでは、露光光（紫外線）に対して最適に設計され
た投影光学系を用いて検出を行うため、アライメント波
長における投影光学系の色収差が問題となる。そこで、
投影光学系内にアライメント波長の光束用の色収差補正
部材を加えたり、折り曲げミラー等で転写用パターンの
結像光路外へ導かれた光束に色収差補正をかける等の色
収差補正が行われている。ただし、投影光学系そのもの
をアライメントセンサーの光学系の一部として使用する
ため、前述の熱膨張等による悪影響が極めて少なく、高
精度且つ安定性のよいアライメントを実現することがで
きる。

【０００８】ところで、別付センサー方式やＴＴＬ方式
のアライメントでは、事前にレチクル上のアライメント
マークの投影像（露光波長での）の位置と、アライメン
トセンサーの検出中心との位置関係（ベースライン量）
を計測（ベースラインチェック）しておく必要があり、
この計測に伴う誤差もアライメント誤差となってしま
う。また、別付センサー方式のアライメントはもちろん
のこと、ＴＴＬ方式のアライメントであってもベースラ
インチェック後に熱膨張等で計測値が変動する恐れがあ
る。

【０００９】これに対し、ＴＴＲ方式のアライメント
は、レチクル上のアライメントマークに対して直接的に
ウエハ上のアライメントマークを検出するため、アライ
メントに付随する様々な誤差要因の影響を受けにくく、
最も高精度なアライメント方式といえる。

【００１０】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、ＴＴＲ
方式のアライメントは、投影光学系の収差補正が紫外線
である露光波長についてされているため、波長５５０ｎ
ｍ以上のアライメント光束でアライメントを行う場合、
色収差補正部材が不可欠という不都合がある。従来の色
収差補正部材は、アライメント光束の収差補正に作用す
るだけでなく、露光光束の収差を悪化させてしまうもの
でもあった。更に、半導体集積回路パターンの微細化に
伴って露光波長が短波長化した結果、アライメント検出
光束との波長差がより進行し、色収差補正がより困難に
なっている。

【００１１】本発明は斬かる点に鑑み、より短波長の露
光光のもとで投影光学系を用いてもＴＴＲ方式のアライ
メントが可能となる投影露光装置、即ちより解像度が高
く且つアライメント精度の高い投影露光装置を提供する
ことを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明による投影露光装
置は、露光用の第１の波長の照明光（ＩＬ）のもとで、
マスク（７）上の転写用パターンの投影光学系（ＰＬ）
を介した像で感光基板（１１）を露光する投影露光装置
において、その投影光学系（ＰＬ）は、その転写用パタ
ーンの中間像（１９）を形成する光学系であり、その中
間像（１９）が形成される位置の近傍で、且つその第１
の波長の結像光束の光路外に配置され、その第１の波長
とは異なる第２の波長に対してその投影光学系（ＰＬ）
で発生する色収差の少なくとも一部を補正する収差補正
部材（２１）と、その第２の波長、又はその近傍の波長
の光束を用いて、その投影光学系及びその収差補正部材
（２１）を介してそのマスク（７）上の所定のパターン
（ＲＭ）とその感光基板（１１）上の所定のパターン
（ＷＭ）との位置関係を検出する位置検出系（２２）
と、が設けられたものである。

【００１３】斯かる本発明によれば、中間像（１９）が
形成される位置では、第１の波長の光束の広がりが小さ
く、従って収差補正部材（２１）を第１の波長の光路外
に設置しやすいので、その露光用の第１の波長が短くな
っても、その波長の光束の収差状態に悪影響を与えるこ
とが少なく、その第２の波長の収差を補正することが出
来る。

【００１４】また、その第２の波長、又は近傍の波長を
用いて、そのマスク（７）上の所定のパターン（ＲＭ）
とその感光基板上の所定のパターン（ＷＭ）にとの位置
関係の検出を行う位置検出系（２２）を設けることによ
り、精度の極めて高いＴＴＲ方式のアライメントを実現
できる。この場合、この収差補正部材（２１）によって
補正される収差の一例は、軸上色収差である。これによ
って、第２の波長の光束のもとでも、マスク（７）と感
光基板（１１）が共役となり、ＴＴＲ方式の位置検出が
容易となる。

【００１５】次に、この収差補正部材（２１）の一例
は、レンズ、又はプリズムを使用したものである。ま
た、この投影露光系（ＰＬ）の一例は、このマスク
（７）の転写用パターンの一部の像をこの感光基板（１
１）上に投影するものであり、この場合、このマスク
（７）及びこの感光基板（１１）をこの投影光学系（Ｐ
Ｌ）に対して同期して走査することによってこのマスク
（７）上の転写用パターンがこの感光基板（１１）上に
逐次転写される。これは、この投影露光装置が走査露光
型であることを意味している。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明による投影露光装置
の実施の形態の一例につき図１〜図３を参照して説明す
る。図１は本例の投影露光装置を表す概略図であり、こ
の図１において、エキシマレーザ（波長２４８ｎｍ又は
１９３ｎｍ）等の光源、及びフライアイレンズ等よりな
る露光光源系１で発した第１の波長（露光波長）の照明
光ＩＬは、整形レンズ２、照明視野絞り（レチクルブラ
インド）３、第１のコンデンサレンズ４、ミラー５、及
び第２のコンデンサレンズ６を経てレチクル７に照射さ
れる。レチクル７を透過、回折した露光光束ＥＬは、投
影光学系ＰＬの前段の第１の光学系９に入射し、その結
像作用により、レチクル７の中間像（中空像）１９を形
成する。その後、露光光束ＥＬは、再び投影光学系ＰＬ
の後段の第２の光学系１０に入射し、最終的に被露光物
としてのウエハ１１上にのショット領域にレチクル７の
転写像を形成する。そのショット領域には、位置合わせ
用のアライメントマークＷＭが付設されている。

【００１７】なお、レチクル７はレチクルステージ８に
より、投影光学系ＰＬの「物体面」に保持されており、
ウエハ１１は試料台１４により、投影光学系ＰＬの「像
面」に保持されている。そして当然ながら投影光学系Ｐ
Ｌは、第１の波長（露光波長）に対して最適となるよう
に収差補正が成されている。以下、投影光学系ＰＬの光
軸ＡＸに平行にＺ軸を取り、Ｚ軸に垂直な平面上で図１
の紙面に平行にＸ軸、図１の紙面に垂直にＹ軸を取って
説明する。

【００１８】第１の波長の露光光束ＥＬの形成する中間
像１９の近傍には、第１の波長とは異なる第２の波長の
アライメント光束ＡＬに対して、投影光学系ＰＬの収差
の少なくとも一部を補正するような凸レンズよりなる補
正光学系２１が設けられている。この第２の波長とし
て、一般にアライメント光束ＡＬに使用されている波長
６００ｎｍ付近の光束を想定すると、第１の波長より長
い第２の波長に対しては、投影光学系ＰＬ内の屈折部材
（レンズ）の屈折率が低下するために屈折力が弱まるこ
ととなる。

【００１９】従って、この補正光学系２１がなければ、
第２の波長のアライメント光束ＡＬが形成するレチクル
７の中間像は、第１の波長の光束ＥＬが形成するレチク
ル７の中間像１９の位置に比べ、Ｚ軸の下方にずれるこ
ととなる（第１の光学系９の軸上色収差による）。更
に、第２の光学系１０についても軸上色収差が発生する
ので、第２の波長によるレチクル７の投影像もＺ軸の下
方にずれることとなる。勿論このような関係では、レチ
クル７上のアライメントマークＲＭとウエハ１１上のア
ライメントマークＷＭとの両者を結像させて、同時に計
測するようなことはできない。

【００２０】しかし、本例では凸レンズ系より成る収差
補正部材２１の効果により、第２の波長のアライメント
光束ＡＬを屈折集光し、そのアライメント光束の形成す
る中間像を露光光束ＥＬが形成する中間像１９と光軸方
向にほぼ等しい位置に形成させ、更にはウエハ１１の表
面上にレチクル７上のアライメントマークＲＭの第２の
波長による投影像を形成させることができる。勿論、逆
にレチクル７のパターン面上に、ウエハ１１上にアライ
メントマークＷＭの像を形成させることも可能である。

【００２１】そして、投影光学系ＰＬ、補正光学系２１
により結像関係となるレチクル側の位置の上方に、ミラ
ー２０、及びＴＴＲ方式のアライメント光学系２２を設
けることにより、第２の波長を用いたＴＴＲ方式のアラ
イメントが可能となる。なお、図１では収差補正部材２
１は、２枚の凸レンズより成るとしたが、勿論１枚のレ
ンズ又は３枚以上のレンズより成るものであってもよ
く、また、１個、又は複数のプリズムによる屈折作用を
併用したものであってもよい。更には、回折格子状のバ
イナリーオプティカル部材を前記プリズムと同様に使用
することもできる。

【００２２】次に、試料台１４は、ウエハステージ１５
上に載置され、且つモーター等の駆動系１６により、Ｚ
方向への移動、及び傾斜が可能となっている。ウエハス
テージ１５は、Ｘ方向、Ｙ方向にウエハ１１をステッピ
ング移動して位置決めを行う。レチクルステージ８もＸ
方向、Ｙ方向、及び回転方向にレチクル８の微動位置決
めを行うように構成されている。試料台１４上には、干
渉計ミラー１３が設けられ、レーザ干渉計１７によりそ
の位置が計測される。計測結果は主制御系１８に供給さ
れ、主制御系１８はその結果に基づいて、駆動系１６の
動作を制御する。

【００２３】また、試料台１４上には基準マーク１２も
設けられており、これを用いてＴＴＲ方式のアライメン
ト光学系２２のベースラインチェックを行うこともでき
る。なお、本例の投影露光装置によるアライメント及び
ベースラインチェックのシーケンスは、従来の投影露光
装置でのものと同様であるので説明は省略する。また、
本例の投影露光装置では計測再現性に優れたＴＴＲ方式
のアライメント光学系を採用しているので、ベースライ
ンチェックについては省略することもできる。

【００２４】また、図１に示した実施の形態において
は、レチクルステージ８を露光中に固定型としたが、レ
チクルステージ８を例えばＸ方向に走査できる構成と
し、ウエハ１１への露光を行う際にレチクルステージ８
とウエハステージ１５とを同期して走査する、所謂ステ
ップ・アンド・スキャン型の投影露光装置とすることも
可能である。この場合、アライメントマークＲＭとアラ
イメントマークＷＭとのアライメントは、レチクルステ
ージ８を移動してアライメントマークＲＭをＴＴＲ方式
のアライメント光学系２２、及びミラー２０の直下に移
動して行うことになる。

【００２５】図２（Ａ）に本例に好適なＴＴＲ方式のア
ライメント光学系２２の構成例を示す。図２（Ａ）中の
レーザ光源（Ｈｅ−Ｎｅレーザ、半導体レーザ等）２３
を射出したアライメント光束ＡＬｉは、音響光学素子Ａ
ＯＤにより周期的に偏向され、シリンドリカルレンズ２
４、ミラー２５を経て偏光ビームスプリッター２６に入
射する。このとき検出光束ＡＬｉは偏光ビームスプリッ
ター２６に対してＳ偏光となっており、ほぼ１００％反
射してアライメント光束ＡＬとなる。この後、アライメ
ント光束ＡＬは、図１中のミラー２０により折り曲げら
れ、レチクル７上のアライメントマークＲＭの近傍に照
射される。なお、偏光ビームスプリッター２６の射出後
に設けられた１／４波長板２７の作用により、レチクル
７へ照射されるアライメント光束は円偏光となると共
に、更に戻り光ＡＬｄは偏光ビームスプリッター２６に
対してＰ偏光となり、これをほぼ１００％透過してフォ
トダイオード等の光電検出器２８に入射する。

【００２６】図２（Ｂ）に、レチクル７上のアライメン
トマークＲＭと、ウエハ１１上のアライメントマークＷ
Ｍ（正確にはそのレチクル７への投影像）との位置関係
を示す。アライメント光束ＡＬはアライメントマークＲ
Ｍ近傍で、シリンドリカルレンズ２４の作用によりシー
ト状ビームＬＢとになり、ＡＯＤの作用により図２
（Ｂ）のＸ方向に走査する。従って、シート状ビームＬ
Ｂは、アライメントマークＲＭ、アライメントマークＷ
Ｍ、再びアライメントマークＲＭ上を順次走査すること
なり、戻り光ＡＬｄを光電検出器２８で受光することに
より、その光量変化に基づいて両マークの位置関係を計
測することができる。即ち、光電検出器２８からの光量
信号は、図１中の主制御系１８に入力され、主制御系１
８内で光量信号の解析及び位置関係の計測が行われる。

【００２７】以上のＴＴＲ方式のアライメント光学系２
２の構成例においては、説明を容易にするために、アラ
イメント光学系２２が検出する位置関係は１次元方向の
みとしたが、実際の投影露光装置では１方向のみでなく
２方向の（２次元）の位置計測が必要であるので、上記
のＴＴＲ方式のアライメント光学系２２を複数個（ＸＹ
各方向用）装備するか、あるいは、ＴＴＲ方式のアライ
メント光学系２２自体を、２次元計測可能なものとする
ことは勿論である。そしてＴＴＲ方式のアライメント光
学系２２を複数個装備し、且つそれらの位置が離れる場
合には、図１の色収差補正光学系２１も複数個設ける必
要がある。

【００２８】更に、図３には結像式画像センサーを採用
するＴＴＲ方式のアライメント光学系２２の別の構成例
を示す。図３において、光源２９にはハロゲンランプ等
のブロードバンド光源を使用し、ブロードバンド光束を
第１コンデンサーレンズ３０、及び第２コンデンサーレ
ンズ３２を介して、ビームスプリッター３３に入射させ
る。ただし、投影光学系ＰＬ、及び補正光学系２１によ
るアライメント波長域の光束に対する色収差補正が、第
２の波長以外の波長の光束については良好でない場合に
は、波長選択フィルター３１により、アライメント光束
の波長域を第２の波長付近に制限する。

【００２９】ビームスプリッター３３で反射した光束は
リレーレンズ３４を経て、図１中のミラー２０により折
り曲げられ、レチクル７上のアライメントマークＲＭの
近傍に照射される。そしてその戻り光はビームスプリッ
ター３３を透過して、結像レンズ３５の作用により、Ｃ
ＣＤ等の撮像素子３６上にアライメントマークＲＭ、及
びアライメントマークＷＭの像を形成する。

【００３０】撮像素子３６から出力される画像信号（像
強度）は、図１の主制御系１８に伝達され、その信号に
基づいて両マークの位置関係の計測が行われる。なお、
第２の構成例で使用する各マークについても図２（Ｂ）
に示したものと同様のものでよい。ただし、主制御系１
８内の画像処理系の処理能力によっては、各種の形状の
マークについても検出することが可能である。

【００３１】なお、以上の実施の形態においては、補正
光学系２１によりレチクル７とウエハ１１との間での第
２の波長での軸上色収差を補正するものとしたが、補正
光学系２１の構成によっては、軸上色収差のみでなく、
倍率方向の色収差をも補正することが可能である。ある
いは、軸上色収差を完全には補正できなくとも、ある程
度の補正が可能であれば、同様のＴＴＲ方式のアライメ
ントを実現することはできる。この場合には、第１の波
長でのレチクルパターン像位置（ベストフォーカス面）
と、第２の波長でのレチクルパターン像位置とが異なる
ことになるが、その差が数μｍ程度以内であれば、露光
時とアライメント時とでウエハ１１の位置を補正する
（試料台１４を上下する）ことにより、上記の像位置差
の問題を解決することができる。

【００３２】また、本例の投影露光装置に搭載する投影
光学系ＰＬの全てが屈折部材（レンズ）より成るもので
あっても、レンズと反射鏡とから成るものであってもよ
い。レチクル７とウエハ１１との間の投影倍率も任意の
値でよく、勿論レチクル１１と中間像１９との結像倍
率、及び中間像１９とウエハ１１との投影倍率も任意の
値でよい。投影光学系ＰＬは、レチクル７とウエハ１１
との間で収差が良好に補正されていればよく、レチクル
７と空間像１９の間、あるいは中間像１９とウエハ１１
の間において、個々に収差が残存していても問題とはな
らない。

【００３３】また、中間像１９の形成される場所は、投
影光学系ＰＬの中間でなくてもよく、レンズ等のガラス
中や反射鏡の鏡面上であっても構わない。更に、中間像
１９の位置が反射鏡の鏡面上である場合には、その近傍
に設ける補正光学系２１もまた反射鏡を含むものであっ
てもよい。なお、本発明は上述実施の形態に限定され
ず、本発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の構成を取り
得ることは勿論である。

【００３４】

【発明の効果】本発明によれば、露光用の第１の波長と
は異なる第２の波長を位置検出用に使用する際に、色収
差補正部材を露光波長が中間像を結像する位置の近傍で
結像光路外と異なるところに設けることにより、露光光
の波長が短くなった場合でも、露光光束の収差補正に影
響を与えることなく位置検出用の光束の収差を補正で
き、良好なＴＴＲ方式のアライメントが可能となる利点
がある。

【００３５】また、収差補正部材によって補正される収
差が軸上色収差である場合には、マスクと感光基板との
位置関係が共役となり、第２の波長を使用したＴＴＲ方
式のアライメントを行う際にマスク上のパターンと感光
基板上のパターンとの位置検出が容易となる。また、色
収差補正部材が、単体、若しくは複数のレンズ、前記レ
ンズとプリズムとの併用、又は前記レンズと回析格子状
部材との併用である場合には、構成が簡単である。

【００３６】また、投影光学系が、マスク上の転写用パ
ターンの一部の像を感光基板上に投影し、マスク及びそ
の感光基板をその投影光学系に対して同期走査すること
によって、そのマスク上の転写パターンがその感光基板
上に逐次転写される場合には、その投影露光装置が走査
露光方式であることを意味する。走査露光方式では、第
１の波長の露光光が中間像を結像する領域が、走査方向
に縮小され、色収差補正部材の配置許容範囲が拡大する
という利点がある。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による投影露光装置の実施の形態の一例
を示す概略構成図である。

【図２】（Ａ）は、図１のＴＴＲ方式のアライメント光
学系２２の構成例を示す概略拡大図、（Ｂ）は、ウエハ
上のアライメントマークとウエハ上のアライメントマー
クとの位置関係を示す拡大平面図である。

【図３】図１のＴＴＲ方式のアライメント光学系２２の
別の構成例を示す拡大図である。

【符号の説明】

１露光光源系４、６コンデンサレンズＰＬ投影光学系７レチクル９第１の光学系１０第２の光学系１１ウエハ１９中間像２１補正光学系２２アライメント光学系ＲＭアライメントマークＷＭアライメントマーク

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】露光用の第１の波長の照明光のもとで、
マスク上の転写用パターンの投影光学系を介した像で感
光基板を露光する投影露光装置において、前記投影光学系は、前記転写用パターンの中間像を形成
する光学系であり、前記中間像が形成される位置の近傍で、且つ前記第１の
波長の結像光束の光路外に配置され、前記第１の波長と
は異なる第２の波長に対して前記投影光学系で発生する
色収差の少なくとも一部を補正する収差補正部材と、前記第２の波長、又はその近傍の波長の光束を用いて、
前記投影光学系及び前記収差補正部材を介して前記マス
ク上の所定のパターンと前記感光基板上の所定のパター
ンとの位置関係を検出する位置検出系と、が設けられた
ことを特徴とする投影露光装置。
【請求項２】請求項１記載の投影露光装置であって、前記収差補正部材によって補正される収差は軸上色収差
であることを特徴とする投影露光装置。
【請求項３】請求項１、又は２記載の投影露光装置で
あって、前記収差補正部材はレンズ、又はプリズムであることを
特徴とする投影露光装置。
【請求項４】請求項１、２、又は３記載の投影露光装
置であって、前記投影露光系は、前記マスク上の転写用パターンの一
部の像を前記感光基板上に投影し、前記マスク及び前記
感光基板を前記投影光学系に対して同期して走査するこ
とによって前記マスク上の転写用パターンが前記感光基
板上に逐次転写されることを特徴とする投影露光装置。