JPH09238919A

JPH09238919A - 磁気共鳴イメージング装置

Info

Publication number: JPH09238919A
Application number: JP8054727A
Authority: JP
Inventors: Kazuo Mori; 一生森
Original assignee: Toshiba Corp
Current assignee: Toshiba Corp
Priority date: 1996-03-12
Filing date: 1996-03-12
Publication date: 1997-09-16

Abstract

(57)【要約】【課題】傾斜磁場コイルとＲＦコイルとの間で高周波磁
場を適切にシールドすることが可能な磁気共鳴イメージ
ング装置を提供することを目的とする。【解決手段】傾斜磁場コイル２とＲＦコイル３との間で
高周波磁場をシールドするために、軟鉄からなるＲＦシ
ールド４０が設けられている。該シールド４０は、その
厚さがスキンデプスよりも大であり、該スキンデプスの
１０倍を超えないように構成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴イメージ
ング装置（以下、ＭＲＩ装置と略称することがある）に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のＭＲＩ装置では、傾斜磁
場コイルとＲＦコイルとの間で高周波磁場をシールドす
るいわゆるＲＦシールドが設けられるのが一般的であ
る。ＲＦシールドは従来技術として既に種々のものが知
られており、その典型的な配置構造としては例えば図８
のようになる。これは、静磁場発生源として超電導磁石
（図示しない）を用いるＭＲＩ装置を想定した図であ
る。この場合、傾斜磁場コイル２は円筒形のアセンブリ
となり、超伝導磁石の内側に配置される。尚、図示して
いないが傾斜磁場コイル２は、多層の巻線と、この巻線
を含浸する樹脂とから構成されている。

【０００３】ＲＦシールド２５は、この傾斜磁場コイル
２の内側に張り付けられ、該ＲＦシールド２５の内側に
は、ＲＦコイル（図示しない）が配置される。ＲＦコイ
ルは、高周波のＲＦ励起磁場を発生してこれを被検体に
向けて送信し、被検体からのＭＲ信号を受信するための
ものである。このようなＲＦコイルには、送信専用のＲ
Ｆコイルと受信専用のＲＦコイルとが別体として構成さ
れたもの、又はこれらが一体として構成されたものがあ
る。

【０００４】ＲＦシールド２５の具体的な構成として
は、図９に示すように、絶縁基材の層３０と、この絶縁
基材の層３０に接着層３１を介して接着され、典型的に
は３５ミクロン程度の厚さを有する銅の層３２とから構
成されている。この銅層３２の厚さは、使用されるＲＦ
励起磁場の周波数において、スキンデプスの数倍となる
ように選定されるのが一般的である。この厚さがあまり
に薄いとＲＦシールドとしての性能を得ることができな
い。

【０００５】図１０は、ＲＦシールド２５の外観を示す
図である。同図に示すように、ＲＦシールド２５は、そ
の構造上、継ぎ目２５１を有している。この継ぎ目２５
１には、図１１に示すように銅箔テープ３５が半田付け
され、これによりＲＦコイルはＲＦシールド２５の外側
に対し完全に隔離されることになる。

【０００６】最も初期の段階では、以上説明したような
ＲＦシールド２５を、図８に示したように傾斜磁場コイ
ル２の内側の周面に張り付けていた。ところで、傾斜磁
場コイル２による傾斜磁場の高速スイッチングに伴い、
ＲＦシールド層に渦電流が流れ、一時的ではあるがこの
渦電流が作る磁場が傾斜磁場を乱してしまうという問題
がある。ＲＦシールド層は良導体であり、また、ある程
度の厚さを有しているので、該シールド層に形成された
渦電流はすぐには減衰しない。このため従来のＲＦシー
ルドは、傾斜磁場を迅速にスイッチングするＭＲＩ撮影
方法には向かないという問題点がある。

【０００７】このような渦電流の問題を回避すべく、図
１２に示すように、円筒状をなすＲＦシールド２６の周
面にスリット３６を有するものが公知である。これによ
れば、傾斜磁場に起因する渦電流は、スリット３６をま
たがって流れることがなく比較的急速に減衰させること
ができる。なお、スリット３６は、ＲＦの励起磁場の周
波数では短絡されるように、図１３（円筒状のＲＦシー
ルド層２６を展開した図）に示すようオーバーラップ構
造としている。こうすれば、絶縁基材を挟んだ銅層がコ
ンデンサを形成するので高周波的に短絡される。あるい
は、図１４に示すように、ディスクリートなコンデンサ
２７を多数、スリットにまたがって配置しても良い。

【０００８】しかしながら、このようなスリットを有す
るＲＦシールドであっても、次のような問題点がある。
いわゆるエコー・プラナー・イメージング、ＥＰＩ(Ech
o Planar Imaging) のような高速イメージング法が、例
えば心臓の撮影などには必要とされているが、これには
極めて迅速な傾斜磁場の応答が不可欠となる。このため
に、細かい刻み（間隔）で多数のスリットを設ける必要
が生じる。しかし多数のスリットを設けると、個々のス
リットにおける高周波的な短絡が不完全となり、シール
ドとして完全に機能しない、すなわち高周波的な磁場の
遮断が不完全になるという問題点がある。発明者らは、
その結果として、シールドの内側に配置されるＲＦコイ
ルに外部ノイズが混入したり、ＲＦパルスがシールドの
外側に放射されたり、また、スリット部分での高周波損
失が顕著となりＲＦコイルの性能が低下するといった問
題を経験している。

【０００９】さらにスリット化を徹底したＲＦシールド
の従来例として、Roemer,P. 、Edelstein,W.らによる米
国特許第４８７９５１５号明細書"Double-Sided RF Shi
eldfor RF Coil Contained within Gradient Coils of
NMR Imaging Device"に記載のものがある。この明細書
に記載のＲＦシールドにおいても、やはり、極めて迅速
な傾斜磁場のスイッチングに応じるため多数の細かい刻
みで多数のスリットを設ける必要があり、スリットにお
ける高周波的な磁場の遮断が不完全となり上述した問題
を解決し得ない。

【００１０】また、前述のようなスリットを具備しない
ＲＦシールド他の従来例として、Frederick,P.、Roeme
r,P. ら著の "An RF Shield Design for NMR High-Spe
ed and Echo Planar Imaging",Proceedings of the SMR
1994,p.1094 に記載のものがある。これは、ある特定
の態様のＲＦコイルにとっては適切なＲＦシールドとな
るような、良導体（例えば銅）のパターンを有するもの
であり、傾斜磁場の渦電流は殆ど流れない。従って傾斜
磁場の高速なスイッチングコントロールに対して良く応
答する。しかしながら、その特定のＲＦコイル以外のＲ
Ｆコイルに対しては、ＲＦシールドとして全く機能しな
いという問題点がある。これにより、特定のＲＦコイル
以外の他のＲＦコイルを用いた場合、そのＲＦコイル
は、外界の雑音を拾ってしまうし、ＲＦシールドの外側
の傾斜磁場コイルのアセンブリもＲＦコイルから隔離さ
れないので、ＲＦコイルの性能低下が生じるという問題
点がある。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に対処すべくなされたものであり、傾斜磁場のスイッチ
ングによる渦電流をＥＰＩなどの高速な撮像方法に対応
できる程度に急速に減衰させ、また、特定の態様のＲＦ
コイルのみにとっては適切なシールドとなるような良導
体のパターンを用いるものでなくどのようなＲＦコイル
にも適用でき、傾斜磁場コイルとＲＦコイルとの間で高
周波磁場を適切にシールドすることが可能な磁気共鳴イ
メージング装置を提供することを目的とする。

【００１２】

【課題を解決するための手段】本発明の磁気共鳴イメー
ジング装置は、傾斜磁場コイルとＲＦコイルとの間に設
けられる強磁性体からなり、高周波磁場をシールドする
シールド手段を具備することを特徴とするものである。

【００１３】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る磁気共鳴イメージング装置の第１の実施形態を説明す
る。図１は第１の実施形態の概略構成を示すブロック図
である。ガントリ２０内には静磁場磁石１、Ｘ軸・Ｙ軸
・Ｚ軸傾斜磁場コイル２、及び送受信コイル（ＲＦコイ
ル）３が設けられている。

【００１４】静磁場発生装置としての静磁場磁石１は、
例えば超電導磁石を用いて構成される。Ｘ軸・Ｙ軸・Ｚ
軸傾斜磁場コイル２は、静磁場磁石１の内側に配置さ
れ、円筒状のアセンブリをなし、Ｘ軸傾斜磁場Ｇｘ、Ｙ
軸傾斜磁場Ｇｙ、Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚを発生するものであ
る。送受信コイル３は、該傾斜磁場コイル２の内側に配
置され、円筒状をなし、スライスを選択するための選択
励起パルスとしての高周波（ＲＦ）パルスを発生し、か
つ磁気共鳴により発生した磁気共鳴信号（ＭＲ信号）を
検出するものである。送受信コイル３はガントリ内に埋
め込まれるのではなく、被検体近傍に配置される、ある
いは被検体に直に装着される。また、送受信コイルの代
わりに送信、受信専用の別々のコイルを用いてもよい。

【００１５】寝台１３の天板上に載置された被検体Ｐは
ガントリ２０内のイメージング可能領域（イメージング
用磁場が形成される球状の領域であり、この領域内での
み診断が可能となる）に挿入される。

【００１６】静磁場磁石１は静磁場制御装置４により駆
動される。送受信コイル３は磁気共鳴の励起時には送信
器５により駆動され、かつ磁気共鳴信号の検出時には受
信器６に結合される。Ｘ軸・Ｙ軸・Ｚ軸傾斜磁場コイル
２はＸ軸傾斜磁場電源７、Ｙ軸傾斜磁場電源８、Ｚ軸傾
斜磁場電源９により駆動される。

【００１７】Ｘ軸傾斜磁場電源７、Ｙ軸傾斜磁場電源
８、Ｚ軸傾斜磁場電源９、送信器５はシーケンサ１０に
より所定のシーケンスに従って駆動され、Ｘ軸傾斜磁場
Ｇｘ、Ｙ軸傾斜磁場Ｇｙ、Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚ、高周波
（ＲＦ）パルスを、後述する所定のパルスシーケンスで
発生する。この場合、Ｘ軸傾斜磁場Ｇｘ、Ｙ軸傾斜磁場
Ｇｙ，Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚは主として、例えば位相エンコ
ード用傾斜磁場Ｇｅ、読出し用傾斜磁場Ｇｒ、スライス
用傾斜磁場Ｇｓとしてそれぞれ使用される。コンピュー
タシステム１１はシーケンサ１０を駆動制御するととも
に、受信器６で受信される磁気共鳴信号を取り込んで所
定の信号処理を施すことにより、被検体の断層像を生成
し、表示部１２で表示する。

【００１８】図２は、本発明の第１実施形態に係る磁気
共鳴イメージング装置のＲＦシールドの断面構造を示す
図である。ＲＦシールド４０は、円筒状をなし、傾斜磁
場コイル２とＲＦコイル３との間に設けられる。そして
ＲＦシールド４０は、ポリエステルからなる数１０ミク
ロンの薄い絶縁基材３０の上に、１０ミクロン程度の薄
い軟鉄からなる強磁性体層３３が接着層３１を介して貼
り付けられ、さらに、強磁性体層３３の表面に錆が発生
するのを防ぐために、絶縁基材３０が接着層３１を介し
て再度貼り付けられて構成されている。またＲＦシール
ド４０は、前掲した図８のように傾斜磁場コイル２の内
側の周面に貼り付けて設けられる。本実施形態のＲＦシ
ールドについても前掲した図１０のように継ぎ目が一カ
所生じてしまう。このため前掲した図１１と同様にこの
継ぎ目の部分は銅箔テープが半田付けされている。銅箔
テープを半田付けする部分に限っては、絶縁基材の層が
剥離されている。尚、製作可能であればシームレス（継
ぎ目なし）で構成するのが望ましい。

【００１９】本実施形態のＲＦシールドは、さらに詳し
くは以下に説明するように構成されている。すなわち、
傾斜磁場コイル２とＲＦコイル３との間で高周波磁場を
シールドするＲＦシールド材として設けられ、軟鉄から
なる強磁性体層３３は、その厚さ（ＲＦシールド層の厚
さ）が、３０ミクロン以下となるように構成されてい
る。

【００２０】１．５テスラの静磁場のプロトンの磁気共
鳴周波数は約６４ＭＨｚである。この周波数において
は、銅のスキンデプスは１０ミクロン弱となる。前述し
たようにＲＦシールド層の厚さはスキンデプスの数倍と
するのが一般的であるので、銅をＲＦシールド材に用い
る従来例においては、その厚さをスキンデプスの数倍
（ここでは約３倍）の３０ミクロン前後とする必要があ
る。しかしながら、本実施形態で用いられる軟鉄の導電
率は銅の１／７程度であり、また、比透磁率はおよそ５
００程度である。周知のように、スキンデプスは導電率
と比透磁率の積の平方根に逆比例する。これによれば軟
鉄のスキンデプスは銅の１／８．５程度（約１．１７ミ
クロン）となる。従って、本実施形態のＲＦシールド層
の厚さは、該スキンデプスの数倍の３．５ミクロンとす
れば十分なＲＦシールドの機能を達成できる。実際には
この薄さは製作しがたいので、本実施形態ではＲＦシー
ルド層の厚さを、スキンデプスの値よりも大であり、該
スキンデプスの１０倍（１１．７６）を超えない値、す
なわち１０ミクロン前後とする。

【００２１】このような軟鉄のＲＦシールドは、傾斜磁
場の周波数成分にとっては十分な薄さである。ここで、
傾斜磁場のスイッチングに伴う渦電流について見れば、
その減衰の時定数は、導電層の厚さと導電率に比例す
る。従って、軟鉄の層の場合は、渦電流の減衰の時定数
は、銅の３０ミクロンの場合に比べ（１０／３０）×
（１／７）＝１／２１と短い。即ち、軟鉄のＲＦシール
ドに発生する渦電流は銅のＲＦシールドに比べ２１倍速
く減衰する。これにより、通常のＲＦシールドよりも格
段に速く傾斜磁場を制御するような場合であってもスリ
ットを設ける必要がない。スリットを用いないようにす
れば、前述したようなスリット部分における高周波的な
磁場遮断の不具合が発生することがなく、ＲＦコイルに
対する完全なシールド環境を提供できる。尚、静磁場強
度が低くなれば、それに伴いＲＦ励起磁場の周波数が低
下し、スキンデプスが増大するが、それでも１０ミクロ
ンの軟鉄の層は十分に厚いＲＦシールドとして機能す
る。

【００２２】また、強磁性体である軟鉄をＭＲＩ装置の
静磁場磁石１の内側に設置する点について見れば、軟鉄
の磁気飽和は２テスラ前後であるので、１．５テスラの
静磁場のＭＲＩ装置に対して十分に適用可能である。ま
た、軟鉄が静磁場の均一性を乱すことになるが、本実施
形態のＲＦシールドは、軟鉄からなる強磁性体を円筒状
に薄く配置するものであって、局所に強磁性体を集中配
置するものではないので、静磁場の乱し方は小さく、仮
に多少乱すとしても、対称性に富む乱し方であるので磁
場均一性補正の調整も容易である。

【００２３】次に、本実施形態のＲＦシールドの種々の
変形例（１）〜（８）を説明する。（１）図３に示すように、強磁性体層３３の片面を、軟
鉄とは別の金属からなる表面保護導電層３４で被覆して
もよい。これによっても軟鉄の錆を予防できる。具体的
には、例えばニッケルをメッキすればよい。ニッケルも
軟鉄と同様に磁性体であるが、１．５テスラの高磁場中
では磁気飽和してしまうので、この場合は既に述べたよ
うな、磁性体を用いることによりスキンデプスを薄くす
る効果は期待できない。したがって、ニッケルメッキの
層はなるべく薄く、数ミクロン程度にするのが望まし
い。尚、低磁場においては、磁気飽和することはないの
で、ニッケルメッキ層自身も軟鉄と同様に薄くても効果
的なＲＦシールド層として寄与する。そしてこの場合
は、ニッケル層の効果のぶんだけ軟鉄の層を薄くするの
が、傾斜磁場スイッチングによる渦電流を低減するため
に望ましい。

【００２４】被覆に用いるのは、非磁性体の金属であっ
ても勿論構わない。この場合、表面保護導電層３４に流
れるＲＦ誘起電流の抵抗損失を減らすべく、なるべく抵
抗率の低い金属とし、かつその厚さを極力薄くすること
が望ましい。（２）図４に示すように、強磁性体層３３の両面を軟鉄
とは別の金属で被覆してもよい。この場合も変形例
（１）と同様に、非磁性体の良導体の薄い層とするか、
磁性体として磁気飽和しない領域で使用する場合はその
分軟鉄の層を薄くするか、磁性体として磁気飽和する領
域で使用する場合はなるべくその層を薄くする配慮が望
ましい。（３）本実施形態のＲＦシールドを傾斜磁場コイル２の
内側に貼り付けるにあたり、渦電流をより効率良く低減
するために、前掲した図１２乃至図１４に示したような
スリットを設けても良い。図１３のようなオーバーラッ
プ配置によりスリット間の高周波的な接続（短絡）を行
えるのは、銅の場合と同様に、磁性体によるＲＦシール
ド層でも同じである。なお、変形例（２）のように絶縁
基材を有さない場合は、オーバーラップ部分にコンデン
サを形成させるべく薄い絶縁層を介在させる必要があ
る。（４）本実施形態のＲＦシールドは、その形状が円筒状
であるとしたが、これに限定されず、非円筒状であって
も良い。（５）本実施形態のＲＦシールドが備える強磁性体とし
て、軟鉄を例に挙げて説明したが、ニッケルでもよい
し、コバルトでもよい。あるいはその他の磁性合金であ
ってもよい。これらは、強磁性体の抵抗損失によるＲＦ
コイルの性能低下を防ぐために、導電率の高いものが好
ましい。この導電率の高さの点では、コバルトが、高価
ではあるが好ましい。錆たり腐食したりしない磁性体で
あれば、図２乃至図４で示したような表面を別の材料
（絶縁基材３０あるいは表面保護導電層３３）で被覆す
る必要はない。（６）本実施形態のＲＦシールドが備える強磁性体とし
て、ヒステリシス損失の大きなもの（例えば硬磁性材
料）は、ＲＦコイルの高周波損失が大きいので余り適当
ではないが、薄いＲＦシールド層で傾斜磁場の渦電流を
抑制し、高いＲＦシールド性能を得ることができる。（７）本実施形態のＲＦシールドを、繊維と、該繊維を
コーティングする磁性体とにより構成しても良い。ま
た、磁性体を含むワイヤを織って構成しても良い。

【００２５】以上説明したような本実施形態によれば、
傾斜磁場を高速にコントロールできようになるため高速
の画像撮影が可能となり、患者スループットが向上す
る。また、本実施形態のＲＦシールドは損失（ロス）が
少ないため画像のＳ／Ｎが向上し、また強い傾斜磁場に
よる小視野撮影が可能でもあるため画像の分解能が向上
する。さらにまた、渦電流によるアーチファクトが低減
された見やすい画像を撮影することが可能となり診断能
が向上する。

【００２６】次に、本発明の他の実施形態を説明する。
ここでは、先の実施形態において説明した強磁性体に関
するより具体的な構成について述べることにする。強磁
性体は、材料によってはかなり低い磁場で磁気飽和して
しまうため、ＭＲＩ装置が想定する磁場強度に応じて材
料の選択が限られてしまう。例えばコバルトは導電率が
優れているためＲＦシールド材として好適な材料ではあ
るが、比較的強度が低い磁場で磁気飽和するため高磁場
のＭＲＩ装置に適さない。その他、種々の磁性材料の中
には、好ましい特性を有しているにもかかわらず、磁気
飽和のためにＲＦシールド材に用いることができないと
いう場合がある。

【００２７】また、選定した強磁性体のヒステリシス損
失が最小でない場合がある。磁化曲線のどこで使うのが
ヒステリシス損失が最小であるかは、その特性を実測し
ない限り知り得ない。仮に実測を行ったとしても、磁場
強度と材料とが決まったらそれ以上選択の余地がない。

【００２８】図５は、本実施形態のＲＦシールドを形成
する強磁性体シートの一例を示す図である。ＲＦシール
ドを形成する強磁性体シート４０が、巨視的に見て磁気
異方性を有し、その磁化困難軸の方向が、同図に示すよ
うに静磁場方向Ｂ0 とほぼ等しくなるように構成されて
いる。

【００２９】一般に、強磁性体結晶は磁気異方性を有し
ている。図６は、磁化特性を示すグラフである。磁化が
容易な方向の磁場にさらされた場合、磁化曲線Ａに示す
ように弱い磁場でも容易に磁気飽和する。また、磁化が
困難な方向の磁場にさらされた場合は、磁化曲線Ｂに示
すように、かなり強い磁場でも容易に磁気飽和しない。
さらにまた、結晶が高密度に集合した材料は、必ずしも
巨視的に磁気異方性は持たず、磁化曲線Ｃに示すように
磁化特性が中間的なものとなる。

【００３０】磁性体材料に巨視的な磁気異方性を持たせ
るためには、磁場内で熱処理をすればよいことはよく知
られている。このようにして磁気異方性を持つ強磁性体
のシートを図５に示すように配置して用いると、高い磁
場までなかなか磁気飽和しない。従ってかなり高い値の
透磁率を維持することができる。すなわち、高磁場でも
スキンデプスの薄いＲＦシールドを得ることができる。
ちなみに、磁気飽和すると比透磁率が非常に低くなり、
１に近い値に程度になってしまい、もはや強磁性体とし
ての性質を有さなくなる。

【００３１】図７は、本実施形態のＲＦシールドを形成
する強磁性体シートの他の例を示す図である。ＲＦシー
ルドを形成する強磁性体シート４０が、巨視的に見て磁
気異方性を有し、その磁化容易軸の方向が、同図に示す
ように静磁場方向Ｂ0 とほぼ等しくなるように構成され
ている。

【００３２】磁化曲線のどこで使うのがＲＦシールドに
よる損失（前記した例えばヒステリシス損）が最小か、
強磁性体のシートの向きと静磁場の向きとの関係を調
べ、磁化容易軸が静磁場方向と揃っている状態がもし良
好であれば、例えば常伝導磁石を備える低磁場のＭＲＩ
装置を想定し磁気飽和するまでに十分な余裕があるよう
な場合に限っては、本例のように構成すればよい。

【００３３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、傾
斜磁場のスイッチングによる渦電流をＥＰＩなどの高速
な撮像方法に対応できる程度に急速に減衰させ、また、
特定の態様のＲＦコイルのみにとっては適切なシールド
となるような良導体のパターンを用いるものでなくどの
ようなＲＦコイルにも適用でき、傾斜磁場コイルとＲＦ
コイルとの間で高周波磁場を適切にシールドすることが
可能な磁気共鳴イメージング装置を提供できる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態に係る磁気共鳴イメージン
グ装置の概略構成を示す図。

【図２】上記実施形態に係り、ＲＦシールドの断面構造
を示す図。

【図３】上記実施形態に係り、ＲＦシールドの他の構成
例を示す図。

【図４】上記実施形態に係り、ＲＦシールドのさらに他
の構成例を示す図。

【図５】本発明の他の実施形態に係り、ＲＦシールドを
形成する強磁性体シートの一例を示す図。

【図６】上記実施形態に係り、磁化特性を示すグラフ。

【図７】上記実施形態に係り、ＲＦシールドを形成する
強磁性体シートの他の例を示す図。

【図８】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲＦ
シールドの典型的な配置構造を示す図。

【図９】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲＦ
シールド構造を示す断面図。

【図１０】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲ
Ｆシールド２５の外観を示す図。

【図１１】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲ
Ｆシールド２５の構造を示す断面図。

【図１２】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲ
Ｆシールド２６の周面のスリットを示す図。

【図１３】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲ
Ｆシールド層２６を展開した図。

【図１４】従来例に係る磁気共鳴イメージング装置のＲ
Ｆシールド層２６を展開した図であって、ディスクリー
トなコンデンサ２７の配置を示す図。

【符号の説明】

１…静磁場磁石、２…Ｘ軸・Ｙ軸・Ｚ軸傾斜磁場コイル、３…送受信コイル（ＲＦコイル）、４０…ＲＦシールド、４…静磁場制御装置、５…送信器、６…受信器、７…Ｘ軸傾斜磁場アンプ、８…Ｙ軸傾斜磁場アンプ、９…Ｚ軸傾斜磁場アンプ、１０…シーケンサ、１１…コンピュータシステム、１２…表示部。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】傾斜磁場コイルとＲＦコイルとの間に設
けられる強磁性体からなり、高周波磁場をシールドする
シールド手段を具備することを特徴とする磁気共鳴イメ
ージング装置。
【請求項２】前記シールド手段は、前記強磁性体の層
からなり、且つその厚さが３０ミクロン以下であること
を特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装
置。
【請求項３】前記シールド手段は、前記強磁性体の層
からなり、且つその厚さが、前記ＲＦコイルによるＲＦ
励起周波数における該強磁性体のスキンデプスよりも大
であり、且つ該スキンデプスの１０倍を超えないことを
特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装
置。
【請求項４】前記強磁性体は、軟鉄と同程度あるいは
それ以上の導電率を有することを特徴とする請求項１に
記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項５】前記強磁性体は、軟鉄又はニッケル又は
コバルト又は磁性合金により構成されることを特徴とす
る請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項６】前記シールド手段は、前記強磁性体の表
面を防錆する被覆部材をさらに具備することを特徴とす
る請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項７】前記被覆部材は、絶縁性部材又は軟鉄と
同程度あるいはそれ以上の導電率を有する非磁性体から
構成されることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴
イメージング装置。
【請求項８】前記被覆部材は、絶縁性部材又は軟鉄と
同程度あるいはそれ以上の導電率を有する磁性体から構
成されることを特徴とする請求項６に記載の磁気共鳴イ
メージング装置。
【請求項９】前記シールド手段は、円筒状をなすこと
を特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング装
置。
【請求項１０】前記強磁性体は、磁化困難方向が、該
強磁性体に印可される磁場の方向とほぼ等しくなるよう
な磁気異方性を有することを特徴とする請求項１に記載
の磁気共鳴イメージング装置。
【請求項１１】前記強磁性体は、磁化容易方向が、該
強磁性体に印可される磁場の方向とほぼ等しくなるよう
な磁気異方性を有することを特徴とする請求項１に記載
の磁気共鳴イメージング装置。