JPH09238921A - 磁気共鳴イメージング装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】ＲＦ磁場の周波数が高い高磁場を用いる場合あ
るいは大型の受信コイルを用いる場合であっても余分の
トラップ回路を設ける必要がなくその数が必要最小限で
済む磁気共鳴イメージング装置を提供すること。 【解決手段】ＲＦ受信用コイル３１は、常温時では、Ｒ
Ｆ励起磁場の周波数に対して所定量の周波数オフセット
を有するトラップ周波数において共振することにより高
いインピーダンスを呈し、温度上昇に伴って周波数オフ
セットが増加し、且つインピーダンスが低下するように
トラップ周波数が変化するトラップ回路を備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、磁気共鳴イメージ
ング装置（以下、ＭＲＩ装置と略称することがある）に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、この種のＭＲＩ装置において、被
検体に磁気共鳴現象を生じさせるＲＦ励起磁場（ＲＦパ
ルス）を発生させるための送信用ＲＦコイルと、被検体
からのＭＲ信号を受信するための受信用ＲＦコイルとが
別体で構成されたものが知られている。受信用ＲＦコイ
ルには、通称トラップ回路と呼ばれる共振回路が挿入さ
れている。トラップ回路は、例えば送信用ＲＦコイルか
らのＲＦ励起に伴って受信用ＲＦコイル内に誘導される
誘導起電力から、受信用ＲＦコイルに接続されているバ
ラクタダイオードやプリアンプなどの脆弱な素子を保護
するとともに、該起電力により受信用ＲＦコイルに誘導
される誘導電流を抑制し励起ＲＦ磁場を乱さないように
するために用いられる。

【０００３】図５は、このようなトラップ回路の具体的
な回路の構成例を示す図である。トラップ回路４０は、
インダクタンスがＬｔのコイル４１及びキャパシタンス
がＣｔのコンデンサ４２が並列に接続された並列共振回
路と、二つのダイオードがバック・トゥー・バック(bac
k to back)で接続されたいわゆるクロスダイオード回路
４３とを備えている。ＣｔとＬｔは、クロスダイオード
回路４３が導通状態にあるとき、励起ＲＦの周波数とほ
ぼ同調する周波数（以下、トラップ周波数と称する）で
共振するような値が選定される。すなわちトラップ回路
４３は、ＲＦ励起時において高い並列共振インピーダン
スを呈することになる。

【０００４】図６は、上述したトラップ回路を備えた受
信用ＲＦコイルの具体的な回路の構成例を示す図であ
る。受信用ＲＦコイル４４は、インダクタンスがＬのＲ
Ｆコイル４５、トラップ回路４０、及びチューニング調
整用の可変コンデンサ４６、マッチング調整用の可変コ
ンデンサ４７、プリアンプ４８を備えている。

【０００５】送信時において、送信用ＲＦコイルから励
起用の強大なＲＦ磁場を浴びせられると、その周波数に
応じてＲＦコイル４５に誘導起電力が生じる。この場
合、クロスダイオード回路４３は所定値以上の電圧が印
加されることになり導通状態となるとともに、コイル４
１及びコンデンサ４２から構成される共振回路が共振す
る。

【０００６】その結果、トラップ回路４０は高い並列共
振インピーダンスを呈し、ＲＦコイル４５には大きな電
流は流れず、チューニング調整用の可変コンデンサ４
６、マッチング調整用の可変コンデンサ４７（これらの
コンデンサはしばしばバラクタダイオードなどと同様に
脆弱な素子である）、プリアンプ４８には誘導起電力に
よる電圧は殆ど印加されない。同様に、誘導起電力によ
る電流が殆ど流れないから、誘導電流によるＲＦ磁場
が、励起用のＲＦ磁場を乱すこともない。

【０００７】一方受信時においては、被検体からのＲＦ
磁場（磁気共鳴信号、ＭＲ信号）は微弱であり、それが
ＲＦコイル４５に誘導する起電力も微弱であり、クロス
ダイオード回路４３が導通状態になることはない。従っ
て、コイル４１やクロスダイオード回路４３は、受信時
には存在しないのと同様であり、コイル４５に誘導され
た微弱信号はプリアンプ４８まで正常に伝達される。

【０００８】図７は、トラップ回路の他の構成例を示す
図である。本回路は、前述のクロスダイオード回路の替
わりにＰＩＮダイオード４９を備えており、ＲＦ励起時
には当該ＰＩＮダイオード４９のバイアスラインに挿入
したインダクタンスＬｂのコイル５０1 、５０2 （ある
いは、低周波信号に対しては低インピーダンスとなり、
ＲＦ信号に対しては高インピーダンスとなる回路であれ
ばどの様な回路でもよい）を経由して直流電流を供給す
る。

【０００９】直流電流をこのようにバイアスすることに
より、送信時ではＰＩＮダイオード４９は導通状態とな
る。従ってクロスダイオードの場合と同様に図７に示す
トラップ回路は、励起ＲＦ磁場の周波数（トラップ周波
数）において高いインピーダンスを呈する。また受信時
においては、ＰＩＮダイオード４９は逆バイアスとな
り、この状態ではＰＩＮダイオード４９は導通せず、該
ＰＩＮダイオード４９やコイル４１は、やはり存在しな
いと同じである。

【００１０】余り用いられることはないが、コイル４１
とコンデンサ４２とを入れ替えて共振回路を構成したよ
うな図８に示すような回路についても、トラップ回路と
して機能させることができる。

【００１１】ところで、以上説明したようなトラップ回
路を調整するにあたっては、所定の周波数で共振するよ
うに、コイル４１のインダクタンスＬt 及びコンデンサ
４２のキャパシタンスＣt の値を選ぶのであるが、調整
時と実使用時とでは回路状態が異なる。例えば被検体は
固体差を有し千差万別であり、高周波においては何らか
の干渉をトラップ回路に対して行う。また、ＭＲＩ装置
の磁石内と調整場所とでは高周波的な環境が多少異な
り、従って大体の調整しか施し得ず、実使用時は共振周
波数が励起ＲＦ磁場の周波数から僅かばかりずれてしま
う。

【００１２】また、別の特徴として、ダイオードや共振
回路のコイルは抵抗損失を有し、トラップとして機能し
ている間は（即ちＲＦ励起磁場により共振している間
は）、誘導電流により相当の発熱をする。

【００１３】このようなトラップ回路を一つしか用いな
いＲＦコイルでは、大きな問題は起きない。しかし、大
型の受信コイルを用い、かつ励起ＲＦ磁場の周波数が高
い高磁場のＭＲＩ装置では、一つのＲＦコイルに対し一
つのトラップ回路を配するのみでは間に合わないことが
ある。すなわち、発熱が大きすぎてトラップ回路が破損
したり、そこまでいかなくてもトラップ回路の発熱がＲ
Ｆコイル表面に伝わり、その局所に被検体（患者）が長
時間触れていると火傷の危険があるといった問題があ
る。そこで一つのＲＦコイルに対し、図９に示すよう
に、複数のトラップ回路を分散して配置（ここでは４０
1 、４０2 からなる二つのトラップ回路）することが行
われる。図５を用いて先に示したインダクタンスがＬの
ＲＦコイル４５は、図９に示す回路ではこれが分断して
配置され、インダクタンスがそれぞれＬ1 〜Ｌ3 のコイ
ル４５1 〜４５3 に相当する。

【００１４】このように、複数のトラップ回路を分散し
て配置すれば、トラップ回路一カ所あたりの発熱は、そ
れが設けられる個数に応じて低減でき好ましい。しかし
ながら、前述したようにトラップ回路の調整は完全では
ないので、共振時において、あるトラップ回路のインピ
ーダンスは十分高いが、別のトラップ回路のインピーダ
ンスは低いということが起こり得る。そしてこのような
アンバランスな状態にあっては、インピーダンスの高い
トラップ回路に誘導起電力が集中してしまうという問題
点がある。

【００１５】この結果、誘導起電力が集中して印加され
たトラップ回路の発熱が過大となり、まずこのトラップ
回路が壊れ、続いて、残ったトラップ回路のうち、いず
れかのトラップ回路に再び誘導起電力が集中し、順次壊
れていくという問題が生じることがある。このような問
題を回避するため、各々のトラップ回路のインピーダン
スが十分にバランスしていれば数個のトラップで済むと
ころを、従来では、少々のアンバランスがあっても最大
のインピーダンスのトラップの熱負荷が破損限度以内と
なるように負荷をさらに分散するべく、より多数のトラ
ップを設けねばならない。

【００１６】ＲＦコイルに多数のトラップ回路を挿入す
ることは次のような不都合があり好ましくない。 (1) 個数が増える分、各々のトラップ回路の調整が大変
になる。 (2) ＲＦコイルがかさばって使いにくくなる。またＲＦ
コイルの製造コストが高くなる。 (3) ＲＦコイルの性能が落ちる。これはトラップ回路の
高周波損失による。クロスダイオードは、微少な電圧が
印加されている場合（すなわち受信時）にあっても、多
少の漏れ電流がある。これが抵抗損失となって現れるこ
とにより、ＲＦコイルのＱ値を低下させてしまう。従っ
てトラップ回路が多数設けられていれば、その分ＲＦコ
イルのＱ値の低下が著しくなり、その結果、ＭＲＩ画像
のＳＮＲが低下してしまう。尚、クロスダイオードでは
なく、ＰＩＮダイオードを用いるトラップ回路は、この
ようなＱ値の低下は比較的小さいが、ＰＩＮダイオード
は高価でありコスト高となる。また、ＰＩＮダイオード
は、そのバイアスラインにおいて高周波を完全に遮断で
きないため、受信した信号が多少漏れてしまう。この点
においてもＰＩＮダイオードを用いるトラップ回路にも
ＲＦコイルの性能低下があり、やはりトラップの数が増
えるのは問題である。

【００１７】

【発明が解決しようとする課題】本発明は上述した事情
に対処すべくなされたもので、その目的は、ＲＦ磁場の
周波数が高い高磁場を用いる場合、あるいは大型の受信
コイルを用いる場合であっても、余分のトラップ回路を
設ける必要がなく、その数が必要最小限で済む磁気共鳴
イメージング装置を提供することである。

【００１８】

【課題を解決するための手段】本発明の請求項１の磁気
共鳴イメージング装置は、ＲＦ励起磁場が印加されるＲ
Ｆコイルと、前記ＲＦコイルに接続され、常温時では、
前記ＲＦ励起磁場の周波数に対して所定量の周波数オフ
セットを有するトラップ周波数において共振することに
より高いインピーダンスを呈し、温度上昇に伴って、前
記周波数オフセットが増加し、且つ前記インピーダンス
が低下するように前記トラップ周波数が変化する共振手
段とを具備することを特徴とする。

【００１９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明によ
る磁気共鳴イメージング装置の第１の実施形態を説明す
る。図１はこの実施形態の概略構成を示すブロック図で
ある。ガントリ２０内には静磁場磁石１、Ｘ軸・Ｙ軸・
Ｚ軸傾斜磁場コイル２、及び送信用ＲＦコイル３１、受
信用ＲＦコイル３２が設けられている。

【００２０】静磁場発生装置としての静磁場磁石１は例
えば超電導コイル、または常伝導コイルを用いて構成さ
れる。Ｘ軸・Ｙ軸・Ｚ軸傾斜磁場コイル２はＸ軸傾斜磁
場Ｇｘ、Ｙ軸傾斜磁場Ｇｙ、Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚを発生す
るためのコイルである。送信用ＲＦコイル３１は、スラ
イスを選択するための選択励起パルスとしての高周波
（ＲＦ）パルスを発生するものであり、受信用ＲＦコイ
ル３２は、磁気共鳴により発生した磁気共鳴信号（ＭＲ
信号）を検出するものである。寝台１３の天板上に載置
された対象物Ｍはガントリ２０内のイメージング可能領
域（イメージング用磁場が形成される球状の領域であ
り、この領域内でのみ診断が可能となる）に挿入され
る。

【００２１】静磁場磁石１は静磁場制御装置４により駆
動される。送信用ＲＦコイル３１は磁気共鳴の励起時に
は送信器５により駆動され、受信用ＲＦコイル３２は、
磁気共鳴信号の検出時には受信器６に結合される。Ｘ軸
・Ｙ軸・Ｚ軸傾斜磁場コイル２はＸ軸傾斜磁場電源７、
Ｙ軸傾斜磁場電源８、Ｚ軸傾斜磁場電源９により駆動さ
れる。

【００２２】Ｘ軸傾斜磁場電源７、Ｙ軸傾斜磁場電源
８、Ｚ軸傾斜磁場電源９、送信器５はシーケンサ１０に
より所定のシーケンスに従って駆動され、Ｘ軸傾斜磁場
Ｇｘ、Ｙ軸傾斜磁場Ｇｙ、Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚ、高周波
（ＲＦ）パルスを、所定のパルスシーケンスで発生す
る。この場合、Ｘ軸傾斜磁場Ｇｘ、Ｙ軸傾斜磁場Ｇｙ，
Ｚ軸傾斜磁場Ｇｚは主として、例えば位相エンコード用
傾斜磁場Ｇｅ、読出し用傾斜磁場Ｇｒ、スライス用傾斜
磁場Ｇｓとしてそれぞれ使用される。コンピュータシス
テム１１はシーケンサ１０を駆動制御するとともに、受
信用ＲＦコイル３２を介して受信器６で受信される磁気
共鳴信号を取り込んで、所定の信号処理を施すことによ
り、対象物の断層像を生成し表示部１２で表示する。

【００２３】本実施形態は概略以上のように構成されて
いる。さらに本実施形態の受信用コイル３２は、前掲し
た図５と同様な構造のトラップ回路４０（但し、共振回
路を構成する、コイル４１のインダクタンスＬt 、及び
コンデンサ４２のキャパシタンスＣt は従来のものとは
異なる値に設定される）が図９に示したように複数接続
されて構成されている。なお、当該トラップ回路４０
は、図５に示した構造のみならず前掲した図７又は図８
と同様の構造としても良い。

【００２４】トラップ回路のトラップ周波数（共振周波
数）は、温度上昇に伴って高い方か低い方かのいずれか
の方向にずれる。これは、Ｃt やＬt の温度特性による
ものである。またこの場合、トラップ周波数が高い方と
低い方のいずれの方向にずれるかは、これらＣt やＬt
の特性に応じて異なる。

【００２５】さらに、コンデンサ４２のキャパシタンＣ
t は、受信時のチューニングに直接的に関与するため、
温度によりそのリアクタンスがあまり変わることがない
ものが選択されることが一般的である。従って多くの場
合、例えば本実施形態のトラップ回路４０においてはコ
イル４１のインダクタンスＬt がトラップ周波数の温度
特性を定めることになる。尚、前掲した図８のようにト
ラップ回路を構成した場合は、コイル４１のＬt が受信
時のチューニングに直接的に関与する。従ってこの場合
は、同様にコンデンサ４２のキャパシタンスＣt がトラ
ップ周波数の温度特性を定めることになる。

【００２６】本実施形態は、以上説明したようなコイル
４１のインダクタンスＬt あるいはコンデンサ４２のキ
ャパシタンスＣt の温度特性を積極的に利用するもので
ある。

【００２７】もしも、トラップ周波数が温度上昇に伴い
上昇する特性をもっている場合、このトラップ周波数
は、常温における初期調整においてＲＦ励起磁場の周波
数に対し所定量の周波数オフセットを有するようにやや
高く設定され、温度上昇に伴い、ＲＦ励起磁場周波数に
おけるインピーダンス（以下、トラップインピーダンス
と称する）が低下するように設定される。このようなト
ラップ周波数の設定は、コイル４１のインダクタンスＬ
t あるいはコンデンサ４２のキャパシタンスＣtの、常
温における初期調整による。

【００２８】図２は、トラップ回路のトラップ周波数及
びトラップインピーダンスと、ＲＦ励起磁場周波数との
関係を概略的に示すグラフである。また、同図は温度上
昇に伴いトラップ周波数が増加する場合を示す。温度上
昇に伴いトラップ周波数が増加すると、トラップインピ
ーダンスの特性カーブは全体的に右側に移動する。これ
によりＲＦ励起磁場の周波数におけるトラップインピー
ダンスは低下する。言い替えれば、トラップ回路は、常
温時では、ＲＦ励起磁場の周波数に対して所定量の周波
数オフセットを有するトラップ周波数において共振する
ことにより高いインピーダンスを呈し、温度上昇に伴っ
て周波数オフセットが増加し、且つインピーダンスが低
下するようにトラップ周波数が変化する。

【００２９】なお、ＲＦ励起磁場の周波数に対しトラッ
プ周波数をどの程度「やや高く」設定するか、すなわち
上記周波数オフセット量を具体的にどのような値とする
かは、トラップ回路の並列共振のＱ値に基づく。さらに
具体的には、該周波数オフセット量は、トラップ周波数
を中心とし、共振回路のＱ値の逆数にＲＦ励起磁場の周
波数を乗じて決まる帯域幅内を超えない値とする。例え
ば励起ＲＦ磁場周波数が６３．９ＭＨｚ（１．５テスラ
のプロトンの共鳴周波数）であって、Ｑ値が１００程度
である場合は、トラップの帯域幅は０．６４ＭＨｚとな
るから、ＲＦ励起磁場の周波数に対する周波数オフセッ
ト量は、このトラップ帯域幅内の近傍の値である数１０
０ＫＨｚとする。これをさらに大きく、例えば１ＭＨｚ
程度のオフセット量で初期設定すると、トラップインピ
ーダンスが下がりすぎてしまい、ＲＦ励起磁場による誘
導電流を十分効果的には抑制できない。

【００３０】また、該周波数オフセット量は、少なくと
も上記帯域幅の１０分の１よりも大きい値とすることが
好ましい。これは、数１０ＫＨｚ程度のオフセット量で
は、そもそもこの程度の周波数調整精度は元来得られな
いし、得られたとしても、共振特性（トラップインピー
ダンス）のピークに近い部分は、温度上昇でトラップ周
波数がずれたとしても、インピーダンスがあまり変わら
ないためである。

【００３１】もし、トラップ周波数が温度上昇とともに
低下する特性をもっているとすれば、勿論、同様な調整
ではあるが、初期調整でのトラップ周波数を励起ＲＦ磁
場の周波数よりも低く調整する。

【００３２】以上説明したように本実施形態では、送信
用ＲＦコイル３１による励起ＲＦの送信時においては、
受信用ＲＦコイル３２ではトラップが機能し、そして個
々のトラップ回路の特性の違いにより、いずれかのトラ
ップ回路に誘導起電力が集中し、当該トラップ回路の温
度が上昇したとしても、共振周波数の温度変化を見越し
た周波数オフセットが初期状態において設定されている
ことにより、その温度上昇に応じてトラップ共振周波数
が、ＲＦ励起磁場のトラップ帯域（周波数帯域）から適
宜外れ、すなわちトラップインピーダンスが低下するの
で、当該トラップ回路のみに誘導起電力が集中すること
がなく他のトラップ回路に分散されるようになり、過大
な誘導電流による発熱に起因するトラップ回路の損壊を
未然に防ぐことができる。したがって、例えば受信用Ｒ
Ｆコイル３２が、高周波磁場が印加されるような大型の
受信コイルであっても、多数のトラップ回路を設ける必
要がなく、その数が必要最小限で済む。

【００３３】さらに、トラップ回路の信頼性が向上しそ
の調整が容易となる、ＲＦコイルのコストが安くなる、
ＲＦコイルがかさばることがなく取扱いが容易になる、
ＲＦコイル全体としての性能が向上しＭＲＩ画像のＳＮ
Ｒの向上に寄与する、といった効果を期待できる。

【００３４】次に、本発明の第２の実施形態を説明す
る。第２の実施形態は、トラップ回路の共振周波数の初
期調整を、トラップ周波数の温度係数に応じて、ＲＦ励
起磁場周波数よりもやや高くあるいは低く設定する点に
おいて前述した第１の実施形態と同様の構成である。そ
して第２の実施形態は、さらに積極的に、トラップ回路
内に温度に応じてリアクタンスを変動させるための素子
を導入したものである。

【００３５】第１の実施形態では、Ｌt やＣt が必要十
分な温度係数を有していない場合にあっては、温度が上
昇しても有意にトラップインピーダンスが変わらないこ
とがあり得る。そこで、第２の実施形態は、図３に示す
ように容量の温度依存性が大きなタイプのコンデンサ５
２（キャパシタンスＣtmp ）をインダクタンスＬt のコ
イル４１に対し直列に挿入して構成する。

【００３６】Ｃtmp とＬt との合成リアクタンスは、角
周波数をωとするとき、式（１）のようになる。 合成リアクタンス＝ωＬt −１／（ωＣtmp ） …(1) そして、Ｃtmp とＬt のとから成る回路は、式（２）に
示すように、上記合成リアクタンスに等しいリアクタン
スを有する一のインダクタンス（これをＬt ′とする）
とみなすことができる。

【００３７】 Ｌt ′＝Ｌt ・［１−１／（ω2 ・Ｃtmp ・Ｌt ）］ …(2) そして、ＲＦ励起磁場周波数をω0 とするとき、Ｌt ′
が正となるようなＣtmp を選定する。

【００３８】ところで、次式（３）に示すようにＣtmp
を表現しても良い。次式（３）においてＫは１より大き
い正の値とする。 Ｃtmp ＝Ｋ・［１／（ω2 ・Ｌt ）］ …(3) このような場合、Ｌt ′は、次式（４）のようになる。

【００３９】 Ｌt ′＝Ｌt ・［１−（１／Ｋ）］ …(4) そして、Ｌt ′とＣt との共振周波数が大体ω0 の近傍
の値となるように、Ｌt とＫ（すなわちＣtmp ）を選定
する。

【００４０】ここで、Ｃtmp の容量の温度係数をα、初
期状態からの温度上昇をΔＴとするとき、Ｃtmp 、Ｌ
ｔ′は、式（５）、式（６）のようになる。 Ｃtmp ＝Ｋ・［１／（ω2 ・Ｌt ）］・（１＋α・ΔＴ） …(5) Ｌt ′＝Ｌt ・［１−１／（Ｋ・（１＋α・ΔＴ））］ …(6) α・ΔＴは１より十分小さいから近似的に、Ｌt ′は次
式（７）のようにしてもよい。

【００４１】 Ｌt ′＝Ｌt ・［１−（１−α・ΔＴ）／Ｋ］ …(7) これをΔＴ＝０のＬt ′で割ると次式（８）のようにな
る。 Ｌt ′（ΔＴ）／Ｌt ′（ΔＴ＝０）＝１＋［α・ΔＴ／（Ｋ−１）］…(8) つまり、合成された新たなインダクタンスＬt ′に温度
係数α／（Ｋ−１）が導入されたことに等しい。

【００４２】一般に、ＬＣ共振回路の共振周波数は、Ｌ
とＣの積の平方根で定まるから、トラップ回路のトラッ
プ周波数はα／（Ｋ−１）／２の温度係数となる。比較
的大きなα、例えば＋１０００ｐｐｍ／ｄｅｇを持つコ
ンデンサの入手は容易であり、Ｋとして小さな値、例え
ばＫ＝２とすることはなんら困難ではなく、そうする
と、トラップ周波数は＋５００ｐｐ 次に、本発明の第３の実施形態を説明する。第３の実施
形態は、第２の実施形態の変形に係り、トラップ回路内
に温度でリアクタンスが変わる素子を導入し、トラップ
回路共振周波数が意図的な温度係数を持つようにする点
は第２の実施の形態と同じであるが、図４に示すよう
に、Ｌt に対しＣtmp を並列に挿入したものである。

【００４３】本実施形態では、角周波数をωとすると
き、Ｌt とＣtmp の合成リアクタンスは、Ｃtmp が１／
（ω2 ・Ｌt ）よりも小さな値である場合に限り、次式
（９）にのようなインダクタンスＬt ′と同じである。

【００４４】 Ｌt ′＝Ｌt ／（１−ω2 ・Ｃtmp ・Ｌt ） …(9) このようなＬt ′についても、Ｃtmp に起因する温度係
数を第２の実施形態と同様に意図的に導入できる。

【００４５】以上説明したような本発明の特徴点は、Ｒ
Ｆコイルに流れる誘導電流を共振回路を用いて抑止する
回路において、温度変化を見越して、共振周波数がシフ
トして行くであろう方向に初期状態を意図的に最初から
適切な程度ずらしておくこと、および共振回路に温度係
数が既知のリアクタンスを意図的に導入することにより
共振回路の温度特性を意図的に作り出すことにある。従
って、本発明は第１実施形態〜第３実施形態にて示した
ようなトラップ回路に限定されるものではなく、種々変
形して実施可能である。

【００４６】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｒ
Ｆ磁場の周波数が高い高磁場を用いる場合、あるいは大
型の受信コイルを用いる場合であっても、余分のトラッ
プ回路を設ける必要がなく、その数が必要最小限で済む
磁気共鳴イメージング装置を提供することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る磁気共鳴イメー
ジング装置の概略構成を示すブロック図。

【図２】トラップ回路のトラップ周波数及びトラップイ
ンピーダンスとＲＦ励起磁場周波数との関係を示すグラ
フ。

【図３】本発明の第２の実施形態に係るトラップ回路の
回路構成例を示す図。

【図４】本発明の第３の実施形態に係るトラップ回路の
回路構成例を示す図。

【図５】従来のトラップ回路の回路構成例を示す図。

【図６】従来のトラップ回路を備えた受信用ＲＦコイル
の回路構成例を示す図。

【図７】従来のトラップ回路の他の回路構成例を示す
図。

【図８】従来のトラップ回路のさらに他の回路構成例を
示す図。

【図９】従来のトラップ回路が複数、分散配置された受
信用ＲＦコイルを回路構成例を示す図。

【符号の説明】

１…静磁場磁石、 ２…Ｘ軸・Ｙ軸・Ｚ軸傾斜磁場コイル、 ３１…送信用ＲＦコイル、 ３２…受信用ＲＦコイル ４…静磁場制御装置、 ５…送信器、 ６…受信器、 ７…Ｘ軸傾斜磁場アンプ、 ８…Ｙ軸傾斜磁場アンプ、 ９…Ｚ軸傾斜磁場アンプ、 １０…シーケンサ、 １１…コンピュータシステム、 １２…表示部。

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ＲＦ励起磁場が印加されるＲＦコイル
   と、 前記ＲＦコイルに接続され、常温時では、前記ＲＦ励起
   磁場の周波数に対して所定量の周波数オフセットを有す
   るトラップ周波数において共振することにより高いイン
   ピーダンスを呈し、温度上昇に伴って、前記周波数オフ
   セットが増加し、且つ前記インピーダンスが低下するよ
   うに前記トラップ周波数が変化する共振手段とを具備す
   ることを特徴とする磁気共鳴イメージング装置。
2. 【請求項２】 前記周波数オフセット量は、前記トラッ
   プ周波数を中心とし、前記共振手段のＱ値の逆数に前記
   ＲＦ励起磁場の周波数を乗じて決まる帯域幅内にあるこ
   とを特徴とする請求項１に記載の磁気共鳴イメージング
   装置。
3. 【請求項３】 前記周波数オフセット量は、前記トラッ
   プ周波数を中心とし、前記共振手段のＱ値の逆数に前記
   ＲＦ励起磁場の周波数を乗じて決まる帯域幅の１０分の
   １より大であることを特徴とする請求項１に記載の磁気
   共鳴イメージング装置。
4. 【請求項４】 前記共振手段は、共振のためのインダク
   タンスおよび第１のキャパシタンスとを具備し、 前記インダクタンスに対し直列又は並列に接続され、該
   共振手段の温度特性を所望のものとし、前記トラップ周
   波数を該温度特性に応じて変化させるための第２のキャ
   パシタンスをさらに具備することを特徴とする請求項１
   乃至請求項３のいずれかに記載の磁気共鳴イメージング
   装置。