JPH09243846A - 高比屈折率差光導波路の製造方法 - Google Patents
高比屈折率差光導波路の製造方法Info
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- JPH09243846A JPH09243846A JP4587196A JP4587196A JPH09243846A JP H09243846 A JPH09243846 A JP H09243846A JP 4587196 A JP4587196 A JP 4587196A JP 4587196 A JP4587196 A JP 4587196A JP H09243846 A JPH09243846 A JP H09243846A
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- 230000003287 optical effect Effects 0.000 title claims abstract description 62
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 36
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims description 37
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 claims abstract description 80
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 33
- 238000005253 cladding Methods 0.000 claims abstract description 20
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims abstract description 8
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 80
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 31
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 11
- 239000012792 core layer Substances 0.000 claims 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 abstract description 4
- PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N Fluorine Chemical compound FF PXGOKWXKJXAPGV-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 16
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 12
- 230000000996 additive effect Effects 0.000 description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000005268 plasma chemical vapour deposition Methods 0.000 description 7
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000013307 optical fiber Substances 0.000 description 5
- 125000002887 hydroxy group Chemical group [H]O* 0.000 description 4
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 description 4
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 description 4
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 3
- 238000000059 patterning Methods 0.000 description 3
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 2
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 2
- 230000008859 change Effects 0.000 description 2
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 2
- 239000006185 dispersion Substances 0.000 description 2
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 description 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 2
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 2
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000000149 argon plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 238000004380 ashing Methods 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 1
- 238000004891 communication Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 1
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
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- Optical Integrated Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】コアの屈折率とクラッド層の屈折率との差が大
きい高比屈折率差光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバ
ッファ層２１を形成した後コア膜２２ａを形成し、少な
くとも１０００℃で熱処理を行い、その後フォトリソグ
ラフィを施して略矩形断面形状のコア２２を形成し、次
いでフッ素をドープしたＳｉＯ2 膜をクラッド層２３と
して形成する。
きい高比屈折率差光導波路の製造方法を提供する。 【解決手段】フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバ
ッファ層２１を形成した後コア膜２２ａを形成し、少な
くとも１０００℃で熱処理を行い、その後フォトリソグ
ラフィを施して略矩形断面形状のコア２２を形成し、次
いでフッ素をドープしたＳｉＯ2 膜をクラッド層２３と
して形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、高比屈折率差光導
波路の製造方法に関する。
波路の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】光ファイバ通信技術の発展に伴い、光デ
バイスには大量生産性、高信頼性、結合の無調整
化、自動組立化、低損失化等が要求されるようにな
った。これらの課題を解決するために導波路型の光デバ
イスが注目されるようになってきた。
バイスには大量生産性、高信頼性、結合の無調整
化、自動組立化、低損失化等が要求されるようにな
った。これらの課題を解決するために導波路型の光デバ
イスが注目されるようになってきた。
【０００３】光導波路の中で、特に石英系ガラス光導波
路は、低損失で、光ファイバとの接続損失も非常に小さ
いため、将来の光導波路として有望視されている。石英
系ガラス光導波路の製造方法としては火炎堆積法が知ら
れている。図７（ａ）〜図７（ｆ）は光導波路の製造方
法（火炎堆積法）の従来例を示す図である。
路は、低損失で、光ファイバとの接続損失も非常に小さ
いため、将来の光導波路として有望視されている。石英
系ガラス光導波路の製造方法としては火炎堆積法が知ら
れている。図７（ａ）〜図７（ｆ）は光導波路の製造方
法（火炎堆積法）の従来例を示す図である。
【０００４】これはシリコン基板１上へ石英ガラスから
なるバッファ用多孔質膜２ａ及びバッファ用多孔質膜２
ａ上に屈折率制御用添加物（Ｔｉ或いはＧｅ等）を含ん
だ石英ガラスからなるコア用多孔質膜３ａを形成し（図
７（ａ））、それらの加熱透明化によりバッファ層２及
びコア膜３ｂを持つ平面光導波路膜を形成する（図７
（ｂ））。マスク４を用いたドライエッチングプロセス
によるパターン化によって凸状断面形状又は矩形断面形
状のコア３を有する３次元光導波路を形成する（図７
（ｃ）、（ｄ））。この３次元光導波路上に石英ガラス
からなるクラッド用多孔質膜５ａを形成し（図７
（ｅ））、その加熱透明化によりクラッド層５を形成す
ることにより実現されている（図７（ｆ）、宮下：光導
波路技術、１．最近の光導波路技術、O plus E No.78 p
p.59-67 ）。
なるバッファ用多孔質膜２ａ及びバッファ用多孔質膜２
ａ上に屈折率制御用添加物（Ｔｉ或いはＧｅ等）を含ん
だ石英ガラスからなるコア用多孔質膜３ａを形成し（図
７（ａ））、それらの加熱透明化によりバッファ層２及
びコア膜３ｂを持つ平面光導波路膜を形成する（図７
（ｂ））。マスク４を用いたドライエッチングプロセス
によるパターン化によって凸状断面形状又は矩形断面形
状のコア３を有する３次元光導波路を形成する（図７
（ｃ）、（ｄ））。この３次元光導波路上に石英ガラス
からなるクラッド用多孔質膜５ａを形成し（図７
（ｅ））、その加熱透明化によりクラッド層５を形成す
ることにより実現されている（図７（ｆ）、宮下：光導
波路技術、１．最近の光導波路技術、O plus E No.78 p
p.59-67 ）。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図７に
示した石英系ガラス導波路の製造方法には次のような問
題があった。
示した石英系ガラス導波路の製造方法には次のような問
題があった。
【０００６】(1) コア３の屈折率とクラッド層５の屈折
率との差の大きいガラス導波路を製造するために屈折率
制御用添加物を含んだコアガラス膜をバッファ層の上に
形成すると、基板全体が熱膨張係数の違いによって反り
を生じ、その反り量が１０μｍをはるかに超える大きな
値となるので、高寸法精度の光回路をパターニングする
ことが難しい。この点で屈折率差を大きくするには限界
があった。
率との差の大きいガラス導波路を製造するために屈折率
制御用添加物を含んだコアガラス膜をバッファ層の上に
形成すると、基板全体が熱膨張係数の違いによって反り
を生じ、その反り量が１０μｍをはるかに超える大きな
値となるので、高寸法精度の光回路をパターニングする
ことが難しい。この点で屈折率差を大きくするには限界
があった。
【０００７】(2) 屈折率の高いコア用多孔質膜を堆積さ
せても、図７（ｂ）の焼結プロセスで屈折率制御用添加
物が揮散してしまい、屈折率の高いコア３を実現するこ
とが難しく、１．４７を超えることができず比屈折率差
Δの限界は１％であった。
せても、図７（ｂ）の焼結プロセスで屈折率制御用添加
物が揮散してしまい、屈折率の高いコア３を実現するこ
とが難しく、１．４７を超えることができず比屈折率差
Δの限界は１％であった。
【０００８】(3) 屈折率制御用添加物を多く含んだコア
３を図７（ｄ）に示すように、ドライエッチングプロセ
スによりパターニングすると、コア３を構成するＳｉＯ
2 のエッチング速度と屈折率制御用添加物のエッチング
速度との違いによってエッチング側面が凹凸状に荒れて
散乱損失が増加する。
３を図７（ｄ）に示すように、ドライエッチングプロセ
スによりパターニングすると、コア３を構成するＳｉＯ
2 のエッチング速度と屈折率制御用添加物のエッチング
速度との違いによってエッチング側面が凹凸状に荒れて
散乱損失が増加する。
【０００９】(4) 透明で緻密な膜を形成するため２回の
焼結プロセス（図７（ｂ），（ｆ））があるので製造時
間が長くかかる。このため電気、ガス、水道等の消費量
が増加する。
焼結プロセス（図７（ｂ），（ｆ））があるので製造時
間が長くかかる。このため電気、ガス、水道等の消費量
が増加する。
【００１０】(5) 図７（ａ），（ｅ）の多孔質膜形成プ
ロセスでは膜中にＯＨ基が混入し、これによる吸収損失
によって光導波路の損失が増加する。
ロセスでは膜中にＯＨ基が混入し、これによる吸収損失
によって光導波路の損失が増加する。
【００１１】(6) 図８（ａ）に示すように屈折率１．４
６以上の高いコア膜を形成させようとすると、Ｔｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｐ等の屈折率制御用添加物を１０モル％以上
も添加させなければならない。しかし、それにつれて熱
膨張係数が大きく変化する（図８（ｂ））。そのため、
コア膜形成時に基板が反りを生じ、問題点(1) で述べた
ような問題点につながる。尚、図８（ａ）はＳｉＯ2 中
の添加物濃度と屈折率との関係を示す図であり、図８
（ｂ）はＳｉＯ2 中への添加物濃度と膨張係数との関係
を示す図である。図８（ａ）において横軸が添加物濃
度、縦軸が屈折率を示し、図８（ｂ）において横軸が添
加物濃度、縦軸が膨張係数を示す。
６以上の高いコア膜を形成させようとすると、Ｔｉ、Ｇ
ｅ、Ａｌ、Ｐ等の屈折率制御用添加物を１０モル％以上
も添加させなければならない。しかし、それにつれて熱
膨張係数が大きく変化する（図８（ｂ））。そのため、
コア膜形成時に基板が反りを生じ、問題点(1) で述べた
ような問題点につながる。尚、図８（ａ）はＳｉＯ2 中
の添加物濃度と屈折率との関係を示す図であり、図８
（ｂ）はＳｉＯ2 中への添加物濃度と膨張係数との関係
を示す図である。図８（ａ）において横軸が添加物濃
度、縦軸が屈折率を示し、図８（ｂ）において横軸が添
加物濃度、縦軸が膨張係数を示す。
【００１２】そこで、本発明者は、逆にクラッドの屈折
率を、ＦをドープすることによりＳｉＯ2 よりも低い値
にし、結果的にコアとクラッド層との比屈折率差Δを大
きくとることを考え、プラズマＣＶＤ法によってＦをド
ープしたＳｉＯ2 を形成し、その膜の屈折率の熱処理温
度依存性を評価した。
率を、ＦをドープすることによりＳｉＯ2 よりも低い値
にし、結果的にコアとクラッド層との比屈折率差Δを大
きくとることを考え、プラズマＣＶＤ法によってＦをド
ープしたＳｉＯ2 を形成し、その膜の屈折率の熱処理温
度依存性を評価した。
【００１３】図９はＳｉ基板上にＦをドープしたＳｉＯ
2 膜を形成し、熱処理温度を変化させたときのＦドープ
ＳｉＯ2 膜の屈折率との関係を示す図である。横軸は熱
処理温度を示し、縦軸はＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率を
示している。
2 膜を形成し、熱処理温度を変化させたときのＦドープ
ＳｉＯ2 膜の屈折率との関係を示す図である。横軸は熱
処理温度を示し、縦軸はＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率を
示している。
【００１４】図９に示すＳｉ基板１０上に形成されたＦ
をドープＳｉＯ2 膜１１は、減圧排気されている反応管
内に、上部電極及び下部電極を設け、下部電極上にＳｉ
基板１０を設置して下部電極に設けたヒータで数百℃に
加熱し、上部電極側より有機オキシシラン系の蒸気、酸
化性ガス、Ｆを含んだガスをＳｉ基板１０上に噴射さ
せ、上部電極及び下部電極間に高周波電圧を印加してプ
ラズマ放電させながら成膜したものである。
をドープＳｉＯ2 膜１１は、減圧排気されている反応管
内に、上部電極及び下部電極を設け、下部電極上にＳｉ
基板１０を設置して下部電極に設けたヒータで数百℃に
加熱し、上部電極側より有機オキシシラン系の蒸気、酸
化性ガス、Ｆを含んだガスをＳｉ基板１０上に噴射さ
せ、上部電極及び下部電極間に高周波電圧を印加してプ
ラズマ放電させながら成膜したものである。
【００１５】ＳｉＯ2 膜１１は直径３インチのＳｉ基板
１０上に約１μｍの厚さに形成し、Ｆを含んだガスの流
量を変えることにより、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類を作製した。上記Ｓｉ基板１０を４等分に分割し、そ
れぞれ分割した基板を５００℃、８００℃、１０００
℃、１２００℃で熱処理し、屈折率の変化の様子を測定
した。熱処理条件は、電気炉内にＮ2 を５リットル／分
流し、２時間で上記温度まで昇温させ、ついで３時間の
間上記温度に保温し、最後に約３時間かけて室温まで降
下させる条件で行った。
１０上に約１μｍの厚さに形成し、Ｆを含んだガスの流
量を変えることにより、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類を作製した。上記Ｓｉ基板１０を４等分に分割し、そ
れぞれ分割した基板を５００℃、８００℃、１０００
℃、１２００℃で熱処理し、屈折率の変化の様子を測定
した。熱処理条件は、電気炉内にＮ2 を５リットル／分
流し、２時間で上記温度まで昇温させ、ついで３時間の
間上記温度に保温し、最後に約３時間かけて室温まで降
下させる条件で行った。
【００１６】その結果、同図に示すように光導波路の熱
処理温度を高くすると、成膜時の屈折率よりもはるかに
高い値の屈折率に変化し、１２００℃の熱処理を施した
後では、その屈折率はＳｉＯ2 の屈折率（１．４５７
５）と略等しいか、又はそれよりも高い値となってしま
い。これでは低屈折率用クラッド膜として使えないこと
が分かった。なぜならば、後述するように、コア膜及び
クラッド膜内に含まれているＯＨ基、Ｓｉ−Ｈ基等によ
る吸収損失を低減するためには、コア膜及びクラッド膜
を１２００℃程度の高温で熱処理することが必須の条件
であるためである。従って、このような高温熱処理を施
しても低屈折率値を保持できる膜、或いは導波路構造、
さらには製造方法の開発が重要になってくる。
処理温度を高くすると、成膜時の屈折率よりもはるかに
高い値の屈折率に変化し、１２００℃の熱処理を施した
後では、その屈折率はＳｉＯ2 の屈折率（１．４５７
５）と略等しいか、又はそれよりも高い値となってしま
い。これでは低屈折率用クラッド膜として使えないこと
が分かった。なぜならば、後述するように、コア膜及び
クラッド膜内に含まれているＯＨ基、Ｓｉ−Ｈ基等によ
る吸収損失を低減するためには、コア膜及びクラッド膜
を１２００℃程度の高温で熱処理することが必須の条件
であるためである。従って、このような高温熱処理を施
しても低屈折率値を保持できる膜、或いは導波路構造、
さらには製造方法の開発が重要になってくる。
【００１７】そこで、本発明の目的は、上記課題を解決
し、コアの屈折率とクラッド層の屈折率との差が大きい
高比屈折率差光導波路の製造方法を提供することにあ
る。
し、コアの屈折率とクラッド層の屈折率との差が大きい
高比屈折率差光導波路の製造方法を提供することにあ
る。
【００１８】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に本発明は、基板上にバッファ層を形成し、バッファ層
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施し、略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するものである。
に本発明は、基板上にバッファ層を形成し、バッファ層
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施し、略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するものである。
【００１９】上記構成に加え本発明は、バッファ層の屈
折率はＳｉＯ2 の屈折率より低くてもよい。
折率はＳｉＯ2 の屈折率より低くてもよい。
【００２０】上記構成に加え本発明は、クラッド層の上
にＳｉＯ2 保護層を被覆し、その後少なくとも８００℃
で熱処理してもよい。
にＳｉＯ2 保護層を被覆し、その後少なくとも８００℃
で熱処理してもよい。
【００２１】上記構成に加え本発明は、基板にＳｉＯ2
を用いてもよい。
を用いてもよい。
【００２２】上記構成に加え本発明は、マスクパターン
によりコアのみならずバッファ層も略矩形断面形状に形
成してもよい。
によりコアのみならずバッファ層も略矩形断面形状に形
成してもよい。
【００２３】フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバ
ッファ層を形成した後コア膜を形成し、少なくとも１０
００℃で熱処理を行うことにより、コア膜がバッファ層
の保護膜として働き、バッファ層からのフッ素の揮散を
防ぐことができるため、熱処理によるバッファ層の屈折
率上昇を低く抑えることができる。
ッファ層を形成した後コア膜を形成し、少なくとも１０
００℃で熱処理を行うことにより、コア膜がバッファ層
の保護膜として働き、バッファ層からのフッ素の揮散を
防ぐことができるため、熱処理によるバッファ層の屈折
率上昇を低く抑えることができる。
【００２４】バッファ層の屈折率をＳｉＯ2 の屈折率よ
り低くすることにより、コアとの屈折率差を大きくする
ことができる。
り低くすることにより、コアとの屈折率差を大きくする
ことができる。
【００２５】クラッド層の上にＳｉＯ2 保護層を被覆す
ることにより、熱処理時のフッ素の拡散による揮散が防
止されると共に、ＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する際
の接続損失が低下する。
ることにより、熱処理時のフッ素の拡散による揮散が防
止されると共に、ＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する際
の接続損失が低下する。
【００２６】基板にＳｉＯ2 を用いることにより、光導
波路の入出力端面にＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する
際の接続損失が低下する。
波路の入出力端面にＳｉＯ2 系の光ファイバを接続する
際の接続損失が低下する。
【００２７】コアのみならずバッファ層も略矩形断面形
状に形成することにより、コアの側面が滑らかになると
共に、垂直性よく加工することができる。すなわち、コ
ア膜のみを加工しようとすると、コア膜とバッファ層と
の境界面の不整合が生じやすくなり光散乱による損失を
誘引する。これに対し、バッファ層まで連続的にエッチ
ング加工するとコアとバッファ層との境界面が略連続的
に形成される。
状に形成することにより、コアの側面が滑らかになると
共に、垂直性よく加工することができる。すなわち、コ
ア膜のみを加工しようとすると、コア膜とバッファ層と
の境界面の不整合が生じやすくなり光散乱による損失を
誘引する。これに対し、バッファ層まで連続的にエッチ
ング加工するとコアとバッファ層との境界面が略連続的
に形成される。
【００２８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて詳述する。
図面に基づいて詳述する。
【００２９】図２は本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法を適用した光導波路の一実施の形態を示す断面図
である。
造方法を適用した光導波路の一実施の形態を示す断面図
である。
【００３０】同図に示すように、Ｓｉ或いはＳｉＯ2 系
の基板２０の上にフッ素ＦをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＦドープＳｉＯ2 膜」という。）からなるバッファ
層２１が形成されている。このバッファ層２１の上には
略矩形状のコア２２が形成され、コア２２及びバッファ
層２１を覆うように、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラ
ッド層２３が形成されている。これら基板２０、バッフ
ァ層２１、コア２２及びクラッド層２３で高比屈折率差
光導波路２４が構成されている。
の基板２０の上にフッ素ＦをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＦドープＳｉＯ2 膜」という。）からなるバッファ
層２１が形成されている。このバッファ層２１の上には
略矩形状のコア２２が形成され、コア２２及びバッファ
層２１を覆うように、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラ
ッド層２３が形成されている。これら基板２０、バッフ
ァ層２１、コア２２及びクラッド層２３で高比屈折率差
光導波路２４が構成されている。
【００３１】コア２２は、ＳｉＯ2 或いはＳｉＯ2 に
Ｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐ、Ｔａ等の屈折率制御用ドーパント
を少なくとも１種類含んだものからなっている。バッフ
ァ層２１の屈折率とクラッド層２３の屈折率とは略等し
い値となっている。
Ｎ、Ｇｅ、Ｔｉ、Ｐ、Ｔａ等の屈折率制御用ドーパント
を少なくとも１種類含んだものからなっている。バッフ
ァ層２１の屈折率とクラッド層２３の屈折率とは略等し
い値となっている。
【００３２】ここで、図３は光導波路に用いるＦドープ
ＳｉＯ2 膜の屈折率とその熱処理温度との関係を示す図
であり、横軸が熱処理温度、縦軸がＦドープＳｉＯ2 膜
屈折率を示す。
ＳｉＯ2 膜の屈折率とその熱処理温度との関係を示す図
であり、横軸が熱処理温度、縦軸がＦドープＳｉＯ2 膜
屈折率を示す。
【００３３】同図に示す測定対象としての光導波路に
は、Ｓｉ基板３０上に、バッファ層としてのＦドープＳ
ｉＯ2 膜３１を約５μｍ形成し、ＦドープＳｉＯ2 膜３
１の上にコア膜としてのＮをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＮドープＳｉＯ2 膜」という。）３２を約３μｍ形
成したものを用いた。これらのＳｉＯ2 膜３１、３２
は、プラズマＣＶＤ法によって形成した。但し、Ｎドー
プＳｉＯ2 膜は、プロセスガスとしてＳｉＨ4 とＮ2 と
Ｎ2 Ｏとを用いて成膜した。
は、Ｓｉ基板３０上に、バッファ層としてのＦドープＳ
ｉＯ2 膜３１を約５μｍ形成し、ＦドープＳｉＯ2 膜３
１の上にコア膜としてのＮをドープしたＳｉＯ2 膜（以
下「ＮドープＳｉＯ2 膜」という。）３２を約３μｍ形
成したものを用いた。これらのＳｉＯ2 膜３１、３２
は、プラズマＣＶＤ法によって形成した。但し、Ｎドー
プＳｉＯ2 膜は、プロセスガスとしてＳｉＨ4 とＮ2 と
Ｎ2 Ｏとを用いて成膜した。
【００３４】上記光導波路を、ＦドープＳｉＯ2 膜３１
のＦドープ量を変えて、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類作製し、前述した図９と同様な実験測定を行った。
のＦドープ量を変えて、波長０．６３μｍでの屈折率が
約１．４４８のものと、約１．４５１５のものとの２種
類作製し、前述した図９と同様な実験測定を行った。
【００３５】図３から、ＦドープＳｉＯ2 膜上に約３μ
ｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い温度で熱処理を
施しても、ＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率の上昇は図９に
示した特性曲線と比較してはるかに小さいことが分かる
（図３の特性曲線に示すように、ＦドープＳｉＯ2 膜の
屈折率の熱処理温度依存性は本発明者が見出したもので
あり、本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法におけ
る重要な要素である。）。
ｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い温度で熱処理を
施しても、ＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率の上昇は図９に
示した特性曲線と比較してはるかに小さいことが分かる
（図３の特性曲線に示すように、ＦドープＳｉＯ2 膜の
屈折率の熱処理温度依存性は本発明者が見出したもので
あり、本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法におけ
る重要な要素である。）。
【００３６】このように本発明者は、ＦドープＳｉＯ2
膜上に約３μｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い熱
処理温度で熱処理を施してもＦドープＳｉＯ2 膜の屈折
率の上昇は、コア膜を形成しないで熱処理を施したもの
と比較してはるかに小さいことが分った。このことか
ら、Ｆドープ膜を高温で熱処理する場合には、その膜上
には必ずＦの拡散による揮散を防ぐように保護膜を形成
しておいてから行えばよいことを見出した。本発明の高
比屈折率差光導波路の製造方法はこの事実を基にして構
成されている。
膜上に約３μｍの厚いコア膜を形成しておくと、高い熱
処理温度で熱処理を施してもＦドープＳｉＯ2 膜の屈折
率の上昇は、コア膜を形成しないで熱処理を施したもの
と比較してはるかに小さいことが分った。このことか
ら、Ｆドープ膜を高温で熱処理する場合には、その膜上
には必ずＦの拡散による揮散を防ぐように保護膜を形成
しておいてから行えばよいことを見出した。本発明の高
比屈折率差光導波路の製造方法はこの事実を基にして構
成されている。
【００３７】以下、本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法について図１（ａ）〜図１（ｇ）を参照して説明
する。図１（ａ）〜図１（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図であ
る。
造方法について図１（ａ）〜図１（ｇ）を参照して説明
する。図１（ａ）〜図１（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の一実施の形態を示す工程図であ
る。
【００３８】まず、Ｓｉ或いはＳｉＯ2 系の基板２０上
に、「ＦドープＳｉＯ2 膜」からなるバッファ層２１を
前述したプラズマＣＶＤ法によって形成する（図１
（ａ））。
に、「ＦドープＳｉＯ2 膜」からなるバッファ層２１を
前述したプラズマＣＶＤ法によって形成する（図１
（ａ））。
【００３９】バッファ層２１の上にＮドープＳｉＯ2 膜
からなるコア膜２２ａを同じくプラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。尚、コア膜２２ａは電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法等で形成してもよい。すなわち、タブレ
ットやターゲットとしてＳｉ3 Ｎ4 とＳｉＯ2 を用いれ
ば、コア膜２２ａを容易に形成することができるためで
ある（図１（ｂ））。
からなるコア膜２２ａを同じくプラズマＣＶＤ法によっ
て形成する。尚、コア膜２２ａは電子ビーム蒸着法やス
パッタリング法等で形成してもよい。すなわち、タブレ
ットやターゲットとしてＳｉ3 Ｎ4 とＳｉＯ2 を用いれ
ば、コア膜２２ａを容易に形成することができるためで
ある（図１（ｂ））。
【００４０】これらバッファ層２１及びコア膜２２ａを
形成した後、熱処理を行う。このときの熱処理温度は、
ＮドープＳｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａ中のＯＨ基や
Ｓｉ−Ｈ基を低減させるため約１２００℃の高温に設定
する。熱処理中の雰囲気は、前述したＮ2 雰囲気の他に
Ａｒ、Ｏ2 等の雰囲気でもよい。この熱処理を行った段
階において、コア膜２２ａとバッファ層２１との比屈折
率差Δは０．４％から８％近くまで実現することができ
る。
形成した後、熱処理を行う。このときの熱処理温度は、
ＮドープＳｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａ中のＯＨ基や
Ｓｉ−Ｈ基を低減させるため約１２００℃の高温に設定
する。熱処理中の雰囲気は、前述したＮ2 雰囲気の他に
Ａｒ、Ｏ2 等の雰囲気でもよい。この熱処理を行った段
階において、コア膜２２ａとバッファ層２１との比屈折
率差Δは０．４％から８％近くまで実現することができ
る。
【００４１】なぜならば、ＳｉＯ2 とバッファ層２１と
の比屈折率差Δは約−０．４４％もとれ、かつ、コア膜
２２ａとＳｉＯ2 との比屈折率差ΔはＮ濃度を制御する
ことにより、７％強まで得ることができるからである。
このコア膜２２ａとバッファ層２１との組み合わせに
は、いずれも５００℃以下の低温で成膜することができ
ること、基板２０の反りがすくないこと、同じプラズマ
ＣＶＤ装置を使って成膜できることなどの利点がある。
の比屈折率差Δは約−０．４４％もとれ、かつ、コア膜
２２ａとＳｉＯ2 との比屈折率差ΔはＮ濃度を制御する
ことにより、７％強まで得ることができるからである。
このコア膜２２ａとバッファ層２１との組み合わせに
は、いずれも５００℃以下の低温で成膜することができ
ること、基板２０の反りがすくないこと、同じプラズマ
ＣＶＤ装置を使って成膜できることなどの利点がある。
【００４２】つまり、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるバッ
ファ層２１は、有機オキシシラン系の蒸気の代わりに、
ＳｉＨ4 ガスを用いることによって同性能の膜を形成す
ることができるためである。
ファ層２１は、有機オキシシラン系の蒸気の代わりに、
ＳｉＨ4 ガスを用いることによって同性能の膜を形成す
ることができるためである。
【００４３】次にコア膜２２ａ上にスパッタリング法に
よってＷＳｉ膜２５ａを形成する。その後、このＷＳｉ
膜２５ａの上にフォトリソグラフィを施すことにより導
波路のマスクパターンとしてのフォトレジストパターン
２６を形成する（図１（ｃ））。
よってＷＳｉ膜２５ａを形成する。その後、このＷＳｉ
膜２５ａの上にフォトリソグラフィを施すことにより導
波路のマスクパターンとしてのフォトレジストパターン
２６を形成する（図１（ｃ））。
【００４４】ついで反応性イオンエッチング装置（図示
せず）を用いてフォトレジストパターンをマスクにして
ＷＳｉパターン２５を形成する。ＷＳｉパターン２５を
形成した後、そのＷＳｉパターン２５上のフォトレジス
トパターンを酸素アッシング装置を用いて除去する（図
１（ｄ））。
せず）を用いてフォトレジストパターンをマスクにして
ＷＳｉパターン２５を形成する。ＷＳｉパターン２５を
形成した後、そのＷＳｉパターン２５上のフォトレジス
トパターンを酸素アッシング装置を用いて除去する（図
１（ｄ））。
【００４５】ＷＳｉパターン２５上のフォトレジストパ
ターンが除去されたら、反応性イオンエッチング装置を
用いてＷＳｉパターン２５をマスクとしてコア膜２２ａ
をパターニングし、略矩形断面形状のコア２２を形成す
る（図１（ｅ））。
ターンが除去されたら、反応性イオンエッチング装置を
用いてＷＳｉパターン２５をマスクとしてコア膜２２ａ
をパターニングし、略矩形断面形状のコア２２を形成す
る（図１（ｅ））。
【００４６】コア２２を形成した後、反応性イオンエッ
チング装置を用いてコア２２上のＷＳｉパターン２５を
剥離する。尚、ＷＳｉ膜２５ａのパターニングや剥離に
はＮＦ3 ガスを用いて行う。コア膜２２ａのパターニン
グにはＣＨＦ3 ガスを用いて行う（図１（ｆ））。
チング装置を用いてコア２２上のＷＳｉパターン２５を
剥離する。尚、ＷＳｉ膜２５ａのパターニングや剥離に
はＮＦ3 ガスを用いて行う。コア膜２２ａのパターニン
グにはＣＨＦ3 ガスを用いて行う（図１（ｆ））。
【００４７】最後にバッファ層２１及びコア２２の表面
をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆う。
このクラッド層２３は前述のプラズマＣＶＤ法によって
成膜する（図１（ｇ））。
をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆う。
このクラッド層２３は前述のプラズマＣＶＤ法によって
成膜する（図１（ｇ））。
【００４８】以上のような製造方法を用いることによ
り、コア２２の屈折率とクラッド層２３の屈折率との差
が大きい高比屈折率差光導波路２４を実現することがで
きる。図４（ａ）〜図４（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。図４（ａ）〜図４（ｆ）までの工程は図１（ａ）〜
図１（ｆ）までの工程と共通であるため説明は省略す
る。
り、コア２２の屈折率とクラッド層２３の屈折率との差
が大きい高比屈折率差光導波路２４を実現することがで
きる。図４（ａ）〜図４（ｇ）は本発明の高比屈折率差
光導波路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図であ
る。図４（ａ）〜図４（ｆ）までの工程は図１（ａ）〜
図１（ｆ）までの工程と共通であるため説明は省略す
る。
【００４９】図１に示した工程と異なる点の第１は図４
（ｇ）に示すようにＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッ
ド層２３の上にＳｉＯ2 保護層２７を形成した点であ
り、第２の点はこのＳｉＯ2 保護層２７の形成後、熱処
理を施す点である。ＳｉＯ2 保護層２７は、熱処理を施
すときにＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率変化を小さく抑え
るためのものである。このようにＳｉＯ2 保護層の形成
後、熱処理を施すことによりＦドープＳｉＯ2 膜中のＯ
Ｈ基を低減させることができ、より低損失な光導波路２
８を実現することができる。
（ｇ）に示すようにＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッ
ド層２３の上にＳｉＯ2 保護層２７を形成した点であ
り、第２の点はこのＳｉＯ2 保護層２７の形成後、熱処
理を施す点である。ＳｉＯ2 保護層２７は、熱処理を施
すときにＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率変化を小さく抑え
るためのものである。このようにＳｉＯ2 保護層の形成
後、熱処理を施すことによりＦドープＳｉＯ2 膜中のＯ
Ｈ基を低減させることができ、より低損失な光導波路２
８を実現することができる。
【００５０】図５（ａ）〜図５（ｇ）は本発明の高比屈
折率差光導波路の製造方法のさらに他の実施の形態を示
す工程図である。尚、図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工
程は図１（ａ）〜図１（ｄ）までの工程と共通のため説
明は省略する。
折率差光導波路の製造方法のさらに他の実施の形態を示
す工程図である。尚、図５（ａ）〜図５（ｄ）までの工
程は図１（ａ）〜図１（ｄ）までの工程と共通のため説
明は省略する。
【００５１】図１に示した工程と異なる点は図５（ｅ）
に示すように、ＷＳｉパターン２５をマスクにして、Ｆ
ドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ層２１とＮドープＳ
ｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａとを反応性イオンエッチ
ングにより、同時に略矩形断面形状に加工する点であ
る。すなわち、基板２０上に略矩形断面形状のバッファ
２１ａ及びコア２２を積層する点である（図５
（ｆ））。
に示すように、ＷＳｉパターン２５をマスクにして、Ｆ
ドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ層２１とＮドープＳ
ｉＯ2 膜からなるコア膜２２ａとを反応性イオンエッチ
ングにより、同時に略矩形断面形状に加工する点であ
る。すなわち、基板２０上に略矩形断面形状のバッファ
２１ａ及びコア２２を積層する点である（図５
（ｆ））。
【００５２】基板２０、バッファ２１ａ及びコア２２の
表面をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆
う（図５（ｇ））。
表面をＦドープＳｉＯ2 膜からなるクラッド層２３で覆
う（図５（ｇ））。
【００５３】このような工程によって、図６に示すよう
な構造の光導波路２９を製造することができる。尚、図
４（ｇ）に示したように、クラッド層２３の上にＳｉＯ
2 保護層２７を形成して熱処理工程とを付加してもよ
い。
な構造の光導波路２９を製造することができる。尚、図
４（ｇ）に示したように、クラッド層２３の上にＳｉＯ
2 保護層２７を形成して熱処理工程とを付加してもよ
い。
【００５４】図６は本発明の高比屈折率差光導波路の製
造方法を適用した光導波路の他の実施の形態を示す断面
図である。図２に示した光導波路の実施の形態との相違
点は、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ２１ａの領
域が非常に狭く、コア２２のすぐ真下の領域に限られた
構造となっている点である。このような光導波路２９に
おいても高い比屈折率差が得られる。
造方法を適用した光導波路の他の実施の形態を示す断面
図である。図２に示した光導波路の実施の形態との相違
点は、ＦドープＳｉＯ2 膜からなるバッファ２１ａの領
域が非常に狭く、コア２２のすぐ真下の領域に限られた
構造となっている点である。このような光導波路２９に
おいても高い比屈折率差が得られる。
【００５５】以上において、図１（ａ）〜図１（ｇ）、
図４（ａ）〜図４（ｇ）及び図５（ａ）〜図５（ｇ）に
示した製造方法において、基板２０とバッファ層２１と
の間に、ＳｉＯ2 膜（最大膜厚数μｍ）を形成し、基板
２０とバッファ層２１との密着性を改善したり、基板２
０からバッファ層２１への不純物の混入抑圧用として作
用させるようにしてもよい。さらに図４において、基板
２０にＳｉＯ2 を用いれば、コア２２の屈折率ｎｗが最
も高く、バッファ層２１の屈折率ｎｂがＳｉＯ2 の屈折
率よりも低くなり、またクラッド層２３の屈折率ｎｃも
バッファ層２１の屈折率ｎｂに等しくすれば、バッファ
層２１及びクラッド層２３はいわゆる中間層としての役
目をもち、基板２０とＳｉＯ2 保護層２７が通常のクラ
ッドとして作用することになり、この光導波路の両端面
にＳｉＯ2 系光ファイバを接続する場合に結合損失を小
さくして接続することができるという利点がある。
図４（ａ）〜図４（ｇ）及び図５（ａ）〜図５（ｇ）に
示した製造方法において、基板２０とバッファ層２１と
の間に、ＳｉＯ2 膜（最大膜厚数μｍ）を形成し、基板
２０とバッファ層２１との密着性を改善したり、基板２
０からバッファ層２１への不純物の混入抑圧用として作
用させるようにしてもよい。さらに図４において、基板
２０にＳｉＯ2 を用いれば、コア２２の屈折率ｎｗが最
も高く、バッファ層２１の屈折率ｎｂがＳｉＯ2 の屈折
率よりも低くなり、またクラッド層２３の屈折率ｎｃも
バッファ層２１の屈折率ｎｂに等しくすれば、バッファ
層２１及びクラッド層２３はいわゆる中間層としての役
目をもち、基板２０とＳｉＯ2 保護層２７が通常のクラ
ッドとして作用することになり、この光導波路の両端面
にＳｉＯ2 系光ファイバを接続する場合に結合損失を小
さくして接続することができるという利点がある。
【００５６】同様に図５（ａ）〜図５（ｇ）に示した製
造工程の場合も図４（ｇ）に示したＳｉＯ2 保護層２７
の形成と熱処理工程とを付加すれば、上記のような利点
が得られる。
造工程の場合も図４（ｇ）に示したＳｉＯ2 保護層２７
の形成と熱処理工程とを付加すれば、上記のような利点
が得られる。
【００５７】以上において本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法には以下のような効果がある。
路の製造方法には以下のような効果がある。
【００５８】(1) 比屈折率差Δを容易に大きくすること
ができる（最大８％）。しかも、比屈折率差Δを大きく
しても基板の反りは小さく、高寸法精度の光導波路型回
路をさらに小型にでき、それによって低損失、低コスト
化が実現できる。
ができる（最大８％）。しかも、比屈折率差Δを大きく
しても基板の反りは小さく、高寸法精度の光導波路型回
路をさらに小型にでき、それによって低損失、低コスト
化が実現できる。
【００５９】(2) 約１２００℃の高温熱処理を施すの
で、ＯＨ基やＳｉ−Ｈ基等の不要な吸収損失を大幅に低
減させることができ、かつ、それにもかかわらず従来よ
りもさらに高比屈折率差Δ化を実現することができる。
で、ＯＨ基やＳｉ−Ｈ基等の不要な吸収損失を大幅に低
減させることができ、かつ、それにもかかわらず従来よ
りもさらに高比屈折率差Δ化を実現することができる。
【００６０】(3) プラズマＣＶＤ装置を使用するだけで
光導波路のバッファ層、コア膜及びクラッド層、さらに
は保護層を形成することができるので、低コスト化が図
れる。(4) コアを覆うバッファ層、クラッド層の屈折率
をＳｉＯ2 よりも低い値にすることができるので、分散
量の大きい導波路型光デバイス例えば分散補償用光デバ
イスを、小型、低損失で実現することができる。
光導波路のバッファ層、コア膜及びクラッド層、さらに
は保護層を形成することができるので、低コスト化が図
れる。(4) コアを覆うバッファ層、クラッド層の屈折率
をＳｉＯ2 よりも低い値にすることができるので、分散
量の大きい導波路型光デバイス例えば分散補償用光デバ
イスを、小型、低損失で実現することができる。
【００６１】
【発明の効果】以上要するに本発明によれば、次のよう
な優れた効果を発揮する。
な優れた効果を発揮する。
【００６２】基板上にバッファ層を形成し、バッファ層
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するので、コアの屈
折率とクラッド層の屈折率との差が大きい高比屈折率差
光導波路の製造方法を実現することができる。
の上にコア膜を形成し、コア膜に導波路のマスクパター
ンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面形状
のコアを形成し、コア及びバッファ層の上にクラッド層
を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法において、
フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いてバッファ層を形
成した後上記コア膜を形成し、少なくとも１０００℃で
熱処理を行い、その後フォトリソグラフィを施して略矩
形断面形状のコアを形成し、次いでフッ素をドープした
ＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成するので、コアの屈
折率とクラッド層の屈折率との差が大きい高比屈折率差
光導波路の製造方法を実現することができる。
【図１】（ａ）〜（ｇ）は本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
路の製造方法の一実施の形態を示す工程図である。
【図２】本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法を適
用した光導波路の一実施の形態を示す断面図である。
用した光導波路の一実施の形態を示す断面図である。
【図３】光導波路に用いるＦドープＳｉＯ2 膜の屈折率
とその熱処理温度との関係を示す図である。
とその熱処理温度との関係を示す図である。
【図４】（ａ）〜（ｇ）は本発明の高比屈折率差光導波
路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図である。
路の製造方法の他の実施の形態を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｇ）本発明の高比屈折率差光導波路
の製造方法のさらに他の実施の形態を示す工程図であ
る。
の製造方法のさらに他の実施の形態を示す工程図であ
る。
【図６】本発明の高比屈折率差光導波路の製造方法を適
用した光導波路の他の実施の形態を示す断面図である。
用した光導波路の他の実施の形態を示す断面図である。
【図７】（ａ）〜（ｆ）は光導波路の製造方法の従来例
を示す図である。
を示す図である。
【図８】（ａ）はＳｉＯ2 中への添加物濃度と屈折率と
の関係を示す図であり、（ｂ）はＳｉＯ2 中の添加物濃
度と膨張係数との関係を示す図である。
の関係を示す図であり、（ｂ）はＳｉＯ2 中の添加物濃
度と膨張係数との関係を示す図である。
【図９】Ｓｉ基板上にＦをドープしたＳｉＯ2 膜を形成
し、熱処理温度を変化させたときのＦドープＳｉＯ2 膜
の屈折率との関係を示す図である。
し、熱処理温度を変化させたときのＦドープＳｉＯ2 膜
の屈折率との関係を示す図である。
２０ 基板（Ｓｉ基板） ２１ バッファ層 ２２ コア ２２ａ コア膜 ２３ クラッド層
Claims (5)
- 【請求項１】基板上にバッファ層を形成し、該バッファ
層の上にコア膜を形成し、該コア膜に導波路のマスクパ
ターンを用いてフォトリソグラフィを施して略矩形断面
形状のコアを形成し、該コア及び上記バッファ層の上に
クラッド層を形成する高比屈折率差光導波路の製造方法
において、フッ素をドープしたＳｉＯ2 膜を用いて上記
バッファ層を形成した後上記コア膜を形成し、少なくと
も１０００℃で熱処理を行い、その後フォトリソグラフ
ィを施して略矩形断面形状のコアを形成し、次いでフッ
素をドープしたＳｉＯ2 膜をクラッド層として形成する
ことを特徴とする高比屈折率差光導波路の製造方法。 - 【請求項２】上記バッファ層の屈折率は上記ＳｉＯ2 の
屈折率より低い請求項１記載の高比屈折率差光導波路の
製造方法。 - 【請求項３】上記クラッド層の上にＳｉＯ2 保護層を被
覆し、その後少なくとも８００℃で熱処理する請求項１
または２記載の高比屈折率差光導波路の製造方法。 - 【請求項４】上記基板にＳｉＯ2 を用いた請求項１から
３のいずれかに記載の高比屈折率差光導波路の製造方
法。 - 【請求項５】上記マスクパターンによりコアのみならず
バッファ層も略矩形断面形状に形成した請求項１から４
のいずれかに記載の高比屈折率差光導波路の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4587196A JPH09243846A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 高比屈折率差光導波路の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP4587196A JPH09243846A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 高比屈折率差光導波路の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09243846A true JPH09243846A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=12731277
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP4587196A Pending JPH09243846A (ja) | 1996-03-04 | 1996-03-04 | 高比屈折率差光導波路の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09243846A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0973050A3 (de) * | 1998-07-15 | 2000-11-29 | Alcatel | Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur |
| WO2007004575A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光導波路フィルムおよび光電気混載フィルム |
| JP2013171261A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路及びその作製方法 |
-
1996
- 1996-03-04 JP JP4587196A patent/JPH09243846A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP0973050A3 (de) * | 1998-07-15 | 2000-11-29 | Alcatel | Verfahren zur Herstellung planarer Wellenleiterstrukturen sowie Wellenleiterstruktur |
| US6356694B1 (en) | 1998-07-15 | 2002-03-12 | Alcatel | Process for producing planar waveguide structures as well as waveguide structure |
| WO2007004575A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2007-01-11 | Mitsui Chemicals, Inc. | 光導波路フィルムおよび光電気混載フィルム |
| JPWO2007004575A1 (ja) * | 2005-06-30 | 2009-01-29 | 三井化学株式会社 | 光導波路フィルムおよび光電気混載フィルム |
| US7738755B2 (en) | 2005-06-30 | 2010-06-15 | Mitsui Chemicals, Inc. | Optical waveguide film and photoelectric film |
| JP4679580B2 (ja) * | 2005-06-30 | 2011-04-27 | 三井化学株式会社 | 光導波路フィルムおよび光電気混載フィルム |
| JP2013171261A (ja) * | 2012-02-22 | 2013-09-02 | Nippon Telegr & Teleph Corp <Ntt> | 光導波路及びその作製方法 |
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