JPH09246267A - Ｃｖｄ法による酸化珪素膜の製造方法 - Google Patents
Ｃｖｄ法による酸化珪素膜の製造方法Info
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- JPH09246267A JPH09246267A JP9163896A JP9163896A JPH09246267A JP H09246267 A JPH09246267 A JP H09246267A JP 9163896 A JP9163896 A JP 9163896A JP 9163896 A JP9163896 A JP 9163896A JP H09246267 A JPH09246267 A JP H09246267A
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Landscapes
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 基板表面の凹凸を平坦化すること、製膜温度
を低下させること、製膜費用を安価にすること等を目的
とする。 【構成】 ジシランとテトラエトキシシランを主原料と
して併用しＣＶＤ法で酸化珪素膜を製造する。また、ジ
シランとテトラエトキシシランからなる主原料に、ホウ
酸エステル、リン酸エステルあるいは亜リン酸エステル
の一種以上の副原料を併用し、酸化珪素膜中に酸化ホウ
素あるいは酸化リンの一種以上を含有した酸化珪素膜を
製造する。
を低下させること、製膜費用を安価にすること等を目的
とする。 【構成】 ジシランとテトラエトキシシランを主原料と
して併用しＣＶＤ法で酸化珪素膜を製造する。また、ジ
シランとテトラエトキシシランからなる主原料に、ホウ
酸エステル、リン酸エステルあるいは亜リン酸エステル
の一種以上の副原料を併用し、酸化珪素膜中に酸化ホウ
素あるいは酸化リンの一種以上を含有した酸化珪素膜を
製造する。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、ＣＶＤ法による酸化珪
素膜、ホウ珪酸膜、リン珪酸膜およびホウリン珪酸膜の
製造方法に関する。
素膜、ホウ珪酸膜、リン珪酸膜およびホウリン珪酸膜の
製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体装置製造工程において、酸化珪素
膜は電気的絶縁体、誘電体，空間充填体、保護膜等とし
て用いられている。従来から酸化珪素系ＣＶＤ成膜材料
としては、ＳｉＨ４気体原料が用いられてきた。
膜は電気的絶縁体、誘電体，空間充填体、保護膜等とし
て用いられている。従来から酸化珪素系ＣＶＤ成膜材料
としては、ＳｉＨ４気体原料が用いられてきた。
【０００３】しかし、集積回路に使用されるパターン寸
法は回路パターンの高密度化とともに年々微細化の一途
をたどり、今やサブミクロンの時代に入っている。ま
た、集積回路の微細化、高集積化に伴い、配線のチップ
に占める面積が大きくなり、配線の多層化がますます進
展している。さらに、今後の多層配線においては、配線
抵抗を小さく維持する必要から配線のアスペクト比が大
きくなり、その結果、基板表面の凹凸はますます激しく
なっている。したがって、酸化珪素のような絶縁膜の平
坦化は欠くことのできない必須技術となっている。
法は回路パターンの高密度化とともに年々微細化の一途
をたどり、今やサブミクロンの時代に入っている。ま
た、集積回路の微細化、高集積化に伴い、配線のチップ
に占める面積が大きくなり、配線の多層化がますます進
展している。さらに、今後の多層配線においては、配線
抵抗を小さく維持する必要から配線のアスペクト比が大
きくなり、その結果、基板表面の凹凸はますます激しく
なっている。したがって、酸化珪素のような絶縁膜の平
坦化は欠くことのできない必須技術となっている。
【０００４】従来のＳｉＨ４気体原料を用いるＣＶＤプ
ロセスでは基板上の段差や凹凸を平坦化できない。ま
た、このＣＶＤプロセスでは狭い電極間やゲートのトレ
ンチにボイドを形成し著しく膜特性を悪化させる。この
ような欠点を克服するために、最近、ＳｉＨ４に代わっ
て液体原料であるテトラエトキシシランを用いるＣＶＤ
法が実用化され、盛んになっている。
ロセスでは基板上の段差や凹凸を平坦化できない。ま
た、このＣＶＤプロセスでは狭い電極間やゲートのトレ
ンチにボイドを形成し著しく膜特性を悪化させる。この
ような欠点を克服するために、最近、ＳｉＨ４に代わっ
て液体原料であるテトラエトキシシランを用いるＣＶＤ
法が実用化され、盛んになっている。
【０００５】また、半導体デバイス製造工程において、
デバイス表面に形成する配線層間を絶縁する目的で酸化
珪素あるいは酸化珪素を主成分として酸化リンや酸化ホ
ウ素を含有する酸化物膜が用いられている。この絶縁性
酸化物膜を形成する方法として、微細な配線層間の被覆
性や生産性のよいことから気体化した原料を反応室に導
き物理的化学的な反応を進めながら膜形成を行うＣＶＤ
法が利用されている。
デバイス表面に形成する配線層間を絶縁する目的で酸化
珪素あるいは酸化珪素を主成分として酸化リンや酸化ホ
ウ素を含有する酸化物膜が用いられている。この絶縁性
酸化物膜を形成する方法として、微細な配線層間の被覆
性や生産性のよいことから気体化した原料を反応室に導
き物理的化学的な反応を進めながら膜形成を行うＣＶＤ
法が利用されている。
【０００６】この気体化した原料としてテトラエトキシ
シランが多用されている。また、テトラエトキシシラン
を主原料としてホウ酸エチルエステルやリン酸トリメチ
ルエステルや亜リン酸トリメチルエステルを混用して酸
化ホウ素や酸化リンを含有する酸化珪素膜を形成するＣ
ＶＤ法が利用されている。
シランが多用されている。また、テトラエトキシシラン
を主原料としてホウ酸エチルエステルやリン酸トリメチ
ルエステルや亜リン酸トリメチルエステルを混用して酸
化ホウ素や酸化リンを含有する酸化珪素膜を形成するＣ
ＶＤ法が利用されている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかし、テトラエトキ
シシランを原料として利用するＣＶＤ法は、基板表面の
凹凸を平坦化する作用があるものの製膜に必要な基板温
度を高く保持しなければならない欠点がある。したがっ
て、本発明者等は、より低い温度で、しかも平坦化特性
も優れた酸化珪素膜をＣＶＤ法で製造する方法を先に特
許出願した（特願平２−３２１４６２号）。この出願
は、アルコキシシランとモノシランとを併用するもので
あった。しかし、この発明においては、その実施に際
し、原料濃度、反応温度、圧力等の条件が相互に深く関
係していてそれらを制御するに要する費用が高くなると
いう問題点がある。
シシランを原料として利用するＣＶＤ法は、基板表面の
凹凸を平坦化する作用があるものの製膜に必要な基板温
度を高く保持しなければならない欠点がある。したがっ
て、本発明者等は、より低い温度で、しかも平坦化特性
も優れた酸化珪素膜をＣＶＤ法で製造する方法を先に特
許出願した（特願平２−３２１４６２号）。この出願
は、アルコキシシランとモノシランとを併用するもので
あった。しかし、この発明においては、その実施に際
し、原料濃度、反応温度、圧力等の条件が相互に深く関
係していてそれらを制御するに要する費用が高くなると
いう問題点がある。
【０００８】本発明者等は、製膜条件を制御する反応系
を鋭意研究した結果、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明は、基板表面の凹凸を平坦化すること、製
膜温度を低下させること、製膜費用を安価にすること等
を目的とし、該先願発明の改良に関するものである。
を鋭意研究した結果、本発明を完成するに至った。すな
わち、本発明は、基板表面の凹凸を平坦化すること、製
膜温度を低下させること、製膜費用を安価にすること等
を目的とし、該先願発明の改良に関するものである。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、ジシランとテ
トラエトキシシランを主原料として併用し、ＣＶＤ法に
よって酸化珪素膜を製造する方法である。この場合、テ
トラエトキシシランとジシランとの混合比がテトラエト
キシシラン１モルに対してジシランが０．０１〜０．１
モルであることが好ましい。
トラエトキシシランを主原料として併用し、ＣＶＤ法に
よって酸化珪素膜を製造する方法である。この場合、テ
トラエトキシシランとジシランとの混合比がテトラエト
キシシラン１モルに対してジシランが０．０１〜０．１
モルであることが好ましい。
【００１０】また、ジシランとテトラエトキシシランか
らなる主原料に、ホウ酸エステル、リン酸エステルある
いは亜リン酸エステルの一種あるいは一種以上の副原料
を併用し、酸化珪素膜中に酸化ホウ素あるいは酸化リン
の一種あるいは一種以上を含有した酸化珪素膜を製造す
る方法である。
らなる主原料に、ホウ酸エステル、リン酸エステルある
いは亜リン酸エステルの一種あるいは一種以上の副原料
を併用し、酸化珪素膜中に酸化ホウ素あるいは酸化リン
の一種あるいは一種以上を含有した酸化珪素膜を製造す
る方法である。
【００１１】ジシランとテトラエトキシシランとホウ酸
エステルからなる原料系においては、ホウ酸エステルは
ホウ酸トリメチルエステルあるいはホウ酸トリエチルエ
ステルであり、テトラエトキシシランとホウ酸エステル
との混合比がテトラエトキシシラン１モルに対してホウ
酸エステルが０．０１〜０．２モルであり、ジシランが
テトラエトキシシラン１モルに対して０．０１〜０．１
モルであることが好ましい。
エステルからなる原料系においては、ホウ酸エステルは
ホウ酸トリメチルエステルあるいはホウ酸トリエチルエ
ステルであり、テトラエトキシシランとホウ酸エステル
との混合比がテトラエトキシシラン１モルに対してホウ
酸エステルが０．０１〜０．２モルであり、ジシランが
テトラエトキシシラン１モルに対して０．０１〜０．１
モルであることが好ましい。
【００１２】ジシランとテトラエトキシシランとリン酸
エステルあるいは亜リン酸エステルからなる原料系にお
いては、リン酸エステルあるいは亜リン酸エテスルはリ
ン酸トリメチルエステルあるいは亜リン酸トリメチルエ
ステルであり、テトラエトキシシランとリン酸エステル
あるいは亜リン酸エステルの混合比がテトラエトキシシ
ラン１モルに対してリン酸エステルあるいは亜リン酸エ
ステルが０．０１〜０．２モルであり、ジシランがテト
ラエトキシシラン１モルに対して０．０１〜０．１モル
であることが好ましい。
エステルあるいは亜リン酸エステルからなる原料系にお
いては、リン酸エステルあるいは亜リン酸エテスルはリ
ン酸トリメチルエステルあるいは亜リン酸トリメチルエ
ステルであり、テトラエトキシシランとリン酸エステル
あるいは亜リン酸エステルの混合比がテトラエトキシシ
ラン１モルに対してリン酸エステルあるいは亜リン酸エ
ステルが０．０１〜０．２モルであり、ジシランがテト
ラエトキシシラン１モルに対して０．０１〜０．１モル
であることが好ましい。
【００１３】ジシランとテトラエトキシシランとホウ酸
エステルとリン酸エステルあるいは亜リン酸エステルか
らなる原料系においては、ホウ酸エステルとリン酸エス
テルあるいは亜リン酸エステルとテトラエトキシシラン
との混合比がモル比で０．０１〜０．２：０．０１〜
０．２：１であり、ジシランがテトラエトキシシラン１
モルに対して０．０１〜０．１モルであることが好まし
い。
エステルとリン酸エステルあるいは亜リン酸エステルか
らなる原料系においては、ホウ酸エステルとリン酸エス
テルあるいは亜リン酸エステルとテトラエトキシシラン
との混合比がモル比で０．０１〜０．２：０．０１〜
０．２：１であり、ジシランがテトラエトキシシラン１
モルに対して０．０１〜０．１モルであることが好まし
い。
【００１４】本発明によれば、テトラエトキシシランあ
るいはテトラエトキシシランとホウ酸エステル、リン酸
エステル、亜リン酸エステル等とを混合した原料からな
る系での製膜温度より少なくとも１８℃低い温度で製膜
でき、さらに目的とする膜質によっては少なくとも２５
℃低い温度で製膜できる。
るいはテトラエトキシシランとホウ酸エステル、リン酸
エステル、亜リン酸エステル等とを混合した原料からな
る系での製膜温度より少なくとも１８℃低い温度で製膜
でき、さらに目的とする膜質によっては少なくとも２５
℃低い温度で製膜できる。
【００１５】また、テトラエトキシシランとモノシラン
からなる原料系では、その混合比を１００分の１の精度
で制御することを要し、混合気体の反応器への供給速度
を２００分の１１／ｍｉｎの精度に維持し、反応部温度
を±０．７℃に制御しなければ均一で再現性のよい製膜
ができないが、本発明によれば、ジシランとその他の原
料との混合比を４０分の１の精度で制御し、混合気体の
反応器への供給速度を５０分の１１／ｍｉｎの精度で制
御し、反応部温度を±５℃に制御することによって均一
で再現性のよい製膜が可能である。
からなる原料系では、その混合比を１００分の１の精度
で制御することを要し、混合気体の反応器への供給速度
を２００分の１１／ｍｉｎの精度に維持し、反応部温度
を±０．７℃に制御しなければ均一で再現性のよい製膜
ができないが、本発明によれば、ジシランとその他の原
料との混合比を４０分の１の精度で制御し、混合気体の
反応器への供給速度を５０分の１１／ｍｉｎの精度で制
御し、反応部温度を±５℃に制御することによって均一
で再現性のよい製膜が可能である。
【００１６】本発明に係るジシランとテトラエトキシシ
ランあるいはこれらとホウ酸エステル、リン酸エステ
ル、亜リン酸エステル等との相互作用と反応機構は明か
ではないが、ジシランのシリコンと水素の結合は反応活
性が高く、基板表面に吸着されると別に反応系内に供給
される酸素あるいはオゾンあるいは水分子と速やかに反
応し、基板表面の構成成分によらずに活性点を形成し、
テトラエトキシシランあるいはホウ酸エステル、リン酸
エステル、亜リン酸エステルが基板表面で分解縮合して
ガラス化する反応の基点をたえず生成するので、局所で
の反応の集中を抑制する結果、従来法に比較して低温で
も均一な製膜が可能になると考えられる。
ランあるいはこれらとホウ酸エステル、リン酸エステ
ル、亜リン酸エステル等との相互作用と反応機構は明か
ではないが、ジシランのシリコンと水素の結合は反応活
性が高く、基板表面に吸着されると別に反応系内に供給
される酸素あるいはオゾンあるいは水分子と速やかに反
応し、基板表面の構成成分によらずに活性点を形成し、
テトラエトキシシランあるいはホウ酸エステル、リン酸
エステル、亜リン酸エステルが基板表面で分解縮合して
ガラス化する反応の基点をたえず生成するので、局所で
の反応の集中を抑制する結果、従来法に比較して低温で
も均一な製膜が可能になると考えられる。
【００１７】また、モノシランとテトラエトキシシラン
からなる原料系では、膜形成を目的とする基板表面以外
の気相でもモノシランの反応が進行し、基板表面に固体
類似物として軟質で多孔性の実用に耐えない膜を形成す
る現象が発生する頻度が高かったが、本発明において
は、ジシラン分子中の水素の一部が気相中で反応しても
ジシランのもつＳｉ−Ｓｉ結合が酸化される速度は遅
く、基板表面において酸化反応が継続するため、反応エ
ネルギーは膜形成のエネルギーとして利用され、テトラ
エトキシシランの基板表面における反応を低温化すると
ともに、基板の表面層の凹凸を平坦化し緻密で実用に耐
え得る絶縁膜を形成すると考えられる。
からなる原料系では、膜形成を目的とする基板表面以外
の気相でもモノシランの反応が進行し、基板表面に固体
類似物として軟質で多孔性の実用に耐えない膜を形成す
る現象が発生する頻度が高かったが、本発明において
は、ジシラン分子中の水素の一部が気相中で反応しても
ジシランのもつＳｉ−Ｓｉ結合が酸化される速度は遅
く、基板表面において酸化反応が継続するため、反応エ
ネルギーは膜形成のエネルギーとして利用され、テトラ
エトキシシランの基板表面における反応を低温化すると
ともに、基板の表面層の凹凸を平坦化し緻密で実用に耐
え得る絶縁膜を形成すると考えられる。
【００１８】以下に本発明の実施例を詳細に説明する。
なお当然のことであるが、以下の実施例は本発明の一例
を示すものであって、本発明はこれらの実施例にのみ限
定されるものではない。
なお当然のことであるが、以下の実施例は本発明の一例
を示すものであって、本発明はこれらの実施例にのみ限
定されるものではない。
【００１９】
【実施例１】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率で
０．１：１：２となるように供給して製膜した。その膜
を電子顕微鏡で観察した結果、平坦性に優れ緻密で実用
に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率で
０．１：１：２となるように供給して製膜した。その膜
を電子顕微鏡で観察した結果、平坦性に優れ緻密で実用
に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２０】
【実施例２】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリメチルエ
ステル、オゾンを流量比率で０．０５：１：０．０７：
２となるように供給して製膜した。その結果、平坦性に
優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリメチルエ
ステル、オゾンを流量比率で０．０５：１：０．０７：
２となるように供給して製膜した。その結果、平坦性に
優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２１】
【実施例３】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、リン酸トリメチルエ
ステル、オゾンを流量比率で０．０５：１：０．０７：
２となるように供給して製膜した。その結果、平坦性に
優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、リン酸トリメチルエ
ステル、オゾンを流量比率で０．０５：１：０．０７：
２となるように供給して製膜した。その結果、平坦性に
優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２２】
【実施例４】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリエチルエ
ステル、リン酸トリメチルエステル、オゾンを流量比率
で０．０５：１：０．０４：０．０４：２となるように
供給して製膜した。その結果、平坦性に優れ緻密で実用
に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリエチルエ
ステル、リン酸トリメチルエステル、オゾンを流量比率
で０．０５：１：０．０４：０．０４：２となるように
供給して製膜した。その結果、平坦性に優れ緻密で実用
に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２３】
【実施例５】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリメチルエ
ステル、亜リン酸トリメチルエステル、オゾンを流量比
率で０．０５：１：０．０２：０．０４：２になるよう
に供給して製膜した。その結果、平坦性に優れ緻密で実
用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、ホウ酸トリメチルエ
ステル、亜リン酸トリメチルエステル、オゾンを流量比
率で０．０５：１：０．０２：０．０４：２になるよう
に供給して製膜した。その結果、平坦性に優れ緻密で実
用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２４】
【実施例６】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率で
０．１：１：２になるように供給し、供給速度を±３％
変化させて製膜した。その結果、実施例１と同様に、平
坦性に優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
ジシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率で
０．１：１：２になるように供給し、供給速度を±３％
変化させて製膜した。その結果、実施例１と同様に、平
坦性に優れ緻密で実用に耐え得る絶縁膜が形成できた。
【００２５】
【比較例１】６６７Ｐａ（約５Ｔｏｒｒ）の反応室内に
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
モノシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率
で０．０５：１：２になるように供給し、供給速度を±
３％変化させて製膜した。その結果、いずれも膜質が粗
大であり、水酸基残存量が多かった。
設置したシリコン基板を３７０℃に加熱するとともに、
モノシラン、テトラエトキシシラン、オゾンを流量比率
で０．０５：１：２になるように供給し、供給速度を±
３％変化させて製膜した。その結果、いずれも膜質が粗
大であり、水酸基残存量が多かった。
【００２６】
【発明の効果】本発明によれば、低い製膜温度で緻密な
絶縁膜を形成することができ、基板表面の凹凸の平坦化
特性にも優れている特徴がある。また、原料気体供給速
度などの変動に対して製膜に及ぼす影響が少ないので、
高価な制御装置を必要とせず、汎用的な反応装置で経済
的に製膜できる利点がある。
絶縁膜を形成することができ、基板表面の凹凸の平坦化
特性にも優れている特徴がある。また、原料気体供給速
度などの変動に対して製膜に及ぼす影響が少ないので、
高価な制御装置を必要とせず、汎用的な反応装置で経済
的に製膜できる利点がある。
Claims (6)
- 【請求項１】 ジシランとテトラエトキシシランを主原
料として併用することを特徴とするＣＶＤ法による酸化
珪素膜の製造方法。 - 【請求項２】 ジシランとテトラエトキシシランからな
る主原料に、ホウ酸エステル、リン酸エステルあるいは
亜リン酸エステルの一種あるいは一種以上の副原料を併
用し、酸化珪素膜中に酸化ホウ素あるいは酸化リンの一
種あるいは一種以上を含有させることを特徴とするＣＶ
Ｄ法による酸化珪素膜の製造方法。 - 【請求項３】 テトラエトキシシランとジシランとの混
合比がテトラエトキシシラン１モルに対してジシランが
０．０１〜０．１モルであることを特徴とする請求項１
のＣＶＤ法による酸化珪素膜の製造方法。 - 【請求項４】 上記のホウ酸エステルがホウ酸トリメチ
ルエステルあるいはホウ酸トリエチルエステルであり、
テトラエトキシシランとホウ酸エステルとの混合比がテ
トラエトキシシラン１モルに対してホウ酸エステルが
０．０１〜０．２モルであり、ジシランがテトラエトキ
シシラン１モルに対して０．０１〜０．１モルであるこ
とを特徴とする請求項２のＣＶＤ法による酸化珪素膜の
製造方法。 - 【請求項５】 上記のリン酸エステルあるいは亜リン酸
エステルがリン酸トリメチルエステルあるいは亜リン酸
トリメチルエステルであり、テトラエトキシシランとリ
ン酸エステルあるいは亜リン酸エステルとの混合比がテ
トラエトキシシラン１モルに対してリン酸エステルある
いは亜リン酸エステルが０．０１〜０．２モルであり、
ジシランがテトラエトキシシラン１モルに対して０．０
１〜０．１モルであることを特徴とする請求項２のＣＶ
Ｄ法による酸化珪素膜の製造方法。 - 【請求項６】 ホウ酸エステルとリン酸エステルあるい
は亜リン酸エステルとテトラエトキシシランとの混合比
がモル比で０．０１〜０．２：０．０１〜０．２：１で
あり、ジシランがテトラエトキシシラン１モルに対して
０．０１〜０．１モルであることを特徴とする請求項２
のＣＶＤ法による酸化珪素膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163896A JPH09246267A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | Ｃｖｄ法による酸化珪素膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9163896A JPH09246267A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | Ｃｖｄ法による酸化珪素膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246267A true JPH09246267A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=14032082
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9163896A Pending JPH09246267A (ja) | 1996-03-08 | 1996-03-08 | Ｃｖｄ法による酸化珪素膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09246267A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106892A (en) * | 1997-05-23 | 2000-08-22 | Pilkington Plc | Deposition of silicon oxide coating on glass |
-
1996
- 1996-03-08 JP JP9163896A patent/JPH09246267A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6106892A (en) * | 1997-05-23 | 2000-08-22 | Pilkington Plc | Deposition of silicon oxide coating on glass |
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