JPH09246904A - 表面実装型水晶振動子 - Google Patents
表面実装型水晶振動子Info
- Publication number
- JPH09246904A JPH09246904A JP8056596A JP5659696A JPH09246904A JP H09246904 A JPH09246904 A JP H09246904A JP 8056596 A JP8056596 A JP 8056596A JP 5659696 A JP5659696 A JP 5659696A JP H09246904 A JPH09246904 A JP H09246904A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- terminal member
- container
- mount type
- conductive adhesive
- electrode
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000013078 crystal Substances 0.000 title claims abstract description 190
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims abstract description 71
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims abstract description 70
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 19
- 229910010272 inorganic material Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000011147 inorganic material Substances 0.000 claims abstract description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 32
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 claims description 32
- 239000010703 silicon Substances 0.000 claims description 32
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 22
- 238000003466 welding Methods 0.000 claims description 21
- JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N Ethyl urethane Chemical compound CCOC(N)=O JOYRKODLDBILNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 18
- 239000004642 Polyimide Substances 0.000 claims description 18
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims description 18
- 239000010931 gold Substances 0.000 claims description 18
- 229920001721 polyimide Polymers 0.000 claims description 18
- KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N Palladium Chemical compound [Pd] KDLHZDBZIXYQEI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 17
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims description 16
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims description 13
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 12
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 9
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 claims description 9
- 238000007747 plating Methods 0.000 claims description 8
- 239000002241 glass-ceramic Substances 0.000 claims description 7
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 6
- 239000010453 quartz Substances 0.000 claims description 6
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 6
- 238000005476 soldering Methods 0.000 claims description 2
- 150000003673 urethanes Chemical class 0.000 claims 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 abstract description 6
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 3
- 230000000644 propagated effect Effects 0.000 abstract 2
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 24
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 14
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 12
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 9
- 238000000576 coating method Methods 0.000 description 9
- 238000000034 method Methods 0.000 description 6
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 5
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 5
- 239000012299 nitrogen atmosphere Substances 0.000 description 5
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 4
- 229910000833 kovar Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 4
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 3
- 238000007796 conventional method Methods 0.000 description 3
- 230000007774 longterm Effects 0.000 description 3
- 238000010295 mobile communication Methods 0.000 description 3
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 230000006641 stabilisation Effects 0.000 description 3
- 238000011105 stabilization Methods 0.000 description 3
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 3
- 229910001030 Iron–nickel alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000013461 design Methods 0.000 description 2
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 2
- 239000013464 silicone adhesive Substances 0.000 description 2
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N Tin Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000010953 base metal Substances 0.000 description 1
- 238000005219 brazing Methods 0.000 description 1
- 238000012790 confirmation Methods 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 1
- 239000007772 electrode material Substances 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000010419 fine particle Substances 0.000 description 1
- 238000010304 firing Methods 0.000 description 1
- 230000012447 hatching Effects 0.000 description 1
- 239000001307 helium Substances 0.000 description 1
- 229910052734 helium Inorganic materials 0.000 description 1
- SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N helium atom Chemical compound [He] SWQJXJOGLNCZEY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000009863 impact test Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000007769 metal material Substances 0.000 description 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 1
- BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N nickel palladium Chemical compound [Ni].[Pd] BSIDXUHWUKTRQL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000010355 oscillation Effects 0.000 description 1
- 230000002040 relaxant effect Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 239000010944 silver (metal) Substances 0.000 description 1
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 1
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 1
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 1
- 230000002123 temporal effect Effects 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03H—IMPEDANCE NETWORKS, e.g. RESONANT CIRCUITS; RESONATORS
- H03H9/00—Networks comprising electromechanical or electro-acoustic elements; Electromechanical resonators
- H03H9/02—Details
- H03H9/05—Holders or supports
- H03H9/0504—Holders or supports for bulk acoustic wave devices
- H03H9/0514—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps
- H03H9/0519—Holders or supports for bulk acoustic wave devices consisting of mounting pads or bumps for cantilever
Landscapes
- Physics & Mathematics (AREA)
- Acoustics & Sound (AREA)
- Piezo-Electric Or Mechanical Vibrators, Or Delay Or Filter Circuits (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 周波数の経年変化の早期安定化とそれによる
良否判定の確実化を図った表面実装型水晶振動子を提供
し、さらに落下試験における周波数変化率の低減化を図
ることが可能な表面実装型水晶振動子を提供すること。 【解決手段】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片６に有する両短辺部の片側もしくは両側を
シリコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性
接着剤５により支持固定し、端子部材に蓋８を無機材料
により気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振動子
であって、容器内は真空とする。
良否判定の確実化を図った表面実装型水晶振動子を提供
し、さらに落下試験における周波数変化率の低減化を図
ることが可能な表面実装型水晶振動子を提供すること。 【解決手段】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片６に有する両短辺部の片側もしくは両側を
シリコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性
接着剤５により支持固定し、端子部材に蓋８を無機材料
により気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振動子
であって、容器内は真空とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は移動体通信機器とく
に携帯電話やペジャーの周波数基準源に必要な水晶振動
子の構造に関するものであり、さらに詳しくは直列等価
抵抗が低く、発振周波数の長期安定性と耐リフロー性と
耐衝撃性に優れ、しかも小型・薄型の構造を可能とする
高精度な表面実装型水晶振動子に関するものである。
に携帯電話やペジャーの周波数基準源に必要な水晶振動
子の構造に関するものであり、さらに詳しくは直列等価
抵抗が低く、発振周波数の長期安定性と耐リフロー性と
耐衝撃性に優れ、しかも小型・薄型の構造を可能とする
高精度な表面実装型水晶振動子に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】携帯電話などの移動体通信機器用の周波
数基準源には、高精度な温度補償型水晶発振器（以下Ｔ
ＣＸＯと記載する）が用いられる。近年は移動体通信機
器の小型・薄型からＴＣＸＯも小型・薄型、さらに耐リ
フロー性のある表面実装型が求められる。したがって、
それらを達成するにはＴＣＸＯの主要部品である水晶振
動子にも特性を満足した上で、小型・薄型でしかも表面
実装型水晶振動子が必要となる。
数基準源には、高精度な温度補償型水晶発振器（以下Ｔ
ＣＸＯと記載する）が用いられる。近年は移動体通信機
器の小型・薄型からＴＣＸＯも小型・薄型、さらに耐リ
フロー性のある表面実装型が求められる。したがって、
それらを達成するにはＴＣＸＯの主要部品である水晶振
動子にも特性を満足した上で、小型・薄型でしかも表面
実装型水晶振動子が必要となる。
【０００３】ＴＣＸＯ用水晶振動子には、ＡＴカットの
厚み滑り振動子を用いる。そして、求められる振動子特
性は、常温の周波数偏差が小さく、周波数の温度特性は
連続性に優れ、さらに常温放置と高温放置と耐寒性と耐
湿と温度サイクルと振動と落下と耐リフロー試験とにお
ける周波数の変化率は、プラスマイナス１ｐｐｍ以内で
ある。
厚み滑り振動子を用いる。そして、求められる振動子特
性は、常温の周波数偏差が小さく、周波数の温度特性は
連続性に優れ、さらに常温放置と高温放置と耐寒性と耐
湿と温度サイクルと振動と落下と耐リフロー試験とにお
ける周波数の変化率は、プラスマイナス１ｐｐｍ以内で
ある。
【０００４】このように厳しい特性を満足し、しかも表
面実装型水晶振動子を達成するにはパッケージと封止手
段の選択と水晶片の結晶軸選択と水晶片寸法の適切な設
計と電極材料と適切な電極形状の設計と水晶片支持方法
とプロセス条件の構築とが必要である。
面実装型水晶振動子を達成するにはパッケージと封止手
段の選択と水晶片の結晶軸選択と水晶片寸法の適切な設
計と電極材料と適切な電極形状の設計と水晶片支持方法
とプロセス条件の構築とが必要である。
【０００５】従来技術における表面実装型水晶振動子の
構造を、図１５と図１６と図１８と図１９を用いて説明
する。図１６は従来技術における気密封止がシーム溶接
手段を用いた表面実装型水晶振動子を示す断面図であ
る。
構造を、図１５と図１６と図１８と図１９を用いて説明
する。図１６は従来技術における気密封止がシーム溶接
手段を用いた表面実装型水晶振動子を示す断面図であ
る。
【０００６】図１６に示すように、第１の基板１と第２
の基板２と第３の基板３とはアルミナを主成分とする多
層セラミックス基板で構成する。第２の基板２上の電極
パッド部４はタングステンあるいはモリブデンを焼成
し、その上にニッケルメッキを施し、さらにこのニッケ
ルメッキ上に金めっきを施している。この電極パッド部
４に水晶片６を導電性接着剤５により片側で支持固定
し、支持固定と同時に電気的接続を行う。
の基板２と第３の基板３とはアルミナを主成分とする多
層セラミックス基板で構成する。第２の基板２上の電極
パッド部４はタングステンあるいはモリブデンを焼成
し、その上にニッケルメッキを施し、さらにこのニッケ
ルメッキ上に金めっきを施している。この電極パッド部
４に水晶片６を導電性接着剤５により片側で支持固定
し、支持固定と同時に電気的接続を行う。
【０００７】第３の基板３にコバール合金からなるシー
ムリング７が銀ロー付けしており、ニッケルメッキを施
し、さらにこのニッケルメッキ上に金めっきを施してい
る。さらにその上にはコバール合金にニッケルめっきが
施した蓋８をパラレルシーム溶接機の溶接電極９により
気密封止を行い、その容器内雰囲気は露点の低い窒素と
している。
ムリング７が銀ロー付けしており、ニッケルメッキを施
し、さらにこのニッケルメッキ上に金めっきを施してい
る。さらにその上にはコバール合金にニッケルめっきが
施した蓋８をパラレルシーム溶接機の溶接電極９により
気密封止を行い、その容器内雰囲気は露点の低い窒素と
している。
【０００８】この表面実装型水晶振動子は周波数の経年
変化を低く押さえるために容器内を窒素雰囲気にしてい
るが、圧力は大気圧である。このため、水晶振動子のク
リスタルインピーダンスは１３Ω〜１５Ω程度である。
このパラレルシーム溶接による気密封止は低温接合であ
ることから、導電性接着剤５の耐熱性問題が無く選択の
幅が広い利点がある。
変化を低く押さえるために容器内を窒素雰囲気にしてい
るが、圧力は大気圧である。このため、水晶振動子のク
リスタルインピーダンスは１３Ω〜１５Ω程度である。
このパラレルシーム溶接による気密封止は低温接合であ
ることから、導電性接着剤５の耐熱性問題が無く選択の
幅が広い利点がある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上述し
た従来の表面実装型水晶振動子には、つぎのような問題
点がある。図１８は窒素雰囲気中にてパラレルシーム溶
接により気密封止した表面実装型水晶振動子における周
波数の経年変化を示すグラフである。横軸は気密封止直
後より周波数を測定した日数であり、縦軸は周波数の変
化率である。求められる１年間の周波数変化率はプラス
マイナス１ｐｐｍ以内である。
た従来の表面実装型水晶振動子には、つぎのような問題
点がある。図１８は窒素雰囲気中にてパラレルシーム溶
接により気密封止した表面実装型水晶振動子における周
波数の経年変化を示すグラフである。横軸は気密封止直
後より周波数を測定した日数であり、縦軸は周波数の変
化率である。求められる１年間の周波数変化率はプラス
マイナス１ｐｐｍ以内である。
【００１０】曲線Ｄは周波数変化率が前述のプラスマイ
ナス１ｐｐｍの規格に入ったものであるが、曲線Ａと曲
線Ｂのように時間の変化とともに周波数がプラスあるい
はマイナスにシフトするものが発生する。このように周
波数の安定化に時間が要し、その結果、規格をはずれる
製品は、出荷時に良否の早期判定が困難であり、また全
数を長期間に亘って測定もすることもできず、市場に出
回ってしまう問題がある。
ナス１ｐｐｍの規格に入ったものであるが、曲線Ａと曲
線Ｂのように時間の変化とともに周波数がプラスあるい
はマイナスにシフトするものが発生する。このように周
波数の安定化に時間が要し、その結果、規格をはずれる
製品は、出荷時に良否の早期判定が困難であり、また全
数を長期間に亘って測定もすることもできず、市場に出
回ってしまう問題がある。
【００１１】つぎに図１５の平面図と図１９のグラフを
使用してさらに従来技術における表面実装型水晶振動子
の問題点を説明する。図１５は表面実装型水晶振動子に
おける導電性接着剤５を形成した状態を平面図である。
電極パッド部４上に水晶片６の支持固定用として導電性
接着剤５を形成する。水晶片６は片側の支持固定である
ため、電極パッド部４の領域は２端子構造としている。
使用してさらに従来技術における表面実装型水晶振動子
の問題点を説明する。図１５は表面実装型水晶振動子に
おける導電性接着剤５を形成した状態を平面図である。
電極パッド部４上に水晶片６の支持固定用として導電性
接着剤５を形成する。水晶片６は片側の支持固定である
ため、電極パッド部４の領域は２端子構造としている。
【００１２】この手段を用いた表面実装型水晶振動子の
落下試験結果を、図１９のグラフを用いて説明する。落
下試験条件はコンクリート上に１．５ｍの高さから自然
落下させるもので、横軸が落下の回数を示し、縦軸が周
波数の変化率を示す。表面実装型水晶振動子の規格は、
前述のようにプラスマイナス１ｐｐｍ以内である。ハッ
チングで示した棒グラフＦが図１５と図１６を用いて説
明した表面実装型水晶振動子の落下試験結果である。
落下試験結果を、図１９のグラフを用いて説明する。落
下試験条件はコンクリート上に１．５ｍの高さから自然
落下させるもので、横軸が落下の回数を示し、縦軸が周
波数の変化率を示す。表面実装型水晶振動子の規格は、
前述のようにプラスマイナス１ｐｐｍ以内である。ハッ
チングで示した棒グラフＦが図１５と図１６を用いて説
明した表面実装型水晶振動子の落下試験結果である。
【００１３】図１９のグラフで示すように、１０回の落
下試験までは周波数の変化率がプラスマイナス１ｐｐｍ
以内を確保している。しかしながら２０回の落下試験で
はプラスマイナス１ｐｐｍを大きく越えてしまう。この
原因を図１５を用いて説明する。電極パッド部４には金
めっきが施されており、その上にシリコン系の導電性接
着剤５が形成されている。しかし、導電性接着剤５であ
るシリコンと電極パット部４の金との密着力が低い。こ
のことから、２０回の落下試験では両者の界面で剥離現
象が生じる。
下試験までは周波数の変化率がプラスマイナス１ｐｐｍ
以内を確保している。しかしながら２０回の落下試験で
はプラスマイナス１ｐｐｍを大きく越えてしまう。この
原因を図１５を用いて説明する。電極パッド部４には金
めっきが施されており、その上にシリコン系の導電性接
着剤５が形成されている。しかし、導電性接着剤５であ
るシリコンと電極パット部４の金との密着力が低い。こ
のことから、２０回の落下試験では両者の界面で剥離現
象が生じる。
【００１４】そこで本発明の目的は、上記課題を解決し
て、周波数の経年変化の早期安定化とそれによる良否判
定の確実化を図った表面実装型水晶振動子を提供するこ
とにある。さらに前述の発明の目的に加えて、落下試験
における周波数変化率の低減化を図ることが可能な表面
実装型水晶振動子を提供することを目的とする。
て、周波数の経年変化の早期安定化とそれによる良否判
定の確実化を図った表面実装型水晶振動子を提供するこ
とにある。さらに前述の発明の目的に加えて、落下試験
における周波数変化率の低減化を図ることが可能な表面
実装型水晶振動子を提供することを目的とする。
【００１５】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
本発明の表面実装型水晶振動子においては、下記記載の
構成を採用する。
本発明の表面実装型水晶振動子においては、下記記載の
構成を採用する。
【００１６】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋を無機材料により気密接合し
容器を構成する表面実装型水晶振動子であって、容器内
は真空であることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋を無機材料により気密接合し
容器を構成する表面実装型水晶振動子であって、容器内
は真空であることを特徴とする。
【００１７】本発明の表面実装型水晶振動子は、端子部
材の平面上あるいは凹部内に矩形状の水晶片に有する両
短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、ウレタン系、
またはポリイミド系の導電性接着剤により支持固定し、
端子部材に蓋をハンダにより気密接合し容器を構成する
表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空であるこ
とを特徴とする。
材の平面上あるいは凹部内に矩形状の水晶片に有する両
短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、ウレタン系、
またはポリイミド系の導電性接着剤により支持固定し、
端子部材に蓋をハンダにより気密接合し容器を構成する
表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空であるこ
とを特徴とする。
【００１８】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋をシーム溶接により気密接合
し容器を構成する表面実装型水晶振動子であって、容器
内は真空であることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋をシーム溶接により気密接合
し容器を構成する表面実装型水晶振動子であって、容器
内は真空であることを特徴とする。
【００１９】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それに直交した
Ｘ軸方向である両短辺部をシリコン系、またはウレタン
系の導電性接着剤により支持固定し、端子部材に蓋をハ
ンダにより気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振
動子であって、容器内は真空であることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それに直交した
Ｘ軸方向である両短辺部をシリコン系、またはウレタン
系の導電性接着剤により支持固定し、端子部材に蓋をハ
ンダにより気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振
動子であって、容器内は真空であることを特徴とする。
【００２０】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それに直交した
Ｘ軸方向である両短辺部をシリコン系、またはウレタン
系の導電性接着剤により支持固定し、端子部材に蓋をシ
ーム溶接により気密接合して容器を構成する表面実装型
水晶振動子であって、容器内は真空であることを特徴と
する。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それに直交した
Ｘ軸方向である両短辺部をシリコン系、またはウレタン
系の導電性接着剤により支持固定し、端子部材に蓋をシ
ーム溶接により気密接合して容器を構成する表面実装型
水晶振動子であって、容器内は真空であることを特徴と
する。
【００２１】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに直交した
Ｚ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、ウレタン
系、またはポリイミド系の導電性接着剤によって支持固
定し、端子部材に蓋をハンダにより気密接合し容器を構
成する表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空で
あることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに直交した
Ｚ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、ウレタン
系、またはポリイミド系の導電性接着剤によって支持固
定し、端子部材に蓋をハンダにより気密接合し容器を構
成する表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空で
あることを特徴とする。
【００２２】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに直交した
Ｚ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、ウレタン
系、またはポリイミド系の導電性接着剤により支持固定
し、端子部材に蓋をシーム溶接により気密接合し容器を
構成する表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空
であることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、ＡＴカット矩
形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに直交した
Ｚ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、ウレタン
系、またはポリイミド系の導電性接着剤により支持固定
し、端子部材に蓋をシーム溶接により気密接合し容器を
構成する表面実装型水晶振動子であって、容器内は真空
であることを特徴とする。
【００２３】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に有する水晶片支持固定部の電極
パッド部の形状は電極パッド部内に角形または円形の非
パッド部を設けるかあるいは電極パッド部の端部に角形
または円形の非パッド部を有する表面実装型水晶振動子
であって、導電性接着剤は電極パッド部と非パッド部の
双方に設けることを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に有する水晶片支持固定部の電極
パッド部の形状は電極パッド部内に角形または円形の非
パッド部を設けるかあるいは電極パッド部の端部に角形
または円形の非パッド部を有する表面実装型水晶振動子
であって、導電性接着剤は電極パッド部と非パッド部の
双方に設けることを特徴とする。
【００２４】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、ポリイミド系の導電性接着剤により支持固
定し、端子部材の電極パッド部に固定する矩形状水晶片
の端部電極の形状は、端部電極内に角形または円形の非
電極部を設けるかあるいは端部電極の端部に角形または
円形の非電極部を設ける表面実装型水晶振動子であっ
て、導電性接着剤は端部電極と非電極部の双方に設ける
することを特徴とする。
は、端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩形状の水晶
片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシリコン系、
ウレタン系、ポリイミド系の導電性接着剤により支持固
定し、端子部材の電極パッド部に固定する矩形状水晶片
の端部電極の形状は、端部電極内に角形または円形の非
電極部を設けるかあるいは端部電極の端部に角形または
円形の非電極部を設ける表面実装型水晶振動子であっ
て、導電性接着剤は端部電極と非電極部の双方に設ける
することを特徴とする。
【００２５】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、容器を構成する端子部材の材質はセラミックス、ガ
ラスセラミックス、またはガラスからなることを特徴と
する。
は、容器を構成する端子部材の材質はセラミックス、ガ
ラスセラミックス、またはガラスからなることを特徴と
する。
【００２６】本発明の表面実装型水晶振動子では、容器
を構成する蓋の材質は、セラミックス、ガラスセラミッ
クス、ガラス、または金属からなることを特徴とする。
を構成する蓋の材質は、セラミックス、ガラスセラミッ
クス、ガラス、または金属からなることを特徴とする。
【００２７】本発明の表面実装型水晶振動子において
は、容器を構成する蓋の材質は金属からなり、金属上に
形成するめっき材料は金、パラジウム、またはニッケル
とパラジウムからなることを特徴とする。
は、容器を構成する蓋の材質は金属からなり、金属上に
形成するめっき材料は金、パラジウム、またはニッケル
とパラジウムからなることを特徴とする。
【００２８】このように本発明の表面実装型水晶振動子
は、上記の構成を採用し、本発明は従来技術の問題点を
つぎの視点から改良している。すなわち周波数の早期安
定化と良否判定の確実化の目的に対しては、主たる解決
手段は従来技術である大気圧の窒素雰囲気中にて気密接
合する構成から真空封止を採用することにより、早期安
定化と良否判定の確実化を図る。
は、上記の構成を採用し、本発明は従来技術の問題点を
つぎの視点から改良している。すなわち周波数の早期安
定化と良否判定の確実化の目的に対しては、主たる解決
手段は従来技術である大気圧の窒素雰囲気中にて気密接
合する構成から真空封止を採用することにより、早期安
定化と良否判定の確実化を図る。
【００２９】つまり大気圧である場合は窒素雰囲気中で
気密接合を行っても、シーム溶接時に発生するガスが容
器内に充満し雰囲気の安定化に時間がかかる。さらに、
シーム溶接時に飛散する金属の微粒子が水晶片に不安定
な状態で付着することにより周波数の安定化が損なわれ
る。それらが複合した結果、気密接合後の周波数の安定
化に時間がかかると考える。
気密接合を行っても、シーム溶接時に発生するガスが容
器内に充満し雰囲気の安定化に時間がかかる。さらに、
シーム溶接時に飛散する金属の微粒子が水晶片に不安定
な状態で付着することにより周波数の安定化が損なわれ
る。それらが複合した結果、気密接合後の周波数の安定
化に時間がかかると考える。
【００３０】それに対して本発明では、真空封止の場合
は気密接合後の早い時期に周波数の安定化が実現でき
る。つまり、真空中のために気密接合による発生するガ
スは容器外に排出される割合が高いと考える。このた
め、早期に容器内の雰囲気が安定化する。その結果、本
発明の表面実装型水晶振動子では周波数の安定化が早い
ことになる。この周波数の安定化が早い点は、出荷時の
良否判定が短時間でできる効果をもたらす。
は気密接合後の早い時期に周波数の安定化が実現でき
る。つまり、真空中のために気密接合による発生するガ
スは容器外に排出される割合が高いと考える。このた
め、早期に容器内の雰囲気が安定化する。その結果、本
発明の表面実装型水晶振動子では周波数の安定化が早い
ことになる。この周波数の安定化が早い点は、出荷時の
良否判定が短時間でできる効果をもたらす。
【００３１】さらに良否判定の確実化に対する点で、シ
ーム溶接は大気圧による気密接合であるために水晶振動
子のクリスタルインピーダンスは１３〜１５Ωである。
しかし、微少リークがあってもクリスタルインピーダン
スは変化しないものの周波数は長期間経過後にシフトす
る。つまり、容器内に大気が時間を要して浸透するから
である。そこで、ヘリウムリーク試験器で出荷時にリー
ク試験を実施するが、周波数の経時変化に影響する微少
リークは検出できない問題がある。
ーム溶接は大気圧による気密接合であるために水晶振動
子のクリスタルインピーダンスは１３〜１５Ωである。
しかし、微少リークがあってもクリスタルインピーダン
スは変化しないものの周波数は長期間経過後にシフトす
る。つまり、容器内に大気が時間を要して浸透するから
である。そこで、ヘリウムリーク試験器で出荷時にリー
ク試験を実施するが、周波数の経時変化に影響する微少
リークは検出できない問題がある。
【００３２】ところが本発明の真空封止によれば、クリ
スタルインピーダンスは５〜７Ωと低くなる。その場
合、微少リークがあればクリスタルインピーダンスが容
器内圧力に敏感であるためにただちに増加する。このた
め、その増加量を判定することにより、リークの有無が
判定でき、その結果、本発明の表面実装型水晶振動子で
は長期間経過後の周波数のシフトを早期に判定すること
ができる。
スタルインピーダンスは５〜７Ωと低くなる。その場
合、微少リークがあればクリスタルインピーダンスが容
器内圧力に敏感であるためにただちに増加する。このた
め、その増加量を判定することにより、リークの有無が
判定でき、その結果、本発明の表面実装型水晶振動子で
は長期間経過後の周波数のシフトを早期に判定すること
ができる。
【００３３】一方、落下試験における周波数変化率の低
減化では、薄型の表面実装型水晶振動子であるため端子
部材に水晶片を直接、支持固定するが、支持固定の方法
は水晶片の片側と両側の２種類がある。本発明では両側
の場合に軟性であるシリコン系導電性接着剤を使用し、
落下衝撃による周波数シフトを低減している。つまり本
発明の表面実装型水晶振動子では、導電性接着剤に弾性
を有するものを使用して落下衝撃による機械的応力を緩
和している。さらに導電性接着剤の弾性は水晶片に加わ
る機械的応力を緩和する効果から周波数の経時変化にも
有効である。
減化では、薄型の表面実装型水晶振動子であるため端子
部材に水晶片を直接、支持固定するが、支持固定の方法
は水晶片の片側と両側の２種類がある。本発明では両側
の場合に軟性であるシリコン系導電性接着剤を使用し、
落下衝撃による周波数シフトを低減している。つまり本
発明の表面実装型水晶振動子では、導電性接着剤に弾性
を有するものを使用して落下衝撃による機械的応力を緩
和している。さらに導電性接着剤の弾性は水晶片に加わ
る機械的応力を緩和する効果から周波数の経時変化にも
有効である。
【００３４】しかし軟性のシリコン系接着剤も端子部材
に有する電極パッド部と水晶片に有する端部電極の金と
の密着力が高いとは言えない。このため、強度の落下衝
撃では両者の界面で剥離現象が生じて周波数が変化する
問題がある。
に有する電極パッド部と水晶片に有する端部電極の金と
の密着力が高いとは言えない。このため、強度の落下衝
撃では両者の界面で剥離現象が生じて周波数が変化する
問題がある。
【００３５】ところが、シリコン系の導電性接着剤は端
子部材のセラミックスと水晶とは密着力が強い現象を確
認している。そこで本発明は端子部材の電極パッド部に
はセラミックスも表面に露出させ、さらに水晶片の端部
電極には水晶を露出させる。このことにより、シリコン
系導電性接着剤は金のみでなく、セラミックスと水晶の
双方に接着することにより水晶片の支持固定力を向上さ
せて、落下衝撃による周波数の変化率を、本発明では低
減したものである。
子部材のセラミックスと水晶とは密着力が強い現象を確
認している。そこで本発明は端子部材の電極パッド部に
はセラミックスも表面に露出させ、さらに水晶片の端部
電極には水晶を露出させる。このことにより、シリコン
系導電性接着剤は金のみでなく、セラミックスと水晶の
双方に接着することにより水晶片の支持固定力を向上さ
せて、落下衝撃による周波数の変化率を、本発明では低
減したものである。
【００３６】
【発明の実施の形態】以下図面を用いて本発明を実施す
るための最良の形態における表面実装型水晶振動子を説
明する。図１は、本発明の実施形態における水晶片を両
側で支持固定して蓋を気密接合する前の状態を示す断面
図である。図２は本発明の実施形態における片側を支持
固定して蓋を気密接合した状態を示す断面図である。図
３は本発明の図１における蓋を気密接合する前の状態を
示す平面図である。図４は本発明における水晶片の結晶
軸を示す平面図である。図５と図６と図７と図８と図９
と図１０とは本発明の実施形態における絶縁端子部材の
各種電極パッド部形状を示す平面図である。さらに図１
１と図１２と図１３は本発明の実施形態における水晶片
の各種端部電極形状を示す平面図である。図１４は本発
明を用いた絶縁端子部材と水晶片を組み合わせて導電性
接着剤で支持固定した構造を示す断面図である。図１７
は本発明の実施形態における蓋を示す断面図である。図
２０は水晶発振器を示す断面図である。以下本発明の実
施形態を示す図面を用いて説明するが、適宜従来技術を
示す図面を参照して説明する。
るための最良の形態における表面実装型水晶振動子を説
明する。図１は、本発明の実施形態における水晶片を両
側で支持固定して蓋を気密接合する前の状態を示す断面
図である。図２は本発明の実施形態における片側を支持
固定して蓋を気密接合した状態を示す断面図である。図
３は本発明の図１における蓋を気密接合する前の状態を
示す平面図である。図４は本発明における水晶片の結晶
軸を示す平面図である。図５と図６と図７と図８と図９
と図１０とは本発明の実施形態における絶縁端子部材の
各種電極パッド部形状を示す平面図である。さらに図１
１と図１２と図１３は本発明の実施形態における水晶片
の各種端部電極形状を示す平面図である。図１４は本発
明を用いた絶縁端子部材と水晶片を組み合わせて導電性
接着剤で支持固定した構造を示す断面図である。図１７
は本発明の実施形態における蓋を示す断面図である。図
２０は水晶発振器を示す断面図である。以下本発明の実
施形態を示す図面を用いて説明するが、適宜従来技術を
示す図面を参照して説明する。
【００３７】図１と図３に示すように、第１の基板１と
第２の基板２と第３の基板３とによって端子部材を構成
する。そして水晶片６はその両端部にて端子部材に支持
固定している。第１の基板１と第２の基板２と第３の基
板３の多層セラミックス基板からなる端子部材に電極パ
ッド部４と気密シール部１０をタングステンまたはモリ
ブデンを焼成し、そのタングステンまたはモリブデン上
にニッケルめっきを施しさらに金めっきを施している。
第２の基板２と第３の基板３とによって端子部材を構成
する。そして水晶片６はその両端部にて端子部材に支持
固定している。第１の基板１と第２の基板２と第３の基
板３の多層セラミックス基板からなる端子部材に電極パ
ッド部４と気密シール部１０をタングステンまたはモリ
ブデンを焼成し、そのタングステンまたはモリブデン上
にニッケルめっきを施しさらに金めっきを施している。
【００３８】本発明の実施形態では端子部材にアルミナ
を主成分としたセラミックスで説明するが、ガラスセラ
ミックスやガラスを適用してもよい。ガラスセラミック
スからなる端子部材の場合は、電極パッド部４と気密シ
ール部１０の材質に銀あるいは銀とパラジウムの混合体
を用いる。
を主成分としたセラミックスで説明するが、ガラスセラ
ミックスやガラスを適用してもよい。ガラスセラミック
スからなる端子部材の場合は、電極パッド部４と気密シ
ール部１０の材質に銀あるいは銀とパラジウムの混合体
を用いる。
【００３９】以下、本発明の形態での説明は端子部材を
三層基板で説明するが、第２の基板２を削除した二層基
板でも、一層基板でもよい。図１に示す電極パッド部４
にはシリコン系の導電性接着剤５を形成してその上に水
晶片６を設置する。導電性接着剤５はウレタン系の接着
剤でもよい。つまり、軟性の接着剤ならよい。
三層基板で説明するが、第２の基板２を削除した二層基
板でも、一層基板でもよい。図１に示す電極パッド部４
にはシリコン系の導電性接着剤５を形成してその上に水
晶片６を設置する。導電性接着剤５はウレタン系の接着
剤でもよい。つまり、軟性の接着剤ならよい。
【００４０】図１に示す蓋８にはハンダ１１を形成す
る。その詳細構造を図１７の断面図を使用して説明す
る。図１７に示す蓋の母材１２はコバールや鉄ニッケル
合金からなり、そのコバールや鉄ニッケル合金上に表面
処理膜１３としてニッケル被膜と金被膜との２層構造、
あるいはニッケル被膜とパラジウム被膜との２層構造、
あるいはニッケル被膜とニッケルパラジウム被膜との２
層構造を採用する。
る。その詳細構造を図１７の断面図を使用して説明す
る。図１７に示す蓋の母材１２はコバールや鉄ニッケル
合金からなり、そのコバールや鉄ニッケル合金上に表面
処理膜１３としてニッケル被膜と金被膜との２層構造、
あるいはニッケル被膜とパラジウム被膜との２層構造、
あるいはニッケル被膜とニッケルパラジウム被膜との２
層構造を採用する。
【００４１】このニッケル被膜は耐食性向上の役割をも
ち、金被膜やパラジウム被膜はハンダ１１との濡れ性を
向上させる役割をもつ。このうちパラジウムを用いる理
由はハンダ１１による食われ現象がなく気密リークが少
ない特徴があるからである。またハンダ１１の材質は金
（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）や、鉛（Ｐｂ）−銀（Ａｇ）−
スズ（Ｓｎ）や、鉛（Ｐｂ）−スズ（Ｓｎ）などの合金
を用いる。上記以外に気密封止が可能な低温材料である
ならばハンダ１１として適用可能である。
ち、金被膜やパラジウム被膜はハンダ１１との濡れ性を
向上させる役割をもつ。このうちパラジウムを用いる理
由はハンダ１１による食われ現象がなく気密リークが少
ない特徴があるからである。またハンダ１１の材質は金
（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）や、鉛（Ｐｂ）−銀（Ａｇ）−
スズ（Ｓｎ）や、鉛（Ｐｂ）−スズ（Ｓｎ）などの合金
を用いる。上記以外に気密封止が可能な低温材料である
ならばハンダ１１として適用可能である。
【００４２】さらに蓋８の材質としては金属材料で説明
したが、セラミックスやガラスセラミックスやガラスも
適用可能である。端子部材と蓋８とは、その熱膨張係数
が整合する組み合わせが好ましい。
したが、セラミックスやガラスセラミックスやガラスも
適用可能である。端子部材と蓋８とは、その熱膨張係数
が整合する組み合わせが好ましい。
【００４３】図１では第３の基板３に形成している気密
シール部１０に蓋８のハンダ１１を真空中にて溶着して
いる。ハンダ１１が金（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）であれば
溶着温度は３００℃前後であり、溶着時間は数分であ
る。また、多数個処理できるヒーター基板にて溶着作業
を行う。
シール部１０に蓋８のハンダ１１を真空中にて溶着して
いる。ハンダ１１が金（Ａｕ）−スズ（Ｓｎ）であれば
溶着温度は３００℃前後であり、溶着時間は数分であ
る。また、多数個処理できるヒーター基板にて溶着作業
を行う。
【００４４】図２に示す実施形態は、図１に示す構造と
ほとんど同じ構成であるが水晶片６の支持固定を片側で
行う。その片側支持の端子部材に有する電極パッド部４
は図９に示すように片側を２端子にする。さらに、導電
性接着剤５はシリコン系でもよいがポリイミド系でもよ
い。水晶片６の支持固定を片側にしたことによって、支
持固定力を高めるためにシリコン系よりやや硬い材質を
用いるものである。
ほとんど同じ構成であるが水晶片６の支持固定を片側で
行う。その片側支持の端子部材に有する電極パッド部４
は図９に示すように片側を２端子にする。さらに、導電
性接着剤５はシリコン系でもよいがポリイミド系でもよ
い。水晶片６の支持固定を片側にしたことによって、支
持固定力を高めるためにシリコン系よりやや硬い材質を
用いるものである。
【００４５】図１と図２と図３を使用して説明した本発
明の形態における表面実装型水晶振動子の周波数の経年
変化を図１８に示すグラフで説明する。横軸は気密封止
直後より周波数を測定した日数であり、縦軸は周波数の
変化率である。求められる１年間の周波数変化率はプラ
スマイナス１ｐｐｍ以内である。
明の形態における表面実装型水晶振動子の周波数の経年
変化を図１８に示すグラフで説明する。横軸は気密封止
直後より周波数を測定した日数であり、縦軸は周波数の
変化率である。求められる１年間の周波数変化率はプラ
スマイナス１ｐｐｍ以内である。
【００４６】従来のシーム溶接にて大気圧の窒素雰囲気
中で気密封止した表面実装型水晶振動子は曲線Ａと曲線
Ｂと曲線Ｄに示すように周波数の安定化に時間が要して
いたが、本発明による表面実装型水晶振動子は曲線Ｃに
示すように早期に周波数が安定するとともに長期間にお
ける周波数の変化率は小さくなっている。さらに不良品
は曲線Ｅに示すように短期間に大きく劣化する。すなわ
ち、従来の大気圧封止に比べて良否が短期間のうちには
っきりする。このため、出荷時に良否判定を早い時期に
下すことができる。
中で気密封止した表面実装型水晶振動子は曲線Ａと曲線
Ｂと曲線Ｄに示すように周波数の安定化に時間が要して
いたが、本発明による表面実装型水晶振動子は曲線Ｃに
示すように早期に周波数が安定するとともに長期間にお
ける周波数の変化率は小さくなっている。さらに不良品
は曲線Ｅに示すように短期間に大きく劣化する。すなわ
ち、従来の大気圧封止に比べて良否が短期間のうちには
っきりする。このため、出荷時に良否判定を早い時期に
下すことができる。
【００４７】本発明の実施形態による表面実装型水晶振
動子はつぎの組み合わせから周波数の早期安定化と長期
間における周波数の変化率を小さくしている。すなわち
容器内を真空にすることで気密封止時の発生ガスを少な
くしている。また図２と図３に示すように水晶片６を両
側で支持固定した場合は軟性のシリコン系の導電性接着
剤５を用いて水晶片６に加わる機械的応力を緩和させて
いる。水晶片６と端子部材のセラミックスでは熱膨張係
数が異なるからである。
動子はつぎの組み合わせから周波数の早期安定化と長期
間における周波数の変化率を小さくしている。すなわち
容器内を真空にすることで気密封止時の発生ガスを少な
くしている。また図２と図３に示すように水晶片６を両
側で支持固定した場合は軟性のシリコン系の導電性接着
剤５を用いて水晶片６に加わる機械的応力を緩和させて
いる。水晶片６と端子部材のセラミックスでは熱膨張係
数が異なるからである。
【００４８】さらに図４に示すように、水晶片６を両側
で支持固定する実施形態では水晶片６の長辺方向をＺ´
軸とし、それに直交するＸ軸からなる両端辺部１５を導
電性接着剤５で支持固定している。つまり水晶片６に設
ける励振電極１４にて振動する厚み滑り振動の振動波は
Ｘ軸方向に伝搬し、Ｚ´軸への伝搬は小さい点を考慮し
てＺ´軸方向を支持固定することで厚み滑り振動への影
響を小さくした点である。
で支持固定する実施形態では水晶片６の長辺方向をＺ´
軸とし、それに直交するＸ軸からなる両端辺部１５を導
電性接着剤５で支持固定している。つまり水晶片６に設
ける励振電極１４にて振動する厚み滑り振動の振動波は
Ｘ軸方向に伝搬し、Ｚ´軸への伝搬は小さい点を考慮し
てＺ´軸方向を支持固定することで厚み滑り振動への影
響を小さくした点である。
【００４９】一方、前述とは逆に図２に示す片側にて水
晶片６を支持固定する場合は、図４に示す結晶軸を逆に
する。つまり、長辺方向をＸ軸とし短辺部をＺ´とす
る。片側支持の場合は２端子となり、図９に示すように
２箇所の電極パッド部４に水晶片６を導電性接着剤５で
支持固定するが、上述のごとく厚み滑り振動の振動波は
Ｚ´軸方向に小さいためである。したがってポリイミド
系のようにシリコン系よりやや硬い導電性接着剤５で
も、同様に周波数の安定化が図れる。
晶片６を支持固定する場合は、図４に示す結晶軸を逆に
する。つまり、長辺方向をＸ軸とし短辺部をＺ´とす
る。片側支持の場合は２端子となり、図９に示すように
２箇所の電極パッド部４に水晶片６を導電性接着剤５で
支持固定するが、上述のごとく厚み滑り振動の振動波は
Ｚ´軸方向に小さいためである。したがってポリイミド
系のようにシリコン系よりやや硬い導電性接着剤５で
も、同様に周波数の安定化が図れる。
【００５０】本発明における実施の形態をハンダ封止に
て説明してきたが、図１６に示す従来技術のシーム溶接
法であっても、真空封止であって、軟性の導電性接着剤
を用い、かつ支持固定法は水晶片の結晶軸方向を考慮し
た組み合わせを用いれば、本発明で説明したものと同様
の効果が得られる。シーム溶接法も溶接時のスパークに
よりガスが発生するが真空排気しながら気密接合すれ
ば、容器内のガスは少なく、周波数の安定化を図ること
ができる。
て説明してきたが、図１６に示す従来技術のシーム溶接
法であっても、真空封止であって、軟性の導電性接着剤
を用い、かつ支持固定法は水晶片の結晶軸方向を考慮し
た組み合わせを用いれば、本発明で説明したものと同様
の効果が得られる。シーム溶接法も溶接時のスパークに
よりガスが発生するが真空排気しながら気密接合すれ
ば、容器内のガスは少なく、周波数の安定化を図ること
ができる。
【００５１】つぎに落下試験による周波数変化率の低減
化に対する本発明の実施の形態を図面を使用して説明す
る。図１において、電極パッド部４に導電性接着剤５を
形成し、水晶片６が支持固定されているが本発明におけ
る電極パッド部４の形状を順次説明する。図５は第２の
基板２上の電極パッド部４の端部に角形を有する非パッ
ド部１６を左右交互に複数個設ける実施形態を示す。図
５では角形を用いているが円形であってもよい。導電性
接着剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に設
ける。
化に対する本発明の実施の形態を図面を使用して説明す
る。図１において、電極パッド部４に導電性接着剤５を
形成し、水晶片６が支持固定されているが本発明におけ
る電極パッド部４の形状を順次説明する。図５は第２の
基板２上の電極パッド部４の端部に角形を有する非パッ
ド部１６を左右交互に複数個設ける実施形態を示す。図
５では角形を用いているが円形であってもよい。導電性
接着剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に設
ける。
【００５２】図６は電極パッド部４の端部に角形を有す
る非パッド部１６を単個設ける実施形態を示す。非パッ
ド部１６は第２の基板２と同一のセラミックスである。
非パッド部１６を端子部材の右側に有しているが左側で
もよい。この図６に示す実施形態の場合も、導電性接着
剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に設け
る。
る非パッド部１６を単個設ける実施形態を示す。非パッ
ド部１６は第２の基板２と同一のセラミックスである。
非パッド部１６を端子部材の右側に有しているが左側で
もよい。この図６に示す実施形態の場合も、導電性接着
剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に設け
る。
【００５３】図７は電極パッド部４の内部に角形状の非
パッド部１６を設ける実施形態を示す。非パッド部１６
は角形状以外に円形状などでもよく、複数個設けてもよ
い。図８は電極パッド部４の端部に三角形状を有する非
パッド部１６を複数個設ける実施形態を示し、図９は円
形状を有する非パッド部１６を複数個設ける実施形態を
示す。本発明の実施の形態では円形と記載しているが、
このように半円であってもよく、さらに曲率を有するも
のも適用可能である。また、同一形状を複数個設けてい
るが異種形状の組み合わせでもよい。いずれも導電性接
着剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に亘っ
て設ける。そして、電極パッド部４と非パッド部１６と
の面積割合はおよそ１対１が好ましい。
パッド部１６を設ける実施形態を示す。非パッド部１６
は角形状以外に円形状などでもよく、複数個設けてもよ
い。図８は電極パッド部４の端部に三角形状を有する非
パッド部１６を複数個設ける実施形態を示し、図９は円
形状を有する非パッド部１６を複数個設ける実施形態を
示す。本発明の実施の形態では円形と記載しているが、
このように半円であってもよく、さらに曲率を有するも
のも適用可能である。また、同一形状を複数個設けてい
るが異種形状の組み合わせでもよい。いずれも導電性接
着剤５は電極パッド部４と非パッド部１６の双方に亘っ
て設ける。そして、電極パッド部４と非パッド部１６と
の面積割合はおよそ１対１が好ましい。
【００５４】図１０は図２に示すような水晶片６を片側
で支持固定する場合の電極パッド部形状の実施形態を示
す。片側で支持固定する場合の水晶片６の電極は片側に
２端子となるために電極パッド部も片側に２端子を設け
ている。電極パッド部４の内部に円形状からなる非パッ
ド部１６を設けている。円形状以外に角形状であっても
よい。さらに前述のように端部に各種形状の非パッド部
を設けてもよい。
で支持固定する場合の電極パッド部形状の実施形態を示
す。片側で支持固定する場合の水晶片６の電極は片側に
２端子となるために電極パッド部も片側に２端子を設け
ている。電極パッド部４の内部に円形状からなる非パッ
ド部１６を設けている。円形状以外に角形状であっても
よい。さらに前述のように端部に各種形状の非パッド部
を設けてもよい。
【００５５】さらに図１に示すような両側で支持固定す
る場合の水晶片６の端部電極１５の形状における実施形
態は図１１と図１２と図１３を使用して説明する。図１
１は両側で支持固定する場合における水晶片に有する電
極形状の実施形態を示す。励振電極１４は表裏に形成さ
れそれぞれ左右に端部電極１５として導出する。その端
部電極１５の形状は端部電極１５の端部に角形からなる
非電極部１７を設けるものである。非電極部１７は図１
１では単個であるが複数個でもよい。
る場合の水晶片６の端部電極１５の形状における実施形
態は図１１と図１２と図１３を使用して説明する。図１
１は両側で支持固定する場合における水晶片に有する電
極形状の実施形態を示す。励振電極１４は表裏に形成さ
れそれぞれ左右に端部電極１５として導出する。その端
部電極１５の形状は端部電極１５の端部に角形からなる
非電極部１７を設けるものである。非電極部１７は図１
１では単個であるが複数個でもよい。
【００５６】図１２は三角形状からなる非電極部１７を
複数個設ける実施の形態を示し、図１３は円形からなる
非電極部１７を複数個設ける実施の形態を示す。本発明
の実施の形態では円形と記載しているが、このように半
円であってもよく、さらに曲率を有するものも適用可能
である。また非電極部１７は、同一形状を複数個設けて
いるが、異種の形状を組み合わせることで複数個にして
もよい。また、図５に示すように非電極部１７の形状は
左右交互になるような形状でもよい。
複数個設ける実施の形態を示し、図１３は円形からなる
非電極部１７を複数個設ける実施の形態を示す。本発明
の実施の形態では円形と記載しているが、このように半
円であってもよく、さらに曲率を有するものも適用可能
である。また非電極部１７は、同一形状を複数個設けて
いるが、異種の形状を組み合わせることで複数個にして
もよい。また、図５に示すように非電極部１７の形状は
左右交互になるような形状でもよい。
【００５７】前述のように、端子部材に設ける電極パッ
ド部形状と水晶片に設ける端部電極形状について説明し
たが、その目的とするところは落下試験における周波数
の変化率を低減化させることである。その点について図
１４と図１９を用いて説明する。
ド部形状と水晶片に設ける端部電極形状について説明し
たが、その目的とするところは落下試験における周波数
の変化率を低減化させることである。その点について図
１４と図１９を用いて説明する。
【００５８】図１４は本発明における実施の形態を表す
一組み合わせであり、端子部材に水晶片を導電性接着剤
にて支持固定する部分を示す断面図である。端子部材の
電極パッド部には図７に示す電極パッド部４の形状を用
いている。さらに水晶片６は図４に示す端部電極１５の
形状を採用している。
一組み合わせであり、端子部材に水晶片を導電性接着剤
にて支持固定する部分を示す断面図である。端子部材の
電極パッド部には図７に示す電極パッド部４の形状を用
いている。さらに水晶片６は図４に示す端部電極１５の
形状を採用している。
【００５９】第２の基板２上に電極パッド部４と非パッ
ド部１６が設け、さらに水晶片６は端部電極１５と非電
極部１７を有し、シリコン系からなる導電性接着剤５が
両者の間に形成し、励振電極１４は電極パッド部４に電
気的接続する。この構造によれば導電性接着剤５は、電
極パッド部４と端部電極１５はもちろんのこと、非パッ
ド部の非電極部１７の水晶片６と直接接着される。
ド部１６が設け、さらに水晶片６は端部電極１５と非電
極部１７を有し、シリコン系からなる導電性接着剤５が
両者の間に形成し、励振電極１４は電極パッド部４に電
気的接続する。この構造によれば導電性接着剤５は、電
極パッド部４と端部電極１５はもちろんのこと、非パッ
ド部の非電極部１７の水晶片６と直接接着される。
【００６０】このような構造により導電性接着剤５にて
支持固定すると密着力が向上する。その結果、水晶片６
の支持固定力が増大する。その理由は、電極パッド４の
表面は金めっきがされており、表面は平滑になってい
る。このため、導電性接着剤５のシリコンと金のように
材料の種類により密着力が弱い点もあるが、密着力は表
面粗さが小さい点も起因する。一方、非パッド部はセラ
ミックスが露出し、そのセラミックスとシリコンとの密
着力がよい点とそれ以外にセラミックスの表面には凹凸
が多数存在し導電性接着剤５はその凹凸部に食い込むこ
とで密着力が向上する。
支持固定すると密着力が向上する。その結果、水晶片６
の支持固定力が増大する。その理由は、電極パッド４の
表面は金めっきがされており、表面は平滑になってい
る。このため、導電性接着剤５のシリコンと金のように
材料の種類により密着力が弱い点もあるが、密着力は表
面粗さが小さい点も起因する。一方、非パッド部はセラ
ミックスが露出し、そのセラミックスとシリコンとの密
着力がよい点とそれ以外にセラミックスの表面には凹凸
が多数存在し導電性接着剤５はその凹凸部に食い込むこ
とで密着力が向上する。
【００６１】さらに水晶片６については励振電極１４の
材質がＡｕ、Ｐｄ、Ａｇであったりするがシリコンとの
密着力は上述と同様によくない。しかし、前記に比べて
シリコンは非電極部１７の水晶表面との密着力が優れ
る。
材質がＡｕ、Ｐｄ、Ａｇであったりするがシリコンとの
密着力は上述と同様によくない。しかし、前記に比べて
シリコンは非電極部１７の水晶表面との密着力が優れ
る。
【００６２】前述のように、シリコン系の導電性接着剤
５は金属との密着力におとるが、電気的接続には問題が
ない。そこで、水晶片６の支持固定力は導電性接着剤５
をセラミックスと水晶の双方に直接接着させることで大
幅に改善でき、落下衝撃による周波数変化率の低減化が
可能である。
５は金属との密着力におとるが、電気的接続には問題が
ない。そこで、水晶片６の支持固定力は導電性接着剤５
をセラミックスと水晶の双方に直接接着させることで大
幅に改善でき、落下衝撃による周波数変化率の低減化が
可能である。
【００６３】本発明の実施の形態による落下衝撃試験結
果を図１９のグラフを使用して説明する。落下試験条件
はコンクリート上に１．５ｍの高さから自然落下させる
もので、横軸が落下の回数、縦軸が周波数の変化率であ
る。周波数変化率の規格はプラスマイナス１ｐｐｍ以内
である。棒グラフＧが本発明の実施形態を適用したとき
の結果であり、２０回の落下衝撃でもプラスマイナス１
ｐｐｍ以内であり規格に耐える結果となっている。
果を図１９のグラフを使用して説明する。落下試験条件
はコンクリート上に１．５ｍの高さから自然落下させる
もので、横軸が落下の回数、縦軸が周波数の変化率であ
る。周波数変化率の規格はプラスマイナス１ｐｐｍ以内
である。棒グラフＧが本発明の実施形態を適用したとき
の結果であり、２０回の落下衝撃でもプラスマイナス１
ｐｐｍ以内であり規格に耐える結果となっている。
【００６４】本発明の他への応用した実施形態として図
２０に水晶発振器を示す。水晶発振器は多層セラミック
ス基板からなり、半導体チップ１８にワイヤーが接続し
ている。その半導体チップ１８の上方に水晶片６が導電
性接着剤５にて支持固定している。このときに用いる水
晶片６の支持固定部は上述した表面実装型水晶振動子の
場合と同一である。つまり、端子部材の電極パッド部形
状と水晶片６の端部電極形状は本発明の実施の形態と同
一を用いれば水晶発振器の耐落下衝撃性は大幅に向上す
る。
２０に水晶発振器を示す。水晶発振器は多層セラミック
ス基板からなり、半導体チップ１８にワイヤーが接続し
ている。その半導体チップ１８の上方に水晶片６が導電
性接着剤５にて支持固定している。このときに用いる水
晶片６の支持固定部は上述した表面実装型水晶振動子の
場合と同一である。つまり、端子部材の電極パッド部形
状と水晶片６の端部電極形状は本発明の実施の形態と同
一を用いれば水晶発振器の耐落下衝撃性は大幅に向上す
る。
【００６５】
【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば表面実装型水晶振動子の周波数の経年変化自身
を低くすることができる。さらに、クリスタルインピー
ダンスの変化で微少リークが判定でき、早期に製品の良
否を判定できる。また、真空封止であることからクリス
タルインピーダンスが低く、発振器の負性抵抗が大きく
とれる。
によれば表面実装型水晶振動子の周波数の経年変化自身
を低くすることができる。さらに、クリスタルインピー
ダンスの変化で微少リークが判定でき、早期に製品の良
否を判定できる。また、真空封止であることからクリス
タルインピーダンスが低く、発振器の負性抵抗が大きく
とれる。
【００６６】さらに本発明によれば表面実装型水晶振動
子の耐落下衝撃性が大幅に向上することができる。した
がって従来技術では水晶片を金属からなるサポート板に
固定し衝撃を吸収していたが、そのようなサポート板は
不要となりその分薄くすることが可能となる。
子の耐落下衝撃性が大幅に向上することができる。した
がって従来技術では水晶片を金属からなるサポート板に
固定し衝撃を吸収していたが、そのようなサポート板は
不要となりその分薄くすることが可能となる。
【００６７】さらにまた本発明を水晶発振器に用いれ
ば、耐落下衝撃性の優れた薄型の製品が可能となる。
ば、耐落下衝撃性の優れた薄型の製品が可能となる。
【図１】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す断面図である。
子の構造を示す断面図である。
【図２】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す断面図である。
子の構造を示す断面図である。
【図３】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図４】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図５】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図６】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図７】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図８】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図９】本発明の実施形態における表面実装型水晶振動
子の構造を示す平面図である。
子の構造を示す平面図である。
【図１０】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す平面図である。
動子の構造を示す平面図である。
【図１１】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す平面図である。
動子の構造を示す平面図である。
【図１２】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す平面図である。
動子の構造を示す平面図である。
【図１３】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す平面図である。
動子の構造を示す平面図である。
【図１４】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す断面図である。
動子の構造を示す断面図である。
【図１５】従来技術における表面実装型水晶振動子の構
造を示す平面図である。
造を示す平面図である。
【図１６】従来技術における表面実装型水晶振動子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図１７】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す断面図である。
動子の構造を示す断面図である。
【図１８】表面実装型水晶振動子における周波数の経年
変化を示すグラフである。
変化を示すグラフである。
【図１９】表面実装型水晶振動子の落下試験結果を示す
グラフである。
グラフである。
【図２０】本発明の実施形態における表面実装型水晶振
動子の構造を示す断面図である。
動子の構造を示す断面図である。
１ 第１の基板 ２ 第２の基板 ３ 第３の基板 ４ 電極パッド部 ５ 導電性接着剤 ６ 水晶片 ８ 蓋 １０ 気密シール部 １１ ハンダ １２ 母材 １４ 励振電極 １５ 端部電極 １６ 非パッド部 １７ 非電極部 １８ 半導体チップ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 村田 一男 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内 (72)発明者 中山 一誠 埼玉県所沢市大字下富字武野840番地 シ チズン時計株式会社技術研究所内 (72)発明者 田中 隆昌 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107番 地５ ミヨタ株式会社内 (72)発明者 大井 俊英 長野県北佐久郡御代田町大字御代田4107番 地５ ミヨタ株式会社内
Claims (14)
- 【請求項１】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシ
リコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接
着剤により支持固定し、端子部材に蓋を無機材料により
気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振動子であっ
て、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項２】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシ
リコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接
着剤により支持固定し、端子部材に蓋をハンダにより気
密接合し容器を構成する表面実装型水晶振動子であっ
て、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項３】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシ
リコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接
着剤により支持固定し、端子部材に蓋をシーム溶接によ
り気密接合し容器を構成する表面実装型水晶振動子であ
って、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項４】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、Ａ
Ｔカット矩形状の水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それ
に直交したＸ軸方向である両短辺部をシリコン系、また
はウレタン系の導電性接着剤により支持固定し、端子部
材に蓋をハンダにより気密接合し容器を構成する表面実
装型水晶振動子であって、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項５】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、Ａ
Ｔカット矩形状水晶片の長辺方向をＺ′軸とし、それに
直交したＸ軸方向である両短辺部をシリのコン系、また
はウレタン系の導電性接着剤により支持固定し、端子部
材に蓋をシーム溶接により気密接合して容器を構成する
表面実装型水晶振動子であって、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項６】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、Ａ
Ｔカット矩形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに
直交したＺ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋をハンダにより気密接合し容
器を構成する表面実装型水晶振動子であって、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項７】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、Ａ
Ｔカット矩形状の水晶片の長辺方向をＸ軸とし、それに
直交したＺ′軸方向である短辺部の片側をシリコン系、
ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接着剤により
支持固定し、端子部材に蓋をシーム溶接により気密接合
し容器を構成する表面実装型水晶振動子であって、 容器内は真空であることを特徴とする表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項８】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシ
リコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接
着剤により支持固定し、端子部材に有する水晶片支持固
定部の電極パッド部の形状は電極パッド部内に角形また
は円形の非パッド部を設けるかあるいは電極パッド部の
端部に角形または円形の非パッド部を有する表面実装型
水晶振動子であって、 導電性接着剤は電極パッド部と非パッド部の双方に設け
ることを特徴とする表面実装型水晶振動子。 - 【請求項９】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、矩
形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側をシ
リコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導電性接
着剤により支持固定し、端子部材に有する水晶片支持固
定部の電極パッド部の形状は電極パッド部内に角形また
は円形の非パッドを設けるあるいは電極パッド部の端部
に角形または円形の非パッドを有する表面実装型水晶振
動子であって、 導電性接着剤は電極パッド部と非パッド部の双方に設け
るすることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、
６、または７記載の表面実装型水晶振動子。 - 【請求項１０】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、
矩形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側を
シリコン系、ウレタン系、ポリイミド系の導電性接着剤
により支持固定し、端子部材の電極パッド部に固定する
矩形状水晶片の端部電極の形状は、端部電極内に角形ま
たは円形の非電極部を設けるあるいは端部電極の端部に
角形または円形の非電極部を設ける表面実装型水晶振動
子であって、 導電性接着剤は端部電極と非電極部の双方に設けるする
ことを特徴とする表面実装型水晶振動子。 - 【請求項１１】 端子部材の平面上あるいは凹部内に、
矩形状の水晶片に有する両短辺部の片側もしくは両側
を、シリコン系、ウレタン系、またはポリイミド系の導
電性接着剤により支持固定し、端子部材の電極パッド部
に固定する矩形状水晶片の端部電極の形状は、端部電極
内に角形または円形の非電極部を設けるあるいは端部電
極の端部に角形または円形の非電極部を設ける表面実装
型水晶振動子であって、 導電性接着剤は端部電極と非電極部の双方に設けるする
ことを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、７、
または８記載の表面実装型水晶振動子。 - 【請求項１２】 容器を構成する端子部材の材質は、セ
ラミックス、ガラスセラミックス、またはガラスからな
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、または１１記載の表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項１３】 容器を構成する蓋の材質は、セラミッ
クス、ガラスセラミックス、ガラス、または金属からな
ることを特徴とする請求項１、２、３、４、５、６、
７、８、９、１０、または１１記載の表面実装型水晶振
動子。 - 【請求項１４】 容器を構成する蓋の材質は金属からな
り、金属上に形成するめっき材料は金、パラジウム、ま
たはニッケルとパラジウムからなることを特徴とする請
求項１、２、３、４、５、６、７、８、９、１０、また
は１１記載の表面実装型水晶振動子。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056596A JPH09246904A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 表面実装型水晶振動子 |
| US08/815,710 US5841217A (en) | 1996-03-14 | 1997-03-12 | Surface mounting crystal unit |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8056596A JPH09246904A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 表面実装型水晶振動子 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09246904A true JPH09246904A (ja) | 1997-09-19 |
Family
ID=13031594
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8056596A Pending JPH09246904A (ja) | 1996-03-14 | 1996-03-14 | 表面実装型水晶振動子 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US5841217A (ja) |
| JP (1) | JPH09246904A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7015627B2 (en) | 2000-09-06 | 2006-03-21 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and manufacturing method therefor |
| JP2006098168A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
| JP2011254545A (ja) * | 2011-09-05 | 2011-12-15 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子及び発振器 |
| JP2012199861A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス及び水晶デバイスの検査方法 |
| JP2014022771A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| US8732924B2 (en) | 2005-02-03 | 2014-05-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric vibrator |
| JP2016158128A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
Families Citing this family (44)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6297577B1 (en) * | 1995-01-12 | 2001-10-02 | Minolta Co., Ltd. | Light controlling apparatus |
| JP3924016B2 (ja) * | 1995-11-08 | 2007-06-06 | シチズンミヨタ株式会社 | 圧電振動子 |
| US6037705A (en) * | 1997-02-26 | 2000-03-14 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric transformer including resilient adhesive support |
| US6057633A (en) * | 1997-06-19 | 2000-05-02 | Nec Corporation | Piezoelectric transformer unit |
| US6715363B1 (en) * | 1998-02-20 | 2004-04-06 | Wilcoxon Research, Inc. | Method and apparatus for strain amplification for piezoelectric transducers |
| US6126311A (en) * | 1998-11-02 | 2000-10-03 | Claud S. Gordon Company | Dew point sensor using mems |
| JP4547788B2 (ja) * | 2000-03-15 | 2010-09-22 | セイコーエプソン株式会社 | 圧電振動子のパッケージ構造 |
| US6628048B2 (en) * | 2000-11-29 | 2003-09-30 | Samsung Electro-Mechanics Co., Ltd. | Crystal oscillator with improved shock resistance |
| JP2003318699A (ja) * | 2002-04-23 | 2003-11-07 | Piedekku Gijutsu Kenkyusho:Kk | 水晶ユニットとその製造方法 |
| JP4087186B2 (ja) * | 2002-06-25 | 2008-05-21 | 日本電波工業株式会社 | 水晶振動子の保持構造 |
| JP2004180274A (ja) * | 2002-11-15 | 2004-06-24 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶振動子 |
| CN1333523C (zh) * | 2002-11-22 | 2007-08-22 | 泰艺电子股份有限公司 | 时频元件的制造方法及其制品 |
| US20040135473A1 (en) * | 2003-01-15 | 2004-07-15 | Byers Charles L. | Piezoelectric devices mounted on integrated circuit chip |
| EP1536559A1 (fr) * | 2003-11-25 | 2005-06-01 | ETA SA Manufacture Horlogère Suisse | Composant électronique ayant un élément résonateur dans un boitier hermetiquement fermé |
| JP4692722B2 (ja) * | 2004-01-29 | 2011-06-01 | セイコーエプソン株式会社 | 電子部品用パッケージおよび電子部品 |
| JP2006245098A (ja) * | 2005-03-01 | 2006-09-14 | Seiko Epson Corp | 電子部品及びその製造方法、並びに電子機器 |
| WO2006095503A1 (ja) * | 2005-03-11 | 2006-09-14 | Daishinku Corporation | 電子部品用容器、および圧電振動デバイス |
| US7112914B1 (en) * | 2005-06-09 | 2006-09-26 | Eta Sa Manufacture Horlogere Suisse | Piezoelectric resonator and assembly comprising the same enclosed in a case |
| US7602107B2 (en) * | 2005-11-30 | 2009-10-13 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Surface mount type crystal oscillator |
| US7432202B2 (en) * | 2005-12-28 | 2008-10-07 | Intel Corporation | Method of substrate manufacture that decreases the package resistance |
| JP2008118585A (ja) * | 2006-11-08 | 2008-05-22 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 表面実装用の電子部品 |
| US20090051447A1 (en) * | 2007-08-24 | 2009-02-26 | Mccracken Jeffrey A | Ovenized oscillator |
| JP4659012B2 (ja) * | 2007-10-18 | 2011-03-30 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶振動子 |
| US7915791B2 (en) * | 2007-10-18 | 2011-03-29 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Quartz crystal device accomodating crystal blanks of multiple shapes and sizes |
| JP2009130235A (ja) * | 2007-11-27 | 2009-06-11 | Panasonic Corp | 圧電デバイスとこれを用いた電子機器、及び自動車 |
| JP4695636B2 (ja) * | 2007-12-04 | 2011-06-08 | 日本電波工業株式会社 | 表面実装用の水晶振動子 |
| JP5048471B2 (ja) * | 2007-12-05 | 2012-10-17 | セイコーインスツル株式会社 | パッケージの製造方法、パッケージ、電子デバイス、圧電振動子、発振器、電子機器及び電波時計 |
| JP4458203B2 (ja) * | 2007-12-06 | 2010-04-28 | 株式会社村田製作所 | 圧電振動部品 |
| US7783142B2 (en) * | 2008-12-24 | 2010-08-24 | Infinera Corporation | Low stress package |
| JP5487672B2 (ja) * | 2009-03-27 | 2014-05-07 | パナソニック株式会社 | 物理量センサ |
| JP2012169879A (ja) * | 2011-02-15 | 2012-09-06 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電デバイス |
| JP2012186709A (ja) * | 2011-03-07 | 2012-09-27 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 圧電振動片及び圧電デバイス |
| USD674364S1 (en) * | 2011-07-08 | 2013-01-15 | Nihon Dempa Kogyo Co., Ltd. | Crystal unit |
| JP2013046167A (ja) * | 2011-08-23 | 2013-03-04 | Seiko Epson Corp | 振動デバイス、及び振動デバイスの製造方法 |
| USD668658S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
| USD680119S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-16 | Connectblue Ab | Module |
| USD692896S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-11-05 | Connectblue Ab | Module |
| USD689053S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-09-03 | Connectblue Ab | Module |
| USD680545S1 (en) * | 2011-11-15 | 2013-04-23 | Connectblue Ab | Module |
| USD668659S1 (en) * | 2011-11-15 | 2012-10-09 | Connectblue Ab | Module |
| JP2013165404A (ja) * | 2012-02-10 | 2013-08-22 | Seiko Instruments Inc | 振動デバイス及び発振器 |
| TWI493866B (zh) * | 2012-05-10 | 2015-07-21 | Siward Crystal Technology Co Ltd | Piezoelectric components |
| JP2014086522A (ja) * | 2012-10-23 | 2014-05-12 | Seiko Epson Corp | 電子デバイスの製造方法、電子部品用容器の接合装置、電子機器、及び移動体機器 |
| US20220357650A1 (en) * | 2021-05-07 | 2022-11-10 | Entegris, Inc. | Metal plating with lubricant |
Family Cites Families (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5513553A (en) * | 1978-07-14 | 1980-01-30 | Matsushima Kogyo Co Ltd | Crystal vibrator |
| JPS6119214A (ja) * | 1984-07-05 | 1986-01-28 | Matsushima Kogyo Co Ltd | 圧電振動子の電極構造 |
| JPS62108607A (ja) * | 1985-11-06 | 1987-05-19 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電部品 |
| JP2647194B2 (ja) * | 1989-04-17 | 1997-08-27 | 住友電気工業株式会社 | 半導体用パッケージの封止方法 |
| US5159301A (en) * | 1989-06-14 | 1992-10-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Piezoelectric resonator device of the tuning fork type |
| DE69029086T2 (de) * | 1990-02-09 | 1997-03-06 | Toyo Communication Equip | Struktur zur Festhaltung in einem Modül eines flachen ultradünnen piezoelektrischen Resonators |
| JPH0559951U (ja) * | 1992-01-09 | 1993-08-06 | 株式会社村田製作所 | 圧電部品 |
| US5250870A (en) * | 1992-03-25 | 1993-10-05 | Motorola, Inc. | Ultra-thin surface mount crystal package |
| US5382929A (en) * | 1992-07-31 | 1995-01-17 | Ndk, Nihon Dempa Kogyo Company, Ltd. | Monolithic crystal filter |
| KR0158469B1 (ko) * | 1992-10-15 | 1999-03-20 | 모리시타 요이찌 | 발진자 |
| US5405476A (en) * | 1993-11-24 | 1995-04-11 | Motorola, Inc. | Method of mounting a piezoelectric element to a substrate using compliant conductive materials |
| US5585687A (en) * | 1994-02-23 | 1996-12-17 | Citizen Watch Co., Ltd. | Piezolelectric oscillator |
| US5473216A (en) * | 1994-06-29 | 1995-12-05 | Motorola, Inc. | Piezoelectric device for controlling the frequency-temperature shift of piezoelectric crystals and method of making same |
-
1996
- 1996-03-14 JP JP8056596A patent/JPH09246904A/ja active Pending
-
1997
- 1997-03-12 US US08/815,710 patent/US5841217A/en not_active Expired - Fee Related
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7015627B2 (en) | 2000-09-06 | 2006-03-21 | Seiko Epson Corporation | Piezoelectric device and manufacturing method therefor |
| JP2006098168A (ja) * | 2004-09-29 | 2006-04-13 | Denso Corp | 角速度センサ装置 |
| US8732924B2 (en) | 2005-02-03 | 2014-05-27 | Seiko Epson Corporation | Method of manufacturing a piezoelectric vibrator |
| JP2012199861A (ja) * | 2011-03-23 | 2012-10-18 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶デバイス及び水晶デバイスの検査方法 |
| JP2011254545A (ja) * | 2011-09-05 | 2011-12-15 | Seiko Epson Corp | 振動素子、振動子及び発振器 |
| JP2014022771A (ja) * | 2012-07-12 | 2014-02-03 | Nippon Dempa Kogyo Co Ltd | 水晶発振器 |
| JP2016158128A (ja) * | 2015-02-25 | 2016-09-01 | 京セラクリスタルデバイス株式会社 | 圧電デバイスおよびその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US5841217A (en) | 1998-11-24 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JPH09246904A (ja) | 表面実装型水晶振動子 | |
| JP4547788B2 (ja) | 圧電振動子のパッケージ構造 | |
| CN102124648A (zh) | 压电装置及其制造方法 | |
| JPWO2000033455A1 (ja) | 圧電デバイス及びその製造方法 | |
| JP7370146B2 (ja) | 弾性波デバイス、フィルタおよびマルチプレクサ | |
| KR100699586B1 (ko) | 수정발진기 | |
| JP2008131549A (ja) | 水晶振動デバイス | |
| TW201349604A (zh) | 用來連接一第一電子元件及一第二元件之方法 | |
| JP3896585B2 (ja) | 音叉型圧電振動子 | |
| JP2006196932A (ja) | 音叉型圧電デバイスの製造方法および音叉型圧電デバイス | |
| US20030137039A1 (en) | Packaging substrate and manufacturing method thereof, integrated circuit device and manufacturing method thereof, and saw device | |
| JP4936153B2 (ja) | 音叉型圧電振動子 | |
| JP2001102905A (ja) | 弾性表面波装置 | |
| JP3968782B2 (ja) | 電子部品用パッケージおよび当該パッケージを用いた圧電振動デバイスおよび圧電振動デバイスの製造方法 | |
| JP2004343571A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP4089149B2 (ja) | 圧電デバイス | |
| JP2005051408A (ja) | 圧電デバイスとその製造方法ならびに圧電デバイスを利用した携帯電話装置および圧電デバイスを利用した電子機器 | |
| JP3164891B2 (ja) | 水晶振動子とその製造方法 | |
| JP2007043351A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2004222053A (ja) | 圧電デバイス、携帯電話装置及び電子機器 | |
| JP2005151116A (ja) | 圧電振動デバイス | |
| JP2002158557A (ja) | 圧電振動デバイスの保持構造 | |
| TW202332197A (zh) | 壓電振動元件 | |
| JP3556111B2 (ja) | 電子部品用パツケージ、それを用いた電子部品組立構体および電子部品組立構体の製造方法 | |
| JP2015076746A (ja) | 圧電振動子 |