JPH09252576A - 直流−直流変換装置のスナバ回路 - Google Patents
直流−直流変換装置のスナバ回路Info
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- JPH09252576A JPH09252576A JP5988196A JP5988196A JPH09252576A JP H09252576 A JPH09252576 A JP H09252576A JP 5988196 A JP5988196 A JP 5988196A JP 5988196 A JP5988196 A JP 5988196A JP H09252576 A JPH09252576 A JP H09252576A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 半導体スイッチング素子の電圧上昇率を抑制
して損失を少なくし、スナバ回路の発生損失を低減す
る。 【解決手段】 直流電源1,半導体スイッチ素子21,
ダイオード31および変圧器4からなる1石フォワード
型コンバータに、半導体スイッチ素子22およびダイオ
ード32を図示のように接続するとともに、スナバ回路
8および補助回路9を接続することで、クランプ形のス
ナバ回路7の適用を可能としつつ、半導体スイッチ素子
21のターンオフ時の電圧上昇率を抑制してスイッチン
グ損失を低減させ、半導体スイッチ素子21のオン時に
コンデンサを逆充電することで、スナバエネギーを有効
利用し発生損失を減少させる。
して損失を少なくし、スナバ回路の発生損失を低減す
る。 【解決手段】 直流電源1,半導体スイッチ素子21,
ダイオード31および変圧器4からなる1石フォワード
型コンバータに、半導体スイッチ素子22およびダイオ
ード32を図示のように接続するとともに、スナバ回路
8および補助回路9を接続することで、クランプ形のス
ナバ回路7の適用を可能としつつ、半導体スイッチ素子
21のターンオフ時の電圧上昇率を抑制してスイッチン
グ損失を低減させ、半導体スイッチ素子21のオン時に
コンデンサを逆充電することで、スナバエネギーを有効
利用し発生損失を減少させる。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】この発明は、直流電源から絶
縁された直流電力を取り出す直流−直流変換装置のスナ
バ回路、特に小型で低損失のスナバ回路に関する。
縁された直流電力を取り出す直流−直流変換装置のスナ
バ回路、特に小型で低損失のスナバ回路に関する。
【0002】
【従来の技術】図11に1石フォワード型直流−直流変
換装置の従来例を示す。同図に示すように、直流電源1
の正極側端子には変圧器4の一次巻線41とリセット巻
線42との接続点が、変圧器4の一次巻線41の他方の
端子と直流電源1の負極側端子間には半導体スイッチ素
子21が、変圧器4のリセット巻線42の他方の端子と
直流電源1の負極側端子間にはダイオード32が、変圧
器4の二次巻線43には整流回路5が、整流回路5には
平滑フィルタ6がそれぞれ接続されて構成されている。
換装置の従来例を示す。同図に示すように、直流電源1
の正極側端子には変圧器4の一次巻線41とリセット巻
線42との接続点が、変圧器4の一次巻線41の他方の
端子と直流電源1の負極側端子間には半導体スイッチ素
子21が、変圧器4のリセット巻線42の他方の端子と
直流電源1の負極側端子間にはダイオード32が、変圧
器4の二次巻線43には整流回路5が、整流回路5には
平滑フィルタ6がそれぞれ接続されて構成されている。
【0003】図18に図11の動作波形を示す(図11
のような回路とその動作は、例えば1984年誠文堂新
光社発行「スイッチングレギュレータの設計方法とパワ
ーデバイスの使いかた」18〜19頁,95〜99頁の
記載をはじめとして、良く知られている)。いま、半導
体スイッチ素子21がオンの期間に変圧器4を正方向
に励磁し、整流回路5および平滑フィルタ6を介して負
荷に直流電力を供給する。これに対し、半導体スイッチ
素子21がオフの期間には変圧器4の励磁エネルギー
が、リセット巻線42およびダイオード32を介して直
流電源1に回生される。
のような回路とその動作は、例えば1984年誠文堂新
光社発行「スイッチングレギュレータの設計方法とパワ
ーデバイスの使いかた」18〜19頁,95〜99頁の
記載をはじめとして、良く知られている)。いま、半導
体スイッチ素子21がオンの期間に変圧器4を正方向
に励磁し、整流回路5および平滑フィルタ6を介して負
荷に直流電力を供給する。これに対し、半導体スイッチ
素子21がオフの期間には変圧器4の励磁エネルギー
が、リセット巻線42およびダイオード32を介して直
流電源1に回生される。
【0004】図11の回路では、半導体スイッチ素子2
1のターンオフ時、半導体スイッチ素子21のはね上が
り電圧を抑制するとともに、電圧上昇率(dv/dt)
を小さくしてスイッチング損失を低減するため、半導体
スイッチ素子21には図17(イ),(ロ)に示すよう
なスナバ回路12が並列に接続される。なお、図17
(イ)はコンデンサ121と抵抗122の直列回路であ
り、図17(ロ)はコンデンサ123とダイオード12
5とを直列接続し、ダイオード125と並列に放電抵抗
124を接続したものである。これにより、コンデンサ
121,123が吸収したエネルギーは、次に半導体ス
イッチ素子21がオンしている期間に、放電抵抗12
2,124へ放出される。
1のターンオフ時、半導体スイッチ素子21のはね上が
り電圧を抑制するとともに、電圧上昇率(dv/dt)
を小さくしてスイッチング損失を低減するため、半導体
スイッチ素子21には図17(イ),(ロ)に示すよう
なスナバ回路12が並列に接続される。なお、図17
(イ)はコンデンサ121と抵抗122の直列回路であ
り、図17(ロ)はコンデンサ123とダイオード12
5とを直列接続し、ダイオード125と並列に放電抵抗
124を接続したものである。これにより、コンデンサ
121,123が吸収したエネルギーは、次に半導体ス
イッチ素子21がオンしている期間に、放電抵抗12
2,124へ放出される。
【0005】図12に図11の変形例を示す。図11と
の相違点は、スナバ回路12を省略し、ダイオード31
の一方の端子を変圧器一次巻線41と半導体スイッチ素
子21との接続点に、半導体スイッチ素子22の一方の
端子を変圧器リセット巻線42とダイオード32との接
続点に、また、ダイオード31の他方の端子を半導体ス
イッチ素子22の他方の端子に、スナバ回路7をダイオ
ード31と半導体スイッチ素子22との接続点と、半導
体スイッチ素子21とダイオード32との接続点間にそ
れぞれ接続する。ここでは、スナバ回路7はコンデンサ
で示している。
の相違点は、スナバ回路12を省略し、ダイオード31
の一方の端子を変圧器一次巻線41と半導体スイッチ素
子21との接続点に、半導体スイッチ素子22の一方の
端子を変圧器リセット巻線42とダイオード32との接
続点に、また、ダイオード31の他方の端子を半導体ス
イッチ素子22の他方の端子に、スナバ回路7をダイオ
ード31と半導体スイッチ素子22との接続点と、半導
体スイッチ素子21とダイオード32との接続点間にそ
れぞれ接続する。ここでは、スナバ回路7はコンデンサ
で示している。
【0006】図19に図12の動作波形を示す。直流出
力動作は図11の場合と同様なので省略し、スナバ回路
7によるエネルギー回生動作について説明する。半導体
スイッチ素子21のターンオフ時にはダイオード31が
導通し、半導体スイッチ素子21のはね上がり電圧を抑
制し、はね上がり電圧分のエネルギーがスナバ回路7で
吸収される。次に、半導体スイッチ素子21をオンして
いる期間に半導体スイッチ素子22をオンし、スナバ
回路7で吸収したエネルギーを負荷に放出する。
力動作は図11の場合と同様なので省略し、スナバ回路
7によるエネルギー回生動作について説明する。半導体
スイッチ素子21のターンオフ時にはダイオード31が
導通し、半導体スイッチ素子21のはね上がり電圧を抑
制し、はね上がり電圧分のエネルギーがスナバ回路7で
吸収される。次に、半導体スイッチ素子21をオンして
いる期間に半導体スイッチ素子22をオンし、スナバ
回路7で吸収したエネルギーを負荷に放出する。
【0007】図13に2石フォワード型直流−直流変換
装置の従来例を示す。同図に示すように、直流電源1の
正極側端子には半導体スイッチ素子22の一方の端子
が、半導体スイッチ素子22の他方の端子には変圧器一
次巻線41の一方の端子が、変圧器一次巻線41の他方
の端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子が、半
導体スイッチ素子21の他方の端子には直流電源1の負
極側端子が、直流電源1の正極側端子と変圧器一次巻線
41と半導体スイッチ素子21の接続点間にはダイオー
ド31が、変圧器一次巻線41と半導体スイッチ素子2
2の接続点と直流電源1の負極側端子間にはダイオード
32が、変圧器二次巻線43には整流回路5が、整流回
路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続されて構成され
る。
装置の従来例を示す。同図に示すように、直流電源1の
正極側端子には半導体スイッチ素子22の一方の端子
が、半導体スイッチ素子22の他方の端子には変圧器一
次巻線41の一方の端子が、変圧器一次巻線41の他方
の端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子が、半
導体スイッチ素子21の他方の端子には直流電源1の負
極側端子が、直流電源1の正極側端子と変圧器一次巻線
41と半導体スイッチ素子21の接続点間にはダイオー
ド31が、変圧器一次巻線41と半導体スイッチ素子2
2の接続点と直流電源1の負極側端子間にはダイオード
32が、変圧器二次巻線43には整流回路5が、整流回
路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続されて構成され
る。
【0008】図20に図13の動作波形を示す。すなわ
ち、図13の半導体スイッチ素子21および22をオン
している期間に変圧器4を正方向に励磁し、整流回路
5および平滑フィルタ6を介して負荷に直流電力を供給
する。次に、半導体スイッチ素子21および22をオフ
している期間に、変圧器4の励磁エネルギーを変圧器
一次巻線41,ダイオード31およびダイオード32を
介して直流電源1に回生する。図13の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のために、半導体スイッチ素子21
および22には図17に示すようなスナバ回路が並列に
接続される。
ち、図13の半導体スイッチ素子21および22をオン
している期間に変圧器4を正方向に励磁し、整流回路
5および平滑フィルタ6を介して負荷に直流電力を供給
する。次に、半導体スイッチ素子21および22をオフ
している期間に、変圧器4の励磁エネルギーを変圧器
一次巻線41,ダイオード31およびダイオード32を
介して直流電源1に回生する。図13の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のために、半導体スイッチ素子21
および22には図17に示すようなスナバ回路が並列に
接続される。
【0009】図14にハーフブリッジ型直流−直流変換
装置の従来例を示す。ここでは、直流電源1の正極側端
子には半導体スイッチ素子22の一方の端子とコンデン
サ18の一方の端子が、半導体スイッチ素子22の他方
の端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子と変圧
器一次巻線41の一方の端子が、コンデンサ18の他方
の端子にはコンデンサ17の一方の端子と変圧器一次巻
線41の他方の端子が、変圧器二次巻線43には整流回
路5が、整流回路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続
されて構成されている。
装置の従来例を示す。ここでは、直流電源1の正極側端
子には半導体スイッチ素子22の一方の端子とコンデン
サ18の一方の端子が、半導体スイッチ素子22の他方
の端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子と変圧
器一次巻線41の一方の端子が、コンデンサ18の他方
の端子にはコンデンサ17の一方の端子と変圧器一次巻
線41の他方の端子が、変圧器二次巻線43には整流回
路5が、整流回路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続
されて構成されている。
【0010】図21に図14の動作波形を示す。すなわ
ち、図14の半導体スイッチ素子22をオンしている期
間に変圧器4を正方向に励磁し、半導体スイッチ素子
21をオンしている期間に変圧器4を負方向に励磁す
る。このような動作を繰り返すことにより、直流電源1
から整流回路5および平滑フィルタ6を介して負荷に直
流電力を供給するものである。図14の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のため、半導体スイッチ素子21お
よび22には図17に示すようなスナバ回路が並列に接
続される。
ち、図14の半導体スイッチ素子22をオンしている期
間に変圧器4を正方向に励磁し、半導体スイッチ素子
21をオンしている期間に変圧器4を負方向に励磁す
る。このような動作を繰り返すことにより、直流電源1
から整流回路5および平滑フィルタ6を介して負荷に直
流電力を供給するものである。図14の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のため、半導体スイッチ素子21お
よび22には図17に示すようなスナバ回路が並列に接
続される。
【0011】図15にプッシュプル型直流−直流変換装
置の従来例を示す。ここでは、直流電源1の正極側端子
には直流リアクトル19を介して変圧器4のセンタータ
ップ端子(中間端子)が、変圧器一次巻線41の一方の
端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子が、変圧
器一次巻線44の一方の端子には半導体スイッチ素子2
2の一方の端子が、半導体スイッチ素子21の他方の端
子には半導体スイッチ素子22の他方の端子および直流
電源1の負極側端子が、変圧器二次巻線43には整流回
路5が、整流回路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続
されて構成されている。
置の従来例を示す。ここでは、直流電源1の正極側端子
には直流リアクトル19を介して変圧器4のセンタータ
ップ端子(中間端子)が、変圧器一次巻線41の一方の
端子には半導体スイッチ素子21の一方の端子が、変圧
器一次巻線44の一方の端子には半導体スイッチ素子2
2の一方の端子が、半導体スイッチ素子21の他方の端
子には半導体スイッチ素子22の他方の端子および直流
電源1の負極側端子が、変圧器二次巻線43には整流回
路5が、整流回路5には平滑フィルタ6がそれぞれ接続
されて構成されている。
【0012】図22に図15の動作波形を示す。すなわ
ち、図15の半導体スイッチ素子21および22を同時
にオンしている期間およびに直流リアクトル19に
エネルギーを蓄え、半導体スイッチ素子21がオンして
いる期間に変圧器4を正方向に励磁し、半導体スイッ
チ素子22がオンしている期間に変圧器4を負方向に
励磁する。この動作を繰り返すことにより、直流電源1
から整流回路5および平滑フィルタ6を介して負荷に直
流電力を供給するものである。図15の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のため、半導体スイッチ素子21お
よび22には図17に示すようなスナバ回路が並列に接
続される。
ち、図15の半導体スイッチ素子21および22を同時
にオンしている期間およびに直流リアクトル19に
エネルギーを蓄え、半導体スイッチ素子21がオンして
いる期間に変圧器4を正方向に励磁し、半導体スイッ
チ素子22がオンしている期間に変圧器4を負方向に
励磁する。この動作を繰り返すことにより、直流電源1
から整流回路5および平滑フィルタ6を介して負荷に直
流電力を供給するものである。図15の回路でも、半導
体スイッチ素子21および22のはね上がり電圧抑制お
よび電圧上昇率抑制のため、半導体スイッチ素子21お
よび22には図17に示すようなスナバ回路が並列に接
続される。
【0013】図16に図15の変形例を示す。図15と
の相違点は、スナバ回路12,13を省略し、半導体ス
イッチ素子23の一方の端子を変圧器一次巻線41と半
導体スイッチ素子21との接続点に、半導体スイッチ素
子24の一方の端子を変圧器一次巻線44と半導体スイ
ッチ素子22との接続点に、半導体スイッチ素子23の
他方の端子を半導体スイッチ素子24の他方の端子に、
スナバ回路7を半導体スイッチ素子23と半導体スイッ
チ素子24との接続点と、半導体スイッチ素子21と半
導体スイッチ素子22との接続点にそれぞれ接続した点
にある。図16では、スナバ回路7はコンデンサで示さ
れる。
の相違点は、スナバ回路12,13を省略し、半導体ス
イッチ素子23の一方の端子を変圧器一次巻線41と半
導体スイッチ素子21との接続点に、半導体スイッチ素
子24の一方の端子を変圧器一次巻線44と半導体スイ
ッチ素子22との接続点に、半導体スイッチ素子23の
他方の端子を半導体スイッチ素子24の他方の端子に、
スナバ回路7を半導体スイッチ素子23と半導体スイッ
チ素子24との接続点と、半導体スイッチ素子21と半
導体スイッチ素子22との接続点にそれぞれ接続した点
にある。図16では、スナバ回路7はコンデンサで示さ
れる。
【0014】図23に図16の動作波形を示す。その直
流出力動作については図15の場合と同様なので省略
し、ここではスナバ回路7によるエネルギー回生動作に
つき説明する。半導体スイッチ素子21のターンオフ時
には、半導体スイッチ素子23に逆並列に接続されてい
るダイオードが導通し、半導体スイッチ素子21のはね
上がり電圧を抑制し、はね上がり電圧分のエネルギーが
スナバ回路7で吸収される。次に、半導体スイッチ素子
21をオンしている期間に半導体スイッチ素子24を
オンし、スナバ回路7で吸収したエネルギーを負荷に放
出する。
流出力動作については図15の場合と同様なので省略
し、ここではスナバ回路7によるエネルギー回生動作に
つき説明する。半導体スイッチ素子21のターンオフ時
には、半導体スイッチ素子23に逆並列に接続されてい
るダイオードが導通し、半導体スイッチ素子21のはね
上がり電圧を抑制し、はね上がり電圧分のエネルギーが
スナバ回路7で吸収される。次に、半導体スイッチ素子
21をオンしている期間に半導体スイッチ素子24を
オンし、スナバ回路7で吸収したエネルギーを負荷に放
出する。
【0015】
【発明が解決しようとする課題】上記図11,図13,
図14および図15に示す従来例に対し、図17(イ)
のようなスナバ回路を用いた場合、半導体スイッチ素子
の電圧上昇率を抑制することができず、スナバコンデン
サで吸収したエネルギーを放電抵抗で消費する。また、
図17(ロ)のようなスナバ回路を用いた場合、半導体
スイッチ素子の電圧上昇率を抑制することはできるが、
スナバコンデンサで吸収したエネルギーを放電抵抗で消
費する点は同じである。図12および図16に示す従来
例では、スナバコンデンサで吸収したエネルギーを回生
することはできるが、半導体スイッチ素子の電圧上昇率
を抑制することができない。
図14および図15に示す従来例に対し、図17(イ)
のようなスナバ回路を用いた場合、半導体スイッチ素子
の電圧上昇率を抑制することができず、スナバコンデン
サで吸収したエネルギーを放電抵抗で消費する。また、
図17(ロ)のようなスナバ回路を用いた場合、半導体
スイッチ素子の電圧上昇率を抑制することはできるが、
スナバコンデンサで吸収したエネルギーを放電抵抗で消
費する点は同じである。図12および図16に示す従来
例では、スナバコンデンサで吸収したエネルギーを回生
することはできるが、半導体スイッチ素子の電圧上昇率
を抑制することができない。
【0016】つまり、従来回路において、直流電源の電
圧および半導体スイッチ素子の動作周波数が高くなる
と、図17(イ)のスナバ回路,図12および図16の
回路では、半導体スイッチ素子のスイッチング損失が大
きくなり、また、図17(イ)および(ロ)のスナバ回
路では、放電抵抗における発生損失が大きくなる。この
ことにより、従来のものでは、装置の変換効率が低下し
スナバ回路が大型化するという問題がある。したがっ
て、この発明の課題は半導体スイッチ素子の電圧上昇率
を抑制し、スナバ回路を大形化させず、装置の変換効率
を向上させることにある。
圧および半導体スイッチ素子の動作周波数が高くなる
と、図17(イ)のスナバ回路,図12および図16の
回路では、半導体スイッチ素子のスイッチング損失が大
きくなり、また、図17(イ)および(ロ)のスナバ回
路では、放電抵抗における発生損失が大きくなる。この
ことにより、従来のものでは、装置の変換効率が低下し
スナバ回路が大型化するという問題がある。したがっ
て、この発明の課題は半導体スイッチ素子の電圧上昇率
を抑制し、スナバ回路を大形化させず、装置の変換効率
を向上させることにある。
【0017】
【課題を解決するための手段】このような課題を解決す
べく、請求項1の発明では、第1のダイオードと第1の
半導体スイッチ素子とを直列接続した第1の直列アーム
と、第2の半導体スイッチ素子と第2のダイオードとを
直列接続した第2の直列アームと、第1のスナバ回路と
を互いに並列に接続し、変圧器一次巻線のリセット巻線
を接続していない側の端子を前記第1の直列アームの直
列接続点に、また、前記変圧器リセット巻線の一次巻線
を接続していない側の端子を前記第2の直列アームの直
列接続点に、さらに、直流電源を変圧器の一次巻線とリ
セット巻線の接続点と前記第1の半導体スイッチ素子と
前記第2のダイオードとの接続点間に並列にそれぞれ接
続し、加えて、前記変圧器二次巻線には整流回路、この
整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−直
流変換装置において、スナバダイオードとスナバコンデ
ンサとを直列接続した第2のスナバ回路を前記第1の直
列アームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列
接続点との間に接続するとともに、補助ダイオードと補
助リアクトルとの直列回路からなる補助回路を前記第2
のスナバ回路の直列接続点と、前記第1のスナバ回路の
前記直流電源が接続されていない側の端子との間に接続
する。
べく、請求項1の発明では、第1のダイオードと第1の
半導体スイッチ素子とを直列接続した第1の直列アーム
と、第2の半導体スイッチ素子と第2のダイオードとを
直列接続した第2の直列アームと、第1のスナバ回路と
を互いに並列に接続し、変圧器一次巻線のリセット巻線
を接続していない側の端子を前記第1の直列アームの直
列接続点に、また、前記変圧器リセット巻線の一次巻線
を接続していない側の端子を前記第2の直列アームの直
列接続点に、さらに、直流電源を変圧器の一次巻線とリ
セット巻線の接続点と前記第1の半導体スイッチ素子と
前記第2のダイオードとの接続点間に並列にそれぞれ接
続し、加えて、前記変圧器二次巻線には整流回路、この
整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−直
流変換装置において、スナバダイオードとスナバコンデ
ンサとを直列接続した第2のスナバ回路を前記第1の直
列アームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列
接続点との間に接続するとともに、補助ダイオードと補
助リアクトルとの直列回路からなる補助回路を前記第2
のスナバ回路の直列接続点と、前記第1のスナバ回路の
前記直流電源が接続されていない側の端子との間に接続
する。
【0018】請求項2の発明では、第1のダイオードと
第1の半導体スイッチ素子とを直列接続した第1の直列
アームと、第2の半導体スイッチ素子と第2のダイオー
ドとを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを
互いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列
アームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列接
続点との間に接続するとともに、変圧器二次巻線には整
流回路、この整流回路には平滑回路をそれぞれ接続して
なる直流−直流変換装置において、前記直流電源を第
1,第2の直流電源に2分割して互いに直列接続し、第
1のスナバダイオードと第1のスナバコンデンサとを直
列接続した第1のスナバ回路を前記第1の直列アームの
直列接続点と、前記第1の直流電源と第2の直流電源と
の直列接続点との間に接続し、第2のスナバダイオード
と第2のスナバコンデンサとを直列接続した第2のスナ
バ回路を前記第1の直流電源と第2の直流電源との直列
接続点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に
接続するとともに、第1の補助ダイオードと第1の補助
リアクトルとの直列回路からなる第1の補助回路を前記
第1のスナバ回路の直列接続点と前記第2の直流電源の
負極側端子との間に、かつ、第2の補助ダイオードと第
2の補助リアクトルとの直列回路からなる第2の補助回
路を前記第2のスナバ回路の直列接続点と前記第1の直
流電源の正極側端子との間にそれぞれ接続する。
第1の半導体スイッチ素子とを直列接続した第1の直列
アームと、第2の半導体スイッチ素子と第2のダイオー
ドとを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを
互いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列
アームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列接
続点との間に接続するとともに、変圧器二次巻線には整
流回路、この整流回路には平滑回路をそれぞれ接続して
なる直流−直流変換装置において、前記直流電源を第
1,第2の直流電源に2分割して互いに直列接続し、第
1のスナバダイオードと第1のスナバコンデンサとを直
列接続した第1のスナバ回路を前記第1の直列アームの
直列接続点と、前記第1の直流電源と第2の直流電源と
の直列接続点との間に接続し、第2のスナバダイオード
と第2のスナバコンデンサとを直列接続した第2のスナ
バ回路を前記第1の直流電源と第2の直流電源との直列
接続点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に
接続するとともに、第1の補助ダイオードと第1の補助
リアクトルとの直列回路からなる第1の補助回路を前記
第1のスナバ回路の直列接続点と前記第2の直流電源の
負極側端子との間に、かつ、第2の補助ダイオードと第
2の補助リアクトルとの直列回路からなる第2の補助回
路を前記第2のスナバ回路の直列接続点と前記第1の直
流電源の正極側端子との間にそれぞれ接続する。
【0019】請求項3の発明では、半導体スイッチ素子
とダイオードとを逆並列接続した2組のスイッチング素
子を直列接続した第1の直列アームと、2つのコンデン
サを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを互
いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列ア
ームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列接続
点との間に接続するとともに、変圧器二次巻線には整流
回路、この整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してな
る直流−直流変換装置において、第1のスナバコンデン
サと第1のスナバダイオードとを直列接続した第1のス
ナバ回路と、第2のスナバダイオードと第2のスナバコ
ンデンサとを直列接続した第2のスナバ回路とをそれぞ
れ前記変圧器一次巻線端子間に接続するとともに、第1
の補助ダイオードと第1の補助リアクトルとの直列回路
からなる第1の補助回路を前記第1のスナバ回路の直列
接続点と前記直流電源の負極側端子との間に接続し、第
2の補助ダイオードと第2の補助リアクトルとの直列回
路からなる第2の補助回路を前記第2のスナバ回路の直
列接続点と前記直流電源の正極側端子との間に接続す
る。
とダイオードとを逆並列接続した2組のスイッチング素
子を直列接続した第1の直列アームと、2つのコンデン
サを直列接続した第2の直列アームと、直流電源とを互
いに並列に接続し、変圧器一次巻線を前記第1の直列ア
ームの直列接続点と、前記第2の直列アームの直列接続
点との間に接続するとともに、変圧器二次巻線には整流
回路、この整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してな
る直流−直流変換装置において、第1のスナバコンデン
サと第1のスナバダイオードとを直列接続した第1のス
ナバ回路と、第2のスナバダイオードと第2のスナバコ
ンデンサとを直列接続した第2のスナバ回路とをそれぞ
れ前記変圧器一次巻線端子間に接続するとともに、第1
の補助ダイオードと第1の補助リアクトルとの直列回路
からなる第1の補助回路を前記第1のスナバ回路の直列
接続点と前記直流電源の負極側端子との間に接続し、第
2の補助ダイオードと第2の補助リアクトルとの直列回
路からなる第2の補助回路を前記第2のスナバ回路の直
列接続点と前記直流電源の正極側端子との間に接続す
る。
【0020】請求項4の発明では、半導体スイッチ素子
とダイオードとを逆並列接続した2組のスイッチング素
子をそれぞれ直列接続した第1,第2の直列アームと、
第1のスナバ回路とを互いに並列に接続し、中間端子を
備えた変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接
続点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接
続し、直流電源を前記第1のスナバ回路の一方の端子
と、前記変圧器中間端子との間に直流リアクトルを介し
て接続するとともに、変圧器二次巻線には整流回路、こ
の整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−
直流変換装置において、第1のスナバダイオードと第1
のスナバコンデンサとを直列接続した第2のスナバ回路
と、第2のスナバダイオードと第2のスナバコンデンサ
とを直列接続した第3のスナバ回路とをそれぞれ前記変
圧器一次巻線端子間に接続するとともに、第1の補助ダ
イオードと第1の補助リアクトルとの直列回路からなる
第1の補助回路を前記第2のスナバ回路の直列接続点と
前記第1のスナバ回路の前記直流電源が接続されていな
い側の端子との間に接続し、かつ、第2の補助ダイオー
ドと第2の補助リアクトルとの直列回路からなる第2の
補助回路を前記第3のスナバ回路の直列接続点と前記第
1のスナバ回路の前記直流電源が接続されていない側の
端子との間に接続する。
とダイオードとを逆並列接続した2組のスイッチング素
子をそれぞれ直列接続した第1,第2の直列アームと、
第1のスナバ回路とを互いに並列に接続し、中間端子を
備えた変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接
続点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接
続し、直流電源を前記第1のスナバ回路の一方の端子
と、前記変圧器中間端子との間に直流リアクトルを介し
て接続するとともに、変圧器二次巻線には整流回路、こ
の整流回路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−
直流変換装置において、第1のスナバダイオードと第1
のスナバコンデンサとを直列接続した第2のスナバ回路
と、第2のスナバダイオードと第2のスナバコンデンサ
とを直列接続した第3のスナバ回路とをそれぞれ前記変
圧器一次巻線端子間に接続するとともに、第1の補助ダ
イオードと第1の補助リアクトルとの直列回路からなる
第1の補助回路を前記第2のスナバ回路の直列接続点と
前記第1のスナバ回路の前記直流電源が接続されていな
い側の端子との間に接続し、かつ、第2の補助ダイオー
ドと第2の補助リアクトルとの直列回路からなる第2の
補助回路を前記第3のスナバ回路の直列接続点と前記第
1のスナバ回路の前記直流電源が接続されていない側の
端子との間に接続する。
【0021】上記いずれの発明においても、半導体スイ
ッチ素子のターンオフ時には、スナバコンデンサにより
半導体スイッチ素子の電圧上昇率を抑制し、半導体スイ
ッチ素子がオンしている期間には、上記スナバコンデン
サと補助回路とで共振回路を構成し、スナバコンデンサ
を逆充電することで、エネルギーを無駄に消費させない
ようにし発生損失を低減させる。これにより、スナバ回
路が大型化せず装置の変換効率が向上する。
ッチ素子のターンオフ時には、スナバコンデンサにより
半導体スイッチ素子の電圧上昇率を抑制し、半導体スイ
ッチ素子がオンしている期間には、上記スナバコンデン
サと補助回路とで共振回路を構成し、スナバコンデンサ
を逆充電することで、エネルギーを無駄に消費させない
ようにし発生損失を低減させる。これにより、スナバ回
路が大型化せず装置の変換効率が向上する。
【0022】
【発明の実施の形態】図1はこの発明の第1の実施の形
態を示す回路図である。これは、図12に示すものにス
ナバ回路8と補助回路9を付加して構成される。すなわ
ち、スナバ回路8はスナバダイオード81とスナバコン
デンサ82とを直列接続して構成され、変圧器一次巻線
41の一端と変圧器リセット巻線42の一端との間に接
続される。補助回路9は補助ダイオード91と補助リア
クトル92とを直列接続して構成され、スナバ回路8の
直列接続点とスナバ回路7の直流電源1に接続されてい
ない側の端子間に接続される。
態を示す回路図である。これは、図12に示すものにス
ナバ回路8と補助回路9を付加して構成される。すなわ
ち、スナバ回路8はスナバダイオード81とスナバコン
デンサ82とを直列接続して構成され、変圧器一次巻線
41の一端と変圧器リセット巻線42の一端との間に接
続される。補助回路9は補助ダイオード91と補助リア
クトル92とを直列接続して構成され、スナバ回路8の
直列接続点とスナバ回路7の直流電源1に接続されてい
ない側の端子間に接続される。
【0023】図7に図1の動作波形を示す。以下、主と
して図12との相違点につき説明する。すなわち、半導
体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコンデ
ンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続されて
いない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード81
と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導体
スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半導
体スイッチ素子21がオンしている期間に半導体スイ
ッチ素子22をオンし、スナバコンデンサ82に蓄えら
れている電荷を、スナバコンデンサ82→補助ダイオー
ド91→補助リアクトル92→半導体スイッチ素子22
の経路で放電し、補助リアクトル92にエネルギーを放
出する。スナバコンデンサ82が0Vに達すると期間
に移り、補助リアクトル92に蓄えられたエネルギーで
電流が流れ続け、上記と同じ経路でスナバコンデンサ8
2を逆方向に充電する。
して図12との相違点につき説明する。すなわち、半導
体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコンデ
ンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続されて
いない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード81
と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導体
スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半導
体スイッチ素子21がオンしている期間に半導体スイ
ッチ素子22をオンし、スナバコンデンサ82に蓄えら
れている電荷を、スナバコンデンサ82→補助ダイオー
ド91→補助リアクトル92→半導体スイッチ素子22
の経路で放電し、補助リアクトル92にエネルギーを放
出する。スナバコンデンサ82が0Vに達すると期間
に移り、補助リアクトル92に蓄えられたエネルギーで
電流が流れ続け、上記と同じ経路でスナバコンデンサ8
2を逆方向に充電する。
【0024】図2に図1の変形例を示す。これは、直流
電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子21とダイオ
ード32との接続点に接続し、直流電源1の負極側端子
を変圧器一次巻線41と変圧器リセット巻線42との接
続点に接続し、補助回路9をスナバ回路8の直列接続点
とスナバ回路7の直流電源1に接続されていない側の端
子間に接続した他は図1の構成と同じであり、その動作
も図7と同様なので詳細は省略する。
電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子21とダイオ
ード32との接続点に接続し、直流電源1の負極側端子
を変圧器一次巻線41と変圧器リセット巻線42との接
続点に接続し、補助回路9をスナバ回路8の直列接続点
とスナバ回路7の直流電源1に接続されていない側の端
子間に接続した他は図1の構成と同じであり、その動作
も図7と同様なので詳細は省略する。
【0025】図3はこの発明の第2の実施の形態を示す
回路図で、図13に示すスナバ回路12,13の代わり
にスナバ回路8,10と補助回路9,11を設けて構成
される。すなわち、直流電源1を直流電源1Aと直流電
源1Bに2分割してこれらを直列に接続し、スナバダイ
オード81とスナバコンデンサ82とを直列接続したス
ナバ回路8を変圧器一次巻線41の一方の端子と直流電
源1Aと直流電源1Bとの直列接続点間に接続し、補助
ダイオード91と補助リアクトル92とを直列接続した
補助回路9をスナバ回路8の直列接続点と直流電源1B
の負極側端子間に接続し、スナバダイオード101とス
ナバコンデンサ102とを直列接続したスナバ回路10
を変圧器一次巻線41の他方の端子と直流電源1Aと直
流電源1Bとの直列接続点間に接続し、補助ダイオード
111と補助リアクトル112とを直列接続した補助回
路11をスナバ回路10の直列接続点と直流電源1Aの
正極側端子間にそれぞれ接続されて構成される。
回路図で、図13に示すスナバ回路12,13の代わり
にスナバ回路8,10と補助回路9,11を設けて構成
される。すなわち、直流電源1を直流電源1Aと直流電
源1Bに2分割してこれらを直列に接続し、スナバダイ
オード81とスナバコンデンサ82とを直列接続したス
ナバ回路8を変圧器一次巻線41の一方の端子と直流電
源1Aと直流電源1Bとの直列接続点間に接続し、補助
ダイオード91と補助リアクトル92とを直列接続した
補助回路9をスナバ回路8の直列接続点と直流電源1B
の負極側端子間に接続し、スナバダイオード101とス
ナバコンデンサ102とを直列接続したスナバ回路10
を変圧器一次巻線41の他方の端子と直流電源1Aと直
流電源1Bとの直列接続点間に接続し、補助ダイオード
111と補助リアクトル112とを直列接続した補助回
路11をスナバ回路10の直列接続点と直流電源1Aの
正極側端子間にそれぞれ接続されて構成される。
【0026】図8に図3の動作波形を示す。以下、主と
して図13と相違する点の動作につき説明する。すなわ
ち、半導体スイッチ素子21および22のターンオフ時
には、スナバコンデンサ82は負電圧(スナバダイオー
ド81と接続されていない側が高電位)から正電圧(ス
ナバダイオード81と接続されている側が高電位)に徐
々に充電し、半導体スイッチ素子21および22の電圧
上昇率を抑制する。次に、半導体スイッチ素子21およ
び22がオンしている期間にスナバコンデンサ82に
蓄えられている電荷を、スナバコンデンサ82→半導体
スイッチ素子21→補助リアクトル92→補助ダイオー
ド91の経路で放電し、補助リアクトル92にエネルギ
ーを放出する。スナバコンデンサ82が0Vに達すると
期間に移り、補助リアクトル92に蓄えられたエネル
ギーで電流が流れ続け、上記と同じ経路でスナバコンデ
ンサ82を逆方向に充電する。スナバ回路10および補
助回路11も上記と全く同様に動作する。
して図13と相違する点の動作につき説明する。すなわ
ち、半導体スイッチ素子21および22のターンオフ時
には、スナバコンデンサ82は負電圧(スナバダイオー
ド81と接続されていない側が高電位)から正電圧(ス
ナバダイオード81と接続されている側が高電位)に徐
々に充電し、半導体スイッチ素子21および22の電圧
上昇率を抑制する。次に、半導体スイッチ素子21およ
び22がオンしている期間にスナバコンデンサ82に
蓄えられている電荷を、スナバコンデンサ82→半導体
スイッチ素子21→補助リアクトル92→補助ダイオー
ド91の経路で放電し、補助リアクトル92にエネルギ
ーを放出する。スナバコンデンサ82が0Vに達すると
期間に移り、補助リアクトル92に蓄えられたエネル
ギーで電流が流れ続け、上記と同じ経路でスナバコンデ
ンサ82を逆方向に充電する。スナバ回路10および補
助回路11も上記と全く同様に動作する。
【0027】図4はこの発明の第3の実施の形態を示す
回路図で、図14に示すスナバ回路12,13に代えて
スナバ回路8,10と補助回路9,11を付加して構成
される。すなわち、スナバダイオード81とスナバコン
デンサ82とを直列接続したスナバ回路8を変圧器一次
巻線41の端子間に接続し、補助ダイオード91と補助
リアクトル92とを直列接続した補助回路9をスナバ回
路8の直列接続点と直流電源1の負極側端子間に接続
し、スナバダイオード101とスナバコンデンサ102
とを直列接続したスナバ回路10を変圧器一次巻線41
の端子間に接続し、補助ダイオード111と補助リアク
トル112とを直列接続した補助回路11をスナバ回路
10の直列接続点と直流電源1の正極側端子間にそれぞ
れ接続して構成される。
回路図で、図14に示すスナバ回路12,13に代えて
スナバ回路8,10と補助回路9,11を付加して構成
される。すなわち、スナバダイオード81とスナバコン
デンサ82とを直列接続したスナバ回路8を変圧器一次
巻線41の端子間に接続し、補助ダイオード91と補助
リアクトル92とを直列接続した補助回路9をスナバ回
路8の直列接続点と直流電源1の負極側端子間に接続
し、スナバダイオード101とスナバコンデンサ102
とを直列接続したスナバ回路10を変圧器一次巻線41
の端子間に接続し、補助ダイオード111と補助リアク
トル112とを直列接続した補助回路11をスナバ回路
10の直列接続点と直流電源1の正極側端子間にそれぞ
れ接続して構成される。
【0028】図9に図4の動作波形を示す。以下、主と
して図14との相違点について説明する。すなわち、半
導体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコン
デンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続され
ていない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード8
1と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導
体スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半
導体スイッチ素子21がオンしている期間に、スナバ
コンデンサ82に蓄えられている電荷を、スナバコンデ
ンサ82→半導体スイッチ素子21→補助リアクトル9
2→補助ダイオード91の経路で放電し、補助リアクト
ル92にエネルギーを放出する。スナバコンデンサ82
が0Vに達すると期間に移り、補助リアクトル92に
蓄えられたエネルギーで電流が流れ続け、上記と同じ経
路でスナバコンデンサ82を逆方向に充電する。また、
スナバ回路10および補助回路11についても、上記と
同様の原理により動作する。
して図14との相違点について説明する。すなわち、半
導体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコン
デンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続され
ていない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード8
1と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導
体スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半
導体スイッチ素子21がオンしている期間に、スナバ
コンデンサ82に蓄えられている電荷を、スナバコンデ
ンサ82→半導体スイッチ素子21→補助リアクトル9
2→補助ダイオード91の経路で放電し、補助リアクト
ル92にエネルギーを放出する。スナバコンデンサ82
が0Vに達すると期間に移り、補助リアクトル92に
蓄えられたエネルギーで電流が流れ続け、上記と同じ経
路でスナバコンデンサ82を逆方向に充電する。また、
スナバ回路10および補助回路11についても、上記と
同様の原理により動作する。
【0029】図5はこの発明の第4の実施の形態を示す
回路図で、図16に示すものにスナバ回路8,10と補
助回路9,11を付加して構成される。すなわち、スナ
バダイオード81とスナバコンデンサ82とを直列接続
したスナバ回路8を変圧器一次巻線41および44との
間に接続し、補助ダイオード91と補助リアクトル92
とを直列接続した補助回路9をスナバ回路8の直列接続
点とスナバ回路7の直流電源1と接続されていない側の
端子間に接続し、スナバダイオード101とスナバコン
デンサ102とを直列接続したスナバ回路10を変圧器
一次巻線41および44との間に接続し、補助ダイオー
ド111と補助リアクトル112とを直列接続した補助
回路11をスナバ回路10の直列接続点とスナバ回路7
の直流電源1と接続されていない側の端子間に接続して
構成される。
回路図で、図16に示すものにスナバ回路8,10と補
助回路9,11を付加して構成される。すなわち、スナ
バダイオード81とスナバコンデンサ82とを直列接続
したスナバ回路8を変圧器一次巻線41および44との
間に接続し、補助ダイオード91と補助リアクトル92
とを直列接続した補助回路9をスナバ回路8の直列接続
点とスナバ回路7の直流電源1と接続されていない側の
端子間に接続し、スナバダイオード101とスナバコン
デンサ102とを直列接続したスナバ回路10を変圧器
一次巻線41および44との間に接続し、補助ダイオー
ド111と補助リアクトル112とを直列接続した補助
回路11をスナバ回路10の直列接続点とスナバ回路7
の直流電源1と接続されていない側の端子間に接続して
構成される。
【0030】図10に図5の動作波形を示す。以下、主
として図16との相違点につき説明する。すなわち、半
導体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコン
デンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続され
ていない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード8
1と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導
体スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半
導体スイッチ素子21および24が同時にオンしている
期間に、スナバコンデンサ82に蓄えられている電荷
を、スナバコンデンサ82→補助ダイオード91→補助
リアクトル92→半導体スイッチ素子24の経路で放電
し、補助リアクトル92にエネルギーを放出する。スナ
バコンデンサ82が0Vに達すると期間に移り、補助
リアクトル92に蓄えられたエネルギーで電流が流れ続
け、上記と同じ経路でスナバコンデンサ82を逆方向に
充電する。また、スナバ回路10および補助回路11に
ついても、上記と同様の原理により動作する。
として図16との相違点につき説明する。すなわち、半
導体スイッチ素子21のターンオフ時には、スナバコン
デンサ82は負電圧(スナバダイオード81と接続され
ていない側が高電位)から正電圧(スナバダイオード8
1と接続されている側が高電位)に徐々に充電し、半導
体スイッチ素子21の電圧上昇率を抑制する。次に、半
導体スイッチ素子21および24が同時にオンしている
期間に、スナバコンデンサ82に蓄えられている電荷
を、スナバコンデンサ82→補助ダイオード91→補助
リアクトル92→半導体スイッチ素子24の経路で放電
し、補助リアクトル92にエネルギーを放出する。スナ
バコンデンサ82が0Vに達すると期間に移り、補助
リアクトル92に蓄えられたエネルギーで電流が流れ続
け、上記と同じ経路でスナバコンデンサ82を逆方向に
充電する。また、スナバ回路10および補助回路11に
ついても、上記と同様の原理により動作する。
【0031】図6に図5の変形例を示す。これは、直流
電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子21と半導体
スイッチ素子22との接続点に直流リアクトル19を介
して接続し、直流電源1の負極側端子を変圧器4のセン
タータップ端子(中間端子)に接続し、補助回路9をス
ナバ回路8の直列接続点とスナバ回路7の直流電源1に
接続されていない側の端子間に接続し、補助回路11を
スナバ回路10の直列接続点とスナバ回路7の直流電源
1に接続されていない側の端子間に接続した他は図5の
構成と同じであり、その動作も図10と同様なので詳細
は省略する。
電源1の正極側端子を半導体スイッチ素子21と半導体
スイッチ素子22との接続点に直流リアクトル19を介
して接続し、直流電源1の負極側端子を変圧器4のセン
タータップ端子(中間端子)に接続し、補助回路9をス
ナバ回路8の直列接続点とスナバ回路7の直流電源1に
接続されていない側の端子間に接続し、補助回路11を
スナバ回路10の直列接続点とスナバ回路7の直流電源
1に接続されていない側の端子間に接続した他は図5の
構成と同じであり、その動作も図10と同様なので詳細
は省略する。
【0032】
【発明の効果】この発明によれば、半導体スイッチ素子
のターンオフ時に、スナバコンデンサを逆電圧から正電
圧に徐々に充電するようにしているため、半導体スイッ
チ素子の電圧上昇率が抑制され、これによりスイッチン
グ損失および発熱が低減する。また、スナバコンデンサ
と補助回路とで共振回路を構成しスナバコンデンサを逆
充電するようにしているので、スナバ回路における損失
が殆ど発生しない。したがって、スナバ回路を小形に構
成することができ、装置の変換効率が向上し、さらには
放熱のための冷却装置を小形にできるなどの利点が得ら
れる。
のターンオフ時に、スナバコンデンサを逆電圧から正電
圧に徐々に充電するようにしているため、半導体スイッ
チ素子の電圧上昇率が抑制され、これによりスイッチン
グ損失および発熱が低減する。また、スナバコンデンサ
と補助回路とで共振回路を構成しスナバコンデンサを逆
充電するようにしているので、スナバ回路における損失
が殆ど発生しない。したがって、スナバ回路を小形に構
成することができ、装置の変換効率が向上し、さらには
放熱のための冷却装置を小形にできるなどの利点が得ら
れる。
【図1】この発明による第1の実施の形態を示す回路図
である。
である。
【図2】図1の変形例を示す回路図である。
【図3】この発明による第2の実施の形態を示す回路図
である。
である。
【図4】この発明による第3の実施の形態を示す回路図
である。
である。
【図5】この発明による第4の実施の形態を示す回路図
である。
である。
【図6】図5の変形例を示す回路図である。
【図7】図1,図2の動作波形図である。
【図8】図3の動作波形図である。
【図9】図4の動作波形図である。
【図10】図5,図6の動作波形図である。
【図11】1石フォワード型直流−直流変換装置の従来
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図12】図11の変形例を示す回路図である。
【図13】2石フォワード型直流−直流変換装置の従来
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図14】ハーフブリッジ型直流−直流変換装置の従来
例を示す回路図である。
例を示す回路図である。
【図15】プッシュプル型直流−直流変換装置の従来例
を示す回路図である。
を示す回路図である。
【図16】図15の変形例を示す回路図である。
【図17】スナバ回路の具体例を示す回路図である。
【図18】図11の動作波形図である。
【図19】図12の動作波形図である。
【図20】図13の動作波形図である。
【図21】図14の動作波形図である。
【図22】図15の動作波形図である。
【図23】図16の動作波形図である。
1,1A,1B…直流電源、4…変圧器、5…整流回
路、6…平滑フィルタ、7,8,10,12,13…ス
ナバ回路、9,11…補助回路、17,18…コンデン
サ、19…直流リアクトル、21,22,23,24…
半導体スイッチ素子、31,32…ダイオード、41,
44…変圧器一次巻線、42…変圧器リセット巻線、4
3…変圧器二次巻線、81,101,125…スナバダ
イオード、82,102,121,123…スナバコン
デンサ、91,111…補助ダイオード、92,112
…補助リアクトル、122,124…放電抵抗。
路、6…平滑フィルタ、7,8,10,12,13…ス
ナバ回路、9,11…補助回路、17,18…コンデン
サ、19…直流リアクトル、21,22,23,24…
半導体スイッチ素子、31,32…ダイオード、41,
44…変圧器一次巻線、42…変圧器リセット巻線、4
3…変圧器二次巻線、81,101,125…スナバダ
イオード、82,102,121,123…スナバコン
デンサ、91,111…補助ダイオード、92,112
…補助リアクトル、122,124…放電抵抗。
Claims (4)
- 【請求項1】 第1のダイオードと第1の半導体スイッ
チ素子とを直列接続した第1の直列アームと、第2の半
導体スイッチ素子と第2のダイオードとを直列接続した
第2の直列アームと、第1のスナバ回路とを互いに並列
に接続し、変圧器一次巻線のリセット巻線を接続してい
ない側の端子を前記第1の直列アームの直列接続点に、
また、前記変圧器リセット巻線の一次巻線を接続してい
ない側の端子を前記第2の直列アームの直列接続点に、
さらに、直流電源を変圧器の一次巻線とリセット巻線の
接続点と前記第1の半導体スイッチ素子と前記第2のダ
イオードとの接続点間に並列にそれぞれ接続し、加え
て、前記変圧器二次巻線には整流回路、この整流回路に
は平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−直流変換装置
において、 スナバダイオードとスナバコンデンサとを直列接続した
第2のスナバ回路を前記第1の直列アームの直列接続点
と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接続す
るとともに、補助ダイオードと補助リアクトルとの直列
回路からなる補助回路を前記第2のスナバ回路の直列接
続点と、前記第1のスナバ回路の前記直流電源が接続さ
れていない側の端子との間に接続したことを特徴とする
直流−直流変換装置のスナバ回路。 - 【請求項2】 第1のダイオードと第1の半導体スイッ
チ素子とを直列接続した第1の直列アームと、第2の半
導体スイッチ素子と第2のダイオードとを直列接続した
第2の直列アームと、直流電源とを互いに並列に接続
し、変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接続
点と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接続
するとともに、変圧器二次巻線には整流回路、この整流
回路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−直流変
換装置において、 前記直流電源を第1,第2の直流電源に2分割して互い
に直列接続し、第1のスナバダイオードと第1のスナバ
コンデンサとを直列接続した第1のスナバ回路を前記第
1の直列アームの直列接続点と、前記第1の直流電源と
第2の直流電源との直列接続点との間に接続し、第2の
スナバダイオードと第2のスナバコンデンサとを直列接
続した第2のスナバ回路を前記第1の直流電源と第2の
直流電源との直列接続点と、前記第2の直列アームの直
列接続点との間に接続するとともに、第1の補助ダイオ
ードと第1の補助リアクトルとの直列回路からなる第1
の補助回路を前記第1のスナバ回路の直列接続点と前記
第2の直流電源の負極側端子との間に、かつ、第2の補
助ダイオードと第2の補助リアクトルとの直列回路から
なる第2の補助回路を前記第2のスナバ回路の直列接続
点と前記第1の直流電源の正極側端子との間にそれぞれ
接続したことを特徴とする直流−直流変換装置のスナバ
回路。 - 【請求項3】 半導体スイッチ素子とダイオードとを逆
並列接続した2組のスイッチング素子を直列接続した第
1の直列アームと、2つのコンデンサを直列接続した第
2の直列アームと、直流電源とを互いに並列に接続し、
変圧器一次巻線を前記第1の直列アームの直列接続点
と、前記第2の直列アームの直列接続点との間に接続す
るとともに、変圧器二次巻線には整流回路、この整流回
路には平滑回路をそれぞれ接続してなる直流−直流変換
装置において、 第1のスナバコンデンサと第1のスナバダイオードとを
直列接続した第1のスナバ回路と、第2のスナバダイオ
ードと第2のスナバコンデンサとを直列接続した第2の
スナバ回路とをそれぞれ前記変圧器一次巻線端子間に接
続するとともに、第1の補助ダイオードと第1の補助リ
アクトルとの直列回路からなる第1の補助回路を前記第
1のスナバ回路の直列接続点と前記直流電源の負極側端
子との間に接続し、第2の補助ダイオードと第2の補助
リアクトルとの直列回路からなる第2の補助回路を前記
第2のスナバ回路の直列接続点と前記直流電源の正極側
端子との間に接続したことを特徴とする直流−直流変換
装置のスナバ回路。 - 【請求項4】 半導体スイッチ素子とダイオードとを逆
並列接続した2組のスイッチング素子をそれぞれ直列接
続した第1,第2の直列アームと、第1のスナバ回路と
を互いに並列に接続し、中間端子を備えた変圧器一次巻
線を前記第1の直列アームの直列接続点と、前記第2の
直列アームの直列接続点との間に接続し、直流電源を前
記第1のスナバ回路の一方の端子と、前記変圧器中間端
子との間に直流リアクトルを介して接続するとともに、
変圧器二次巻線には整流回路、この整流回路には平滑回
路をそれぞれ接続してなる直流−直流変換装置におい
て、 第1のスナバダイオードと第1のスナバコンデンサとを
直列接続した第2のスナバ回路と、第2のスナバダイオ
ードと第2のスナバコンデンサとを直列接続した第3の
スナバ回路とをそれぞれ前記変圧器一次巻線端子間に接
続するとともに、第1の補助ダイオードと第1の補助リ
アクトルとの直列回路からなる第1の補助回路を前記第
2のスナバ回路の直列接続点と前記第1のスナバ回路の
前記直流電源が接続されていない側の端子との間に接続
し、かつ、第2の補助ダイオードと第2の補助リアクト
ルとの直列回路からなる第2の補助回路を前記第3のス
ナバ回路の直列接続点と前記第1のスナバ回路の前記直
流電源が接続されていない側の端子との間に接続したこ
とを特徴とする直流−直流変換装置のスナバ回路。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5988196A JPH09252576A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 直流−直流変換装置のスナバ回路 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP5988196A JPH09252576A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 直流−直流変換装置のスナバ回路 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09252576A true JPH09252576A (ja) | 1997-09-22 |
Family
ID=13125938
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP5988196A Pending JPH09252576A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | 直流−直流変換装置のスナバ回路 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09252576A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008020629A1 (ja) * | 2006-08-17 | 2010-01-07 | 株式会社安川電機 | 絶縁昇圧型プッシュプル式ソフトスイッチングdc/dcコンバータ |
| JP2016140159A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社デンソー | Dcdcコンバータ |
| JP6461439B1 (ja) * | 2017-08-23 | 2019-01-30 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
| WO2019038979A1 (ja) * | 2017-08-23 | 2019-02-28 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP5988196A patent/JPH09252576A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPWO2008020629A1 (ja) * | 2006-08-17 | 2010-01-07 | 株式会社安川電機 | 絶縁昇圧型プッシュプル式ソフトスイッチングdc/dcコンバータ |
| JP2016140159A (ja) * | 2015-01-26 | 2016-08-04 | 株式会社デンソー | Dcdcコンバータ |
| JP6461439B1 (ja) * | 2017-08-23 | 2019-01-30 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
| WO2019038979A1 (ja) * | 2017-08-23 | 2019-02-28 | 三菱電機株式会社 | Dc/dcコンバータ |
| CN110945771A (zh) * | 2017-08-23 | 2020-03-31 | 三菱电机株式会社 | Dc/dc转换器 |
| US11128222B2 (en) | 2017-08-23 | 2021-09-21 | Mitsubishi Electric Corporation | DC/DC converter |
| CN110945771B (zh) * | 2017-08-23 | 2022-12-06 | 三菱电机株式会社 | Dc/dc转换器 |
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