JPH09255335A - バルク酸化物超電導体の製造方法 - Google Patents

バルク酸化物超電導体の製造方法

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JPH09255335A
JPH09255335A JP8065981A JP6598196A JPH09255335A JP H09255335 A JPH09255335 A JP H09255335A JP 8065981 A JP8065981 A JP 8065981A JP 6598196 A JP6598196 A JP 6598196A JP H09255335 A JPH09255335 A JP H09255335A
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oxide superconductor
bulk
bulk oxide
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manufacturing
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JP8065981A
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English (en)
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Tadashi Mochida
正 持田
Sounin Riyuu
相任 劉
Naomichi Sakai
直道 坂井
Masahito Murakami
雅人 村上
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KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Railway Technical Research Institute
Tokyo Gas Co Ltd
Original Assignee
KOKUSAI CHODENDO SANGYO GIJUTSU KENKYU CENTER
Railway Technical Research Institute
Tokyo Gas Co Ltd
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Publication date
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 超電導特性のよい、大きい磁場（強い磁場）
を発生するバルク酸化物超電導体の製造方法を提供す
る。 【解決手段】 半溶融法（メルトプロセス法）でＲＥＢ
ａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量、ＲＥはイットリウム
を含むランタノイド元素）系の超電導体バルクを製造す
るバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記ＲＥ
Ｂａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気と
したものである。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半溶融法（メルト
プロセス法）でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量
で０〜０.５、ＲＥはイットリウムを含むランタノイド
元素）系のバルク酸化物超電導体を製造する製造方法に
関し、特に、酸化物超電導体のバルク体を用いた磁気浮
上装置、磁気シールド、超電導バルクマグネットの製造
技術に適用して有効な技術に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】特開平７−１１１２１３号公報に記載さ
れるように、溶融法でＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素
欠損量）（以下、ＲＥ１２３と称する）系の超電導バル
ク体内のピンニングセンタに磁場を捕捉するバルク酸化
物超電導体を用いた超電導磁石が開示されている。
【０００３】優れた特性を示すＲＥ１２３系バルク酸化
物超電導体として、超電導相中に微細な常電導相を分散
させたバルク酸化物超電導材料は、半溶融法（メルトプ
ロセス法：Ｍelt process法）により製造される。この
半溶融法には、ＭＴＧ(Ｍelt-Ｔxture-Ｇrowth proces
s)法、ＭＰＭＧ(Ｍelt-Ｐowder-Melt-Ｇrowth process)
法(“Melt processed high-temperature superconducto
rs"，World Scientific,Editor.Masato Murakami参
照)、ＯＣＭＧ(Ｏxygen-Ｃontrolled-Ｍelt-Ｇrowthpro
cess)法(応用物理、第64巻、第4号、1995、ｐ368-371参
照)などが知られている。
【０００４】従来の半溶融法の結晶成長雰囲気は大気中
を基本とするもの（ＭＴＧ法、ＭＰＭＧ法）、もしくは
低酸素分圧を基本とするもの（ＯＣＭＧ法）であった。
【０００５】特に、後者の方法においては、純酸素中で
の半溶融法では良質の超電導体はできないとされている
(応用物理、第64巻、第4号、1995、ｐ368-371参照)。
【０００６】一方、低融点のＹｂ１２３の合成法におい
て、酸素分圧が０.０１〜０.２気圧の雰囲気中で多結晶
線材を熱処理して合成する方法（特開平６−１８７８４
８号公報参照）、多結晶を酸素中で熱処理してＹｂ１２
３の単相を得る方法（特開昭６４−１４１４９号公報参
照）などが知られている。しかし、これらの手法は前述
のバルク酸化物超電導体を製造するものではない。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】本発明者は、前記従来
の半溶融法を検討した結果、以下の問題点を見いだし
た。
【０００８】前述した従来の半溶融法は、融点の低いＲ
Ｅ１２３のバルク超電導体（Ｙｂ１２３、Ｔｍ１２３、
Ｅｒ１２３など）の合成には有効でなかった。実際に、
Ｙｂ１２３の半溶融法を実施したところ、Ｙｂ１２３バ
ルクは容易に成長せず、そのサイズは数百μｍ以下であ
った。
【０００９】結晶をよく観察したところ、Ｙｂ１２３と
ＢａＣｕＯ2が双晶の如く析出しており、両者が同時期
に析出したことを示唆していた（図５）。
【００１０】また、ＴＧ-ＤＴＡ（Ｔhermo Ｇravimetry
-Ｄifferential Ｔhermal Ａnalysis：熱重量測定及び
示差熱測定）による研究から、Ｙｂ１２３とＢａＣｕＯ
2の晶出温度がそれぞれ９３０℃と９１０℃と非常に近
く、Ｙｂ１２３だけを優先的に成長させるには両者の晶
出温度の温度差が不十分であることが判明した。
【００１１】本発明の目的は、超電導特性のよいバルク
酸化物超電導体の製造方法を提供することにある。
【００１２】本発明の他の目的は、強い磁場を発生する
ことができるバルク酸化物超電導体の製造方法を提供す
ることにある。
【００１３】本発明の前記ならびにその他の目的及び新
規な特徴は、本明細書の記述及び添付図面によって明ら
かにする。
【００１４】
【課題を解決するための手段】本願によって開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００１５】発明者は、日々の研究の結果、純酸素雰囲
気下ではＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xとＢａＣｕＯ2の晶出温度
がそれぞれ９８０℃と９４０℃であり、両者の温度差が
相対的に大きく、大気中に比べて結晶成長が容易にでき
ることを発見した。
【００１６】本発明は、純酸素雰囲気下で半溶融法を行
って融点の低いＲＥ１２３のバルク酸化物超電導体（例
えば、Ｙｂ１２３、Ｔｍ１２３、Ｅｒ１２３など）を合
成する製造方法である。すなわち、 （１）半溶融法（メルトプロセス法）でＲＥＢａ2Ｃｕ3
Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量で０〜０.５、ＲＥはイットリウ
ムを含むランタノイド元素）系のバルク超電導体を製造
するバルク酸化物超電導体の製造方法であって、前記Ｒ
ＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの結晶成長時の雰囲気を酸素雰囲気
としたものである。
【００１７】（２）前記（１）のバルク酸化物超電導体
の製造方法において、前記ＲＥとしてＹｂを用いたもの
である。
【００１８】（３）前記（１）又は（２）のバルク酸化
物超電導体の製造方法において、ＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x
とＹｂ2ＢａＣｕＯ5の配合比を１.０：０.０から１.
０：０.４までとしたものである。
【００１９】（４）前記（１）乃至（３）のいずれか１
つのバルク酸化物超電導体の製造方法において、材料粉
混合体を１０１０℃〜１０５０℃の温度領域に加熱して
ＲＥ2ＢａＣｕＯ5と液相とを形成し、しかる後に１００
０℃から９３０℃まで徐冷するものである。
【００２０】（５）前記（１）乃至（４）のいずれか１
つのバルク酸化物超電導体の製造方法において、毎時
０.１℃〜毎時１０℃の徐冷速度としたものである。
【００２１】（６）前記（１）乃至（５）のいずれか１
つのバルク酸化物超電導体の製造方法において、材料粉
混合体表面に種結晶を置き、結晶成長させるものであ
る。
【００２２】以下に本発明に係るバルク酸化物超電導体
の製造方法の処理手順を説明する。
【００２３】工程１（Ｙｂ１２３の原料粉の混合） Ｙｂ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、ＣｕＯを出発原料とし、この３
つの原料をモル比で１：４：６の割合で配合し、乳鉢で
よく混合する。この混合時間は原料粉が十分混ざり合う
よう自動乳鉢を使い３時間混合しＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x
（Ｙｂ１２３）の原料粉とする。
【００２４】工程２（Ｙｂ１２３仮焼粉の合成） 前記工程１で得られた原料粉１０〜３０ｇを２０〜３０
φのペレットに成形した後、大気中８８０℃で４８時間
焼成する（１回目仮焼成）。この仮焼成後のペレットを
砕き、自動乳鉢で３時間混合し、ペレットに形成したの
ち、大気中８９０℃で４８時間焼成する（２回目仮焼
成）。さらに、このペレットを砕き、自動乳鉢で３時間
かけて混合し、ペレットに形成した後、大気中８９０℃
で２４時間仮焼成する（３回目仮焼成）。これらの処理
によりＹｂ１２３の原料粉はＹｂ１２３、Ｙｂ2ＢａＣ
ｕＯ5（以下、Ｙｂ２１１と称する）、ＢａＣｕＯ2、Ｃ
ｕＯの４つの混合体となる。このようにして得られた粉
（ペレット）を以後Ｙｂ１２３の仮焼粉（ペレット）と
呼ぶ。
【００２５】工程３（Ｙｂ１２３単相の合成） 前記工程２で得られたＹｂ１２３の仮焼粉を砕き、自動
乳鉢で１時間かけて混合し、ペレットに形成した後、純
酸素雰囲気中９６０℃で４８時間焼成する（１回目本焼
成）。自動乳鉢で混合する時間を１時間としたのは、大
気中に含まれる水分によるＹｂ１２３の分解を防ぐため
である。また、純酸素雰囲気中で焼成するのはＹｂ１２
３単相を得るためである。
【００２６】前記焼成（１回目本焼成）後のペレットを
砕き、自動乳鉢で１時間かけて混合し、ペレットに形成
したのち、純酸素雰囲気中９６０℃で４８時間焼成する
（２回目本焼成）。さらに、このペレットを砕き、自動
乳鉢で１時間かけて混合し、ペレットに形成した後、純
酸素雰囲気中９６０℃で２４時間焼成する（３回目本焼
成）。これらの処理により前記Ｙｂ１２３の仮焼粉はＹ
ｂ１２３単相となる。本工程３で得られた粉（ペレッ
ト）を以後Ｙｂ１２３単相粉（ペレット）と呼ぶ。
【００２７】なお、このＹｂ１２３単相粉（ペレット）
は空気中の水分によって分解しやすいため、デシケータ
中や真空パック中などにより保存する必要がある。
【００２８】工程４（Ｙｂ２１１原料粉の混合） Ｙｂ2Ｏ3、ＢａＣＯ3、ＣｕＯを出発原料とし、この３
つの原料をモル比で１：１：１の割合で配合し、以後工
程１と同様の作業を経てＹｂ２１１の原料粉とする。
【００２９】工程５（Ｙｂ２１１単相の合成） 前記工程４で得られたＹｂ２１１の原料粉を１０〜３０
ｇを２０〜３０φのペレットに成形した後、大気中８８
０℃で２４時間焼成する（１回目本焼成）。この焼成さ
れたペレットを砕き、自動乳鉢で３時間かけて混合し、
ペレットに形成した後、大気中８９０℃で２４時間焼成
する（２回目本焼成）。これらの作業によりＹｂ２１１
単相が得られる。
【００３０】工程６（結晶成長用ペレットの混合） このようにして得られたＹｂ１２３単相とＹｂ２１１単
相を用いて半溶融法用の原料を配合する。配合はモル比
で行い、Ｙｂ１２３：Ｙｂ２１１が１.０：０.０（＝Ｙ
ｂ１.０）、１.０：０.２（＝Ｙｂ１.４）、１.０：０.
４（＝Ｙｂ１.８）、１.０：０.６（＝Ｙｂ２.２）、
１.０：０.８（＝Ｙｂ２.６）、１.０：１.０（＝Ｙｂ
３.０）等の配合が考えられる。
【００３１】それぞれはめのう製の乳鉢で１時間混合し
た後、約１０ｇを２０φの金型で一軸形成した後等方加
圧（ＣＩＰ）を施し、結晶成長用のペレットとする。
【００３２】工程７（種結晶） 次に、前記ペレット表面に種結晶を置く。この種結晶は
Ｙｂ１２３の融点より高いＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7の単結晶
であればよいが、望ましくは最も融点の高いＮｄＢａ2
Ｃｕ3Ｏ7（Ｎｄ１２３）の単結晶がＹｂ１２３に対する
汚染の心配がないため最適である。このとき種結晶の方
位は特に制限されるものではないが、ａｂ面を接するよ
うに置くのが置き易い。
【００３３】工程８（雰囲気制御） 種結晶を置いたペレットを気密性のある環状炉中に置
き、純酸素を流通させ、純酸素雰囲気とする。このとき
の酸素純度は９９％以上であればよいが、工業的に普及
している純度を用いるのが現実的であり、９９.０〜９
９.９９９５％の純度が用いられる。流量は炉の温度制
御が可能であり、かつ、炉内の雰囲気を純酸素雰囲気に
保てる程度であれば制限は無いが、両者の兼ね合いか
ら、望ましくは３００ｃｃ／分（ｍｉｎ）程度がよい。
【００３４】なお、炉が対応できる範囲で酸素分圧を大
気圧以上とする方法も可能である。このとき１０気圧以
上とすると、炉の設計を大幅に変更することになるの
で、１〜１０ａｔｍの条件での合成が可能である。
【００３５】工程９（結晶成長） 半溶融法による結晶成長の温度パターンを以下に示す。
なお、以下に示す結晶成長は、純酸素流通下で行う。
【００３６】まず、９００℃まで３００℃／ｈ（時間）
で昇温し、ついでＹｂ２１１相＋液相となる温度領域
（９８０〜１０５０℃）までは１００℃／ｈで昇温す
る。ただし、Ｙｂ１２３が分解して液相が出始める温度
（９８０℃）までの昇温速度は特に制限されるものでは
なく、ペレットが割れや発泡を起こさない程度であれ
ば、これより速く昇温させてもよい。
【００３７】また、逆に液相が出始める温度の数℃〜２
０℃低い温度で１〜２４時間保持し、ペレットの密度を
上げることも可能である。なお、液相が出始める温度以
上での昇温速度が前記以下であると、Ｙｂ２１１相の粗
大化や液相の流失等により結晶成長に支障をきたすおそ
れがある。
【００３８】次に、Ｙｂ２１１相＋液相となる温度領域
に１０〜６０分（ｍｉｎ）保持する。これはペレットに
含まれる原料を完全にＹｂ２１１＋液相とするためであ
る。つまり、次の数１の式に示す反応を完了するためで
ある。
【００３９】
【数１】ＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7(固相)→Ｙｂ2ＢａＣｕＯ
5(固相)＋ＢａＣｕＯ2(液相）＋ＣｕＯ(液相） このときの保持時間が短すぎると、前記反応が不完全と
なる。また、長すぎると、Ｙｂ２１１相の粗大化や液相
の流失等により結晶成長に支障をきたすおそれがある。
【００４０】ペレットがＹｂ２１１相＋液相となった
後、結晶成長を開始させる温度（１０００℃）まで冷却
速度は炉が過冷却を起こさない範囲内であれば速いほど
よい。このときの冷却速度が遅いとＹｂ２１１相の粗大
化や液相の流失等を起こすおそれがある。望ましくは１
００℃／ｈ程度である。
【００４１】そして、結晶成長は１０００℃から９３０
℃までの範囲で徐冷する。これはＹｂ１２３の晶出温度
（９８０℃）とＢａＣｕＯ2の晶出温度（９４０℃）に
安全のための温度マージンを上乗せしたためである。冷
却速度は１０〜０.１℃／ｈである。この徐冷速度は１
０℃／ｈより遅い程よいが、０.１℃／ｈ以下では時間
がかかりすぎて非現実的である。
【００４２】最後に、９３０〜９００℃では１０℃／
ｈ、９００℃から室温までは炉冷で冷却する。なお、炉
が室温まで冷えるまで純酸素は流し続ける。
【００４３】前記のプロセスにより、種結晶の下にＹｂ
１２３バルク超電導体が成長する。このサイズは合成条
件により異なるが、おおよそ３×３×０.５ｍｍ程度で
ある。
【００４４】工程１０（Ｙｂ１２３バルク超電導体の切
り出し） 合成されたＹｂ１２３バルク超電導体は、ワイヤーソー
等で所定のサイズに切り出す。
【００４５】工程１１（酸素アニール） 前記工程１０で切り出したＹｂ１２３バルク超電導体
は、純酸素気流中（３００ｃｃ／ｍｉｎ）で３００℃、
４８時間保持し、酸素アニールを行った。なお、この酸
素アニールは前記工程９の室温冷却過程において施すこ
とも可能である。
【００４６】以上の説明からわかるように、本発明のバ
ルク酸化物超電導体の製造方法によれば、微細なＲＥ２
１１相が分散した臨界電流密度の高いＲＥ１２３バルク
超電導体を合成することができる。
【００４７】
【発明の実施の形態】以下、本発明についてその実施形
態（実施例）とともに詳細に説明する。
【００４８】（実施形態１）前述の工程１〜６を経て合
成したＹｂ１２３及びＹｂ２１１を用い、モル比でＹｂ
１２３：Ｙｂ２１１を１.０：０.４の割合で配合した原
料（＝Ｙｂ1.8Ｂａ2.4Ｃｕ3.4Ｏ9（以下、Ｙｂ１.８と
称する）１０ｇを用いて、工程７の処理を経て１０ｍｍ
φの結晶成長用ペレットを形成した。このペレット表面
にはＮｄ１２３の単結晶を置いて種結晶とした。
【００４９】ペレットを炉に配置した後、９９.９％の
純酸素を３００ｃｃ／ｍｉｎの流量で流して純酸素雰囲
気とした。雰囲気圧力は大気圧より若干高め（２０ｍｍ
Ｈ2Ｏ）とした。結晶成長の温度パターンは以下に示す
ようにした。
【００５０】まず、９００℃までは３００℃／ｈ、９０
０〜１０３０℃までは１００℃／ｈで昇温した。１０３
０℃で３０分（ｍｉｎ）保持してＹｂ２１１＋液相の状
態にした。次に、１０３０〜１０１０℃までは６０℃／
ｈで１０１０〜１０００℃までは２０℃／ｈで冷却し
た。次に、１０００〜９３０℃までを１℃／ｈで徐冷し
て結晶成長させた。続いて９３０〜９００℃までは１０
℃／ｈ、９００℃からは炉冷で冷却した。
【００５１】以上の処理により、種結晶の下に３×３×
０.５ｍｍ大のＹｂ１２３バルク超電導体が成長した。
また、走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）の観察から、Ｙｂ１
２３相中に１〜１０μｍのＹｂ２１１相が分散している
ことが確認された（図１：走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）
写真の概要をトレースした模式図）。
【００５２】前記成長したＹｂ１２３バルク超電導体を
１.０×３.０×０.３ｍｍ大に切り出し、酸素アニール
（３００℃で４８時間）を施した。
【００５３】以上のようにして得られた超電導体の特性
をＳＱＵＩＤ（超電導量子干渉計）磁力計で評価したと
ころ、Ｔc（ゼロ抵抗開始温度）が９１.５Ｋであり（図
２，図３）、臨界電流密度は７７ｋ、０テスラ（Ｔ）
（外部磁場がない場合）で５００００Ａ／ｃｍ2、１テ
スラ（Ｔ）で１００００Ａ／ｃｍ2の高い値を示した
（図４）。
【００５４】（実施形態２）前述の工程１〜６を経て合
成したＹｂ１２３及びＹｂ２１１を用い、モル比でＹｂ
１２３：Ｙｂ２１１を１.０：０.２の割合で配合した原
料（＝Ｙｂ1.4Ｂａ2.2Ｃｕ3.2Ｏ8.0、以下、Ｙｂ１.４
と称する）１０ｇを用いて、工程７の処理を経て１０ｍ
ｍφの結晶成長用ペレットを形成した。このペレットを
用いて前記実施形態１と同様の工程で結晶成長を行った
結果、種結晶の下に２.５×２.５×０.５ｍｍのＹｂ１
２３バルク超電導体が成長した。
【００５５】（比較形態１）前述の工程１〜６を経て合
成したＹｂ１２３及びＹｂ２１１を用い、モル比でＹｂ
１２３：Ｙｂ２１１を１.０：０.４の割合で配合したＹ
ｂ１.８を１０ｇ用いて、工程７の処理を経て１０ｍｍ
φの結晶成長用ペレットを形成した。このペレット表面
にはＮｄ１２３の単結晶を置いて種結晶とした。
【００５６】ペレットを前記実施形態１との比較のた
め、大気中で結晶成長を試みた。ただし、大気中ではＹ
ｂ１２３及びＢａＣｕＯ2の晶出温度はそれぞれ９３０
℃、９１０℃に低下する。そのためＹｂ２１１＋液相の
状態にする温度を９８０℃、結晶成長のための徐冷温度
範囲を９５０〜９００℃、１℃／ｈとした。それ以外の
工程及びパラメータは実施形態１に準じて行った。その
結果、Ｙｂ１２３バルク超電導体の成長は起こらなっ
た。
【００５７】すなわち、空気中でＹｂ１２３バルクの成
長を試みたときの微細構造は、図５のようになる。これ
は、Ｙｂ１２３とＢａＣｕＯ2の晶出温度が近いため、
両者が成長する。そのため反応しきれないＹｂ2ＢａＣ
ｕＯ5（Ｙｂ２１１）相とＣｕＯ相も析出する（数
２）。
【００５８】
【数２】Ｙｂ2ＢａＣｕＯ5（固相）＋ＢａＣｕＯ2（液
相）＋ＣｕＯ（液相）→Ｙｂ2ＢａＣｕＯ5（固相）＋Ｙ
ｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（固相）＋ＢａＣｕＯ2（固相）＋Ｃ
ｕＯ（固相） これに対して、本実施形態１のように純酸素雰囲気中で
Ｙｂ１２３バルクの成長を試みたときの微細構造は、図
１のようになる。これは、Ｙｂ１２３とＢａＣｕＯ2の
晶出温度差が大きくなるので、Ｙｂ１２３を優先的に成
長するからである。すなわち、数３の式で示す包晶反応
が進み、Ｙｂ１２３中にＹｂ２１１が微細に分散したバ
ルク超導体ができる。
【００５９】
【数３】Ｙｂ2ＢａＣｕＯ5（固相）＋ＢａＣｕＯ2（液
相）＋ＣｕＯ（液相）→ＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（固相） （比較形態２）前述の工程１〜６を経て合成したＹｂ１
２３及びＹｂ２１１を用い、モル比でＹｂ１２３：Ｙｂ
２１１を１.０：０.４の割合で配合したＹｂ１.８を１
０ｇ用いて、工程７の処理を経て１０ｍｍφの結晶成長
用ペレットを形成した。
【００６０】前記実施形態１との比較のため、種結晶を
置かずに結晶成長を試みた。その結果、ペレット表面付
近に０.４×０.４×０.０５ｍｍ程度のＹｂ１２３バル
ク超電導体が成長したが、実施形態１に見られるような
大きさの結晶は見られなかった。
【００６１】（実施形態３）前述した実施形態１，２に
準じてＲＥ１２３の量を変えた場合やＲＥをＴｍ、Ｅ
ｒ、Ｈｏに変えた場合のＲＥ１２３系バルク酸化物超電
導体の結晶成長を試みた。その結果、１.０×１.０×
０.１ｍｍ大以上の結果の成否を以下の表１に示す。
【００６２】
【表１】
【００６３】以上、本発明者がなされた発明を実施形態
（実施例）に基づき具体的に説明したが、本発明は、前
記実施形態（実施例）に限定されるものではなく、その
要旨を逸脱しない範囲において種々変更し得ることはい
うまでもない。
【００６４】
【発明の効果】本願によって開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、以
下のとおりである。
【００６５】（１）ＢａＣｕＯ2がＲＥ１２３の結晶成
長を阻害することなく、微細なＲＥ２１１相が分散した
臨界電流密度の高いＲＥ１２３バルク超電導体を合成す
ることができる。
【００６６】（２）ＲＥ１２３バルクの結晶成長が１０
００℃以下の低温でも可能である。
【００６７】（３）前記（１）及び（２）により、超電
導特性のよい強い磁場を得るバルク超電導体を製造する
ことができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施形態１のバルク酸化物超電導体の
走査型電子顕微鏡（ＳＥＭ）写真の概略構成をトレース
した図である。
【図２】本実施形態１のバルク酸化物超電導体の磁化温
度特性を示す図である。
【図３】図２の要部の拡大図である。
【図４】本実施形態１のバルク酸化物超電導体の臨界電
流密度を示す図である。
【図５】従来のバルク酸化物超電導体の走査型電子顕微
鏡（ＳＥＭ）写真の概要構成をトレースした図である。
【符号の説明】
１…Ｙｂ１２３、２…Ｙｂ２１１、３…ＢａＣｕＯ2、
４…ＣｕＯ。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 持田 正 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 劉 相任 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 坂井 直道 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内 (72)発明者 村上 雅人 東京都江東区東雲一丁目14番３ 財団法人 国際超電導産業技術研究センター 超電 導工学研究所内

Claims (6)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 半溶融法（メルトプロセス法）でＲＥＢ
    ａ2Ｃｕ3Ｏ7-x（ｘは酸素欠損量で０〜０.５、ＲＥはイ
    ットリウムを含むランタノイド元素）系のバルク超電導
    体を製造するバルク酸化物超電導体の製造方法であっ
    て、前記ＲＥＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-xの結晶成長時の雰囲気を
    酸素雰囲気としたことを特徴とするバルク酸化物超電導
    体の製造方法。
  2. 【請求項２】 請求項１に記載されるバルク酸化物超電
    導体の製造方法において、前記ＲＥとしてＹｂを用いた
    ことを特徴とするバルク酸化物超電導体の製造方法。
  3. 【請求項３】 請求項１又は２に記載されるバルク酸化
    物超電導体の製造方法において、ＹｂＢａ2Ｃｕ3Ｏ7-x
    とＹｂ2ＢａＣｕＯ5の配合比を１.０：０.０から１.
    ０：０.４までとしたことを特徴とするバルク酸化物超
    電導体の製造方法。
  4. 【請求項４】 請求項１乃至３のいずれか１項に記載さ
    れるバルク酸化物超電導体の製造方法において、材料粉
    混合体を１０１０℃〜１０５０℃の温度領域に加熱して
    ＲＥ2ＢａＣｕＯ5と液相とを形成し、しかる後に１００
    ０℃から９３０℃まで徐冷することを特徴とするバルク
    酸化物超電導体の製造方法。
  5. 【請求項５】 請求項１乃至４のいずれか１項に記載さ
    れるバルク酸化物超電導体の製造方法において、毎時
    ０.１℃〜毎時１０℃の徐冷速度としたことを特徴とす
    るバルク酸化物超電導体の製造方法。
  6. 【請求項６】 請求項１乃至５のいずれか１項に記載さ
    れるバルク酸化物超電導体の製造方法において、材料粉
    混合体表面に種結晶を置き、結晶成長させることを特徴
    とするバルク酸化物超電導体の製造方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2004065303A1 (ja) * 2003-01-23 2004-08-05 International Superconductivity Technology Center, The Juridical Foundation 酸化物超電導体の製造方法及び酸化物超電導体とその前駆体支持用基材
JP2013136815A (ja) * 2011-12-28 2013-07-11 Fujikura Ltd レーザーアブレーション用ターゲットとそれを用いた酸化物超電導線材の製造方法および酸化物超電導線材

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