JPH09255470A - 単結晶用原料の供給方法 - Google Patents
単結晶用原料の供給方法Info
- Publication number
- JPH09255470A JPH09255470A JP6690396A JP6690396A JPH09255470A JP H09255470 A JPH09255470 A JP H09255470A JP 6690396 A JP6690396 A JP 6690396A JP 6690396 A JP6690396 A JP 6690396A JP H09255470 A JPH09255470 A JP H09255470A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- raw material
- crucible
- single crystal
- granular
- speed
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 跳ねた溶融液の供給管又は坩堝の内壁への付
着を防止する単結晶用原料の供給方法を提供する。 【解決手段】 坩堝21上には供給管７が、坩堝21の内壁
より少し中心側の位置に、坩堝21の中心Ｏと同心円の接
線上となるように配してある。供給管７から投入された
粒状原料の速度を予め計測し、計測した速度及び供給管
７の傾斜角度から、投入された粒状原料の水平方向の速
度Ｖ（ｍ／ｓ）を算出しておき、また、粒状原料Ｐの着
液点Ｔと坩堝21の中心Ｏとの間の距離ｒ（ｍ）も予め測
定しておく。そして、坩堝21を粒状原料Ｐの投入方向と
逆の方向へ、回転速度がＶ／ｒ（ｒａｄ／ｓ）となるよ
うに回転させつつ、供給管７から粒状原料Ｐを投入す
る。
着を防止する単結晶用原料の供給方法を提供する。 【解決手段】 坩堝21上には供給管７が、坩堝21の内壁
より少し中心側の位置に、坩堝21の中心Ｏと同心円の接
線上となるように配してある。供給管７から投入された
粒状原料の速度を予め計測し、計測した速度及び供給管
７の傾斜角度から、投入された粒状原料の水平方向の速
度Ｖ（ｍ／ｓ）を算出しておき、また、粒状原料Ｐの着
液点Ｔと坩堝21の中心Ｏとの間の距離ｒ（ｍ）も予め測
定しておく。そして、坩堝21を粒状原料Ｐの投入方向と
逆の方向へ、回転速度がＶ／ｒ（ｒａｄ／ｓ）となるよ
うに回転させつつ、供給管７から粒状原料Ｐを投入す
る。
Description
【０００１】
【発明が属する技術分野】本発明は、単結晶用原料の溶
融液が入れてある坩堝内に、粒状の単結晶用原料を供給
する方法に関する。
融液が入れてある坩堝内に、粒状の単結晶用原料を供給
する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】図３は単結晶引き上げ装置の要部及び従
来の単結晶用原料の供給方法の実施に使用する装置の要
部を示す模式的側断面図であり、図中29は金属製のチャ
ンバである。チャンバ29は広口壜状のメインチャンバ30
に円筒状のプルチャンバ31を連結してなり、メインチャ
ンバ30内の中央には原料を溶融する坩堝21が配置してあ
る。坩堝21は、円筒状の直胴部の下端に椀状の下部を設
けてなる石英製の内容器22に、内容器22と相似形である
黒鉛製の外容器23が外嵌してあり、坩堝21は外容器23と
略同じ熱伝導率である黒鉛製の支持部材25によって回転
されると共に、昇降されるようになっている。
来の単結晶用原料の供給方法の実施に使用する装置の要
部を示す模式的側断面図であり、図中29は金属製のチャ
ンバである。チャンバ29は広口壜状のメインチャンバ30
に円筒状のプルチャンバ31を連結してなり、メインチャ
ンバ30内の中央には原料を溶融する坩堝21が配置してあ
る。坩堝21は、円筒状の直胴部の下端に椀状の下部を設
けてなる石英製の内容器22に、内容器22と相似形である
黒鉛製の外容器23が外嵌してあり、坩堝21は外容器23と
略同じ熱伝導率である黒鉛製の支持部材25によって回転
されると共に、昇降されるようになっている。
【０００３】坩堝21の外側には抵抗加熱式の筒状のヒー
タ26が坩堝21と同心円状に配設してあり、ヒータ26及び
坩堝21は円柱殻形の断熱容器28内に格納してある。断熱
容器28の上面には坩堝21の直径より少し大きい直径の穴
が、また断熱容器28の底面には支持部材25の軸の直径よ
り少し大きい直径の穴が開設してある。前述した支持部
材25は断熱容器28の底面に開設した穴及びメインチャン
バ30の底を貫通し、図示しない回転昇降装置に連結して
ある。
タ26が坩堝21と同心円状に配設してあり、ヒータ26及び
坩堝21は円柱殻形の断熱容器28内に格納してある。断熱
容器28の上面には坩堝21の直径より少し大きい直径の穴
が、また断熱容器28の底面には支持部材25の軸の直径よ
り少し大きい直径の穴が開設してある。前述した支持部
材25は断熱容器28の底面に開設した穴及びメインチャン
バ30の底を貫通し、図示しない回転昇降装置に連結して
ある。
【０００４】メインチャンバ30の肩部付近には、粒状の
単結晶用原料（以下、粒状原料という）を供給するため
の供給管９が斜め下方に向かって貫通させてある。供給
管９は、下端近傍から鉛直方向に屈曲させてあり、その
下端が坩堝21の周壁より少し内側であって、坩堝21の開
口部の高さより少し下の高さに位置するようにしてあ
る。
単結晶用原料（以下、粒状原料という）を供給するため
の供給管９が斜め下方に向かって貫通させてある。供給
管９は、下端近傍から鉛直方向に屈曲させてあり、その
下端が坩堝21の周壁より少し内側であって、坩堝21の開
口部の高さより少し下の高さに位置するようにしてあ
る。
【０００５】このような装置にあっては、坩堝21内に高
純度多結晶シリコンの塊片といった単結晶用原料を充填
しておき、ヒータ26の加熱によって坩堝21内の単結晶用
原料を溶融して溶融液Ｌにする。坩堝21に最初に装填し
た単結晶用原料を溶融した溶融液Ｌの体積は、坩堝21の
体積の略６０％に過ぎないので、供給管９から坩堝21内
の溶融液Ｌ中へ粒状原料Ｐ，Ｐ…を所定の重量になるま
で供給してそれを溶融する。
純度多結晶シリコンの塊片といった単結晶用原料を充填
しておき、ヒータ26の加熱によって坩堝21内の単結晶用
原料を溶融して溶融液Ｌにする。坩堝21に最初に装填し
た単結晶用原料を溶融した溶融液Ｌの体積は、坩堝21の
体積の略６０％に過ぎないので、供給管９から坩堝21内
の溶融液Ｌ中へ粒状原料Ｐ，Ｐ…を所定の重量になるま
で供給してそれを溶融する。
【０００６】そして、リチャージ法によって単結晶を引
き上げるには、種結晶を溶融液Ｌの表面に接触させ、該
種結晶及び支持部材25を互いに逆方向に回転駆動しつ
つ、所定の速度で種結晶を引き上げていくことにより、
種結晶の下方に単結晶を成長させる。このとき、単結晶
の引き上げによる溶融液Ｌの減少に伴って、支持部材25
によって坩堝21を上昇させ、溶融液Ｌの表面の高さを略
一定に保つ。
き上げるには、種結晶を溶融液Ｌの表面に接触させ、該
種結晶及び支持部材25を互いに逆方向に回転駆動しつ
つ、所定の速度で種結晶を引き上げていくことにより、
種結晶の下方に単結晶を成長させる。このとき、単結晶
の引き上げによる溶融液Ｌの減少に伴って、支持部材25
によって坩堝21を上昇させ、溶融液Ｌの表面の高さを略
一定に保つ。
【０００７】単結晶の引き上げが終了すると、坩堝21を
降下させた後、坩堝21に残った溶融液Ｌへ供給管９から
粒状原料Ｐを放出してそれを溶融し、溶融液Ｌの体積を
所要量まで増大させる。そして、前同様、種結晶を坩堝
21内の溶融液Ｌ表面に接触させ、該種結晶を引き上げて
単結晶を成長させる。
降下させた後、坩堝21に残った溶融液Ｌへ供給管９から
粒状原料Ｐを放出してそれを溶融し、溶融液Ｌの体積を
所要量まで増大させる。そして、前同様、種結晶を坩堝
21内の溶融液Ｌ表面に接触させ、該種結晶を引き上げて
単結晶を成長させる。
【０００８】一方、連続チャージ法によって単結晶を引
き上げるには、種結晶を溶融液Ｌの表面に接触させ、該
種結晶及び支持部材25を互いに逆方向に回転駆動しつ
つ、所定の速度で種結晶を引き上げていくことにより、
種結晶の下方に単結晶を成長させる。このとき、単結晶
の引き上げによる溶融液Ｌの減少に伴って、供給管９か
ら粒状原料を溶融液Ｌへ放出してこれを溶融し、溶融液
Ｌの体積を一定に保つ。そして、単結晶を所要の長さま
で引き上げると、供給管９から粒状原料の供給を一時停
止して、単結晶をプルチャンバ31から取り出した後、新
たな種結晶を溶融液Ｌに接触させ、単結晶の引き上げを
行うと共に、供給管９から粒状原料の供給を再開する。
き上げるには、種結晶を溶融液Ｌの表面に接触させ、該
種結晶及び支持部材25を互いに逆方向に回転駆動しつ
つ、所定の速度で種結晶を引き上げていくことにより、
種結晶の下方に単結晶を成長させる。このとき、単結晶
の引き上げによる溶融液Ｌの減少に伴って、供給管９か
ら粒状原料を溶融液Ｌへ放出してこれを溶融し、溶融液
Ｌの体積を一定に保つ。そして、単結晶を所要の長さま
で引き上げると、供給管９から粒状原料の供給を一時停
止して、単結晶をプルチャンバ31から取り出した後、新
たな種結晶を溶融液Ｌに接触させ、単結晶の引き上げを
行うと共に、供給管９から粒状原料の供給を再開する。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
単結晶用原料の供給方法にあっては、粒状原料を鉛直方
向に放出していたため、それによって跳ねた溶融液が供
給管に付着して凝固し、この凝固物が単結晶引き上げ中
に溶融液内に落下して、単結晶に転移が発生するという
問題があった。また、連続チャージ法にあっては、単結
晶の引き上げ前では、坩堝を回転させないため、前同様
に、跳ねた溶融液が供給管へ付着・凝固という問題があ
り、更に、単結晶の引き上げ中では、坩堝を回転させる
ため、粒状原料の着液によって跳ねた溶融液は、粒状原
料の着液点と坩堝の中心との間の距離を半径とする円の
接線方向に飛び、坩堝の内壁に付着して凝固し、この凝
固物が単結晶引き上げ中に溶融液内に落下して、単結晶
に転移が発生するという問題があった。
単結晶用原料の供給方法にあっては、粒状原料を鉛直方
向に放出していたため、それによって跳ねた溶融液が供
給管に付着して凝固し、この凝固物が単結晶引き上げ中
に溶融液内に落下して、単結晶に転移が発生するという
問題があった。また、連続チャージ法にあっては、単結
晶の引き上げ前では、坩堝を回転させないため、前同様
に、跳ねた溶融液が供給管へ付着・凝固という問題があ
り、更に、単結晶の引き上げ中では、坩堝を回転させる
ため、粒状原料の着液によって跳ねた溶融液は、粒状原
料の着液点と坩堝の中心との間の距離を半径とする円の
接線方向に飛び、坩堝の内壁に付着して凝固し、この凝
固物が単結晶引き上げ中に溶融液内に落下して、単結晶
に転移が発生するという問題があった。
【００１０】本発明はかかる事情に鑑みてなされたもの
であって、その目的とするところは坩堝を回転させつ
つ、粒状の単結晶用原料を、溶融液における坩堝の回転
中心を中心にする円と該円の接線との接点へ、前記接線
上であって接点から回転方向へ所定距離を隔てた位置の
上方から、所要の速度で放出することによって、跳ねた
溶融液の供給管又は坩堝の内壁への付着を防止する単結
晶用原料の供給方法を提供することにある。
であって、その目的とするところは坩堝を回転させつ
つ、粒状の単結晶用原料を、溶融液における坩堝の回転
中心を中心にする円と該円の接線との接点へ、前記接線
上であって接点から回転方向へ所定距離を隔てた位置の
上方から、所要の速度で放出することによって、跳ねた
溶融液の供給管又は坩堝の内壁への付着を防止する単結
晶用原料の供給方法を提供することにある。
【００１１】
【課題を解決するための手段】第１発明に係る単結晶用
原料の供給方法は、単結晶用原料の溶融液が入れてある
坩堝内へ粒状の単結晶用原料を供給する方法において、
前記坩堝を回転させつつ、坩堝の回転中心を中心とする
溶融液表面の円と該円の接線との接点に向かって、前記
接線上であって前記接点から回転方向へ所定距離を隔て
た位置の上方から、粒状の単結晶用原料を所要の速度で
放出することを特徴とする。
原料の供給方法は、単結晶用原料の溶融液が入れてある
坩堝内へ粒状の単結晶用原料を供給する方法において、
前記坩堝を回転させつつ、坩堝の回転中心を中心とする
溶融液表面の円と該円の接線との接点に向かって、前記
接線上であって前記接点から回転方向へ所定距離を隔て
た位置の上方から、粒状の単結晶用原料を所要の速度で
放出することを特徴とする。
【００１２】第２発明に係る単結晶用原料の供給方法
は、第１発明において、前記坩堝の回転速度、粒状の単
結晶用原料の放出速度及び前記回転中心から前記接点ま
での距離を、前記接点における溶融液の接線方向の速度
と、粒状の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じに
なるように調節することを特徴とする。
は、第１発明において、前記坩堝の回転速度、粒状の単
結晶用原料の放出速度及び前記回転中心から前記接点ま
での距離を、前記接点における溶融液の接線方向の速度
と、粒状の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じに
なるように調節することを特徴とする。
【００１３】本発明にあっては、坩堝の回転中心を中心
とする溶融液表面の円と該円の接線との接点に向かっ
て、前記接線上であって該接点から回転方向へ所定距離
を隔てた位置の上方から、所要の速度で粒状の単結晶用
原料を放出するため、粒状の単結晶用原料はそれを放出
する管から離れた位置に着液し、跳ねた溶融液の管への
付着が防止される。
とする溶融液表面の円と該円の接線との接点に向かっ
て、前記接線上であって該接点から回転方向へ所定距離
を隔てた位置の上方から、所要の速度で粒状の単結晶用
原料を放出するため、粒状の単結晶用原料はそれを放出
する管から離れた位置に着液し、跳ねた溶融液の管への
付着が防止される。
【００１４】そして、坩堝の回転速度、粒状の単結晶用
原料の放出速度、及び坩堝の回転中心から接点までの距
離を、接点において、溶融液の接線方向の速度と、粒状
の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じになるよう
に調節するため、跳ねた溶融液に作用する力は相殺さ
れ、その軌道は接点の鉛直方向になる。これによって、
跳ねた溶融液は元の位置に着液し、坩堝の内壁及び粒状
の単結晶用原料を放出する管のどちらにも付着しない。
なお、粒状の単結晶用原料の放出速度は、それを放出す
る管の傾斜角度及び長さによって調節する。
原料の放出速度、及び坩堝の回転中心から接点までの距
離を、接点において、溶融液の接線方向の速度と、粒状
の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じになるよう
に調節するため、跳ねた溶融液に作用する力は相殺さ
れ、その軌道は接点の鉛直方向になる。これによって、
跳ねた溶融液は元の位置に着液し、坩堝の内壁及び粒状
の単結晶用原料を放出する管のどちらにも付着しない。
なお、粒状の単結晶用原料の放出速度は、それを放出す
る管の傾斜角度及び長さによって調節する。
【００１５】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。図１は単結晶引き上げ装
置の要部及び本発明の実施に使用する粒状原料供給装置
を示す模式的側断面図である。金属製のチャンバ29は広
口壜状のメインチャンバ30に円筒状のプルチャンバ31を
連結してなり、メインチャンバ29内の中央には原料を装
填する坩堝21が配置してある。坩堝21は、円筒状の直胴
部の下端に椀状の下部を設けてなる石英製の内容器22
に、内容器22と相似形である黒鉛製の外容器23が外嵌し
てあり、坩堝21は外容器23と略同じ熱伝導率である黒鉛
製の支持部材25によって回転されると共に、昇降される
ようになっている。
に基づいて具体的に説明する。図１は単結晶引き上げ装
置の要部及び本発明の実施に使用する粒状原料供給装置
を示す模式的側断面図である。金属製のチャンバ29は広
口壜状のメインチャンバ30に円筒状のプルチャンバ31を
連結してなり、メインチャンバ29内の中央には原料を装
填する坩堝21が配置してある。坩堝21は、円筒状の直胴
部の下端に椀状の下部を設けてなる石英製の内容器22
に、内容器22と相似形である黒鉛製の外容器23が外嵌し
てあり、坩堝21は外容器23と略同じ熱伝導率である黒鉛
製の支持部材25によって回転されると共に、昇降される
ようになっている。
【００１６】坩堝21の外側には抵抗加熱式の筒状のヒー
タ26が坩堝21と同心円状に配設してあり、ヒータ26及び
坩堝21は円柱殻形の断熱容器28内に格納してある。断熱
容器28の上面には坩堝21の直径より少し大きい直径の穴
が、また断熱容器28の底面には支持部材25の軸の直径よ
り少し大きい直径の穴が開設してある。前述した支持部
材25は断熱容器28の底面に開設した穴及びメインチャン
バ30の底を貫通し、図示しない回転昇降装置に連結して
ある。
タ26が坩堝21と同心円状に配設してあり、ヒータ26及び
坩堝21は円柱殻形の断熱容器28内に格納してある。断熱
容器28の上面には坩堝21の直径より少し大きい直径の穴
が、また断熱容器28の底面には支持部材25の軸の直径よ
り少し大きい直径の穴が開設してある。前述した支持部
材25は断熱容器28の底面に開設した穴及びメインチャン
バ30の底を貫通し、図示しない回転昇降装置に連結して
ある。
【００１７】メインチャンバ30の肩部付近には、坩堝21
内に粒状原料Ｐを供給するための供給管７が斜め下方に
向かって貫通させてあり、供給管７の上端側は粒状原料
Ｐの供給装置１に備えられた遮蔽容器８の一側側の下部
に連通させてある。遮蔽容器８の他側側の上部には、粒
状原料Ｐが充填してある有蓋の原料容器２が取り付けて
あり、原料容器２の排出管は遮蔽容器８の壁を貫通して
遮蔽容器８の内部まで延設してある。排出管の出口には
第１フィーダ３が配置してあり、原料容器２内の粒状原
料Ｐは第１フィーダ３から中間容器４内に排出される。
内に粒状原料Ｐを供給するための供給管７が斜め下方に
向かって貫通させてあり、供給管７の上端側は粒状原料
Ｐの供給装置１に備えられた遮蔽容器８の一側側の下部
に連通させてある。遮蔽容器８の他側側の上部には、粒
状原料Ｐが充填してある有蓋の原料容器２が取り付けて
あり、原料容器２の排出管は遮蔽容器８の壁を貫通して
遮蔽容器８の内部まで延設してある。排出管の出口には
第１フィーダ３が配置してあり、原料容器２内の粒状原
料Ｐは第１フィーダ３から中間容器４内に排出される。
【００１８】中間容器４は第２フィーダ５の上部に連結
してあり、第２フィーダ５及び中間容器４は重量計６上
に載置してある。重量計６は中間容器４内に溜まった粒
状原料Ｐの重量を計測し、中間容器４内に所定量の粒状
原料Ｐが溜まると、第１フィーダ３が停止するようにな
っている。そして、第２フィーダ５は中間容器４内の粒
状原料Ｐを供給管７へ排出する。一方、遮蔽容器８内は
減圧又は不活性ガス雰囲気にし得るようになっており、
これによって粒状原料の隙間内の空気を脱気又は置換し
ている。
してあり、第２フィーダ５及び中間容器４は重量計６上
に載置してある。重量計６は中間容器４内に溜まった粒
状原料Ｐの重量を計測し、中間容器４内に所定量の粒状
原料Ｐが溜まると、第１フィーダ３が停止するようにな
っている。そして、第２フィーダ５は中間容器４内の粒
状原料Ｐを供給管７へ排出する。一方、遮蔽容器８内は
減圧又は不活性ガス雰囲気にし得るようになっており、
これによって粒状原料の隙間内の空気を脱気又は置換し
ている。
【００１９】供給管７の上端はロート状に成形してあ
り、第２フィーダ５から排出された粒状原料Ｐをこぼさ
ずに受けるようにしてある。供給管７に与えられた粒状
原料Ｐは、供給管７の傾斜によって自然落下してメイン
チャンバ30内に導かれ、供給管７の下端から坩堝21内に
次のように供給される。
り、第２フィーダ５から排出された粒状原料Ｐをこぼさ
ずに受けるようにしてある。供給管７に与えられた粒状
原料Ｐは、供給管７の傾斜によって自然落下してメイン
チャンバ30内に導かれ、供給管７の下端から坩堝21内に
次のように供給される。
【００２０】図２は図１に示した供給管７及び坩堝21の
拡大平面図であり、この図を用いて供給管７から坩堝21
への粒状原料の供給方法を説明する。坩堝21内には、単
結晶用原料の塊片を充填しそれを溶融させた溶融液Ｌが
貯溜されている。そして、坩堝21上には供給管７が、坩
堝21の内壁より少し中心側の位置に、坩堝21の中心Ｏと
同心円の接線上となるように配してある。なお、供給管
７の傾斜角度及び長さは、供給管７から坩堝21内へ投入
される粒状原料Ｐの速度があまり大きくならないように
設定してある。
拡大平面図であり、この図を用いて供給管７から坩堝21
への粒状原料の供給方法を説明する。坩堝21内には、単
結晶用原料の塊片を充填しそれを溶融させた溶融液Ｌが
貯溜されている。そして、坩堝21上には供給管７が、坩
堝21の内壁より少し中心側の位置に、坩堝21の中心Ｏと
同心円の接線上となるように配してある。なお、供給管
７の傾斜角度及び長さは、供給管７から坩堝21内へ投入
される粒状原料Ｐの速度があまり大きくならないように
設定してある。
【００２１】このような坩堝21内に、供給管７から粒状
原料を供給するには、供給管７から投入された粒状原料
の速度を予め計測し、計測した速度及び供給管７の傾斜
角度から、投入された粒状原料の水平方向の速度Ｖ（ｍ
／ｓ）を算出しておく。また、粒状原料Ｐの着液点Ｔと
坩堝21の中心Ｏとの間の距離ｒ（ｍ）も予め測定してお
く。そして、坩堝21を粒状原料Ｐの投入方向と逆の方向
へ、回転速度がＶ／ｒ（ｒａｄ／ｓ）となるように回転
させつつ、供給管７から粒状原料Ｐを投入する。これに
よって、粒状原料Ｐは供給管７から離れた位置に着液
し、それよって跳ねた溶融液は鉛直方向の軌道をとって
元の位置に着液するため、供給管７及び坩堝21の内壁の
どちらにも付着しない。
原料を供給するには、供給管７から投入された粒状原料
の速度を予め計測し、計測した速度及び供給管７の傾斜
角度から、投入された粒状原料の水平方向の速度Ｖ（ｍ
／ｓ）を算出しておく。また、粒状原料Ｐの着液点Ｔと
坩堝21の中心Ｏとの間の距離ｒ（ｍ）も予め測定してお
く。そして、坩堝21を粒状原料Ｐの投入方向と逆の方向
へ、回転速度がＶ／ｒ（ｒａｄ／ｓ）となるように回転
させつつ、供給管７から粒状原料Ｐを投入する。これに
よって、粒状原料Ｐは供給管７から離れた位置に着液
し、それよって跳ねた溶融液は鉛直方向の軌道をとって
元の位置に着液するため、供給管７及び坩堝21の内壁の
どちらにも付着しない。
【００２２】なお、上述した粒状原料の供給方法では、
粒状原料の水平方向の速度及び粒状原料の着液点と坩堝
の中心との間の距離から算出した回転速度になるように
坩堝を回転させているが、本発明はこれに限らず、坩堝
の回転速度のみならず、供給管の長さ，供給管の傾斜角
度，及び坩堝に投入する粒状の単結晶用原料の位置を、
着液点における溶融液の接線方向の速度と、投入された
粒状の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じになる
ように調節すればよいことはいうまでもない。
粒状原料の水平方向の速度及び粒状原料の着液点と坩堝
の中心との間の距離から算出した回転速度になるように
坩堝を回転させているが、本発明はこれに限らず、坩堝
の回転速度のみならず、供給管の長さ，供給管の傾斜角
度，及び坩堝に投入する粒状の単結晶用原料の位置を、
着液点における溶融液の接線方向の速度と、投入された
粒状の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じになる
ように調節すればよいことはいうまでもない。
【００２３】
【発明の効果】以上詳述した如く、本発明にあっては、
溶融液が入れてある坩堝内に放出した粒状の単結晶用原
料によって跳ねた溶融液が供給管及び坩堝の内壁に付着
することが防止され、単結晶の引き上げ中に、供給管及
び坩堝に付着して凝固した凝固物が、溶融液内に落下し
て、単結晶に転移が生じることがなく、高品質の単結晶
が製造される等、本発明は優れた効果を奏する。
溶融液が入れてある坩堝内に放出した粒状の単結晶用原
料によって跳ねた溶融液が供給管及び坩堝の内壁に付着
することが防止され、単結晶の引き上げ中に、供給管及
び坩堝に付着して凝固した凝固物が、溶融液内に落下し
て、単結晶に転移が生じることがなく、高品質の単結晶
が製造される等、本発明は優れた効果を奏する。
【図１】単結晶引き上げ装置の要部及び本発明の実施に
使用する粒状原料供給装置を示す模式的側断面図であ
る。
使用する粒状原料供給装置を示す模式的側断面図であ
る。
【図２】図１に示した供給管及び坩堝の拡大平面図であ
る。
る。
【図３】単結晶引き上げ装置の要部及び従来の単結晶用
原料の供給方法の実施に使用する装置の要部を示す模式
的側断面図である。
原料の供給方法の実施に使用する装置の要部を示す模式
的側断面図である。
１ 供給装置 ３ 第１フィーダ ５ 第２フィーダ ７ 供給管 ２１ 坩堝 ２９ チャンバ Ｐ 粒状原料
Claims (2)
- 【請求項１】 単結晶用原料の溶融液が入れてある坩堝
内へ粒状の単結晶用原料を供給する方法において、 前記坩堝を回転させつつ、坩堝の回転中心を中心とする
溶融液表面の円と該円の接線との接点に向かって、前記
接線上であって前記接点から回転方向へ所定距離を隔て
た位置の上方から、粒状の単結晶用原料を所要の速度で
放出することを特徴とする単結晶用原料の供給方法。 - 【請求項２】 前記坩堝の回転速度、粒状の単結晶用原
料の放出速度及び前記回転中心から前記接点までの距離
を、前記接点における溶融液の接線方向の速度と、粒状
の単結晶用原料の水平方向の速度とが略同じになるよう
に調節する請求項１記載の単結晶用原料の供給方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6690396A JPH09255470A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 単結晶用原料の供給方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6690396A JPH09255470A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 単結晶用原料の供給方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09255470A true JPH09255470A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13329379
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6690396A Pending JPH09255470A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 単結晶用原料の供給方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09255470A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009130943A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 株式会社Sumco | 単結晶育成装置および原料供給方法 |
| CN104264229A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-01-07 | 河北晶龙阳光设备有限公司 | 一种单晶炉在线掺杂装置 |
| KR102217883B1 (ko) * | 2020-09-24 | 2021-02-18 | 한화솔루션 주식회사 | 연속 잉곳 성장 장치 |
| CN114250512A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 韩华思路信 | 锭生长装置 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP6690396A patent/JPH09255470A/ja active Pending
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2009130943A1 (ja) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 株式会社Sumco | 単結晶育成装置および原料供給方法 |
| JP2009263178A (ja) * | 2008-04-25 | 2009-11-12 | Sumco Corp | 単結晶育成装置および原料供給方法 |
| CN104264229A (zh) * | 2014-10-09 | 2015-01-07 | 河北晶龙阳光设备有限公司 | 一种单晶炉在线掺杂装置 |
| KR102217883B1 (ko) * | 2020-09-24 | 2021-02-18 | 한화솔루션 주식회사 | 연속 잉곳 성장 장치 |
| CN114250513A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 韩华思路信 | 连续型锭生长装置 |
| CN114250512A (zh) * | 2020-09-24 | 2022-03-29 | 韩华思路信 | 锭生长装置 |
| WO2022065737A1 (ko) * | 2020-09-24 | 2022-03-31 | 한화솔루션 주식회사 | 연속 잉곳 성장 장치 |
| CN114250513B (zh) * | 2020-09-24 | 2025-11-18 | 韩华思路信 | 连续型锭生长装置 |
| US12584237B2 (en) * | 2020-09-24 | 2026-03-24 | Hanwha Solutions Corporation | Apparatus for continuously growing ingot |
| US12662753B2 (en) * | 2020-09-24 | 2026-06-23 | Hanwha Solutions Corporation | Ingot growing apparatus |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| EP0170856B1 (en) | Process for growing monocrystals of semiconductor materials from shallow crucibles by czochralski technique | |
| US8652257B2 (en) | Controlled gravity feeding czochralski apparatus with on the way melting raw material | |
| CN112680786B (zh) | 用于硅锭的柴氏生长的侧边进料系统 | |
| US4935046A (en) | Manufacture of a quartz glass vessel for the growth of single crystal semiconductor | |
| EP0538048B1 (en) | A single crystal pulling apparatus | |
| JPH04500063A (ja) | 溶融物の連続補充システム | |
| US20110036860A1 (en) | Single-crystal growth apparatus and raw-material supply method | |
| JPH0422861B2 (ja) | ||
| JPH09142988A (ja) | シリコン単結晶の生成方法及び装置 | |
| US20030101924A1 (en) | Intermittent feeding technique for increasing the melting rate of polycrystalline silicon | |
| US7001456B2 (en) | Apparatus and method for supplying Crystalline materials in czochralski method | |
| JP3496388B2 (ja) | 粒状シリコン原料の供給方法および供給管 | |
| JP6028128B1 (ja) | 投入装置、塊状シリコン原料の供給方法、シリコン単結晶製造装置およびシリコン単結晶の製造方法 | |
| US5306473A (en) | Quartz glass crucible for pulling a single crystal | |
| AU718318B2 (en) | Silicon feed system | |
| US5306388A (en) | Quartz glass crucible for pulling a semiconductor single crystal | |
| JPH0639632B2 (ja) | 誘導コイルにより棒状材料を溶解する方法および装置 | |
| WO2019009010A1 (ja) | リチャージ管及び単結晶の製造方法 | |
| JPS6127330B2 (ja) | ||
| JPH11292682A (ja) | シリコン単結晶の製造方法および製造装置 | |
| JPH0523580Y2 (ja) | ||
| JPH01317187A (ja) | 結晶を引き上げる方法 | |
| JP2567312B2 (ja) | シリコン単結晶の製造装置及び製造方法 | |
| JPH01282194A (ja) | 単結晶製造方法 | |
| WO1991013192A1 (fr) | Appareil de production de monocristaux |