JPH0925562A - 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置 - Google Patents
反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置Info
- Publication number
- JPH0925562A JPH0925562A JP17359995A JP17359995A JPH0925562A JP H0925562 A JPH0925562 A JP H0925562A JP 17359995 A JP17359995 A JP 17359995A JP 17359995 A JP17359995 A JP 17359995A JP H0925562 A JPH0925562 A JP H0925562A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- film
- substrate
- coating film
- thin film
- gas
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 title abstract 12
- 238000000576 coating method Methods 0.000 title abstract 12
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 title description 11
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 16
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract description 14
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract description 14
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 11
- 238000001755 magnetron sputter deposition Methods 0.000 claims abstract description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 3
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract description 3
- 239000010408 film Substances 0.000 claims description 118
- 239000010409 thin film Substances 0.000 claims description 49
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 43
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 claims description 23
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 8
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 7
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 7
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 7
- -1 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 4
- 238000012546 transfer Methods 0.000 claims description 3
- 238000010030 laminating Methods 0.000 claims description 2
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims 2
- 229920006254 polymer film Polymers 0.000 claims 2
- 238000002156 mixing Methods 0.000 abstract description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 abstract description 3
- 238000005299 abrasion Methods 0.000 abstract 2
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 22
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 10
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 8
- 229910004349 Ti-Al Inorganic materials 0.000 description 6
- 229910004692 Ti—Al Inorganic materials 0.000 description 6
- 238000002834 transmittance Methods 0.000 description 6
- 229910002796 Si–Al Inorganic materials 0.000 description 4
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 4
- LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N bakuchiol Chemical compound CC(C)=CCC[C@@](C)(C=C)\C=C\C1=CC=C(O)C=C1 LFYJSSARVMHQJB-QIXNEVBVSA-N 0.000 description 4
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 4
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 4
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000013461 design Methods 0.000 description 3
- 238000005192 partition Methods 0.000 description 3
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 3
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 2
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000002159 abnormal effect Effects 0.000 description 2
- 238000004040 coloring Methods 0.000 description 2
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000002356 single layer Substances 0.000 description 2
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 description 2
- 210000002268 wool Anatomy 0.000 description 2
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004339 Ti-Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910010978 Ti—Si Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000001154 acute effect Effects 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910002091 carbon monoxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 238000010276 construction Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 1
- 239000000428 dust Substances 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005566 electron beam evaporation Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 230000001771 impaired effect Effects 0.000 description 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 1
- 238000012423 maintenance Methods 0.000 description 1
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 1
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 1
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 1
- 229920000307 polymer substrate Polymers 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- 238000006748 scratching Methods 0.000 description 1
- 230000002393 scratching effect Effects 0.000 description 1
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000005507 spraying Methods 0.000 description 1
Landscapes
- Physical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】実用レベル上十分な擦傷硬度を有する緻密な反
射防止膜を提供すること、およびこの反射防止膜を製造
する方法並びに装置を提供すること 【構成】基板３上に屈折率の異なった材料の薄膜が複数
層に積層した多層薄膜の反射防止膜に於いて、該多層薄
膜のうちの少なくとも１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素の酸化物が２種以上
混入している薄膜とし、該多層薄膜はＤＣマグネトロン
スパッタ法によりターゲットとしてＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以上混入させ
た合金ターゲットを使用すると共に反応性ガスとして酸
素を含むガスを使用して成膜する 【効果】緻密で擦傷硬度が高く透過率の良い射防止多層
薄膜が得られ、その混入比を変更することで膜の発色性
も自在に変更でき、不慮の引っ掻き傷が付きにくい反射
防止多層膜が得られる
射防止膜を提供すること、およびこの反射防止膜を製造
する方法並びに装置を提供すること 【構成】基板３上に屈折率の異なった材料の薄膜が複数
層に積層した多層薄膜の反射防止膜に於いて、該多層薄
膜のうちの少なくとも１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素の酸化物が２種以上
混入している薄膜とし、該多層薄膜はＤＣマグネトロン
スパッタ法によりターゲットとしてＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以上混入させ
た合金ターゲットを使用すると共に反応性ガスとして酸
素を含むガスを使用して成膜する 【効果】緻密で擦傷硬度が高く透過率の良い射防止多層
薄膜が得られ、その混入比を変更することで膜の発色性
も自在に変更でき、不慮の引っ掻き傷が付きにくい反射
防止多層膜が得られる
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本願発明は、眼鏡レンズ等の光学
機器や部品に適用される反射防止多層膜、およびその成
膜方法並びにその成膜装置に関する。
機器や部品に適用される反射防止多層膜、およびその成
膜方法並びにその成膜装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、眼鏡レンズの両面或いは片面に低
屈折率と高屈折率の誘電体材料を交互に成膜し、レンズ
の内側では反射による視認性の低下を防止すると共にそ
の外側では光の反射を防止することが行われている。ま
た、最近では、ＶＤＴ作業における外光の映り込み防止
のために、表面に直接反射防止膜を成膜したディスプレ
ーや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＭＭ
Ａ（ポリメチルメタアクリレート）等のフィルム状の高
分子基板上に反射防止膜を成膜してこれをディスプレー
上に貼着け或いは前面に設置したものが市販されてい
る。
屈折率と高屈折率の誘電体材料を交互に成膜し、レンズ
の内側では反射による視認性の低下を防止すると共にそ
の外側では光の反射を防止することが行われている。ま
た、最近では、ＶＤＴ作業における外光の映り込み防止
のために、表面に直接反射防止膜を成膜したディスプレ
ーや、ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）やＰＭＭ
Ａ（ポリメチルメタアクリレート）等のフィルム状の高
分子基板上に反射防止膜を成膜してこれをディスプレー
上に貼着け或いは前面に設置したものが市販されてい
る。
【０００３】眼鏡レンズへの反射防止膜の成膜は、Ｓｉ
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＭｇＦ等を成膜の出発材料とし、電子
ビーム蒸着法により成膜が行われている。また、ディス
プレー等の大画面に反射防止の機能を持たせる場合に
は、フッ酸等によるエッチング処理によって表面を凹凸
にして表面反射光を低下させるという方法や、画面にス
プレー塗布後に焼き付けでＳｉＯ2 等の反射防止膜を形
成するという方法も実施されている。
Ｏ2 、ＴｉＯ2 、ＭｇＦ等を成膜の出発材料とし、電子
ビーム蒸着法により成膜が行われている。また、ディス
プレー等の大画面に反射防止の機能を持たせる場合に
は、フッ酸等によるエッチング処理によって表面を凹凸
にして表面反射光を低下させるという方法や、画面にス
プレー塗布後に焼き付けでＳｉＯ2 等の反射防止膜を形
成するという方法も実施されている。
【０００４】しかし、最近では成膜時の膜厚制御が容易
であるために、大面積により高品位の反射防止膜を制御
性よく成膜可能であるスパッタリング法が注目されてい
る。スパッタリング法の中でも、生産性の観点と、フィ
ルム上にも低温で成膜が可能というプロセス実行上の観
点から、高速で低温成膜を実現し得る反応性ＤＣマグネ
トロンスパッタ法が製法上の主流を占めつつある。
であるために、大面積により高品位の反射防止膜を制御
性よく成膜可能であるスパッタリング法が注目されてい
る。スパッタリング法の中でも、生産性の観点と、フィ
ルム上にも低温で成膜が可能というプロセス実行上の観
点から、高速で低温成膜を実現し得る反応性ＤＣマグネ
トロンスパッタ法が製法上の主流を占めつつある。
【０００５】従来の反射防止膜の多層膜の構成は、図１
の（Ａ）（Ｂ）に示す如くであり、図１の（Ａ）の各層
は、単元素の酸化物で、ガラスやＰＥＴ、ＰＭＭＡ等の
透明基板ａ上に、高屈折率のＴｉＯ2 膜の層ｂと低屈折
率のＳｉＯ2 膜の層ｃとが交互に設計値に見合った膜厚
で４層に積層されている。また、図１の（Ｂ）の多層膜
は、透明基板ａ上の第１層ｄがＩＴＯ膜で、他の３層は
（Ａ）の場合と同じ高屈折率と低屈折率の層ｂ、ｃが交
互に積層されたもので、第１層ｄに導電性を持たせるこ
とによって電磁シールドを兼備させたものである。
の（Ａ）（Ｂ）に示す如くであり、図１の（Ａ）の各層
は、単元素の酸化物で、ガラスやＰＥＴ、ＰＭＭＡ等の
透明基板ａ上に、高屈折率のＴｉＯ2 膜の層ｂと低屈折
率のＳｉＯ2 膜の層ｃとが交互に設計値に見合った膜厚
で４層に積層されている。また、図１の（Ｂ）の多層膜
は、透明基板ａ上の第１層ｄがＩＴＯ膜で、他の３層は
（Ａ）の場合と同じ高屈折率と低屈折率の層ｂ、ｃが交
互に積層されたもので、第１層ｄに導電性を持たせるこ
とによって電磁シールドを兼備させたものである。
【０００６】また、こうした多層膜を成膜する装置の構
成の１例は図２に示す如くであり、仕込み・取出しチャ
ンバーｅと成膜チャンバーｆが仕切りバルブｇを介して
接続した２室構成を有し、該成膜チャンバーｆ内には、
Ｔｉなどの高屈折率膜を成膜するためのターゲットを設
けたカソードｈ1，ｈ2と、ＢもしくはＰドープしたＳｉ
などの低屈折率膜の成膜用のターゲットを設けたカソー
ドｉ1，ｉ2が交互に配置され、成膜中にガス導入系ｊ、
ｊからＡｒガスとＯ2 ガスとを夫々導入し、反応性成膜
によって酸化膜を透明基板ａに形成する。基板ａは、ト
レイｌに取付けられて回転制御されたロール等の基板搬
送手段ｏにより搬送される。尚、夫々のカソードｈ、ｉ
には、ＤＣスパッタリングを行う際の異常放電を制御す
るためのパルス発生ユニットｍを介して直流電源ｎが接
続される。ｐは真空ポンプに接続された排気系である。
成の１例は図２に示す如くであり、仕込み・取出しチャ
ンバーｅと成膜チャンバーｆが仕切りバルブｇを介して
接続した２室構成を有し、該成膜チャンバーｆ内には、
Ｔｉなどの高屈折率膜を成膜するためのターゲットを設
けたカソードｈ1，ｈ2と、ＢもしくはＰドープしたＳｉ
などの低屈折率膜の成膜用のターゲットを設けたカソー
ドｉ1，ｉ2が交互に配置され、成膜中にガス導入系ｊ、
ｊからＡｒガスとＯ2 ガスとを夫々導入し、反応性成膜
によって酸化膜を透明基板ａに形成する。基板ａは、ト
レイｌに取付けられて回転制御されたロール等の基板搬
送手段ｏにより搬送される。尚、夫々のカソードｈ、ｉ
には、ＤＣスパッタリングを行う際の異常放電を制御す
るためのパルス発生ユニットｍを介して直流電源ｎが接
続される。ｐは真空ポンプに接続された排気系である。
【０００７】図２の装置により基板ａに反射防止多層膜
を成膜する場合、仕込み・取出しチャンバーｅ内にガラ
ス、ＰＥＴ或いはＰＭＭＡ等のシート状の基板ａをトレ
イｌに取付け、仕切りバルブｇを介して搬送手段ｏによ
り該トレイｌと共に基板ａを予め排気系ｐにより１０-5
Torr台まで排気したのちスパッタリングガスＡｒと反応
性ガスＯ2 を所定流量流してガス圧力を１０-3Torr台に
維持した成膜チャンバーｆ内へ搬送する。そして各カソ
ードｈ、ｉに電源ｎから通電してスパッタ放電を発生さ
せ、基板ａが各カソードｈ、ｉの前方を通過するとき、
基板ａ上に夫々のカソードの放電パワーと基板搬送速度
に見合った、設計膜厚の酸化膜が図１のように多層に形
成され、る。表１にこの場合の成膜条件の諸元を示し
た。
を成膜する場合、仕込み・取出しチャンバーｅ内にガラ
ス、ＰＥＴ或いはＰＭＭＡ等のシート状の基板ａをトレ
イｌに取付け、仕切りバルブｇを介して搬送手段ｏによ
り該トレイｌと共に基板ａを予め排気系ｐにより１０-5
Torr台まで排気したのちスパッタリングガスＡｒと反応
性ガスＯ2 を所定流量流してガス圧力を１０-3Torr台に
維持した成膜チャンバーｆ内へ搬送する。そして各カソ
ードｈ、ｉに電源ｎから通電してスパッタ放電を発生さ
せ、基板ａが各カソードｈ、ｉの前方を通過するとき、
基板ａ上に夫々のカソードの放電パワーと基板搬送速度
に見合った、設計膜厚の酸化膜が図１のように多層に形
成され、る。表１にこの場合の成膜条件の諸元を示し
た。
【０００８】
【表１】
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】反射防止膜は、通常、
外光に直接曝されるものであり、人の手や外界の埃等の
不純物に触れるため、定期的にその汚れを拭き取る等の
メンテナンス作業が要求される。こうした場合、その拭
き取り作業時や不慮に鋭角的なものが触れると膜上に傷
が発生し、膜本来の反射防止機能が損なわれてしまう。
従来の反射防止膜の各層は、５００g/cm2 程度の擦傷硬
度しかなく、実用上、強度が不十分である欠点があっ
た。従来の反射防止膜を構成する各単層膜ＴｉＯ2 、Ｓ
ｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 の
擦傷硬度を図３に示した。擦傷硬度は、０番のスチール
ウール１cm2 あたりに定荷重を加え、２cm/secの引っか
き速度で膜表面を５回ランビングしたのち、肉眼にて１
cm幅当たりに１本以上の擦傷痕を生じるときの最低荷重
で表わしている。
外光に直接曝されるものであり、人の手や外界の埃等の
不純物に触れるため、定期的にその汚れを拭き取る等の
メンテナンス作業が要求される。こうした場合、その拭
き取り作業時や不慮に鋭角的なものが触れると膜上に傷
が発生し、膜本来の反射防止機能が損なわれてしまう。
従来の反射防止膜の各層は、５００g/cm2 程度の擦傷硬
度しかなく、実用上、強度が不十分である欠点があっ
た。従来の反射防止膜を構成する各単層膜ＴｉＯ2 、Ｓ
ｉＯ2 、Ａｌ2 Ｏ3 、Ｔａ2 Ｏ5 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 の
擦傷硬度を図３に示した。擦傷硬度は、０番のスチール
ウール１cm2 あたりに定荷重を加え、２cm/secの引っか
き速度で膜表面を５回ランビングしたのち、肉眼にて１
cm幅当たりに１本以上の擦傷痕を生じるときの最低荷重
で表わしている。
【００１０】また、従来より反応性ＤＣスパッタリング
法でＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒ等の単元素材
料を出発材料としてＡｒとＯ2 ガスを導入しながらスパ
ッタを行うと、成膜したＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 などの単元素の酸化物は、酸化物
生成の過程で膜中に格子欠陥を多く含むため、構造的に
膜が脆くなることが知られている。従って、反応性ＤＣ
スパッタリング法で成膜した反射防止膜は、密度が粗く
脆いという欠点も持つ。
法でＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒ等の単元素材
料を出発材料としてＡｒとＯ2 ガスを導入しながらスパ
ッタを行うと、成膜したＴｉＯ2 、ＳｉＯ2 、Ｔａ2 Ｏ
5 、ＭｇＯ、ＺｒＯ2 などの単元素の酸化物は、酸化物
生成の過程で膜中に格子欠陥を多く含むため、構造的に
膜が脆くなることが知られている。従って、反応性ＤＣ
スパッタリング法で成膜した反射防止膜は、密度が粗く
脆いという欠点も持つ。
【００１１】本発明は、実用レベル上十分な擦傷硬度を
有する緻密な反射防止膜を提供すること、およびこの反
射防止膜を製造する方法並びに装置を提供することを目
的とするものである。
有する緻密な反射防止膜を提供すること、およびこの反
射防止膜を製造する方法並びに装置を提供することを目
的とするものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明では、基板上に屈
折率の異なった材料の薄膜が複数層に積層した多層薄膜
の反射防止膜に於いて、該多層薄膜のうちの少なくとも
１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのい
ずれかの元素の酸化物が２種以上混入している薄膜とす
ることにより、十分な擦傷硬度を有する緻密な反射防止
膜を得るようにした。この反射防止多層膜は、成膜チャ
ンバー内に反応性ガスとスパッタリングガスを同時に導
入しながら、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのい
ずれかの元素から成るターゲットをＤＣマグネトロンス
パッタ法によりスパッタして、該ターゲットの前方を移
動する基板上に屈折率の異なった材料の薄膜を順次に積
層することにより多層薄膜の反射防止膜を成膜する方法
に於いて、該多層薄膜の少なくとも１層の薄膜を、該タ
ーゲットとしてＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒの
いずれかの元素を２種以上混入させた合金ターゲットを
使用すると共に反応性ガスとして酸素を含むガスを使用
してＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの
元素の酸化物が２種以上混入した薄膜に成膜する方法に
より製作できる。また、排気系を備えた成膜チャンバー
と、該成膜チャンバー内に配設された複数個のＤＣスパ
ッタリングカソードと、各カソードに設けられるターゲ
ットと、基板を各ターゲットの前方を通過させる基板搬
送手段と、該成膜チャンバー内へ反応性ガスとスパッタ
リングガスとを導入するガス導入系とから成る成膜装置
であって、該ガス導入系から反応性ガスとスパッタリン
グガスを成膜チャンバー内へ導入すると共に該基板上に
各ターゲットの材料の薄膜を多層に形成する装置に於い
て、該ターゲットのうちの少なくとも１つをＴｉ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以
上混合した合金ターゲットとすることにより、該反射防
止多層膜を１個の装置で成膜できる。
折率の異なった材料の薄膜が複数層に積層した多層薄膜
の反射防止膜に於いて、該多層薄膜のうちの少なくとも
１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのい
ずれかの元素の酸化物が２種以上混入している薄膜とす
ることにより、十分な擦傷硬度を有する緻密な反射防止
膜を得るようにした。この反射防止多層膜は、成膜チャ
ンバー内に反応性ガスとスパッタリングガスを同時に導
入しながら、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのい
ずれかの元素から成るターゲットをＤＣマグネトロンス
パッタ法によりスパッタして、該ターゲットの前方を移
動する基板上に屈折率の異なった材料の薄膜を順次に積
層することにより多層薄膜の反射防止膜を成膜する方法
に於いて、該多層薄膜の少なくとも１層の薄膜を、該タ
ーゲットとしてＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒの
いずれかの元素を２種以上混入させた合金ターゲットを
使用すると共に反応性ガスとして酸素を含むガスを使用
してＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの
元素の酸化物が２種以上混入した薄膜に成膜する方法に
より製作できる。また、排気系を備えた成膜チャンバー
と、該成膜チャンバー内に配設された複数個のＤＣスパ
ッタリングカソードと、各カソードに設けられるターゲ
ットと、基板を各ターゲットの前方を通過させる基板搬
送手段と、該成膜チャンバー内へ反応性ガスとスパッタ
リングガスとを導入するガス導入系とから成る成膜装置
であって、該ガス導入系から反応性ガスとスパッタリン
グガスを成膜チャンバー内へ導入すると共に該基板上に
各ターゲットの材料の薄膜を多層に形成する装置に於い
て、該ターゲットのうちの少なくとも１つをＴｉ、Ｓ
ｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以
上混合した合金ターゲットとすることにより、該反射防
止多層膜を１個の装置で成膜できる。
【００１３】
【作用】複数のＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒ等
のターゲットをＤＣマグネトロンスパッタしてその前方
を移動する基板へ多層の薄膜を成膜し、その際、Ｏ2 ガ
スを導入することで該基板には各ターゲット材料の酸化
物の多層膜が形成されるが、該ターゲットの少なくとも
１つにＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれか
の元素を２種以上混合した合金ターゲット、例えばＴｉ
−Ａｌのターゲットを使用して該合金組成の酸化物の膜
を成膜することにより、格子欠陥が酸化物により補われ
構造的に非常に緻密で硬く擦傷硬度の大きい多層膜が得
られる。また、該合金組成の酸化物の膜の屈折率は、各
組成の酸化物の化学量論組成の屈折率の間をその組成比
率に比例してほぼ直線的に変化するので、その組成比を
変化させて任意の屈折率の薄膜が得られ、膜の発色性を
自在に調節できる。
のターゲットをＤＣマグネトロンスパッタしてその前方
を移動する基板へ多層の薄膜を成膜し、その際、Ｏ2 ガ
スを導入することで該基板には各ターゲット材料の酸化
物の多層膜が形成されるが、該ターゲットの少なくとも
１つにＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれか
の元素を２種以上混合した合金ターゲット、例えばＴｉ
−Ａｌのターゲットを使用して該合金組成の酸化物の膜
を成膜することにより、格子欠陥が酸化物により補われ
構造的に非常に緻密で硬く擦傷硬度の大きい多層膜が得
られる。また、該合金組成の酸化物の膜の屈折率は、各
組成の酸化物の化学量論組成の屈折率の間をその組成比
率に比例してほぼ直線的に変化するので、その組成比を
変化させて任意の屈折率の薄膜が得られ、膜の発色性を
自在に調節できる。
【００１４】
【発明の実施の形態】本発明の実施例を図面に基づき説
明すると、図４は本発明の反射防止多層膜を成膜する装
置の１例を示し、同図に於いて符号１は仕込み・取出し
チャンバーで、その内部のトレイ２にガラスやＰＥＴ或
いはＰＭＭＡ等のシートの基板３が設置される。該トレ
イ２は、開閉自在の仕切バルブ４を介して成膜チャンバ
ー５へ正逆回転するローラー等の適当な搬送手段６によ
り搬送される。該成膜チャンバー５内にはＤＣマグネト
ロンスパッタを行うために直流電源７へ異常放電防止用
パルスユニット８を介して成膜層数に応じた例えば４基
のマグネトロンカソード９が設けられ、各カソード９に
Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素
から成るターゲット１０を取付け、これらの少なくとも
１つのターゲット１０をこれらの元素を２種以上混入し
た合金ターゲットとした。図示の例は、４個のターゲッ
ト１０を全てＡｌ合金ターゲットとしたもので、ターゲ
ット１０ａ、１０ｃをＴｉ−Ａｌ1at%の合金とし、ター
ゲット１０ｂ、１０ｄをＳｉ−Ａｌ1a t%の合金とした。
１１は酸素ガス等の反応性ガスを導入するガス導入系、
１２はＡｒガスのスパッタガスを導入するガス導入系、
１３は真空ポンプに接続された排気口である。カソード
９は公知の構造を有し、板面にターゲット１０をボンデ
ィング等により取付け、その背面に設けた永久磁石等の
磁石により該ターゲット１０のスパッタ面上にマグネト
ロン放電用の磁界が形成される。
明すると、図４は本発明の反射防止多層膜を成膜する装
置の１例を示し、同図に於いて符号１は仕込み・取出し
チャンバーで、その内部のトレイ２にガラスやＰＥＴ或
いはＰＭＭＡ等のシートの基板３が設置される。該トレ
イ２は、開閉自在の仕切バルブ４を介して成膜チャンバ
ー５へ正逆回転するローラー等の適当な搬送手段６によ
り搬送される。該成膜チャンバー５内にはＤＣマグネト
ロンスパッタを行うために直流電源７へ異常放電防止用
パルスユニット８を介して成膜層数に応じた例えば４基
のマグネトロンカソード９が設けられ、各カソード９に
Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素
から成るターゲット１０を取付け、これらの少なくとも
１つのターゲット１０をこれらの元素を２種以上混入し
た合金ターゲットとした。図示の例は、４個のターゲッ
ト１０を全てＡｌ合金ターゲットとしたもので、ターゲ
ット１０ａ、１０ｃをＴｉ−Ａｌ1at%の合金とし、ター
ゲット１０ｂ、１０ｄをＳｉ−Ａｌ1a t%の合金とした。
１１は酸素ガス等の反応性ガスを導入するガス導入系、
１２はＡｒガスのスパッタガスを導入するガス導入系、
１３は真空ポンプに接続された排気口である。カソード
９は公知の構造を有し、板面にターゲット１０をボンデ
ィング等により取付け、その背面に設けた永久磁石等の
磁石により該ターゲット１０のスパッタ面上にマグネト
ロン放電用の磁界が形成される。
【００１５】該成膜チャンバー５内を１０-5Torr台にま
で排気し、スパッタリングガスＡｒと反応性ガスＯ2 を
所定流量流してガス圧力を１０-3Torr台に維持し、電源
７を通電して該成膜チャンバー５内のカソード９にマグ
ネトロン放電を発生させる。そしてトレイ２による搬送
で基板３が各ターゲット１０上を通過するとき、該基板
３上に各ターゲット１０の材料の酸化薄膜が１層ずつ成
膜され、通過し終わると、該基板３上に多層の反射防止
膜が形成される。該カソード９に投入されるスパッタ電
力の大きさと、基板３の搬送速度を調節することで、該
酸化薄膜の膜厚を設計膜厚とすることができる。該基板
３をソーダガラスとし、ターゲット９が上記組成である
とき、該成膜装置を次表２の諸元の成膜条件で成膜する
と、基板３上に、（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｓｉ−
Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｓｉ
−Ａｌ1at%）ＯX 膜、が、夫々１２０Å、３６０Å、１
１５０Å、９１０Åの厚さで積層した図５に示す４層構
造の反射防止多層薄膜が得られる。
で排気し、スパッタリングガスＡｒと反応性ガスＯ2 を
所定流量流してガス圧力を１０-3Torr台に維持し、電源
７を通電して該成膜チャンバー５内のカソード９にマグ
ネトロン放電を発生させる。そしてトレイ２による搬送
で基板３が各ターゲット１０上を通過するとき、該基板
３上に各ターゲット１０の材料の酸化薄膜が１層ずつ成
膜され、通過し終わると、該基板３上に多層の反射防止
膜が形成される。該カソード９に投入されるスパッタ電
力の大きさと、基板３の搬送速度を調節することで、該
酸化薄膜の膜厚を設計膜厚とすることができる。該基板
３をソーダガラスとし、ターゲット９が上記組成である
とき、該成膜装置を次表２の諸元の成膜条件で成膜する
と、基板３上に、（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｓｉ−
Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜、（Ｓｉ
−Ａｌ1at%）ＯX 膜、が、夫々１２０Å、３６０Å、１
１５０Å、９１０Åの厚さで積層した図５に示す４層構
造の反射防止多層薄膜が得られる。
【００１６】
【表２】
【００１７】図５の反射防止多層薄膜の反射率特性およ
び透過率特性を調べたところ、図６および図７の結果と
なった。これによれば、４５０nm〜５５０nmの可視域で
反射率０．１％以下、透過率９４％以上を示し、良好な
反射防止特性が得られていることが分かる。また、その
擦傷硬度は、図８の点Ａで示したように、１５００g/cm
2 を示し、点Ｇで示した前記従来の反射防止多層薄膜の
擦傷硬度の約３倍の硬度が得られた。
び透過率特性を調べたところ、図６および図７の結果と
なった。これによれば、４５０nm〜５５０nmの可視域で
反射率０．１％以下、透過率９４％以上を示し、良好な
反射防止特性が得られていることが分かる。また、その
擦傷硬度は、図８の点Ａで示したように、１５００g/cm
2 を示し、点Ｇで示した前記従来の反射防止多層薄膜の
擦傷硬度の約３倍の硬度が得られた。
【００１８】また、図５の膜の第１層目のみをＩＴＯ膜
とし、或いは図５の第１層目乃至第４層目のいずれか１
層以外をＴｉＯ、ＳｉＯとして反射防止多層薄膜を成膜
したが、これらの場合の擦傷硬度は、図８の点Ｂ〜Ｆで
示したように、１０００g/cm2 の荷重硬度となり、従来
の反射防止多層薄膜よりも十分な硬度が得られた。
とし、或いは図５の第１層目乃至第４層目のいずれか１
層以外をＴｉＯ、ＳｉＯとして反射防止多層薄膜を成膜
したが、これらの場合の擦傷硬度は、図８の点Ｂ〜Ｆで
示したように、１０００g/cm2 の荷重硬度となり、従来
の反射防止多層薄膜よりも十分な硬度が得られた。
【００１９】Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのい
ずれかの２種以上の元素からなる合金ターゲットを出発
材料としてＡｒ＋Ｏ2 ガスを導入しながら反応性ＤＣス
パッタにより成膜した２元素以上の酸化物は、各々の金
属元素の酸化物の格子定数が異なるため、格子欠陥を互
いの酸化物が補い、構造的に緻密で非常に硬い膜である
ことが見出された。１例としてＴｉに、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｍｇ、Ｚｒを比率を変えて混入した膜の擦傷硬度
を、図９に示した。これによれば、Ｔｉ1at%乃至Ｔｉ
99at% の範囲で混合した場合の擦傷硬度は、１５００g/
cm2 以上の荷重を加えても擦傷痕が発生せず、従来の単
元素の酸化物の膜よりも約３倍の硬度を持つことが分か
る。また、この１例の膜の屈折率は、図１０に示したよ
うに、夫々の化学量論組成の酸化物が有する屈折率の間
を組成比率に比例してほぼ直線的に変化し、１ａｔ％程
度のＴｉ混入量では、屈折率の変化がわずかであり、例
えば、Ｔｉ−Ｓｉ1at%の酸化物では、屈折率の変化がＴ
ｉＯ2 の２．６からわずか−０．０１１５変化するだけ
で、膜設計上何等問題が生じることがない。さらに、組
成比を変化させることによって、任意の屈折率を有する
酸化物膜が得られ、また膜の発色の自在性があるので、
膜設計上大きな利点となる。
ずれかの２種以上の元素からなる合金ターゲットを出発
材料としてＡｒ＋Ｏ2 ガスを導入しながら反応性ＤＣス
パッタにより成膜した２元素以上の酸化物は、各々の金
属元素の酸化物の格子定数が異なるため、格子欠陥を互
いの酸化物が補い、構造的に緻密で非常に硬い膜である
ことが見出された。１例としてＴｉに、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｍｇ、Ｚｒを比率を変えて混入した膜の擦傷硬度
を、図９に示した。これによれば、Ｔｉ1at%乃至Ｔｉ
99at% の範囲で混合した場合の擦傷硬度は、１５００g/
cm2 以上の荷重を加えても擦傷痕が発生せず、従来の単
元素の酸化物の膜よりも約３倍の硬度を持つことが分か
る。また、この１例の膜の屈折率は、図１０に示したよ
うに、夫々の化学量論組成の酸化物が有する屈折率の間
を組成比率に比例してほぼ直線的に変化し、１ａｔ％程
度のＴｉ混入量では、屈折率の変化がわずかであり、例
えば、Ｔｉ−Ｓｉ1at%の酸化物では、屈折率の変化がＴ
ｉＯ2 の２．６からわずか−０．０１１５変化するだけ
で、膜設計上何等問題が生じることがない。さらに、組
成比を変化させることによって、任意の屈折率を有する
酸化物膜が得られ、また膜の発色の自在性があるので、
膜設計上大きな利点となる。
【００２０】以上の傾向は、前記の元素の組合わせ以外
の組合わせにおいても、全く同様の結果が見られた。
の組合わせにおいても、全く同様の結果が見られた。
【００２１】尚、本発明では、２元素のターゲット材を
酸素ガスにより酸化物の膜を成膜したが、ＳｉＯＮのよ
うに可視域で９４％以上の透過率をもつものであれば、
反応性ガスとしてＯ2 の一部をＮ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3 等
の窒化系ガスで置換し、酸化物と窒化物の混合物として
も、２元素酸化物と同様の効果を発揮させることができ
る。また、Ｏ2 の一部をＣＯ2 、ＣＯ、ＣＦ4 、ＣＨ4
等、カーボンを含んだガスで置換してもよい。
酸素ガスにより酸化物の膜を成膜したが、ＳｉＯＮのよ
うに可視域で９４％以上の透過率をもつものであれば、
反応性ガスとしてＯ2 の一部をＮ2 、Ｎ2 Ｏ、ＮＨ3 等
の窒化系ガスで置換し、酸化物と窒化物の混合物として
も、２元素酸化物と同様の効果を発揮させることができ
る。また、Ｏ2 の一部をＣＯ2 、ＣＯ、ＣＦ4 、ＣＨ4
等、カーボンを含んだガスで置換してもよい。
【００２２】また、図４の基板の仕込みと取出しを共通
のチャンバーとしたインターバック形式の成膜装置を、
仕込みチャンバーと取出しチャンバーを個別に備える３
室以上のチャンバー構成のインライン形式の装置として
もよい。さらに、ＰＥＴ、ＰＭＭＡ等の長尺巻物状の基
板に成膜を行うロールコーター形式のスパッタ装置、或
いは枚葉装置として用いられるマルチチャンバー形式の
スパッタ装置も適用可能である。
のチャンバーとしたインターバック形式の成膜装置を、
仕込みチャンバーと取出しチャンバーを個別に備える３
室以上のチャンバー構成のインライン形式の装置として
もよい。さらに、ＰＥＴ、ＰＭＭＡ等の長尺巻物状の基
板に成膜を行うロールコーター形式のスパッタ装置、或
いは枚葉装置として用いられるマルチチャンバー形式の
スパッタ装置も適用可能である。
【００２３】
【実施例】図４に示す装置に於いて、５００mm×８５０
mmのソーダガラスの基板を仕込み・取出しチャンバー内
のトレイに用意し、成膜チャンバー内を１０-5Torrに排
気したのち、ガス導入系からＡｒガスを１０００SCCMと
Ｏ2 ガスを２４０SCCM流し、ガス圧を１０-3Torr台に維
持しながら、該成膜チャンバー内の各マグネトロンカソ
ードに直流電源から通電した。各カソードは５インチ×
４０インチの寸法の各ターゲットが設けられており、タ
ーゲット１０ａ、１０ｃはＴｉ−Ａｌ1at%、ターゲット
１０ｂ、１０ｄはＳｉ−Ａｌ1at%で、ターゲット１０ａ
には電源から５Kwを投入し、１０ｂには２Kw、１０ｃに
は２０Kw、１０ｄには１０Kwを夫々投入し、トレイを５
００mm/minの速度で移動させて基板上に図５に示す４層
の反射防止多層膜をＤＣマグネトロンスパッタで成膜し
た。第１層の（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は１２０
Å、第２層の（Ｓｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は３６０
Å、第３層の（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は１１５
０Å、第４層の（Ｓｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は９１
０Åであった。
mmのソーダガラスの基板を仕込み・取出しチャンバー内
のトレイに用意し、成膜チャンバー内を１０-5Torrに排
気したのち、ガス導入系からＡｒガスを１０００SCCMと
Ｏ2 ガスを２４０SCCM流し、ガス圧を１０-3Torr台に維
持しながら、該成膜チャンバー内の各マグネトロンカソ
ードに直流電源から通電した。各カソードは５インチ×
４０インチの寸法の各ターゲットが設けられており、タ
ーゲット１０ａ、１０ｃはＴｉ−Ａｌ1at%、ターゲット
１０ｂ、１０ｄはＳｉ−Ａｌ1at%で、ターゲット１０ａ
には電源から５Kwを投入し、１０ｂには２Kw、１０ｃに
は２０Kw、１０ｄには１０Kwを夫々投入し、トレイを５
００mm/minの速度で移動させて基板上に図５に示す４層
の反射防止多層膜をＤＣマグネトロンスパッタで成膜し
た。第１層の（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は１２０
Å、第２層の（Ｓｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は３６０
Å、第３層の（Ｔｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は１１５
０Å、第４層の（Ｓｉ−Ａｌ1at%）ＯX 膜の膜厚は９１
０Åであった。
【００２４】この多層膜の擦傷硬度を、前記のように０
番のスチールウール１cm2 あたりに定荷重を加え、２cm
/secの引っかき速度で膜表面を５回ランビングしたの
ち、肉眼にて１cm幅当たりに１本以上の擦傷痕を生じる
ときの最低荷重で測定したところ、１５００g/cm2 であ
った。またその反射率と透過率は４５０nm〜５５０nmの
可視域で夫々０．１％以下と９４％以上で、良好な反射
防止特性が得られた。
番のスチールウール１cm2 あたりに定荷重を加え、２cm
/secの引っかき速度で膜表面を５回ランビングしたの
ち、肉眼にて１cm幅当たりに１本以上の擦傷痕を生じる
ときの最低荷重で測定したところ、１５００g/cm2 であ
った。またその反射率と透過率は４５０nm〜５５０nmの
可視域で夫々０．１％以下と９４％以上で、良好な反射
防止特性が得られた。
【００２５】
【発明の効果】以上のように、本発明によるときは、多
層薄膜の反射防止膜を構成する多層薄膜のうちの少なく
とも１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒ
のいずれかの元素の酸化物が２種以上混入している薄膜
としたので、緻密で擦傷硬度が高く透過率の良い射防止
多層薄膜が得られ、その混入比を変更することで膜の発
色性も自在に変更でき、不慮の引っ掻き傷が付きにくい
反射防止多層膜が得られる効果があり、また本発明の方
法と装置によれば、導電性のある合金ターゲットを用い
るため、反応性ＤＣスパッタリングが採用でき、高速で
低温成膜が可能となり、反射防止多層薄膜の生産性が向
上する等の効果がある。
層薄膜の反射防止膜を構成する多層薄膜のうちの少なく
とも１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒ
のいずれかの元素の酸化物が２種以上混入している薄膜
としたので、緻密で擦傷硬度が高く透過率の良い射防止
多層薄膜が得られ、その混入比を変更することで膜の発
色性も自在に変更でき、不慮の引っ掻き傷が付きにくい
反射防止多層膜が得られる効果があり、また本発明の方
法と装置によれば、導電性のある合金ターゲットを用い
るため、反応性ＤＣスパッタリングが採用でき、高速で
低温成膜が可能となり、反射防止多層薄膜の生産性が向
上する等の効果がある。
【図１】従来の反射防止多層薄膜の構成の模式図
【図２】従来の反射防止多層薄膜の成膜装置の概略的側
面図
面図
【図３】従来の反射防止多層薄膜の単層膜の擦傷硬度図
【図４】本発明の反射防止多層薄膜の成膜装置の実施例
の概略的側面図
の概略的側面図
【図５】本発明の反射防止多層薄膜の構成の模式図
【図６】図５に示した反射防止多層薄膜の反射率特性曲
線図
線図
【図７】図５に示した反射防止多層薄膜の透過率特性曲
線図
線図
【図８】本発明の反射防止多層薄膜の擦傷硬度図
【図９】混入比を変化させた本発明の反射防止多層薄膜
の擦傷硬度図
の擦傷硬度図
【図１０】混入比を変化させた本発明の反射防止多層薄
膜の屈折率の線図
膜の屈折率の線図
【符号の説明】 ３ 基板 ５ 成膜チャンバ
ー ６ 基板搬送手段 ７ 直流電源 ９ マグネトロンカソード １０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 合金ターゲッ
ト １１、１２ ガス導入系
ー ６ 基板搬送手段 ７ 直流電源 ９ マグネトロンカソード １０、１０ａ、１０ｂ、１０ｃ、１０ｄ 合金ターゲッ
ト １１、１２ ガス導入系
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 太田 賀文 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内 (72)発明者 松本 昌弘 千葉県山武郡山武町横田523 日本真空技 術株式会社千葉超材料研究所内
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に屈折率の異なった材料の薄膜が複
数層に積層した多層薄膜の反射防止膜に於いて、該多層
薄膜のうちの少なくとも１層の薄膜をＴｉ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素の酸化物が２種
以上混入している薄膜としたことを特徴とする反射防止
多層薄膜。 - 【請求項２】上記基板および多層薄膜は透明であり、上
記基板はガラス等のセラミックス基板、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリメチルメタアクリレート等の高分子
フィルム基板のいずれかであることを特徴とする請求項
１に記載の反射防止多層薄膜。 - 【請求項３】成膜チャンバー内に反応性ガスとスパッタ
リングガスを同時に導入しながら、Ｔｉ、Ｓｉ、Ａｌ、
Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素から成るターゲット
をＤＣマグネトロンスパッタ法によりスパッタして、該
ターゲットの前方を移動する基板上に屈折率の異なった
材料の薄膜を順次に積層することにより多層薄膜の反射
防止膜を成膜する方法に於いて、該多層薄膜の少なくと
も１層の薄膜を、該ターゲットとしてＴｉ、Ｓｉ、Ａ
ｌ、Ｔａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以上混入
させた合金ターゲットを使用すると共に反応性ガスとし
て酸素を含むガスを使用してＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔａ、
Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素の酸化物が２種以上混入し
た薄膜に成膜することを特徴とする反射防止多層膜の成
膜方法。 - 【請求項４】上記基板および多層薄膜は透明であり、上
記基板はガラス等のセラミックス基板、ポリエチレンテ
レフタレート、ポリメチルメタアクリレート等の高分子
フィルム基板のいずれかであることを特徴とする請求項
３に記載の反射防止多層薄膜の成膜方法。 - 【請求項５】排気系を備えた成膜チャンバーと、該成膜
チャンバー内に配設された複数個のＤＣマグネトロンカ
ソードと、各カソードに設けられるターゲットと、基板
を各ターゲットの前方を通過させる基板搬送手段と、該
成膜チャンバー内へ反応性ガスとスパッタリングガスと
を導入するガス導入系とから成る成膜装置であって、該
ガス導入系から反応性ガスとスパッタリングガスを成膜
チャンバー内へ導入すると共に該基板上に各ターゲット
の材料の薄膜を多層に形成する装置に於いて、該ターゲ
ットのうちの少なくとも１つをＴｉ、Ｓｉ、Ａｌ、Ｔ
ａ、Ｍｇ、Ｚｒのいずれかの元素を２種以上混合した合
金ターゲットとしたことを特徴とする反射防止多層膜の
成膜装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17359995A JPH0925562A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17359995A JPH0925562A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0925562A true JPH0925562A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15963596
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17359995A Pending JPH0925562A (ja) | 1995-07-10 | 1995-07-10 | 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0925562A (ja) |
Cited By (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237630A (ja) * | 1996-04-12 | 1998-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化物膜、積層体およびそれらの製造方法 |
| US6833058B1 (en) | 2000-10-24 | 2004-12-21 | Honeywell International Inc. | Titanium-based and zirconium-based mixed materials and sputtering targets |
| JP2006337672A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Bridgestone Corp | 反射防止フィルム |
| GB2431931A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Fu Ching Technologies Co Ltd | Anti-reflection layer and manufacturing method and apparatus |
| CN104616726A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-05-13 | 青岛墨烯产业科技有限公司 | 一种无铟透明电极及其制备方法 |
| US20160369386A1 (en) * | 2013-06-26 | 2016-12-22 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Trubbach | Decorative hipims hard material layers |
| CN116559984A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-08-08 | 佛山纳诺特科技有限公司 | 无机耐磨同质折射率变化减反射薄膜及其制备方法和应用 |
| CN116732481A (zh) * | 2023-04-28 | 2023-09-12 | 河南镀邦光电股份有限公司 | 一种添加硬质Ta-C膜层的NCVM颜色装饰膜及其镀制方法 |
-
1995
- 1995-07-10 JP JP17359995A patent/JPH0925562A/ja active Pending
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH10237630A (ja) * | 1996-04-12 | 1998-09-08 | Asahi Glass Co Ltd | 酸化物膜、積層体およびそれらの製造方法 |
| US6833058B1 (en) | 2000-10-24 | 2004-12-21 | Honeywell International Inc. | Titanium-based and zirconium-based mixed materials and sputtering targets |
| JP2006337672A (ja) * | 2005-06-01 | 2006-12-14 | Bridgestone Corp | 反射防止フィルム |
| GB2431931A (en) * | 2005-11-04 | 2007-05-09 | Fu Ching Technologies Co Ltd | Anti-reflection layer and manufacturing method and apparatus |
| US20160369386A1 (en) * | 2013-06-26 | 2016-12-22 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Trubbach | Decorative hipims hard material layers |
| US11060181B2 (en) * | 2013-06-26 | 2021-07-13 | Oerlikon Surface Solutions Ag, Pfaffikon | Decorative HIPIMS hard material layers |
| CN104616726A (zh) * | 2014-12-17 | 2015-05-13 | 青岛墨烯产业科技有限公司 | 一种无铟透明电极及其制备方法 |
| CN116732481A (zh) * | 2023-04-28 | 2023-09-12 | 河南镀邦光电股份有限公司 | 一种添加硬质Ta-C膜层的NCVM颜色装饰膜及其镀制方法 |
| CN116559984A (zh) * | 2023-05-06 | 2023-08-08 | 佛山纳诺特科技有限公司 | 无机耐磨同质折射率变化减反射薄膜及其制备方法和应用 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP3314841B2 (ja) | 耐久性のあるスパッターされた金属酸化物コーティング | |
| EP0505547B1 (en) | D.c. reactively sputtered antireflection coatings | |
| JP3808917B2 (ja) | 薄膜の製造方法及び薄膜 | |
| EP1269223A4 (en) | ANTISTATIC AND ANTI-REFLECTIVE COATING | |
| WO1991002102A1 (fr) | Film base sur du dioxide de silicium et sa production | |
| CN102159971A (zh) | 防反射膜的成膜方法、防反射膜和成膜装置 | |
| JP2001295032A (ja) | 光学複合薄膜の形成方法およびそれを用いた光学物品 | |
| JPH0925562A (ja) | 反射防止多層薄膜およびその成膜方法並びにその成膜装置 | |
| CN101493534B (zh) | 一种显示器减反射屏及其制备方法 | |
| JP3739478B2 (ja) | 反射防止多層膜とその成膜方法並びにその成膜装置 | |
| JP2004291464A (ja) | ガスバリア性反射防止フィルム及びその製造方法 | |
| JP2006317603A (ja) | 表面鏡 | |
| JP2007310335A (ja) | 表面鏡 | |
| JPH07248415A (ja) | 光学薄膜の製造方法 | |
| JP5123785B2 (ja) | 反射防止膜の成膜方法及び反射防止膜 | |
| JPH0244046A (ja) | 青色乃至緑色の反射色を呈する透明板およびその製造方法 | |
| JP2576637B2 (ja) | 熱線反射ガラス | |
| JP2004126548A (ja) | 光学物品 | |
| JP4701528B2 (ja) | 反射防止フィルム | |
| JP2004184703A (ja) | 反射鏡 | |
| JP2003202405A (ja) | 反射防止膜を有する光学素子およびその製造方法 | |
| JP3028576B2 (ja) | 熱線遮蔽ガラス | |
| JP3121851B2 (ja) | 薄膜とその製造方法 | |
| JP2817287B2 (ja) | 透明物品 | |
| JPH03173638A (ja) | 反射防止膜及びその製造方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20040727 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Effective date: 20040817 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20041015 |
|
| A02 | Decision of refusal |
Effective date: 20050405 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 |