JPH09256139A - 酸化亜鉛膜の製造方法 - Google Patents
酸化亜鉛膜の製造方法Info
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- JPH09256139A JPH09256139A JP6574396A JP6574396A JPH09256139A JP H09256139 A JPH09256139 A JP H09256139A JP 6574396 A JP6574396 A JP 6574396A JP 6574396 A JP6574396 A JP 6574396A JP H09256139 A JPH09256139 A JP H09256139A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】ＳＡＷ（表面弾性波）フィルタ等のＳＡＷデバ
イスに用いられる、結晶性の良いＺｎＯ（酸化亜鉛）膜
を短時間に成膜する。 【解決手段】成膜を二段階に分け、第一段階では薄いが
結晶性の良いバッファ層を成膜し、第二段階では、成膜
速度を上げて成長層を成膜する。第一段階としては、
０．４μｍ／ｈ以下と遅い成膜速度か、あるいは１５０
℃〜３００℃の高温で、Ｘ線回折線のロッキング曲線の
半値幅が９度以下になるようにし、０．０５〜０．１μ
ｍのバッファ層を成膜する方法が有効である。
イスに用いられる、結晶性の良いＺｎＯ（酸化亜鉛）膜
を短時間に成膜する。 【解決手段】成膜を二段階に分け、第一段階では薄いが
結晶性の良いバッファ層を成膜し、第二段階では、成膜
速度を上げて成長層を成膜する。第一段階としては、
０．４μｍ／ｈ以下と遅い成膜速度か、あるいは１５０
℃〜３００℃の高温で、Ｘ線回折線のロッキング曲線の
半値幅が９度以下になるようにし、０．０５〜０．１μ
ｍのバッファ層を成膜する方法が有効である。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は酸化亜鉛膜（以下Ｚ
ｎＯ膜と記す）の製造方法に関し、特に表面弾性波（以
下ＳＡＷと記す）を用いるＳＡＷデバイス用薄膜の製造
方法に適用される。
ｎＯ膜と記す）の製造方法に関し、特に表面弾性波（以
下ＳＡＷと記す）を用いるＳＡＷデバイス用薄膜の製造
方法に適用される。
【０００２】
【従来の技術】圧電性を示す結晶は数多く存在するが、
薄膜状態で圧電性を示す物質はそれほど多くない。薄膜
状態で圧電性を示す物質としては、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、窒化アルミニウムが挙げられる。これらの結晶は
六方晶系ウルツ鉱型結晶構造を有するため、良好な圧電
性を持たせるためには膜中の微結晶のｃ軸を基板に垂直
に配向させる必要がある。ＺｎＯはガラス基板やシリコ
ン基板上に容易にｃ軸配向膜ができるため、ＳＡＷフィ
ルタや、ＳＡＷコンボルバなどのＳＡＷデバイス用の薄
膜として工業的に使用されている。
薄膜状態で圧電性を示す物質はそれほど多くない。薄膜
状態で圧電性を示す物質としては、酸化亜鉛（Ｚｎ
Ｏ）、窒化アルミニウムが挙げられる。これらの結晶は
六方晶系ウルツ鉱型結晶構造を有するため、良好な圧電
性を持たせるためには膜中の微結晶のｃ軸を基板に垂直
に配向させる必要がある。ＺｎＯはガラス基板やシリコ
ン基板上に容易にｃ軸配向膜ができるため、ＳＡＷフィ
ルタや、ＳＡＷコンボルバなどのＳＡＷデバイス用の薄
膜として工業的に使用されている。
【０００３】薄膜を製造するための成膜方法としては、
高周波マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法等種
々のスパッタ法がある。そのターゲットとしては金属亜
鉛（Ｚｎ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のどちらかが使用され
ることが多い。
高周波マグネトロンスパッタ法、ＥＣＲスパッタ法等種
々のスパッタ法がある。そのターゲットとしては金属亜
鉛（Ｚｎ）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）のどちらかが使用され
ることが多い。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】ＳＡＷの伝搬はＺｎＯ
膜のｃ軸配向性に依存する。ｃ軸配向性の評価方法とし
ては、（００２）面によるＸ線のロッキング曲線の半値
幅があげられ、この値が７度以下の薄膜であれば、単結
晶と同等なＳＡＷの伝搬を示すとされている。一方、Ｚ
ｎＯ膜は、ＳＡＷデバイスの応用のためにはμｍオーダ
ーの膜厚が必要になるため、工業的には成膜速度を速く
することが望ましい。
膜のｃ軸配向性に依存する。ｃ軸配向性の評価方法とし
ては、（００２）面によるＸ線のロッキング曲線の半値
幅があげられ、この値が７度以下の薄膜であれば、単結
晶と同等なＳＡＷの伝搬を示すとされている。一方、Ｚ
ｎＯ膜は、ＳＡＷデバイスの応用のためにはμｍオーダ
ーの膜厚が必要になるため、工業的には成膜速度を速く
することが望ましい。
【０００５】図４は成膜速度と、ロッキング曲線の半値
幅との関係を示す図である。例えば、高周波マグネトロ
ンスパッタ装置において、他の条件は一定とし、成膜速
度だけを０．４２μｍ／ｈから０．５７μｍ／ｈに上昇
させると、ＺｎＯ膜の（００２）面のＸ線の回折線のロ
ッキング曲線の半値幅が、７．１度から１１．５度にな
り、薄膜の結晶性が悪くなった。このように、ＺｎＯの
成膜において、成膜速度を上げると、Ｘ線回折線のロッ
キング曲線の半値幅は大きくなってしまう。すなわち薄
膜の結晶性が劣化する。回折Ｘ線の半値幅を７度以下に
するためには、成膜速度は０．４μｍ／ｈ以下にしなけ
ればならない。更に良質の薄膜にするには、もっと遅い
成膜速度で成膜しなければならず、長時間を要すること
になり、極めて非能率的である。
幅との関係を示す図である。例えば、高周波マグネトロ
ンスパッタ装置において、他の条件は一定とし、成膜速
度だけを０．４２μｍ／ｈから０．５７μｍ／ｈに上昇
させると、ＺｎＯ膜の（００２）面のＸ線の回折線のロ
ッキング曲線の半値幅が、７．１度から１１．５度にな
り、薄膜の結晶性が悪くなった。このように、ＺｎＯの
成膜において、成膜速度を上げると、Ｘ線回折線のロッ
キング曲線の半値幅は大きくなってしまう。すなわち薄
膜の結晶性が劣化する。回折Ｘ線の半値幅を７度以下に
するためには、成膜速度は０．４μｍ／ｈ以下にしなけ
ればならない。更に良質の薄膜にするには、もっと遅い
成膜速度で成膜しなければならず、長時間を要すること
になり、極めて非能率的である。
【０００６】図５にはＺｎＯ膜の成膜時の最適基板温度
と、成膜速度との関係を示してある。この図より、基板
温度が高いほど、成膜速度を増大させることができるこ
とがわかる、しかし、１μｍ／ｈに近い成膜速度を得る
には基板温度を４００℃以上にしなければならない。こ
れは基板の取扱いにかなりの困難を伴う温度であり、特
に普通硬質ガラスでは、その最高使用温度（３８０℃）
を越えてしまう。
と、成膜速度との関係を示してある。この図より、基板
温度が高いほど、成膜速度を増大させることができるこ
とがわかる、しかし、１μｍ／ｈに近い成膜速度を得る
には基板温度を４００℃以上にしなければならない。こ
れは基板の取扱いにかなりの困難を伴う温度であり、特
に普通硬質ガラスでは、その最高使用温度（３８０℃）
を越えてしまう。
【０００７】薄膜の結晶性は成膜速度や基板温度の他
に、膜を堆積させる基板に強く依存することも一般に良
く知られている。ＺｎＯ膜作製の際には、ガラス基板や
シリコン基板の代わりにサファイヤ基板上にＺｎＯ膜を
堆積させると、他の基板より結晶性の良い膜が得られ、
条件によっては、エピタキシャル成長をさせることもで
きる。このようなサファイヤ基板の影響は、サファイヤ
の格子定数とＺｎＯの格子定数が近いことに起因してい
る。しかし、サファイヤは高価であるため、基板として
は極めて特殊な目的にしか使用できない。
に、膜を堆積させる基板に強く依存することも一般に良
く知られている。ＺｎＯ膜作製の際には、ガラス基板や
シリコン基板の代わりにサファイヤ基板上にＺｎＯ膜を
堆積させると、他の基板より結晶性の良い膜が得られ、
条件によっては、エピタキシャル成長をさせることもで
きる。このようなサファイヤ基板の影響は、サファイヤ
の格子定数とＺｎＯの格子定数が近いことに起因してい
る。しかし、サファイヤは高価であるため、基板として
は極めて特殊な目的にしか使用できない。
【０００８】以上の問題に鑑みて、本発明の目的は、ガ
ラスきばんを使用できる程度の低温で成膜速度を上げ
て、かつ、ＳＡＷの伝搬において問題の無い良好な結晶
性を有するＺｎＯ膜の製造方法を提供することにある。
ラスきばんを使用できる程度の低温で成膜速度を上げ
て、かつ、ＳＡＷの伝搬において問題の無い良好な結晶
性を有するＺｎＯ膜の製造方法を提供することにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記課題解決のため本発
明は、基板上に薄い結晶性の良いバッファ層を堆積した
後、その上に成膜速度の速い条件でバッファ層より厚い
成長層を堆積するものとする。特に、Ｘ線回折ピークの
ロッキング曲線の半値幅が９度以下のバッファ層を０．
０５〜０．１μｍ成膜した上に、１μｍ／ｈ以上の速度
で成長層を堆積するものとする。
明は、基板上に薄い結晶性の良いバッファ層を堆積した
後、その上に成膜速度の速い条件でバッファ層より厚い
成長層を堆積するものとする。特に、Ｘ線回折ピークの
ロッキング曲線の半値幅が９度以下のバッファ層を０．
０５〜０．１μｍ成膜した上に、１μｍ／ｈ以上の速度
で成長層を堆積するものとする。
【００１０】そのようにすれば、結晶の始まる核が少な
く、バッファ層の良い結晶性を引き継いだ成長層が成長
し、成長層のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値幅
は７度以下となる。その程度の厚さのバッファ層であれ
ば、成膜時間が短時間で済む。そして、０．４μｍ／ｈ
以下の成膜速度でバッファ層を堆積するか、または１５
０〜３００℃の基板温度でバッファ層を堆積することが
よい。
く、バッファ層の良い結晶性を引き継いだ成長層が成長
し、成長層のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値幅
は７度以下となる。その程度の厚さのバッファ層であれ
ば、成膜時間が短時間で済む。そして、０．４μｍ／ｈ
以下の成膜速度でバッファ層を堆積するか、または１５
０〜３００℃の基板温度でバッファ層を堆積することが
よい。
【００１１】そのようにすれば、バッファ層のＸ線回折
ピークのロッキング曲線の半値幅が９度以下となり、そ
の上の成長層のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値
幅は７度以下となる。
ピークのロッキング曲線の半値幅が９度以下となり、そ
の上の成長層のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値
幅は７度以下となる。
【００１２】
【発明の実施の形態】以下図面を参照しながら本発明の
実施の形態を説明する。図３は、本発明のための実験で
用いたＥＣＲスパッタ装置の模式断面図である。真空ポ
ンプ２で減圧にされる反応室１内のステージ３上にシリ
コン基板４を置く。反応室１には上方のマイクロ波電源
６から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が伝えられ、そのマ
イクロ波と反応室１上部周囲のソレノイドコイル７の磁
界で電子がサイクロトロン共鳴を起こし、激しく運動し
て反応室１中のガスをプラズマ１０化するものである。
他のグロー放電等によるプラスマより高い真空度でもプ
ラズマが生じ、膜質が良い。この場合、ＥＣＲプラズマ
により発生したアルゴンイオンがＺｎターゲット５をス
パッタすることによりシリコン基板１にＺｎＯ膜を堆積
し成膜する。このとき酸素の供給はガス導入口９からの
アルゴン中に酸素を混入しておこなっている。成膜され
るＺｎＯの成膜速度や膜質は、反応室の圧力、ガス組
成、マイクロ波電力、バイアス電源８からの電力、基板
温度、ターゲット−シリコン基板間距離等によって制御
できる。例えば、圧力を低く、アルゴンを多く、バイア
ス電力を大きく、ターゲット−シリコン基板間距離を短
くすると成膜速度は増大する。
実施の形態を説明する。図３は、本発明のための実験で
用いたＥＣＲスパッタ装置の模式断面図である。真空ポ
ンプ２で減圧にされる反応室１内のステージ３上にシリ
コン基板４を置く。反応室１には上方のマイクロ波電源
６から２．４５ＧＨｚのマイクロ波が伝えられ、そのマ
イクロ波と反応室１上部周囲のソレノイドコイル７の磁
界で電子がサイクロトロン共鳴を起こし、激しく運動し
て反応室１中のガスをプラズマ１０化するものである。
他のグロー放電等によるプラスマより高い真空度でもプ
ラズマが生じ、膜質が良い。この場合、ＥＣＲプラズマ
により発生したアルゴンイオンがＺｎターゲット５をス
パッタすることによりシリコン基板１にＺｎＯ膜を堆積
し成膜する。このとき酸素の供給はガス導入口９からの
アルゴン中に酸素を混入しておこなっている。成膜され
るＺｎＯの成膜速度や膜質は、反応室の圧力、ガス組
成、マイクロ波電力、バイアス電源８からの電力、基板
温度、ターゲット−シリコン基板間距離等によって制御
できる。例えば、圧力を低く、アルゴンを多く、バイア
ス電力を大きく、ターゲット−シリコン基板間距離を短
くすると成膜速度は増大する。
【００１３】［実験１］先ず、基板温度１００℃とし
て、ＺｎＯ膜の成膜速度を０．０８μｍ／ｈで０．０７
μｍのバッファ層（以下第一段階で作製した膜をバッフ
ァ層と呼ぶ）を成膜すると、そのＺｎＯ膜の（００２）
面のＸ線回折ピークのロッキング曲線は、半値幅が１度
より小さい、すなわち結晶性の良好な膜が作製できた。
次に、この膜の上に、成膜速度１μｍ／ｈで厚さ５μｍ
の成長層を成膜すると、（００２）面のＸ線回折ピーク
のロッキング曲線の半値幅が１度より小さい、結晶性の
良好な膜が作製できた。同様にして、各種結晶性のバッ
ファ層を形成した後、その上に成膜速度１μｍ／ｈで厚
さ５μｍの成長層を成膜し、Ｘ線で膜の結晶性を調べ
た。なお、バッファ層が無く、成膜速度が１μｍ／ｈの
成長層だけ成膜した場合、ロッキング曲線の半値幅は１
３度になる。
て、ＺｎＯ膜の成膜速度を０．０８μｍ／ｈで０．０７
μｍのバッファ層（以下第一段階で作製した膜をバッフ
ァ層と呼ぶ）を成膜すると、そのＺｎＯ膜の（００２）
面のＸ線回折ピークのロッキング曲線は、半値幅が１度
より小さい、すなわち結晶性の良好な膜が作製できた。
次に、この膜の上に、成膜速度１μｍ／ｈで厚さ５μｍ
の成長層を成膜すると、（００２）面のＸ線回折ピーク
のロッキング曲線の半値幅が１度より小さい、結晶性の
良好な膜が作製できた。同様にして、各種結晶性のバッ
ファ層を形成した後、その上に成膜速度１μｍ／ｈで厚
さ５μｍの成長層を成膜し、Ｘ線で膜の結晶性を調べ
た。なお、バッファ層が無く、成膜速度が１μｍ／ｈの
成長層だけ成膜した場合、ロッキング曲線の半値幅は１
３度になる。
【００１４】図１には、成長層の膜質に対するバッファ
層の影響を示した。横軸はバッファ層（０．０７μｍ）
のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値幅で、縦軸は
その上に堆積した成長層（５μｍ）全体の半値幅の値で
ある。これより、結晶性のある程度良いバッファ層を成
膜した後、成長層を成膜すれば、成膜速度の大きい条件
で成膜しても実用的な膜が得られることがわかる。ま
た、バッファ層の結晶性が良い程、成長層の結晶性も良
くなることや、成長層の結晶性が実用的な限界であると
いわれるロッキング曲線の半値幅が７度以下であるため
には、バッファ層のロッキング曲線の半値幅は９度以下
でなければならない。この図と、図４とからバッファ層
の成膜速度としては、０．４μｍ／ｈ以下であればよい
ことがわかる。
層の影響を示した。横軸はバッファ層（０．０７μｍ）
のＸ線回折ピークのロッキング曲線の半値幅で、縦軸は
その上に堆積した成長層（５μｍ）全体の半値幅の値で
ある。これより、結晶性のある程度良いバッファ層を成
膜した後、成長層を成膜すれば、成膜速度の大きい条件
で成膜しても実用的な膜が得られることがわかる。ま
た、バッファ層の結晶性が良い程、成長層の結晶性も良
くなることや、成長層の結晶性が実用的な限界であると
いわれるロッキング曲線の半値幅が７度以下であるため
には、バッファ層のロッキング曲線の半値幅は９度以下
でなければならない。この図と、図４とからバッファ層
の成膜速度としては、０．４μｍ／ｈ以下であればよい
ことがわかる。
【００１５】なお、バッファ層の厚さとしては０．０５
〜０．１μｍの範囲が良いことが実験的に認められてい
た。０．０５μｍより薄くした場合、０．１μｍより厚
い場合のどちらでも成長層の結晶性は悪くなった。この
範囲のバッファ層であれば、成長層の結晶核として適当
な数になるものと考えられる。本発明の方法で作製した
膜の断面の電子顕微鏡観察では、表面から基板界面まで
粒径の揃った成長をしているのが観察された。
〜０．１μｍの範囲が良いことが実験的に認められてい
た。０．０５μｍより薄くした場合、０．１μｍより厚
い場合のどちらでも成長層の結晶性は悪くなった。この
範囲のバッファ層であれば、成長層の結晶核として適当
な数になるものと考えられる。本発明の方法で作製した
膜の断面の電子顕微鏡観察では、表面から基板界面まで
粒径の揃った成長をしているのが観察された。
【００１６】同様な効果はＥＣＲスパッタの他、ＲＦス
パッタなど他のスパッタ装置でも確認できた。 ［実験２］バツファ層の成膜速度を実験１の１０倍の
０．８μｍ／ｈと一定の条件で、温度を１００〜３００
℃に変化させて堆積した。
パッタなど他のスパッタ装置でも確認できた。 ［実験２］バツファ層の成膜速度を実験１の１０倍の
０．８μｍ／ｈと一定の条件で、温度を１００〜３００
℃に変化させて堆積した。
【００１７】図２には、成膜温度とバッファ層のロッキ
ング曲線の半値幅の関係を示してある。横軸はバッファ
層の成膜温度、縦軸はロッキング曲線の半値幅である。
この図から、バッファ層の成膜温度が高い程、結晶性が
向上することがわかる。基板温度は膜に堆積した原子の
運動エネルギーを高め、最適なサイトに原子を入れる働
きをしていると考えられる。
ング曲線の半値幅の関係を示してある。横軸はバッファ
層の成膜温度、縦軸はロッキング曲線の半値幅である。
この図から、バッファ層の成膜温度が高い程、結晶性が
向上することがわかる。基板温度は膜に堆積した原子の
運動エネルギーを高め、最適なサイトに原子を入れる働
きをしていると考えられる。
【００１８】その上に実験１と同様な高速成膜で成長層
を堆積したところ、実験１と同様に、バッファ層の結晶
性が良い程、成長層の結晶性も良くなることが確かめら
れた。上に積層する成長層の結晶性が実用的であるため
のバッファ層のロッキング曲線の半値幅が９度以下であ
るためには、成膜温度は１５０℃以上でなければならな
いことがわかった。
を堆積したところ、実験１と同様に、バッファ層の結晶
性が良い程、成長層の結晶性も良くなることが確かめら
れた。上に積層する成長層の結晶性が実用的であるため
のバッファ層のロッキング曲線の半値幅が９度以下であ
るためには、成膜温度は１５０℃以上でなければならな
いことがわかった。
【００１９】更にガラス基板を使用した実験を行ったと
ころ、同様の結果が得られた。
ころ、同様の結果が得られた。
【００２０】
【発明の効果】以上説明したように本発明は、ＺｎＯ薄
膜の成膜方法として、ガラス基板やシリコン基板上に高
い成膜速度で、結晶性の高い薄膜を得る方法を示したも
のである。すなわち、成膜を二段階に分け、第一段階で
は、厚さが薄いが結晶性の良好なバッファ層を堆積し、
第二段階では、高い成膜速度でバッファ層より厚い膜を
成長させる方法である。
膜の成膜方法として、ガラス基板やシリコン基板上に高
い成膜速度で、結晶性の高い薄膜を得る方法を示したも
のである。すなわち、成膜を二段階に分け、第一段階で
は、厚さが薄いが結晶性の良好なバッファ層を堆積し、
第二段階では、高い成膜速度でバッファ層より厚い膜を
成長させる方法である。
【００２１】第一段階としては、成膜速度を遅くするか
あるいは温度を高めて、少数の良質な核を発生させる方
法がある。本発明の方法により、全体としての成膜速度
は上昇し、高い結晶性を有するＺｎＯ薄膜が短時間で得
られる。従って、本発明は、ＺｎＯ薄膜を用いたＳＡＷ
デバイス等の低コスト化、普及、発展に寄与するもので
ある。
あるいは温度を高めて、少数の良質な核を発生させる方
法がある。本発明の方法により、全体としての成膜速度
は上昇し、高い結晶性を有するＺｎＯ薄膜が短時間で得
られる。従って、本発明は、ＺｎＯ薄膜を用いたＳＡＷ
デバイス等の低コスト化、普及、発展に寄与するもので
ある。
【図１】バッファ層のＸ線回折ピークのロッキング曲線
の半値幅と膜全体のそれとの関係を示す図
の半値幅と膜全体のそれとの関係を示す図
【図２】バッファ層のＸ線半値幅と成膜温度との関係を
示す図
示す図
【図３】ＥＣＲスパッタ装置の模式断面図
【図４】バッファ層の成膜速度とＸ線回折ピークのロッ
キング曲線の半値幅との関係を示す図
キング曲線の半値幅との関係を示す図
【図５】成膜温度と結晶性の良い膜の成膜速度との関係
を示す図
を示す図
１ 反応室 ２ 真空ポンプ ３ ステージ ４ シリコン基板 ５ Ｚｎターゲット ６ マイクロ波電源 ７ ソレノイドコイル ８ バイアス電源 ９ ガス導入口 １０ プラズマ
Claims (5)
- 【請求項１】基板上に薄い結晶性の良いバッファ層を堆
積した後、その上に成膜速度の速い条件でバッファ層よ
り厚い成長層を堆積することを特徴とする酸化亜鉛膜の
製造方法。 - 【請求項２】シリコン基板上にＸ線回折ピークのロッキ
ング曲線の半値幅が９度以下のバッファ層を０．０５〜
０．１μｍ成膜した上に、１μｍ／ｈ以上の速度で成長
層を堆積することを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛
膜の製造方法。 - 【請求項３】ガラス基板上にＸ線回折ピークのロッキン
グ曲線の半値幅が９度以下のバッファ層を０．０５〜
０．１μｍ成膜した上に、１μｍ／ｈ以上の速度で成長
層を堆積することを特徴とする請求項１記載の酸化亜鉛
膜の製造方法。 - 【請求項４】０．４μｍ／ｈ以下の成膜速度でバッファ
層を堆積することを特徴とする請求項１ないし３のいず
れかに記載の酸化亜鉛膜の製造方法。 - 【請求項５】１５０〜３００℃の基板温度でバッファ層
を堆積することを特徴とする請求項１ないし３のいずれ
かに記載の酸化亜鉛膜の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6574396A JPH09256139A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6574396A JPH09256139A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09256139A true JPH09256139A (ja) | 1997-09-30 |
Family
ID=13295812
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6574396A Pending JPH09256139A (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 酸化亜鉛膜の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09256139A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002114598A (ja) * | 2000-10-03 | 2002-04-16 | Toppan Printing Co Ltd | 透明導電性材料およびその製造方法 |
| JP2003060478A (ja) * | 2001-08-17 | 2003-02-28 | Murata Mfg Co Ltd | 圧電薄膜共振子、その製造方法、および、その圧電薄膜共振子を用いたフィルタならびに電子機器 |
| WO2011062050A1 (ja) * | 2009-11-17 | 2011-05-26 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 圧電体薄膜の製造方法、圧電体薄膜及び圧電体素子 |
| JP2013515851A (ja) * | 2009-12-23 | 2013-05-09 | フラウンホッファー−ゲゼルシャフト ズル フェルデルング デア アンゲヴァントテン フォルシュング エー．ヴェー． | アルミニウムドープされた酸化亜鉛で基板をコーティングする方法 |
| KR20180101754A (ko) * | 2017-03-06 | 2018-09-14 | 한양대학교 산학협력단 | 아연 및 인듐을 포함하는 산화물 반도체 박막 및 그 제조 방법 |
| CN111593332A (zh) * | 2020-06-24 | 2020-08-28 | 湖南中大检测技术集团有限公司 | 柔性玻璃上溅射沉积压电薄膜的方法 |
-
1996
- 1996-03-22 JP JP6574396A patent/JPH09256139A/ja active Pending
Cited By (8)
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