JPH09257143A - 圧電駆動型小形弁 - Google Patents
圧電駆動型小形弁Info
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- JPH09257143A JPH09257143A JP9185796A JP9185796A JPH09257143A JP H09257143 A JPH09257143 A JP H09257143A JP 9185796 A JP9185796 A JP 9185796A JP 9185796 A JP9185796 A JP 9185796A JP H09257143 A JPH09257143 A JP H09257143A
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 極微小流量を高精度に安定に制御する。
【解決手段】 流路孔２を有する圧電膜１と、支持梁
６に支持されて流路孔２に押し付けられる弁蓋５と、圧
電膜１の電極３、４とを有し、電極３、４間に電圧を印
加することにより圧電膜１の流路孔２を変形させ流路を
形成する。
６に支持されて流路孔２に押し付けられる弁蓋５と、圧
電膜１の電極３、４とを有し、電極３、４間に電圧を印
加することにより圧電膜１の流路孔２を変形させ流路を
形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、電圧印加により圧
電膜を変形して流路を変化させる圧電駆動型の小形弁に
係り、特に各種半導体デバイスの製造行程で用いられる
反応ガスの微小流量制御に好適な小形弁に関するもので
ある。
電膜を変形して流路を変化させる圧電駆動型の小形弁に
係り、特に各種半導体デバイスの製造行程で用いられる
反応ガスの微小流量制御に好適な小形弁に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】半導体デバイスの製造行程において、Ｃ
ＶＤ（化学的気相堆積）法は、各種薄膜の作成プロセス
として重要な役割を果しており、さらにその反応ガスの
流量制御に用いられる小形弁には、高い性能が要求され
る。従来の電磁力を用いた小形弁では、製作精度などの
問題から、流量が最小１００μｌ（マイクロリットル）
／ｍｉｎ（分）程度までしか制御できないなど、微小流
量を安定に制御させることが困難であった。
ＶＤ（化学的気相堆積）法は、各種薄膜の作成プロセス
として重要な役割を果しており、さらにその反応ガスの
流量制御に用いられる小形弁には、高い性能が要求され
る。従来の電磁力を用いた小形弁では、製作精度などの
問題から、流量が最小１００μｌ（マイクロリットル）
／ｍｉｎ（分）程度までしか制御できないなど、微小流
量を安定に制御させることが困難であった。
【０００３】そこで、本発明者らは、図６に示すような
電磁駆動型の小形弁Ｂを提案した。これは、弁機構のみ
を小形化し、電磁力による力を外付けのコイルにより付
与するようにしたものである。図６において、弁機構は
スプリングを兼ねた弁蓋５１と流路孔５２を設けた弁座
５３から成っている。スプリングはＮｉＦｅ合金軟鉄磁
性材料であり、形状は卍型である。弁機構取付用のステ
ンレスパイプ５４の外側のコイル５５で発生する磁場勾
配によって弁蓋５１が駆動され、図６において上下方向
に弁蓋５１が変位することにより弁座５３上での流路孔
５２が開閉し、流量制御が可能となる。この小形弁Ｂで
は、１０μｌ／ｍｉｎ以下の極微小流量を高い精度で制
御できる。５６は基板、５７はＯリングである。
電磁駆動型の小形弁Ｂを提案した。これは、弁機構のみ
を小形化し、電磁力による力を外付けのコイルにより付
与するようにしたものである。図６において、弁機構は
スプリングを兼ねた弁蓋５１と流路孔５２を設けた弁座
５３から成っている。スプリングはＮｉＦｅ合金軟鉄磁
性材料であり、形状は卍型である。弁機構取付用のステ
ンレスパイプ５４の外側のコイル５５で発生する磁場勾
配によって弁蓋５１が駆動され、図６において上下方向
に弁蓋５１が変位することにより弁座５３上での流路孔
５２が開閉し、流量制御が可能となる。この小形弁Ｂで
は、１０μｌ／ｍｉｎ以下の極微小流量を高い精度で制
御できる。５６は基板、５７はＯリングである。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、単独の
小形弁Ｂでは全体としては非常に小さな流量しか流すこ
とができず、複数個を並列に用いようとしても、駆動の
ためのコイル５５の小形化の限界により、全体としての
大きさを小さくできず、その結果、これらの小形弁Ｂを
集積して配置することが困難であった。
小形弁Ｂでは全体としては非常に小さな流量しか流すこ
とができず、複数個を並列に用いようとしても、駆動の
ためのコイル５５の小形化の限界により、全体としての
大きさを小さくできず、その結果、これらの小形弁Ｂを
集積して配置することが困難であった。
【０００５】本発明の目的は、上記した問題を解決し、
極微小流量を安定に制御可能で、かつ広範囲の流量を高
精度に制御できるようにした小形弁を提供せんとするも
のである。
極微小流量を安定に制御可能で、かつ広範囲の流量を高
精度に制御できるようにした小形弁を提供せんとするも
のである。
【０００６】
【課題を解決するための手段】第１の発明は、中央部に
流路孔が設けられ厚み方向に分極した圧電材料からなる
圧電膜と、支持梁により支持されて前記流路孔を塞ぐこ
とが可能な弁蓋と、前記圧電膜の上下両面に形成された
電極とを具備し、該電極間に電圧を印加することにより
前記圧電膜の流路孔を変形させて前記弁蓋と前記流路孔
との間の流路を変化させることを特徴とする圧電駆動型
小形弁として構成した。
流路孔が設けられ厚み方向に分極した圧電材料からなる
圧電膜と、支持梁により支持されて前記流路孔を塞ぐこ
とが可能な弁蓋と、前記圧電膜の上下両面に形成された
電極とを具備し、該電極間に電圧を印加することにより
前記圧電膜の流路孔を変形させて前記弁蓋と前記流路孔
との間の流路を変化させることを特徴とする圧電駆動型
小形弁として構成した。
【０００７】第２の発明は、第１の発明において、前記
流路孔の形状および／又は前記電極を、前記流路孔の中
心に対して方向性を持たせて形成したことを特徴とする
圧電駆動型小形弁として構成した。
流路孔の形状および／又は前記電極を、前記流路孔の中
心に対して方向性を持たせて形成したことを特徴とする
圧電駆動型小形弁として構成した。
【０００８】第３の発明は、第１又は第２の発明におい
て、基板上に多数を平面的に集積配置したことを特徴と
する圧電駆動型小形弁として構成した。
て、基板上に多数を平面的に集積配置したことを特徴と
する圧電駆動型小形弁として構成した。
【０００９】第４の発明は、第３の発明において、多数
をマトリクス状に配置するとともに、各々にスイッチン
グ素子を具備させたことを特徴とする圧電駆動型小形弁
として構成した。
をマトリクス状に配置するとともに、各々にスイッチン
グ素子を具備させたことを特徴とする圧電駆動型小形弁
として構成した。
【００１０】
［第１の実施の形態］図１は本発明の第１の実施の形態
の圧電駆動型小形弁Ａを示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。１は中央に流
路孔２が形成された弁座としての圧電膜であり、その上
下両面に電極３、４が設けられている。この圧電膜１
は、厚み方向に分極した圧電材料からなる。５はその圧
電膜１の上面に流路孔（貫通孔）２を覆うように形成さ
れた弁蓋であって、一体化した支持梁６により支持され
ている。７はシリコン基板である。８は支持梁４の残留
応力の働く方向を示す。なお、ここでは弁蓋５を４本の
支持梁６で支持しているが、１本あるいは又は２本でも
良い。
の圧電駆動型小形弁Ａを示す図で、（ａ）は平面図、
（ｂ）は（ａ）のｂ−ｂ線断面図である。１は中央に流
路孔２が形成された弁座としての圧電膜であり、その上
下両面に電極３、４が設けられている。この圧電膜１
は、厚み方向に分極した圧電材料からなる。５はその圧
電膜１の上面に流路孔（貫通孔）２を覆うように形成さ
れた弁蓋であって、一体化した支持梁６により支持され
ている。７はシリコン基板である。８は支持梁４の残留
応力の働く方向を示す。なお、ここでは弁蓋５を４本の
支持梁６で支持しているが、１本あるいは又は２本でも
良い。
【００１１】圧電膜１はＰＺＴ（ジルコンチタン酸鉛）
で形成されており、その厚さは数μｍである。一体化さ
れている弁蓋５と支持梁６は、化学的に安定なパーマロ
イ（ニッケル鉄合金）もしくはＳｉＮ（窒化シリコン）
からなり、厚さは２〜３μｍである。また、電極３、４
には金もしくは白金を用い、圧電膜１との接着性を高め
るために、圧電膜１と電極３、４との間に０．０１μｍ
ほどのチタンの膜を設けてある。電極３、４の厚さは金
の場合は０．５μｍ、白金の場合は０．２〜０．３μｍ
である。上部からみた小形弁Ａの全体の大きさは、数百
μｍ〜１、２ｍｍ四方である。
で形成されており、その厚さは数μｍである。一体化さ
れている弁蓋５と支持梁６は、化学的に安定なパーマロ
イ（ニッケル鉄合金）もしくはＳｉＮ（窒化シリコン）
からなり、厚さは２〜３μｍである。また、電極３、４
には金もしくは白金を用い、圧電膜１との接着性を高め
るために、圧電膜１と電極３、４との間に０．０１μｍ
ほどのチタンの膜を設けてある。電極３、４の厚さは金
の場合は０．５μｍ、白金の場合は０．２〜０．３μｍ
である。上部からみた小形弁Ａの全体の大きさは、数百
μｍ〜１、２ｍｍ四方である。
【００１２】次に図２に参照してこの小形弁Ａの動作を
説明する。通常の状態では、図２の（ａ）に示すよう
に、矢印８で示す支持梁６の残留応力によって弁蓋５は
流路孔２に押し付けられてその流路孔２を塞いでいる。
なお、支持梁６に孔は形成されていない［図１の（ａ）
参照］が、気体の流通路を判り易くするため便宜上この
ように表した。
説明する。通常の状態では、図２の（ａ）に示すよう
に、矢印８で示す支持梁６の残留応力によって弁蓋５は
流路孔２に押し付けられてその流路孔２を塞いでいる。
なお、支持梁６に孔は形成されていない［図１の（ａ）
参照］が、気体の流通路を判り易くするため便宜上この
ように表した。
【００１３】この状態で、電極３、４の間に電圧を印加
すると、圧電膜１が厚み方向に延びようとするので、そ
の分だけ他の部分が縮み、とくに面方向については周囲
が固定されているので、図２の（ｂ）に示すように、流
路孔２が矢印９の方向に広がる。この結果、生じた隙間
を矢印１０方向に気体が流れ得るようになる。この変形
の大きさは、圧電膜１の大きさを３００μｍ×３００μ
ｍ、流路孔２の半径を３０μｍ、圧電膜１に印加する電
界の大きさを１Ｖ／μｍ程度とした場合に、１０ｎｍの
オーダとなる。圧電膜１の厚さを１〜５μｍとすれば、
印加電圧は１〜５Ｖとなり、同じシリコン基板上に作成
した制御回路で充分制御することができる。また、小形
弁Ａの開閉の速度は、圧電膜１の伸縮動作速度により決
まるので相当高くすることができる。
すると、圧電膜１が厚み方向に延びようとするので、そ
の分だけ他の部分が縮み、とくに面方向については周囲
が固定されているので、図２の（ｂ）に示すように、流
路孔２が矢印９の方向に広がる。この結果、生じた隙間
を矢印１０方向に気体が流れ得るようになる。この変形
の大きさは、圧電膜１の大きさを３００μｍ×３００μ
ｍ、流路孔２の半径を３０μｍ、圧電膜１に印加する電
界の大きさを１Ｖ／μｍ程度とした場合に、１０ｎｍの
オーダとなる。圧電膜１の厚さを１〜５μｍとすれば、
印加電圧は１〜５Ｖとなり、同じシリコン基板上に作成
した制御回路で充分制御することができる。また、小形
弁Ａの開閉の速度は、圧電膜１の伸縮動作速度により決
まるので相当高くすることができる。
【００１４】図３は圧電膜１の流路孔２の形状、電極
３、４の配列例を示したものである。図３の（ａ）、
（ｃ）に示す場合は、電極３、４となる金属は圧電膜１
の全体に形成されているものとする（図示せず）。圧電
膜１への電圧の印加により流路孔２が元の形状と相似形
に変形する場合には、支持梁６の残留応力によって弁蓋
５がより深く押えつけられるだけとなるが、通常の場合
は流路孔２の変形は元の形状と相似形とはならないた
め、弁蓋５が押し付けられた状態のままでも部分的に流
路孔２と弁蓋５との間に隙間が生じ、気体がそこを流れ
る。
３、４の配列例を示したものである。図３の（ａ）、
（ｃ）に示す場合は、電極３、４となる金属は圧電膜１
の全体に形成されているものとする（図示せず）。圧電
膜１への電圧の印加により流路孔２が元の形状と相似形
に変形する場合には、支持梁６の残留応力によって弁蓋
５がより深く押えつけられるだけとなるが、通常の場合
は流路孔２の変形は元の形状と相似形とはならないた
め、弁蓋５が押し付けられた状態のままでも部分的に流
路孔２と弁蓋５との間に隙間が生じ、気体がそこを流れ
る。
【００１５】例えば、図３の（ａ）に示すように、正方
形の圧電膜１の中心に円形の流路孔２が形成されている
場合でも、対角線方向により大きく変形し、変形後の流
路孔２の形状は円形ではなくなる。さらに、図３の
（ｂ）に示すように、電極３、４を圧電膜１に部分的に
配置したり、図３の（ｃ）に示すように、流路孔２の形
状を楕円にするなど、流路孔の形状や電極を流路孔の中
心に対して方向性を持たせて形成することにより、流路
孔２の変形量に方向性が生じ、その結果、変形後の隙間
をより大きくすることができる。このような隙間の絶対
的な大きさは小さいため、弁を開放した場合でも、隙間
を流れる気体の量は微小である。すなわち、圧電膜の変
形による弁の開閉により微量の気体の流れを制御するこ
とが可能となる。
形の圧電膜１の中心に円形の流路孔２が形成されている
場合でも、対角線方向により大きく変形し、変形後の流
路孔２の形状は円形ではなくなる。さらに、図３の
（ｂ）に示すように、電極３、４を圧電膜１に部分的に
配置したり、図３の（ｃ）に示すように、流路孔２の形
状を楕円にするなど、流路孔の形状や電極を流路孔の中
心に対して方向性を持たせて形成することにより、流路
孔２の変形量に方向性が生じ、その結果、変形後の隙間
をより大きくすることができる。このような隙間の絶対
的な大きさは小さいため、弁を開放した場合でも、隙間
を流れる気体の量は微小である。すなわち、圧電膜の変
形による弁の開閉により微量の気体の流れを制御するこ
とが可能となる。
【００１６】［第２の実施の形態］図４は本発明の第２
の実施の形態を示す図である。図４の（ａ）は図１に示
した小形弁Ａを複数個一列にシリコン基板上に平面的に
集積化した場合、（ｂ）は小数の小形弁Ａをマトリクス
状にシリコン基板上に平面的に集積化した場合である。
１１は各小形弁Ａの開閉を制御するための制御回路であ
り、同じシリコン基板上に形成される。１２は同じシリ
コン基板上に形成される信号線である。
の実施の形態を示す図である。図４の（ａ）は図１に示
した小形弁Ａを複数個一列にシリコン基板上に平面的に
集積化した場合、（ｂ）は小数の小形弁Ａをマトリクス
状にシリコン基板上に平面的に集積化した場合である。
１１は各小形弁Ａの開閉を制御するための制御回路であ
り、同じシリコン基板上に形成される。１２は同じシリ
コン基板上に形成される信号線である。
【００１７】ここでは、圧電膜１の電極３、４の一方は
接地され、他方が信号線１２により制御回路１１と接続
されている。各小形弁Ａへの制御信号は、オン／オフの
２値信号であり、圧電膜１の駆動電圧として信号線１２
を通して伝えられ、弁の開放／閉鎖の状態を決定する。
接地され、他方が信号線１２により制御回路１１と接続
されている。各小形弁Ａへの制御信号は、オン／オフの
２値信号であり、圧電膜１の駆動電圧として信号線１２
を通して伝えられ、弁の開放／閉鎖の状態を決定する。
【００１８】ここでも、各小形弁Ａの単体で扱える流量
は微小なものである。したがって、各弁の制御が開放／
閉鎖のオン／オフのデジタル制御であっても、集積化し
た複数の弁全体においては、制御回路１１により開放状
態の弁の数を調節することにより、単体の弁の扱う流量
を最小単位として、全部を閉鎖した流量０から全部を開
放した最大流量までの範囲で、精密な流量制御を行なう
ことが可能となる。また、制御回路１１も、デジタル制
御であるので、これを簡単な構成にすることができる。
は微小なものである。したがって、各弁の制御が開放／
閉鎖のオン／オフのデジタル制御であっても、集積化し
た複数の弁全体においては、制御回路１１により開放状
態の弁の数を調節することにより、単体の弁の扱う流量
を最小単位として、全部を閉鎖した流量０から全部を開
放した最大流量までの範囲で、精密な流量制御を行なう
ことが可能となる。また、制御回路１１も、デジタル制
御であるので、これを簡単な構成にすることができる。
【００１９】［第３の実施の形態］図５は本発明の第３
の実施の形態を示す図である。ここでは、図４の（ｂ）
に示した場合に比べて、図５の（ａ）に示すように、多
数の小形弁Ａをマトリクス状に集積化した場合である。
１２ａ、１２ｂは信号線である。信号線１２ａは制御
線、信号線１２ｂは駆動線として働く。このように集積
化された小形弁Ａの数が多いとき、個々の小形弁Ａを直
接制御する方法では配線方法に問題が生じるので、図５
の（ｂ）に示すよう、各小形弁Ａにスイッチング素子１
３と圧電膜変形動作信号蓄積用の補助コンデンサ１４を
設け、信号線を減らすことにより問題を解決している。
スイッチング素子１３としてはＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を用いる。
の実施の形態を示す図である。ここでは、図４の（ｂ）
に示した場合に比べて、図５の（ａ）に示すように、多
数の小形弁Ａをマトリクス状に集積化した場合である。
１２ａ、１２ｂは信号線である。信号線１２ａは制御
線、信号線１２ｂは駆動線として働く。このように集積
化された小形弁Ａの数が多いとき、個々の小形弁Ａを直
接制御する方法では配線方法に問題が生じるので、図５
の（ｂ）に示すよう、各小形弁Ａにスイッチング素子１
３と圧電膜変形動作信号蓄積用の補助コンデンサ１４を
設け、信号線を減らすことにより問題を解決している。
スイッチング素子１３としてはＴＦＴ（薄膜トランジス
タ）を用いる。
【００２０】次に動作を説明する。信号線１２ａがアク
ティブの状態では、スイッチング素子１３はソース・ド
レイン間で導通状態となり、圧電膜１および補助コンデ
ンサ１４に信号線１２ｂと同じ電圧が加わる。したがっ
て、信号線１２ａによって小形弁Ａの開閉状態を制御す
ることができる。信号線１２ａを非アクティブにする
と、スイッチング素子１３のソース・ドレイン間を電荷
が移動することができなくなるが、補助コンデンサ１４
には信号線１２ｂの電荷が保持されたままとなり、圧電
膜１は所定時間駆動され続ける。
ティブの状態では、スイッチング素子１３はソース・ド
レイン間で導通状態となり、圧電膜１および補助コンデ
ンサ１４に信号線１２ｂと同じ電圧が加わる。したがっ
て、信号線１２ａによって小形弁Ａの開閉状態を制御す
ることができる。信号線１２ａを非アクティブにする
と、スイッチング素子１３のソース・ドレイン間を電荷
が移動することができなくなるが、補助コンデンサ１４
には信号線１２ｂの電荷が保持されたままとなり、圧電
膜１は所定時間駆動され続ける。
【００２１】信号線１２ａはディスプレイの走査線に相
当し、時分割でアクティブ状態を発生させれば時分割の
分だけ各列の小形弁Ａの動作タイミングがずれるもの
の、前記補助コンデンサ１４によりそのずれは補償され
る。また、縦横１本つづの信号線により各小形弁Ａの開
放／閉鎖の状態を決定することができるため、集積化し
た複数の小形弁Ａにおいて任意の数に開放状態の弁を調
節することができる。したがって、全部を閉鎖した流量
０のから全部を開放した最大流量の状態まで、精密な流
量制御を行なうことが可能となる。
当し、時分割でアクティブ状態を発生させれば時分割の
分だけ各列の小形弁Ａの動作タイミングがずれるもの
の、前記補助コンデンサ１４によりそのずれは補償され
る。また、縦横１本つづの信号線により各小形弁Ａの開
放／閉鎖の状態を決定することができるため、集積化し
た複数の小形弁Ａにおいて任意の数に開放状態の弁を調
節することができる。したがって、全部を閉鎖した流量
０のから全部を開放した最大流量の状態まで、精密な流
量制御を行なうことが可能となる。
【００２２】
【発明の効果】以上から第１の発明によれば単体として
気体を微量且つ一定量づつ安定供給する高精度で高速な
小形弁を実現できる。第２の発明によれば電圧印加によ
り流路孔の形状を元の形状と非相似に変形することがで
き、弁の開放時の隙間を大きくすることができる。第３
の発明によれば小形弁が集積化されるので気体を高精度
・広範囲に流量制御することが可能となる。第４の発明
によれば広範囲な制御範囲を実現するとき、それを制御
する信号線を少なくすることができる。
気体を微量且つ一定量づつ安定供給する高精度で高速な
小形弁を実現できる。第２の発明によれば電圧印加によ
り流路孔の形状を元の形状と非相似に変形することがで
き、弁の開放時の隙間を大きくすることができる。第３
の発明によれば小形弁が集積化されるので気体を高精度
・広範囲に流量制御することが可能となる。第４の発明
によれば広範囲な制御範囲を実現するとき、それを制御
する信号線を少なくすることができる。
【図１】 本発明の第１の実施の形態の圧電駆動型小形
弁を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線断面図である。
弁を示す図で、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のｂ−
ｂ線断面図である。
【図２】 （ａ）、（ｂ）は図１に示した小形弁の動作
説明図である。
説明図である。
【図３】 （ａ）は図１に示した小形弁の流路孔の形状
を示す図、（ｂ）は電極を一部に配置した例を示す図、
（ｃ）は流路孔の形状を楕円に変形した場合を示す図で
ある。
を示す図、（ｂ）は電極を一部に配置した例を示す図、
（ｃ）は流路孔の形状を楕円に変形した場合を示す図で
ある。
【図４】 本発明の第２の実施の形態の圧電駆動型小形
弁を示す図で、（ａ）は複数の小形弁を一列配置で集積
化して制御する場合を示す図、（ｂ）は小数のマトリク
ス状の配置で集積化して制御する場合を示す図である。
弁を示す図で、（ａ）は複数の小形弁を一列配置で集積
化して制御する場合を示す図、（ｂ）は小数のマトリク
ス状の配置で集積化して制御する場合を示す図である。
【図５】 本発明の第３の実施の形態の圧電駆動型小形
弁を示す図で、（ａ）は複数の小形弁をマトリクス状の
配置で集積化して制御する場合を、（ｂ）は各小形弁の
駆動回路を示す図である。
弁を示す図で、（ａ）は複数の小形弁をマトリクス状の
配置で集積化して制御する場合を、（ｂ）は各小形弁の
駆動回路を示す図である。
【図６】 従来の電磁駆動型小形弁の概略を示す断面図
である。
である。
１：圧電膜（弁座）、２：流路孔（貫通孔）、３、４：
電極、５：弁蓋、６：支持梁、７：シリコン基板、８：
支持梁６の残留応力の働く向き、９：流路孔の変形の方
向、１０：気体の流路、１１：制御回路、１２、１２
ａ、１２ｂ：信号線、１３：スイッチング素子（ＴＦ
Ｔ）、１４：圧電膜変形動作信号蓄積用の補助コンデン
サ。
電極、５：弁蓋、６：支持梁、７：シリコン基板、８：
支持梁６の残留応力の働く向き、９：流路孔の変形の方
向、１０：気体の流路、１１：制御回路、１２、１２
ａ、１２ｂ：信号線、１３：スイッチング素子（ＴＦ
Ｔ）、１４：圧電膜変形動作信号蓄積用の補助コンデン
サ。
Claims (4)
- 【請求項１】中央部に流路孔が設けられ厚み方向に分極
した圧電材料からなる圧電膜と、支持梁により支持され
て前記流路孔を塞ぐことが可能な弁蓋と、前記圧電膜の
上下両面に形成された電極とを具備し、該電極間に電圧
を印加することにより前記圧電膜の流路孔を変形させて
前記弁蓋と前記流路孔との間の流路を変化させることを
特徴とする圧電駆動型小形弁。 - 【請求項２】前記流路孔の形状および／又は前記電極
を、前記流路孔の中心に対して方向性を持たせて形成し
たことを特徴とする請求項１に記載の圧電駆動型小形
弁。 - 【請求項３】基板上に多数を平面的に集積配置したこと
を特徴とする請求項１又は２に記載の圧電駆動型小形
弁。 - 【請求項４】多数をマトリクス状に配置するとともに、
各々にスイッチング素子を具備させたことを特徴とする
請求項３に記載の圧電駆動型小形弁。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09185796A JP3388991B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 圧電駆動型小形弁 |
Applications Claiming Priority (1)
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| JP09185796A JP3388991B2 (ja) | 1996-03-22 | 1996-03-22 | 圧電駆動型小形弁 |
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| JPH09257143A true JPH09257143A (ja) | 1997-09-30 |
| JP3388991B2 JP3388991B2 (ja) | 2003-03-24 |
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ID=14038237
Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
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| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3388991B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7667370B2 (en) * | 2003-02-27 | 2010-02-23 | Nxp B.V. | Generating device for generating a useful stream of a medium, in particular for generating sound |
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-
1996
- 1996-03-22 JP JP09185796A patent/JP3388991B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7667370B2 (en) * | 2003-02-27 | 2010-02-23 | Nxp B.V. | Generating device for generating a useful stream of a medium, in particular for generating sound |
| JP2013090823A (ja) * | 2011-10-26 | 2013-05-16 | Metoran:Kk | 呼吸補助装置 |
| KR20220069271A (ko) * | 2020-11-20 | 2022-05-27 | 한국항공우주연구원 | 컴플라이언트 구조를 가지는 유량 조절 장치 |
| US11927974B2 (en) | 2020-11-20 | 2024-03-12 | Korea Aerospace Research Institute | Flow rate control device with compliant structure |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
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