JPH09257584A - 熱型赤外線検知装置 - Google Patents
熱型赤外線検知装置Info
- Publication number
- JPH09257584A JPH09257584A JP8071924A JP7192496A JPH09257584A JP H09257584 A JPH09257584 A JP H09257584A JP 8071924 A JP8071924 A JP 8071924A JP 7192496 A JP7192496 A JP 7192496A JP H09257584 A JPH09257584 A JP H09257584A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- cold junction
- thermopile
- control means
- temperature control
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 感度と応答速度の両立を図るとともにノイズ
の影響を受けにくい熱型赤外線検知装置を提供するこ
と。 【解決手段】 基板と、基板上のサーモパイルと、サー
モパイルの温接点近傍を該基板から熱的に分離する熱分
離領域と、サーモパイルの温接点近傍に設けられた入射
赤外線吸収領域と、サーモパイルの冷接点近傍に設けら
れた冷接点温度制御手段と、サーモパイルに発生した熱
起電力を基に冷接点温度制御手段が発生する熱量を制御
する制御手段とを有する。
の影響を受けにくい熱型赤外線検知装置を提供するこ
と。 【解決手段】 基板と、基板上のサーモパイルと、サー
モパイルの温接点近傍を該基板から熱的に分離する熱分
離領域と、サーモパイルの温接点近傍に設けられた入射
赤外線吸収領域と、サーモパイルの冷接点近傍に設けら
れた冷接点温度制御手段と、サーモパイルに発生した熱
起電力を基に冷接点温度制御手段が発生する熱量を制御
する制御手段とを有する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はサーモパイルを用い
た熱型赤外線検知装置に関する。
た熱型赤外線検知装置に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来のサーモパイルを用いた熱型赤外線
検知装置には特開昭５７−１１３３３２号公報に示すよ
うなものがある。
検知装置には特開昭５７−１１３３３２号公報に示すよ
うなものがある。
【０００３】従来の熱型赤外線検知装置の構造断面図を
図４に、平面図を図５に示す。
図４に、平面図を図５に示す。
【０００４】図４においてＴＯ−８などのパッケージ１
０１には赤外線透過窓１０２が設けられている。基板１
０３はＳｉやＧｅにより形成される。この基板１０３の
中央部には孔１０４が設けられ、また、基板１０３の裏
側にはフィルム１０８があり、この上に物質１０５，１
０６によるサーモパイル１０７が形成されている。さら
に、基板１０３の表側には黒化膜１０９がスパッタ等で
成膜されている。１１０はリード、１１１はハーメチッ
クシールである。
０１には赤外線透過窓１０２が設けられている。基板１
０３はＳｉやＧｅにより形成される。この基板１０３の
中央部には孔１０４が設けられ、また、基板１０３の裏
側にはフィルム１０８があり、この上に物質１０５，１
０６によるサーモパイル１０７が形成されている。さら
に、基板１０３の表側には黒化膜１０９がスパッタ等で
成膜されている。１１０はリード、１１１はハーメチッ
クシールである。
【０００５】図５において、中央部には温接点、外側に
は冷接点が形成されている。また、冷接点の一部分には
ダイオードなどからなる感温素子１１２が形成されてい
る。この溢温素子１１２によって周囲温度を計測しその
結果を用いて周囲温度の補正を行う。
は冷接点が形成されている。また、冷接点の一部分には
ダイオードなどからなる感温素子１１２が形成されてい
る。この溢温素子１１２によって周囲温度を計測しその
結果を用いて周囲温度の補正を行う。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】従来のサーモパイルを
用いた熱型赤外線検知装置において、遠距離にある熱源
の測定を行おうとすると出力信号が非常に微弱であるた
めに高倍率増幅を行う必要があったが、サーモパイル内
部抵抗が大きいために低ノイズで測定を行うことが困難
であった。
用いた熱型赤外線検知装置において、遠距離にある熱源
の測定を行おうとすると出力信号が非常に微弱であるた
めに高倍率増幅を行う必要があったが、サーモパイル内
部抵抗が大きいために低ノイズで測定を行うことが困難
であった。
【０００７】さらに、サーモパイルでは温接点から流れ
る熱流を利用しているために熱時定数によって応答速度
が決定されてしまう。従って、感度と応答速度を両立す
るものをつくることが困難であった。
る熱流を利用しているために熱時定数によって応答速度
が決定されてしまう。従って、感度と応答速度を両立す
るものをつくることが困難であった。
【０００８】従来例では、冷接点の温度を測定してその
結果を補正する方法を採っているが冷接点の温度を積極
的に制御する方法にはなっていなかった。
結果を補正する方法を採っているが冷接点の温度を積極
的に制御する方法にはなっていなかった。
【０００９】本発明は上述のような従来の課題を解消
し、感度と応答速度の両立を図るとともにノイズの影響
を受けにくい熱型赤外線検知装置を提供することを目的
とする。
し、感度と応答速度の両立を図るとともにノイズの影響
を受けにくい熱型赤外線検知装置を提供することを目的
とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明は上記課題を解決
するために、基板と、基板上のサーモパイルと、サーモ
パイルの温接点近傍を該基板から熱的に分離する熱分離
領域と、サーモパイルの温接点近傍に設けられた入射赤
外線吸収領域と、サーモパイルの冷接点近傍に設けられ
た冷接点温度制御手段と、サーモパイルに発生した熱起
電力を基に冷接点温度制御手段が発生する熱量を制御す
る制御手段とを有する。
するために、基板と、基板上のサーモパイルと、サーモ
パイルの温接点近傍を該基板から熱的に分離する熱分離
領域と、サーモパイルの温接点近傍に設けられた入射赤
外線吸収領域と、サーモパイルの冷接点近傍に設けられ
た冷接点温度制御手段と、サーモパイルに発生した熱起
電力を基に冷接点温度制御手段が発生する熱量を制御す
る制御手段とを有する。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて具体的に説明する。
に基づいて具体的に説明する。
【００１２】図３は本発明による熱型赤外線検知装置の
実施の形態の構成図である。図３においてｐ型半導体３
とｎ型半導体４はＡｌ薄膜で接続されサーモパイル２１
を形成している。このサーモパイルの温接点５近傍には
赤外線吸収領域７が形成されている。入射赤外線４１に
よって加熱された赤外線吸収領域７の熱は主に熱伝導
（熱流４２）によって温接点５へ流れていき温接点５の
温度を上昇させる。冷接点６は初期状態では周囲温度と
同じ温度に保たれているが、入射赤外線４１によって直
接温度が上昇せず専ら温接点５からの熱伝導によって上
昇する。従って温接点５と冷接点６の間には温度差が生
じるためにゼーベック効果によって熱起電力が生じる。
この際、熱抵抗と熱容量から計算される熱時定数によっ
て温接点５の温度が上昇し冷接点６にまで熱が伝わり熱
起電力が安定するまでには時間遅れが生じる。
実施の形態の構成図である。図３においてｐ型半導体３
とｎ型半導体４はＡｌ薄膜で接続されサーモパイル２１
を形成している。このサーモパイルの温接点５近傍には
赤外線吸収領域７が形成されている。入射赤外線４１に
よって加熱された赤外線吸収領域７の熱は主に熱伝導
（熱流４２）によって温接点５へ流れていき温接点５の
温度を上昇させる。冷接点６は初期状態では周囲温度と
同じ温度に保たれているが、入射赤外線４１によって直
接温度が上昇せず専ら温接点５からの熱伝導によって上
昇する。従って温接点５と冷接点６の間には温度差が生
じるためにゼーベック効果によって熱起電力が生じる。
この際、熱抵抗と熱容量から計算される熱時定数によっ
て温接点５の温度が上昇し冷接点６にまで熱が伝わり熱
起電力が安定するまでには時間遅れが生じる。
【００１３】しかし、本実施の形態では、熱起電力によ
って動作をコントロールされる冷接点温度制御手段２２
によって冷接点６の温度は温接点５のそれと等しくなる
ようにフィードバック制御される。具体的には、アンプ
３１によって増幅された熱起電力は制御Ｔｒ３２を通じ
てジュール熱源３４の電流両即ち発熱量を制御する。赤
外線が入射して温接点５の温度が上昇しはじめて熱起電
力が増大し始めるとジュール熱源３４には大量の電流値
が供給され冷接点５の温度を熱伝導（熱流４３）によっ
て上昇させる。この時、サーモパイルを流れる熱流は通
常のサーモパイルとは異なり温接点５及び冷接点６のい
づれから流れ出るので熱が伝わる長さが約半分となるの
で応答性が非常に向上する。
って動作をコントロールされる冷接点温度制御手段２２
によって冷接点６の温度は温接点５のそれと等しくなる
ようにフィードバック制御される。具体的には、アンプ
３１によって増幅された熱起電力は制御Ｔｒ３２を通じ
てジュール熱源３４の電流両即ち発熱量を制御する。赤
外線が入射して温接点５の温度が上昇しはじめて熱起電
力が増大し始めるとジュール熱源３４には大量の電流値
が供給され冷接点５の温度を熱伝導（熱流４３）によっ
て上昇させる。この時、サーモパイルを流れる熱流は通
常のサーモパイルとは異なり温接点５及び冷接点６のい
づれから流れ出るので熱が伝わる長さが約半分となるの
で応答性が非常に向上する。
【００１４】制御回路２３の電気的時定数は熱時定数よ
りも一桁時以上も小さいので制御回路が律速することは
ない。ある時間が経過し、冷接点６と温接点５の温度が
同じになったところで電気的、熱的平衡状態に達する。
このときのジュール熱源３４に供給している電流量Ｉを
電圧値に変化して出力端子３３から出力する。電流量Ｉ
は入射赤外線強度に依存するので電流量Ｉによって入射
赤外線強度が測定できることになる。この場合、制御回
路２３と冷接点６との熱結合、即ち熱抵抗や熱容量など
を変化させることで入射赤外線量に対する出力値を変え
ることができる。つまり、微小入射赤外線に対して出力
値を大きくできるので後段の信号処理、例えば電圧増幅
やＡ／Ｄ変換でＳ／Ｎ比を容易に確保できる。尚、加え
て熱時定数が電気的な時定数よりも大きいために信号を
帯域制限した効果もあり、信号の検出が容易になる。
りも一桁時以上も小さいので制御回路が律速することは
ない。ある時間が経過し、冷接点６と温接点５の温度が
同じになったところで電気的、熱的平衡状態に達する。
このときのジュール熱源３４に供給している電流量Ｉを
電圧値に変化して出力端子３３から出力する。電流量Ｉ
は入射赤外線強度に依存するので電流量Ｉによって入射
赤外線強度が測定できることになる。この場合、制御回
路２３と冷接点６との熱結合、即ち熱抵抗や熱容量など
を変化させることで入射赤外線量に対する出力値を変え
ることができる。つまり、微小入射赤外線に対して出力
値を大きくできるので後段の信号処理、例えば電圧増幅
やＡ／Ｄ変換でＳ／Ｎ比を容易に確保できる。尚、加え
て熱時定数が電気的な時定数よりも大きいために信号を
帯域制限した効果もあり、信号の検出が容易になる。
【００１５】（第一の実施の形態）図１は図３に示した
検知素子の第一の実施の形態を説明する平面図（ア）
と、平面図（ア）の線分Ａ−Ａ′で切断した断面図
（イ）である。
検知素子の第一の実施の形態を説明する平面図（ア）
と、平面図（ア）の線分Ａ−Ａ′で切断した断面図
（イ）である。
【００１６】まず、構成から説明する。図１においてＳ
ｉなどによる基板１の主平面上にサーモパイル２１を支
えるメンブレン２がＣＶＤ法などによって形成されてい
る。この上にポリシリコンとＡｌ薄膜によって構成され
たサーモパイル２１がある。ｐ型ポリシリコン３はｐ
型、ｎ型ポリシリコン４はｎ型にドープされている。図
中右側のポリシリコンとＡｌ薄膜の接続領域が温接点
５、図中左側が冷接点６となる。冷接点６近傍にはジュ
ール熱源３４を配置する。このジュール熱源３４にはポ
リシリコン抵抗などが用いられる。この上にはＰＳＧに
よる保護膜９及び温接点５近傍には赤外線吸収領域７を
形成する。また、メンブレン２には部分的にエッチング
孔１０があけられている。このエッチング孔１０を通し
てドライエッチングと異方性ウエットエッチングによっ
て熱分離領域１１を形成している。ただし、冷接点５下
部の基板１は完全には除去されずにヒートシンク８にな
っている。このエッチング方法は特開平２−３０３０４
８号公報に詳しく記述されている。
ｉなどによる基板１の主平面上にサーモパイル２１を支
えるメンブレン２がＣＶＤ法などによって形成されてい
る。この上にポリシリコンとＡｌ薄膜によって構成され
たサーモパイル２１がある。ｐ型ポリシリコン３はｐ
型、ｎ型ポリシリコン４はｎ型にドープされている。図
中右側のポリシリコンとＡｌ薄膜の接続領域が温接点
５、図中左側が冷接点６となる。冷接点６近傍にはジュ
ール熱源３４を配置する。このジュール熱源３４にはポ
リシリコン抵抗などが用いられる。この上にはＰＳＧに
よる保護膜９及び温接点５近傍には赤外線吸収領域７を
形成する。また、メンブレン２には部分的にエッチング
孔１０があけられている。このエッチング孔１０を通し
てドライエッチングと異方性ウエットエッチングによっ
て熱分離領域１１を形成している。ただし、冷接点５下
部の基板１は完全には除去されずにヒートシンク８にな
っている。このエッチング方法は特開平２−３０３０４
８号公報に詳しく記述されている。
【００１７】次に動作について説明する。入射赤外線は
赤外線吸収領域７によって吸収され、赤外線吸収領域７
の温度を上昇させる。この熱は、熱伝導によってサーモ
パイル２１の温接点５に到達し、温接点５の温度を上昇
させる。温接点５近傍は基板１から熱分離領域１１によ
って熱分離されているので微小な入射赤外線によって温
度が上昇する。温接点５と冷接点６との間に温度差が生
じるとゼーベック効果によって熱起電力が発生し二つの
冷接点間に電位差が発生しはじめる。この電位差は制御
回路２３に入力され増幅等の信号処理によって冷接点温
度制御手段２２に送られ、ジュール熱源３４で発生した
熱によって冷接点６を加熱する。この動作は熱起電力が
なくなる、即ち温接点５と冷接点６との温度差がなくな
るまで続けられて平衡状態に達する。また、サーモパイ
ルを両側から加熱することになるので通常のサーモパイ
ルよりも高速に行われる。この際、冷接点６近傍の熱時
定数が動作速度を決定することになるが、冷接点温度制
御手段２２と冷接点６間の熱抵抗を小さくしておくこと
によって改善できる。熱源がなくなった時には、温接点
５への熱の供給がなくなるので温接点５の温度が降下し
始め、冷接点６のほうが温度が高くなるので熱起電力は
逆になる。制御回路２３からの信号値は減少し冷接点温
度制御手段２２で発生する熱量は減少する。この時の時
定数は冷接点６の熱時定数よりも早くなることはなく、
温接点５の熱時定数で制限されることになり立ち上がり
の応答速度よりも遅くなり、通常のサーモパイルとあま
り変化はない。
赤外線吸収領域７によって吸収され、赤外線吸収領域７
の温度を上昇させる。この熱は、熱伝導によってサーモ
パイル２１の温接点５に到達し、温接点５の温度を上昇
させる。温接点５近傍は基板１から熱分離領域１１によ
って熱分離されているので微小な入射赤外線によって温
度が上昇する。温接点５と冷接点６との間に温度差が生
じるとゼーベック効果によって熱起電力が発生し二つの
冷接点間に電位差が発生しはじめる。この電位差は制御
回路２３に入力され増幅等の信号処理によって冷接点温
度制御手段２２に送られ、ジュール熱源３４で発生した
熱によって冷接点６を加熱する。この動作は熱起電力が
なくなる、即ち温接点５と冷接点６との温度差がなくな
るまで続けられて平衡状態に達する。また、サーモパイ
ルを両側から加熱することになるので通常のサーモパイ
ルよりも高速に行われる。この際、冷接点６近傍の熱時
定数が動作速度を決定することになるが、冷接点温度制
御手段２２と冷接点６間の熱抵抗を小さくしておくこと
によって改善できる。熱源がなくなった時には、温接点
５への熱の供給がなくなるので温接点５の温度が降下し
始め、冷接点６のほうが温度が高くなるので熱起電力は
逆になる。制御回路２３からの信号値は減少し冷接点温
度制御手段２２で発生する熱量は減少する。この時の時
定数は冷接点６の熱時定数よりも早くなることはなく、
温接点５の熱時定数で制限されることになり立ち上がり
の応答速度よりも遅くなり、通常のサーモパイルとあま
り変化はない。
【００１８】（第二の実施の形態）図２は本発明の第二
の実施の形態における検知素子を説明する図である。図
２において（ア）は平面図、（イ）は断面図である。
の実施の形態における検知素子を説明する図である。図
２において（ア）は平面図、（イ）は断面図である。
【００１９】第一の実施の形態と異なる部分についての
み説明を行う。第一の実施の形態では立ち上がりの応答
速度は向上したが立ち上がりの応答速度には変化がなか
った。それは、冷接点温度制御手段２２が加熱手段しか
持ち合わせていなかったからで、この第二の実施の形態
では加熱−冷却手段をペルチェ素子で実現しようとする
ものである。
み説明を行う。第一の実施の形態では立ち上がりの応答
速度は向上したが立ち上がりの応答速度には変化がなか
った。それは、冷接点温度制御手段２２が加熱手段しか
持ち合わせていなかったからで、この第二の実施の形態
では加熱−冷却手段をペルチェ素子で実現しようとする
ものである。
【００２０】まず構成であるが、第一の実施の形態での
ポリシリコンヒーターに換えてペルチェ素子を用いてい
る。ペルチェ素子の構造はサーモパイルと同じであって
異なる導体や半導体を接続しこれに電流を流すことで接
点の温度を上げたり下げたりするものである。ポリシリ
コンでつくることも可能であるが、ＺｎＳｅ３５−Ｐｂ
Ｓ３６などを利用すると効率の良いものができる。
ポリシリコンヒーターに換えてペルチェ素子を用いてい
る。ペルチェ素子の構造はサーモパイルと同じであって
異なる導体や半導体を接続しこれに電流を流すことで接
点の温度を上げたり下げたりするものである。ポリシリ
コンでつくることも可能であるが、ＺｎＳｅ３５−Ｐｂ
Ｓ３６などを利用すると効率の良いものができる。
【００２１】この第二の実施の形態によれば、立ち上が
りには冷接点６の温度を上昇させる方向に電流を流し立
ち下がり時には冷接点６の温度を下降させる方向に電流
を流して速やかに平衡状態にすることができるので応答
速度がさらに向上する。
りには冷接点６の温度を上昇させる方向に電流を流し立
ち下がり時には冷接点６の温度を下降させる方向に電流
を流して速やかに平衡状態にすることができるので応答
速度がさらに向上する。
【００２２】従来の素子では冷接点の温度は一定の決ま
った値として、温接点との間に生じる温度差をゼーベッ
ク効果によって熱起電力に変換して電圧値をそのまま出
力値としていたが、本発明では、冷接点近傍に温度制御
手段、例えばジュール熱源やペルチェ素子を設けて冷接
点の温度を積極的にコントロールし、熱起電力の値を所
定の値にする。なわち、温接点と冷接点の温度差を限り
無く所定の値に近づくようにコントロールする。この
最、冷接点の温度を制御するのに用いられるエネルギー
または電圧などの物理量の値を出力値とする。
った値として、温接点との間に生じる温度差をゼーベッ
ク効果によって熱起電力に変換して電圧値をそのまま出
力値としていたが、本発明では、冷接点近傍に温度制御
手段、例えばジュール熱源やペルチェ素子を設けて冷接
点の温度を積極的にコントロールし、熱起電力の値を所
定の値にする。なわち、温接点と冷接点の温度差を限り
無く所定の値に近づくようにコントロールする。この
最、冷接点の温度を制御するのに用いられるエネルギー
または電圧などの物理量の値を出力値とする。
【００２３】
【発明の効果】本発明のうち代表的なものによって得ら
れる効果を簡単に説明すると下記の通りである。
れる効果を簡単に説明すると下記の通りである。
【００２４】（１）従来例では熱は温接点から冷接点へ
の一方的な流れであったために温接点の熱が冷接点に伝
わるのに時間がかかるために高速動作が期待できなかっ
たが、本発明によると熱は温接点及び冷接点のいづれの
方向からも流れてくるので、熱流の流れる距離が約半分
と短くなるために応答速度が向上し、感度との両立が可
能となった。
の一方的な流れであったために温接点の熱が冷接点に伝
わるのに時間がかかるために高速動作が期待できなかっ
たが、本発明によると熱は温接点及び冷接点のいづれの
方向からも流れてくるので、熱流の流れる距離が約半分
と短くなるために応答速度が向上し、感度との両立が可
能となった。
【００２５】（２）従来例では熱起電力そのものを出力
していたために遠距離の物体を検知する際は出力値が非
常に小さくなり加工できる大きさにまで劣化させること
なく増幅することが困難であったが、冷接点と温度制御
手段に熱結合（伝導または放射）を適切な値に設定する
ことで信号値をあらかじめ大きくすることが可能となる
ためにノイズの影響を受けにくくなる。
していたために遠距離の物体を検知する際は出力値が非
常に小さくなり加工できる大きさにまで劣化させること
なく増幅することが困難であったが、冷接点と温度制御
手段に熱結合（伝導または放射）を適切な値に設定する
ことで信号値をあらかじめ大きくすることが可能となる
ためにノイズの影響を受けにくくなる。
【００２６】（３）熱結合を主に伝導で行う場合熱時定
数は一般的に電気時定数よりも大きいのでフィルターの
効果を持たせることが可能となり、従来型のような外来
高周波ノイズに悩まされることがない。
数は一般的に電気時定数よりも大きいのでフィルターの
効果を持たせることが可能となり、従来型のような外来
高周波ノイズに悩まされることがない。
【図１】本発明の第一の実施の形態の検知素子の説明図
である。
である。
【図２】本発明の第二の実施の形態の検知素子の説明図
である。
である。
【図３】本発明の熱型赤外線検知装置の動作を説明する
概念図である。
概念図である。
【図４】従来の熱型赤外線検知装置の構造断面図であ
る。
る。
【図５】従来の熱型赤外線検知装置の平面図である。
１ 基板 ２ メンブレン ３ ｐ型ポリシリコン ４ ｎ型ポリシリコン ５ 温接点 ６ 冷接点 ７ 赤外線吸収領域 ８ ヒートシンク ９ 保護膜 １０ エッチング孔 １１ 熱分離領域 ２１ サーモパイル ２２ 冷接点温度制御手段 ２３ 制御回路 ３１ アンプ ３２ 制御Ｔｒ ３３ 出力端子 ３４ ジュール熱源 ３５ ＺｎＳｅ ３６ Ｐｂｓ ４１ 入射赤外線 ４２ 熱流１ ４３ 熱流２
Claims (5)
- 【請求項１】 基板と、 該基板上のサーモパイルと、 該サーモパイルの温接点近傍を該基板から熱的に分離す
る熱分離領域と、 該サーモパイルの温接点近傍に設けられた入射赤外線吸
収領域と、 該サーモパイルの冷接点近傍に設けられた冷接点温度制
御手段と、 該サーモパイルに発生した熱起電力を基に冷接点温度制
御手段が発生する熱量を制御する制御手段とを有する熱
型赤外線検知装置。 - 【請求項２】 前記温接点は入射赤外線吸収領域と間の
熱天候が冷接点温度制御手段よりも小さく、且つ前記冷
接点は入試や赤外線吸収領域と間の熱抵抗が冷接点温度
制御手段よりも大きいことを特徴とする請求項１に記載
の熱型赤外線検知装置。 - 【請求項３】 前記冷接点温度制御手段はジュール熱を
発生することを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線
検知装置。 - 【請求項４】 前記冷接点温度制御手段はペルチェ効果
を利用したものであることを特徴とする請求項１に記載
の熱型赤外線検知装置。 - 【請求項５】 前記冷接点近傍も基板と熱分離されてい
ることを特徴とする請求項１に記載の熱型赤外線検知装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071924A JPH09257584A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 熱型赤外線検知装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8071924A JPH09257584A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 熱型赤外線検知装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257584A true JPH09257584A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13474576
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8071924A Pending JPH09257584A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 熱型赤外線検知装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09257584A (ja) |
Cited By (6)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2000004353A1 (en) * | 1998-07-14 | 2000-01-27 | Kazuhito Sakano | Radiation thermometer |
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1996
- 1996-03-27 JP JP8071924A patent/JPH09257584A/ja active Pending
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