JPH09257642A - ガラス基板の欠陥種別判定方法 - Google Patents
ガラス基板の欠陥種別判定方法Info
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- JPH09257642A JPH09257642A JP8087049A JP8704996A JPH09257642A JP H09257642 A JPH09257642 A JP H09257642A JP 8087049 A JP8087049 A JP 8087049A JP 8704996 A JP8704996 A JP 8704996A JP H09257642 A JPH09257642 A JP H09257642A
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- glass substrate
- substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 ガラス基板に存在する３種の欠陥を検出し、
その種別が異物、スクラッチ傷、気泡のいずれであるかを
判定する。 【解決手段】 基板１の裏面側より、波長帯域の異なる
（例えば白色光束と赤色光束）を、基板１に対して約２
０°の入射角θ1 と約６０°の入射角θ2 でそれぞれ投
射し、基板の表面側に、光軸が基板に垂直な受光系を設
け、その集光レンズにより各欠陥の散乱光のみを集光
し、ハーフミラーＨＭとフィルタＦa,Ｆb により、散乱
光を白色光と赤色光に分割して、それぞれをＣＣＤセン
サ（Ａ),（Ｂ）で受光し、両ＣＣＤセンサの出力する欠
陥信号Ｓa,Ｓb の強度をｉa,ｉb 、欠陥信号Ｓa または
Ｓb を画像処理して求めた各欠陥の長さと幅をＬ，Ｗと
し、両強度の比ｉa ／ｉb と、Ｌ，Ｗの比Ｌ／Ｗとを、
判定基準Ｒ1,Ｒ2 にそれぞれ比較して、異物Ｋi、スクラ
ッチ傷Ｋs、気泡Ｋb を判定する。
その種別が異物、スクラッチ傷、気泡のいずれであるかを
判定する。 【解決手段】 基板１の裏面側より、波長帯域の異なる
（例えば白色光束と赤色光束）を、基板１に対して約２
０°の入射角θ1 と約６０°の入射角θ2 でそれぞれ投
射し、基板の表面側に、光軸が基板に垂直な受光系を設
け、その集光レンズにより各欠陥の散乱光のみを集光
し、ハーフミラーＨＭとフィルタＦa,Ｆb により、散乱
光を白色光と赤色光に分割して、それぞれをＣＣＤセン
サ（Ａ),（Ｂ）で受光し、両ＣＣＤセンサの出力する欠
陥信号Ｓa,Ｓb の強度をｉa,ｉb 、欠陥信号Ｓa または
Ｓb を画像処理して求めた各欠陥の長さと幅をＬ，Ｗと
し、両強度の比ｉa ／ｉb と、Ｌ，Ｗの比Ｌ／Ｗとを、
判定基準Ｒ1,Ｒ2 にそれぞれ比較して、異物Ｋi、スクラ
ッチ傷Ｋs、気泡Ｋb を判定する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は、ガラス基板の欠
陥種別の判定方法に関し、詳しくは液晶パネル用のガラ
ス基板の表面、裏面または内部に存在する３種類の欠陥
の、種別を判定する方法に関する。
陥種別の判定方法に関し、詳しくは液晶パネル用のガラ
ス基板の表面、裏面または内部に存在する３種類の欠陥
の、種別を判定する方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】液晶パネルを構成するＴＦＴ基板は、ガ
ラス基板を素材としてその表面に多数のＴＦＴ素子が形
成される。この表面に傷などの欠陥が存在すると、その
部分にはＴＦＴ素子が良好に形成されず、従ってＴＦＴ
基板の品質を阻害するので、欠陥検査装置により欠陥の
有無を検査して所要の措置がとられている。欠陥検査装
置においては、ガラス基板に対してレーザビームを投射
し、欠陥の散乱光を受光器に受光して欠陥を検出し、そ
の欠陥信号より欠陥のサイズを算出し、これに欠陥の存
在する座標値を付加した欠陥データが出力されている。
ラス基板を素材としてその表面に多数のＴＦＴ素子が形
成される。この表面に傷などの欠陥が存在すると、その
部分にはＴＦＴ素子が良好に形成されず、従ってＴＦＴ
基板の品質を阻害するので、欠陥検査装置により欠陥の
有無を検査して所要の措置がとられている。欠陥検査装
置においては、ガラス基板に対してレーザビームを投射
し、欠陥の散乱光を受光器に受光して欠陥を検出し、そ
の欠陥信号より欠陥のサイズを算出し、これに欠陥の存
在する座標値を付加した欠陥データが出力されている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】さて、ガラス基板（以
下単に基板という）の欠陥には各種のものがあり、代表
的なものには、基板の表面または裏面に存在する異物、
スクラッチ傷、および気泡の３種がある。ただし異物に
は、塵埃などが付着した付着異物と基板の製造過程で固
着した固着異物がある。スクラッチ傷は両面の研磨や基
板の取り扱い中に生じ、気泡は製造過程で基板の内部に
発生する。これらのうち、付着異物は再洗浄により、固
着異物は再研磨によりそれぞれ除去可能であるが、スク
ラッチ傷と気泡はこれができない。従って基板の製造と
管理上、各欠陥の種別を知ることが必要である。しかし
ながら上記の欠陥検査装置では、これらは区別されずに
単に欠陥として検出されている。そこで欠陥の種別を判
定する有効な手段が要請されている。この発明は、ガラ
ス基板に存在する３種の欠陥を一括して検出し、その種
別が、異物、スクラッチ傷、気泡のいずれであるかを判
定することが課題である。
下単に基板という）の欠陥には各種のものがあり、代表
的なものには、基板の表面または裏面に存在する異物、
スクラッチ傷、および気泡の３種がある。ただし異物に
は、塵埃などが付着した付着異物と基板の製造過程で固
着した固着異物がある。スクラッチ傷は両面の研磨や基
板の取り扱い中に生じ、気泡は製造過程で基板の内部に
発生する。これらのうち、付着異物は再洗浄により、固
着異物は再研磨によりそれぞれ除去可能であるが、スク
ラッチ傷と気泡はこれができない。従って基板の製造と
管理上、各欠陥の種別を知ることが必要である。しかし
ながら上記の欠陥検査装置では、これらは区別されずに
単に欠陥として検出されている。そこで欠陥の種別を判
定する有効な手段が要請されている。この発明は、ガラ
ス基板に存在する３種の欠陥を一括して検出し、その種
別が、異物、スクラッチ傷、気泡のいずれであるかを判
定することが課題である。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この発明は、上記の課題
を解決したガラス基板の欠陥種別判定方法であって、基
板の裏面側に設けた投光系により、波長帯域の異なる少
なくとも２本の光束を、基板の検査位置に対して小さい
入射角と大きい入射角でそれぞれ投射する。基板の表面
側に、光軸が基板に垂直な受光系を設け、受光系が有す
る各光束が入射しない狭い受光視角の集光レンズによ
り、各欠陥による各光束の散乱光を集光し、集光された
散乱光を上記の異なる波長帯域に分割して、それぞれの
ＣＣＤイメージセンサにより受光する。両ＣＣＤイメー
ジセンサの出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb の強度ｉa,ｉb の
比ｉa ／ｉb と、欠陥信号Ｓa またはＳb を画像処理し
て求めた各欠陥の長さＬと幅Ｗの比Ｌ／Ｗを算出し、両
比ｉa ／ｉb ，Ｌ／Ｗに対する判定基準をＲ1,Ｒ2 とし
て、下記の各判定条件： （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(1) （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋb ………条件(2) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(3) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋi ………条件(4) により、異物Ｋi 、スクラッチ傷Ｋs 、気泡Ｋb をそれ
ぞれ判定する。
を解決したガラス基板の欠陥種別判定方法であって、基
板の裏面側に設けた投光系により、波長帯域の異なる少
なくとも２本の光束を、基板の検査位置に対して小さい
入射角と大きい入射角でそれぞれ投射する。基板の表面
側に、光軸が基板に垂直な受光系を設け、受光系が有す
る各光束が入射しない狭い受光視角の集光レンズによ
り、各欠陥による各光束の散乱光を集光し、集光された
散乱光を上記の異なる波長帯域に分割して、それぞれの
ＣＣＤイメージセンサにより受光する。両ＣＣＤイメー
ジセンサの出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb の強度ｉa,ｉb の
比ｉa ／ｉb と、欠陥信号Ｓa またはＳb を画像処理し
て求めた各欠陥の長さＬと幅Ｗの比Ｌ／Ｗを算出し、両
比ｉa ／ｉb ，Ｌ／Ｗに対する判定基準をＲ1,Ｒ2 とし
て、下記の各判定条件： （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(1) （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋb ………条件(2) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(3) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋi ………条件(4) により、異物Ｋi 、スクラッチ傷Ｋs 、気泡Ｋb をそれ
ぞれ判定する。
【０００５】
【発明の実施の形態】まず、図１により３種の欠陥の形
状と散乱光の指向性を説明し、図２と図３により、この
発明の欠陥種別判定方法の原理を説明する。図１におい
て、(a) は各欠陥の形状などを説明するもので、異物Ｋ
i は表面に凹凸のある粒状のものが多く、そのサイズは
まちまちで、ＴＦＴ素子に比較してある大きさ以上のも
のが有害である。スクラッチ傷Ｋs は通常、基板１の表
面を溝状に削ったもので、その幅と深さは比較的に小さ
いが、これに比べてある程度長いものが有害とされる。
気泡Ｋb は通常、球形またはその変形で、そのサイズは
まちまちであるが、余程大きいものが有害とされる。
(b) は各欠陥の指向特性を説明するもので、各欠陥に光
束Ｌを投射するとそれぞれは形状に従った散乱光を散乱
する。異物Ｋi の散乱光は光束Ｌの投射方向にあまり関
係なく、上半球の方向にほぼ等しい強度で散乱し、すな
わち無指向性である。スクラッチ傷Ｋs の散乱光は、光
束Ｌの投射方向に大きく関係し、投射方向によっては、
図示のように垂直上方に強いピークをなし、低角度ほど
弱い指向性がある。気泡Ｋb の散乱光は異物Ｋi とスク
ラッチ傷Ｋs の中関的な指向性である。なお各欠陥の散
乱光の強度は、それぞれのサイズに依存して変化し、サ
イズが大きいほど大きい。
状と散乱光の指向性を説明し、図２と図３により、この
発明の欠陥種別判定方法の原理を説明する。図１におい
て、(a) は各欠陥の形状などを説明するもので、異物Ｋ
i は表面に凹凸のある粒状のものが多く、そのサイズは
まちまちで、ＴＦＴ素子に比較してある大きさ以上のも
のが有害である。スクラッチ傷Ｋs は通常、基板１の表
面を溝状に削ったもので、その幅と深さは比較的に小さ
いが、これに比べてある程度長いものが有害とされる。
気泡Ｋb は通常、球形またはその変形で、そのサイズは
まちまちであるが、余程大きいものが有害とされる。
(b) は各欠陥の指向特性を説明するもので、各欠陥に光
束Ｌを投射するとそれぞれは形状に従った散乱光を散乱
する。異物Ｋi の散乱光は光束Ｌの投射方向にあまり関
係なく、上半球の方向にほぼ等しい強度で散乱し、すな
わち無指向性である。スクラッチ傷Ｋs の散乱光は、光
束Ｌの投射方向に大きく関係し、投射方向によっては、
図示のように垂直上方に強いピークをなし、低角度ほど
弱い指向性がある。気泡Ｋb の散乱光は異物Ｋi とスク
ラッチ傷Ｋs の中関的な指向性である。なお各欠陥の散
乱光の強度は、それぞれのサイズに依存して変化し、サ
イズが大きいほど大きい。
【０００６】図２において、基板１の裏面側から小さい
入射角θ1 と大きい入射角θ2 をなして、波長帯域の異
なる、例えば白色光束と赤色光束をそれぞれ投射する。
基板１の表面に欠陥Ｋ、または裏面に欠陥Ｋ’がある
と、これらは散乱光を散乱する。表面側に、光軸が表面
に垂直をなす受光系を設け、その集光レンズの受光視角
θ3 を、基板１を透過した両光束が入射しないように狭
くして、欠陥ＫまたはＫ’の散乱光のみを集光し、これ
をハーフミラーＨＭにより分割し、透過した一方をフィ
ルタＦA により赤色を除去し、反射した他方をフィルタ
ＦB により赤色を透過して、それぞれをＣＣＤイメージ
センサ（Ａ),（Ｂ）により受光する。両ＣＣＤ（Ａ),
（Ｂ）が出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb は、欠陥の種類によ
る指向性と、さまざまのサイズのために、それぞれの強
度ｉa,ｉb は大幅に変化する。
入射角θ1 と大きい入射角θ2 をなして、波長帯域の異
なる、例えば白色光束と赤色光束をそれぞれ投射する。
基板１の表面に欠陥Ｋ、または裏面に欠陥Ｋ’がある
と、これらは散乱光を散乱する。表面側に、光軸が表面
に垂直をなす受光系を設け、その集光レンズの受光視角
θ3 を、基板１を透過した両光束が入射しないように狭
くして、欠陥ＫまたはＫ’の散乱光のみを集光し、これ
をハーフミラーＨＭにより分割し、透過した一方をフィ
ルタＦA により赤色を除去し、反射した他方をフィルタ
ＦB により赤色を透過して、それぞれをＣＣＤイメージ
センサ（Ａ),（Ｂ）により受光する。両ＣＣＤ（Ａ),
（Ｂ）が出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb は、欠陥の種類によ
る指向性と、さまざまのサイズのために、それぞれの強
度ｉa,ｉb は大幅に変化する。
【０００７】以上の欠陥信号Ｓa,Ｓb に対して、この発
明の発明者らにより種類別の欠陥サンプルを使用して試
行実験が行われた。まず、各サンプルの欠陥信号Ｓa,Ｓ
b の強度比ｉa ／ｉb をとると、各欠陥のサイズの相違
や、各光束の強度変動による両欠陥信号Ｓa とＳb の強
度変化が相殺されて、指向性の特徴が抽出される。つい
で、強度比ｉa ／ｉb と欠陥種別との関係を検討したと
ころ、ｉa ／ｉb が一定値Ｒ1 より大きい欠陥は、ほと
んどスクラッチ傷Ｋs または気泡Ｋb であり、一定値Ｒ
1 以下のときは、ほとんど異物Ｋi またはスクラッチ傷
Ｋs であることが見出された。実験をさらに進めて、検
出信号Ｓa またはＳb を画像処理して、ＣＣＤの受光し
た各素子ｅより欠陥Ｋの長さＬと幅Ｗ（図２の欄外に例
示）を算出し、その比Ｌ／Ｗをとって欠陥種別との関係
を検討した結果、Ｌ／Ｗが一定値Ｒ2 より大きいとき
は、ほとんどスクラッチ傷Ｋs であり、一定値Ｒ2 以下
のときは、ほとんど異物Ｋi または気泡Ｋb であること
が認められた。
明の発明者らにより種類別の欠陥サンプルを使用して試
行実験が行われた。まず、各サンプルの欠陥信号Ｓa,Ｓ
b の強度比ｉa ／ｉb をとると、各欠陥のサイズの相違
や、各光束の強度変動による両欠陥信号Ｓa とＳb の強
度変化が相殺されて、指向性の特徴が抽出される。つい
で、強度比ｉa ／ｉb と欠陥種別との関係を検討したと
ころ、ｉa ／ｉb が一定値Ｒ1 より大きい欠陥は、ほと
んどスクラッチ傷Ｋs または気泡Ｋb であり、一定値Ｒ
1 以下のときは、ほとんど異物Ｋi またはスクラッチ傷
Ｋs であることが見出された。実験をさらに進めて、検
出信号Ｓa またはＳb を画像処理して、ＣＣＤの受光し
た各素子ｅより欠陥Ｋの長さＬと幅Ｗ（図２の欄外に例
示）を算出し、その比Ｌ／Ｗをとって欠陥種別との関係
を検討した結果、Ｌ／Ｗが一定値Ｒ2 より大きいとき
は、ほとんどスクラッチ傷Ｋs であり、一定値Ｒ2 以下
のときは、ほとんど異物Ｋi または気泡Ｋb であること
が認められた。
【０００８】上記の両実験の結果をまとめると、上記の
一定値Ｒ1,Ｒ2 を判定基準として、前記した各判定条件
(1) 〜(4) がえられ、これらにより、欠陥が異物Ｋi、ス
クラッチ傷Ｋs、気泡Ｋb のいずれであるかをほぼ確実に
判定できることが判明した。図２は各判定条件(1) 〜
(4) の実行順序を示し、まず強度比較により、ｉa ／ｉ
b とＲ1 を比較して（Ｋs ＯＲ Ｋb ）であるか、もし
くは（Ｋi ＯＲ Ｋs）であるかを判定し、さらにＬ／
Ｗ比較により、それぞれに対するＬ／ＷとＲ2の比較を
行って、Ｋi,Ｋs,Ｋb が判定される。図３は、上記によ
り判定された各欠陥の分布領域を示すもので、ｉa ／ｉ
b を縦軸、Ｌ／Ｗを横軸とし、判定基準Ｒ1,Ｒ2 に対し
て異物Ｋi、スクラッチ傷Ｋs、気泡Ｋb は図示のように分
布する。
一定値Ｒ1,Ｒ2 を判定基準として、前記した各判定条件
(1) 〜(4) がえられ、これらにより、欠陥が異物Ｋi、ス
クラッチ傷Ｋs、気泡Ｋb のいずれであるかをほぼ確実に
判定できることが判明した。図２は各判定条件(1) 〜
(4) の実行順序を示し、まず強度比較により、ｉa ／ｉ
b とＲ1 を比較して（Ｋs ＯＲ Ｋb ）であるか、もし
くは（Ｋi ＯＲ Ｋs）であるかを判定し、さらにＬ／
Ｗ比較により、それぞれに対するＬ／ＷとＲ2の比較を
行って、Ｋi,Ｋs,Ｋb が判定される。図３は、上記によ
り判定された各欠陥の分布領域を示すもので、ｉa ／ｉ
b を縦軸、Ｌ／Ｗを横軸とし、判定基準Ｒ1,Ｒ2 に対し
て異物Ｋi、スクラッチ傷Ｋs、気泡Ｋb は図示のように分
布する。
【０００９】さて、上記の欠陥種別判定方法には付記す
べき欠点がある。すなわち、この発明は、ガラス基板１
の表面、裏面、または内部に存在する３種の欠陥を検出
して、これらの種別を判定するものである。しかしなが
ら、基板の裏面にはＴＦＴが形成されないので、裏面の
欠陥は検出と種別の判定は無用であり、これが裏面側で
あることを識別しない限り、基板１の管理上はむしろ有
害である。このような欠点に対して、この発明の発明者
により、表面の欠陥と裏面の欠陥とを識別する手段が考
案されて、別途、「ガラス基板の表裏欠陥識別方法」と
して特許出願される。この表裏欠陥識別方法を、上記に
より欠陥種別が判定された基板１に適用することによ
り、各欠陥（内部の気泡を除く）は表面側か裏面側かが
識別されて、欠陥検査が完了するわけである。
べき欠点がある。すなわち、この発明は、ガラス基板１
の表面、裏面、または内部に存在する３種の欠陥を検出
して、これらの種別を判定するものである。しかしなが
ら、基板の裏面にはＴＦＴが形成されないので、裏面の
欠陥は検出と種別の判定は無用であり、これが裏面側で
あることを識別しない限り、基板１の管理上はむしろ有
害である。このような欠点に対して、この発明の発明者
により、表面の欠陥と裏面の欠陥とを識別する手段が考
案されて、別途、「ガラス基板の表裏欠陥識別方法」と
して特許出願される。この表裏欠陥識別方法を、上記に
より欠陥種別が判定された基板１に適用することによ
り、各欠陥（内部の気泡を除く）は表面側か裏面側かが
識別されて、欠陥検査が完了するわけである。
【００１０】
【実施例】図４および図５はこの発明の一実施例を示
し、図４はこの発明の欠陥種別判定方法を適用した欠陥
検出・種別判定装置１０の構成図、図５は欠陥種別判定
手順を示すフローチャートである。図４において、欠陥
検出・種別判定装置１０は、検出光学系２、ＸＹステー
ジ３、データ処理部４とにより構成される。基板１はＸ
Ｙステージ３に載置され、ＸＹ移動制御回路３a により
一端から他端までがＸ方向にステップ移動し、ついでＹ
方向に順次に移動してＸ方向のステップ移動が繰り返さ
れて全面が検査される。検出光学系２は投光系21と受光
系22よりなり、投光系21は基板１の裏面側に設けられ、
ハロゲンランプよりなる４個の光源211,212,212,212 を
有し、光源211の白色光束は集束レンズ213 により集束
されて、基板１の検査位置に対して入射角θ1 を約２０
°として投射され、また他の３個の各光源212 の白色光
束は、それぞれの集束レンズ214 により集束され、フィ
ルタ215 により赤色を選択して、検査位置に対して入射
角θ2 を約６０°として３方向より投射される。基板１
のステップ移動により検査位置に来た表面欠陥Ｋまたは
裏面欠陥Ｋ’は、光束の散乱光をそれぞれ散乱する。
し、図４はこの発明の欠陥種別判定方法を適用した欠陥
検出・種別判定装置１０の構成図、図５は欠陥種別判定
手順を示すフローチャートである。図４において、欠陥
検出・種別判定装置１０は、検出光学系２、ＸＹステー
ジ３、データ処理部４とにより構成される。基板１はＸ
Ｙステージ３に載置され、ＸＹ移動制御回路３a により
一端から他端までがＸ方向にステップ移動し、ついでＹ
方向に順次に移動してＸ方向のステップ移動が繰り返さ
れて全面が検査される。検出光学系２は投光系21と受光
系22よりなり、投光系21は基板１の裏面側に設けられ、
ハロゲンランプよりなる４個の光源211,212,212,212 を
有し、光源211の白色光束は集束レンズ213 により集束
されて、基板１の検査位置に対して入射角θ1 を約２０
°として投射され、また他の３個の各光源212 の白色光
束は、それぞれの集束レンズ214 により集束され、フィ
ルタ215 により赤色を選択して、検査位置に対して入射
角θ2 を約６０°として３方向より投射される。基板１
のステップ移動により検査位置に来た表面欠陥Ｋまたは
裏面欠陥Ｋ’は、光束の散乱光をそれぞれ散乱する。
【００１１】受光系22は基板１の表面側に、光軸を基板
１に対して垂直として設けられ、その集光レンズ221
は、基板１を透過した各光束が入射しないように、受光
視角θ3 を約１５°として欠陥Ｋ，Ｋ’の散乱光のみを
集光する。この場合、光束は４方向より投射されるの
で、各欠陥の散乱光には垂直上方を向く成分があり、こ
れが集光レンズ221 にかならず入射する。集光された散
乱光はハーフミラー222 により分割され、一方はフィル
タ223 により赤色光が除去されてＣＣＤ（Ａ）224に受
光され、他方はフィルタ225 により赤色光が透過してＣ
ＣＤ（Ｂ）226 に受光され、それぞれより欠陥信号Ｓa,
Ｓb が出力される。データ処理部４は、画像メモリ41、
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）42、プリンタ43などより
なる。画像メモリ41には、基板１のステップ移動により
両ＣＣＤ（Ａ),（Ｂ）が出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb が、
検査位置ごとに更新記憶される。ＭＰＵ42は、強度比較
プログラムＰＧ１、画像処理プログラムＰＧ２、Ｌ／Ｗ
比較プログラムＰＧ３、サイズ算出プログラムＰＧ４、
制御信号発生プログラムＰＧ５、データ編集プログラム
ＰＧ６を有し、ＰＧ１とＰＧ３には、予め試行実験など
によりえられた判定基準Ｒ1,Ｒ2 がそれぞれ設定され
る。ＰＧ５は制御信号を発生し、これをＸＹ移動制御回
路３a に与えて上記した基板１のステップ移動を行う。
１に対して垂直として設けられ、その集光レンズ221
は、基板１を透過した各光束が入射しないように、受光
視角θ3 を約１５°として欠陥Ｋ，Ｋ’の散乱光のみを
集光する。この場合、光束は４方向より投射されるの
で、各欠陥の散乱光には垂直上方を向く成分があり、こ
れが集光レンズ221 にかならず入射する。集光された散
乱光はハーフミラー222 により分割され、一方はフィル
タ223 により赤色光が除去されてＣＣＤ（Ａ）224に受
光され、他方はフィルタ225 により赤色光が透過してＣ
ＣＤ（Ｂ）226 に受光され、それぞれより欠陥信号Ｓa,
Ｓb が出力される。データ処理部４は、画像メモリ41、
マイクロプロセッサ（ＭＰＵ）42、プリンタ43などより
なる。画像メモリ41には、基板１のステップ移動により
両ＣＣＤ（Ａ),（Ｂ）が出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb が、
検査位置ごとに更新記憶される。ＭＰＵ42は、強度比較
プログラムＰＧ１、画像処理プログラムＰＧ２、Ｌ／Ｗ
比較プログラムＰＧ３、サイズ算出プログラムＰＧ４、
制御信号発生プログラムＰＧ５、データ編集プログラム
ＰＧ６を有し、ＰＧ１とＰＧ３には、予め試行実験など
によりえられた判定基準Ｒ1,Ｒ2 がそれぞれ設定され
る。ＰＧ５は制御信号を発生し、これをＸＹ移動制御回
路３a に与えて上記した基板１のステップ移動を行う。
【００１２】以下、図４に図５を併用してデータ処理部
４における欠陥種別判定手順を説明する。画像メモリ41
に更新記憶されている両欠陥信号Ｓa,Ｓb は、ＭＰＵ42
に読出されて、ＰＧ１の処理により強度比ｉa ／ｉb が
算出され（フローチャートのステップ）、これに設定
されている判定基準Ｒ1 に比較される。比較結果がｉ
a ／ｉb ＞Ｒ1 ；（ＹＥＳ）のときは（Ｋs ＯＲ Ｋb)
と判定され、その欠陥信号Ｓa またはＳb がＰＧ２によ
り処理されて、欠陥の長さと幅の比Ｌ／Ｗが算出され
、これがＰＧ３により判定基準Ｒ2 と比較される。
Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ；（ＮＯ）のときはＫb 、Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ；
（ＹＥＳ）のときはＫs と判定され、それぞれのサイズ
がＰＧ４により算出され、これにＸＹ移動制御回路３
a より与えられる欠陥のＸＹ座標値が付加され、これ
らと欠陥種別とがＰＧ６により編集されて、プリンタ
43に出力されてプリントされる。ステップにおいて、
ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ；（ＮＯ）のときは（Ｋi ＯＲ Ｋs)
と判定され、上記と同様に、Ｌ／Ｗの算出と、Ｌ／Ｗ
とＲ2 の比較とがなされ、Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ；（ＹＥＳ）
のときはＫs 、Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ；（ＮＯ）のときはＫi と
判定され、上記と同様に、それぞれのサイズの算出、
ＸＹ座標値の付加、データ編集が順次になされてプ
リンタ43にプリントされる。
４における欠陥種別判定手順を説明する。画像メモリ41
に更新記憶されている両欠陥信号Ｓa,Ｓb は、ＭＰＵ42
に読出されて、ＰＧ１の処理により強度比ｉa ／ｉb が
算出され（フローチャートのステップ）、これに設定
されている判定基準Ｒ1 に比較される。比較結果がｉ
a ／ｉb ＞Ｒ1 ；（ＹＥＳ）のときは（Ｋs ＯＲ Ｋb)
と判定され、その欠陥信号Ｓa またはＳb がＰＧ２によ
り処理されて、欠陥の長さと幅の比Ｌ／Ｗが算出され
、これがＰＧ３により判定基準Ｒ2 と比較される。
Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ；（ＮＯ）のときはＫb 、Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ；
（ＹＥＳ）のときはＫs と判定され、それぞれのサイズ
がＰＧ４により算出され、これにＸＹ移動制御回路３
a より与えられる欠陥のＸＹ座標値が付加され、これ
らと欠陥種別とがＰＧ６により編集されて、プリンタ
43に出力されてプリントされる。ステップにおいて、
ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ；（ＮＯ）のときは（Ｋi ＯＲ Ｋs)
と判定され、上記と同様に、Ｌ／Ｗの算出と、Ｌ／Ｗ
とＲ2 の比較とがなされ、Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ；（ＹＥＳ）
のときはＫs 、Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ；（ＮＯ）のときはＫi と
判定され、上記と同様に、それぞれのサイズの算出、
ＸＹ座標値の付加、データ編集が順次になされてプ
リンタ43にプリントされる。
【００１３】
【発明の効果】以上の説明のとおり、この発明の欠陥種
別判定方法は、ガラス基板に対して異なる入射角で、異
なる２波長帯域の光束を投射し、各欠陥の散乱光を波長
帯域別にＣＣＤイメージセンサにより受光し、それぞれ
の出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb の強度比ｉa ／ｉb と、各
欠陥の長さＬと幅Ｗの比Ｌ／Ｗとを算出し、両比を一定
値Ｒ1,Ｒ2 にそれぞれ比較する試行実験の結果、Ｒ1,Ｒ
2 を判定基準とする判定条件がえられ、これに基づい
て、検出した３種の欠陥の種別が、異物、スクラッチ
傷、 気泡のいずれであるかを、ほぼ確実に判定して区分
できるもので、液晶用のガラス基板の製造・管理に寄与
する効果には、優れたものがある。
別判定方法は、ガラス基板に対して異なる入射角で、異
なる２波長帯域の光束を投射し、各欠陥の散乱光を波長
帯域別にＣＣＤイメージセンサにより受光し、それぞれ
の出力する欠陥信号Ｓa,Ｓb の強度比ｉa ／ｉb と、各
欠陥の長さＬと幅Ｗの比Ｌ／Ｗとを算出し、両比を一定
値Ｒ1,Ｒ2 にそれぞれ比較する試行実験の結果、Ｒ1,Ｒ
2 を判定基準とする判定条件がえられ、これに基づい
て、検出した３種の欠陥の種別が、異物、スクラッチ
傷、 気泡のいずれであるかを、ほぼ確実に判定して区分
できるもので、液晶用のガラス基板の製造・管理に寄与
する効果には、優れたものがある。
【図１】 図１は、３種の欠陥の形状などの説明図であ
って、(a)は、その欠陥形状の説明図、(b)は、欠陥の指
向特性の説明図である。
って、(a)は、その欠陥形状の説明図、(b)は、欠陥の指
向特性の説明図である。
【図２】 図２は、この発明の欠陥種別判定方法の原理
の説明図である。
の説明図である。
【図３】 図３は、欠陥種別判定方法により判定された
３種類の欠陥の分布領域を示す分布図である。
３種類の欠陥の分布領域を示す分布図である。
【図４】 図４は、この発明を適用した欠陥検査装置の
一実施例の構成図である。
一実施例の構成図である。
【図５】 図５は、図４に対する欠陥種別判定手順を示
すフローチャートである。
すフローチャートである。
１…液晶パネル用のガラス基板、２…検出光学系、21…
投光系、211,212 …ハロゲンランプの光源、213,214 …
集束レンズ、215 …赤色フィルタ、22…受光系、221 …
集光レンズ、222 …ハーフミラー、223、225 …フィル
タ、224,226 …ＣＣＤイメージセンサ、３…ＸＹステー
ジ、３a …ＸＹ移動制御回路、４…データ処理部、41…
画像メモリ、42…ＭＰＵ、43…プリンタ、１０…この発
明による欠陥検査装置、Ｋ…表面の欠陥、Ｋ’…裏面の
欠陥、Ｋi …異物、Ｋs …スクラッチ傷、Ｋb …気泡、
θ1,θ2 …入射角、θ3 …受光視角、Ｓa,Ｓb …欠陥信
号、ｉa,ｉb …欠陥信号の強度、Ｌ…欠陥の長さ、Ｗ…
欠陥の幅、Ｒ1,Ｒ2 …判定基準、ＰＧ１〜ＰＧ６…ＭＰ
Ｕのプログラム、〜…フローチャートのステップ番
号。
投光系、211,212 …ハロゲンランプの光源、213,214 …
集束レンズ、215 …赤色フィルタ、22…受光系、221 …
集光レンズ、222 …ハーフミラー、223、225 …フィル
タ、224,226 …ＣＣＤイメージセンサ、３…ＸＹステー
ジ、３a …ＸＹ移動制御回路、４…データ処理部、41…
画像メモリ、42…ＭＰＵ、43…プリンタ、１０…この発
明による欠陥検査装置、Ｋ…表面の欠陥、Ｋ’…裏面の
欠陥、Ｋi …異物、Ｋs …スクラッチ傷、Ｋb …気泡、
θ1,θ2 …入射角、θ3 …受光視角、Ｓa,Ｓb …欠陥信
号、ｉa,ｉb …欠陥信号の強度、Ｌ…欠陥の長さ、Ｗ…
欠陥の幅、Ｒ1,Ｒ2 …判定基準、ＰＧ１〜ＰＧ６…ＭＰ
Ｕのプログラム、〜…フローチャートのステップ番
号。
Claims (1)
- 【請求項１】液晶パネル用のガラス基板の、ＴＦＴを形
成する表面またはその裏面に存在する異物Ｋi とスクラ
ッチ傷Ｋs 、および該ガラス基板の内部に存在する気泡
Ｋbの３種の欠陥の種別判定において、該ガラス基板の
裏面側に設けた投光系により、波長帯域の異なる少なく
とも２本の光束を、該ガラス基板の検査位置に対して小
さい入射角と大きい入射角でそれぞれ投射し、該ガラス
基板の表面側に、光軸が該ガラス基板に垂直な受光系を
設け、該受光系が有する前記各光束の入射しない狭い受
光視角の集光レンズにより、前記各欠陥による前記各光
束の散乱光を集光し、該集光された散乱光を前記異なる
波長帯域に分割して、それぞれのＣＣＤイメージセンサ
により受光し、該両ＣＣＤイメージセンサの出力する欠
陥信号Ｓa,Ｓb の強度ｉa,ｉb の比ｉa ／ｉb と、該欠
陥信号Ｓa またはＳb を画像処理して求めた前記各欠陥
の長さＬと幅Ｗの比Ｌ／Ｗを算出し、該両比ｉa ／ｉ
b ，Ｌ／Ｗに対する判定基準をそれぞれＲ1,Ｒ2 とし
て、下記の各判定条件： （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(1) （ｉa ／ｉb ＞Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋb ………条件(2) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ＞Ｒ2 ）：Ｋs ………条件(3) （ｉa ／ｉb ≦Ｒ1 ，Ｌ／Ｗ≦Ｒ2 ）：Ｋi ………条件(4) により、前記異物Ｋi 、スクラッチ傷Ｋs 、気泡Ｋb を
それぞれ判定することを特徴とする、ガラス基板の欠陥
種別判定方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8087049A JPH09257642A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | ガラス基板の欠陥種別判定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8087049A JPH09257642A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | ガラス基板の欠陥種別判定方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257642A true JPH09257642A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13904096
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8087049A Pending JPH09257642A (ja) | 1996-03-18 | 1996-03-18 | ガラス基板の欠陥種別判定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09257642A (ja) |
Cited By (12)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235427A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2005201887A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | ガラス基板の検査方法及び検査装置、並びに表示用パネルの製造方法 |
| JP2007024733A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2007199066A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Orbotech Ltd | 微細導体を有するパターン化デバイスを検査するシステム及び方法 |
| JP2007212479A (ja) * | 2007-05-07 | 2007-08-23 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP2008076071A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2009516852A (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-23 | コーニング インコーポレイテッド | 板ガラスを検査するための傾斜型透過照明検査システム及び方法 |
| JP2011017708A (ja) * | 2010-08-04 | 2011-01-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2012096920A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | ガラス基板欠陥検査装置及びガラス基板欠陥検査方法並びにガラス基板欠陥検査システム |
| KR101496993B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2015-03-02 | (주) 인텍플러스 | 디스플레이 패널 검사방법 |
| CN114608818A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠屏折痕检测装置及其方法 |
| JP2024093341A (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-09 | クアーズテック合同会社 | 光透過性板状体の欠陥検査方法 |
-
1996
- 1996-03-18 JP JP8087049A patent/JPH09257642A/ja active Pending
Cited By (13)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001235427A (ja) * | 2000-02-24 | 2001-08-31 | Topcon Corp | 表面検査装置 |
| JP2005201887A (ja) * | 2003-12-16 | 2005-07-28 | Hitachi High-Tech Electronics Engineering Co Ltd | ガラス基板の検査方法及び検査装置、並びに表示用パネルの製造方法 |
| JP2007024733A (ja) * | 2005-07-19 | 2007-02-01 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2009516852A (ja) * | 2005-11-21 | 2009-04-23 | コーニング インコーポレイテッド | 板ガラスを検査するための傾斜型透過照明検査システム及び方法 |
| JP2007199066A (ja) * | 2006-01-26 | 2007-08-09 | Orbotech Ltd | 微細導体を有するパターン化デバイスを検査するシステム及び方法 |
| JP2008076071A (ja) * | 2006-09-19 | 2008-04-03 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2007212479A (ja) * | 2007-05-07 | 2007-08-23 | Hitachi Ltd | 欠陥検査装置およびその方法 |
| JP2011017708A (ja) * | 2010-08-04 | 2011-01-27 | Hitachi High-Technologies Corp | 基板検査装置及び基板検査方法 |
| JP2012096920A (ja) * | 2010-11-05 | 2012-05-24 | Hitachi High-Technologies Corp | ガラス基板欠陥検査装置及びガラス基板欠陥検査方法並びにガラス基板欠陥検査システム |
| KR101496993B1 (ko) * | 2013-09-02 | 2015-03-02 | (주) 인텍플러스 | 디스플레이 패널 검사방법 |
| CN114608818A (zh) * | 2022-03-01 | 2022-06-10 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠屏折痕检测装置及其方法 |
| CN114608818B (zh) * | 2022-03-01 | 2023-12-01 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | 折叠屏折痕检测装置及其方法 |
| JP2024093341A (ja) * | 2022-12-27 | 2024-07-09 | クアーズテック合同会社 | 光透過性板状体の欠陥検査方法 |
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