JPH09257702A - 表面プラズモン共鳴センサ装置 - Google Patents
表面プラズモン共鳴センサ装置Info
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- JPH09257702A JPH09257702A JP6420996A JP6420996A JPH09257702A JP H09257702 A JPH09257702 A JP H09257702A JP 6420996 A JP6420996 A JP 6420996A JP 6420996 A JP6420996 A JP 6420996A JP H09257702 A JPH09257702 A JP H09257702A
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Links
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Landscapes
- Investigating Or Analysing Materials By Optical Means (AREA)
- Photometry And Measurement Of Optical Pulse Characteristics (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 試料溶液中の蛋白分子の濃度が低い場合でも
確実に蛋白分子を検知できるよう感度を高めた表面プラ
ズモン共鳴センサ装置を提供する。 【解決手段】 表面プラズモン共鳴センサ装置のセンサ
チップ1のガラス板4上には、表面プラズモン共鳴を起
こす金属薄膜4が形成されいる。この金属薄膜4は試料
容器5の底に配置され、容器5内の試料溶液と接触す
る。容器5内にはまた、対向電極6が設けられており、
やはり試料溶液と接触する。対向電極6と金属薄膜4と
の間に所定の直流電圧が印加され、対向電極6が陰極、
金属薄膜4が陽極となる。試料溶液中の蛋白分子は負に
帯電しているため、陽極たる金属薄膜4に引き寄せられ
て、金属薄膜4近傍での分子濃度が高まり、蛋白の検出
感度が向上する。
確実に蛋白分子を検知できるよう感度を高めた表面プラ
ズモン共鳴センサ装置を提供する。 【解決手段】 表面プラズモン共鳴センサ装置のセンサ
チップ1のガラス板4上には、表面プラズモン共鳴を起
こす金属薄膜4が形成されいる。この金属薄膜4は試料
容器5の底に配置され、容器5内の試料溶液と接触す
る。容器5内にはまた、対向電極6が設けられており、
やはり試料溶液と接触する。対向電極6と金属薄膜4と
の間に所定の直流電圧が印加され、対向電極6が陰極、
金属薄膜4が陽極となる。試料溶液中の蛋白分子は負に
帯電しているため、陽極たる金属薄膜4に引き寄せられ
て、金属薄膜4近傍での分子濃度が高まり、蛋白の検出
感度が向上する。
Description
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は、表面プラズモン共
鳴現象を利用した表面プラズモン共鳴センサ装置に関
し、特に金属薄膜と高屈折率の光透過媒体を有するセン
サ部の構造に関する。
鳴現象を利用した表面プラズモン共鳴センサ装置に関
し、特に金属薄膜と高屈折率の光透過媒体を有するセン
サ部の構造に関する。
【0002】
【従来の技術】表面プラズモン共鳴現象を利用して溶液
などの屈折率やその変動を測定する表面プラズモン共鳴
センサが知られている。ここで、溶液の屈折率の変動は
その溶液中の物質量の変動を反映しているから、例え
ば、生化学や分子生物学や医療検査等の分野で用いられ
るバイオセンサとして、この表面プラズモン共鳴センサ
は利用されている。
などの屈折率やその変動を測定する表面プラズモン共鳴
センサが知られている。ここで、溶液の屈折率の変動は
その溶液中の物質量の変動を反映しているから、例え
ば、生化学や分子生物学や医療検査等の分野で用いられ
るバイオセンサとして、この表面プラズモン共鳴センサ
は利用されている。
【0003】表面プラズモン共鳴センサは、基本的に、
光源と、金属薄膜を有した光反射面を持つ高屈折率の光
透過媒体と、光検出器とを備える。光透過媒体は、一般
に、ガラスやアクリルといった高屈折率材料で作られて
おり、センサチップと呼ばれる。このセンサチップの光
反射面に形成された金属薄膜の外表面に血液や尿等の試
料を接触させた状態で、光源からセンサチップを通して
その光反射面へ光線を全反射角で入射し、その反射光を
光検出器で受光する。
光源と、金属薄膜を有した光反射面を持つ高屈折率の光
透過媒体と、光検出器とを備える。光透過媒体は、一般
に、ガラスやアクリルといった高屈折率材料で作られて
おり、センサチップと呼ばれる。このセンサチップの光
反射面に形成された金属薄膜の外表面に血液や尿等の試
料を接触させた状態で、光源からセンサチップを通して
その光反射面へ光線を全反射角で入射し、その反射光を
光検出器で受光する。
【0004】光反射面への入射光のうち、特定の入射角
で入ったものは金属薄膜表面で表面プラズモン共鳴を生
じ、それによりエネルギーを奪われて反射光強度が低下
する。この減光の生じた入射角(プラズモン共振角)を
測定することにより、金属薄膜表面上の屈折率が判明す
る。この原理により、試料中の物質状態を検査すること
ができる。
で入ったものは金属薄膜表面で表面プラズモン共鳴を生
じ、それによりエネルギーを奪われて反射光強度が低下
する。この減光の生じた入射角(プラズモン共振角)を
測定することにより、金属薄膜表面上の屈折率が判明す
る。この原理により、試料中の物質状態を検査すること
ができる。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】光反射面での光の挙動
を微視的に観察すると、入射光は金属薄膜に入って薄膜
の外表面から試料空間へ滲み出てから再び金属薄膜に入
り反射光となる。薄膜の外表面から滲み出た光はエバネ
ッセント波と呼ばれ、このエバネッセント波が表面プラ
ズモン共鳴を引き起こす。
を微視的に観察すると、入射光は金属薄膜に入って薄膜
の外表面から試料空間へ滲み出てから再び金属薄膜に入
り反射光となる。薄膜の外表面から滲み出た光はエバネ
ッセント波と呼ばれ、このエバネッセント波が表面プラ
ズモン共鳴を引き起こす。
【0006】ここで、エバネッセント波が金属薄膜表面
から滲み出る高さは約100nm以下である。従って、
表面プラズモン共鳴センサ装置は、金属薄膜の表面から
高さ約100nmまでの範囲だけを検知していることに
なる。しかし、例えば溶液に分散している分子を測定し
たい場合、特にその濃度が低い場合には、溶液中ではそ
の分子が上記の検知範囲に拡散してくる確率が低いの
で、分子の検出が困難である。
から滲み出る高さは約100nm以下である。従って、
表面プラズモン共鳴センサ装置は、金属薄膜の表面から
高さ約100nmまでの範囲だけを検知していることに
なる。しかし、例えば溶液に分散している分子を測定し
たい場合、特にその濃度が低い場合には、溶液中ではそ
の分子が上記の検知範囲に拡散してくる確率が低いの
で、分子の検出が困難である。
【0007】従って本発明は、試料内に存在する対象物
の濃度が低い場合でも対象を検知できるように感度を向
上させた表面プラズモン共鳴センサ装置を提供すること
を目的とする。
の濃度が低い場合でも対象を検知できるように感度を向
上させた表面プラズモン共鳴センサ装置を提供すること
を目的とする。
【0008】
【課題を解決するための手段】本発明の表面プラズモン
共鳴センサ装置では、試料と接触する場所に対向電極が
設けられており、この対向電極とセンサチップ上の金属
薄膜との間に直流電圧が印加され得る。試料内の検知対
象物には帯電しているものが多い。例えば、表面プラズ
モン共鳴センサ装置が好んで用いられる代表的な検出対
象の一つである蛋白分子は、溶液中でマイナスに帯電し
ている。このように対象物が帯電している場合、対向電
極と金属薄膜との間に適切な極性の直流電圧を印加すれ
ば、その帯電した対象物を金属薄膜に静電的に引き寄せ
て、金属薄膜表面上の対象物濃度を高めることができ
る。よって、検出感度が向上する。
共鳴センサ装置では、試料と接触する場所に対向電極が
設けられており、この対向電極とセンサチップ上の金属
薄膜との間に直流電圧が印加され得る。試料内の検知対
象物には帯電しているものが多い。例えば、表面プラズ
モン共鳴センサ装置が好んで用いられる代表的な検出対
象の一つである蛋白分子は、溶液中でマイナスに帯電し
ている。このように対象物が帯電している場合、対向電
極と金属薄膜との間に適切な極性の直流電圧を印加すれ
ば、その帯電した対象物を金属薄膜に静電的に引き寄せ
て、金属薄膜表面上の対象物濃度を高めることができ
る。よって、検出感度が向上する。
【0009】金属薄膜と対向電極との間に電圧を印加し
たとき、電気力線が金属薄膜の少なくとも一部分に集中
するように、金属薄膜の形状が選定されていることが望
ましい。例えば、金属薄膜が対向電極に比較して明らか
に細かったり小さかったりすると、金属薄膜に電気力線
が集中する。あるいは、金属薄膜が鋭い頂点を有してお
り、その頂点が対向電極に向いていると、その頂点に電
気力線が集中する。電気力線が集中した金属薄膜の部分
の表面近傍は不平等電界が形成されるため、中性粒子で
あっても不平衡な分極を生じ、その電気力線が集中した
金属薄膜部分に引き寄せられる。従って、対象物が帯電
していない場合であっても引き寄せ効果が期待できる
し、帯電している場合は引き寄せ効果の一層の向上が望
める。
たとき、電気力線が金属薄膜の少なくとも一部分に集中
するように、金属薄膜の形状が選定されていることが望
ましい。例えば、金属薄膜が対向電極に比較して明らか
に細かったり小さかったりすると、金属薄膜に電気力線
が集中する。あるいは、金属薄膜が鋭い頂点を有してお
り、その頂点が対向電極に向いていると、その頂点に電
気力線が集中する。電気力線が集中した金属薄膜の部分
の表面近傍は不平等電界が形成されるため、中性粒子で
あっても不平衡な分極を生じ、その電気力線が集中した
金属薄膜部分に引き寄せられる。従って、対象物が帯電
していない場合であっても引き寄せ効果が期待できる
し、帯電している場合は引き寄せ効果の一層の向上が望
める。
【0010】共振角の測定後に、金属薄膜と対向電極と
の間に、対象物を引き寄せた時とは逆極性の電圧を印加
するようにしてもよい。これにより、測定後の対象物を
金属薄膜から解離させる作用が得られる。また、金属薄
膜と対向電極との間に交流電圧を印加して試料のインピ
ーダンス測定できるようにしてもよい。
の間に、対象物を引き寄せた時とは逆極性の電圧を印加
するようにしてもよい。これにより、測定後の対象物を
金属薄膜から解離させる作用が得られる。また、金属薄
膜と対向電極との間に交流電圧を印加して試料のインピ
ーダンス測定できるようにしてもよい。
【0011】対向電極の他に補助的な別の電極を設ける
こともできる。これにより、電荷を帯びた粒子の移動度
の差を利用して、粒子を分類することができる。
こともできる。これにより、電荷を帯びた粒子の移動度
の差を利用して、粒子を分類することができる。
【0012】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を添付
図面に基づいて説明する。
図面に基づいて説明する。
【0013】図1は本発明の一実施形態を示す構成図で
ある。表面プラズモン共鳴センサ装置は、光源とセンサ
チップと光検出器とを備えるが、図1ではセンサチップ
及びその周辺の部分のみを示している。
ある。表面プラズモン共鳴センサ装置は、光源とセンサ
チップと光検出器とを備えるが、図1ではセンサチップ
及びその周辺の部分のみを示している。
【0014】センサチップ1は、ガラス又はアクリルの
透明基板3と、この基板3の光反射面上に蒸着された金
属薄膜4からなり、基板3と同じ屈折率をもつ三角プリ
ズム(他の形状のプリズムでもよい)2の上にマッチン
グオイルを介して接合されている。尚、透明基板3を省
略して、三角プリズム2の表面に直接金属薄膜4を形成
してもよい。金属薄膜4の材料は金または銀であり、厚
さは約50nmである。図示しない光源からの光がプリ
ズム2を通って基板3の光反射面に入射し、ここで反射
して再びプリズム2を通り、図示しない光検出器に受光
される。光反射面では、入射光は金属薄膜4の外表面上
の高さ約100nmまでの範囲にエバネッセント波とし
て滲み出て、それから再び金属薄膜4内に入り反射光と
なる。
透明基板3と、この基板3の光反射面上に蒸着された金
属薄膜4からなり、基板3と同じ屈折率をもつ三角プリ
ズム(他の形状のプリズムでもよい)2の上にマッチン
グオイルを介して接合されている。尚、透明基板3を省
略して、三角プリズム2の表面に直接金属薄膜4を形成
してもよい。金属薄膜4の材料は金または銀であり、厚
さは約50nmである。図示しない光源からの光がプリ
ズム2を通って基板3の光反射面に入射し、ここで反射
して再びプリズム2を通り、図示しない光検出器に受光
される。光反射面では、入射光は金属薄膜4の外表面上
の高さ約100nmまでの範囲にエバネッセント波とし
て滲み出て、それから再び金属薄膜4内に入り反射光と
なる。
【0015】プリズム2は、試料(溶液)を入れるため
のセル(容器)5の底部に取り付けられており、センサ
チップ1の金属薄膜4はセル5内に臨んでいる。また、
セル5の天板7の下面には、センサチップ1の金属薄膜
4に対向して電極6が設置されている。この対向電極6
とセンサチップ1の金属薄膜4との間には、所定の直流
電圧が印加され得る。電圧極性は、例えば対向電極6が
陰極で金属薄膜4が陽極である。
のセル(容器)5の底部に取り付けられており、センサ
チップ1の金属薄膜4はセル5内に臨んでいる。また、
セル5の天板7の下面には、センサチップ1の金属薄膜
4に対向して電極6が設置されている。この対向電極6
とセンサチップ1の金属薄膜4との間には、所定の直流
電圧が印加され得る。電圧極性は、例えば対向電極6が
陰極で金属薄膜4が陽極である。
【0016】このセンサ装置の用途は例えば、血液や尿
のような試料溶液から特定の蛋白分子を検出することで
ある。金属薄膜4の外表面には、その蛋白分子を特異的
に吸着する抗体が固定されている。試料溶液がセル5内
に入れられると、試料溶液は金属薄膜4と対向電極6の
双方に接する。試料溶液内の蛋白分子は一般に知られて
いるようにマイナスの電荷を持っている。金属薄膜4と
対向電極6間に上記極性の電圧を印加すると両電極4、
6間の電界のクーロン力により、マイナス帯電の蛋白分
子は陽極たる金属薄膜4側に引き寄せられる。この結
果、金属薄膜4の近傍の蛋白分子の濃度が増加し、金属
薄膜4上の抗体に蛋白分子が良好に吸着される。従っ
て、蛋白分子を検出する感度が向上する。
のような試料溶液から特定の蛋白分子を検出することで
ある。金属薄膜4の外表面には、その蛋白分子を特異的
に吸着する抗体が固定されている。試料溶液がセル5内
に入れられると、試料溶液は金属薄膜4と対向電極6の
双方に接する。試料溶液内の蛋白分子は一般に知られて
いるようにマイナスの電荷を持っている。金属薄膜4と
対向電極6間に上記極性の電圧を印加すると両電極4、
6間の電界のクーロン力により、マイナス帯電の蛋白分
子は陽極たる金属薄膜4側に引き寄せられる。この結
果、金属薄膜4の近傍の蛋白分子の濃度が増加し、金属
薄膜4上の抗体に蛋白分子が良好に吸着される。従っ
て、蛋白分子を検出する感度が向上する。
【0017】なお、試料溶液の電気伝導率が高い場合に
は、対向電極6の表面を絶縁膜(誘電体膜)で覆っても
よい。また、検知対象が試料中でプラスに帯電している
ものである場合は、電極4、6間に印加する電圧極性を
上記と逆にする。
は、対向電極6の表面を絶縁膜(誘電体膜)で覆っても
よい。また、検知対象が試料中でプラスに帯電している
ものである場合は、電極4、6間に印加する電圧極性を
上記と逆にする。
【0018】図2は、本発明の第2の実施形態における
電極構成を示す斜視図である。センサチップ1の透明基
板3上に、表面プラズモン共振を起こす金属薄膜4と、
対向電極6とが並列に配置されており、両者間に所定極
性の直流電圧が印加され得る。金属薄膜4の表面と対向
電極6の表面とを円弧状に結ぶように電気力線ができ、
その電界によって検出対象の分子が金属薄膜4に引き寄
せられる。
電極構成を示す斜視図である。センサチップ1の透明基
板3上に、表面プラズモン共振を起こす金属薄膜4と、
対向電極6とが並列に配置されており、両者間に所定極
性の直流電圧が印加され得る。金属薄膜4の表面と対向
電極6の表面とを円弧状に結ぶように電気力線ができ、
その電界によって検出対象の分子が金属薄膜4に引き寄
せられる。
【0019】図3は、第3の実施形態における電極構成
を示す斜視図である。
を示す斜視図である。
【0020】均一でない電界中では電界強度の傾きのた
めに、中性粒子にも不平衡な分極が生じ、電界の強い方
に粒子が引き寄せられる現象が知られている。この引き
寄せ力はグラディエント力と呼ばれ、粒子の帯電の有無
に関わらず働く。
めに、中性粒子にも不平衡な分極が生じ、電界の強い方
に粒子が引き寄せられる現象が知られている。この引き
寄せ力はグラディエント力と呼ばれ、粒子の帯電の有無
に関わらず働く。
【0021】本実施形態では、セル天面7上の対向電極
6に比較して、透明基板3上の金属薄膜4は顕著に幅の
狭い形状にしている。これにより、幅広の対向電極6か
ら幅狭の金属薄膜4へ電気力線が集中するように出来る
ので、金属薄膜4の表面では不均一の強い電界が形成さ
れて、グラディエント力が働く。従って、検知対象が中
性粒子であっても、金属薄膜4に引き寄せることができ
る。
6に比較して、透明基板3上の金属薄膜4は顕著に幅の
狭い形状にしている。これにより、幅広の対向電極6か
ら幅狭の金属薄膜4へ電気力線が集中するように出来る
ので、金属薄膜4の表面では不均一の強い電界が形成さ
れて、グラディエント力が働く。従って、検知対象が中
性粒子であっても、金属薄膜4に引き寄せることができ
る。
【0022】図4は、第4の実施形態の電極構成を示
す。図2に示した実施形態と同様に透明基板3上に金属
薄膜4と対向電極6とが並列に配置されているが、対向
電極6が方形であるのに対し、金属薄膜4は三角形状で
ありその頂点4aは対向電極6へ向いている。金属薄膜
4と対向電極6間へ電圧を印加すると、金属薄膜4の頂
点4aに電気力線が集中するのでグラディエント力が働
き、中性粒子であってもこれを頂点4aに引き寄せる。
この頂点4aの部分に光が入射されて、プラズモン共振
角の測定が行われる。
す。図2に示した実施形態と同様に透明基板3上に金属
薄膜4と対向電極6とが並列に配置されているが、対向
電極6が方形であるのに対し、金属薄膜4は三角形状で
ありその頂点4aは対向電極6へ向いている。金属薄膜
4と対向電極6間へ電圧を印加すると、金属薄膜4の頂
点4aに電気力線が集中するのでグラディエント力が働
き、中性粒子であってもこれを頂点4aに引き寄せる。
この頂点4aの部分に光が入射されて、プラズモン共振
角の測定が行われる。
【0023】図5は、第5の実施形態における電極構成
を示す。透明基板3の光反射面上に三角形の金属薄膜4
と方形の対向電極6とが形成され、一方、セル5の天板
7上には方形の補助電極8が形成されている。また、図
6は、第6の実施形態における電極構成を示し、透明基
板3上に、三角形の金属薄膜4と、方形の対向電極6
と、両者を両側から挟むような一対の方形の補助電極
8、8とが配置されている。
を示す。透明基板3の光反射面上に三角形の金属薄膜4
と方形の対向電極6とが形成され、一方、セル5の天板
7上には方形の補助電極8が形成されている。また、図
6は、第6の実施形態における電極構成を示し、透明基
板3上に、三角形の金属薄膜4と、方形の対向電極6
と、両者を両側から挟むような一対の方形の補助電極
8、8とが配置されている。
【0024】図5、図6に示した電極構成では、補助電
極8を次のように利用することができる。例えば、補助
電極8を例えば塩化銀で形成し、基準電極として利用す
ることができる。あるいは、最初に補助電極8と対向電
極6の間で電界を形成して(金属薄膜4には電圧をかけ
ない)イオンなど移動度が高い物質を対向電極6と補助
電極8に捕捉し、その後、金属薄膜4にも電圧をかけ、
検出対象たる分子を金属薄膜4に引き寄せて表面プラズ
モンの共振角を測定するという利用形態もある。
極8を次のように利用することができる。例えば、補助
電極8を例えば塩化銀で形成し、基準電極として利用す
ることができる。あるいは、最初に補助電極8と対向電
極6の間で電界を形成して(金属薄膜4には電圧をかけ
ない)イオンなど移動度が高い物質を対向電極6と補助
電極8に捕捉し、その後、金属薄膜4にも電圧をかけ、
検出対象たる分子を金属薄膜4に引き寄せて表面プラズ
モンの共振角を測定するという利用形態もある。
【0025】上述した複数の実施形態によれば、検出対
象分子を金属薄膜4に引き寄せて検出感度を上げること
ができる。また、次の様な使い方により更に別の利点も
得られる。例えば、対象分子を金属薄膜4の抗体に集め
て共振角を測定した後、集めたときとは逆極性の直流電
圧を電極4、6に印加することにより、対象分子を金属
薄膜4上の抗体から解離しやすくすることができる。ま
た、例えば、電極4、6間に交流電圧を印加して溶液の
インピーダンスを測定することによって、溶液の電気伝
導度を知ることもできる。
象分子を金属薄膜4に引き寄せて検出感度を上げること
ができる。また、次の様な使い方により更に別の利点も
得られる。例えば、対象分子を金属薄膜4の抗体に集め
て共振角を測定した後、集めたときとは逆極性の直流電
圧を電極4、6に印加することにより、対象分子を金属
薄膜4上の抗体から解離しやすくすることができる。ま
た、例えば、電極4、6間に交流電圧を印加して溶液の
インピーダンスを測定することによって、溶液の電気伝
導度を知ることもできる。
【0026】
【発明の効果】本発明によれば、表面プラズモン共鳴セ
ンサ装置の感度を向上させることができる。
ンサ装置の感度を向上させることができる。
【図1】本発明の第1の実施形態のセンサチップ近傍部
分の基本構成を示す断面図である。
分の基本構成を示す断面図である。
【図2】第2の実施形態における電極構成を示す平面図
である。
である。
【図3】第3の実施形態における電極構成を示す斜視図
である。
である。
【図4】第4の実施形態における電極構成を示す平面図
である。
である。
【図5】第5の実施形態における電極構成を示す斜視図
である。
である。
【図6】第6の実施形態における電極構成を示す平面図
である。
である。
1 センサチップ 4 金属薄膜 6 対向電極 8 補助電極
Claims (11)
- 【請求項1】 表面プラズモン共鳴を生じるための金属
薄膜を有した光反射面を持つセンサチップを備えた、前
記金属薄膜と接触している試料を検査するための表面プ
ラズモン共鳴センサ装置において、 前記試料と接触する場所に設置された対向電極と、 前記金属薄膜と前記対向電極との間に直流電圧を印加す
る手段とを備えたことを特徴とする表面プラズモン共鳴
センサ装置。 - 【請求項2】 請求項1記載の装置において、前記対向
電極が前記センサチップから離れた場所に配置されてい
ることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項3】 請求項1記載の装置において、前記対向
電極が前記センサチップ上に配置されていることを特徴
とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項4】 請求項1記載の装置において、前記対向
電極が誘電体で被覆されていることを特徴とする表面プ
ラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項5】 請求項1記載の装置において、前記金属
薄膜が、電気力線の集中する部分を有することを特徴と
する表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項6】 請求項5記載の装置において、前記金属
薄膜の電気力線の集中する部分に光源からの光が入射す
ることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項7】 請求項1記載の装置において、前記直流
電圧を印加する手段が、前記直流電圧の極性を変更でき
ることを特徴とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項8】 請求項1記載の装置において、前記金属
薄膜と前記対向電極との間に交流電圧を印加して前記試
料のインピーダンスを測定するための手段を更に備えた
ことを特徴とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項9】 請求項1記載の装置において、前記試料
と接触する別の場所に設置された補助電極をさらに備え
たことを特徴とする表面プラズモン共鳴センサ装置。 - 【請求項10】 請求項1記載の装置において、前記補
助電極と前記対向電極との間に別の直流電圧を印加する
手段とをさらに備えたことを特徴とする表面プラズモン
共鳴センサ装置。 - 【請求項11】 表面プラズモン共鳴センサ装置で用い
られる、試料と接触して表面プラズモン共鳴を生じるた
めの金属薄膜を有した光反射面を持つセンサチップにお
いて、 前記試料と接触する場所に、前記金属薄膜との間で電界
を形成するための対向電極を備えたことを特徴とする表
面プラズモン共鳴センサ装置用のセンサチップ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6420996A JPH09257702A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 表面プラズモン共鳴センサ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6420996A JPH09257702A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 表面プラズモン共鳴センサ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09257702A true JPH09257702A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13251471
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6420996A Pending JPH09257702A (ja) | 1996-03-21 | 1996-03-21 | 表面プラズモン共鳴センサ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09257702A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1019769A (ja) * | 1996-04-30 | 1998-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面プラズモンセンサー |
| JPH10307104A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Shimadzu Corp | Sprセンサ |
| JP2001194295A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Ntt Advanced Technology Corp | 表面プラズモン共鳴測定用金属薄膜一体型フローセル及びその製造方法 |
| JP2006518847A (ja) * | 2003-02-12 | 2006-08-17 | イギリス国 | 粒子集合装置 |
| JP2007078488A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hokkaido Univ | 電気化学赤外分光装置 |
| US8039267B2 (en) | 2008-07-14 | 2011-10-18 | Fujifilm Corporation | Detection method, detection apparatus, and sample cell and kit for detection |
| WO2011142110A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサとその使用方法及び製造方法 |
| WO2011142118A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサと、この使用方法および製造方法 |
| DE102011085394A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse eines Fluids mittels Evaneszenzfeldspektroskopie und Dielektrophorese |
| JPWO2012046412A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2014-02-24 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサ |
| JP2018515767A (ja) * | 2015-07-29 | 2018-06-14 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 表面増強発光電界発生基体 |
-
1996
- 1996-03-21 JP JP6420996A patent/JPH09257702A/ja active Pending
Cited By (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH1019769A (ja) * | 1996-04-30 | 1998-01-23 | Fuji Photo Film Co Ltd | 表面プラズモンセンサー |
| JPH10307104A (ja) * | 1997-05-07 | 1998-11-17 | Shimadzu Corp | Sprセンサ |
| JP2001194295A (ja) * | 2000-01-11 | 2001-07-19 | Ntt Advanced Technology Corp | 表面プラズモン共鳴測定用金属薄膜一体型フローセル及びその製造方法 |
| JP2006518847A (ja) * | 2003-02-12 | 2006-08-17 | イギリス国 | 粒子集合装置 |
| JP2007078488A (ja) * | 2005-09-13 | 2007-03-29 | Hokkaido Univ | 電気化学赤外分光装置 |
| US8039267B2 (en) | 2008-07-14 | 2011-10-18 | Fujifilm Corporation | Detection method, detection apparatus, and sample cell and kit for detection |
| WO2011142110A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサとその使用方法及び製造方法 |
| WO2011142118A1 (ja) * | 2010-05-12 | 2011-11-17 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサと、この使用方法および製造方法 |
| CN102884415A (zh) * | 2010-05-12 | 2013-01-16 | 松下电器产业株式会社 | 等离激元传感器及其使用方法和制造方法 |
| JP5810267B2 (ja) * | 2010-05-12 | 2015-11-11 | パナソニックIpマネジメント株式会社 | プラズモンセンサとその使用方法及び製造方法 |
| JPWO2012046412A1 (ja) * | 2010-10-07 | 2014-02-24 | パナソニック株式会社 | プラズモンセンサ |
| DE102011085394A1 (de) * | 2011-10-28 | 2013-05-02 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Verfahren und Vorrichtung zur Analyse eines Fluids mittels Evaneszenzfeldspektroskopie und Dielektrophorese |
| DE102011085394B4 (de) * | 2011-10-28 | 2015-04-02 | INSTITUT FüR MIKROTECHNIK MAINZ GMBH | Vorrichtung zur Analyse eines Fluids mittels Evaneszenzfeldspektroskopie und Dielektrophorese |
| US9389177B2 (en) | 2011-10-28 | 2016-07-12 | Fraunhofer-Gesellschaft Zur Forderung Der Angewandten Forschung E.V. | Method and device for analysis of a fluid by means of evanescence field spectroscopy and dielectrophoresis |
| JP2018515767A (ja) * | 2015-07-29 | 2018-06-14 | ヒューレット−パッカード デベロップメント カンパニー エル.ピー.Hewlett‐Packard Development Company, L.P. | 表面増強発光電界発生基体 |
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