JPH09258200A - 液晶表示装置、およびその製造方法 - Google Patents
液晶表示装置、およびその製造方法Info
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- JPH09258200A JPH09258200A JP7158696A JP7158696A JPH09258200A JP H09258200 A JPH09258200 A JP H09258200A JP 7158696 A JP7158696 A JP 7158696A JP 7158696 A JP7158696 A JP 7158696A JP H09258200 A JPH09258200 A JP H09258200A
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- Japan
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- light
- shielding film
- liquid crystal
- insulating film
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 従来の遮光膜の遮光特性を劣化することな
く、「映り込み」を抑え、しかも液晶配向特性を劣化さ
せることのない遮光膜を使い、遮光膜の表面に不所望な
凹凸のない液晶表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子が分散してなる遮光膜上に複数層の絶縁膜を設け
る。さらに複数層のうち第１層目を低温で形成する。
く、「映り込み」を抑え、しかも液晶配向特性を劣化さ
せることのない遮光膜を使い、遮光膜の表面に不所望な
凹凸のない液晶表示装置を提供することを目的とする。 【解決手段】 絶縁体中に、少くとも金属微粒子または
半金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の
微粒子が分散してなる遮光膜上に複数層の絶縁膜を設け
る。さらに複数層のうち第１層目を低温で形成する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶表示装置、及
びその製造方法に関する。
びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】一般に、液晶表示装置にはブラックマト
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。
リックスと呼ばれる遮光膜が使用されている。この遮光
膜として、表示画素電極アレイ基板上の表示画素電極を
除いた領域上に絶縁性遮光膜のマトリックスを配置する
方法が提案されている（特開昭６３−６４０２３号公
報）。
【０００３】この場合の絶縁性遮光膜は、ポリマーに黒
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。
色染料または補色関係にある２色以上の染料を配合し黒
色化したものを配合し使用するものである。従来、スイ
ッチング素子が配置された表示画素電極アレイ基板とカ
ラーフィルタ上に形成された遮光膜を有する基板との合
わせ精度が通常４〜８μｍあるため、ブラックマトリッ
クスの開口パターンは前後合わせ精度分のマージンを見
込んで設計しなければならなかった。
【０００４】しかし、この方法によれば、これらの合わ
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。
せ精度は３００mm角以上の大基板においても従来に比べ
て１／２程度以下であるため、合わせずれによる開口率
の低下を抑えることができ、バックライト光が回り込ん
でオフ抵抗が低下するのを避けることが可能となる。
【０００５】また、他の遮光膜として、遮光膜をレジス
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。
トとして用い、このレジストとしてポリマーに染料，顔
料を分散させたものが実用化されている。また、他の遮
光膜として、スイッチング素子内の金属配線が併用して
いる場合あるいはパッシベーション層内に金属層よりな
る遮光膜を設ける場合などがある。
【０００６】しかし、この場合、導電性の金属を遮光膜
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題がある。
このため、本出願人は特願平７−７７４５１号にて、絶
縁体中に金属微粒子を分散させた遮光膜を提案した。即
ち、遮光特性を劣化することなく、映り込みを抑え、し
かも液晶配向特性を劣化することのない遮光膜が提案さ
れている。
として使用しているため、画素電極と信号線の間の容量
カップリングに基づく画素電極の変動等の問題がある。
このため、本出願人は特願平７−７７４５１号にて、絶
縁体中に金属微粒子を分散させた遮光膜を提案した。即
ち、遮光特性を劣化することなく、映り込みを抑え、し
かも液晶配向特性を劣化することのない遮光膜が提案さ
れている。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、表示画
素電極アレイ基板の下層にこの遮光膜を配置すると、そ
の後の工程で高温の処理が必要となる場合に不都合が生
じることが分かってきた。すなわち、高温の工程によ
り、遮光膜上層部に分散させた金属微粒子が異常成長
し、表面に凹凸が形成され、その上部に形成される薄膜
トランジスタの信頼性を損なう恐れがある。
素電極アレイ基板の下層にこの遮光膜を配置すると、そ
の後の工程で高温の処理が必要となる場合に不都合が生
じることが分かってきた。すなわち、高温の工程によ
り、遮光膜上層部に分散させた金属微粒子が異常成長
し、表面に凹凸が形成され、その上部に形成される薄膜
トランジスタの信頼性を損なう恐れがある。
【０００８】本発明は、上記問題点に鑑みなされたもの
で、映り込みがなく、液晶配向特性が良好で、充分な遮
光特性を有する遮光膜を使用し、かつ、薄膜トランジス
タ形成面に凹凸が生じない表示画素電極アレイ基板、強
いては良好な表示を行う液晶表示装置を提供することを
目的とする。
で、映り込みがなく、液晶配向特性が良好で、充分な遮
光特性を有する遮光膜を使用し、かつ、薄膜トランジス
タ形成面に凹凸が生じない表示画素電極アレイ基板、強
いては良好な表示を行う液晶表示装置を提供することを
目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、第１の基板
と、前記第１の基板上にマトリクス状に形成された遮光
膜と、前記遮光膜を被覆して形成された絶縁膜と、マト
リクス状に形成された前記遮光膜の交点近傍に形成され
たスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続さ
れた表示画素電極と、を有する表示画素電極アレイ基板
と、前記表示画素電極アレイ基板と対向して配置された
第２の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された
対向電極とを有する対向基板と、前記表示画素電極アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、を有
する液晶表示装置において、前記遮光膜は絶縁体中に少
なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子が分散してなり、前記
遮光膜を被覆する絶縁膜は複数層からなることを特徴と
する液晶表示装置である。
と、前記第１の基板上にマトリクス状に形成された遮光
膜と、前記遮光膜を被覆して形成された絶縁膜と、マト
リクス状に形成された前記遮光膜の交点近傍に形成され
たスイッチング素子と、前記スイッチング素子に接続さ
れた表示画素電極と、を有する表示画素電極アレイ基板
と、前記表示画素電極アレイ基板と対向して配置された
第２の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された
対向電極とを有する対向基板と、前記表示画素電極アレ
イ基板と前記対向基板との間に挟持された液晶と、を有
する液晶表示装置において、前記遮光膜は絶縁体中に少
なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１
種または２種以上の元素の微粒子が分散してなり、前記
遮光膜を被覆する絶縁膜は複数層からなることを特徴と
する液晶表示装置である。
【００１０】また本発明は、第１の基板上に、絶縁体中
に少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮
光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を形成す
る工程と、前記スイッチング素子を形成する工程と、前
記スイッチング素子に接続される表示画素電極を形成す
る工程と、を含む表示画素電極アレイ基板を形成する工
程と、第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対
向基板を形成する工程と、前記表示画素電極アレイ基板
と前記対向基板とをシール材を介して貼り合わせる工程
と、前記貼り合わされた表示画素電極と対向基板との間
隙に液晶を注入し封止する工程とを含む液晶表示装置の
製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記
遮光膜に接して形成される第１層を前記遮光膜中に分散
された微粒子の融点より低い温度で形成する第１工程を
含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
に少なくとも金属微粒子または半金属微粒子より選ばれ
た１種または２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮
光膜を形成する工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を形成す
る工程と、前記スイッチング素子を形成する工程と、前
記スイッチング素子に接続される表示画素電極を形成す
る工程と、を含む表示画素電極アレイ基板を形成する工
程と、第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対
向基板を形成する工程と、前記表示画素電極アレイ基板
と前記対向基板とをシール材を介して貼り合わせる工程
と、前記貼り合わされた表示画素電極と対向基板との間
隙に液晶を注入し封止する工程とを含む液晶表示装置の
製造方法において、前記絶縁膜を形成する工程は、前記
遮光膜に接して形成される第１層を前記遮光膜中に分散
された微粒子の融点より低い温度で形成する第１工程を
含むことを特徴とする液晶表示装置の製造方法である。
【００１１】
【発明の実施の形態】図１に本発明の他の実施例を示
す。図１は表示画素電極アレイ基板を詳細に説明した断
面図である。ガラスからなる絶縁基板１９の一主面上
に、主にＳｉＯx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−
ＳｉＯx 遮光膜）８を形成する。この遮光膜８はスパッ
タによって５０００オングストロームの厚さに堆積し、
所望の形状にエッチング加工して得られている。
す。図１は表示画素電極アレイ基板を詳細に説明した断
面図である。ガラスからなる絶縁基板１９の一主面上
に、主にＳｉＯx とＢｉ微粒子よりなる遮光膜（Ｂｉ−
ＳｉＯx 遮光膜）８を形成する。この遮光膜８はスパッ
タによって５０００オングストロームの厚さに堆積し、
所望の形状にエッチング加工して得られている。
【００１２】そして、遮光膜８を被覆するように絶縁基
板１９上に複数層から成る絶縁膜２５ａ、２５ｂを形成
する。本実施例の場合、２層とし、第１層２５ａ、第２
層２５ｂとも酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。
板１９上に複数層から成る絶縁膜２５ａ、２５ｂを形成
する。本実施例の場合、２層とし、第１層２５ａ、第２
層２５ｂとも酸窒化シリコン（ＳｉＯＮ）からなる。
【００１３】次にＩＴＯ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘ
ｉｄｅ）とＭｏ−Ｗ（モリブデン−タングステン）合金
を積層成膜し、フォトリソグラフィーによってエッチン
グ加工して、表示画素電極４と一体化したソース電極１
０及びドレイン電極１２を形成する。
ｉｄｅ）とＭｏ−Ｗ（モリブデン−タングステン）合金
を積層成膜し、フォトリソグラフィーによってエッチン
グ加工して、表示画素電極４と一体化したソース電極１
０及びドレイン電極１２を形成する。
【００１４】次に、枚葉式ＣＶＤ装置でＮ2 雰囲気中で
１５０℃に遮光膜８が形成された絶縁基板１９を加熱す
る。そして、プロセスガスとして、ＳｉＨ4 を２０ｓｃ
ｃｍ、Ｎ2 Ｏを１２０ｓｃｃｍ、Ｎ2 を４００ｓｃｃｍ
の流量とし、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２００
Ｗ、成膜圧力３Ｔｏｒｒで第１層２５ａのＳｉＯＮを３
０００オングストロームの厚さに形成する。
１５０℃に遮光膜８が形成された絶縁基板１９を加熱す
る。そして、プロセスガスとして、ＳｉＨ4 を２０ｓｃ
ｃｍ、Ｎ2 Ｏを１２０ｓｃｃｍ、Ｎ2 を４００ｓｃｃｍ
の流量とし、１３．５６ＭＨｚの高周波電力を２００
Ｗ、成膜圧力３Ｔｏｒｒで第１層２５ａのＳｉＯＮを３
０００オングストロームの厚さに形成する。
【００１５】続いて、第１層２５ａが形成された絶縁基
板１９を３３０℃に加熱し、他の条件は第１層２５ａ形
成の時と同じにして第２層２５ｂのＳｉＯＮを２０００
オングストロームの厚さに形成する。
板１９を３３０℃に加熱し、他の条件は第１層２５ａ形
成の時と同じにして第２層２５ｂのＳｉＯＮを２０００
オングストロームの厚さに形成する。
【００１６】次に、これらを覆うように、能動素子１４
としての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層１３と
してのｎ+ｐ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての膜厚
０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次積層形成する。
としての膜厚０．１μｍのａ−Ｓｉを、低抵抗層１３と
してのｎ+ｐ−Ｓｉを、ゲート絶縁膜２６としての膜厚
０．４μｍのＳｉＮx 膜を順次積層形成する。
【００１７】続いて、ＡｌとＭｏを積層し、フォトリソ
グラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５
を形成する。次に、同一パターンでＳｉＮx 膜をエッチ
ングし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出さ
せる。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマス
クとしてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらにＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを照射して結晶化させる。
グラフィーによってエッチング加工してゲート電極１５
を形成する。次に、同一パターンでＳｉＮx 膜をエッチ
ングし、ゲート電極１５のない部分にａ−Ｓｉを露出さ
せる。そして、レジスト剥離後、ゲート電極１５をマス
クとしてａ−Ｓｉ層にＰをドーピングし、さらにＸｅＣ
ｌエキシマレーザーを照射して結晶化させる。
【００１８】そして、Ｎ型多結晶シリコンを、フォトリ
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
１０とドレイン領域１２を形成する。最後に、全体を例
えばＳｉＮx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電
極部上の保護膜を除去する。
ソグラフィーによってエッチング加工して、ソース領域
１０とドレイン領域１２を形成する。最後に、全体を例
えばＳｉＮx などの保護膜２７で覆い、画素部と周辺電
極部上の保護膜を除去する。
【００１９】この時点では、ソース、ドレイン電極と同
様に表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明Ｍｏ−Ｗが乗っ
ているので、これもエッチング除去する。以上の工程に
より、本発明の液晶表示装置を得ることができる。
様に表示画素電極４はＩＴＯ上に不透明Ｍｏ−Ｗが乗っ
ているので、これもエッチング除去する。以上の工程に
より、本発明の液晶表示装置を得ることができる。
【００２０】本実施例によれば、絶縁膜を２層とし、遮
光膜に接する層である第１層２５ａを１５０℃というＢ
ｉの融点である２７０℃よりもはるかに低い温度で形成
することで、Ｂｉが異常成長する可能性がなく平坦な表
面の絶縁膜を得ることができる。さらにその上に高温で
第２層２５ｂを形成することにより絶縁性の高い絶縁膜
を形成することができる。即ち、これら第１層、第２層
を組み合わせて形成することにより、絶縁体中にＢｉ微
粒子が分散して成る遮光膜上にも平坦でかつ絶縁性の高
い絶縁膜を形成することができる。
光膜に接する層である第１層２５ａを１５０℃というＢ
ｉの融点である２７０℃よりもはるかに低い温度で形成
することで、Ｂｉが異常成長する可能性がなく平坦な表
面の絶縁膜を得ることができる。さらにその上に高温で
第２層２５ｂを形成することにより絶縁性の高い絶縁膜
を形成することができる。即ち、これら第１層、第２層
を組み合わせて形成することにより、絶縁体中にＢｉ微
粒子が分散して成る遮光膜上にも平坦でかつ絶縁性の高
い絶縁膜を形成することができる。
【００２１】また、本実施例では２層ともＳｉＯＮで形
成したが、この材質に限定されるものでなく、特にＳｉ
Ｏx は応力が小いのでガラス基板に形成した場合にガラ
ス基板が歪むということがない。また、ＳｉＮx はガラ
スから能動層への汚染を遮断する効果があることが知ら
れており、さらに能動層の下に直接ＳｉＮx が形成され
ている場合、能動層の特性の劣化が少なく非常に相性が
よいことが分かっている。これら各種材料の特性を考慮
して適宜その組み合わせを選択することができる。
成したが、この材質に限定されるものでなく、特にＳｉ
Ｏx は応力が小いのでガラス基板に形成した場合にガラ
ス基板が歪むということがない。また、ＳｉＮx はガラ
スから能動層への汚染を遮断する効果があることが知ら
れており、さらに能動層の下に直接ＳｉＮx が形成され
ている場合、能動層の特性の劣化が少なく非常に相性が
よいことが分かっている。これら各種材料の特性を考慮
して適宜その組み合わせを選択することができる。
【００２２】また、第１層を形成する温度はＢｉの融点
より低ければよいが、略２００℃以下がより好ましい。
さらに、第２層を形成する温度はＢｉの融点より高い温
度であればよいが、より絶縁性の高い膜を形成するため
には略３００℃以上が好ましい。
より低ければよいが、略２００℃以下がより好ましい。
さらに、第２層を形成する温度はＢｉの融点より高い温
度であればよいが、より絶縁性の高い膜を形成するため
には略３００℃以上が好ましい。
【００２３】また、本発明は図２に示すような多結晶シ
リコンを能動層として用いた薄膜トランジスタの表示画
素電極アレイ基板にも適用できる。絶縁基板１９上に同
様のプロセスで遮光膜８及び第１層の絶縁膜２５ａ、第
２層目の絶縁膜２５ｂが形成されている。
リコンを能動層として用いた薄膜トランジスタの表示画
素電極アレイ基板にも適用できる。絶縁基板１９上に同
様のプロセスで遮光膜８及び第１層の絶縁膜２５ａ、第
２層目の絶縁膜２５ｂが形成されている。
【００２４】さらにその上層にソース領域３０、ドレイ
ン領域３１、及びチャネル領域３２を形成する多結晶シ
リコン層が形成され、チャネル領域の上部にゲート絶縁
膜２６、ゲート電極１５が順次積層されている。
ン領域３１、及びチャネル領域３２を形成する多結晶シ
リコン層が形成され、チャネル領域の上部にゲート絶縁
膜２６、ゲート電極１５が順次積層されている。
【００２５】さらに、全面に絶縁膜３３が形成され、ソ
ース領域３０とドレイン領域３１上に開口された開口部
を介して、ソース電極１０とソース領域３０とが導通さ
れ、ドレイン電極１２とドレイン領域３１とが導通され
ている。
ース領域３０とドレイン領域３１上に開口された開口部
を介して、ソース電極１０とソース領域３０とが導通さ
れ、ドレイン電極１２とドレイン領域３１とが導通され
ている。
【００２６】そして、ソース電極１０に接続された表示
画素電極４が形成されている。このような構成の表示画
素電極アレイ基板以外でも本発明は様々な構成に適用で
きることはいうまでもない。
画素電極４が形成されている。このような構成の表示画
素電極アレイ基板以外でも本発明は様々な構成に適用で
きることはいうまでもない。
【００２７】
【発明の効果】本発明によれば、遮光膜の表面に複数層
からなる絶縁膜を形成することによって、遮光膜中の金
属微粒子の異常成長を抑えることができる。従って、遮
光膜の表面に凹凸が形成されることがなく、その上に形
成される薄膜トランジスタの信頼性が大幅に向上する。
即ち、「映り込み」がなく、液晶配向特性、及び遮光特
性が充分な遮光膜を用いて良好な表示を行う液晶表示装
置を得ることができる。
からなる絶縁膜を形成することによって、遮光膜中の金
属微粒子の異常成長を抑えることができる。従って、遮
光膜の表面に凹凸が形成されることがなく、その上に形
成される薄膜トランジスタの信頼性が大幅に向上する。
即ち、「映り込み」がなく、液晶配向特性、及び遮光特
性が充分な遮光膜を用いて良好な表示を行う液晶表示装
置を得ることができる。
【図１】 本発明の一実施例における液晶表示装置の表
示画素電極アレイ基板の断面図である。
示画素電極アレイ基板の断面図である。
【図２】 本発明の別の実施例における液晶表示装置の
表示画素電極アレイ基板である。
表示画素電極アレイ基板である。
４…表示画素電極 ８…遮光膜 １０…ソース電極 １２…ドレイン電極 １３…低抵抗 １４…能動層 １５…ゲート電極 １９…絶縁基板 ２５ａ、２５ｂ…絶縁膜 ２６…ゲート絶縁膜 ２７…保護膜
Claims (7)
- 【請求項１】 第１の基板と、前記第１の基板上にマト
リクス状に形成された遮光膜と、前記遮光膜を被覆して
形成された絶縁膜と、マトリクス状に形成された前記遮
光膜の交点近傍に形成されたスイッチング素子と、前記
スイッチング素子に接続された表示画素電極と、を有す
る表示画素電極アレイ基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と対向して配置された第２
の基板と、前記第２の基板の一主面上に形成された対向
電極とを有する対向基板と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板との間に挟
持された液晶と、を有する液晶表示装置において、 前記遮光膜は絶縁体中に少なくとも金属微粒子または半
金属微粒子より選ばれた１種または２種以上の元素の微
粒子が分散してなり、前記遮光膜を被覆する絶縁膜は複
数層からなることを特徴とする液晶表示装置。 - 【請求項２】 前記絶縁膜を形成する複数層は異なる材
料からなることを特徴とする請求項１記載の液晶表示装
置。 - 【請求項３】 前記絶縁膜を形成する複数層は、酸化シ
リコン、窒化シリコン、酸窒化シリコンのうちのいずれ
かからなることを特徴とする請求項１または２いずれか
記載の液晶表示装置。 - 【請求項４】 前記スイッチング素子は前記絶縁膜上に
形成され、複数層から成る前記絶縁膜の前記スイッチン
グ素子と接する層は窒化シリコンからなることを特徴と
する請求項１、２または３いずれか記載の液晶表示装
置。 - 【請求項５】 第１の基板上に、絶縁体中に少なくとも
金属微粒子または半金属微粒子より選ばれた１種または
２種以上の元素の微粒子が分散してなる遮光膜を形成す
る工程と、前記遮光膜上に絶縁膜を形成する工程と、前
記スイッチング素子を形成する工程と、前記スイッチン
グ素子に接続される表示画素電極を形成する工程と、を
含む表示画素電極アレイ基板を形成する工程と、 第２の基板上に対向電極を形成する工程を含む対向基板
を形成する工程と、 前記表示画素電極アレイ基板と前記対向基板とをシール
材を介して貼り合わせる工程と、前記貼り合わされた表
示画素電極と対向基板との間隙に液晶を注入し封止する
工程とを含む液晶表示装置の製造方法において、 前記絶縁膜を形成する工程は、前記遮光膜に接して形成
される第１層を前記遮光膜中に分散された微粒子の融点
より低い温度で形成する第１工程を含むことを特徴とす
る液晶表示装置の製造方法。 - 【請求項６】 前記絶縁膜を形成する工程は、前記遮光
膜に接して形成される第１層を２７０℃以下で形成する
第１工程を含むことを特徴とする請求項５記載の液晶表
示装置の製造方法。 - 【請求項７】 前記絶縁膜を形成する工程は、前記遮光
膜に接して形成される第１層を形成する第１工程と、前
記第１層より上層となる第２層を前記第１層を形成した
温度よりも高い温度で形成する第２工程とを含むことを
特徴とする請求項５または６いずれか記載の液晶表示装
置の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158696A JPH09258200A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP7158696A JPH09258200A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09258200A true JPH09258200A (ja) | 1997-10-03 |
Family
ID=13464943
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP7158696A Pending JPH09258200A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 液晶表示装置、およびその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09258200A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6567136B1 (en) | 1998-12-14 | 2003-05-20 | Nec Corporation | Liquid crystal display device |
| CN107452758A (zh) * | 2017-08-08 | 2017-12-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板及其制造方法和显示装置 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP7158696A patent/JPH09258200A/ja active Pending
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| US10566350B2 (en) | 2017-08-08 | 2020-02-18 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display substrate, method of manufacturing the same and display device |
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