JPH09260359A - ドライエッチング方法 - Google Patents
ドライエッチング方法Info
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- JPH09260359A JPH09260359A JP8071594A JP7159496A JPH09260359A JP H09260359 A JPH09260359 A JP H09260359A JP 8071594 A JP8071594 A JP 8071594A JP 7159496 A JP7159496 A JP 7159496A JP H09260359 A JPH09260359 A JP H09260359A
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- Japan
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- gas
- etching
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- etched
- etching method
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 一般的で安価で比較的扱い易いエッチングガ
スを使用し、高融点金属材料のエッチングすべき部分に
集中して選択的に異方向性で高速でエッチングするドラ
イエッチング方法の提供。 【解決手段】 真空ポンプ１８で減圧している真空チャ
ンバー１０内にエッチングガス１７を供給し、真空チャ
ンバー１内に設置されている上下電極１１、１２間に高
周波電圧またはパルス電圧１５を印加してエッチングガ
スをプラズマ化し、レジストマスクを施されて真空チャ
ンバー１０内に配置されている基板上の高融点金属材料
の被エッチング物１９を前記プラズマ化したエッチング
ガス１６でエッチングするドライエッチング方法におい
て、前記エッチングガス１７は、ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2
ガスとの混合ガスであることを特徴とする。
スを使用し、高融点金属材料のエッチングすべき部分に
集中して選択的に異方向性で高速でエッチングするドラ
イエッチング方法の提供。 【解決手段】 真空ポンプ１８で減圧している真空チャ
ンバー１０内にエッチングガス１７を供給し、真空チャ
ンバー１内に設置されている上下電極１１、１２間に高
周波電圧またはパルス電圧１５を印加してエッチングガ
スをプラズマ化し、レジストマスクを施されて真空チャ
ンバー１０内に配置されている基板上の高融点金属材料
の被エッチング物１９を前記プラズマ化したエッチング
ガス１６でエッチングするドライエッチング方法におい
て、前記エッチングガス１７は、ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2
ガスとの混合ガスであることを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、主に半導体や液晶
等の薄膜デバイスに使用されるＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高
融点金属材料を、有機フォトレジスト等のレジストマス
クでマスクし、プラズマ化されたエッチングガスでエッ
チングするドライエッチング方法に関するものである。
等の薄膜デバイスに使用されるＮｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高
融点金属材料を、有機フォトレジスト等のレジストマス
クでマスクし、プラズマ化されたエッチングガスでエッ
チングするドライエッチング方法に関するものである。
【０００２】
【発明の属する技術分野】近年、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の
高融点金属材料が、半導体、液晶等の薄膜デバイスにお
いて、主に配線材料として使用されている。そして、こ
れらの材料の加工には、これらの材料を有機フォトレジ
ストでマスキングし、マスキングされていない不必要な
部分を、プラズマ化したエッチングガスでエッチングし
て除去するドライエッチング方法が使用されている。
高融点金属材料が、半導体、液晶等の薄膜デバイスにお
いて、主に配線材料として使用されている。そして、こ
れらの材料の加工には、これらの材料を有機フォトレジ
ストでマスキングし、マスキングされていない不必要な
部分を、プラズマ化したエッチングガスでエッチングし
て除去するドライエッチング方法が使用されている。
【０００３】先ず、高融点金属材料のドライエッチング
に使用するドライエッチング装置を図３に基づいて説明
する。
に使用するドライエッチング装置を図３に基づいて説明
する。
【０００４】図３において、ドライエッチング装置は、
真空チャンバー１０内に上部電極１１と下部電極１２と
が配置されており、下部電極１２は水循環式温度制御手
段１３によって一定温度に保たれている。又、下部電極
１２には、インピーダンス整合回路１４を介して高周波
電源１５が接続されており、前記両電極間に前記高周波
電源１５からの高周波電圧を印加することにより真空チ
ャンバー１０内にプラズマ１６を発生させ、発生したプ
ラズマ１６により、下部電極１２上に置かれた被エッチ
ング物１９をドライエッチングする。尚、高周波電源１
５はパルス電源にすることもある。
真空チャンバー１０内に上部電極１１と下部電極１２と
が配置されており、下部電極１２は水循環式温度制御手
段１３によって一定温度に保たれている。又、下部電極
１２には、インピーダンス整合回路１４を介して高周波
電源１５が接続されており、前記両電極間に前記高周波
電源１５からの高周波電圧を印加することにより真空チ
ャンバー１０内にプラズマ１６を発生させ、発生したプ
ラズマ１６により、下部電極１２上に置かれた被エッチ
ング物１９をドライエッチングする。尚、高周波電源１
５はパルス電源にすることもある。
【０００５】真空チャンバー１０内には、エッチングガ
スがマスフローコントローラー１７を通して導入され、
排気系１８の作用により真空チャンバー１０内の圧力が
適正に維持される。
スがマスフローコントローラー１７を通して導入され、
排気系１８の作用により真空チャンバー１０内の圧力が
適正に維持される。
【０００６】次に、ドライエッチング方法の従来例を説
明する。
明する。
【０００７】ドライエッチング方法の従来例では、Ｎ
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属材料をドライエッチング
する場合、ＳＦ6 やＳＦ4 等のフッ素を含むエッチング
ガス単体を用いて、或いは、これに酸素を添加した混合
エッチングガスを用いて、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ等のフッ化
物を生成してドライエッチングしている。
ｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属材料をドライエッチング
する場合、ＳＦ6 やＳＦ4 等のフッ素を含むエッチング
ガス単体を用いて、或いは、これに酸素を添加した混合
エッチングガスを用いて、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ等のフッ化
物を生成してドライエッチングしている。
【０００８】最近では、特公平２−５５５０８号公報に
記載のように、エッチングガスとして、ＣＩＦ、ＣｌＦ
3 、ＣｌＦ5 を使用してエッチングレートの向上を図っ
ているものがある。
記載のように、エッチングガスとして、ＣＩＦ、ＣｌＦ
3 、ＣｌＦ5 を使用してエッチングレートの向上を図っ
ているものがある。
【０００９】
【発明が解決しようとする課題】しかし、上記の従来例
の構成では、フッ素ラジカルによりエッチングが等方向
的に進行するので、望ましい方向にドライエッチングす
る異方向性エッチングが得られないという問題点があ
る。
の構成では、フッ素ラジカルによりエッチングが等方向
的に進行するので、望ましい方向にドライエッチングす
る異方向性エッチングが得られないという問題点があ
る。
【００１０】又、従来例のエッチングガスは、有機フォ
トレジストに対してのエッチング作用が大で高融点金属
対有機フォトレジスト選択比が低くなるという問題点が
ある。
トレジストに対してのエッチング作用が大で高融点金属
対有機フォトレジスト選択比が低くなるという問題点が
ある。
【００１１】又、ＣｌＦ3 ガス等はＣｌ2 ガス以上に活
性度が高く、取扱いに細心の注意が必要であり、且つ、
高価であるという問題点がある。
性度が高く、取扱いに細心の注意が必要であり、且つ、
高価であるという問題点がある。
【００１２】本発明は、上記の従来例の問題点を解決し
たドライエッチング方法の提供を課題とする。
たドライエッチング方法の提供を課題とする。
【００１３】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の課題を
解決するために、真空ポンプで減圧している真空チャン
バー内にエッチングガスを供給し、前記真空チャンバー
内に設置されている上下の電極間に高周波電圧またはパ
ルス電圧を印加して前記エッチングガスをプラズマ化
し、レジストマスクを施されて前記真空チャンバー内に
配置されている高融点金属材料に被エッチング物を前記
プラズマ化したエッチングガスでエッチングするドライ
エッチング方法において、前記エッチングガスは、ＣＨ
Ｆ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガスであることを特徴と
する。
解決するために、真空ポンプで減圧している真空チャン
バー内にエッチングガスを供給し、前記真空チャンバー
内に設置されている上下の電極間に高周波電圧またはパ
ルス電圧を印加して前記エッチングガスをプラズマ化
し、レジストマスクを施されて前記真空チャンバー内に
配置されている高融点金属材料に被エッチング物を前記
プラズマ化したエッチングガスでエッチングするドライ
エッチング方法において、前記エッチングガスは、ＣＨ
Ｆ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガスであることを特徴と
する。
【００１４】又、本発明のドライエッチング方法は、上
記の課題を解決するために、被エッチング物が、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏのいずれかの場合に適用すると好適である。
記の課題を解決するために、被エッチング物が、Ｎｂ、
Ｔａ、Ｍｏのいずれかの場合に適用すると好適である。
【００１５】又、本発明のドライエッチング方法は、上
記の課題を解決するために、レジストマスクが有機フォ
トレジストである場合に適用すると好適である。
記の課題を解決するために、レジストマスクが有機フォ
トレジストである場合に適用すると好適である。
【００１６】又、本発明のドライエッチング方法は、上
記の課題を解決するために、ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガス
との混合ガスにおけるＣｌ2 ガスの混合比率は、容積％
で３０％以上９０％以下であることが望ましく、特に４
０％以上７０％以下であることが最適である。
記の課題を解決するために、ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガス
との混合ガスにおけるＣｌ2 ガスの混合比率は、容積％
で３０％以上９０％以下であることが望ましく、特に４
０％以上７０％以下であることが最適である。
【００１７】上記のように、本発明は、ＣＨＦ3 ガスと
Ｃｌ2 ガスとの混合ガスをエッチングガスとして使用す
るこにより、ＣＨＦ3 ガス中のＦとＣｌ2 ガス中のＣｌ
とにより、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属をハロゲン
化してＮｂＦX 、ＴａＦX 、ＭｏＦX 、ＮｂＣｌX 、Ｔ
ａＣｌX 、ＭｏＣｌX 等を生成することによりＮｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ等を高速でエッチング除去すると同時に、ＣＨ
Ｆ3 により有機ポリマーを生成しレジストマスクの表面
等にＣ、Ｈ、Ｆ等で構成される有機ポリマー保護膜を形
成する。この有機ポリマー保護膜は、これによって被覆
されるレジストマスクや被エッチング物のエッチング凹
部側面をエッチング除去から保護する（図２参照）。
Ｃｌ2 ガスとの混合ガスをエッチングガスとして使用す
るこにより、ＣＨＦ3 ガス中のＦとＣｌ2 ガス中のＣｌ
とにより、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏ等の高融点金属をハロゲン
化してＮｂＦX 、ＴａＦX 、ＭｏＦX 、ＮｂＣｌX 、Ｔ
ａＣｌX 、ＭｏＣｌX 等を生成することによりＮｂ、Ｔ
ａ、Ｍｏ等を高速でエッチング除去すると同時に、ＣＨ
Ｆ3 により有機ポリマーを生成しレジストマスクの表面
等にＣ、Ｈ、Ｆ等で構成される有機ポリマー保護膜を形
成する。この有機ポリマー保護膜は、これによって被覆
されるレジストマスクや被エッチング物のエッチング凹
部側面をエッチング除去から保護する（図２参照）。
【００１８】
【発明の実施の形態】本発明のドライエッチング方法の
一実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
一実施の形態を図１〜図３に基づいて説明する。
【００１９】本実施の形態が使用するドライエッチング
装置は、図３に示すものを用いるがその説明はすでに述
べているので省略する。またエッチングガスとして、Ｃ
ＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガスを使用し、被エッ
チング物として有機フォトレジストでマスキングされた
Ｎｂ（高融点金属材料）を選定している。
装置は、図３に示すものを用いるがその説明はすでに述
べているので省略する。またエッチングガスとして、Ｃ
ＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガスを使用し、被エッ
チング物として有機フォトレジストでマスキングされた
Ｎｂ（高融点金属材料）を選定している。
【００２０】ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合エッチ
ングガスは、（１）ＣＨＦ3 中のＦとＣｌ2 ガス中のＣ
ｌとにより高融点金属材料をハロゲン化して高速にドラ
イエッチングし、（２）ＣＨＦ3 ガスはＣ、Ｈを含んで
いるので、ＣＨＦ3 から分解・生成されたＣ、Ｈ、Ｆを
含む有機ポリマーが、レジストマスク表面や高融点金属
材料（Ｎｂ）表面に付着し、保護膜を形成するという２
つの作用を有する。
ングガスは、（１）ＣＨＦ3 中のＦとＣｌ2 ガス中のＣ
ｌとにより高融点金属材料をハロゲン化して高速にドラ
イエッチングし、（２）ＣＨＦ3 ガスはＣ、Ｈを含んで
いるので、ＣＨＦ3 から分解・生成されたＣ、Ｈ、Ｆを
含む有機ポリマーが、レジストマスク表面や高融点金属
材料（Ｎｂ）表面に付着し、保護膜を形成するという２
つの作用を有する。
【００２１】図１に、ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混
合比と、Ｎｂに対するエッチングレートおよびＮｂ対有
機フォトレジスト選択比との関係を示す。図１におい
て、混合比率は容積％であり、Ｎｂ対有機フォトレジス
ト選択比＝（Ｎｂのエッチングレート）／（有機フォト
レジストのエッチングレート）である。
合比と、Ｎｂに対するエッチングレートおよびＮｂ対有
機フォトレジスト選択比との関係を示す。図１におい
て、混合比率は容積％であり、Ｎｂ対有機フォトレジス
ト選択比＝（Ｎｂのエッチングレート）／（有機フォト
レジストのエッチングレート）である。
【００２２】図１のＮｂエッチングレート（ｎｍ／分）
とＮｂ対有機フォトレジスト選択比とから、次のことが
判る。
とＮｂ対有機フォトレジスト選択比とから、次のことが
判る。
【００２３】１．ＣＨＦ3 ガス単体ではＮｂをエッチン
グする作用がないが、Ｃｌ2 ガスを添加するとエッチン
グが進行し、Ｃｌ2 ガスの混合比率の増加に従ってエッ
チングレートが大きくなり、Ｃｌ2 ガスの混合比率が５
０％近傍から、エッチングレートの増加率が小さくな
る。
グする作用がないが、Ｃｌ2 ガスを添加するとエッチン
グが進行し、Ｃｌ2 ガスの混合比率の増加に従ってエッ
チングレートが大きくなり、Ｃｌ2 ガスの混合比率が５
０％近傍から、エッチングレートの増加率が小さくな
る。
【００２４】２．ＣＨＦ3 ガス単体ではＮｂ対有機フォ
トレジスト選択比は０であり、Ｃｌ2 ガスを添加すると
前記選択比が増加し、Ｃｌ2 ガスの混合比率の増加に従
って前記選択比が大きくなるが、Ｃｌ2 ガスの混合比率
が５０％近傍から、前記選択比が減少し始める。
トレジスト選択比は０であり、Ｃｌ2 ガスを添加すると
前記選択比が増加し、Ｃｌ2 ガスの混合比率の増加に従
って前記選択比が大きくなるが、Ｃｌ2 ガスの混合比率
が５０％近傍から、前記選択比が減少し始める。
【００２５】次に、上記１．２．により推定できること
がらを図２に基づいて説明する。
がらを図２に基づいて説明する。
【００２６】図２において、１は基板、２はＮｂの高融
点金属材料、３はエッチングする前のＮｂの高融点金属
材料２の表面、４は有機フォトレジストである。
点金属材料、３はエッチングする前のＮｂの高融点金属
材料２の表面、４は有機フォトレジストである。
【００２７】そして、Ｃｌ2 ガス中のＣｌはＮｂＣｌX
として、ＣＨＦ3 ガス中のＦラジカルはＮｂＦX として
Ｎｂ（高融点金属材料）２をハロゲン化して除去すると
同時に、ＣＨＦ3 から分解・生成されたＣ、Ｈ、Ｆを含
む有機ポリマーが有機フォトレジスト４の表面やＮｂ
（高融点金属材料）２の表面に付着し、有機ポリマー保
護膜５を形成する。
として、ＣＨＦ3 ガス中のＦラジカルはＮｂＦX として
Ｎｂ（高融点金属材料）２をハロゲン化して除去すると
同時に、ＣＨＦ3 から分解・生成されたＣ、Ｈ、Ｆを含
む有機ポリマーが有機フォトレジスト４の表面やＮｂ
（高融点金属材料）２の表面に付着し、有機ポリマー保
護膜５を形成する。
【００２８】前記有機ポリマー保護膜５は、有機フォト
レジスト４の頂面、側面に付着して、これを保護すると
共に、エッチングされて凹部となっているＮｂ（高融点
金属材料）２の凹部側面に付着する。前記凹部の底面は
ドライエッチング時の除去作用によって、有機ポリマー
保護膜５はほとんど形成されない。
レジスト４の頂面、側面に付着して、これを保護すると
共に、エッチングされて凹部となっているＮｂ（高融点
金属材料）２の凹部側面に付着する。前記凹部の底面は
ドライエッチング時の除去作用によって、有機ポリマー
保護膜５はほとんど形成されない。
【００２９】一方、図１に示すように、混合エッチング
ガスはその混合比率によって作用の傾向が異なるので、
その混合比率を目的に合わせて選択すれば、望ましいド
ライエッチングを行うことができる。
ガスはその混合比率によって作用の傾向が異なるので、
その混合比率を目的に合わせて選択すれば、望ましいド
ライエッチングを行うことができる。
【００３０】例えば、図１に示すように、Ｃｌ2 ガス混
合比率が５０％近傍においては、Ｎｂエッチングレート
が大きく、Ｎｂ対有機フォトレジスト選択比が大きいの
で、混合エッチングガスは、有機フォトレジスト４の約
１０倍でＮｂ（高融点金属材料）２のエッチングすべき
部分に集中してエッチングが進行し、高速エッチングす
ることができる。この場合、Ｃｌ2 ガス混合比率の最適
比率は４０％〜７０％であるが、実用可能な混合比率は
３０％〜９０％である。
合比率が５０％近傍においては、Ｎｂエッチングレート
が大きく、Ｎｂ対有機フォトレジスト選択比が大きいの
で、混合エッチングガスは、有機フォトレジスト４の約
１０倍でＮｂ（高融点金属材料）２のエッチングすべき
部分に集中してエッチングが進行し、高速エッチングす
ることができる。この場合、Ｃｌ2 ガス混合比率の最適
比率は４０％〜７０％であるが、実用可能な混合比率は
３０％〜９０％である。
【００３１】又、有機ポリマー保護膜５は、有機フォト
レジスト４の頂面、側面に付着して、これを保護するの
で、従来からエッチングガスでドライエッチングされて
信頼性が低いとされている有機フォトレジスト４を信頼
性良く使用できる。
レジスト４の頂面、側面に付着して、これを保護するの
で、従来からエッチングガスでドライエッチングされて
信頼性が低いとされている有機フォトレジスト４を信頼
性良く使用できる。
【００３２】又、有機ポリマー保護膜５は、エッチング
されて凹部となっているＮｂ（高融点金属材料）２の凹
部側面のみならず、底面にも付着すると考えられるが、
底面については、印加される高電圧の方向に直角に対向
しているのでエッチング作用が強くて有機ポリマー保護
膜５の形成がほとんどなく、図１に示すように大きなＮ
ｂエッチングレートが得られる。これに対して、側面の
エッチングについては、印加される高電圧の方向に平行
であるのでエッチング作用が弱くて有機ポリマー保護膜
５の保護効果が認められ、横方向のエッチングを抑える
ことができる。従って、エッチングされて凹部となって
いるＮｂ（高融点金属材料）２の底面を主体にエッチン
グし、凹部側面のエッチングが少ない異方向性エッチン
グが可能になる。
されて凹部となっているＮｂ（高融点金属材料）２の凹
部側面のみならず、底面にも付着すると考えられるが、
底面については、印加される高電圧の方向に直角に対向
しているのでエッチング作用が強くて有機ポリマー保護
膜５の形成がほとんどなく、図１に示すように大きなＮ
ｂエッチングレートが得られる。これに対して、側面の
エッチングについては、印加される高電圧の方向に平行
であるのでエッチング作用が弱くて有機ポリマー保護膜
５の保護効果が認められ、横方向のエッチングを抑える
ことができる。従って、エッチングされて凹部となって
いるＮｂ（高融点金属材料）２の底面を主体にエッチン
グし、凹部側面のエッチングが少ない異方向性エッチン
グが可能になる。
【００３３】尚、本実施の形態では、レジストマスクに
有機フォトレジストを使用したが、他のレジストマスク
でも同様の結果が得られる。
有機フォトレジストを使用したが、他のレジストマスク
でも同様の結果が得られる。
【００３４】
【発明の効果】本発明のドライエッチング方法によれ
ば、高融点金属材料のエッチングすべき部分に集中して
選択的に異方向性で高速なドライエッチングを行うこと
ができる。
ば、高融点金属材料のエッチングすべき部分に集中して
選択的に異方向性で高速なドライエッチングを行うこと
ができる。
【図１】本発明のドライエッチング方法の一実施の形態
におけるＣＨＦ3 ガスとＣｌ2ガスとの混合ガスにおけ
るＣｌ2 ガス混合比率に対するＮｂエッチングレートと
Ｎｂ対有機フォトレジスト選択比とを示す図である。
におけるＣＨＦ3 ガスとＣｌ2ガスとの混合ガスにおけ
るＣｌ2 ガス混合比率に対するＮｂエッチングレートと
Ｎｂ対有機フォトレジスト選択比とを示す図である。
【図２】本発明のドライエッチング方法の一実施の形態
におけるドライエッチング反応メカニズムを示す模式図
である。
におけるドライエッチング反応メカニズムを示す模式図
である。
【図３】ドライエッチング装置の構成を示す模式図であ
る。
る。
１ 基板 ２ 高融点金属材料 ３ エッチングする前の高融点金属材料の表面 ４ 有機フォトレジスト ５ 有機ポリマー保護膜 １０ 真空チャンバー １１ 上部電極 １２ 下部電極 １３ 水循環式温度調節手段 １４ インピーダンス整合回路 １５ 高周波電源 １６ プラズマ １７ マスフローコントローラ １８ 排気系
Claims (5)
- 【請求項１】 真空ポンプで減圧している真空チャンバ
ー内にエッチングガスを供給し、前記真空チャンバー内
に設置されている上下の電極間に高周波電圧またはパル
ス電圧を印加して前記エッチングガスをプラズマ化し、
レジストマスクを施されて前記真空チャンバー内に配置
されている高融点金属材料の被エッチング物を前記プラ
ズマ化したエッチングガスでエッチングするドライエッ
チング方法において、前記エッチングガスは、ＣＨＦ3
ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガスであることを特徴とする
ドライエッチング方法。 - 【請求項２】 被エッチング物は、Ｎｂ、Ｔａ、Ｍｏの
いずれかである請求項１に記載のドライエッチング方
法。 - 【請求項３】 レジストマスクは有機フォトレジストで
ある請求項１又は２に記載のドライエッチング方法。 - 【請求項４】 ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガス
におけるＣｌ2 ガスの混合比率は、容積％で３０％以上
９０％以下である請求項１、２又は３に記載のドライエ
ッチング方法。 - 【請求項５】 ＣＨＦ3 ガスとＣｌ2 ガスとの混合ガス
におけるＣｌ2 ガスの混合比率は、容積％で４０％以上
７０％以下である請求項４に記載のドライエッチング方
法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07159496A JP3371055B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | ドライエッチング方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07159496A JP3371055B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | ドライエッチング方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09260359A true JPH09260359A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3371055B2 JP3371055B2 (ja) | 2003-01-27 |
Family
ID=13465157
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07159496A Expired - Fee Related JP3371055B2 (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | ドライエッチング方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3371055B2 (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218196B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching apparatus, etching method, manufacturing method of a semiconductor device, and semiconductor device |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP07159496A patent/JP3371055B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6218196B1 (en) | 1998-05-06 | 2001-04-17 | Mitsubishi Denki Kabushiki Kaisha | Etching apparatus, etching method, manufacturing method of a semiconductor device, and semiconductor device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3371055B2 (ja) | 2003-01-27 |
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