JPH09261002A - 弾性表面波フィルタ装置、弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及び弾性表面波素子 - Google Patents
弾性表面波フィルタ装置、弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及び弾性表面波素子Info
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- JPH09261002A JPH09261002A JP7041896A JP7041896A JPH09261002A JP H09261002 A JPH09261002 A JP H09261002A JP 7041896 A JP7041896 A JP 7041896A JP 7041896 A JP7041896 A JP 7041896A JP H09261002 A JPH09261002 A JP H09261002A
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- surface acoustic
- piezoelectric substrate
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 本来のフィルタ特性を維持したまま高減衰領
域を通過帯域の低域側の所望の点に設定すること。 【解決手段】 並列椀に接続された弾性表面波共振子１
２ｄ、１２ｅが共通接続された一端と基準電位（１５
ｄ）との間には、ボンディングワイヤー１６ｄによるイ
ンダクタンス成分とボンディングパッド部が基準電位と
の間で有するキャパシタンス成分Ｃとが並列に介挿され
る。これにより、通過帯域の拡大を抑えつつ、つまり本
来のフィルタ特性を維持したまま高減衰領域を通過帯域
の低域側の所望の点に設定することができる。
域を通過帯域の低域側の所望の点に設定すること。 【解決手段】 並列椀に接続された弾性表面波共振子１
２ｄ、１２ｅが共通接続された一端と基準電位（１５
ｄ）との間には、ボンディングワイヤー１６ｄによるイ
ンダクタンス成分とボンディングパッド部が基準電位と
の間で有するキャパシタンス成分Ｃとが並列に介挿され
る。これにより、通過帯域の拡大を抑えつつ、つまり本
来のフィルタ特性を維持したまま高減衰領域を通過帯域
の低域側の所望の点に設定することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、例えばコードレス
電話や移動体通信等の機器に使われる弾性表面波フィル
タ装置、その弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域
の設定方法及び弾性表面波素子に関する。
電話や移動体通信等の機器に使われる弾性表面波フィル
タ装置、その弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域
の設定方法及び弾性表面波素子に関する。
【０００２】
【従来の技術】コードレス電話用やその他の移動帯通信
用に用いられる弾性表面波フィルタの構成としては、共
振子を梯子状に接続したラダー型、ＩＤＴ（Inter Digi
tal Transduser）を複数並べたＩＩＤＴ（Interdigitat
ed, Inter Digital Transduser）型、数個のＩＤＴを両
側で反射器ではさんだ共振子型等が用いられている。帯
域外抑圧度を重視した場合やフィルタの入出力インピー
ダンスを50Ωに合わせたいような場合には、共振子型フ
ィルタが用いられることが多い。
用に用いられる弾性表面波フィルタの構成としては、共
振子を梯子状に接続したラダー型、ＩＤＴ（Inter Digi
tal Transduser）を複数並べたＩＩＤＴ（Interdigitat
ed, Inter Digital Transduser）型、数個のＩＤＴを両
側で反射器ではさんだ共振子型等が用いられている。帯
域外抑圧度を重視した場合やフィルタの入出力インピー
ダンスを50Ωに合わせたいような場合には、共振子型フ
ィルタが用いられることが多い。
【０００３】図１３に従来の共振子型フィルタの概略図
を示す。
を示す。
【０００４】同図に示す共振子型フィルタ１ａ、１ｂ
は、３対のトランスジューサ２ａ、２ｂ、２ｃの両側に
グレーティング反射器３ａ、３ｂを設けてなる。ここで
は、帯域外減衰量を向上させるため鏡面対称に２つの共
振子型フィルタ１ａ、１ｂを接続している。
は、３対のトランスジューサ２ａ、２ｂ、２ｃの両側に
グレーティング反射器３ａ、３ｂを設けてなる。ここで
は、帯域外減衰量を向上させるため鏡面対称に２つの共
振子型フィルタ１ａ、１ｂを接続している。
【０００５】移動体通信用フィルタは、受送信の両方に
おいて必要とされる。また、受送信の両方には、それぞ
れ通過帯域近傍に抑止帯がある。抑止帯では、周波数特
性として高減衰量が要求される。その上、携帯電話等の
システム自体の小型化、低消費電力化のため、移動体通
信用フィルタはさらに通過帯域内で低損失であることが
強く要求されるようになってきた。そのため、図１３に
示した２段接続の共振子型フィルタでは、図１４に示す
ように通過帯域外減衰量は良好とはいえ、通過帯域内損
失が劣るという欠点があった。
おいて必要とされる。また、受送信の両方には、それぞ
れ通過帯域近傍に抑止帯がある。抑止帯では、周波数特
性として高減衰量が要求される。その上、携帯電話等の
システム自体の小型化、低消費電力化のため、移動体通
信用フィルタはさらに通過帯域内で低損失であることが
強く要求されるようになってきた。そのため、図１３に
示した２段接続の共振子型フィルタでは、図１４に示す
ように通過帯域外減衰量は良好とはいえ、通過帯域内損
失が劣るという欠点があった。
【０００６】低損失の通過帯域内特性を実現したフィル
タとして、梯子状に弾性表面波共振子を接続してなるラ
ダー型の共振子型フィルタがある。
タとして、梯子状に弾性表面波共振子を接続してなるラ
ダー型の共振子型フィルタがある。
【０００７】図１５にこのラダー型の共振子型フィルタ
の構成を示す。
の構成を示す。
【０００８】同図に示すフィルタは、入力端子４ａと出
力端子４ｂとの間に導体パターン４ｃを介して２つの弾
性表面波共振子５ａ、５ｂを直列椀に接続し、入力端子
４ａとグランドとの接続部４ｄとの間に弾性表面波共振
子５ｃを介挿し、導体パターン４ｃとグランドとの接続
部４ｅとの間に弾性表面波共振子５ｄを介挿し、出力端
子４ｂとグランドとの接続部４ｆとの間に弾性表面波共
振子５ｅを介挿してなるものである。接続部４ｄ〜４ｅ
はそれぞれ外囲器のグランド端子（図示を省略）に接続
される。ここで、弾性表面波共振子５ｃ、５ｄ、５ｅは
並列椀に接続されている事になる。
力端子４ｂとの間に導体パターン４ｃを介して２つの弾
性表面波共振子５ａ、５ｂを直列椀に接続し、入力端子
４ａとグランドとの接続部４ｄとの間に弾性表面波共振
子５ｃを介挿し、導体パターン４ｃとグランドとの接続
部４ｅとの間に弾性表面波共振子５ｄを介挿し、出力端
子４ｂとグランドとの接続部４ｆとの間に弾性表面波共
振子５ｅを介挿してなるものである。接続部４ｄ〜４ｅ
はそれぞれ外囲器のグランド端子（図示を省略）に接続
される。ここで、弾性表面波共振子５ｃ、５ｄ、５ｅは
並列椀に接続されている事になる。
【０００９】しかし、このラダー型の共振子型フィルタ
では、図１６に示した周波数特性に示すように、帯域
近傍に鋭い高減衰領域（ノッチ）をもたせることは容易
であるが、帯域外のある程度広い周波数範囲で高減衰量
を得るのは難しく、特に図１３に示した共振子型フィル
タと比較した場合に通過帯域の低域側の帯域外での減衰
量が大きく劣るという欠点があった。
では、図１６に示した周波数特性に示すように、帯域
近傍に鋭い高減衰領域（ノッチ）をもたせることは容易
であるが、帯域外のある程度広い周波数範囲で高減衰量
を得るのは難しく、特に図１３に示した共振子型フィル
タと比較した場合に通過帯域の低域側の帯域外での減衰
量が大きく劣るという欠点があった。
【００１０】最近ではスプリアス信号、イメージ信号を
抑圧するため広帯域に渡って減衰量を大きく取りたいと
いう市場要求も強く、ラダー型の共振子型フィルタに関
しては帯域外減衰量の向上が強く望まれている。特に通
過帯域から比較的離れた低周波数側の一部の周波数帯に
おける高減衰量が要求される場合も増えてきている。こ
のようなラダー型構造を用いてフィルタを構成しようと
した場合において、帯域外減衰量を改善するときには、
直列椀共振子に対する並列椀共振子の容量比を大きくす
る、あるいは接続されている共振子の素子数を増やす等
の手法が一般に知られている。しかし、この場合、帯域
外減衰量の改善に伴い通過帯域幅の減少、最小挿入損失
の悪化が生じる。また、通過帯域から離れた位置にある
周波数帯において高減衰量を達成するのは難しい。
抑圧するため広帯域に渡って減衰量を大きく取りたいと
いう市場要求も強く、ラダー型の共振子型フィルタに関
しては帯域外減衰量の向上が強く望まれている。特に通
過帯域から比較的離れた低周波数側の一部の周波数帯に
おける高減衰量が要求される場合も増えてきている。こ
のようなラダー型構造を用いてフィルタを構成しようと
した場合において、帯域外減衰量を改善するときには、
直列椀共振子に対する並列椀共振子の容量比を大きくす
る、あるいは接続されている共振子の素子数を増やす等
の手法が一般に知られている。しかし、この場合、帯域
外減衰量の改善に伴い通過帯域幅の減少、最小挿入損失
の悪化が生じる。また、通過帯域から離れた位置にある
周波数帯において高減衰量を達成するのは難しい。
【００１１】通過帯域の低域側のある周波数帯において
高い減衰量を得る方法としては他に該周波数帯域に共振
周波数をもつ並列椀共振子あるいは反共振周波数をもつ
直列椀共振子を付加する方法がある。しかし、この場合
でも、弾性表面波共振子は比較的大きなＱ値を持つため
広い周波数範囲に渡り減衰を得るには、周波数をずらし
て多数の共振子を接続する必要があり、この時には通過
帯域での平坦特性を出すことも難しくなってくる。
高い減衰量を得る方法としては他に該周波数帯域に共振
周波数をもつ並列椀共振子あるいは反共振周波数をもつ
直列椀共振子を付加する方法がある。しかし、この場合
でも、弾性表面波共振子は比較的大きなＱ値を持つため
広い周波数範囲に渡り減衰を得るには、周波数をずらし
て多数の共振子を接続する必要があり、この時には通過
帯域での平坦特性を出すことも難しくなってくる。
【００１２】ラダー型の共振子型フィルタはもともと帯
域近傍には高い減衰量を持つ領域が形成される。低域の
ある周波数帯で高減衰量が必要であればこのラダー型の
本来帯域近傍に形成されている高減衰領域を低域側の所
望の点に移動させてやればよいことになる。特開平５−
１８３３８０号公報では、並列椀共振子にインダクタン
スを付加することで帯域幅を拡大し、これにより上記目
的を達成している。しかし、この方法では、帯域幅の拡
大も伴ってしまうので通過帯域近傍に減衰量が必要な領
域が存在するときは、この減衰量も損なってしまう。図
１５に示した例においてインダクタンスを付加したとき
の周波数特性を図１６で示す。また、インダクタンス
をチップ上に形成するとチップ面積増加により、フィル
タの小型化が難しくなり、さらにＱ値の高いインダクタ
ンスの形成も難しい。一方、外囲器と圧電性基板とを電
気的に接続するためのボンディングワイヤーのインダク
タンスを用いて高減衰領域を低域側の所望の点に移動さ
せることも考えられるが、この場合にはワイヤー長がフ
ィルタのパッケージサイズに制約されるため大きなＬ値
を得ることは難しく、通過帯域のごく近傍にしか高減衰
領域の移動はできない。
域近傍には高い減衰量を持つ領域が形成される。低域の
ある周波数帯で高減衰量が必要であればこのラダー型の
本来帯域近傍に形成されている高減衰領域を低域側の所
望の点に移動させてやればよいことになる。特開平５−
１８３３８０号公報では、並列椀共振子にインダクタン
スを付加することで帯域幅を拡大し、これにより上記目
的を達成している。しかし、この方法では、帯域幅の拡
大も伴ってしまうので通過帯域近傍に減衰量が必要な領
域が存在するときは、この減衰量も損なってしまう。図
１５に示した例においてインダクタンスを付加したとき
の周波数特性を図１６で示す。また、インダクタンス
をチップ上に形成するとチップ面積増加により、フィル
タの小型化が難しくなり、さらにＱ値の高いインダクタ
ンスの形成も難しい。一方、外囲器と圧電性基板とを電
気的に接続するためのボンディングワイヤーのインダク
タンスを用いて高減衰領域を低域側の所望の点に移動さ
せることも考えられるが、この場合にはワイヤー長がフ
ィルタのパッケージサイズに制約されるため大きなＬ値
を得ることは難しく、通過帯域のごく近傍にしか高減衰
領域の移動はできない。
【００１３】
【発明が解決しようとする課題】このように従来のラダ
ー型の共振子型フィルタでは、本来の特性を維持したま
ま高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点、特に通過
帯域からかなり離れたところに移動させることが難しか
った。
ー型の共振子型フィルタでは、本来の特性を維持したま
ま高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点、特に通過
帯域からかなり離れたところに移動させることが難しか
った。
【００１４】本発明の目的は、本来のフィルタ特性を維
持したまま高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点に
設定することができる弾性表面波フィルタ装置、弾性表
面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及びこれ
に用いられる弾性表面波素子を提供することにある。
持したまま高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点に
設定することができる弾性表面波フィルタ装置、弾性表
面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及びこれ
に用いられる弾性表面波素子を提供することにある。
【００１５】本発明の目的は、チップ面積を増大させる
ことなく上記の目的を達成できる弾性表面波フィルタ装
置、弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方
法及びこれに用いられる弾性表面波素子を提供すること
にある。
ことなく上記の目的を達成できる弾性表面波フィルタ装
置、弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方
法及びこれに用いられる弾性表面波素子を提供すること
にある。
【００１６】本発明の目的は、部品点数を抑えて上記の
目的を達成できる弾性表面波フィルタ装置、弾性表面波
フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及びこれに用
いられる弾性表面波素子を提供することにある。
目的を達成できる弾性表面波フィルタ装置、弾性表面波
フィルタ装置における阻止帯域の設定方法及びこれに用
いられる弾性表面波素子を提供することにある。
【００１７】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め、請求項１記載の本発明の弾性表面波フィルタ装置
は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記外囲器
上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成
され、前記基準電位に対して並列椀に接続された弾性表
面波共振子を有する共振子群と、前記圧電性基板上に形
成され、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子を共
通接続する接続部と、前記接続部と前記基準電位となる
端子とを電気的に接続する接続手段とを具備する。
め、請求項１記載の本発明の弾性表面波フィルタ装置
は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記外囲器
上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成
され、前記基準電位に対して並列椀に接続された弾性表
面波共振子を有する共振子群と、前記圧電性基板上に形
成され、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子を共
通接続する接続部と、前記接続部と前記基準電位となる
端子とを電気的に接続する接続手段とを具備する。
【００１８】本発明では、並列椀に接続された弾性表面
波共振子が共通接続された一端と基準電位との間には、
ボンディングワイヤー等の接続手段によるインダクタン
ス成分とボンディングパッド部等の接続部が基準電位と
の間で有するキャパシタンス成分とが並列に介挿され
る。これにより、通過帯域の拡大を抑えつつ、つまり本
来のフィルタ特性を維持したまま高減衰領域を通過帯域
の低域側の所望の点に設定することができる。また、特
別な素子を使うことなく上記特性を得ているので、チッ
プ面積を増大させることもなく、また部品点数を抑える
こともできる。さらに、本発明では、上記の如く構成し
た結果、ボンディングワイヤー等の本数を減らすことが
できる。
波共振子が共通接続された一端と基準電位との間には、
ボンディングワイヤー等の接続手段によるインダクタン
ス成分とボンディングパッド部等の接続部が基準電位と
の間で有するキャパシタンス成分とが並列に介挿され
る。これにより、通過帯域の拡大を抑えつつ、つまり本
来のフィルタ特性を維持したまま高減衰領域を通過帯域
の低域側の所望の点に設定することができる。また、特
別な素子を使うことなく上記特性を得ているので、チッ
プ面積を増大させることもなく、また部品点数を抑える
こともできる。さらに、本発明では、上記の如く構成し
た結果、ボンディングワイヤー等の本数を減らすことが
できる。
【００１９】請求項２記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記
外囲器上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上
に形成され、前記基準電位に対して並列椀に接続された
弾性表面波共振子を有する共振子群と、前記圧電性基板
上に形成され、前記基準電位との間でキャパシタンスを
有し、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子を共通
接続する接続部と、前記キャパシタンスと並列なインダ
クタンスを有し、前記接続部と前記基準電位となる端子
とを接続する接続手段とを具備する。
タ装置は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記
外囲器上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上
に形成され、前記基準電位に対して並列椀に接続された
弾性表面波共振子を有する共振子群と、前記圧電性基板
上に形成され、前記基準電位との間でキャパシタンスを
有し、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子を共通
接続する接続部と、前記キャパシタンスと並列なインダ
クタンスを有し、前記接続部と前記基準電位となる端子
とを接続する接続手段とを具備する。
【００２０】請求項３記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置は、請求項１または２記載の弾性表面波フィルタ
装置において、前記接続手段が、ボンディングワイヤー
であることを特徴とする。
タ装置は、請求項１または２記載の弾性表面波フィルタ
装置において、前記接続手段が、ボンディングワイヤー
であることを特徴とする。
【００２１】請求項４記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置は、請求項３記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子へのボ
ンディングワイヤーの本数が、該並列椀に接続された弾
性表面波共振子の個数よりも少ないことを特徴とする。
タ装置は、請求項３記載の弾性表面波フィルタ装置にお
いて、前記並列椀に接続された弾性表面波共振子へのボ
ンディングワイヤーの本数が、該並列椀に接続された弾
性表面波共振子の個数よりも少ないことを特徴とする。
【００２２】請求項５記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記
外囲器上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上
に形成され、前記基準電位に対して並列椀に接続された
弾性表面波共振子を含む複数の弾性表面波共振子を有す
る共振子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記基準
電位との間でキャパシタンスを有し、前記並列椀に接続
された弾性表面波共振子を共通接続するボンディングパ
ッド部と、前記キャパシタンスと並列なインダクタンス
を有し、前記ボンディングパッド部と前記基準電位とな
る端子とを接続するボンディングワイヤーとを具備す
る。
タ装置は、基準電位となる端子を有する外囲器と、前記
外囲器上に配置された圧電性基板と、前記圧電性基板上
に形成され、前記基準電位に対して並列椀に接続された
弾性表面波共振子を含む複数の弾性表面波共振子を有す
る共振子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記基準
電位との間でキャパシタンスを有し、前記並列椀に接続
された弾性表面波共振子を共通接続するボンディングパ
ッド部と、前記キャパシタンスと並列なインダクタンス
を有し、前記ボンディングパッド部と前記基準電位とな
る端子とを接続するボンディングワイヤーとを具備す
る。
【００２３】請求項６記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置における阻止帯域の設定方法は、並列椀に接続さ
れた弾性表面波共振子を有する共振子群が形成された圧
電性基板を外囲器上に配置してなる弾性表面波フィルタ
装置における阻止帯域の設定方法において、前記並列椀
に接続された弾性表面波共振子の一端をボンディングパ
ッド部に共通に接続し、前記ボンディングパッド部と前
記外囲器上に設けられた基準電位端子とをボンディング
ワイヤーにより接続し、前記ボンディングパッド部が有
するリアクタンス成分と前記ボンディングワイヤーが有
するインダクタンス成分とにより阻止帯域を設定するこ
とを特徴とする。
タ装置における阻止帯域の設定方法は、並列椀に接続さ
れた弾性表面波共振子を有する共振子群が形成された圧
電性基板を外囲器上に配置してなる弾性表面波フィルタ
装置における阻止帯域の設定方法において、前記並列椀
に接続された弾性表面波共振子の一端をボンディングパ
ッド部に共通に接続し、前記ボンディングパッド部と前
記外囲器上に設けられた基準電位端子とをボンディング
ワイヤーにより接続し、前記ボンディングパッド部が有
するリアクタンス成分と前記ボンディングワイヤーが有
するインダクタンス成分とにより阻止帯域を設定するこ
とを特徴とする。
【００２４】請求項７記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
パッド部を所定の面積にすることを特徴とする。
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
パッド部を所定の面積にすることを特徴とする。
【００２５】請求項８記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
ワイヤーを所定の長さにすることを特徴とする。
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
ワイヤーを所定の長さにすることを特徴とする。
【００２６】請求項９記載の本発明の弾性表面波フィル
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
パッド部と前記ボンディングワイヤーを所定の数にする
ことを特徴とする。
タ装置における阻止帯域の設定方法は、請求項６記載の
方法において、前記阻止帯域に応じて前記ボンディング
パッド部と前記ボンディングワイヤーを所定の数にする
ことを特徴とする。
【００２７】請求項１０記載の本発明の弾性表面波素子
は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成され、基準
電位に対して並列椀に接続された弾性表面波共振子を有
する共振子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記並
列椀に接続された弾性表面波共振子を共通接続にする接
続部とを具備する。
は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成され、基準
電位に対して並列椀に接続された弾性表面波共振子を有
する共振子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記並
列椀に接続された弾性表面波共振子を共通接続にする接
続部とを具備する。
【００２８】請求項１１記載の本発明の弾性表面波素子
は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成され、基準
電位に対して並列椀に接続された弾性表面波共振子を含
む複数の弾性表面波共振子を梯子状に接続してなる共振
子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位と
の間でキャパシタンスを有し、前記並列椀に接続された
弾性表面波共振子を共通接続にする接続部とを具備す
る。
は、圧電性基板と、前記圧電性基板上に形成され、基準
電位に対して並列椀に接続された弾性表面波共振子を含
む複数の弾性表面波共振子を梯子状に接続してなる共振
子群と、前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位と
の間でキャパシタンスを有し、前記並列椀に接続された
弾性表面波共振子を共通接続にする接続部とを具備す
る。
【００２９】
【発明の実施の形態】図１は本発明に係る弾性表面波素
子の平面図である。
子の平面図である。
【００３０】図１において、１１は圧電性基板であり、
圧電性基板１１上には５つの弾性表面波共振子１２ａ〜
１２ｅが形成されている。
圧電性基板１１上には５つの弾性表面波共振子１２ａ〜
１２ｅが形成されている。
【００３１】圧電性基板１１上に形成された入力端子１
３ａと出力端子１３ｂとの間には、２つの弾性表面波共
振子１２ａ、１２ｂが直列椀に接続されている。導体パ
ターン１３ｃは、弾性表面波共振子１２ａと１２ｂとを
接続する。
３ａと出力端子１３ｂとの間には、２つの弾性表面波共
振子１２ａ、１２ｂが直列椀に接続されている。導体パ
ターン１３ｃは、弾性表面波共振子１２ａと１２ｂとを
接続する。
【００３２】弾性表面波共振子１２ｃ〜１２ｅは、グラ
ンドに対して互いに並列椀になるように接続されてい
る。弾性表面波共振子１２ｃは、入力端子１３ａとボン
ディングパッド部１３ｄとの間に介挿されている。弾性
表面波共振子１２ｄは、導体パターン１３ｃとボンディ
ングパッド部１３ｅとの間に介挿されている。弾性表面
波共振子１２ｅは、出力端子１３ｂとボンディングパッ
ド部１３ｅとの間に介挿されている。つまり、弾性表面
波共振子１２ｄと１２ｅの一端は共にボンディングパッ
ド部１３ｅにより共通にされている。
ンドに対して互いに並列椀になるように接続されてい
る。弾性表面波共振子１２ｃは、入力端子１３ａとボン
ディングパッド部１３ｄとの間に介挿されている。弾性
表面波共振子１２ｄは、導体パターン１３ｃとボンディ
ングパッド部１３ｅとの間に介挿されている。弾性表面
波共振子１２ｅは、出力端子１３ｂとボンディングパッ
ド部１３ｅとの間に介挿されている。つまり、弾性表面
波共振子１２ｄと１２ｅの一端は共にボンディングパッ
ド部１３ｅにより共通にされている。
【００３３】図２に図１に示した弾性表面波素子を外囲
器に搭載した弾性表面波フィルタ装置を示す。
器に搭載した弾性表面波フィルタ装置を示す。
【００３４】図２において、１４は外囲器であり、この
外囲器１４には入力端子１５ａ、出力端子１５ｂ、基準
電位としてのグランド端子１５ｃ、１５ｄが設けられて
いる。外囲器１４の入力端子１５ａと圧電性基板１１の
入力端子１３ａとは、ボンディングワイヤー１６ａによ
り接続され、外囲器１４の出力端子１５ｂと圧電性基板
１１の入力端子１３ｂとは、ボンディングワイヤー１６
ｂにより接続され、外囲器１４のグランド端子１５ｃと
圧電性基板１１のボンディングパッド部１３ｄとは、ボ
ンディングワイヤー１６ｃにより接続され、外囲器１４
のグランド端子１５ｄと圧電性基板１１のボンディング
パッド部１３ｅとは、ボンディングワイヤー１６ｄによ
り接続されている。
外囲器１４には入力端子１５ａ、出力端子１５ｂ、基準
電位としてのグランド端子１５ｃ、１５ｄが設けられて
いる。外囲器１４の入力端子１５ａと圧電性基板１１の
入力端子１３ａとは、ボンディングワイヤー１６ａによ
り接続され、外囲器１４の出力端子１５ｂと圧電性基板
１１の入力端子１３ｂとは、ボンディングワイヤー１６
ｂにより接続され、外囲器１４のグランド端子１５ｃと
圧電性基板１１のボンディングパッド部１３ｄとは、ボ
ンディングワイヤー１６ｃにより接続され、外囲器１４
のグランド端子１５ｄと圧電性基板１１のボンディング
パッド部１３ｅとは、ボンディングワイヤー１６ｄによ
り接続されている。
【００３５】図３に図２に示した弾性表面波フィルタ装
置の等価回路を示す。
置の等価回路を示す。
【００３６】グランド端子１５ｃと弾性表面波共振子１
２ｃとの間の抵抗ＲとインダクタンスＬは、ボンディン
グワイヤー１６ｃにより生じるものである。グランド端
子１５ｄと弾性表面波共振子１２ｄ、１２ｅとの間の抵
抗ＲとインダクタンスＬは、ボンディングワイヤー１６
ｄにより生じるものである。ボンディングワイヤー１６
ｄの抵抗Ｒ及びインダクタンスＬと並列に接続されたキ
ャパシタンスＣは、共通に接続したボンディングパッド
部１３ｅパターンとグランド端子１５ｄ（パッケージ側
基準電位）である。これらのＲ、Ｌ、Ｃは、ここではチ
ップとパッケージ間で考えているが、実際にはパッケー
ジ内基準電位も外部の基準電位との間にはパッケージ内
配線によるＲ、Ｌ、Ｃは有する。
２ｃとの間の抵抗ＲとインダクタンスＬは、ボンディン
グワイヤー１６ｃにより生じるものである。グランド端
子１５ｄと弾性表面波共振子１２ｄ、１２ｅとの間の抵
抗ＲとインダクタンスＬは、ボンディングワイヤー１６
ｄにより生じるものである。ボンディングワイヤー１６
ｄの抵抗Ｒ及びインダクタンスＬと並列に接続されたキ
ャパシタンスＣは、共通に接続したボンディングパッド
部１３ｅパターンとグランド端子１５ｄ（パッケージ側
基準電位）である。これらのＲ、Ｌ、Ｃは、ここではチ
ップとパッケージ間で考えているが、実際にはパッケー
ジ内基準電位も外部の基準電位との間にはパッケージ内
配線によるＲ、Ｌ、Ｃは有する。
【００３７】図４は図３を書き直したものである。つま
り、弾性表面波共振子１２ａと１２ｃからなる部分１７
Ａの後に、弾性表面波共振子１２ｂからなる部分１７Ｃ
と並列に、弾性表面波共振子１２ｄ、１２ｅからなる部
分１７Ｂ、１７Ｄとパッケージへのボンディングワイヤ
ー１６ｃ、１６ｄ、容量Ｃからなる部分１７Ｅによって
形成されるＴ型回路とが形成されたものとなっている。
り、弾性表面波共振子１２ａと１２ｃからなる部分１７
Ａの後に、弾性表面波共振子１２ｂからなる部分１７Ｃ
と並列に、弾性表面波共振子１２ｄ、１２ｅからなる部
分１７Ｂ、１７Ｄとパッケージへのボンディングワイヤ
ー１６ｃ、１６ｄ、容量Ｃからなる部分１７Ｅによって
形成されるＴ型回路とが形成されたものとなっている。
【００３８】
（実施例１）図１〜図４に示した構成の弾性表面波フィ
ルタ装置の構成であって、圧電性基板の材質を３６゜Ｙ
−ＸＬｉＴａＯ3 、その厚さを0.35ｍｍとし、この圧電
性基板上に厚さが3800（オーグストローム）のΑｌ膜を
スパッタ製膜し、ドライエッチングにより弾性表面波共
振子からなるフィルタを形成した。
ルタ装置の構成であって、圧電性基板の材質を３６゜Ｙ
−ＸＬｉＴａＯ3 、その厚さを0.35ｍｍとし、この圧電
性基板上に厚さが3800（オーグストローム）のΑｌ膜を
スパッタ製膜し、ドライエッチングにより弾性表面波共
振子からなるフィルタを形成した。
【００３９】このフィルタの中心周波数は 940ＭΗｚ近
傍にあり、このフィルタの周波数特性を図５に示す。
は２つの並列椀共振子基準電位側を互いに接続しない
場合の特性である。接続しない場合に通過帯域のごく近
傍にあったトラップが接続することによって低周波数側
に移動したことがわかる。また、このとき通過帯域の拡
大はトラップの低域側への移動量に比べ非常に小さく抑
える事ができるため、通過帯域の低周波数側の近傍にも
減衰が必要な場合にもそこでの減衰量を悪化させてしま
うことはない。本例でいえば 910ＭＨｚ付近の減衰量を
悪化させることなく、 882ＭＨｚ付近の減衰量を約10ｄ
Ｂ増加させている。
傍にあり、このフィルタの周波数特性を図５に示す。
は２つの並列椀共振子基準電位側を互いに接続しない
場合の特性である。接続しない場合に通過帯域のごく近
傍にあったトラップが接続することによって低周波数側
に移動したことがわかる。また、このとき通過帯域の拡
大はトラップの低域側への移動量に比べ非常に小さく抑
える事ができるため、通過帯域の低周波数側の近傍にも
減衰が必要な場合にもそこでの減衰量を悪化させてしま
うことはない。本例でいえば 910ＭＨｚ付近の減衰量を
悪化させることなく、 882ＭＨｚ付近の減衰量を約10ｄ
Ｂ増加させている。
【００４０】我国におけるアナログ方式による移動体通
信では、 910ＭＨｚを越えたとところに移動局の送信周
波数帯域があり、 882ＭＨｚ付近より低いところに基地
局の送信周波数帯域があることから、このフィルタを若
干の周波数変更することで移動局の送信用フィルタや基
地局の受信用フィルタとして用いることができる。
信では、 910ＭＨｚを越えたとところに移動局の送信周
波数帯域があり、 882ＭＨｚ付近より低いところに基地
局の送信周波数帯域があることから、このフィルタを若
干の周波数変更することで移動局の送信用フィルタや基
地局の受信用フィルタとして用いることができる。
【００４１】（実施例２）実施例１の弾性表面波フィル
タ装置において、ボンディングワイヤー（図２の符号１
６ｄ）を敢えて長いワイヤーとすることにより、インダ
クタンスを 2〜 3ｎＨとした場合である。
タ装置において、ボンディングワイヤー（図２の符号１
６ｄ）を敢えて長いワイヤーとすることにより、インダ
クタンスを 2〜 3ｎＨとした場合である。
【００４２】図６はこの結果である。図中は本発明
によらない場合、図中にすでに示した実施例１でワイ
ヤーが短い場合（１ｎＨ以下）を比較のため示した。実
施例２ではトラップはさらに低域側（ 842ΜＨｚ以下）
に移動している。また帯域近傍の 910ΜＨｚ付近の減衰
量は大きく劣化はしていない。
によらない場合、図中にすでに示した実施例１でワイ
ヤーが短い場合（１ｎＨ以下）を比較のため示した。実
施例２ではトラップはさらに低域側（ 842ΜＨｚ以下）
に移動している。また帯域近傍の 910ΜＨｚ付近の減衰
量は大きく劣化はしていない。
【００４３】（実施例３）実施例１の弾性表面波フィル
タ装置において、ボンディングワイヤーは短いままで２
つの並列椀に接続された弾性表面波共振子の共通接続さ
れたボンディングパッド部（図１または図２の符号１３
ｅ）の面積を増加させ10ｐＦ以上にした場合である。そ
の結果を図７に示す。同図、は図５と同様に本発
明を用いない場合、実施例１の場合を示した。この実施
例は図３でボンディングワイヤーと並列に入った容量Ｃ
が増大した場合に相当するが、この場合も低域側トラッ
プは862ＭＨｚ近辺へ移動している。
タ装置において、ボンディングワイヤーは短いままで２
つの並列椀に接続された弾性表面波共振子の共通接続さ
れたボンディングパッド部（図１または図２の符号１３
ｅ）の面積を増加させ10ｐＦ以上にした場合である。そ
の結果を図７に示す。同図、は図５と同様に本発
明を用いない場合、実施例１の場合を示した。この実施
例は図３でボンディングワイヤーと並列に入った容量Ｃ
が増大した場合に相当するが、この場合も低域側トラッ
プは862ＭＨｚ近辺へ移動している。
【００４４】（実施例４）図８に実施例４のここでは弾
性表面波共振子を７素子用いている（符号８１〜８
７）。このうち４つの並列椀共振子（８１、８３、８
５、８７）の基準電位側は共通に接続し、４本のワイヤ
ー９１〜９４でパッケージ側基準電位端子に接続した。
このときの周波数特性を図９に示す。ここでは低域側ト
ラップの位置は 800ＭＨｚ付近である。ボンディングを
３、２、１本へと減らしていったときの特性を図１０、
図１１、図１２に示す。４本ワイヤーで 800ＭＨｚ付近
だったトラップは 750ＭＨｚ、 640ＭＨｚ、 500ＭＨｚ
以下へと大きく移動していっている。このように共通に
基準電位に接続された並列椀共振子へのボンディングワ
イヤー本数を減ずることでさらに低域側トラップの位置
を低域へとずらす効果があった。またこのとき通過帯域
の大幅な増加は見られていないため帯域近傍の減衰量確
保の点でも有利となる。
性表面波共振子を７素子用いている（符号８１〜８
７）。このうち４つの並列椀共振子（８１、８３、８
５、８７）の基準電位側は共通に接続し、４本のワイヤ
ー９１〜９４でパッケージ側基準電位端子に接続した。
このときの周波数特性を図９に示す。ここでは低域側ト
ラップの位置は 800ＭＨｚ付近である。ボンディングを
３、２、１本へと減らしていったときの特性を図１０、
図１１、図１２に示す。４本ワイヤーで 800ＭＨｚ付近
だったトラップは 750ＭＨｚ、 640ＭＨｚ、 500ＭＨｚ
以下へと大きく移動していっている。このように共通に
基準電位に接続された並列椀共振子へのボンディングワ
イヤー本数を減ずることでさらに低域側トラップの位置
を低域へとずらす効果があった。またこのとき通過帯域
の大幅な増加は見られていないため帯域近傍の減衰量確
保の点でも有利となる。
【００４５】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、並
列椀に接続された弾性表面波共振子が共通接続された一
端と基準電位との間には、ボンディングワイヤー等の接
続手段によるインダクタンス成分とボンディングパッド
部等の接続部が基準電位との間で有するキャパシタンス
成分とが並列に介挿されているので、通過帯域の拡大を
抑えつつ、高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点に
設定することができる。また、特別な素子を使うことな
く上記特性を得ているので、チップ面積を増大させるこ
ともなく、また部品点数を抑えこともできる。
列椀に接続された弾性表面波共振子が共通接続された一
端と基準電位との間には、ボンディングワイヤー等の接
続手段によるインダクタンス成分とボンディングパッド
部等の接続部が基準電位との間で有するキャパシタンス
成分とが並列に介挿されているので、通過帯域の拡大を
抑えつつ、高減衰領域を通過帯域の低域側の所望の点に
設定することができる。また、特別な素子を使うことな
く上記特性を得ているので、チップ面積を増大させるこ
ともなく、また部品点数を抑えこともできる。
【図１】本発明に係る弾性表面波素子の平面図である。
【図２】本発明に係る弾性表面波フィルタ装置の平面図
である。
である。
【図３】図２に示した弾性表面波フィルタ装置の等価回
路図である。
路図である。
【図４】図２に示した弾性表面波フィルタ装置の等価回
路図である。
路図である。
【図５】実施例１における周波数特性図である。
【図６】実施例２における周波数特性図である。
【図７】実施例３における周波数特性図である。
【図８】実施例４における弾性表面波フィルタ装置の構
成図である。
成図である。
【図９】実施例４における周波数特性図である。
【図１０】実施例４における周波数特性図である。
【図１１】実施例４における周波数特性図である。
【図１２】実施例４における周波数特性図である。
【図１３】従来の共振子型フィルタの概略図である。
【図１４】図１３の共振子型フィルタにおける周波数特
性図である。
性図である。
【図１５】従来のラダー型の共振子型フィルタの概略図
である。
である。
【図１６】図１５の共振子型フィルタにおける周波数特
性図である。
性図である。
１１………圧電性基板 １２ａ〜１２ｅ………弾性表面波共振子 １３ａ………入力端子 １３ｂ……出力端子１３ｂ １３ｃ……導体パターン １３ｄ………ボンディングパッド部 １３ｅ………ボンディングパッド部 １４………外囲器 １５ａ………入力端子 １５ｂ………出力端子 １５ｃ、１５ｄ………グランド端子
Claims (11)
- 【請求項１】 基準電位となる端子を有する外囲器と、 前記外囲器上に配置された圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位に対して並
列椀に接続された弾性表面波共振子を有する共振子群
と、 前記圧電性基板上に形成され、前記並列椀に接続された
弾性表面波共振子を共通接続する接続部と、 前記接続部と前記基準電位となる端子とを電気的に接続
する接続手段とを具備することを特徴とする弾性表面波
フィルタ装置。 - 【請求項２】 基準電位となる端子を有する外囲器と、 前記外囲器上に配置された圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位に対して並
列椀に接続された弾性表面波共振子を有する共振子群
と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位との間でキ
ャパシタンスを有し、前記並列椀に接続された弾性表面
波共振子を共通接続する接続部と、 前記キャパシタンスと並列なインダクタンスを有し、前
記接続部と前記基準電位となる端子とを接続する接続手
段とを具備することを特徴とする弾性表面波フィルタ装
置。 - 【請求項３】 請求項１または２記載の弾性表面波フィ
ルタ装置において、 前記接続手段が、ボンディングワイヤーであることを特
徴とする弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項４】 請求項３記載の弾性表面波フィルタ装置
において、 前記並列椀に接続された弾性表面波共振子へのボンディ
ングワイヤーの本数が、該並列椀に接続された弾性表面
波共振子の個数よりも少ないことを特徴とする弾性表面
波フィルタ装置。 - 【請求項５】 基準電位となる端子を有する外囲器と、 前記外囲器上に配置された圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位に対して並
列椀に接続された弾性表面波共振子を含む複数の弾性表
面波共振子を有する共振子群と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位との間でキ
ャパシタンスを有し、前記並列椀に接続された弾性表面
波共振子を共通接続するボンディングパッド部と、 前記キャパシタンスと並列なインダクタンスを有し、前
記ボンディングパッド部と前記基準電位となる端子とを
接続するボンディングワイヤーとを具備することを特徴
とする弾性表面波フィルタ装置。 - 【請求項６】 並列椀に接続された弾性表面波共振子を
有する共振子群が形成された圧電性基板を外囲器上に配
置してなる弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の
設定方法において、 前記並列椀に接続された弾性表面波共振子の一端をボン
ディングパッド部に共通に接続し、前記ボンディングパ
ッド部と前記外囲器上に設けられた基準電位端子とをボ
ンディングワイヤーにより接続し、前記ボンディングパ
ッド部が有するリアクタンス成分と前記ボンディングワ
イヤーが有するインダクタンス成分とにより阻止帯域を
設定することを特徴とする弾性表面波フィルタ装置にお
ける阻止帯域の設定方法。 - 【請求項７】 請求項６記載の弾性表面波フィルタ装置
における阻止帯域の設定方法において、 前記阻止帯域に応じて前記ボンディングパッド部を所定
の面積にすることを特徴とする弾性表面波フィルタ装置
における阻止帯域の設定方法。 - 【請求項８】 請求項６記載の弾性表面波フィルタ装置
における阻止帯域の設定方法において、 前記阻止帯域に応じて前記ボンディングワイヤーを所定
の長さにすることを特徴とする弾性表面波フィルタ装置
における阻止帯域の設定方法。 - 【請求項９】 請求項６記載の弾性表面波フィルタ装置
における阻止帯域の設定方法において、 前記阻止帯域に応じて前記ボンディングパッド部と前記
ボンディングワイヤーを所定の数にすることを特徴とす
る弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方
法。 - 【請求項１０】 圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成され、基準電位に対して並列椀
に接続された弾性表面波共振子を有する共振子群と、 前記圧電性基板上に形成され、前記並列椀に接続された
弾性表面波共振子を共通接続にする接続部とを具備する
ことを特徴とする弾性表面波素子。 - 【請求項１１】 圧電性基板と、 前記圧電性基板上に形成され、基準電位に対して並列椀
に接続された弾性表面波共振子を含む複数の弾性表面波
共振子を梯子状に接続してなる共振子群と、 前記圧電性基板上に形成され、前記基準電位との間でキ
ャパシタンスを有し、前記並列椀に接続された弾性表面
波共振子を共通接続にする接続部とを具備することを特
徴とする弾性表面波素子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07041896A JP3720900B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP07041896A JP3720900B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09261002A true JPH09261002A (ja) | 1997-10-03 |
| JP3720900B2 JP3720900B2 (ja) | 2005-11-30 |
Family
ID=13430916
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP07041896A Expired - Fee Related JP3720900B2 (ja) | 1996-03-26 | 1996-03-26 | 弾性表面波フィルタ装置における阻止帯域の設定方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3720900B2 (ja) |
Cited By (9)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6369672B1 (en) | 1999-03-10 | 2002-04-09 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter and communications apparatus using the same |
| JP2003218668A (ja) * | 2002-01-22 | 2003-07-31 | Oki Electric Ind Co Ltd | 有極型弾性表面波フィルタ |
| US6747530B1 (en) * | 1999-07-13 | 2004-06-08 | Epcos Ag | Surface acoustic wave (saw) filter of the reactance filter type exhibiting improved stop band suppression and method for optimizing the stop band suppression |
| US6960966B2 (en) * | 2002-01-22 | 2005-11-01 | Oki Electric Industry Co., Ltd. | Surface acoustic wave filter with attenuation poles |
| US7116187B2 (en) * | 2001-09-25 | 2006-10-03 | Tdk Corporation | Saw element and saw device |
| US7145417B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Filter chip and filter device |
| JP2006333012A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波フィルタおよび弾性波分波器 |
| USRE43958E1 (en) | 2001-01-11 | 2013-02-05 | Intellectual Ventures Fund 77 Llc | Surface acoustic wave filter and saw filter package |
| US10097160B2 (en) | 2015-06-05 | 2018-10-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter, duplexer, and module |
-
1996
- 1996-03-26 JP JP07041896A patent/JP3720900B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| USRE43958E1 (en) | 2001-01-11 | 2013-02-05 | Intellectual Ventures Fund 77 Llc | Surface acoustic wave filter and saw filter package |
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| US7145417B2 (en) * | 2002-03-29 | 2006-12-05 | Fujitsu Limited | Filter chip and filter device |
| JP2006333012A (ja) * | 2005-05-25 | 2006-12-07 | Fujitsu Media Device Kk | 弾性波フィルタおよび弾性波分波器 |
| EP1727281A3 (en) * | 2005-05-25 | 2007-12-19 | Fujitsu Media Devices Limited | Acoustic wave filter and acoustic wave duplexer |
| US7459992B2 (en) | 2005-05-25 | 2008-12-02 | Fujitsu Media Devices Limited | Acoustic wave filter and acoustic wave duplexer |
| US10097160B2 (en) | 2015-06-05 | 2018-10-09 | Taiyo Yuden Co., Ltd. | Ladder-type filter, duplexer, and module |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3720900B2 (ja) | 2005-11-30 |
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