JPH0926433A - 加速度センサ - Google Patents
加速度センサInfo
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- JPH0926433A JPH0926433A JP8209833A JP20983396A JPH0926433A JP H0926433 A JPH0926433 A JP H0926433A JP 8209833 A JP8209833 A JP 8209833A JP 20983396 A JP20983396 A JP 20983396A JP H0926433 A JPH0926433 A JP H0926433A
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- Japan
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- acceleration sensor
- pair
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 小型化及び検出感度の両立を実現できる構成
とされた加速度センサを提供する。 【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、主表面の
それぞれ上に信号取出電極２と中間電極３とが形成され
た一対の圧電セラミック板４を具備し、中間電極３を介
したうえで圧電セラミック板４同士を対面接合してなる
バイモルフ型検出素子１と、このバイモルフ型検出素子
１を信号取出電極２と対向する両側方向から挟み込んで
配置された一対の保持部品５とを備えており、かつ、こ
れらの保持部品５はバイモルフ型検出素子１の長手方向
に沿う一端部のみを固定支持したものであることを特徴
とする。
とされた加速度センサを提供する。 【解決手段】 本発明に係る加速度センサは、主表面の
それぞれ上に信号取出電極２と中間電極３とが形成され
た一対の圧電セラミック板４を具備し、中間電極３を介
したうえで圧電セラミック板４同士を対面接合してなる
バイモルフ型検出素子１と、このバイモルフ型検出素子
１を信号取出電極２と対向する両側方向から挟み込んで
配置された一対の保持部品５とを備えており、かつ、こ
れらの保持部品５はバイモルフ型検出素子１の長手方向
に沿う一端部のみを固定支持したものであることを特徴
とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明はハードディスクドラ
イブ（ＨＤＤ）装置の衝撃検知用などとして使用される
加速度センサに係り、詳しくは、加速度センサを構成す
る際に用いられるバイモルフ型検出素子の構造に関す
る。
イブ（ＨＤＤ）装置の衝撃検知用などとして使用される
加速度センサに係り、詳しくは、加速度センサを構成す
る際に用いられるバイモルフ型検出素子の構造に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来から、加速度センサとしては、図３
で示すような構成とされたバイモルフ型検出素子（以
下、検出素子という）１１を備えたものが一般的であ
り、この際における検出素子１１は、共に短冊板形状と
されたうえで主表面のそれぞれ上に信号取出電極１２及
び中間電極１３が形成された一対の圧電セラミック板１
４を具備し、これらの圧電セラミック板１４同士が各々
の中間電極１３を介したうえで対面接合されたものとな
っている。なお、ここでの圧電セラミック板１４それぞ
れは、各々の板厚方向に沿いつつ他方側とは逆となる向
き（図中、矢印Ｘ，Ｙで示す）に沿って予め分極された
ものである。
で示すような構成とされたバイモルフ型検出素子（以
下、検出素子という）１１を備えたものが一般的であ
り、この際における検出素子１１は、共に短冊板形状と
されたうえで主表面のそれぞれ上に信号取出電極１２及
び中間電極１３が形成された一対の圧電セラミック板１
４を具備し、これらの圧電セラミック板１４同士が各々
の中間電極１３を介したうえで対面接合されたものとな
っている。なお、ここでの圧電セラミック板１４それぞ
れは、各々の板厚方向に沿いつつ他方側とは逆となる向
き（図中、矢印Ｘ，Ｙで示す）に沿って予め分極された
ものである。
【０００３】そして、検出素子１１の信号取出電極１２
それぞれと対向する両側位置には、側面視「コ」字形状
となった一対の保持部品１５が検出素子１１を挟み込む
ようにしたうえで配置されており、これらセラミック製
の保持部品１５によっては検出素子１１の長手方向に沿
う両端部がそれぞれ固定支持されている。すなわち、こ
こでの検出素子１１は、保持部品１５でもって保持され
ることにより両持ち型といわれる支持構造を有するもの
となっている。
それぞれと対向する両側位置には、側面視「コ」字形状
となった一対の保持部品１５が検出素子１１を挟み込む
ようにしたうえで配置されており、これらセラミック製
の保持部品１５によっては検出素子１１の長手方向に沿
う両端部がそれぞれ固定支持されている。すなわち、こ
こでの検出素子１１は、保持部品１５でもって保持され
ることにより両持ち型といわれる支持構造を有するもの
となっている。
【０００４】さらに、この際における検出素子１１の主
表面上に形成された信号取出電極１２のそれぞれは、一
対の保持部品１５及びこれらの開口側面上に取り付けら
れた一対のケース部品（図示せず）それぞれの異なる端
面ごとに形成された外部引出電極１６，１７と接続され
ている。そのため、このような従来の形態に係る加速度
センサでは、保持部品１５内に収納された検出素子１１
の中央部が加速度Ｇの印加時における慣性力の作用によ
って変形し、かつ、検出素子１１の変形に伴って各信号
取出電極１２に電荷が発生することになり、これらの信
号取出電極１２における電荷の発生が外部引出電極１
６，１７を通じて検知される結果、加速度Ｇの印加状態
が検出されることになる。
表面上に形成された信号取出電極１２のそれぞれは、一
対の保持部品１５及びこれらの開口側面上に取り付けら
れた一対のケース部品（図示せず）それぞれの異なる端
面ごとに形成された外部引出電極１６，１７と接続され
ている。そのため、このような従来の形態に係る加速度
センサでは、保持部品１５内に収納された検出素子１１
の中央部が加速度Ｇの印加時における慣性力の作用によ
って変形し、かつ、検出素子１１の変形に伴って各信号
取出電極１２に電荷が発生することになり、これらの信
号取出電極１２における電荷の発生が外部引出電極１
６，１７を通じて検知される結果、加速度Ｇの印加状態
が検出されることになる。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】ところで、近年におい
ては、加速度センサに対してより一層の小型化が要望さ
れていることから、検出素子１１そのものの小型化を図
る必要が生じている。しかしながら、両持ち型の支持構
造を有する検出素子１１をそのまま小型化したのでは、
加速度の印加時における検出素子１１の変形が微小とな
り、検出素子１１の変形に伴って発生する電荷量が小さ
くなり過ぎる結果、加速度センサにおける検出感度の大
幅な低下を招くという不都合が生じることになってしま
う。
ては、加速度センサに対してより一層の小型化が要望さ
れていることから、検出素子１１そのものの小型化を図
る必要が生じている。しかしながら、両持ち型の支持構
造を有する検出素子１１をそのまま小型化したのでは、
加速度の印加時における検出素子１１の変形が微小とな
り、検出素子１１の変形に伴って発生する電荷量が小さ
くなり過ぎる結果、加速度センサにおける検出感度の大
幅な低下を招くという不都合が生じることになってしま
う。
【０００６】本発明は、このような不都合に鑑みて創案
されたものであって、小型化及び検出感度の両立を実現
できる構成とされた加速度センサの提供を目的としてい
る。
されたものであって、小型化及び検出感度の両立を実現
できる構成とされた加速度センサの提供を目的としてい
る。
【０００７】
【課題を解決するための手段】本発明に係る加速度セン
サは、主表面のそれぞれ上に信号取出電極と中間電極と
が形成された一対の圧電セラミック板を具備し、中間電
極を介したうえで圧電セラミック板同士を対面接合して
なる検出素子と、この検出素子を信号取出電極と対向す
る両側方向から挟み込んで配置された一対の保持部品と
を備えており、かつ、これらの保持部品は検出素子の長
手方向に沿う一端部のみを固定支持したものであること
を特徴としている。
サは、主表面のそれぞれ上に信号取出電極と中間電極と
が形成された一対の圧電セラミック板を具備し、中間電
極を介したうえで圧電セラミック板同士を対面接合して
なる検出素子と、この検出素子を信号取出電極と対向す
る両側方向から挟み込んで配置された一対の保持部品と
を備えており、かつ、これらの保持部品は検出素子の長
手方向に沿う一端部のみを固定支持したものであること
を特徴としている。
【０００８】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を図面
に基づいて説明する。
に基づいて説明する。
【０００９】図１は本実施の形態に係る加速度センサの
検出素子を示す外観斜視図であり、図２は本実施の形態
に係る検出素子の製作手順を示す分解斜視図である。
検出素子を示す外観斜視図であり、図２は本実施の形態
に係る検出素子の製作手順を示す分解斜視図である。
【００１０】本実施の形態に係る加速度センサは図１で
示すような検出素子１を備えて構成されたものであり、
この際における検出素子１は、主表面のそれぞれ上に信
号取出電極２と中間電極３とが形成された一対の圧電セ
ラミック板４を具備し、これらの圧電セラミック板４同
士が各々の中間電極３を介したうえで対面接合されたも
のとなっている。なお、これら圧電セラミック板４のそ
れぞれは、従来の形態と同様、各々の板厚方向に沿いつ
つ他方側とは逆となる向き（図中、矢印Ｘ，Ｙで示す）
に沿って分極されている。
示すような検出素子１を備えて構成されたものであり、
この際における検出素子１は、主表面のそれぞれ上に信
号取出電極２と中間電極３とが形成された一対の圧電セ
ラミック板４を具備し、これらの圧電セラミック板４同
士が各々の中間電極３を介したうえで対面接合されたも
のとなっている。なお、これら圧電セラミック板４のそ
れぞれは、従来の形態と同様、各々の板厚方向に沿いつ
つ他方側とは逆となる向き（図中、矢印Ｘ，Ｙで示す）
に沿って分極されている。
【００１１】そして、検出素子１の信号取出電極２それ
ぞれと対向する両側位置には、側面視「コ」字形状とな
った一対の保持部品５が検出素子１を挟み込むようにし
たうえで配置されており、これらセラミック製の保持部
品５によっては検出素子１の長手方向に沿う一端部のみ
が固定支持されている。すなわち、この際における検出
素子１は、従来の形態に係る検出素子１１よりも長手方
向における長さが短くなった一対の圧電セラミック板４
を備えたものであり、対向配置された一対の保持部品５
でもって長手方向に沿う一端部のみが固定支持されてい
ることによって片持ち型といわれる支持構造を有してい
る。なお、本実施の形態においては、保持部品５それぞ
れの長手方向に沿う一端部でもって検出素子１の長手方
向に沿う一端部のみを固定支持しておけばよいのである
が、図１で示すように、制作上の都合から保持部品５の
他端部同士間に検出素子１を構成する圧電セラミック板
４と同等のセラミック部材６が介装されていてもよいこ
とは勿論である。
ぞれと対向する両側位置には、側面視「コ」字形状とな
った一対の保持部品５が検出素子１を挟み込むようにし
たうえで配置されており、これらセラミック製の保持部
品５によっては検出素子１の長手方向に沿う一端部のみ
が固定支持されている。すなわち、この際における検出
素子１は、従来の形態に係る検出素子１１よりも長手方
向における長さが短くなった一対の圧電セラミック板４
を備えたものであり、対向配置された一対の保持部品５
でもって長手方向に沿う一端部のみが固定支持されてい
ることによって片持ち型といわれる支持構造を有してい
る。なお、本実施の形態においては、保持部品５それぞ
れの長手方向に沿う一端部でもって検出素子１の長手方
向に沿う一端部のみを固定支持しておけばよいのである
が、図１で示すように、制作上の都合から保持部品５の
他端部同士間に検出素子１を構成する圧電セラミック板
４と同等のセラミック部材６が介装されていてもよいこ
とは勿論である。
【００１２】さらに、この際、検出素子１の主表面上に
形成された信号取出電極２のそれぞれは、一対の保持部
品５と、これらの開口側面上に取り付けられた一対のケ
ース部品（図示せず）との同一となる端面上に離間して
形成された一対の外部引出電極７，８に対して接続され
ている。したがって、本実施の形態に係る加速度センサ
においては、保持部品５内に収納された検出素子１の他
端部が加速度Ｇの印加時における慣性力の作用によって
変形し、この検出素子１の変形に伴って各信号取出電極
２に電荷が発生することになり、これらの信号取出電極
２における電荷の発生が外部引出電極７，８を通じて検
知される結果、加速度Ｇの印加状態が検出されることに
なる。そして、このような片持ち型の検出素子１は、従
来の形態における両持ち型の検出素子１１よりも大きく
変形することになり、大きな変形量に対応した大きさの
電荷が信号取出電極２において発生するので、片持ち型
の検出素子１を備えて構成された加速度センサでは、検
出感度を維持もしくは向上させながらの小型化を図り得
ることとなる。
形成された信号取出電極２のそれぞれは、一対の保持部
品５と、これらの開口側面上に取り付けられた一対のケ
ース部品（図示せず）との同一となる端面上に離間して
形成された一対の外部引出電極７，８に対して接続され
ている。したがって、本実施の形態に係る加速度センサ
においては、保持部品５内に収納された検出素子１の他
端部が加速度Ｇの印加時における慣性力の作用によって
変形し、この検出素子１の変形に伴って各信号取出電極
２に電荷が発生することになり、これらの信号取出電極
２における電荷の発生が外部引出電極７，８を通じて検
知される結果、加速度Ｇの印加状態が検出されることに
なる。そして、このような片持ち型の検出素子１は、従
来の形態における両持ち型の検出素子１１よりも大きく
変形することになり、大きな変形量に対応した大きさの
電荷が信号取出電極２において発生するので、片持ち型
の検出素子１を備えて構成された加速度センサでは、検
出感度を維持もしくは向上させながらの小型化を図り得
ることとなる。
【００１３】ところで、従来の形態に係る両持ち型の検
出素子１１を製作する際には、図２で示すように、信号
取出電極１２及び中間電極１３となる電極パターン（図
示していない）が主表面のそれぞれ上に形成された圧電
セラミック板１４用のセラミック親基板２１と、内表面
側の所定位置ごとに所定幅の凹溝２２が形成された挟持
部品用親基板２３とをそれぞれ用意し、中間電極１３と
なる電極パターンを挟み込んで対面配置されたセラミッ
ク親基板２１それぞれの外側から挟持部品用親基板２３
の各々を当てつけて一体に接合した後、これらを所定の
切断線Ｓに沿って切断することが行われる。そこで、本
実施の形態に係る片持ち型の検出素子１を製作するに際
しても、両持ち型同様の製作手順が踏襲されることにな
り、この場合においては、圧電セラミック板４の寸法を
圧電セラミック板１４よりも短くするための所定幅とさ
れた貫通溝２４をセラミック親基板２１の所定位置ごと
に予め形成しておくことが実行されることになる。
出素子１１を製作する際には、図２で示すように、信号
取出電極１２及び中間電極１３となる電極パターン（図
示していない）が主表面のそれぞれ上に形成された圧電
セラミック板１４用のセラミック親基板２１と、内表面
側の所定位置ごとに所定幅の凹溝２２が形成された挟持
部品用親基板２３とをそれぞれ用意し、中間電極１３と
なる電極パターンを挟み込んで対面配置されたセラミッ
ク親基板２１それぞれの外側から挟持部品用親基板２３
の各々を当てつけて一体に接合した後、これらを所定の
切断線Ｓに沿って切断することが行われる。そこで、本
実施の形態に係る片持ち型の検出素子１を製作するに際
しても、両持ち型同様の製作手順が踏襲されることにな
り、この場合においては、圧電セラミック板４の寸法を
圧電セラミック板１４よりも短くするための所定幅とさ
れた貫通溝２４をセラミック親基板２１の所定位置ごと
に予め形成しておくことが実行されることになる。
【００１４】
【発明の効果】以上説明したように、本発明に係る加速
度センサによれば、検出素子を片持ち型の支持構造とし
ているので、両持ち型の支持構造とされた検出素子より
も大きな変形が得られることになり、検出素子の変形に
伴って発生する電荷量が大きくなる。そのため、検出素
子及び加速度センサを小型化した場合においても、加速
度センサの検出感度が低下することは起こらず、小型化
及び検出感度の両立を実現できるという効果が得られ
る。
度センサによれば、検出素子を片持ち型の支持構造とし
ているので、両持ち型の支持構造とされた検出素子より
も大きな変形が得られることになり、検出素子の変形に
伴って発生する電荷量が大きくなる。そのため、検出素
子及び加速度センサを小型化した場合においても、加速
度センサの検出感度が低下することは起こらず、小型化
及び検出感度の両立を実現できるという効果が得られ
る。
【図１】本実施の形態に係る加速度センサの検出素子を
示す外観斜視図である。
示す外観斜視図である。
【図２】本実施の形態及び従来の形態に係る検出素子の
製作手順を示す分解斜視図である。
製作手順を示す分解斜視図である。
【図３】従来の形態に係る加速度センサの検出素子を示
す外観斜視図である。
す外観斜視図である。
１ 検出素子（バイモルフ型検出素子） ２ 信号取出電極 ３ 中間電極 ４ 圧電セラミック板 ５ 保持部品
Claims (1)
- 【請求項１】 主表面のそれぞれ上に信号取出電極
（２）と中間電極（３）とが形成された一対の圧電セラ
ミック板（４）を具備し、中間電極（３）を介したうえ
で圧電セラミック板（４）同士を対面接合してなるバイ
モルフ型検出素子（１）と、このバイモルフ型検出素子
（１）を信号取出電極（２）と対向する両側方向から挟
み込んで配置された一対の保持部品（５）とを備えてお
り、かつ、これらの保持部品（５）はバイモルフ型検出
素子（１）の長手方向に沿う一端部のみを固定支持した
ものであることを特徴とする加速度センサ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08209833A JP3106970B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 加速度センサ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08209833A JP3106970B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 加速度センサ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6014493A Division JP2780594B2 (ja) | 1993-03-19 | 1993-03-19 | 加速度センサ |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926433A true JPH0926433A (ja) | 1997-01-28 |
| JP3106970B2 JP3106970B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=16579381
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08209833A Expired - Lifetime JP3106970B2 (ja) | 1996-08-08 | 1996-08-08 | 加速度センサ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3106970B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002995A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| WO1999060413A1 (en) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and acceleration apparatus using acceleration sensor |
| US6550116B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor |
| US6766690B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor |
| US10001504B2 (en) | 2012-10-26 | 2018-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration detecting device |
-
1996
- 1996-08-08 JP JP08209833A patent/JP3106970B2/ja not_active Expired - Lifetime
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO1999002995A1 (en) * | 1997-07-11 | 1999-01-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| US6246155B1 (en) | 1997-07-11 | 2001-06-12 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Bimorph piezoelectric device for acceleration sensor and method of its manufacture |
| US6550116B2 (en) | 1997-07-11 | 2003-04-22 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for manufacturing a bimorph piezoelectric device for acceleration sensor |
| WO1999060413A1 (en) * | 1998-05-19 | 1999-11-25 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and acceleration apparatus using acceleration sensor |
| US6382026B1 (en) | 1998-05-19 | 2002-05-07 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and acceleration apparatus using acceleration sensor |
| US6530276B2 (en) | 1998-05-19 | 2003-03-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Acceleration sensor and acceleration apparatus using acceleration sensor |
| US6766690B2 (en) | 2002-05-21 | 2004-07-27 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration sensor |
| DE10322979B4 (de) * | 2002-05-21 | 2005-06-16 | Murata Manufacturing Co., Ltd., Nagaokakyo | Beschleunigungssensor |
| CN100389329C (zh) * | 2002-05-21 | 2008-05-21 | 株式会社村田制作所 | 加速度传感器 |
| US10001504B2 (en) | 2012-10-26 | 2018-06-19 | Murata Manufacturing Co., Ltd. | Acceleration detecting device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3106970B2 (ja) | 2000-11-06 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20080908 Year of fee payment: 8 |
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