JPH0926436A - 電子素子評価装置 - Google Patents
電子素子評価装置Info
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- JPH0926436A JPH0926436A JP17461295A JP17461295A JPH0926436A JP H0926436 A JPH0926436 A JP H0926436A JP 17461295 A JP17461295 A JP 17461295A JP 17461295 A JP17461295 A JP 17461295A JP H0926436 A JPH0926436 A JP H0926436A
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- probes
- probe
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- Testing Or Measuring Of Semiconductors Or The Like (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【目的】実デバイス上のサブミクロン領域に形成され
た、特定素回路の特性評価を可能にする。 【構成】鋭利な先端を有する複数（ｎ）本の探針を、試
料表面の法線から傾け（３０〜６０°）、かつ方位角３
０°以上の間隔で配置するようにした。 【効果】サブミクロン領域に同時に複数の探針を接触さ
せられるため、実デバイス上での回路素子の特性解析が
可能になる。
た、特定素回路の特性評価を可能にする。 【構成】鋭利な先端を有する複数（ｎ）本の探針を、試
料表面の法線から傾け（３０〜６０°）、かつ方位角３
０°以上の間隔で配置するようにした。 【効果】サブミクロン領域に同時に複数の探針を接触さ
せられるため、実デバイス上での回路素子の特性解析が
可能になる。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、電子素子の特性を評価
する装置に係わる。
する装置に係わる。
【０００２】
【従来の技術】従来電子素子の特性評価は、プローバと
呼ばれる装置を用いて行われていた。例えば、半導体計
測評価事典（サイエンスフォーラム社）第５４４頁にそ
の例が記載されている。この方法では、プローブと呼ば
れる探針を試料表面上に形成されたボンディングパッド
と呼ばれる電極にあて、電子素子の特定部分との電気的
接触をはかる。例えば、２本の探針を用いることによっ
て、回路の特定部分の電流電圧特性などの素子特性を評
価することができる。この方法では、一辺１００μｍ程
度のボンディングパッドが表面上に形成された、評価用
の試料（TestElement Group：ＴＥＧ）を予め用意する
必要があった。
呼ばれる装置を用いて行われていた。例えば、半導体計
測評価事典（サイエンスフォーラム社）第５４４頁にそ
の例が記載されている。この方法では、プローブと呼ば
れる探針を試料表面上に形成されたボンディングパッド
と呼ばれる電極にあて、電子素子の特定部分との電気的
接触をはかる。例えば、２本の探針を用いることによっ
て、回路の特定部分の電流電圧特性などの素子特性を評
価することができる。この方法では、一辺１００μｍ程
度のボンディングパッドが表面上に形成された、評価用
の試料（TestElement Group：ＴＥＧ）を予め用意する
必要があった。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】前記従来の方法では、
測定のための一辺１００μｍ程度のボンディングパッド
を試料表面上にあらかじめ形成する必要があった。すな
わち、光学顕微鏡で容易に位置合わせができ、かつ探針
を乗せるだけで確実に電気的接触をとることができる測
定用の電極（ボンディングパッド）が必要だったのであ
る。しかし、電子素子の微細化が進むにつれて（例え
ば、１６メガＤＲＡＭでは０.５μｍ 線幅の微細加工技
術が用いられている。）、その微細化ゆえに現れる不良
が顕著になってきた。
測定のための一辺１００μｍ程度のボンディングパッド
を試料表面上にあらかじめ形成する必要があった。すな
わち、光学顕微鏡で容易に位置合わせができ、かつ探針
を乗せるだけで確実に電気的接触をとることができる測
定用の電極（ボンディングパッド）が必要だったのであ
る。しかし、電子素子の微細化が進むにつれて（例え
ば、１６メガＤＲＡＭでは０.５μｍ 線幅の微細加工技
術が用いられている。）、その微細化ゆえに現れる不良
が顕著になってきた。
【０００４】このような不良は、素子形成プロセスの微
妙な条件の違いで現れることが多い。ところが、ＴＥＧ
は一辺１００μｍ程度のボンディングパッドを形成する
必要があるため、形成プロセス及び構造自体が実デバイ
スと完全には一致していない。そのため、解析すべき不
良が現れないことがある。即ち、従来のプローバでは、
実デバイスを測定することができないため、目的とする
不良解析が行えないという問題が発生していた。これを
解決するためには、実デバイス上の微小な領域に(〜０.
１μｍ）に複数の探針を接触させる必要があった。
妙な条件の違いで現れることが多い。ところが、ＴＥＧ
は一辺１００μｍ程度のボンディングパッドを形成する
必要があるため、形成プロセス及び構造自体が実デバイ
スと完全には一致していない。そのため、解析すべき不
良が現れないことがある。即ち、従来のプローバでは、
実デバイスを測定することができないため、目的とする
不良解析が行えないという問題が発生していた。これを
解決するためには、実デバイス上の微小な領域に(〜０.
１μｍ）に複数の探針を接触させる必要があった。
【０００５】
【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
には、従来のプローバにおいて探針の先端を鋭利（曲率
半径１０ｎｍ〜１μｍ程度）にすれば良いだけでない。
従来のプローバでは、支持部材３０の先端に設置された
探針３１をボンディングパッドに接触させていた。この
探針の先端を鋭くすることによって、一本の探針の先端
を微小領域に接触させることは可能である。しかし、複
数の探針を微小領域に接触させようとすると、探針同士
が先端部以外の部分で先に接触してしまう。その結果、
試料の微小領域に複数の探針を接触させることができな
かった。これは、従来法では、先に述べた操作性と信頼
性の問題から、先端の鈍い探針を試料表面にほぼ垂直に
接触させていたことに問題があることが分かった。すな
わち、試料の微小領域に複数の探針を接触させるために
は、以下に述べる手段が必要であることが本発明により
明らかになった。
には、従来のプローバにおいて探針の先端を鋭利（曲率
半径１０ｎｍ〜１μｍ程度）にすれば良いだけでない。
従来のプローバでは、支持部材３０の先端に設置された
探針３１をボンディングパッドに接触させていた。この
探針の先端を鋭くすることによって、一本の探針の先端
を微小領域に接触させることは可能である。しかし、複
数の探針を微小領域に接触させようとすると、探針同士
が先端部以外の部分で先に接触してしまう。その結果、
試料の微小領域に複数の探針を接触させることができな
かった。これは、従来法では、先に述べた操作性と信頼
性の問題から、先端の鈍い探針を試料表面にほぼ垂直に
接触させていたことに問題があることが分かった。すな
わち、試料の微小領域に複数の探針を接触させるために
は、以下に述べる手段が必要であることが本発明により
明らかになった。
【０００６】本発明では、探針の中心軸を測定試料表面
の法線方向からずらすようにした。そのずれθを、３０
〜６０°の範囲に設定した。
の法線方向からずらすようにした。そのずれθを、３０
〜６０°の範囲に設定した。
【０００７】また、複数（ｎ本）の探針を、試料を中心
として方位角３０°以上の間隔で配置するようにした。
なお、方位角を２π／ｎにすると、探針間の接触点間距
離を最も小さくできる。
として方位角３０°以上の間隔で配置するようにした。
なお、方位角を２π／ｎにすると、探針間の接触点間距
離を最も小さくできる。
【０００８】なお、法線とは試料表面に垂直な線のこと
であり、方位角φとは、試料表面上に探針を投影した場
合のある基準線からの角度である（図３参照）。
であり、方位角φとは、試料表面上に探針を投影した場
合のある基準線からの角度である（図３参照）。
【０００９】
【作用】本発明では、探針の中心軸を測定試料表面の法
線からずらし、かつ方位角30°以上の間隔で探針を配置
したので、探針同士が接触することなく、試料表面上の
微小な領域に複数の探針を接触させることができる。
線からずらし、かつ方位角30°以上の間隔で探針を配置
したので、探針同士が接触することなく、試料表面上の
微小な領域に複数の探針を接触させることができる。
【００１０】
【実施例】本発明の一実施例を図１を用いて説明する。
図１は、本発明の主要部を真上から見た図である。測定
試料１を中心にして、３本の探針２〜４が方位角１２０
°（２π／３ラジアン）の間隔で配置されている。それ
ぞれの探針は探針移動機構５〜７により移動させられ、
試料の目的とする位置に探針先端部を接触させられるよ
うになっている。それぞれの探針は、評価・測定部８と
電気的に結合されており、電圧の印加や各探針間を流れ
る電流の計測などが行えるようになっている。
図１は、本発明の主要部を真上から見た図である。測定
試料１を中心にして、３本の探針２〜４が方位角１２０
°（２π／３ラジアン）の間隔で配置されている。それ
ぞれの探針は探針移動機構５〜７により移動させられ、
試料の目的とする位置に探針先端部を接触させられるよ
うになっている。それぞれの探針は、評価・測定部８と
電気的に結合されており、電圧の印加や各探針間を流れ
る電流の計測などが行えるようになっている。
【００１１】図２は、本発明の主要部を横から見た図
（図１において探針２側から見た図、探針２は省略）で
ある。２本の探針３，４が、試料１の特定の場所に、試
料に対して斜め方向から接触していることがわかる。本
発明ではこのように先端の鋭利な探針の中心軸９，１０
を試料に対して斜め方向に設定することによって、微小
領域に複数の探針を接触させられるようにしている。
（図１において探針２側から見た図、探針２は省略）で
ある。２本の探針３，４が、試料１の特定の場所に、試
料に対して斜め方向から接触していることがわかる。本
発明ではこのように先端の鋭利な探針の中心軸９，１０
を試料に対して斜め方向に設定することによって、微小
領域に複数の探針を接触させられるようにしている。
【００１２】このような探針の配置にする理由を、次に
説明する。探針の先端をいくら鋭利なものにしても、ナ
ノメーターレベルでは有限な大きさになる。さらに先端
部から離れるにしたがって、その大きさ（径）は大きく
なる。探針先端を試料表面に接触させても探針を破損さ
せないために、探針の根元の径ｒは少なくともミクロン
オーダーにならざるを得ない。例えば、図４に示すよう
に探針を表面に垂直に配置してしまうと、探針の先端２
０，２１がいくら鋭利でも、探針２２，２３間の距離は
探針の根元の径ｒ以下にはできない。すなわち、接触点
間距離ｄはｒ以下にはならない。探針の根元の径ｒは少
なくともミクロンオーダーにならざるを得ないから、探
針を試料に対して垂直に接触させると、接触点間距離は
ミクロンオーダーより小さくならない。このため、図２
に示すように斜め方向から探針を試料に接触させる必要
があるのである。
説明する。探針の先端をいくら鋭利なものにしても、ナ
ノメーターレベルでは有限な大きさになる。さらに先端
部から離れるにしたがって、その大きさ（径）は大きく
なる。探針先端を試料表面に接触させても探針を破損さ
せないために、探針の根元の径ｒは少なくともミクロン
オーダーにならざるを得ない。例えば、図４に示すよう
に探針を表面に垂直に配置してしまうと、探針の先端２
０，２１がいくら鋭利でも、探針２２，２３間の距離は
探針の根元の径ｒ以下にはできない。すなわち、接触点
間距離ｄはｒ以下にはならない。探針の根元の径ｒは少
なくともミクロンオーダーにならざるを得ないから、探
針を試料に対して垂直に接触させると、接触点間距離は
ミクロンオーダーより小さくならない。このため、図２
に示すように斜め方向から探針を試料に接触させる必要
があるのである。
【００１３】なお、従来法でも操作上の問題から、試料
に対して斜め方向から探針の接触をはかっているが、そ
れは探針を支持する部分３０（図５参照）のことであっ
て、先端部３１のことではないことに注意願いたい。
に対して斜め方向から探針の接触をはかっているが、そ
れは探針を支持する部分３０（図５参照）のことであっ
て、先端部３１のことではないことに注意願いたい。
【００１４】以上、探針をマクロスコピックにとらえて
説明したが、複数の探針を０.１μm程度の領域に接触さ
せようとした場合、本発明の重要性がより顕著になる。
説明したが、複数の探針を０.１μm程度の領域に接触さ
せようとした場合、本発明の重要性がより顕著になる。
【００１５】探針先端がいかに鋭くとも、原子レベルで
見ればその最先端部の形状は球状に近い（図６参照）。
原子が一列に積み上がったような探針（図７参照）は現
実には存在しないし、あったとしても探針先端を試料表
面に接触させるには強度的に問題がある。
見ればその最先端部の形状は球状に近い（図６参照）。
原子が一列に積み上がったような探針（図７参照）は現
実には存在しないし、あったとしても探針先端を試料表
面に接触させるには強度的に問題がある。
【００１６】以下、簡単のため探針先端の形状を放物線
を仮定して説明する。探針の中心軸を試料の法線に一致
させては探針同志を接近させられないことを先に説明し
た。このため本発明では、図８に示すように、探針の中
心軸４０，４１を試料表面４６の法線４７から傾ける。
このとき探針は最先端部４２，４３で試料に接触するの
ではなく、他の部位４４，４５で接触することになる。
このため、あまり傾けすぎると接触部位が最先端部より
遠くなり、結果として探針接触点間の距離ｄが大きくな
ってしまう。
を仮定して説明する。探針の中心軸を試料の法線に一致
させては探針同志を接近させられないことを先に説明し
た。このため本発明では、図８に示すように、探針の中
心軸４０，４１を試料表面４６の法線４７から傾ける。
このとき探針は最先端部４２，４３で試料に接触するの
ではなく、他の部位４４，４５で接触することになる。
このため、あまり傾けすぎると接触部位が最先端部より
遠くなり、結果として探針接触点間の距離ｄが大きくな
ってしまう。
【００１７】図９は、２探針を用いた場合に、探針の中
心軸の試料法線からの傾き（２本とも共通、図８参照）
と各探針と試料との接触点間の最小距離を示す図であ
る。探針の中心軸が法線に一致すると、最小接触点間距
離は探針の根元の径に依存してしまうので大きくなって
しまう。一方、中心軸が傾きすぎると、接触点が探針の
最先端部から離れてしまうために、最小接触点間距離が
大きくなってしまう。このため本発明では、中心軸の試
料法線からの傾きを３０〜６０°の範囲にとるようにし
た。この範囲で最小接触点間距離を小さくできること
が、図８，図９から分かるであろう。
心軸の試料法線からの傾き（２本とも共通、図８参照）
と各探針と試料との接触点間の最小距離を示す図であ
る。探針の中心軸が法線に一致すると、最小接触点間距
離は探針の根元の径に依存してしまうので大きくなって
しまう。一方、中心軸が傾きすぎると、接触点が探針の
最先端部から離れてしまうために、最小接触点間距離が
大きくなってしまう。このため本発明では、中心軸の試
料法線からの傾きを３０〜６０°の範囲にとるようにし
た。この範囲で最小接触点間距離を小さくできること
が、図８，図９から分かるであろう。
【００１８】次に、方位角について説明する。まず、２
探針の場合、探針を対向して設置するのが良い。図１０
は、２探針を真上から見た図である。図１０ａが２探針
を対向して設置した場合、図１０ｂが方位角１２０°で
設置した場合の図である。なお、法線からの中心軸の傾
きは３０°を仮定し、試料表面との接触点を×点で示し
てある。方位角１２０°の場合の最小接触点間距離は、
１８０°の場合のおよそ１.５ 倍となってしまう。２本
の探針を用いる場合、方位角を１８０°に設定すると、
最小接触点間距離を最も小さくできる。同様の理由か
ら、３本の探針を用いる場合には方位角を１２０°に
（図１１参照）、４本の探針を用いる場合には方位角を
９０°に設定すると良い（図１２参照）。
探針の場合、探針を対向して設置するのが良い。図１０
は、２探針を真上から見た図である。図１０ａが２探針
を対向して設置した場合、図１０ｂが方位角１２０°で
設置した場合の図である。なお、法線からの中心軸の傾
きは３０°を仮定し、試料表面との接触点を×点で示し
てある。方位角１２０°の場合の最小接触点間距離は、
１８０°の場合のおよそ１.５ 倍となってしまう。２本
の探針を用いる場合、方位角を１８０°に設定すると、
最小接触点間距離を最も小さくできる。同様の理由か
ら、３本の探針を用いる場合には方位角を１２０°に
（図１１参照）、４本の探針を用いる場合には方位角を
９０°に設定すると良い（図１２参照）。
【００１９】図１０〜図１２を用いて設定すべき方位角
の説明を行った。上述のように、ｎ本の探針を用いる場
合、方位角を２π／ｎに設定することによって、探針と
試料との接触点間距離を最も小さくできる。
の説明を行った。上述のように、ｎ本の探針を用いる場
合、方位角を２π／ｎに設定することによって、探針と
試料との接触点間距離を最も小さくできる。
【００２０】図１３は、探針間の方位角と最小接触点間
距離の関係を示す図である。方位角が小さくなるに従っ
て、最小接触点間距離が大きくなることが分かる。特
に、３０°以下では、探針の根元同士が接触してしまう
ため、最小接触点間距離が急に大きくなる（図９におけ
る説明参照）。このため、本発明では方位角を３０°以
上に設定した。
距離の関係を示す図である。方位角が小さくなるに従っ
て、最小接触点間距離が大きくなることが分かる。特
に、３０°以下では、探針の根元同士が接触してしまう
ため、最小接触点間距離が急に大きくなる（図９におけ
る説明参照）。このため、本発明では方位角を３０°以
上に設定した。
【００２１】方位角２π／ｎは、ｎ本の探針を用いる場
合の目安である。装置構成上方位角を２π／ｎより小さ
くした方が良い場合もある。たとえば、接触点を走査型
電子顕微鏡で確認する場合、図１４に示すように二次電
子検出器６０が、探針６１〜６４にさえぎられずに、試
料と探針との接触点を望めるようにする必要がある。こ
のような場合、４本の探針の隣りあう探針間の方位角は
９０°（２π／４）より小さい値になる。
合の目安である。装置構成上方位角を２π／ｎより小さ
くした方が良い場合もある。たとえば、接触点を走査型
電子顕微鏡で確認する場合、図１４に示すように二次電
子検出器６０が、探針６１〜６４にさえぎられずに、試
料と探針との接触点を望めるようにする必要がある。こ
のような場合、４本の探針の隣りあう探針間の方位角は
９０°（２π／４）より小さい値になる。
【００２２】図１５は、本発明を実際の電子素子特性評
価に応用した実施例を示す図である。探針５０がゲート
電極５１に、探針５２がソース電極５３に、探針５４が
ドレイン電極５５にそれぞれ接触させられている。探針
５０に印加する電圧を変化させることで、ゲート電圧を
操作できる。このとき、探針５２ー５４間に流れる電
流、すなわちソース・ドレイン間に流れる電流を測定す
ることで、素子特性を評価することができる。このよう
な素子はサブミクロン領域に形成されているため、従来
法では探針を直接電極に当ててこのような測定をするこ
とはできなかった。そのため、測定用のＴＥＧを形成す
る必要があった。しかし、本発明を用いれば、実デバイ
ス上の局所的な素子の特性測定が可能になるのである。
価に応用した実施例を示す図である。探針５０がゲート
電極５１に、探針５２がソース電極５３に、探針５４が
ドレイン電極５５にそれぞれ接触させられている。探針
５０に印加する電圧を変化させることで、ゲート電圧を
操作できる。このとき、探針５２ー５４間に流れる電
流、すなわちソース・ドレイン間に流れる電流を測定す
ることで、素子特性を評価することができる。このよう
な素子はサブミクロン領域に形成されているため、従来
法では探針を直接電極に当ててこのような測定をするこ
とはできなかった。そのため、測定用のＴＥＧを形成す
る必要があった。しかし、本発明を用いれば、実デバイ
ス上の局所的な素子の特性測定が可能になるのである。
【００２３】さらに本発明を用いれば０.１μｍ をきる
微小領域の電気特性などを測定することができるので、
デバイス上の素子特性のみならず、薄膜材料などの電気
伝導度など基本的な材料特性を測定することができる。
例えば、基板上に形成された原子層オーダーの薄膜の電
気伝導度は、薄膜自身の電気伝導特性に加え、基板の凹
凸等にも影響される。基板上にはμｍオーダーで見れば
必ず原子層高さのステップが存在するから、従来のプロ
ーバを用いてマクロな領域の電気伝導度を測定しても、
薄膜自身の電気伝導特性を測定することはできない。本
発明を用いれば微小領域の電気特性を測定できるので、
基板の凹凸などに影響されずに薄膜自身の電気特性を測
定することができる。今後、量子効果デバイスなどナノ
メーターレベルの微小構造を用いたデバイスの開発に
は、このような微細構造の電気特性の解明が不可欠であ
り、本発明の有用性が分かる。
微小領域の電気特性などを測定することができるので、
デバイス上の素子特性のみならず、薄膜材料などの電気
伝導度など基本的な材料特性を測定することができる。
例えば、基板上に形成された原子層オーダーの薄膜の電
気伝導度は、薄膜自身の電気伝導特性に加え、基板の凹
凸等にも影響される。基板上にはμｍオーダーで見れば
必ず原子層高さのステップが存在するから、従来のプロ
ーバを用いてマクロな領域の電気伝導度を測定しても、
薄膜自身の電気伝導特性を測定することはできない。本
発明を用いれば微小領域の電気特性を測定できるので、
基板の凹凸などに影響されずに薄膜自身の電気特性を測
定することができる。今後、量子効果デバイスなどナノ
メーターレベルの微小構造を用いたデバイスの開発に
は、このような微細構造の電気特性の解明が不可欠であ
り、本発明の有用性が分かる。
【００２４】
【発明の効果】本発明では、微小領域に形成された電子
素子の特性を評価するために、単に先端の鋭利な探針を
用いるようにしただけではなく、探針の中心軸を試料表
面の法線より傾け（３０〜６０°）、複数本（ｎ本）の
探針を方位角３０°以上の間隔で設置するようにしたの
で、前記複数の探針をサブミクロン領域に同時に接触さ
せることができる。このため、サブミクロン領域に形成
された実デバイス上の素子特性を評価でき、従来のよう
に測定用のＴＥＧを形成する必要がない。
素子の特性を評価するために、単に先端の鋭利な探針を
用いるようにしただけではなく、探針の中心軸を試料表
面の法線より傾け（３０〜６０°）、複数本（ｎ本）の
探針を方位角３０°以上の間隔で設置するようにしたの
で、前記複数の探針をサブミクロン領域に同時に接触さ
せることができる。このため、サブミクロン領域に形成
された実デバイス上の素子特性を評価でき、従来のよう
に測定用のＴＥＧを形成する必要がない。
【図１】本発明の原理的構成を示す説明図。
【図２】図１の主要部を横から見た図。
【図３】法線と方位角の説明図。
【図４】探針を試料表面に垂直に接触させた場合の説明
図。
図。
【図５】従来の探針及び探針支持部の説明図。
【図６】ナノメーターレベルで見た探針先端部を示す模
式図。
式図。
【図７】原子が一列に積み上ったできた探針を示す模式
図。
図。
【図８】探針と試料表面との接触点間距離を示す説明
図。
図。
【図９】最小接触点間距離の角度依存性を示す説明図。
【図１０】２探針での方位角の説明図。
【図１１】３探針での方位角の説明図。
【図１２】４探針での方位角の説明図。
【図１３】最小接触点間距離の方位角依存性を示す説明
図。
図。
【図１４】二次電子検出器を設置する場合の実施例を示
す説明図。
す説明図。
【図１５】実デバイスの測定例を示す平面図。
１…試料、２，３，４…探針、５，６，７…探針移動機
構、８…評価・測定部、９，１０…探針の中心軸、２
０，２１…探針先端、２２，２３…探針、３０…探針支
持部、３１…探針先端部、４０，４１…探針の中心軸、
４２，４３…最先端部、４４，４５…試料表面との接触
部位、４６…試料、４７…法線、５０…探針、５１…ゲ
ート電極、５２…探針、５３…ソース電極、５４…探
針、５５…ドレイン電極、６０…二次電子検出器、６
１，６２，６３，６４…探針。
構、８…評価・測定部、９，１０…探針の中心軸、２
０，２１…探針先端、２２，２３…探針、３０…探針支
持部、３１…探針先端部、４０，４１…探針の中心軸、
４２，４３…最先端部、４４，４５…試料表面との接触
部位、４６…試料、４７…法線、５０…探針、５１…ゲ
ート電極、５２…探針、５３…ソース電極、５４…探
針、５５…ドレイン電極、６０…二次電子検出器、６
１，６２，６３，６４…探針。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 河野 真貴子 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内 (72)発明者 富松 聡 東京都国分寺市東恋ケ窪１丁目280番地 株式会社日立製作所中央研究所内
Claims (8)
- 【請求項１】複数の探針を有する電子素子評価装置であ
って、前記探針の中心軸は測定すべき試料表面の法線よ
り傾いており、かつ、試料面内の測定すべき点を中心と
して、方位角３０°以上の間隔で配置されていることを
特徴とする電子素子評価装置。 - 【請求項２】前記探針の中心軸と試料表面の法線とのな
す角が３０〜６０°の範囲にあることを特徴とする請求
項１記載の電子素子評価装置。 - 【請求項３】２本の探針が方位角３０°以上の間隔で配
置されていることを特徴とする請求項１ないし２記載の
電子素子評価装置。 - 【請求項４】方位角が１２０°であることを特徴とする
請求項３記載の電子素子評価装置。 - 【請求項５】３本の探針が試料表面の測定すべき点を中
心として方位角３０°以上の間隔で配置されていること
を特徴とする請求項１ないし２記載の電子素子評価装
置。 - 【請求項６】方位角が１２０°であることを特徴とする
請求項５記載の電子素子評価装置。 - 【請求項７】４本の探針が試料表面の測定すべき点を中
心として方位角３０°以上の間隔で配置されていること
を特徴とする請求項１ないし２記載の電子素子評価装
置。 - 【請求項８】方位角が９０°であることを特徴とする請
求項７記載の電子素子評価装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17461295A JPH0926436A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 電子素子評価装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17461295A JPH0926436A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 電子素子評価装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH0926436A true JPH0926436A (ja) | 1997-01-28 |
Family
ID=15981641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17461295A Pending JPH0926436A (ja) | 1995-07-11 | 1995-07-11 | 電子素子評価装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH0926436A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001174491A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Japan Science & Technology Corp | 電気特性評価装置 |
| KR100430419B1 (ko) * | 2001-12-28 | 2004-05-04 | 주식회사 실트론 | 반도체 소자의 전기적 특성 검사방법 |
| US6881597B2 (en) | 2001-01-22 | 2005-04-19 | Renesas Technology Corp. | Method of manufacturing a semiconductor device to provide a plurality of test element groups (TEGs) in a scribe region |
| US7297945B2 (en) | 2003-12-05 | 2007-11-20 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method |
| US9709600B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-07-18 | Fei Company | Circuit probe for charged particle beam system |
-
1995
- 1995-07-11 JP JP17461295A patent/JPH0926436A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2001174491A (ja) * | 1999-12-20 | 2001-06-29 | Japan Science & Technology Corp | 電気特性評価装置 |
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| US7553334B2 (en) | 2003-12-05 | 2009-06-30 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method |
| US8074293B2 (en) | 2003-12-05 | 2011-12-06 | Hitachi High-Technologies Corporation | Defective product inspection apparatus, probe positioning method and probe moving method |
| US9709600B2 (en) | 2013-08-14 | 2017-07-18 | Fei Company | Circuit probe for charged particle beam system |
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