JPH09265083A - 液晶表示パネル - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 画素電極と配線電極間の横電界による逆チル
トドメインの発生を抑制できる液晶表示パネルを提供す
る。 【解決手段】 アレイ基板１０１と対向基板１０８間に
液晶層１１３を狭持してなる液晶表示パネルであって、
少なくともゲート線１０３およびソース線１０４からな
る配線電極と画素電極１０６との間隙部に、絶縁膜１０
７を介して導電性薄膜１０５を、画素電極１０６とは電
気的に導通した状態にして形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、基板間に挟持した
液晶の電気光学特性により画像を表示する液晶表示パネ
ルに関するものである。

【０００２】

【従来の技術】液晶の電気光学特性を利用した液晶表示
パネルは、大画面化、大容量化によりＯＡ機器への応用
が盛んに進められている。現在、一般に実用化されてい
る液晶表示パネルの動作モードとしては、２枚のガラス
基板間で液晶分子が９０゜ねじれた配向状態を呈するツ
イステッドネマティック型（以下、ＴＮ型と呼ぶ）と、
液晶分子が１８０゜〜２７０゜ねじれた配向状態を呈す
るスーパーツイステッドネマティック型（以下、ＳＴＮ
型と呼ぶ）とがある。ＴＮ型は主としてアクティブマト
リックス型液晶表示パネルに用いられ、ＳＴＮ型は単純
マトリックス型液晶表示パネルに用いられている。

【０００３】特に近年、アクティブマトリックス型液晶
表示パネルの用途が飛躍的に拡大し、それに伴い広視野
角化、高輝度化、低反射化、高精細化、フルカラー化に
対する要望が増大している。このような要望に対して、
高輝度化、低反射化を実現する技術として、ブラックマ
トリックス・オン・ＴＦＴアレイ（以下、ＢＭオンアレ
イと呼ぶ）技術（例えば、エッチ・ヤマナカ、ティー・
フクナガ、ティー・コセキ、ケイ・ナガヤマ、ティ・ウ
エキ：エスアイディー '９２ ダイジェスト、７８９頁
〜７９２頁、１９９２年；H. Yamanaka, T.Fukunaga,
T. Koseki, K. Nagayama, T. Ueki:SID '92 Digest,pp7
89-792,(1992)や公開特許公報の特開昭６３−６４０２
３号公報に開示されている）が提案されている。このＢ
Ｍオンアレイ技術は、アレイ基板上のアクティブ素子上
やソース線上やゲート線上に、直接的に、黒色樹脂から
なる遮光層を形成するものである。

【０００４】従来からのカラーフィルター基板（以下、
ＣＦ基板と呼ぶ）上にブラックマトリックス（以下、Ｂ
Ｍと呼ぶ）層を形成する技術と比較すると、ＢＭオンア
レイ技術では、ＢＭ層が直接アレイ基板上に形成されて
いるため、パネル組立時のアレイ基板とＣＦ基板との貼
合わせマージンが不要となり、ＢＭ層の幅（以下、ＢＭ
幅と呼ぶ）を狭くすることが可能となる。このＢＭ幅の
細線化により画素電極部の開口率を向上させることがで
き、従来技術に比べて高輝度化を図ることが可能にな
る。

【０００５】更に、ＢＭオンアレイ技術では、顔料分散
型の黒色レジストをＢＭ層の材料にしているため、反射
率が低く、金属材料を用いた従来のＢＭ層に比べると、
大幅に表面反射を抑えることができ、表示品位を高める
ことができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、アクテ
ィブマトリックス型液晶表示パネルの中でもＢＭオンア
レイ技術によるＴＦＴ型液晶表示パネルであり、上記の
ような従来の液晶表示パネルでは、画素電極と配線電極
との間隙部に電位差による横電界が発生するため、正規
のドメインとは異なる逆チルトドメインが発生して、残
像やコントラスト低下により画質が低下するという問題
点を有していた。

【０００７】さらに、従来の液晶表示パネルに用いられ
ているＢＭオンアレイ技術では、アクティブ素子やソー
ス線やゲート線上にＢＭ層を形成するために、上記のよ
うにして発生した逆チルトドメインを隠すことが困難に
なるという問題点をも有していた。

【０００８】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、画素電極と配線電極との間隙部の横電界によって発
生する逆チルトドメインを抑制することができ、この逆
チルトドメインに起因する画質の低下を抑えることがで
きるとともに、画素電極部が高開口率となるように設計
することができる液晶表示パネルを提供する。

【０００９】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に、本発明の請求項１に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、前記画素電極と配線電極
との間隙部に絶縁体層を形成し、前記絶縁体層上に、導
電性を有する導電性薄膜を、前記画素電極に接触し且つ
画素電極の周囲に位置するように形成して構成する。

【００１０】請求項２に記載の液晶表示パネルは、請求
項１に記載の導電性薄膜を、遮光性を有する導電性高分
子または金属により構成する。これらの構成によると、
導電性薄膜が画素電極と電気的に導通状態になり、その
導電性薄膜が、画素電極と配線電極間に形成された絶縁
体層を介して、配線電極との間に基板法線方向の電気容
量を形成する。また、上記の導電性薄膜が、その遮光性
によりブラックマトリックスとして作用する。

【００１１】請求項３に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、少なくとも前記画素電極
と配線電極との間隙部と前記画素電極の一部に、誘電体
からなる誘電体層を形成して構成する。

【００１２】請求項４に記載の液晶表示パネルは、請求
項３に記載の誘電体層を、その膜厚が０．５μｍ以上２
μｍ以下になるように形成する。これらの構成による
と、画素電極と配線電極との間隙部と画素電極の一部に
形成された誘電体層が、横電界の最も強い領域をシール
ドして、液晶分子が横電界の影響を直接受けないように
する。また、上記のように形成された誘電体層が、大き
な比誘電率により横電界の電界強度を弱くする。

【００１３】請求項５に記載の液晶表示パネルは、画素
電極と配線電極とスイッチング素子とを有するアレイ基
板と対向電極を有する対向基板との間に液晶を挟持して
なる液晶表示パネルであって、少なくとも前記画素電極
と配線電極との間隙部と前記画素電極の一部に、ポリエ
ステルを主成分とする絶縁性遮光膜を形成して構成す
る。

【００１４】請求項６に記載の液晶表示パネルは、請求
項５に記載の絶縁性遮光膜を、光重合性オリゴマーと光
重合性モノマーとからなるポリエステルを主成分として
形成する。

【００１５】これらの構成によると、画素電極と配線電
極との間隙部と画素電極の一部に形成されたポリエステ
ルを主成分とする絶縁性遮光膜が、横電界の最も強い領
域をシールドして、液晶分子が横電界の影響を直接受け
ないようにするとともに、その遮光性によりブラックマ
トリックスとして作用する。また、上記の絶縁性遮光膜
は、光照射を用いて容易に形成される。

【００１６】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
液晶表示パネルを用いて、本発明を具体的に説明する。

【００１７】本実施の形態の液晶表示パネルでは、アレ
イ基板上にはマリックス状に配置されたスイッチング素
子と配線電極と画素電極とが形成されている。配線電極
と画素電極との間隙部には、絶縁体層として絶縁膜が形
成され、更に導電性を有する導電性薄膜が、各配線電極
とは絶縁膜を介した状態で、画素電極とは電気的に導通
した状態で形成されている。

【００１８】通常のアクティブマトリックス型液晶表示
パネルを駆動する場合、配線電極の電位は、１ライン毎
あるいは１フレーム毎に変動するので、画素電極との間
に電位差が発生し、配線電極と画素電極との間隙部に横
方向の電界が発生する。画素の高開口率化、画素の高密
度化に伴って、配線電極と画素電極との間隙部は、基板
間距離よりも狭くなり、液晶層に印加される縦電界強度
よりも間隙部に発生する横電界強度の方が強くなる場合
が発生する。

【００１９】このような場合では、配線電極と画素電極
との間隙部近傍の液晶分子は、横電界の影響を強く受け
るために、所定のチルト方向とは逆の方向に立ち上がる
領域あるいは全く立ち上がらない領域が、間隙部と画素
電極端部に発生する。この領域が逆チルトドメインとな
り、画面の表示品位の低下を招く。

【００２０】本実施の形態の液晶表示パネルでは、横電
界が最も強く発生する電極間隙部に導電性薄膜を画素電
極と電気的に接した状態で設けているので、間隙部に発
生する横電界分布を変化させて弱めることができる。こ
れにより、横電界に起因する逆チルトドメインの発生を
抑制できる。更に、導電性薄膜が遮光性を有するので、
ブラックマトリックスとしても用いることができる。

【００２１】次に、本発明の別の実施の形態を示す液晶
表示パネルでは、アレイ基板上にはマトリックス状に配
置されたスイッチング素子と配線電極と画素電極とが形
成されている。少なくとも配線電極と画素電極の間隙部
には、０．５μｍ〜２μｍの膜厚を有する誘電体によっ
て誘電体層が形成され、誘電体層により間隙部の横電界
がシールドされる。すなわち、最も横電界が集中し液晶
分子に外乱を与える間隙部を誘電体層で覆い隠すことに
より、横電界の影響を低減し、逆チルトドメインの発生
を抑制することができる。誘電体層の誘電率が大きいほ
ど、横電界強度を弱めることができ、よりシールド効果
が得られるが、誘電率が大きいと画素電極と配線電極と
の間に発生する寄生容量が大きくなり、好ましくない。
また、絶縁膜の膜厚が厚いほど、よりシールド効果が得
られるが、逆に段差による配向不良、寄生容量が増大し
て好ましくなく、適切に設定する必要がある。

【００２２】以下、本発明の実施の形態を示す液晶表示
パネルについて、図面を参照しながら、さらに具体的に
説明する。第１の実施の形態の液晶表示パネルを説明す
る。

【００２３】図１は本実施の形態の液晶表示パネルの構
成図の一例である。図１において、１０１はアレイガラ
ス基板、１０２は薄膜トランジスター素子（ＴＦＴ素
子）からなるスイッチング素子、１０３はゲート線、１
０４はソース線、１０５は導電性薄膜、１０６は画素電
極、１０７は絶縁膜、１０８は対向ガラス基板、１０９
は対向側ブラックマトリックス、１１０はカラーフィル
ター層、１１１は対向電極、１１２は配向膜、１１３は
液晶層、１１４は偏光板である。

【００２４】アレイガラス基板（７０５９：コーニング
社製）１０１上には、所定の方法により、アモルファス
シリコンＴＦＴ素子からなるスイッチング素子１０２、
Ａｌ／Ｔａからなるゲート線１０３、Ｔｉ／Ａｌからな
るソース線１０４、酸化インジュウム錫（ＩＴＯ）から
なる画素電極１０６を形成し、画素電極１０６以外の領
域に窒化シリコンからなる保護膜を形成し、アレイ基板
Ａ１を作製した。

【００２５】次に、ポリエステルアクリレート４４重量
％、３官能アクリレートモノマー２０重量％、アセトフ
ェノン系光重合開始剤４重量％、ベンゾフェノン系光重
合開始剤６重量％、カーボンブラック１６重量％、ポリ
エステル系分散剤１０％からなるカーボンブラックイン
キを調合して、メトキシブチルアセテートに希釈してワ
ニスを作製した。

【００２６】アレイガラス基板１０１をＯＡＰ雰囲気中
に１０分間暴露した後、カーボンブラックワニスをコー
ターによりアライメントマーカー以外の部分に全面に塗
布した。その後、１１０℃で２０分間プリベークした
後、所定のパターンが形成されたフォトマスクを用いて
アライメントした後、高圧水銀灯を用いて、１６０ｍＪ
のパワーで露光を行い、アルカリ系の現像液によりエッ
チングを行った。

【００２７】その後、２３０℃で２０分間熱硬化を行
い、ソース線１０４と画素電極１０６の間隙部と画素電
極１０６上に導電性薄膜１０５とを形成した。画素電極
１０６上には画素電極１０６の端部より３μｍの領域ま
で導電性薄膜１０５を部分的に形成した。導電性薄膜の
膜厚は０．５μｍであった。

【００２８】次に、アレイ基板Ａ１を酸素プラズマ中に
一定時間暴露して、表面改質を行った後、固形分濃度６
％のポリイミドワニス（例えばＳＥ−７２１０：日産化
学工業株式会社製）をアレイ基板Ａ１上に印刷法により
塗布し、１９０℃で３０分間ホットプレート上でベーク
して、配向膜１１２を形成した。配向膜１１２の膜厚は
約７０ｎｍであった。対向ガラス基板１０８を基材とす
る対向基板Ｔ１上にも、同様のポリイミドワニスを塗布
して、ポリイミドからなる配向膜１１２を形成した。

【００２９】次に、液晶が９０゜ＴＮ配向するように、
アレイガラス基板１０１と対向ガラス基板１０８にそれ
ぞれ１方向にラビングを施した。ラビング布はレーヨン
布（ＹＡ−１８Ｒ：吉川化工製）を用い、ラビング圧は
０．３ｍｍにした。

【００３０】次に、アレイ基板Ａ１上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ（例えばミクロパール：積水ファ
イン株式会社製）を均一に分散させた。なお、スペーサ
の球径は４μｍである。対向ガラス基板１０８の周辺部
に熱硬化型のシール材（例えばストラクトボンド：三井
東圧化学（株）製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、
アレイ基板Ａ１と対向基板Ｔ１を貼り合わせ、所定の温
度でシール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。

【００３１】次に、屈折率異方性が０．０９７であるネ
マチック液晶（例えばＺＬＩ−４７９２：メルクジャパ
ン株式会社製）に左捻れのカイラル物質（例えばＳ−８
１１：メルクジャパン株式会社）を添加して、ねじれピ
ッチが８０μｍになるように濃度調整した。このような
条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法で
液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に充
填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、ア
レイガラス基板１０１と対向ガラス基板１０８の表面に
偏光板１１４をその吸収軸がラビング方向に平行になる
ように、すなわちノーマリホワイト状態になるように貼
り付け、液晶表示パネルを作製した。次に、作製した液
晶表示パネルの配向観察を行った。液晶表示パネルを駆
動し、白表示から黒表示に切り替えた場合の配向を観察
した。図２（ａ）は本液晶表示パネルを上部より観察し
た模式図である。図２（ａ）において、１２１はソース
線、１２２はゲート線、１２３は画素電極、１２４はソ
ース線と画素電極の間隙部、１２５は導電性薄膜（ハッ
チング部分）、１２６は逆チルトドメインである。ソー
ス線と画素電極の間隙部１２４は、ソース線１２１によ
る横電界を最も受けやすい領域である。本実施の形態で
は、導電性薄膜１２５を形成した領域には逆チルトドメ
インが一切見れなかったが、導電性薄膜を形成していな
い領域では、弓状の逆チルトドメイン１２６が発生し
た。上記結果より、画素電極１２３とソース線１２１な
どの配線電極との間隙部１２４に導電性薄膜を形成する
ことにより、明らかに逆チルトドメイン１２６を抑制す
る効果が認められた。

【００３２】従来の液晶表示パネルでは、ソース線と画
素電極の間隙部近傍に、図２（ａ）に示すような弓状の
逆チルトドメインが発生したために、これを対向基板Ｔ
１に設けたブラックマトリックスで隠す必要があり、開
口率の向上を阻害していたが、本実施の形態を用いるこ
とで、対向基板Ｔ１にブラックマトリックスを設ける必
要がなく、開口率を向上させることが可能になる。また
導電性薄膜１２５自体が遮光性であれば、間隙部の光漏
れを遮光することができる。

【００３３】本実施の形態では、ソース線と画素電極と
の間隙部１２４の一部に導電性薄膜１２５を形成した
が、図２（ｂ）に示したように、ソース線１２１、ゲー
ト線１２２との間隙部の全面に導電性薄膜１２５を形成
すれば、より効果的に逆チルトドメインの発生を抑制す
ることができる。

【００３４】また、クロム、タンタル等の金属、酸化ク
ロム等の金属酸化物を用いて導電性薄膜１２５を形成し
ても、同様の効果が得られた。第２の実施の形態の液晶
表示パネルを説明する。

【００３５】図３は本実施の形態における液晶表示パネ
ルの断面図の一例である。第１の実施の形態の液晶表示
パネルと同様に、アレイガラス基板２０１上には、所定
の方法により、アモルファスシリコンＴＦＴ素子からな
るスイッチング素子２０２、ゲート線２０３、ソース線
２０４、画素電極２０６を形成し、アレイ基板Ａ２を作
製した。

【００３６】次に、アレイ基板Ａ２上に感光性ポリイミ
ド溶液（東レ株式会社製：商品名フォトニースＵＲ−３
１００）をスピンナーにより塗布し、８０℃で６０分間
オーブン中にてプリベークし、所定のパターンを形成し
たフォトマスクでアライメントした後、高圧水銀灯下で
８０ｍＪのパワーで露光を行い、現像液（東レ株式会社
製：商品名 ＤＶ−１４０）を用いて現像を行った。

【００３７】その後、２５０℃で３０分間ホットプレー
ト上で熱硬化を行い、誘電体層２０５を、少なくとも画
素電極２０６の周辺部と、画素電極２０６とソース線２
０４、ゲート線２０３の間隙部とに設けた。画素電極２
０６上には、その端部より３μｍの領域まで誘電体層２
０５を形成した。誘電体層２０５の膜厚は１．５μｍで
あった。

【００３８】次に、対向基板Ｔ２とアレイ基板Ａ２上に
ポリイミドワニス（例えばＳＥ−７２１０：日産化学工
業株式会社製）を印刷により塗布し、２３０℃で３０分
間ベークして、ポリイミド樹脂からなる配向膜２１１を
形成した。その膜厚は約７０ｎｍ程度であった。その
後、アレイガラス基板２０１と対向ガラス基板２０７
に、液晶が９０゜ＴＮ配向するように、それぞれラビン
グを施した。ラビング布はレーヨン布を用いて、ラビン
グ圧は０．３ｍｍであった。

【００３９】次に、アレイ基板Ａ２上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ（例えばミクロパール：積水ファ
イン株式会社製）を均一に分散させた。スペーサの球径
は４μｍである。対向ガラス基板２０７の周辺部に熱硬
化型のシール材（例えばストラクトボンド：三井東圧化
学（株）製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、アレイ
基板Ａ２と対向基板Ｔ２を貼り合わせ、所定の温度でシ
ール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。

【００４０】次に、屈折率異方性が０．０９７であるネ
マチック液晶（例えばＺＬＩ−４７９２：メルクジャパ
ン株式会社製）に左捻れのカイラル物質（例えばＳ−８
１１：メルクジャパン株式会社）を添加して、ねじれピ
ッチが８０μｍになるようにに濃度調整した。このよう
な条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法
で液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に
充填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、
アレイ基板Ａ２と対向基板Ｔ２の表面に偏光板２１３を
その吸収軸がラビング方向に平行になるように貼り付
け、液晶表示パネルを作製した。

【００４１】本実施の形態の液晶表示パネルにおいて
も、白表示から黒表示への切り替え時には逆チルトドメ
インの発生は見られず、効果が確認できた。これは、横
電界の最も強い間隙部と画素電極の端部を誘電体で覆い
隠すことにより、液晶分子が横電界の最も強い部分に存
在しなくなり、結果的に横電界の影響を受けにくくなっ
たためであると考えられる。

【００４２】一方、比較例として誘電体層２０５の膜厚
を０．５μｍ未満にした場合には、十分な横電界のシー
ルド効果が得られず、逆チルトドメインの発生が見ら
れ、また膜厚が２μｍを越える場合には、段差にともな
うラビング不良により配向不良が顕著にみられ、ともに
好ましくなかった。上記結果より、誘電体層２０５の膜
厚は０．５μｍ〜２μｍの間が好ましかった。

【００４３】また、誘電体層２０５を構成する材料の比
誘電率が大きいと横電界のシールド効果は大きくなる
が、逆に画素電極２０６とソース線２０４やゲート線２
０３などの配線電極との間の寄生容量が増大して好まし
くない。このため、シールド効果と寄生容量の影響を考
慮すると、比誘電率は３〜２０（１０ＫＨｚ時）程度の
値が好ましかった。

【００４４】第３の実施の形態の液晶表示パネルを説明
する。図４は本実施の形態における液晶表示パネルの断
面図の一例である。第１の実施の形態の液晶表示パネル
と同様に、アレイガラス基板３０１上には、所定の方法
により、アモルファスシリコンＴＦＴ素子からなるスイ
ッチング素子３０２、ゲート線３０３、ソース線３０
４、画素電極３０６を形成し、アレイ基板Ａ３を作製し
た。

【００４５】次に、ポリエステルアクリレート４４重量
％、３官能アクリレートモノマー２０重量％、アセトフ
ェノン系光重合開始剤４重量％、ベンゾフェノン系光重
合開始剤６重量％、顔料２０重量％、ポリエステル系分
散剤６％からなる黒色の感光性インクを調合して、メト
キシブチルアセテートに希釈して非導電性ワニスを作製
した。

【００４６】次に、アレイ基板Ａ３上に上記ワニスをコ
ーターによりアライメントマーカー以外の部分に全面に
塗布した。その後、１１０℃で２０分プリベークした
後、所定のパターンを形成したフォトマスクでアライメ
ントした後、高圧水銀灯下で１６０ｍＪのパワーで露光
を行い、アルカリ水溶液にて現像を行った。

【００４７】その後、２２０℃で３０分間ホットプレー
ト上で熱硬化を行い、絶縁性遮光膜３０５を、少なくと
も画素電極３０６の周辺部と、画素電極３０６とソース
線３０４、ゲート線３０３の間隙部とに設けた。画素電
極３０６上には、その端部より３μｍの領域まで絶縁性
遮光膜３０５を形成した。その膜厚は１．５μｍであっ
た。

【００４８】次に、対向基板Ｔ３とアレイ基板Ａ３上に
水平配向用ポリイミドワニス（例えばＳＥ−７２１０：
日産化学工業株式会社製）を印刷により塗布し、２３０
℃で３０分間ベークして、ポリイミド配向膜を形成し
た。この膜厚は約７０ｎｍ程度であった。その後、アレ
イガラス基板３０１と対向ガラス基板３０７に、液晶が
９０゜ＴＮ配向するように、それぞれラビングを施し
た。ラビング布はレーヨン布を用いて、ラビング圧は
０．３ｍｍであった。

【００４９】次に、アレイ基板Ａ３上にプラスチックか
らなる球状のスペーサ（例えばミクロパール：積水ファ
イン株式会社製）を均一に分散させた。スペーサの球径
は４μｍである。対向ガラス基板３０７の周辺部に熱硬
化型のシール材（例えばストラクトボンド：三井東圧化
学（株）製）を液晶注入口を設けて印刷形成し、アレイ
基板Ａ３と対向基板Ｔ３を貼り合わせ、所定の温度でシ
ール材を完全硬化させ、液晶セルを作製した。

【００５０】次に、屈折率異方性が０．０９７であるネ
マチック液晶（例えばＺＬＩ−４７９２：メルクジャパ
ン株式会社製）に左捻れのカイラル物質（例えばＳ−８
１１：メルクジャパン株式会社）を添加して、ねじれピ
ッチが８０μｍになるように濃度調整した。このような
条件で作製したカイラルネマチック液晶を真空注入法で
液晶セルに注入し、カイラルネマチック液晶が完全に充
填された後、液晶注入口を封止樹脂により封口して、ア
レイ基板Ａ３と対向基板Ｔ３の表面に偏光板３１１をそ
の吸収軸がラビング方向に平行になるように貼り付け、
液晶表示パネルを作製した。

【００５１】本実施の形態の液晶表示パネルにおいて
も、白表示から黒表示への切り替え時には逆チルトドメ
インの発生は見られず、効果が確認できた。また、絶縁
性遮光膜３０５は、遮光効果を有するので、ブラックマ
トリックスとして用いることができ、ソース線３０４や
ゲート線３０３などの配線電極上とスイッチング素子３
０２上にも形成することにより、アレイ基板Ａ３上にお
いてブラックマトリックスを形成することが可能にな
り、開口率を向上させることができた。

【００５２】本実施の形態の液晶表示パネルでは、絶縁
性遮光膜３０５が光重合性オリゴマーと光重合性モノマ
ーからなるポリエステル樹脂を主成分にして形成されて
いるので、工法上容易に形成することができる。また光
重合性オリゴマーとしてポリエステル系アクリレートを
用いているので、他のエポキシ系アクリレート、ウレタ
ン系アクリレート等と比較すると低粘度であるので、作
業性に優れている。

【００５３】以上の構成により、画素電極と配線電極と
の間隙部の横電界によって発生する逆チルトドメインを
抑制することができ、この逆チルトドメインに起因する
画質の低下を抑えることができるとともに、画素電極部
が高開口率となるように設計することができる。その結
果、画像の表示品位を向上することができる。

【００５４】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、導電性薄
膜が画素電極と電気的に導通状態になり、その導電性薄
膜が、画素電極と配線電極間に形成された絶縁体層を介
して、配線電極との間に基板法線方向の電気容量を形成
することができるとともに、その導電性薄膜が、その遮
光性によりブラックマトリックスとして作用することが
できる。

【００５５】また、画素電極と配線電極との間隙部と画
素電極の一部に形成された誘電体層が、横電界の最も強
い領域をシールドして、液晶分子が横電界の影響を直接
受けないようにすることができるとともに、そのように
形成された誘電体層が、大きな比誘電率により横電界の
電界強度を弱くすることができる。

【００５６】また、画素電極と配線電極との間隙部と画
素電極の一部に形成されたポリエステルを主成分とする
絶縁性遮光膜が、横電界の最も強い領域をシールドし
て、液晶分子が横電界の影響を直接受けないようにする
とともに、その遮光性によりブラックマトリックスとし
て作用することができ、さらに、その絶縁性遮光膜を、
光照射を用いて容易に形成することができる。

【００５７】そのため、画素電極と配線電極との間隙部
の横電界によって発生する逆チルトドメインを抑制する
ことができ、この逆チルトドメインに起因する画質の低
下を抑えることができるとともに、画素電極部が高開口
率となるように設計することができる。その結果、画像
の表示品位を向上することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図

【図２】同実施の形態の液晶表示パネルの上部から見た
模式図

【図３】本発明の第２の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図

【図４】本発明の第３の実施の形態の液晶表示パネルの
構成を示す断面模式図

【符号の説明】

１０５ 導電性薄膜 １０７ 絶縁膜 １２５ 導電性薄膜 ２０５ 誘電体層 ３０５ 絶縁性遮光膜

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
   とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
   間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、前記
   画素電極と配線電極との間隙部に絶縁体層を形成し、前
   記絶縁体層上に、導電性を有する導電性薄膜を、前記画
   素電極に接触し且つ画素電極の周囲に位置するように形
   成した液晶表示パネル。
2. 【請求項２】 導電性薄膜を、遮光性を有する導電性高
   分子または金属により構成した請求項１に記載の液晶表
   示パネル。
3. 【請求項３】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
   とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
   間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、少な
   くとも前記画素電極と配線電極との間隙部と前記画素電
   極の一部に、誘電体からなる誘電体層を形成した液晶表
   示パネル。
4. 【請求項４】 誘電体層を、その膜厚が０．５μｍ以上
   ２μｍ以下になるように形成した請求項３に記載の液晶
   表示パネル。
5. 【請求項５】 画素電極と配線電極とスイッチング素子
   とを有するアレイ基板と対向電極を有する対向基板との
   間に液晶を挟持してなる液晶表示パネルであって、少な
   くとも前記画素電極と配線電極との間隙部と前記画素電
   極の一部に、ポリエステルを主成分とする絶縁性遮光膜
   を形成した液晶表示パネル。
6. 【請求項６】 絶縁性遮光膜を、光重合性オリゴマーと
   光重合性モノマーとからなるポリエステルを主成分とし
   て形成した請求項５に記載の液晶表示パネル。