JPH0926607A

JPH0926607A - 制御された電界の印加による強誘電性ドメイン反転方法

Info

Publication number: JPH0926607A
Application number: JP8128735A
Authority: JP
Inventors: Mool C Gupta; シーグプタムール; Alan C G Nutt; シージーナットアラン
Original assignee: Eastman Kodak Co
Current assignee: Eastman Kodak Co
Priority date: 1995-05-30
Filing date: 1996-05-23
Publication date: 1997-01-28
Also published as: US5756263A; EP0745883A1

Abstract

(57)【要約】【課題】強誘電性材料を含み２つの主な対向する表面
を有する基板内に反転された強誘電性ドメイン領域を形
成する方法を提供する。【解決手段】その方法はそれに続く核形成及び選択さ
れたドメインの成長を阻害するために選択された領域内
に制御された電界の印加することを含み；対向する主な
基板の上に導電性電極を設け；強誘電性分極を選択され
た修飾されない領域内で反転するために充分な強度及び
持続時間を有する電圧を導電性電極に供給する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】関連する出願の相互参照ＣｙｎｔｈｉａＪ．Ｂａｒｏｎ等による１９９４年６
月１６日に出願された米国特許出願２６０９３５「反転
された強誘電性ドメイン領域の形成方法」の開示を参考
として引用する。

【０００２】

【発明の属する技術分野】本発明は反転された強誘電性
ドメイン構造を用いるオプトエレクトロニクスデバイス
及びその製造方法に関する。

【０００３】

【従来の技術】小型のレーザー光源は現在近赤外乃至赤
の可視波長でのみ用いられている。しかしながら利用で
きる小型の可視光源の欠如によりガス又はより大きな半
導体レーザーを用いて最近実用化された可視スペクト
ル、即ち４００−７００ｎｍでの小型レーザーの多くの
応用がある。青の波長レンジのコヒーレント光は例えば
現在のレーザー波長の回折で限定された合焦による光学
的記録密度を約４倍にしうる。これらの応用に対して低
コスト及び小型性は必要な属性である。より高い解像度
のレーザー印刷及び表示は青い光源の経済的な利用性か
ら利益を得る。小型の可視レーザー光源を達成する幾つ
かの技術が種々の応用に対して開発されてきている。特
に周波数２倍化の方法は二次高調波発生（ＳＨＧ）を介
して可視光を発生しうる非線形光学結晶をポンプするた
めに市販品として用いられる赤外励起ＩＩＩ−Ｖレーザ
ーダイオードを用いる。利用可能な出力レベルで、導波
路内で準位相（ｑｕａｓｉ−ｐｈａｓｅ）マッチングす
るＳＨＧを実施する便利な方法はＬｉｍ等による論文Ｅ
ｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２５
１９８９，ｐ．１７４に記載され、高いＳＨＧ効率を達
成するポンプ及び二次高調波放射に位相適合する周期的
に分極された（ｐｏｌｅｄ）強誘電性ドメイン領域の使
用を含む。

【０００４】干渉計、変調器、モード変換器、スキャナ
ー、分極変換器（ｐｏｌａｒｉｚａｔｉｏｎｔｒａｎ
ｓｆｏｒｍｅｒ）のような小型光学デバイス内で用いら
れるＬｉＮｂＯ₃ 及びＬｉＴａＯ₃ 及びＫＴＰのような
単結晶材料はバルク又は導波路準位相適合された二次高
調波発生器として用いられる。これらの材料は大きな非
線形光学計数を有し、可視レンジ内で透明であり、単一
又は多モード波長はイオン交換処理により容易に形成さ
れうる（ＹａｈｕａｎＸｕの「Ｆｅｒｒｏｅｌｅｃｔ
ｒｉｃＭａｔｅｒｉａｌｓａｎｄＴｈｅｉｒＡ
ｐｐｌｉｃａｔｉｏｎｓ」、ＥｌｓｅｖｉｅｒＳｃｉ
ｅｎｃｅＰｕｂｌｉｓｈｅｒｓＢ．Ｖ．１９９１
年、２３３を参照）。非線形光学材料の反転された強誘
電性ドメイン領域の正確な構成（強誘電性分極の方向の
パターンニング）は準位相適合された二次高調波発生で
の利用可能な効率を得るのに必要である。反転されたド
メイン領域は変調器又はスキャナーのような他の電子ー
光デバイスに対してまた有用であり、ピロ電気検出器等
のような他のデバイスでも有用でありうる。

【０００５】強誘電性材料での反転された強誘電性ドメ
イン領域を形成する幾つかの方法は現在用いられてい
る。強誘電性材料での強誘電性ドメイン領域反転の一般
的な方法はパターン化された金属電極を介して達成され
る所望のドメイン方向の材料の保磁電界（ｃｏｅｒｃｉ
ｖｅｆｉｅｌｄ）より強い電界をパターン化して印加
することである。これは室温又は上昇された温度のどち
らかでなされうる。（Ｍ．Ｙａｍａｄａ等によるＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６２（５），１９９３年２月
１日、４３６乃至４３６頁の論文「Ｆｉｒｓｔ−Ｏｒｄ
ｅｒｑｕａｓｉ−Ｐｈａｓｅ−ＭａｔｃｈｅｄＬｉ
ＮｂＯ₃ ＷａｖｅｇｕｉｄｅＰｅｒｉｏｄｉｃａｌ
ｌｙＰｏｌｅｄｂｙＡｐｐｌｙｉｎｇａｎＥ
ｘｔｅｒｎａｌＦｉｅｌｄｆｏｒＥｆｆｉｃｉｅ
ｎｔＢｌｕｅＳｅｃｏｎｄ−ＨａｒｍｏｎｉｃＧ
ｅｎｅｒａｔｉｏｎ」及びＳ．Ｍａｔｕｍｏｔｏ等によ
るＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＬｅｔｔ．（２７）２２，
１９９１年１０月２４日、２０４０乃至２０４２頁の論
文「Ｑｕａｓｉｐｈａｓｅ−ＭａｔｃｈｅｄＳｅｃｏ
ｎｄＨａｒｍｏｎｉｃＧｅｎｅｒａｔｉｏｎｓｏ
ｆＢｌｕｅＬｉｇｈｔｉｎＥｌｅｃｔｒｉｃａ
ｌｌｙＰｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙＰｏｌｅｄＬｉ
ｔｈｉｕｍＴａｎｔａｌａｔｅＷａｖｅｇｕｉｄｅ
ｓ」を参照）。表面上の反転した強誘電性ドメイン領域
を形成する他の広く用いられている方法は材料のキュー
リー温度を拡散により化学的に変化させることである。
このプロセスは高温で実施され、又はその後の熱処理に
よりなされる。（Ｋ．Ｙａｍａｍｏｔｏ等によるＪ．Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７０（４），１９９１年８月１５
日、１９４７乃至１９５１頁の論文「Ｃｈａｒａｃｔｅ
ｒｉｓｔｉｃｓｏｆＰｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙＤ
ｏｍａｉｎ−ＩｎｖｅｒｔｅｄＬｉＮｂＯ₃ ａｎｄ
ＬｉＴａＯ₃ ＷａｖｅｇｕｉｄｅｓｆｏｒＳｅ
ｃｏｎｄ−ＨａｒｍｏｎｉｃＧｅｎｅｒａｔｉｏｎ」
を参照。他の方法は単一方向性の加熱及び同時の化学処
理、結晶成長中の強誘電性ドメイン反転、又は電子ビー
ム書き込みにより強誘電性ドメイン反転を含む。（Ｇ．
Ａ．Ｍａｇｅｌ等によるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔ
ｔ．５６（２），１９９０年１月８日、１０８乃至１１
０頁の論文「Ｑｕａｓｉ−ｐｈａｓｅｍａｔｃｈｅｄ
ｓｅｃｏｎｄ−ｈａｒｍｏｎｉｃｇｅｎｅｒａｔｉｏ
ｎｓｏｆｂｌｕｅｌｉｇｈｔｉｎｅｌｅｃｔ
ｒｉｃａｌｌｙｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙｐｏｌｅ
ｄＬｉＮｂＯ₃ 」及びＨｉｔｏｓｈｉ等による１９９
２年９月２２日発行のアメリカ特許第５、１５０、４４
７号を参照。）化学的な拡散又はインプラテーション処理による強誘電
性ドメイン領域を反転する方法はよく知られ、全て同じ
原理を用いて動作する。拡散、注入等々により結晶から
選択された要素を導入又は除去することは強誘電性材料
のキューリー温度を局所的に低くする。選択された区域
で強誘電性分極を反転するためにデバイスは局所的に低
くされたキューリー温度より高いがバルク材料のキュー
リー温度より低い温度に加熱される。Ｌｉｍ等により記
載されたＬｉＮｂＯ₃ 内の高温Ｔｉの内部拡散（ｉｎ−
ｄｉｆｆｕｓｉｏｎ）のような拡散処理、Ｙａｍａｍｏ
ｔｏ等によるＪ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．７０（４），１
９９１年８月１５日、１９４７頁及び後者はＳａｗａｋ
ｉ等によるアメリカ特許第５、２４９、１９１号に記載
されるＬｉＮｂＯ₃ 内のＬｉ₂ Ｏ外部拡散（ｏｕｔｄｉ
ｆｆｕｓｉｏｎ）又はＬｉＮｂＯ₃ 内のプロトン交換
（ｅｘｃｈａｎｇｅ）、又はＢｉｅｒｌｅｉｎ等による
アメリカ特許第５、１５７、７５４号に記載されるＫＴ
Ｐ内のイオン交換が一般的になされている。これらの拡
散制御されたプロセスは幾つかの欠点を有する。Ｌｉ₂
Ｏ外部拡散及びＴｉ内部拡散は材料の光屈折抵抗を低く
する。（Ｋ．Ｙａｍａｍｏｔｏ等によるＪ．Ａｐｐｌ．
Ｐｈｙｓ．７０（４），１９９１年８月１５日、１９４
７乃至１９５１頁の論文「Ｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉ
ｃｓｏｆＰｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙＤｏｍａｉｎ
−ＩｎｖｅｒｔｅｄＬｉＮｂＯ₃ ａｎｄＬｉＴａ
Ｏ₃ ＷａｖｅｇｕｉｄｅｓｆｏｒＳｅｃｏｎｄ−
ＨａｒｍｏｎｉｃＧｅｎｅｒａｔｉｏｎ」を参照）。
準位相適合された二次高調波発生では最大効率は導波路
領域を貫通する垂直ドメイン壁により達成される。拡散
処理により作られた反転された強誘電性領域形状はＬｉ
ＮｂＯ₃ に対しては浅く三角形であり、ＬｉＴａＯ₃ に
対しては浅く半円形であり、導波路とモード上のオーバ
ーラップに対して最適ではなく、変換効率の減少を内蔵
することを導く。材料の屈折率は化学的に拡散された種
によりまた変化され、均一な屈折率が必要な場合には付
加的な段階が要求される。さらにまた拡散パターン化さ
れた反転されたドメイン形状及び寸法の正確な制御は困
難であり、時間、温度、加熱率、化学的な相互作用の
量、材料のピロ電気的及び圧電的特性を含む幾つかの係
数に依存する。これらと同じ処理は一般に導波路を作製
するのにまた用いられ、単一モード導波路を維持するた
めにいくつかの付加的処理段階を要求する。

【０００６】反転された強誘電性ドメイン領域を形成す
る他の方法は１方向加熱と組み合わせたＬｉＮｂＯ₃ 及
びＬｉＴａＯ₃ 内のプロトン交換を用いるＭａｋｉｏ等
によるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１，１９９２
年１２月２８日、３０７７頁の論文に記載される。（Ａ
ｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６１（２６），１９９２
年１２月２８日、３０７７−３０７９頁の論文「Ｆａｂ
ｒｉｃａｔｉｏｎｏｆｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ
ｉｎｖｅｒｔｅｄｄｏｍａｉｎｓｔｒｕｃｔｕｒｅ
ｓｉｎＬｉＴａＯ₃ ａｎｄＬｉＮｂＯ₃ ｕｓ
ｉｎｇＰｒｏｔｏｎＥｘｃｈａｎｇｅ」を参
照）。プロトン交換からのストレスは温度勾配下の反転
されたドメインの成長を引き起こすと考えられる。ドメ
インは「スパイク状」で、結晶の表面上のプロトン交換
された領域から始まる。この方法は不安定なドメインを
形成し、それに続く熱処理下でドメインの深さは減少す
る。３８０°Ｃで５分までドメインが残ることが導波路
を形成するために充分である一方で、導波路の長さに沿
ってプロトンを厳密に導入することによる非線形係数及
び屈折率の変調はＳＨＧを阻害し、散乱を増加する。反
転された強誘電性ドメインは表面に延在される必要があ
り、屈折率の変動を示さないか、又は最大効率に対する
非線形係数の低下を示す。

【０００７】「書き込まれた」パターン内の電子線照射
はＬｉＮｂＯ₃ 内の強誘電性ドメイン領域を反転するた
めになされてきており、Ｙａｍａｄａ等によるＥｌｅｃ
ｔｒｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，（２７），１９９１
年５月９日、８２８頁の論文及びアメリカ特許第５、２
４９、２５０号に記載されており、ＬｉＮｂＯ₃ につい
てはＨｓｕ等によるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６
０（１），１９９２年１月６日、１頁の論文に記載され
ており、ＫＴＰについてはＧｕｐｔａ等によるＡｐｐ
ｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６３（９），１９９３年８月
３０日、１１６７頁の論文に記載されている。電子線照
射は大規模なパターンを作成することが困難であり、処
理条件に対するドメイン形状の感応性、材料の表面内へ
の電子線の貫通、印加された高い電界による表面の損傷
を被り、この後者は両方ともより高い効率のための導波
路組立の前に表面層の除去を必要とする。

【０００８】垂直の壁を有する反転された強誘電性ドメ
イン領域は材料の保磁電界より高い外部電界の印加によ
りまた示されてきた。Ｙａｍａｄａ等によるアメリカ特
許第５、１９３、０２３号には反転されたドメイン領域
を作成するために非線形光学的強誘電性基板上のパター
ン化された電極の使用が記載されている。出版物ではＹ
ａｍａｄａ等によるＡｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．Ｌｅｔｔ．６
２（５），１９９３年２月１日、４３５頁の論文に５０
０μｍの厚さより小さなウエーハの厚さを貫通する反転
されたドメイン領域を形成するためにＬｉＮｂＯ₃ 上で
用いられるパターン化されたアルミニウム電極が記載さ
れている。電極のパターン化された部分は結晶の＋ｚ表
面上に形成される。何故ならば反転された強誘電性ドメ
イン領域は＋ｚ表面から始まるからである。結晶のーｚ
表面は平坦な電極としてコートされる。１００μｓｅｃ
の負のパルスはドメインを反転するために印加される。
最後の段階は適切な溶液内で電極を溶解することを含
む。Ｙａｍａｄａ等はより長いパルス長に対する電極下
のドメインの側方成長を報告しており、実際短い（３ｍ
ｍ）相互作用長さのみで形成されている。極性電界パル
スの制御は適切な垂直に壁を形成されたドメインパター
ンを達成するのにクリティカルなものである。より長い
相互作用長さの欠如はプロセスの再現性を阻害するもの
である。極端に高い電界での金属電極の使用はまた表面
相互作用による変換効率の減少を引き起こす。

【０００９】Ｍａｔｓｕｍｏｔｏ等によるＥｌｅｃｔｒ
ｏｎｉｃｓＬｅｔｔｅｒｓ，ｖｏｌ．２７，Ｎｏ．２
２，１９９１年１０月２４日、２０４０頁の論文では表
面反転された強誘電性ドメイン領域を作るために高温で
相互嵌合した電極からのフリンジ電界を用いている。Ｍ
ａｔｓｕｍｏｔｏは顕著に導波路損失を引き起こすのに
充分な２０ｎｍの反転操作により作られた表面上の波形
を報告している。印加された電界と組み合わせてこのプ
ロセスに対する高温は電極を非線形特性に影響し、光屈
折を顕著に誘導する基板の表面内へ拡散させる。強誘電
性材料は高温では顕著な導電性をまた有する。

【００１０】Ｍｙｅｒｓ等はカリフォルニア州スタンフ
ォードの非線形光学材料センターで１９９３年７月に発
表を行った。この発表では金属及び溶融塩電極の両方を
含み材料の保磁電界よりも非常に高い電界を非常に短時
間の間パルス化された０．５乃至１ｍｍの厚さのＬｉＮ
ｂＯ₃ 結晶に関するものである。金属パターン化電極に
対して、ドメイン形状の制御は電界パルス長さ及びパル
ス数により達成される再極化された領域の均一性は液体
電極の使用により増加された。ニオブ酸リチウム内のパ
ターン化された再極化された領域はＹａｍａｄａ等によ
り開示されたようにパターン化された金属電極の使用を
介してのみ達成された。液体電極のパターン化は効率的
なＳＨＧで必要とされる寸法に対しては殆ど不可能であ
る。

【００１１】強誘電性ドメイン領域を再現性よく反転す
ることがＳＨＧデバイスの開発の鍵である。変換の低い
効率は主に以下の３つの主要な欠点の１以上による：導
波路を有する反転された領域の少ないオーバーラップ、
化学又は光屈折効果による反転領域内のＮＬＯ係数の減
少、又はドメイン形状、深さ、デューティーサイクルの
制御の悪さ。化学的拡散処理は準位相適合に対して最適
な条件を提供せず、屈折率変化をまた導入しうる三角又
は半円ドメイン形状を生ずる。両方の効果は変換効率の
減少を導く。他方で現在ある電界ドメイン反転技術は再
現性の欠如、電極相互作用、反転されたドメインパター
ン内の不均一性を被り、それらの全ては制御不可能なプ
ロセス及び低い効率の結果の属性である。

【００１２】

【発明が解決しようとする課題】本発明の目的は表面パ
ターンの延長である反転されたドメイン体積間の境界を
有する所定の表面パターンを有する強誘電性材料内の反
転された強誘電性ドメイン領域を形成する改善されたプ
ロセスを提供することにある。本発明の他の目的は化学
拡散プロセスの使用をとおして達成されたものよりも好
ましい形状及び深い反転された強誘電性ドメイン領域を
材料内に提供することにある。

【００１３】本発明の他の目的は表面損傷又は壊滅的な
破壊の可能性を低下させることにある。本発明の更に他
の目的は付加的な幾つかのプロセス段階なしに素早くか
つ再現性を有して形成されうる反転された強誘電性ドメ
イン領域の大きな区域を提供することにある。

【００１４】本発明の更に他の目的は導波路又はバルク
応用のどちらにも用いられうる反転された強誘電性ドメ
イン領域を形成するプロセスを提供することにある。

【００１５】

【課題を解決するための手段】反転された強誘電性ドメ
イン領域のパターンは隣接領域での該ドメインの成長を
阻害することにより形成可能であることは全く予想外に
発見されたものである。この目的はａ．典型的には０．５μｍから１．０μｍの間の厚さ
の基板表面上で高い誘電定数を有する高い電気絶縁層を
堆積し；ｂ．誘電層上及び他の基板表面上にそれぞれ導電性電
極を設け；ｃ．制御された方法で強誘電性分極を反転するために
充分な強度及び持続時間を有する導電性電極にわたる電
圧を供給する各段階からなり、強誘電性材料を含み２つの主な対向す
る表面を有する基板内に反転された強誘電性ドメイン領
域を形成する方法により達成される。

【００１６】

【発明の実施の形態】図１を参照するにタンタル酸リチ
ウム、ニオブ酸リチウム、又はリン酸チタニルカリウム
（ＫＰＴ）のような強誘電性材料からなる基板１０が設
けられる。これらの材料は結晶である。基板は有用な光
学的特性を示すどのような強誘電性材料も含みうる。上
面１２はＨＦ＋２ＨＮＯ₃ 内でのディップ及び脱イオン
化水のすすぎ又は適切な標準半導体洗浄過程に続く超音
波パワー下での希釈イソクリーン、アセトン、２ープロ
パノールのようなクリーナー及び溶媒内での順次の浸漬
により最初に洗浄される。マスク材料１４は従来のスパ
ッタリング技術によるように表面１２上で設けられる。
マスク材料１４は例えばＴａ₂Ｏ₅，ＷＯ₃、Ｈｆ
Ｏ₃、ダイアモンド類似の炭素でありうる。フォトレジ
スト層（図示せず）はマスク材料の上に塗布され、開口
を設けるためにパターン化される。酸又はイオンビーム
エッチングは開口を介してフォトレジスト内で基板１２
の表面に下降してマスク材料１４を除去するために用い
られる。それからフォトレジスト層は除去され、残りは
マスク材料１４内に形成された開口１７のパターンであ
る。代替的にフォトレジスト層は基板１２の表面への開
口１７を得るために基板１２の光学的にきれいな表面に
塗布されえ、画像逆転プロセスを介してパターン化され
る。マスク材料１４は例えば蒸着技術によりフォトレジ
ストパターン上に塗布され、それに続いてフォトレジス
ト層の溶解は不要なマスク材料１４を取り払う。

【００１７】図２に示すように、導電性の接点２０は基
板１０の両面に取り付けられる。この導電性接点２０は
Ｍｇ（ＮＯ₃ ）₂ ・６Ｈ₂ Ｏ，ＭｇＳＯ₄ ，ＮａＣｌ及
び他の可溶なアルカリ及びアルカリ土類塩水溶液のよう
な溶解塩及びＡｕ，Ａｌ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｔａ等の金属か
ら構成されうる。一実施例では電源２１は傾斜した電圧
を供給する。傾斜された電圧により生じた電流は電流モ
ニター２３により測定される。

【００１８】図３にｘ軸に典型的な傾斜した電圧を、ｙ
軸に測定された電流を示す。電源２１からの電圧が強誘
電性ドメイン領域が反転するのに充分な大きさである時
に電流の大きさが増加する。電流計２３により測定され
る流れる全体の電荷は反転された強誘電性ドメイン領域
の寸法に比例する。このプロセスの結果としてこの電流
の増加は予想可能であることが明らかとなった。この方
法により強誘電性ドメインの反転はモニターされ、電圧
勾配は電流の始まりで横ばいになり、続いて所定の電荷
の流れの後に消失する。これは手動又は自動のどちらか
で達成されうる。電極にわたって印加された電圧はＤＣ
であり、保持力電圧以上の傾斜又はパルスであり、．０
０００１から１０００００ｍｓｅｃ、好ましくは．００
００１から１００００ｍｓｅｃとして印加される。

【００１９】導電性接点２０は水及び希釈された酸のよ
うな適切な溶媒内に浸漬することにより除去される。得
られたデバイスは図４に示される。異なる方向に交代す
る矢印が示されており、これらは基板１０の反転された
ドメイン２５の方向を示す。図５の（Ａ）に示される本
発明の他の実施例では溝２７は周期的に強誘電性結晶基
板１０内に形成される。溝は結晶表面上にマスク材料を
パターン化することにより形成される。マスク材料はフ
ォトレジストのコーティングと、それの露出と、レジス
トの現像と、イオンエッチングとを含むフォトリソグラ
フィにより形成される。溝をエッチングした後にマスク
層は典型的には除去される。それから導電性電極２８
ａ，２８ｂは導電性電極が溝内に入るように両方の表面
上に用いられる。それから高電圧が局部化された領域で
分極の反転を生ずるように導伝体にわたって印加され
る。ある場合には図５の（Ｂ）に示すようにパターン電
極は導電性電極２８ａが一方の表面上で溝を有する領域
内だけにあり、反対の表面上の連続的な電極２８ｂがあ
るように適用される。傾斜のある高電圧が印加されたと
きには電流の分裂（図６）が領域１及び領域２の分極反
転に対応する２つの区別できる電圧として観測される。
この構造は電圧を制御することにより選択された領域で
分極反転を生ずる。

【００２０】図７に示される本発明の他の実施例では結
晶表面は化学的に修飾され、それからパターン化された
誘電層２９は形成され、パターン化され、強誘電性結晶
の化学的に修飾された層に移動される。この方法は結晶
及び化学的に修飾された表面に溝を形成し、誘電層はな
お選択された領域内にある。それから導伝性層は両方の
表面に等角に（同様に）設けられる。高電圧は強誘電性
結晶内で分極の反転を引き起こすために印加される。あ
る場合には誘電性層は導電性電極の設置の前に除去され
る。

【００２１】図８の（Ａ）に示される本発明の他の実施
例では誘電性層３０は結晶表面上に形成され、それから
パターン化された導電性電極３１は誘電層３０の上に形
成され、連続した電極２８ｂは他の表面上に形成され
る。それから高電圧が分極反転を引き起こすように導電
性電極に印加される。誘電性層３０は金属電極が結晶表
面上に直接形成される場合に比べて電界の分布を改善す
る。ある場合には誘電性層２９及び金属電極３０は図８
の（Ｂ）に示されるようにパターン化される。例例の中で用意されたデバイス内のドメイン反転を決める
ためにｘｚ平面に沿った断面内でデバイスはスライスさ
れ、磨かれた。デバイスは９０度で１：２の比率のＨＦ
及びＨＮＯ₃ の中で５乃至１０分間エッチングされた。
＋ｚ方向向き及び−ｚ方向向きドメインはドメイン構造
を明らかにするためにｙ軸に沿って異なる比率でエッチ
ングされた。例１ＬｉＴａＯ₃ の０．５ｍｍ厚さの光学的に研磨された表
面を有するＳＡＷグレードのｚ−カット結晶は購入さ
れ、１．４ｃｍ平方に切り取られた。５０００オングス
トロームのＴａ₂Ｏ₅が−ｚ表面上にスパッタされた。
１５００オングストロームのインジウム錫酸化物（ＩＴ
Ｏ）はスパッタリングにより堆積された。フォトレジス
トは３．６μｍ周期のグレーティングマスクを通して露
光された。露光されたフォトレジストは現像され硬化す
るために後焼成された。ＩＴＯはＣＦ₄及び酸素プラズ
マ内でエッチングされた。それからＴａ₂Ｏ₅はフレオ
ンプラズマによりエッチングされた（反応イオンビーム
エッチング）。エッチング後にフォトレジストは除去さ
れ、Ｔａ₂Ｏ₅グレーティングマスクは基板表面に残さ
れた。２０ｍｌのＨ₂ Ｏ内に溶解された２ｇｍのＭｇ
（ＮＯ₃ ）₂ ・６Ｈ₂Ｏからなる導電性電極は基板の両
側に滴下されて設けられ、連続性は真鍮のプローブによ
り確実にされた。基板にわたる電圧及び通過する電流は
モニターされ、電流はまた時間に対してモニターされ
た。毎秒約１００乃至２００ボルトのＤＣ傾斜は傾斜が
毎秒約１０乃至３０ボルトに減少する時まで約１０ＫＶ
まで印加された。電流がドメイン反転の開始により増加
するまでＤＣ電圧は数秒間一定に保たれ、充分な電荷が
通過した後で回路は電流を停止するため開かれる。導電
性電極は水で洗浄される。得られた反転されたドメイン
パターングレーティングは約８ｍｍｘ８ｍｍの接点区域
内にある。例２ｚ−カットＬｉＴａＯ₃結晶は洗浄され、０．５μｍ厚
さのフォトレジスト層でコートされる。フォトレジスト
はＵＶ光で照射されることにより３．６μｍ周期でパタ
ーン化され、現像された。次にサンプルは結晶表面に
０．５μｍ深さの溝を形成するためにアルゴンイオンビ
ームにより３０分間エッチングされた。残りのフォトレ
ジストは除去された。液体電極は両面に用いられ、分極
反転は高電圧の印加により達成された。

【００２２】本発明はその特定の好ましい実施例を参照
して詳細に説明されてきたが、改良及び変更は本発明の
精神及び範囲内で有効である。

【００２３】

【発明の効果】以下に本発明の利点を述べる。深い、直
線の壁の反転された強誘電性ドメイン領域は容易に形成
されえ、しばしば表面パターンを複写する結晶の厚さを
貫通して延在し、ドメイン深さについての問題を除去
し、化学的拡散プロセスで生じたドメイン形状を最適化
する。このプロセスは室温で実施されえ材料表面の汚染
の機械を減少する。このプロセスでは電圧の印加は強誘
電性ドメイン反転に対して必要とされる最小限にされ
え、壊滅的な絶縁破壊、表面損傷、又はドメイン領域の
側方成長の可能性を最小限にする。このプロセスは表面
又はバルク応用での反転された強誘電性ドメイン領域の
大きな領域に対して適用可能である。本発明に記載され
た現在の最も簡単なプロセス段階で１．８μｍより微細
な特性が室温で実施された。より高い温度処理（キュー
リー点までの）はまた有利である。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明による反転された強誘電性ドメイン構造
デバイスの断面を示す図である。

【図２】図１のデバイスにわたって電界を印加する構造
を示す図である。

【図３】図２のデバイスに対する印加された電圧対スイ
ッチング電流のプロットを示す図である。

【図４】図２のデバイスの基板内に形成された反転され
たドメイン構造を示す図である。

【図５】（Ａ）は溝を有する結晶基板を用いた実施例を
示す図であり、（Ｂ）は（Ａ）と類似であるが、溝内に
のみ電極を有する他の実施例を示す図である。

【図６】図５（Ａ）のデバイスに対する電圧対又はスイ
ッチング電流のプロットを示す図である。

【図７】本発明による他のデバイス構造を示す図であ
る。

【図８】（Ａ），（Ｂ）は本発明による更に他のデバイ
ス構造を示す図である。

【符号の説明】

１０基板１２光学的にきれいな表面１４マスク材料１７開口２０導伝性層２１電源２３電流計２５反転されたドメイン２７溝２８導電性電極２９パターン化された誘電性層３０誘電性層３１金属電極

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】ａ．典型的には０．５μｍから１．０μ
ｍの間の厚さの基板表面上で高い誘電定数を有する高い
電気絶縁層を堆積し；ｂ．誘電層上及び他の基板表面上にそれぞれ導電性電
極を設け；ｃ．制御された方法で強誘電性分極を反転させるため
に充分な大きさ及び持続時間を有する導電性電極にわた
る電圧を供給する各段階からなり、強誘電性材料を含み２つの対向主面を
有する基板内に反転された強誘電性ドメイン領域を形成
する方法。
【請求項２】（ａ）ドメイン反転が選択された領域で
禁止されるように溝を形成するために基板をエッチング
し；（ｂ）基板の両方の表面上に導電性電極を設け；（ｃ）強誘電性分極をスイッチさせるために充分な大
きさ及び持続時間を有する導電性電極にわたる電圧を供
給する各段階からなる強誘電性基板内に反転された強誘電性ド
メイン領域を形成する方法。
【請求項３】（１）強誘電性結晶上に誘電層を堆積
し、該誘電層上にパターン化された金属電極を設け；（２）金属電極に電圧を印加する各段階からなる強誘電性基板内に反転された強誘電性ド
メイン領域を形成する方法。