JPH09266298A - 固体撮像素子の製造方法 - Google Patents
固体撮像素子の製造方法Info
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- JPH09266298A JPH09266298A JP8097720A JP9772096A JPH09266298A JP H09266298 A JPH09266298 A JP H09266298A JP 8097720 A JP8097720 A JP 8097720A JP 9772096 A JP9772096 A JP 9772096A JP H09266298 A JPH09266298 A JP H09266298A
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- electrode
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Abstract
(57)【要約】
【課題】例えばＣＣＤ固体撮像素子の製造工程に適用し
て、電極の抵抗率を低減して、高速度で電荷転送できる
ようにする。 【解決手段】高融点の金属材料により電極の形状を形成
した後、光電気変換部形成後のリフロー膜を形成する熱
処理において結晶化する。
て、電極の抵抗率を低減して、高速度で電荷転送できる
ようにする。 【解決手段】高融点の金属材料により電極の形状を形成
した後、光電気変換部形成後のリフロー膜を形成する熱
処理において結晶化する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、固体撮像素子の製
造方法に関し、例えばＣＣＤ固体撮像素子の製造工程に
適用して、高融点の金属材料により電極の形状を形成
し、光電変換部を形成した後のリフロー膜形成の熱処理
において結晶化することにより、電極の抵抗率を低減し
て、高速度で電荷転送できるようにする。
造方法に関し、例えばＣＣＤ固体撮像素子の製造工程に
適用して、高融点の金属材料により電極の形状を形成
し、光電変換部を形成した後のリフロー膜形成の熱処理
において結晶化することにより、電極の抵抗率を低減し
て、高速度で電荷転送できるようにする。
【０００２】
【従来の技術】従来、ＣＣＤ固体撮像素子においては、
ポリシリコンにより垂直転送部及び水平転送部の電極を
形成するようになされている。
ポリシリコンにより垂直転送部及び水平転送部の電極を
形成するようになされている。
【０００３】すなわち図５に示すように、ＣＣＤ固体撮
像素子１は、フォトセンサでなる光電変換部２がマトリ
ックス状に配置されると共に、水平方向に連続するこれ
ら光電変換部２間に垂直転送部３が配置され、この垂直
転送部３の下端に水平転送部４が配置される。ここで光
電変換部２は、入射光を光電変換して蓄積電荷を生成
し、各垂直転送部３は、各光電変換部２の蓄積電荷を一
定周期で読み出し、読み出した蓄積電荷を水平転送部４
に順次転送する。水平転送部４は、垂直転送部３より転
送される蓄積電荷を電荷検出部５に向かって順次転送
し、電荷検出部５は、この蓄積電荷を電気信号に変換し
て出力する。
像素子１は、フォトセンサでなる光電変換部２がマトリ
ックス状に配置されると共に、水平方向に連続するこれ
ら光電変換部２間に垂直転送部３が配置され、この垂直
転送部３の下端に水平転送部４が配置される。ここで光
電変換部２は、入射光を光電変換して蓄積電荷を生成
し、各垂直転送部３は、各光電変換部２の蓄積電荷を一
定周期で読み出し、読み出した蓄積電荷を水平転送部４
に順次転送する。水平転送部４は、垂直転送部３より転
送される蓄積電荷を電荷検出部５に向かって順次転送
し、電荷検出部５は、この蓄積電荷を電気信号に変換し
て出力する。
【０００４】これらのうち垂直転送部３及び水平転送部
４は、半導体基板に形成されたチャンネル上に、絶縁層
を間に挟んで、順次ゲート電極を配置して形成され、例
えば垂直転送部３においては、隣接するゲート電極に、
４相の駆動パルスを印加して順次蓄積電荷を転送するよ
うになされていた。
４は、半導体基板に形成されたチャンネル上に、絶縁層
を間に挟んで、順次ゲート電極を配置して形成され、例
えば垂直転送部３においては、隣接するゲート電極に、
４相の駆動パルスを印加して順次蓄積電荷を転送するよ
うになされていた。
【０００５】また光電変換部２においては、このように
して形成したゲート電極をマスクとして使用したイオン
注入により、垂直転送部３及び水平転送部４のチャンネ
ルへにはイオン注入しないようにして形成され、ＣＣＤ
固体撮像素子１においては、この光電変換部２に続い
て、垂直転送部３及び水平転送部４に遮光膜等を形成す
るようになされていた。
して形成したゲート電極をマスクとして使用したイオン
注入により、垂直転送部３及び水平転送部４のチャンネ
ルへにはイオン注入しないようにして形成され、ＣＣＤ
固体撮像素子１においては、この光電変換部２に続い
て、垂直転送部３及び水平転送部４に遮光膜等を形成す
るようになされていた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】ところでこの種のＣＣ
Ｄ固体撮像素子において、光電変換部２の数を増大して
高密度化すれば、高解像度の撮像結果を出力することが
できる。この場合に、垂直転送部３及び水平転送部４に
おいては、光電変換部２の数を増大した分、蓄積電荷の
転送速度を向上する必要がある。
Ｄ固体撮像素子において、光電変換部２の数を増大して
高密度化すれば、高解像度の撮像結果を出力することが
できる。この場合に、垂直転送部３及び水平転送部４に
おいては、光電変換部２の数を増大した分、蓄積電荷の
転送速度を向上する必要がある。
【０００７】ところが従来のポリシリコンによるゲート
電極においては、抵抗率が高いことにより、蓄積電荷の
転送速度を増大することが困難な問題があった。
電極においては、抵抗率が高いことにより、蓄積電荷の
転送速度を増大することが困難な問題があった。
【０００８】具体的に、チャンネル上に配置した電極間
をパターン幅０．４〔μｍ〕で接続する場合、ゲート電
極は、シート抵抗を１０〔Ω〕以下に設定する必要があ
り、シート抵抗がこれ以上の値になると駆動パルスが遅
延して伝搬されることにより、蓄積電荷を高速度で転送
できなくなる。
をパターン幅０．４〔μｍ〕で接続する場合、ゲート電
極は、シート抵抗を１０〔Ω〕以下に設定する必要があ
り、シート抵抗がこれ以上の値になると駆動パルスが遅
延して伝搬されることにより、蓄積電荷を高速度で転送
できなくなる。
【０００９】これに対してポリシリコンによりゲート電
極を形成してこの程度のシート抵抗値を確保するために
は、パターン幅を１．０〔μｍ〕以上確保する必要があ
る。これによりポリシリコンでゲート電極を形成して、
例えば１／４インチ、６０万画素のＣＣＤ固体撮像素子
を作成する場合には、光電変換部を小面積に形成せざる
を得ず、その分感度が低下することになる。
極を形成してこの程度のシート抵抗値を確保するために
は、パターン幅を１．０〔μｍ〕以上確保する必要があ
る。これによりポリシリコンでゲート電極を形成して、
例えば１／４インチ、６０万画素のＣＣＤ固体撮像素子
を作成する場合には、光電変換部を小面積に形成せざる
を得ず、その分感度が低下することになる。
【００１０】この問題を解決する１つの方法として、タ
ングステンシリサイド等の高融点の金属材料によりゲー
ト電極を形成し、ゲート電極の抵抗値を低減する方法が
考えられる。ところがこの方法では、光電変換部を形成
するための、続く垂直転送部及び水平転送部のゲート電
極をマスクとして使用したイオン注入工程において、ゲ
ート電極によりイオン注入を阻止できなくなる問題があ
る。
ングステンシリサイド等の高融点の金属材料によりゲー
ト電極を形成し、ゲート電極の抵抗値を低減する方法が
考えられる。ところがこの方法では、光電変換部を形成
するための、続く垂直転送部及び水平転送部のゲート電
極をマスクとして使用したイオン注入工程において、ゲ
ート電極によりイオン注入を阻止できなくなる問題があ
る。
【００１１】本発明は以上の点を考慮してなされたもの
で、電極の抵抗率を低減して、高速度で電荷転送するこ
とができる固体撮像素子の製造方法を提案しようとする
ものである。
で、電極の抵抗率を低減して、高速度で電荷転送するこ
とができる固体撮像素子の製造方法を提案しようとする
ものである。
【００１２】
【課題を解決するための手段】かかる課題を解決するた
め本発明においては、高融点の金属材料を堆積してパタ
ーンニングし、電極の形状を形成した後、イオン注入に
より光電変換部を形成し、リフロー膜を形成する熱処理
において、併せて高融点の金属材料を結晶化する。
め本発明においては、高融点の金属材料を堆積してパタ
ーンニングし、電極の形状を形成した後、イオン注入に
より光電変換部を形成し、リフロー膜を形成する熱処理
において、併せて高融点の金属材料を結晶化する。
【００１３】堆積された高融点の金属材料においては、
非晶質の状態に保持されることにより、イオン注入を充
分に阻止することができる。これに対してイオン注入後
のリフロー膜形成の熱処理において結晶化すれば、この
高融点の金属材料の抵抗値を低減することができる。
非晶質の状態に保持されることにより、イオン注入を充
分に阻止することができる。これに対してイオン注入後
のリフロー膜形成の熱処理において結晶化すれば、この
高融点の金属材料の抵抗値を低減することができる。
【００１４】
【発明の実施の形態】以下、適宜図面を参照しながら本
発明の実施の形態を詳述する。
発明の実施の形態を詳述する。
【００１５】図２は、本発明の実施の形態に係るＣＣＤ
固体撮像素子１０について、光電変換部１２及び垂直転
送部１３を拡大して示す平面図である。このＣＣＤ固体
撮像素子１０は、インターライン方式により蓄積電荷を
転送するように形成される。垂直転送部１３は、垂直方
向に連続する光電変換部１２間に、第１のゲート電極１
３Ａが配置され、絶縁層を間に挟んで、第２のゲート電
極１３Ｂが配置される。ここで第１のゲート電極１３Ａ
は、垂直転送部１３の形成領域において、水平転送部側
に、電極幅が拡大して形成される。第２のゲート電極１
３Ｂは、垂直転送部１３の形成領域において、第１のゲ
ート電極１３Ａとは逆側に、電極幅が拡大して形成さ
れ、この拡大した電極幅により、第１のゲート電極１３
Ａと一部が重なり合うように形成される。
固体撮像素子１０について、光電変換部１２及び垂直転
送部１３を拡大して示す平面図である。このＣＣＤ固体
撮像素子１０は、インターライン方式により蓄積電荷を
転送するように形成される。垂直転送部１３は、垂直方
向に連続する光電変換部１２間に、第１のゲート電極１
３Ａが配置され、絶縁層を間に挟んで、第２のゲート電
極１３Ｂが配置される。ここで第１のゲート電極１３Ａ
は、垂直転送部１３の形成領域において、水平転送部側
に、電極幅が拡大して形成される。第２のゲート電極１
３Ｂは、垂直転送部１３の形成領域において、第１のゲ
ート電極１３Ａとは逆側に、電極幅が拡大して形成さ
れ、この拡大した電極幅により、第１のゲート電極１３
Ａと一部が重なり合うように形成される。
【００１６】この垂直転送部１３をＡ−Ａ断面及びＢ−
Ｂ断面により取って図３及び図４に示すように、これら
第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂは、メモリ
等の集積回路に電極材料として適用される、高融点の金
属材料でなるタングステンシリサイド（ＷＳｉ）のポリ
サイド構造により、図１に示す製造工程を経て形成され
るようになされている。なお水平転送部においては、こ
の第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂと同時
に、同一のタングステンシリサイドのポリサイド構造に
より電極が形成されるようになされている。
Ｂ断面により取って図３及び図４に示すように、これら
第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂは、メモリ
等の集積回路に電極材料として適用される、高融点の金
属材料でなるタングステンシリサイド（ＷＳｉ）のポリ
サイド構造により、図１に示す製造工程を経て形成され
るようになされている。なお水平転送部においては、こ
の第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂと同時
に、同一のタングステンシリサイドのポリサイド構造に
より電極が形成されるようになされている。
【００１７】すなわち半導体製造工程においては、ステ
ップＳＰ１からステップＳＰ２に移り、ここで半導体基
板に対して、不純物を拡散した不純物拡散層を順次形成
し、垂直転送部１３、水平転送部１４のチャンネル、オ
ーバーフローバリヤー等を形成する。
ップＳＰ１からステップＳＰ２に移り、ここで半導体基
板に対して、不純物を拡散した不純物拡散層を順次形成
し、垂直転送部１３、水平転送部１４のチャンネル、オ
ーバーフローバリヤー等を形成する。
【００１８】続いて半導体製造工程は、ステップＳＰ３
に移って、半導体基板の表面に、熱酸化又はＣＶＤ（Ch
emical Vaper Deposition ）によりＭＯＳ（Metal-Oxid
e-Semiconductor ）構造のゲート絶縁膜１６を形成した
後、ステップＳＰ４において、第１のゲート電極１３Ａ
の形状を形成する。ここで半導体製造工程は、ＣＶＤに
より、半導体基板表面に、所定の膜厚でポリシリコン１
７を積層した後、タングステンシリサイド１８を積層す
る。続いて半導体製造工程は、ポリシリコン１７及びタ
ングステンシリサイド１８の薄膜をフォトエッチング
し、これにより第１のゲート電極１３Ａの形状を形成す
る。
に移って、半導体基板の表面に、熱酸化又はＣＶＤ（Ch
emical Vaper Deposition ）によりＭＯＳ（Metal-Oxid
e-Semiconductor ）構造のゲート絶縁膜１６を形成した
後、ステップＳＰ４において、第１のゲート電極１３Ａ
の形状を形成する。ここで半導体製造工程は、ＣＶＤに
より、半導体基板表面に、所定の膜厚でポリシリコン１
７を積層した後、タングステンシリサイド１８を積層す
る。続いて半導体製造工程は、ポリシリコン１７及びタ
ングステンシリサイド１８の薄膜をフォトエッチング
し、これにより第１のゲート電極１３Ａの形状を形成す
る。
【００１９】続いて半導体製造工程は、ステップＳＰ５
に移り、ソースガスにシラン（ＳｉＨ4 ）を使用した減
圧ＣＶＤ（すなわちＨＴＯのＬＰ−ＣＶＤでなる）によ
り、８２０度以下の温度で層間絶縁膜１９を形成する。
これにより半導体製造工程は、第１のゲート電極１３Ａ
を堆積したままの非晶質の状態に維持して、層間絶縁膜
１９を形成する。続いて半導体製造工程は、ステップＳ
Ｐ６に移り、第１のゲート電極１３Ａと同様に、ポリシ
リコン２０及びタングステンシリサイド２１の薄膜を積
層して第２のゲート電極１３Ｂの形状を形成する。
に移り、ソースガスにシラン（ＳｉＨ4 ）を使用した減
圧ＣＶＤ（すなわちＨＴＯのＬＰ−ＣＶＤでなる）によ
り、８２０度以下の温度で層間絶縁膜１９を形成する。
これにより半導体製造工程は、第１のゲート電極１３Ａ
を堆積したままの非晶質の状態に維持して、層間絶縁膜
１９を形成する。続いて半導体製造工程は、ステップＳ
Ｐ６に移り、第１のゲート電極１３Ａと同様に、ポリシ
リコン２０及びタングステンシリサイド２１の薄膜を積
層して第２のゲート電極１３Ｂの形状を形成する。
【００２０】続いて半導体製造工程は、ステップＳＰ７
に移り、高エネルギーのイオン注入により光電変換部１
２（ＨＡＤ（Hole Accumelated Diode sensor ）でな
る）を形成する。このとき半導体製造工程は、堆積した
ままの非晶質状態に維持された第１及び第２のゲート電
極１３Ａ及び１３Ｂをマスクとして使用してイオン注入
し、これにより垂直転送部及び水平転送部のチャンネル
に対するイオン注入を阻止する。
に移り、高エネルギーのイオン注入により光電変換部１
２（ＨＡＤ（Hole Accumelated Diode sensor ）でな
る）を形成する。このとき半導体製造工程は、堆積した
ままの非晶質状態に維持された第１及び第２のゲート電
極１３Ａ及び１３Ｂをマスクとして使用してイオン注入
し、これにより垂直転送部及び水平転送部のチャンネル
に対するイオン注入を阻止する。
【００２１】続いて半導体製造工程は、ステップＳＰ８
に移り、ＣＶＤによりＰＳＧ（Phosho Silicate Glass
）膜を形成した後、８５０〜１０００度の熱処理によ
りリフロー膜２２を形成する。この熱処理において半導
体製造工程は、併せて第１及び第２のゲート電極１３Ａ
及び１３Ｂを結晶化し、これにより第１及び第２のゲー
ト電極１３Ａ及び１３Ｂの抵抗値を低減する。また併せ
てこの熱処理により、半導体製造工程は、各製造プロセ
スにおいて発生した半導体基板の欠陥等の損傷を緩和
し、さらに光電変換部１２を活性化する。
に移り、ＣＶＤによりＰＳＧ（Phosho Silicate Glass
）膜を形成した後、８５０〜１０００度の熱処理によ
りリフロー膜２２を形成する。この熱処理において半導
体製造工程は、併せて第１及び第２のゲート電極１３Ａ
及び１３Ｂを結晶化し、これにより第１及び第２のゲー
ト電極１３Ａ及び１３Ｂの抵抗値を低減する。また併せ
てこの熱処理により、半導体製造工程は、各製造プロセ
スにおいて発生した半導体基板の欠陥等の損傷を緩和
し、さらに光電変換部１２を活性化する。
【００２２】続いて半導体製造工程は、ステップＳＰ９
に移り、アルミニウムを蒸着してエッチングすることに
より、第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂ上
に、遮光メタル膜２３を形成した後、続くステップＳＰ
１０において、全体にパッシベーション膜２４を形成す
る。半導体製造工程は、続いて半導体基板よりチップを
切り出した後、パッケージングしてＣＣＤ固体撮像素子
を形成する。
に移り、アルミニウムを蒸着してエッチングすることに
より、第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂ上
に、遮光メタル膜２３を形成した後、続くステップＳＰ
１０において、全体にパッシベーション膜２４を形成す
る。半導体製造工程は、続いて半導体基板よりチップを
切り出した後、パッケージングしてＣＣＤ固体撮像素子
を形成する。
【００２３】以上の構成においてＣＣＤ固体撮像素子１
０は、高融点の金属材料でなるタングステンシリサイド
により第１のゲート電極１３Ａが形成され、この第１の
ゲート電極１３Ａが結晶化しない温度により層間絶縁膜
１９が形成された後、第２のゲート電極１３Ｂが形成さ
れ、イオン注入の工程を経て、リフロー膜２２を形成す
る際の熱処理により第１及び第２のゲート電極１３Ａ及
び１３Ｂが結晶化される。従ってイオン注入時、第１及
び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂは、非晶質の状態
に保持されていることにより、イオン注入を充分に阻止
することができる。またリフロー膜２２を形成する際の
熱処理により結晶化されて抵抗値が低減される。
０は、高融点の金属材料でなるタングステンシリサイド
により第１のゲート電極１３Ａが形成され、この第１の
ゲート電極１３Ａが結晶化しない温度により層間絶縁膜
１９が形成された後、第２のゲート電極１３Ｂが形成さ
れ、イオン注入の工程を経て、リフロー膜２２を形成す
る際の熱処理により第１及び第２のゲート電極１３Ａ及
び１３Ｂが結晶化される。従ってイオン注入時、第１及
び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂは、非晶質の状態
に保持されていることにより、イオン注入を充分に阻止
することができる。またリフロー膜２２を形成する際の
熱処理により結晶化されて抵抗値が低減される。
【００２４】以上の構成によれば、高融点の金属材料で
なるタングステンシリサイドにより第１及び第２のゲー
ト電極１３Ａ及び１３Ｂを形成し、イオン注入後、リフ
ロー膜２２を形成する際の熱処理により第１及び第２の
ゲート電極１３Ａ及び１３Ｂを結晶化することにより、
第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂにより垂直
転送部及び水平転送部のチャンネルへのイオン注入を充
分に阻止し、また抵抗値の低い第１及び第２のゲート電
極１３Ａ及び１３Ｂを形成することができる。これによ
り蓄積電荷を高速度で転送することができ、その分ゲー
ト電極幅を小さく形成すると共に形状の大きな光電変換
部を高密度で配置して、高解像度のＣＣＤ固体撮像素子
を得ることができる。
なるタングステンシリサイドにより第１及び第２のゲー
ト電極１３Ａ及び１３Ｂを形成し、イオン注入後、リフ
ロー膜２２を形成する際の熱処理により第１及び第２の
ゲート電極１３Ａ及び１３Ｂを結晶化することにより、
第１及び第２のゲート電極１３Ａ及び１３Ｂにより垂直
転送部及び水平転送部のチャンネルへのイオン注入を充
分に阻止し、また抵抗値の低い第１及び第２のゲート電
極１３Ａ及び１３Ｂを形成することができる。これによ
り蓄積電荷を高速度で転送することができ、その分ゲー
ト電極幅を小さく形成すると共に形状の大きな光電変換
部を高密度で配置して、高解像度のＣＣＤ固体撮像素子
を得ることができる。
【００２５】またゲート電極幅を小さくしてＣＣＤ固体
撮像素子の形状を小型化することもできる。さらには駆
動パルスを印加した際の遅延時間が低減されることによ
り、転送可能な蓄積電荷量を増大でき、その分転送時に
おける蓄積電荷の劣化を低減することができ、またダイ
ナミックレンジの大きなＣＣＤ固体撮像素子を得ること
ができる。
撮像素子の形状を小型化することもできる。さらには駆
動パルスを印加した際の遅延時間が低減されることによ
り、転送可能な蓄積電荷量を増大でき、その分転送時に
おける蓄積電荷の劣化を低減することができ、またダイ
ナミックレンジの大きなＣＣＤ固体撮像素子を得ること
ができる。
【００２６】なお上述の実施の形態においては、高融点
の金属材料としてタングステンシリサイドを適用してゲ
ート電極を作成する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、メモリ等の集積回路において高融点の金属
材料として使用されるＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｏＳｉ、
ＮｉＳｉ等によりゲート電極を作成する場合に広く適用
することができる。
の金属材料としてタングステンシリサイドを適用してゲ
ート電極を作成する場合について述べたが、本発明はこ
れに限らず、メモリ等の集積回路において高融点の金属
材料として使用されるＴｉＳｉ、ＭｏＳｉ、ＣｏＳｉ、
ＮｉＳｉ等によりゲート電極を作成する場合に広く適用
することができる。
【００２７】また上述の実施の形態においては、ＭＯＳ
構造によりゲート絶縁膜１６を形成する場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、ＯＮＯ（SiO2-SiN-SiO
2 ）構造によりゲート絶縁膜１６を形成する場合にも広
く適用することができる。
構造によりゲート絶縁膜１６を形成する場合について述
べたが、本発明はこれに限らず、ＯＮＯ（SiO2-SiN-SiO
2 ）構造によりゲート絶縁膜１６を形成する場合にも広
く適用することができる。
【００２８】また上述の実施の形態においては、ソース
ガスにシラン（ＳｉＨ4 ）を使用した減圧ＣＶＤにより
層間絶縁膜１９を形成する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ソースガスにテトラエトキシシラン
を使用した減圧ＣＶＤ（例えばＴＥＯＳのＬＰ−ＣＶＤ
でなる）により層間絶縁膜１９を形成する場合等にも広
く適用することができる。
ガスにシラン（ＳｉＨ4 ）を使用した減圧ＣＶＤにより
層間絶縁膜１９を形成する場合について述べたが、本発
明はこれに限らず、ソースガスにテトラエトキシシラン
を使用した減圧ＣＶＤ（例えばＴＥＯＳのＬＰ−ＣＶＤ
でなる）により層間絶縁膜１９を形成する場合等にも広
く適用することができる。
【００２９】さらに上述の実施の形態においては、イン
ターライン方式によるＣＣＤ固体撮像素子に本発明を適
用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
全画素駆動方式によるＣＣＤ固体撮像素子、さらにはＦ
ＩＴ（Frame Interline Transfer）方式のＣＣＤ固体撮
像素子等に広く適用することができる。
ターライン方式によるＣＣＤ固体撮像素子に本発明を適
用した場合について述べたが、本発明はこれに限らず、
全画素駆動方式によるＣＣＤ固体撮像素子、さらにはＦ
ＩＴ（Frame Interline Transfer）方式のＣＣＤ固体撮
像素子等に広く適用することができる。
【００３０】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、高融点の
金属材料により電極の形状を形成した後、光電変換部形
成後のリフロー膜を形成する熱処理において結晶化する
ことにより、電極の抵抗率を低減して高速度で蓄積電荷
を転送することができるＣＣＤ固体撮像素子を得ること
ができる。
金属材料により電極の形状を形成した後、光電変換部形
成後のリフロー膜を形成する熱処理において結晶化する
ことにより、電極の抵抗率を低減して高速度で蓄積電荷
を転送することができるＣＣＤ固体撮像素子を得ること
ができる。
【図１】本発明の実施の形態に係るＣＣＤ固体撮像素子
の製造工程を示すフローチャートである。
の製造工程を示すフローチャートである。
【図２】図１の工程により製造されるＣＣＤ固体撮像素
子を示す正面図である。
子を示す正面図である。
【図３】図２をＡ−Ａ線により取って示す断面図であ
る。
る。
【図４】図２をＢ−Ｂ線により取って示す断面図であ
る。
る。
【図５】従来のＣＣＤ固体撮像素子を示す平面図であ
る。
る。
１、１０……ＣＣＤ固体撮像素子、２、１２……光電変
換部、３、１３……垂直転送部、１３Ａ、１３Ｂ……ゲ
ート電極、１７、２０……ポリシリコン、１８、２１…
…タングステンシリサイド、１９……層間絶縁膜、２３
……リフロー膜
換部、３、１３……垂直転送部、１３Ａ、１３Ｂ……ゲ
ート電極、１７、２０……ポリシリコン、１８、２１…
…タングステンシリサイド、１９……層間絶縁膜、２３
……リフロー膜
Claims (1)
- 【請求項１】 光電変換部間に配置した電極を駆動して
前記光電変換部で生成された蓄積電荷を転送する固体撮
像素子の製造方法において、 高融点の金属材料を堆積してパターンニングし、前記電
極の形状を形成した後、 イオン注入により前記光電変換部を形成し、 リフロー膜を形成する熱処理において、併せて前記高融
点の金属材料を結晶化することを特徴とする固体撮像素
子の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8097720A JPH09266298A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8097720A JPH09266298A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09266298A true JPH09266298A (ja) | 1997-10-07 |
Family
ID=14199737
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8097720A Pending JPH09266298A (ja) | 1996-03-27 | 1996-03-27 | 固体撮像素子の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09266298A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005174966A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Nec Kyushu Ltd | 電荷転送装置およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-03-27 JP JP8097720A patent/JPH09266298A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005174966A (ja) * | 2003-12-05 | 2005-06-30 | Nec Kyushu Ltd | 電荷転送装置およびその製造方法 |
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