JPH09268146A - 光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法 - Google Patents
光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法Info
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- JPH09268146A JPH09268146A JP8079046A JP7904696A JPH09268146A JP H09268146 A JPH09268146 A JP H09268146A JP 8079046 A JP8079046 A JP 8079046A JP 7904696 A JP7904696 A JP 7904696A JP H09268146 A JPH09268146 A JP H09268146A
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- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
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- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Low-Molecular Organic Synthesis Reactions Using Catalysts (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】入手容易な原料から、含フッ素ヒドロキシ化合
物の光学活性体を高収率で得る方法を提供する。 【解決手段】含フッ素ケト化合物ＣＨn Ｆ3-n −ＣＯ−
Ｒを、光学活性化合物を担持したニッケル触媒の存在下
に水素化反応させて、光学活性含フッ素ヒドロキシ化合
物ＣＨn Ｆ3-n −Ｃ* Ｈ（ＯＨ）−Ｒを得る。ｎは０〜
２、Ｒはアルコキシカルボニルアルキル基等、＊は光学
活性炭素を示す。
物の光学活性体を高収率で得る方法を提供する。 【解決手段】含フッ素ケト化合物ＣＨn Ｆ3-n −ＣＯ−
Ｒを、光学活性化合物を担持したニッケル触媒の存在下
に水素化反応させて、光学活性含フッ素ヒドロキシ化合
物ＣＨn Ｆ3-n −Ｃ* Ｈ（ＯＨ）−Ｒを得る。ｎは０〜
２、Ｒはアルコキシカルボニルアルキル基等、＊は光学
活性炭素を示す。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、医薬、農薬、液晶
物質の中間体として重要な光学活性含フッ素ヒドロキシ
化合物の製造方法に関する。
物質の中間体として重要な光学活性含フッ素ヒドロキシ
化合物の製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来、光学活性含フッ素ヒドロキシ化合
物を得る方法としては、次の方法が知られている。 （１）含フッ素ヒドロキシ化合物のラセミ体を、微生物
や酵素を利用して光学分割する方法（特開平３−２５４
６９４、旭硝子財団研究報告１９９０年５６巻３１１
頁、特公平７−１６４３７）。 （２）含フッ素ヒドロキシ化合物のラセミ体を、ジアス
テレオ異性体塩を利用して光学分割する方法（特公平６
−６５５６）。
物を得る方法としては、次の方法が知られている。 （１）含フッ素ヒドロキシ化合物のラセミ体を、微生物
や酵素を利用して光学分割する方法（特開平３−２５４
６９４、旭硝子財団研究報告１９９０年５６巻３１１
頁、特公平７−１６４３７）。 （２）含フッ素ヒドロキシ化合物のラセミ体を、ジアス
テレオ異性体塩を利用して光学分割する方法（特公平６
−６５５６）。
【０００３】（３）含フッ素ケト化合物に微生物や酵素
を作用させて立体選択的に還元する方法（日本化学会誌
１９８３年１３６３頁）。 （４）光学活性な含フッ素エポキシ化合物に求核剤を反
応させる方法（J.Org.Chem.,1995,Vol.60,41、特開平２
−１７４７３５）。 （５）含フッ素アルデヒド化合物を溶媒に可溶である均
一系不斉触媒を用いてアルドール反応させる方法。
を作用させて立体選択的に還元する方法（日本化学会誌
１９８３年１３６３頁）。 （４）光学活性な含フッ素エポキシ化合物に求核剤を反
応させる方法（J.Org.Chem.,1995,Vol.60,41、特開平２
−１７４７３５）。 （５）含フッ素アルデヒド化合物を溶媒に可溶である均
一系不斉触媒を用いてアルドール反応させる方法。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、（１）、
（３）の方法を適用できる含フッ素ヒドロキシ化合物の
ラセミ体は、特定の化合物に限定され、また、有効な微
生物・酵素の探索に多大な労力を要する問題があった。
また、大部分の操作は水溶液中であるため、抽出にも労
力がかかり、大規模生産には不向きであった。
（３）の方法を適用できる含フッ素ヒドロキシ化合物の
ラセミ体は、特定の化合物に限定され、また、有効な微
生物・酵素の探索に多大な労力を要する問題があった。
また、大部分の操作は水溶液中であるため、抽出にも労
力がかかり、大規模生産には不向きであった。
【０００５】（２）の方法は、繁雑な操作を必要とする
うえに、含フッ素ヒドロキシ化合物の構造中に水酸基以
外の適用可能な官能基を有する必要がある。
うえに、含フッ素ヒドロキシ化合物の構造中に水酸基以
外の適用可能な官能基を有する必要がある。
【０００６】（４）の方法で原料を天然物抽出によって
得る場合には、生成物の光学純度は原料に依存する問題
がある。また合成によって得る場合には、工程数が多く
なる問題もある。
得る場合には、生成物の光学純度は原料に依存する問題
がある。また合成によって得る場合には、工程数が多く
なる問題もある。
【０００７】（５）の方法は、含フッ素アルデヒド化合
物が高価であり、また、該化合物は、カルボニル基の特
異な反応性により水素化反応が進行しにくく、反応させ
るためには過酷な温度条件が必要であり、温度制御も繁
雑である問題があった。また、高温条件での反応により
触媒の不斉配位子が分解し、望む光学収率が得られない
問題もあった。さらに、均一系触媒は、反応終了後の回
収が困難であり、生成物中に触媒金属が残留する問題が
あった。
物が高価であり、また、該化合物は、カルボニル基の特
異な反応性により水素化反応が進行しにくく、反応させ
るためには過酷な温度条件が必要であり、温度制御も繁
雑である問題があった。また、高温条件での反応により
触媒の不斉配位子が分解し、望む光学収率が得られない
問題もあった。さらに、均一系触媒は、反応終了後の回
収が困難であり、生成物中に触媒金属が残留する問題が
あった。
【０００８】以上のように従来の光学活性な含フッ素ヒ
ドロキシ化合物の製造方法として満足できる方法は知ら
れていなかった。
ドロキシ化合物の製造方法として満足できる方法は知ら
れていなかった。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記の問題を
解決する目的でなされたものであり、医薬、農薬、液晶
物質等の中間体として重要な光学活性な含フッ素ヒドロ
キシ化合物を、工業的に有利な方法で、簡便かつ効率的
に製造する方法を提供する。
解決する目的でなされたものであり、医薬、農薬、液晶
物質等の中間体として重要な光学活性な含フッ素ヒドロ
キシ化合物を、工業的に有利な方法で、簡便かつ効率的
に製造する方法を提供する。
【００１０】本発明者らは、光学活性な含フッ素ヒドロ
キシ化合物の製造方法を種々検討した結果、入手が容易
な化合物を原料として選択し、不均一系触媒という特定
の触媒の存在下に水素化反応させると、含フッ素ケト化
合物の不斉還元反応が高収率で進み、目的の含フッ素ヒ
ドロキシ化合物を従来よりも簡便かつ効率的に製造でき
ることを見いだした。
キシ化合物の製造方法を種々検討した結果、入手が容易
な化合物を原料として選択し、不均一系触媒という特定
の触媒の存在下に水素化反応させると、含フッ素ケト化
合物の不斉還元反応が高収率で進み、目的の含フッ素ヒ
ドロキシ化合物を従来よりも簡便かつ効率的に製造でき
ることを見いだした。
【００１１】すなわち、本発明は、式１で表される含フ
ッ素ケト化合物を、光学活性化合物を担持したニッケル
触媒の存在下に水素化反応させて式２で表される光学活
性含フッ素ヒドロキシ化合物とすることを特徴とする光
学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法を提供す
る。 ＣＨn Ｆ3-n −ＣＯ−Ｒ ・・・式１、 ＣＨn Ｆ3-n −Ｃ* Ｈ（ＯＨ）−Ｒ・・・式２。
ッ素ケト化合物を、光学活性化合物を担持したニッケル
触媒の存在下に水素化反応させて式２で表される光学活
性含フッ素ヒドロキシ化合物とすることを特徴とする光
学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法を提供す
る。 ＣＨn Ｆ3-n −ＣＯ−Ｒ ・・・式１、 ＣＨn Ｆ3-n −Ｃ* Ｈ（ＯＨ）−Ｒ・・・式２。
【００１２】ただし、式１、式２中、ｎは、０、１また
は２を示し、Ｒは、アルキル基、ハロアルキル基、アシ
ル基、アシルアルキル基、アルコキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニルアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、またはハロアリール基を示し、＊は光学活性炭素
であることを示す。
は２を示し、Ｒは、アルキル基、ハロアルキル基、アシ
ル基、アシルアルキル基、アルコキシカルボニル基、ア
ルコキシカルボニルアルキル基、アラルキル基、アリー
ル基、またはハロアリール基を示し、＊は光学活性炭素
であることを示す。
【００１３】本発明の式１で表される含フッ素ケト化合
物は、公知ないしは周知の化合物であり、容易に入手で
きる。式１で表される含フッ素ケト化合物は１個以上の
フッ素原子を含む化合物であり、ｎは０、１、または２
であり、入手しやすさの点からｎが０であるのが好まし
い。
物は、公知ないしは周知の化合物であり、容易に入手で
きる。式１で表される含フッ素ケト化合物は１個以上の
フッ素原子を含む化合物であり、ｎは０、１、または２
であり、入手しやすさの点からｎが０であるのが好まし
い。
【００１４】また、Ｒは、アルキル基、ハロアルキル
基、アシル基、アシルアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリール基、
アラルキル基、またはハロアリール基を示し、アルコキ
シカルボニルアルキル基が好ましい。
基、アシル基、アシルアルキル基、アルコキシカルボニ
ル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アリール基、
アラルキル基、またはハロアリール基を示し、アルコキ
シカルボニルアルキル基が好ましい。
【００１５】アルキル基としては、炭素数１〜８のアル
キル基が好ましい。また、アルキル基は直鎖または分岐
のアルキル基が好ましく、特に直鎖のアルキル基が好ま
しい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
キル基が好ましい。また、アルキル基は直鎖または分岐
のアルキル基が好ましく、特に直鎖のアルキル基が好ま
しい。アルキル基の具体例としては、メチル基、エチル
基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基等が挙げられる。
【００１６】ハロアルキル基は、前記のアルキル基の水
素原子の１個以上がハロゲン原子に置換された基であ
り、該ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が
好ましい。ハロアルキル基の炭素数は１〜８が好まし
く、また、直鎖または分岐のハロアルキル基が好まし
く、特に直鎖のハロアルキル基が好ましい。ハロアルキ
ル基としては、クロロメチル、フルオロメチル、２−ク
ロロエチル、２−フルオロエチル等が挙げられる。
素原子の１個以上がハロゲン原子に置換された基であ
り、該ハロゲン原子としては、塩素原子、フッ素原子が
好ましい。ハロアルキル基の炭素数は１〜８が好まし
く、また、直鎖または分岐のハロアルキル基が好まし
く、特に直鎖のハロアルキル基が好ましい。ハロアルキ
ル基としては、クロロメチル、フルオロメチル、２−ク
ロロエチル、２−フルオロエチル等が挙げられる。
【００１７】アシル基は、−ＣＯ−Ｒ’（Ｒ’は、水素
原子またはアルキル基を示す。）で表される基が好まし
く、Ｒ’がアルキル基である場合の好ましい態様は、前
記アルキル基と同じである。アシル基の具体例として
は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリ
ル基が挙げられ、プロピオニル基が好ましい。
原子またはアルキル基を示す。）で表される基が好まし
く、Ｒ’がアルキル基である場合の好ましい態様は、前
記アルキル基と同じである。アシル基の具体例として
は、ホルミル基、アセチル基、プロピオニル基、ブチリ
ル基が挙げられ、プロピオニル基が好ましい。
【００１８】アシルアルキル基は、−（ＣＨ2 ）m −Ｃ
Ｏ−Ｒ’（Ｒ’は、水素原子またはアルキル基、ｍは１
〜８の整数を示す。）で表される基が好ましく、Ｒ’が
アルキル基である場合の好ましい態様は前記アルキル基
と同じである。アシルアルキル基としては、プロピオニ
ルメチル基が好ましい。
Ｏ−Ｒ’（Ｒ’は、水素原子またはアルキル基、ｍは１
〜８の整数を示す。）で表される基が好ましく、Ｒ’が
アルキル基である場合の好ましい態様は前記アルキル基
と同じである。アシルアルキル基としては、プロピオニ
ルメチル基が好ましい。
【００１９】アルコキシカルボニル基は、−ＣＯ−Ｏ
Ｒ’（Ｒ’は、前記のアルキル基を示す）で表される基
であり、Ｒ’の好ましい態様はアルキル基と同じであ
る。アルコキシカルボニル基としては、エトキシカルボ
ニル基が好ましい。
Ｒ’（Ｒ’は、前記のアルキル基を示す）で表される基
であり、Ｒ’の好ましい態様はアルキル基と同じであ
る。アルコキシカルボニル基としては、エトキシカルボ
ニル基が好ましい。
【００２０】アルコキシカルボニルアルキル基は、−
（ＣＨ2 ）m ＣＯ−ＯＲ’（Ｒ’は、アルキル基、ｍは
１〜８の整数を示す。）で表される基が好ましく、Ｒ’
の好ましい態様はアルキル基と同じである。アルコキシ
カルボニルアルキル基としては、メトキシカルボニルメ
チル基、エトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボ
ニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基が好まし
い。
（ＣＨ2 ）m ＣＯ−ＯＲ’（Ｒ’は、アルキル基、ｍは
１〜８の整数を示す。）で表される基が好ましく、Ｒ’
の好ましい態様はアルキル基と同じである。アルコキシ
カルボニルアルキル基としては、メトキシカルボニルメ
チル基、エトキシカルボニルメチル基、メトキシカルボ
ニルエチル基、エトキシカルボニルエチル基が好まし
い。
【００２１】アリール基としては、フェニル基、トリル
基、ビフェニリル基、ナフチル基等が好ましい。アラル
キル基としては、フェニルメチル基が好ましい。
基、ビフェニリル基、ナフチル基等が好ましい。アラル
キル基としては、フェニルメチル基が好ましい。
【００２２】ハロアリール基は、アリール基中の水素原
子の１個以上がハロゲン原子に置換された基であり、該
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好まし
い。ハロアリール基としては、４−クロロフェニル基、
４−フルオロフェニル基が好ましい。
子の１個以上がハロゲン原子に置換された基であり、該
ハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子が好まし
い。ハロアリール基としては、４−クロロフェニル基、
４−フルオロフェニル基が好ましい。
【００２３】本発明における式１で表される含フッ素ケ
ト化合物の具体例としては、化１に示す各エステルなど
で代表されるケトカルボン酸エステル類、化２に示す各
ケトンなどで代表されるケトン類等が挙げられ、４，
４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸エチルが好まし
い。
ト化合物の具体例としては、化１に示す各エステルなど
で代表されるケトカルボン酸エステル類、化２に示す各
ケトンなどで代表されるケトン類等が挙げられ、４，
４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸エチルが好まし
い。
【００２４】
【化１】ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４，４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸エチ
ル）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ3 （４，４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸メチ
ル）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４，４，４−トリフルオロ−２−メチル−３−オキソ
酪酸エチル）、 ＣＨＦ2 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４，４−ジフルオロ−３−オキソ酪酸エチル）、 ＣＨ2 ＦＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４−フルオロ−３−オキソ酪酸エチル）。
ル）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ3 （４，４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸メチ
ル）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ（ＣＨ3 ）ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４，４，４−トリフルオロ−２−メチル−３−オキソ
酪酸エチル）、 ＣＨＦ2 ＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４，４−ジフルオロ−３−オキソ酪酸エチル）、 ＣＨ2 ＦＣＯＣＨ2 ＣＯＯＣＨ2 ＣＨ3 （４−フルオロ−３−オキソ酪酸エチル）。
【００２５】
【化２】ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＨ3 （１，１，１−トリフルオロ−２−ブタノン）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3 （１，１，１−トリフルオロ−２−ペンタノン）、 ＣＦ3 ＣＯＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ2 ＣＨ3 （１，１，１−トリフルオロ−２−ヘキサノン）。
【００２６】本発明においては、式１で表される含フッ
素ケト化合物を、光学活性化合物を担持したニッケル触
媒の存在下に水素化反応させる。
素ケト化合物を、光学活性化合物を担持したニッケル触
媒の存在下に水素化反応させる。
【００２７】光学活性化合物を担持したニッケル触媒に
おける光学活性化合物としては、光学活性を示しうる化
合物であれば特に限定されず、分子中に不斉炭素を１個
以上有する化合物や軸不斉である化合物等が挙げられ、
不斉炭素を１個以上有する化合物が好ましい。光学活性
化合物の担持量としては、特に限定されず、通常はニッ
ケル触媒のニッケル成分重量に対して０．３〜３倍重量
であるのが好ましい。
おける光学活性化合物としては、光学活性を示しうる化
合物であれば特に限定されず、分子中に不斉炭素を１個
以上有する化合物や軸不斉である化合物等が挙げられ、
不斉炭素を１個以上有する化合物が好ましい。光学活性
化合物の担持量としては、特に限定されず、通常はニッ
ケル触媒のニッケル成分重量に対して０．３〜３倍重量
であるのが好ましい。
【００２８】光学活性化合物としては、オキシ酸の光学
活性体（Ｄ体またはＬ体）またはアミノ酸の光学活体
（Ｄ体またはＬ体）が好ましく、特に、酒石酸の光学活
性体、乳酸の光学活性体、リンゴ酸の光学活性体、バリ
ンの光学活性体、ロイシンの光学活性体、グルタミン酸
の光学活性体が好ましく、特に酒石酸の光学活性体が好
ましい。
活性体（Ｄ体またはＬ体）またはアミノ酸の光学活体
（Ｄ体またはＬ体）が好ましく、特に、酒石酸の光学活
性体、乳酸の光学活性体、リンゴ酸の光学活性体、バリ
ンの光学活性体、ロイシンの光学活性体、グルタミン酸
の光学活性体が好ましく、特に酒石酸の光学活性体が好
ましい。
【００２９】また、ニッケル触媒としては、水素化反応
に使用できる公知ないしは周知のニッケルを含む触媒が
挙げられ、ラネーニッケル触媒または還元ニッケル触媒
が好ましく、特にラネーニッケル触媒が好ましい。
に使用できる公知ないしは周知のニッケルを含む触媒が
挙げられ、ラネーニッケル触媒または還元ニッケル触媒
が好ましく、特にラネーニッケル触媒が好ましい。
【００３０】本発明の光学活性化合物で処理されたニッ
ケル触媒を調製する方法としては、公知の方法が採用で
き、たとえば、特公昭６０−１４６１６に記載される泉
らの方法にしたがって、光学活性物質を含む水性溶媒中
にニッケル触媒を浸漬することによって調製できる。
ケル触媒を調製する方法としては、公知の方法が採用で
き、たとえば、特公昭６０−１４６１６に記載される泉
らの方法にしたがって、光学活性物質を含む水性溶媒中
にニッケル触媒を浸漬することによって調製できる。
【００３１】触媒の量は、式１で表される含フッ素ケト
化合物の１重量部に対して０．０１〜０．５重量部が好
ましく、特に、０．０５〜０．３重量部が好ましい。
化合物の１重量部に対して０．０１〜０．５重量部が好
ましく、特に、０．０５〜０．３重量部が好ましい。
【００３２】本発明の水素化反応における水素源は水素
化反応における水素源となりうるものであれば特に限定
されず、水素、ギ酸、ギ酸塩、ギ酸エステル等が好まし
く、特に水素ガスが好ましい。また、反応系内で水素源
を発生しうる化合物でもよい。水素化反応に水素ガスを
用いる場合の量は、式１で表される含フッ素ケト化合物
の１モルに対して、１〜２００モルが好ましい。
化反応における水素源となりうるものであれば特に限定
されず、水素、ギ酸、ギ酸塩、ギ酸エステル等が好まし
く、特に水素ガスが好ましい。また、反応系内で水素源
を発生しうる化合物でもよい。水素化反応に水素ガスを
用いる場合の量は、式１で表される含フッ素ケト化合物
の１モルに対して、１〜２００モルが好ましい。
【００３３】水素化反応は、式１で表される含フッ素ケ
ト化合物におけるカルボニル基の一方向から選択的にお
こり、該カルボニル基がヒドロキシル基に還元されると
ともに、カルボニル基に結合する炭素原子に特定の配向
で水素が付加して該炭素原子は不斉炭素原子となる。
ト化合物におけるカルボニル基の一方向から選択的にお
こり、該カルボニル基がヒドロキシル基に還元されると
ともに、カルボニル基に結合する炭素原子に特定の配向
で水素が付加して該炭素原子は不斉炭素原子となる。
【００３４】本発明の水素化反応においては、溶媒を存
在させてもよい。溶媒としては、エーテル類、エステル
類、アルコール類、および水から選ばれる１種または２
種以上の混合溶媒が好ましい。溶媒としては、特に、テ
トラヒドロフラン、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチルが好ましい。溶媒量は、式１で表される含フッ素
ケト化合物の１重量部に対して０．５〜１００重量部が
好ましく、実用的には１〜２０重量部が好ましい。
在させてもよい。溶媒としては、エーテル類、エステル
類、アルコール類、および水から選ばれる１種または２
種以上の混合溶媒が好ましい。溶媒としては、特に、テ
トラヒドロフラン、プロピオン酸メチル、プロピオン酸
エチルが好ましい。溶媒量は、式１で表される含フッ素
ケト化合物の１重量部に対して０．５〜１００重量部が
好ましく、実用的には１〜２０重量部が好ましい。
【００３５】水素化反応の反応温度は、１０〜１５０℃
が好ましく、特に５０〜１２０℃が好ましい。水素ガス
を用いて水素化反応を実施する場合の初期水素圧は、１
〜２００ｋｇ／ｃｍ2 が好ましく、反応速度など実用的
な観点から特に１〜１２０ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。反
応時間は、含フッ素ケト化合物の構造等により適宜変更
でき、通常は１０分〜４８時間程度である。
が好ましく、特に５０〜１２０℃が好ましい。水素ガス
を用いて水素化反応を実施する場合の初期水素圧は、１
〜２００ｋｇ／ｃｍ2 が好ましく、反応速度など実用的
な観点から特に１〜１２０ｋｇ／ｃｍ2 が好ましい。反
応時間は、含フッ素ケト化合物の構造等により適宜変更
でき、通常は１０分〜４８時間程度である。
【００３６】水素化反応により得られた生成物は、通常
の場合には、精製処理を行い、触媒や副生物等を除いて
高純度のものとする。精製処理方法は特に限定されない
が、通常は濾別や磁石に吸着させるなどの方法で触媒を
分離回収した後、適宜溶媒を留去する方法が採用されう
る。
の場合には、精製処理を行い、触媒や副生物等を除いて
高純度のものとする。精製処理方法は特に限定されない
が、通常は濾別や磁石に吸着させるなどの方法で触媒を
分離回収した後、適宜溶媒を留去する方法が採用されう
る。
【００３７】本発明の目的化合物は、式２で表される光
学活性含フッ素ヒドロキシ化合物であり、具体例として
は、（Ｓ）または（Ｒ）−４，４，４−トリフルオロ−
３−ヒドロキシ酪酸エチル、（Ｓ）または（Ｒ）−４，
４，４−トリフルオロ−３−ヒドロキシ酪酸メチル、
（Ｓ）または（Ｒ）−４，４，４−トリフルオロ−２−
メチル−３−ヒドロキシ酪酸エチル、（Ｓ）または
（Ｒ）−４，４−ジフルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチ
ル、（Ｓ）または（Ｒ）−４−フルオロ−３−ヒドロキ
シ酪酸エチル、（Ｓ）または（Ｒ）−１，１，１−トリ
フルオロ−２−ヒドロキシブタン、（Ｓ）または（Ｒ）
−１，１，１−トリフルオロ−２−ヒドロキシペンタ
ン、（Ｓ）または（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−
２−ヒドロキシヘキサン等が挙げられる。
学活性含フッ素ヒドロキシ化合物であり、具体例として
は、（Ｓ）または（Ｒ）−４，４，４−トリフルオロ−
３−ヒドロキシ酪酸エチル、（Ｓ）または（Ｒ）−４，
４，４−トリフルオロ−３−ヒドロキシ酪酸メチル、
（Ｓ）または（Ｒ）−４，４，４−トリフルオロ−２−
メチル−３−ヒドロキシ酪酸エチル、（Ｓ）または
（Ｒ）−４，４−ジフルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチ
ル、（Ｓ）または（Ｒ）−４−フルオロ−３−ヒドロキ
シ酪酸エチル、（Ｓ）または（Ｒ）−１，１，１−トリ
フルオロ−２−ヒドロキシブタン、（Ｓ）または（Ｒ）
−１，１，１−トリフルオロ−２−ヒドロキシペンタ
ン、（Ｓ）または（Ｒ）−１，１，１−トリフルオロ−
２−ヒドロキシヘキサン等が挙げられる。
【００３８】
【作用】本発明の水素化反応が選択的配向で進むメカニ
ズムは必ずしも明らかではないが、つぎのように考えら
れる。すなわち、光学活性化合物で処理された触媒表面
には、活性点に光学活性物質が吸着している。これを用
いて水素化反応を行うと、原料の含フッ素ケト化合物が
活性点に接近する際に、光学活性物質の影響でカルボニ
ル基面に選択性が生じる。そのことにより水素化反応が
特定配向から選択的に進行し、結果として片方の対掌体
であるＲ体またはＳ体の含フッ素ヒドロキシ化合物が優
先的に生成するものと推測される。
ズムは必ずしも明らかではないが、つぎのように考えら
れる。すなわち、光学活性化合物で処理された触媒表面
には、活性点に光学活性物質が吸着している。これを用
いて水素化反応を行うと、原料の含フッ素ケト化合物が
活性点に接近する際に、光学活性物質の影響でカルボニ
ル基面に選択性が生じる。そのことにより水素化反応が
特定配向から選択的に進行し、結果として片方の対掌体
であるＲ体またはＳ体の含フッ素ヒドロキシ化合物が優
先的に生成するものと推測される。
【００３９】
【実施例】以下本反応を実施例により具体的に説明する
が、本発明はこれらの実施例に限定されない。
が、本発明はこれらの実施例に限定されない。
【００４０】［参考例１：光学活性化合物を担持したニ
ッケル触媒の調製］ラネーニッケル合金（川研ファイン
ケミカル製、アルミニウム含量５０％）２５ｇを水酸化
ナトリウム２０重量％水溶液１００ｇに発泡がゆるやか
に起こる程度に徐々に加えて、撹拌した。発泡がおさま
ってから１００℃で１時間加熱し、つぎに脱イオン交換
水１００ｍｌで洗浄した。Ｌ−酒石酸４．５ｇ、臭化ナ
トリウム１９ｇを脱イオン水１５０ｍｌに溶解した酒石
酸水溶液を触媒に加えて９０℃で１．５時間加熱した。
酒石酸水溶液を交換し、同様の操作を３回行った。つぎ
に脱イオン交換水１００ｍｌで洗浄し、続いてジエチル
エーテル５０ｍｌで洗浄した後乾燥して、Ｌ−酒石酸で
処理されたラネーニッケル触媒２５ｇを得た。
ッケル触媒の調製］ラネーニッケル合金（川研ファイン
ケミカル製、アルミニウム含量５０％）２５ｇを水酸化
ナトリウム２０重量％水溶液１００ｇに発泡がゆるやか
に起こる程度に徐々に加えて、撹拌した。発泡がおさま
ってから１００℃で１時間加熱し、つぎに脱イオン交換
水１００ｍｌで洗浄した。Ｌ−酒石酸４．５ｇ、臭化ナ
トリウム１９ｇを脱イオン水１５０ｍｌに溶解した酒石
酸水溶液を触媒に加えて９０℃で１．５時間加熱した。
酒石酸水溶液を交換し、同様の操作を３回行った。つぎ
に脱イオン交換水１００ｍｌで洗浄し、続いてジエチル
エーテル５０ｍｌで洗浄した後乾燥して、Ｌ−酒石酸で
処理されたラネーニッケル触媒２５ｇを得た。
【００４１】［実施例１］参考例１で調製したＬ−酒石
酸で処理されたラネーニッケル触媒７００ｍｇと、４，
４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸エチル５．６５
ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍｌをステンレス製オート
クレーブに仕込み、脱気した後水素に置換し、初期水素
圧５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度８０℃で、１６時間反応させ
た。転化率は８９％であった。
酸で処理されたラネーニッケル触媒７００ｍｇと、４，
４，４−トリフルオロ−３−オキソ酪酸エチル５．６５
ｇ、テトラヒドロフラン５０ｍｌをステンレス製オート
クレーブに仕込み、脱気した後水素に置換し、初期水素
圧５０ｋｇ／ｃｍ2 、温度８０℃で、１６時間反応させ
た。転化率は８９％であった。
【００４２】室温に戻してから磁石によって触媒を除去
し、溶媒を留去、減圧蒸留を行い、４，４，４−トリフ
ルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル４．４８ｇ（収率７
８％）を得た。
し、溶媒を留去、減圧蒸留を行い、４，４，４−トリフ
ルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチル４．４８ｇ（収率７
８％）を得た。
【００４３】高速液体クロマトグラフィー光学分割カラ
ム（ダイセル化学工業製キラルセルＯＤ）を用いて光学
純度を分析したところ、Ｓ体が光学純度６７％ｅｅで生
成していることが確認された。
ム（ダイセル化学工業製キラルセルＯＤ）を用いて光学
純度を分析したところ、Ｓ体が光学純度６７％ｅｅで生
成していることが確認された。
【００４４】［参考例２：均一系触媒による不斉水素化
反応］均一系触媒である［（Ｒ）−２，２’−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニ
ウム・２酢酸塩］１００ｍｇと４，４，４−トリフルオ
ロ−３−オキソ酪酸エチル３．６８ｇとをエタノール２
０ｍｌに溶解させ、ステンレス製オートクレーブに仕込
み、脱気した後水素に置換し、初期水素圧５０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、温度８０℃で、２４時間反応させて、ガスクロマ
トグラフィー分析を行ったところ、４，４，４−トリフ
ルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチルへの転化率は１％で
あった。
反応］均一系触媒である［（Ｒ）−２，２’−ビス（ジ
フェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル］ルテニ
ウム・２酢酸塩］１００ｍｇと４，４，４−トリフルオ
ロ−３−オキソ酪酸エチル３．６８ｇとをエタノール２
０ｍｌに溶解させ、ステンレス製オートクレーブに仕込
み、脱気した後水素に置換し、初期水素圧５０ｋｇ／ｃ
ｍ2 、温度８０℃で、２４時間反応させて、ガスクロマ
トグラフィー分析を行ったところ、４，４，４−トリフ
ルオロ−３−ヒドロキシ酪酸エチルへの転化率は１％で
あった。
【００４５】
【発明の効果】本発明によれば、医薬、農薬、液晶物質
の中間体として重要な含フッ素ヒドロキシ化合物を、入
手容易な原料から、効率的かつ簡便な方法を用いて、高
収率で得ることができる。また、得られた含フッ素ヒド
ロキシ化合物は、光学純度の点においても高収率であ
る。さらに、用いた触媒は固体であるため、回収は容易
であり、かつ、生成物中から取り除く操作も容易であ
る。
の中間体として重要な含フッ素ヒドロキシ化合物を、入
手容易な原料から、効率的かつ簡便な方法を用いて、高
収率で得ることができる。また、得られた含フッ素ヒド
ロキシ化合物は、光学純度の点においても高収率であ
る。さらに、用いた触媒は固体であるため、回収は容易
であり、かつ、生成物中から取り除く操作も容易であ
る。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 // Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｂ 61/00 ３００ Ｃ０７Ｍ 7:00
Claims (4)
- 【請求項１】式１で表される含フッ素ケト化合物を、光
学活性化合物を担持したニッケル触媒の存在下に水素化
反応させて式２で表される光学活性含フッ素ヒドロキシ
化合物とすることを特徴とする光学活性含フッ素ヒドロ
キシ化合物の製造方法。ただし、式１、式２中、ｎは、
０、１または２を示し、Ｒは、アルキル基、ハロアルキ
ル基、アシル基、アシルアルキル基、アルコキシカルボ
ニル基、アルコキシカルボニルアルキル基、アラルキル
基、アリール基、またはハロアリール基を示し、＊は光
学活性炭素であることを示す。 ＣＨn Ｆ3-n −ＣＯ−Ｒ ・・・式１、 ＣＨn Ｆ3-n −Ｃ* Ｈ（ＯＨ）−Ｒ・・・式２。 - 【請求項２】光学活性化合物を担持したニッケル触媒
が、オキシ酸の光学活性体を担持したニッケル触媒また
はアミノ酸の光学活性体を担持したニッケル触媒である
請求項１の光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方
法。 - 【請求項３】光学活性化合物を担持したニッケル触媒
が、酒石酸の光学活性体を担持したニッケル触媒である
請求項１または２の光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物
の製造方法。 - 【請求項４】Ｒがアルコキシカルボニルアルキル基であ
る請求項１、２、または３の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079046A JPH09268146A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8079046A JPH09268146A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09268146A true JPH09268146A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=13678972
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8079046A Pending JPH09268146A (ja) | 1996-04-01 | 1996-04-01 | 光学活性含フッ素ヒドロキシ化合物の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09268146A (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6723871B2 (en) | 2001-05-18 | 2004-04-20 | Takasago International Corporation | Process for producing optically active alcohol |
| JP2011042661A (ja) * | 2000-06-21 | 2011-03-03 | Daikin Industries Ltd | 光学活性な含フッ素アルコール類の製造方法及び光学活性な含フッ素２−ヒドロキシアルカンアミド又は／及び光学活性な含フッ素アルコールの製造方法、並びに光学活性な含フッ素乳酸又はその誘導体の製造方法 |
| JP2012250213A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Metek Kitamura Co Ltd | 酒石酸修飾ニッケル触媒とその製造方法および（ｒ）−３−ヒドロキシ酪酸メチルの製造方法 |
| JP2013133286A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Air Water Inc | ２−インダノールの製造方法 |
-
1996
- 1996-04-01 JP JP8079046A patent/JPH09268146A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011042661A (ja) * | 2000-06-21 | 2011-03-03 | Daikin Industries Ltd | 光学活性な含フッ素アルコール類の製造方法及び光学活性な含フッ素２−ヒドロキシアルカンアミド又は／及び光学活性な含フッ素アルコールの製造方法、並びに光学活性な含フッ素乳酸又はその誘導体の製造方法 |
| US6723871B2 (en) | 2001-05-18 | 2004-04-20 | Takasago International Corporation | Process for producing optically active alcohol |
| JP2012250213A (ja) * | 2011-06-06 | 2012-12-20 | Metek Kitamura Co Ltd | 酒石酸修飾ニッケル触媒とその製造方法および（ｒ）−３−ヒドロキシ酪酸メチルの製造方法 |
| JP2013133286A (ja) * | 2011-12-26 | 2013-07-08 | Air Water Inc | ２−インダノールの製造方法 |
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