JPH09270399A - 基板研磨方法及びその装置 - Google Patents
基板研磨方法及びその装置Info
- Publication number
- JPH09270399A JPH09270399A JP10374696A JP10374696A JPH09270399A JP H09270399 A JPH09270399 A JP H09270399A JP 10374696 A JP10374696 A JP 10374696A JP 10374696 A JP10374696 A JP 10374696A JP H09270399 A JPH09270399 A JP H09270399A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- substrate
- polished
- surface plate
- polishing cloth
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Withdrawn
Links
Landscapes
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 複数の材料によって表面が形成されている半
導体基板に対し適当な選択比と平坦化形状を同時に実現
し得る基板研磨方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 基体１１に保持された基板Ｗと定盤１２
との間に研磨布１３を介在させながら、基板１１の表面
を研磨してその平坦な表面形状を形成する。性状の異な
る複数の研磨布１，２によって交互に基板１１を加圧研
磨することで、均一且つ平坦な研磨形状を得ることがで
きる。少なくとも基板１１及び研磨布１３間で相対移動
を行わせながら、基板１１を加圧研磨する。基体１１及
び／又は定盤１２の温度制御を行なうための温度制御手
段１５を備えている。
導体基板に対し適当な選択比と平坦化形状を同時に実現
し得る基板研磨方法及びその装置を提供する。 【解決手段】 基体１１に保持された基板Ｗと定盤１２
との間に研磨布１３を介在させながら、基板１１の表面
を研磨してその平坦な表面形状を形成する。性状の異な
る複数の研磨布１，２によって交互に基板１１を加圧研
磨することで、均一且つ平坦な研磨形状を得ることがで
きる。少なくとも基板１１及び研磨布１３間で相対移動
を行わせながら、基板１１を加圧研磨する。基体１１及
び／又は定盤１２の温度制御を行なうための温度制御手
段１５を備えている。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、好適には半導体基
板の表面を研磨し、平坦な基板表面形状を形成するため
の方法及び装置に関するものである。
板の表面を研磨し、平坦な基板表面形状を形成するため
の方法及び装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、半導体基板の表面研磨を始めとし
て精密研磨を要求される研磨法では、基体に保持された
半導体基板と定盤との間に研磨布を介在させながら、半
導体基板の表面を研磨することにより、その平坦な表面
形状を得るようにしている。
て精密研磨を要求される研磨法では、基体に保持された
半導体基板と定盤との間に研磨布を介在させながら、半
導体基板の表面を研磨することにより、その平坦な表面
形状を得るようにしている。
【０００３】例えば、この種の研磨方法に使用する研磨
装置において、研磨すべき半導体基板（ウェハ）を保持
する支持基体と、研磨布を張り付けた定盤と、研磨布に
滴下されるようにした砥液と、を備えている。この装置
によれば、定盤上に張り付けられた研磨布に砥液を分散
し、回転もしくは振動する定盤に対して、支持基体によ
って保持された被研磨基板である半導体基板を適当な圧
力で押し付けることにより半導体基板の表面研磨が行わ
れる。
装置において、研磨すべき半導体基板（ウェハ）を保持
する支持基体と、研磨布を張り付けた定盤と、研磨布に
滴下されるようにした砥液と、を備えている。この装置
によれば、定盤上に張り付けられた研磨布に砥液を分散
し、回転もしくは振動する定盤に対して、支持基体によ
って保持された被研磨基板である半導体基板を適当な圧
力で押し付けることにより半導体基板の表面研磨が行わ
れる。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来の
研磨方法或いは装置において、研磨布によって一定の範
囲の研磨条件が決定されてしまい、例えば半導体基板の
表面に複数の材料が存在している場合に、それぞれの材
料に最適な条件で研磨することができないという問題が
あった。
研磨方法或いは装置において、研磨布によって一定の範
囲の研磨条件が決定されてしまい、例えば半導体基板の
表面に複数の材料が存在している場合に、それぞれの材
料に最適な条件で研磨することができないという問題が
あった。
【０００５】即ち、その具体的な例としてシリコン酸化
膜とシリコン膜とが交互に配列された半導体基板の表面
を研磨する場合、シリコン酸化膜に対して最適な研磨条
件によって研磨を行うと、材質的により柔らかいシリコ
ン膜もシリコン酸化膜とほぼ同等の速度で研磨されてし
まう。このためシリコン膜に対するシリコン酸化膜の選
択的研磨ができず、かかる半導体基板に平坦な表面が実
現されるまでに、双方の材料とも初期の厚さに比べてか
なり削られてしまい、研磨の終点検出も困難にならざる
を得なかった。
膜とシリコン膜とが交互に配列された半導体基板の表面
を研磨する場合、シリコン酸化膜に対して最適な研磨条
件によって研磨を行うと、材質的により柔らかいシリコ
ン膜もシリコン酸化膜とほぼ同等の速度で研磨されてし
まう。このためシリコン膜に対するシリコン酸化膜の選
択的研磨ができず、かかる半導体基板に平坦な表面が実
現されるまでに、双方の材料とも初期の厚さに比べてか
なり削られてしまい、研磨の終点検出も困難にならざる
を得なかった。
【０００６】一方、材質の柔らかいシリコン膜側に最適
な研磨条件を設定した場合、シリコン酸化膜に対してシ
リコン膜を選択的に研磨することができるため、より硬
いシリコン酸化膜のパターンをシリコン膜研磨の際の所
謂ストッパとして用いることができる。ところが、この
場合シリコン酸化膜上のシリコン膜の研磨残りを無くす
ために研磨を過剰に施した場合、シリコン酸化膜のパタ
ーンの間に所定の膜厚で残されるべきシリコン膜も同時
に削り込まれてしまう。つまりシリコン酸化膜パターン
の表面からシリコン膜の表面が陥没もしくは低くなり、
所望のシリコン膜厚が得られないという問題が生じる。
な研磨条件を設定した場合、シリコン酸化膜に対してシ
リコン膜を選択的に研磨することができるため、より硬
いシリコン酸化膜のパターンをシリコン膜研磨の際の所
謂ストッパとして用いることができる。ところが、この
場合シリコン酸化膜上のシリコン膜の研磨残りを無くす
ために研磨を過剰に施した場合、シリコン酸化膜のパタ
ーンの間に所定の膜厚で残されるべきシリコン膜も同時
に削り込まれてしまう。つまりシリコン酸化膜パターン
の表面からシリコン膜の表面が陥没もしくは低くなり、
所望のシリコン膜厚が得られないという問題が生じる。
【０００７】更に、かかる問題は、上述したシリコン酸
化膜とシリコン膜を有する半導体基板の表面研磨の場合
に限らず、シリコン酸化膜と金属膜が交互に並んで成る
表面を有する半導体基板の場合にも同様に生じ得る。そ
してこのような問題の対策として、異なった研磨条件で
２回以上研磨を行ったり、２つの研磨布を重ねて用いる
等の方法がとられていた。しかしながら、前者の場合は
研磨加工の処理工程数が増大し、また後者の場合にあっ
ては研磨布の消費量が多くなり、このようにいずれの場
合も量産技術としては問題が残る。
化膜とシリコン膜を有する半導体基板の表面研磨の場合
に限らず、シリコン酸化膜と金属膜が交互に並んで成る
表面を有する半導体基板の場合にも同様に生じ得る。そ
してこのような問題の対策として、異なった研磨条件で
２回以上研磨を行ったり、２つの研磨布を重ねて用いる
等の方法がとられていた。しかしながら、前者の場合は
研磨加工の処理工程数が増大し、また後者の場合にあっ
ては研磨布の消費量が多くなり、このようにいずれの場
合も量産技術としては問題が残る。
【０００８】そこで、本発明はかかる実情に鑑み、特に
複数の材料によって表面が形成されている被研磨基板で
ある半導体基板について、適当な選択比と平坦化形状を
同時に実現し得る基板研磨方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
複数の材料によって表面が形成されている被研磨基板で
ある半導体基板について、適当な選択比と平坦化形状を
同時に実現し得る基板研磨方法及びその装置を提供する
ことを目的とする。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明の基板研磨方法
は、基体に保持された基板と定盤との間に研磨布を介在
させながら、前記基板の表面を研磨してその平坦な表面
形状を形成するようにした基板研磨方法であって、性状
の異なる複数の研磨布によって交互に前記基板を加圧研
磨することを特徴とする。
は、基体に保持された基板と定盤との間に研磨布を介在
させながら、前記基板の表面を研磨してその平坦な表面
形状を形成するようにした基板研磨方法であって、性状
の異なる複数の研磨布によって交互に前記基板を加圧研
磨することを特徴とする。
【００１０】また、本発明の基板研磨方法において、少
なくとも前記基板及び前記研磨布間で相対移動を行わせ
ながら、前記基板を加圧研磨するようにしたものであ
る。
なくとも前記基板及び前記研磨布間で相対移動を行わせ
ながら、前記基板を加圧研磨するようにしたものであ
る。
【００１１】また、本発明の基板研磨方法において、前
記基板の研磨時、前記基体及び／又は前記定盤の温度制
御が行なわれる。
記基板の研磨時、前記基体及び／又は前記定盤の温度制
御が行なわれる。
【００１２】或いはまた、本発明の基板研磨装置は、基
体に保持された基板と定盤との間に研磨布を介在させな
がら、前記基板の表面を加圧研磨してその平坦な表面形
状を形成するようにした基板研磨装置であって、前記定
盤の表面に性状の異なる複数の研磨布が交互に張り付け
られていることを特徴とする。
体に保持された基板と定盤との間に研磨布を介在させな
がら、前記基板の表面を加圧研磨してその平坦な表面形
状を形成するようにした基板研磨装置であって、前記定
盤の表面に性状の異なる複数の研磨布が交互に張り付け
られていることを特徴とする。
【００１３】また、本発明の基板研磨装置において、前
記基体及び／又は前記定盤の温度制御を行なうための温
度制御手段を備えている。
記基体及び／又は前記定盤の温度制御を行なうための温
度制御手段を備えている。
【００１４】また、本発明の基板研磨装置において、前
記基体及び／又は前記定盤を回転もしくは直線駆動する
ための駆動手段を備えている。
記基体及び／又は前記定盤を回転もしくは直線駆動する
ための駆動手段を備えている。
【００１５】また、本発明の基板研磨装置において、前
記駆動手段は、前記基体を前記研磨布に対して揺動させ
得るように構成されている。
記駆動手段は、前記基体を前記研磨布に対して揺動させ
得るように構成されている。
【００１６】
【作用】本発明によれば、被研磨基板である半導体基板
を研磨するための定盤の表面に性状の異なる複数枚の研
磨布を張り付けることによって、半導体基板表面を研磨
する。例えば、シリコン酸化膜とシリコン膜が交互に配
列された半導体基板を研磨する場合、シリコン酸化膜の
研磨に最適な研磨布を定盤に交互に張り付けて研磨を行
う。
を研磨するための定盤の表面に性状の異なる複数枚の研
磨布を張り付けることによって、半導体基板表面を研磨
する。例えば、シリコン酸化膜とシリコン膜が交互に配
列された半導体基板を研磨する場合、シリコン酸化膜の
研磨に最適な研磨布を定盤に交互に張り付けて研磨を行
う。
【００１７】シリコン膜に最適な研磨布によって選択的
にシリコン膜が研磨されながら、シリコン酸化膜に最適
な研磨布上ではシリコン膜とシリコン酸化膜がほぼ同時
に研磨される。これによりシリコン膜が効率的に研磨さ
れてシリコン酸化膜上に研磨残りが生じ難くなる。ま
た、シリコン膜がシリコン酸化膜パターンより低くなっ
てしまうのを防ぎ、均一且つ平坦な研磨形状を得ること
ができる。
にシリコン膜が研磨されながら、シリコン酸化膜に最適
な研磨布上ではシリコン膜とシリコン酸化膜がほぼ同時
に研磨される。これによりシリコン膜が効率的に研磨さ
れてシリコン酸化膜上に研磨残りが生じ難くなる。ま
た、シリコン膜がシリコン酸化膜パターンより低くなっ
てしまうのを防ぎ、均一且つ平坦な研磨形状を得ること
ができる。
【００１８】
【発明の実施の形態】以下、図面に基づき、本発明によ
る基板研磨方法及びその装置の好適な実施の形態を説明
する。
る基板研磨方法及びその装置の好適な実施の形態を説明
する。
【００１９】図１は、この実施形態による基板研磨装置
１０の構成例を示している。この研磨装置１０による研
磨方法において、半導体基板Ｗを支持基体１１によって
保持し、砥液供給機構１４ａから砥液１４を供給された
研磨布１３を半導体基板Ｗと定盤１２とによって挟み込
む。そして、研磨布１３に半導体基板Ｗを押し付けて圧
力をかけながら、該半導体基板Ｗの表面を研磨する。な
お、研磨されるべき半導体基板Ｗの表面には、後述のよ
うに複数の材料で成る膜もしくは層が存在しているもの
とする。この例では、例えばシリコン膜Ｗａとシリコン
酸化膜Ｗｂを有している（図５参照）。
１０の構成例を示している。この研磨装置１０による研
磨方法において、半導体基板Ｗを支持基体１１によって
保持し、砥液供給機構１４ａから砥液１４を供給された
研磨布１３を半導体基板Ｗと定盤１２とによって挟み込
む。そして、研磨布１３に半導体基板Ｗを押し付けて圧
力をかけながら、該半導体基板Ｗの表面を研磨する。な
お、研磨されるべき半導体基板Ｗの表面には、後述のよ
うに複数の材料で成る膜もしくは層が存在しているもの
とする。この例では、例えばシリコン膜Ｗａとシリコン
酸化膜Ｗｂを有している（図５参照）。
【００２０】研磨布１３は、定盤１２の上表面に張り付
けられる。この研磨布１３は性状の異なる複数の研磨布
１，２から成り、これらの研磨布１，２が定盤１２に交
互に張り付けられる。この実施形態では硬質の研磨布１
と軟質の研磨布２を用い、これらが、例えば図２の図示
例のように定盤１２上で円周２分割或いは４分割するか
たちで交互に配置される。更に、５分割、６分割等で多
分割するように交互に配置することができる。
けられる。この研磨布１３は性状の異なる複数の研磨布
１，２から成り、これらの研磨布１，２が定盤１２に交
互に張り付けられる。この実施形態では硬質の研磨布１
と軟質の研磨布２を用い、これらが、例えば図２の図示
例のように定盤１２上で円周２分割或いは４分割するか
たちで交互に配置される。更に、５分割、６分割等で多
分割するように交互に配置することができる。
【００２１】なお、研磨布１３を構成する性状の異なる
３種以上の研磨布を用いることも可能である。つまり複
数種の研磨布の定盤１２上での配置構成方法について
は、研磨すべき半導体基板Ｗの特に膜もしくは層構造と
の関係で適宜設定するものとする。
３種以上の研磨布を用いることも可能である。つまり複
数種の研磨布の定盤１２上での配置構成方法について
は、研磨すべき半導体基板Ｗの特に膜もしくは層構造と
の関係で適宜設定するものとする。
【００２２】上記構成で成る本発明による基板研磨装置
１０において、図１のように支持基体１１或いは定盤１
２を図示しない駆動機構によって回転駆動する。研磨布
１３に半導体基板Ｗを押し付けて圧力をかけながら、半
導体基板Ｗの表面を研磨加工を行うが、次にその研磨加
工の主要工程を説明する。
１０において、図１のように支持基体１１或いは定盤１
２を図示しない駆動機構によって回転駆動する。研磨布
１３に半導体基板Ｗを押し付けて圧力をかけながら、半
導体基板Ｗの表面を研磨加工を行うが、次にその研磨加
工の主要工程を説明する。
【００２３】ここで先ず、半導体基板Ｗにおいて、図３
に示すようにシリコン酸化膜Ｗｂのパターン上にポリシ
リコンのシリコン膜Ｗａが成膜されている。
に示すようにシリコン酸化膜Ｗｂのパターン上にポリシ
リコンのシリコン膜Ｗａが成膜されている。
【００２４】かかる半導体基板Ｗに対して研磨布１３を
回転させると、シリコン膜Ｗａの研磨に最適な軟質の研
磨布２によって該シリコン膜Ｗａの研磨が進行する。こ
の場合、研磨布２は柔らかいため下地のシリコン酸化膜
Ｗｂのパターンに影響され、即ち下地としてシリコン酸
化膜Ｗｂを有するシリコン膜Ｗａの部分がより強い研磨
圧を受ける。そのため図４に示されるようにシリコン酸
化膜Ｗｂのパターンに対応する部分が速く研磨される。
回転させると、シリコン膜Ｗａの研磨に最適な軟質の研
磨布２によって該シリコン膜Ｗａの研磨が進行する。こ
の場合、研磨布２は柔らかいため下地のシリコン酸化膜
Ｗｂのパターンに影響され、即ち下地としてシリコン酸
化膜Ｗｂを有するシリコン膜Ｗａの部分がより強い研磨
圧を受ける。そのため図４に示されるようにシリコン酸
化膜Ｗｂのパターンに対応する部分が速く研磨される。
【００２５】一方、研磨布１，２が交互に配置されてい
るから、シリコン酸化膜Ｗｂの研磨に最適な硬質の研磨
布１によってもシリコン膜Ｗａが研磨される。この場合
には、研磨布１が硬いために、研磨布２の場合のように
下地のシリコン酸化膜Ｗｂに影響されることはない。従
って、前述した図４のように研磨された半導体基板Ｗの
表面は、図５のように平坦に修正される。
るから、シリコン酸化膜Ｗｂの研磨に最適な硬質の研磨
布１によってもシリコン膜Ｗａが研磨される。この場合
には、研磨布１が硬いために、研磨布２の場合のように
下地のシリコン酸化膜Ｗｂに影響されることはない。従
って、前述した図４のように研磨された半導体基板Ｗの
表面は、図５のように平坦に修正される。
【００２６】上記のようにシリコン膜Ｗａが研磨される
のに従って、次第にシリコン酸化膜Ｗｂが露呈する。す
ると、軟質の研磨布２は上記と同様にシリコン酸化膜Ｗ
ｂのパターンに影響されるため、シリコン酸化膜Ｗｂの
パターン上で更に強い研磨圧力を受けてシリコン膜Ｗａ
の研磨残りを除去することができる。ところが、研磨布
２は柔らかいため、その形状はシリコン酸化膜Ｗｂのパ
ターンに追随してしまう。即ち、図６に示したように比
較的広い面積のシリコン膜Ｗａのパターン上では、特に
そのパターンの中央部付近のシリコン膜Ｗａがそのとき
の研磨圧力を受けて研磨される。このため、図示のよう
にシリコン膜Ｗａのパターン中心部が落ち込むように凹
んでしまう。
のに従って、次第にシリコン酸化膜Ｗｂが露呈する。す
ると、軟質の研磨布２は上記と同様にシリコン酸化膜Ｗ
ｂのパターンに影響されるため、シリコン酸化膜Ｗｂの
パターン上で更に強い研磨圧力を受けてシリコン膜Ｗａ
の研磨残りを除去することができる。ところが、研磨布
２は柔らかいため、その形状はシリコン酸化膜Ｗｂのパ
ターンに追随してしまう。即ち、図６に示したように比
較的広い面積のシリコン膜Ｗａのパターン上では、特に
そのパターンの中央部付近のシリコン膜Ｗａがそのとき
の研磨圧力を受けて研磨される。このため、図示のよう
にシリコン膜Ｗａのパターン中心部が落ち込むように凹
んでしまう。
【００２７】一時的に図６のようにシリコン膜Ｗａの凹
みが生じるが、硬質の研磨布１にあってはシリコン酸化
膜Ｗｂのパターンに倣ってその形状に追随しない。従っ
て、最終的には図７のようにシリコン膜Ｗａとシリコン
酸化膜Ｗｂが相互に面一化して揃うように同一平面で研
磨される。
みが生じるが、硬質の研磨布１にあってはシリコン酸化
膜Ｗｂのパターンに倣ってその形状に追随しない。従っ
て、最終的には図７のようにシリコン膜Ｗａとシリコン
酸化膜Ｗｂが相互に面一化して揃うように同一平面で研
磨される。
【００２８】このように本発明によれば、半導体基板Ｗ
の表面にシリコン膜Ｗａ、シリコン酸化膜Ｗｂ等の複数
の膜もしくは層が存在している場合でも、最終的に極め
て均一な表面研磨を行うことができる。
の表面にシリコン膜Ｗａ、シリコン酸化膜Ｗｂ等の複数
の膜もしくは層が存在している場合でも、最終的に極め
て均一な表面研磨を行うことができる。
【００２９】上記の場合、研磨すべき半導体基板Ｗ上に
含まれるパターンの大きさやシリコン膜Ｗａ或いはシリ
コン酸化膜Ｗｂの面積の割合に応じて、研磨布１，２の
定盤１２上での占有面積の割合を任意に選択することが
できる。例えば、最大のパターンが１００μｍのときシ
リコン膜Ｗａの面積が２０％のパターンにおいては、柔
らかい研磨布２の占有面積を２０％とすることで、シリ
コン膜Ｗａ及びシリコン酸化膜Ｗｂを同一平面で研磨す
ることができた。
含まれるパターンの大きさやシリコン膜Ｗａ或いはシリ
コン酸化膜Ｗｂの面積の割合に応じて、研磨布１，２の
定盤１２上での占有面積の割合を任意に選択することが
できる。例えば、最大のパターンが１００μｍのときシ
リコン膜Ｗａの面積が２０％のパターンにおいては、柔
らかい研磨布２の占有面積を２０％とすることで、シリ
コン膜Ｗａ及びシリコン酸化膜Ｗｂを同一平面で研磨す
ることができた。
【００３０】なお、この実施形態においては、半導体基
板Ｗがシリコン膜Ｗａ、シリコン酸化膜Ｗｂを有する例
を説明したが、この場合に限らずシリコン膜Ｗａに代わ
り、メタルと酸化膜によって形成されたパターンを有す
る半導体基板Ｗに対しても上記と同様の作用効果を得る
ことができる。
板Ｗがシリコン膜Ｗａ、シリコン酸化膜Ｗｂを有する例
を説明したが、この場合に限らずシリコン膜Ｗａに代わ
り、メタルと酸化膜によって形成されたパターンを有す
る半導体基板Ｗに対しても上記と同様の作用効果を得る
ことができる。
【００３１】ところで、この実施形態において図１に示
されるように、定盤１２或いは支持基体１１内に温度調
整機構１５を備えている。この温度調整機構１５は、支
持基体１１又は定盤１２に内蔵されたヒータ又はクーラ
によって構成され、この温度制御手段によって支持基体
１１や定盤１２の温度を制御するようにしたものであ
る。温度調整機構１５によれば、研磨の再現性を高める
効果や研磨速度を制御する等の利点がある。
されるように、定盤１２或いは支持基体１１内に温度調
整機構１５を備えている。この温度調整機構１５は、支
持基体１１又は定盤１２に内蔵されたヒータ又はクーラ
によって構成され、この温度制御手段によって支持基体
１１や定盤１２の温度を制御するようにしたものであ
る。温度調整機構１５によれば、研磨の再現性を高める
効果や研磨速度を制御する等の利点がある。
【００３２】また、本発明装置の前記駆動機構によれ
ば、半導体基板Ｗの厚さ均一性を向上させたり、或いは
研磨速度を向上させるために支持基体１１及び定盤１２
のいずれか一方もしくは双方を回転させる（図１、矢印
Ａ，Ｂ参照）ことができる。
ば、半導体基板Ｗの厚さ均一性を向上させたり、或いは
研磨速度を向上させるために支持基体１１及び定盤１２
のいずれか一方もしくは双方を回転させる（図１、矢印
Ａ，Ｂ参照）ことができる。
【００３３】また、研磨布１３自体の好適な形状例とし
て円形に形成し、この研磨布１３の周囲を例えば図８の
ように環状もしくはリング状枠体１６によって定盤１２
上で保持固定するようにしてもよい。この場合、本発明
に係る駆動機構によりリング状枠体１６を回動させるこ
とで研磨布１３を回転させることができる。この際、定
盤１２は定位置に固定してもよく、或いは前記駆動機構
によって支持基体１１（即ち、半導体基板Ｗ）及び／又
は定盤１２を回転させるようにしてもよい。
て円形に形成し、この研磨布１３の周囲を例えば図８の
ように環状もしくはリング状枠体１６によって定盤１２
上で保持固定するようにしてもよい。この場合、本発明
に係る駆動機構によりリング状枠体１６を回動させるこ
とで研磨布１３を回転させることができる。この際、定
盤１２は定位置に固定してもよく、或いは前記駆動機構
によって支持基体１１（即ち、半導体基板Ｗ）及び／又
は定盤１２を回転させるようにしてもよい。
【００３４】更に、図９に示したようにベルト状の研磨
布１３′を駆動手段としての回転ローラ１７に巻回し、
適宜のタイミング及び速度で支持基体１１及び定盤１２
の間を走行させるようにしてもよい。これら図８及び図
９の例のように研磨布１３を回転させ、或いは直線移動
させることにより、半導体基板Ｗの被研磨面に対して常
に新しい研磨布１３の研磨面を提供することができる。
これより高い研磨効率を維持することが可能になる。
布１３′を駆動手段としての回転ローラ１７に巻回し、
適宜のタイミング及び速度で支持基体１１及び定盤１２
の間を走行させるようにしてもよい。これら図８及び図
９の例のように研磨布１３を回転させ、或いは直線移動
させることにより、半導体基板Ｗの被研磨面に対して常
に新しい研磨布１３の研磨面を提供することができる。
これより高い研磨効率を維持することが可能になる。
【００３５】上記のように駆動機構によって支持基体１
１及び／又は定盤１２、或いは研磨布１３を回転もしく
は直線駆動させる場合、研磨布１３を有効に使用するた
めに図１０及び図１１にそれぞれ示したように研磨布１
３の回転又は走行方向に対して、支持基体１１従って半
導体基板Ｗを横方向に一定周期で揺動させながら（図１
０及び図１１、矢印Ｃ参照）、研磨布１３を回転或いは
走行させると効果的である。
１及び／又は定盤１２、或いは研磨布１３を回転もしく
は直線駆動させる場合、研磨布１３を有効に使用するた
めに図１０及び図１１にそれぞれ示したように研磨布１
３の回転又は走行方向に対して、支持基体１１従って半
導体基板Ｗを横方向に一定周期で揺動させながら（図１
０及び図１１、矢印Ｃ参照）、研磨布１３を回転或いは
走行させると効果的である。
【００３６】なお、上述の実施形態において、半導体基
板Ｗの研磨終了後、研磨布１３の表面を洗浄し、或いは
その表面状態を調整（所謂目立て）するための表面調整
手段を設けることができる。この表面調整手段を本発明
装置の至近位置に配置構成することで、研磨布１３の研
磨機能を維持改善することができる。
板Ｗの研磨終了後、研磨布１３の表面を洗浄し、或いは
その表面状態を調整（所謂目立て）するための表面調整
手段を設けることができる。この表面調整手段を本発明
装置の至近位置に配置構成することで、研磨布１３の研
磨機能を維持改善することができる。
【００３７】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、異
なる材料膜もしくは層を有する半導体基板表面に対し
て、その材料とパターンの状態に応じて好適な研磨布を
用いて研磨することにより極めて平坦な研磨形状を得る
ことができる。これにより特殊な仕様の研磨布を用い、
或いは異なった仕様の研磨布を重ねて用いる必要がない
ばかりか、構成が比較的に簡単であるため実質的にコス
ト低減を実現することができる等の利点を有している。
なる材料膜もしくは層を有する半導体基板表面に対し
て、その材料とパターンの状態に応じて好適な研磨布を
用いて研磨することにより極めて平坦な研磨形状を得る
ことができる。これにより特殊な仕様の研磨布を用い、
或いは異なった仕様の研磨布を重ねて用いる必要がない
ばかりか、構成が比較的に簡単であるため実質的にコス
ト低減を実現することができる等の利点を有している。
【図１】本発明の実施形態における研磨装置の構成例を
示す図である。
示す図である。
【図２】本発明の実施形態に係る研磨布の例を示す平面
図である。
図である。
【図３】本発明の実施形態における研磨加工の主要工程
を示すである。
を示すである。
【図４】本発明の実施形態における研磨加工の主要工程
を示すである。
を示すである。
【図５】本発明の実施形態における研磨加工の主要工程
を示すである。
を示すである。
【図６】本発明の実施形態における研磨加工の主要工程
を示すである。
を示すである。
【図７】本発明の実施形態における研磨加工の主要工程
を示すである。
を示すである。
【図８】本発明に係る研磨布の配置構成例を示す平面図
である。
である。
【図９】本発明に係る研磨布の別の配置構成例を示す縦
断面図である。
断面図である。
【図１０】図８に示した研磨布の配置構成の変形例を示
す平面図である。
す平面図である。
【図１１】図９に示した研磨布の配置構成の変形例を示
す平面図である。
す平面図である。
１ 硬質の研磨布 ２ 軟質の研磨布 １０ 基板研磨装置 １１ 支持基体 １２ 定盤 １３，１３′ 研磨布 １４ 砥液 １４ａ 砥液供給機構 １５ 温度調整機構 １６ 環状もしくはリング状枠体 １７ 回転ローラ Ｗ 半導体基板
Claims (7)
- 【請求項１】 基体に保持された基板と定盤との間に研
磨布を介在させながら、前記基板の表面を研磨してその
平坦な表面形状を形成するようにした基板研磨方法であ
って、 性状の異なる複数の研磨布によって交互に前記基板を加
圧研磨することを特徴とする基板研磨方法。 - 【請求項２】 少なくとも前記基板及び前記研磨布間で
相対移動を行わせながら、前記基板を加圧研磨するよう
にしたことを特徴とする請求項１に記載の基板研磨方
法。 - 【請求項３】 前記基板の研磨時、前記基体及び／又は
前記定盤の温度制御が行なわれることを特徴とする請求
項１又は２に記載の基板研磨方法。 - 【請求項４】 基体に保持された基板と定盤との間に研
磨布を介在させながら、前記基板の表面を加圧研磨して
その平坦な表面形状を形成するようにした基板研磨装置
であって、 前記定盤の表面に性状の異なる複数の研磨布が交互に張
り付けられていることを特徴とする基板研磨装置。 - 【請求項５】 前記基体及び／又は前記定盤の温度制御
を行なうための温度制御手段を備えていることを特徴と
する請求項４に記載の基板研磨装置。 - 【請求項６】 前記基体及び／又は前記定盤を回転もし
くは直線駆動するための駆動手段を備えていることを特
徴とする請求項４に記載の基板研磨装置。 - 【請求項７】 前記駆動手段は、前記基体を前記研磨布
に対して揺動させ得るように構成されていることを特徴
とする請求項６に記載の基板研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374696A JPH09270399A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 基板研磨方法及びその装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10374696A JPH09270399A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 基板研磨方法及びその装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09270399A true JPH09270399A (ja) | 1997-10-14 |
Family
ID=14362163
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10374696A Withdrawn JPH09270399A (ja) | 1996-03-29 | 1996-03-29 | 基板研磨方法及びその装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09270399A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR20010002470A (ko) * | 1999-06-15 | 2001-01-15 | 고석태 | 화학적 기계적 폴리싱 장치용 폴리싱 패드의 그루브 패턴 |
| JP2002540611A (ja) * | 1999-03-29 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械研磨中の処理温度を安定させる方法及び装置 |
| JP2003500843A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | ラム リサーチ コーポレイション | 異なる溝パターンをもつセクションを備えた化学機械式平坦化すなわち研摩パッド |
-
1996
- 1996-03-29 JP JP10374696A patent/JPH09270399A/ja not_active Withdrawn
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002540611A (ja) * | 1999-03-29 | 2002-11-26 | ラム リサーチ コーポレイション | 化学機械研磨中の処理温度を安定させる方法及び装置 |
| JP2003500843A (ja) * | 1999-05-21 | 2003-01-07 | ラム リサーチ コーポレイション | 異なる溝パターンをもつセクションを備えた化学機械式平坦化すなわち研摩パッド |
| KR20010002470A (ko) * | 1999-06-15 | 2001-01-15 | 고석태 | 화학적 기계적 폴리싱 장치용 폴리싱 패드의 그루브 패턴 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2674730B2 (ja) | 半導体ウエハを平面化する装置及び方法、及び研磨パッド | |
| US5769697A (en) | Method and apparatus for polishing semiconductor substrate | |
| USRE39194E1 (en) | Method and apparatus for controlling planarizing characteristics in mechanical and chemical-mechanical planarization of microelectronic substrates | |
| KR100388929B1 (ko) | 압전식 구동 ｃｍｐ 캐리어를 구비하는 장치 및 그 구동방법 | |
| JP3030276B2 (ja) | 表面研磨方法およびその装置 | |
| JP2000301450A (ja) | Ｃｍｐ研磨パッドおよびそれを用いたｃｍｐ処理装置 | |
| JPH09168964A (ja) | ポリッシング装置および方法 | |
| TW383252B (en) | A kind of coaxial dressing method and apparatus for chemical mechanical polishing | |
| JPH11347919A (ja) | 半導体素子の研磨平坦化装置及び研磨平坦化方法 | |
| JP2001353656A (ja) | 積重ね研磨パッド | |
| US6343977B1 (en) | Multi-zone conditioner for chemical mechanical polishing system | |
| KR100807046B1 (ko) | 화학기계적 연마장치 | |
| JP2004327567A (ja) | 研磨パッド | |
| JPH09270399A (ja) | 基板研磨方法及びその装置 | |
| JP3944260B2 (ja) | 基板研磨方法及びその装置 | |
| JP2003053657A (ja) | 研磨面構成部材及び該研磨面構成部材を用いた研磨装置 | |
| JP3821947B2 (ja) | ウェーハ研磨装置及びウェーハ研磨方法 | |
| JPH1034535A (ja) | 研磨方法及び研磨装置 | |
| JPH09326379A (ja) | 半導体基板の研磨方法および装置 | |
| JPH1126404A (ja) | 研磨装置 | |
| JP2000246627A (ja) | ウェーハ研磨装置 | |
| JP2575489B2 (ja) | ウエハー研磨方法及び研磨装置 | |
| JP2000024909A (ja) | ポリッシング装置 | |
| JPH10256201A (ja) | 半導体の製造方法 | |
| JPH1126405A (ja) | 研磨装置 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A300 | Withdrawal of application because of no request for examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A300 Effective date: 20030603 |