JPH09274195A

JPH09274195A - 液晶表示装置

Info

Publication number: JPH09274195A
Application number: JP8081823A
Authority: JP
Inventors: Hideki Matsukawa; 秀樹松川; Isao Ota; 勲夫太田
Original assignee: Matsushita Electric Industrial Co Ltd
Current assignee: Panasonic Holdings Corp
Priority date: 1996-04-04
Filing date: 1996-04-04
Publication date: 1997-10-21

Abstract

(57)【要約】【課題】大画面化、高精細化、高速化のための構成に
起因するクロストークや輝度傾斜による表示ムラがなく
せる液晶表示装置を提供とする。【解決手段】ガラス基板１に溝部１３を設け、その上
に金属層１４と透明電極３を形成する。溝部１３はサン
ドブラスト、エッチング、ダイシングソウにより形成
し、金属層１４は無電解メッキ、印刷法、蒸着法を用い
て形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ガラス基板間に液
晶を挟持してなる液晶パネルに画像を表示する液晶表示
装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】従来、液晶表示素子は、陰極線管（以
下、ＣＲＴと呼ぶ）に比べて、画面サイズや画素数にお
いて劣っているが、その反面、重量や体積において優れ
ており、携帯性を重視した製品分野に位置することがで
きた。現在では、ノート型パソコンやワープロで用いら
れている液晶表示装置として、１０〜１２インチサイズ
程度で６４０×４８０ドット、又は６００×８００ドッ
トの画素数のものが用意されており、ＣＲＴの画素数に
は劣るがディスプレイとして十分優れた表示性能を示す
ことができる。

【０００３】しかし、単純マトリクス型の液晶表示装置
では、液晶パネルや駆動回路の設計によってはクロスト
ークという現象が発生し、表示するパターンの種類によ
ってクロストークの度合いに差が生じる。このクロスト
ークとは、映し出された画像の縦横方向に影が確認され
る状態（シャドウイング）になることであり、これは、
液晶パネルの駆動方法として線順次方式により、ある画
素を点灯するように電圧印加すると、点灯させる画素以
外にも多少の電圧が加わって、正規と違う表示を行うた
めに発生する。また、交流化信号の際にも信号波形の歪
み分が発生し、その電圧分の印加によってもクロストー
クが発生する。さらにまた、液晶材料やセルギャップな
どによって発生する液晶パネルの容量成分や透明電極の
配線抵抗値によっても、その発生が大きく左右される。

【０００４】図１は上記のような従来の単純マトリクス
型液晶表示装置におけるカラーＳＴＮ液晶表示素子の構
成を示す断面図である。図１において、一方側には、ガ
ラス基板１と、その上に形成された透明電極３とで構成
された基板Ｋ１が設けられ、さらに基板Ｋ１の上にポリ
イミドなどからなる配向膜４が形成されている。反対側
には、ガラス基板２と、その上に形成されたカラーフィ
ルタ層６と、その上に平滑性を得るために形成された有
機物から成るトップコート層７と、その上に形成された
透明電極８とで構成された基板Ｋ２が設けられ、さらに
基板Ｋ２の上に配向膜４と同様ポリイミドなどからなる
配向膜９が形成されている。上記のように構成された基
板Ｋ１と基板Ｋ２とは、スペーサ１０を介し、少なくと
も一方の基板の周辺に印刷されたシール樹脂１１によ
り、それらのギャップを一定に保つように接着されてお
り、そのギャップ中に液晶１２を封入してカラーＳＴＮ
液晶表示素子を構成している。

【０００５】次に、基板Ｋ１および基板Ｋ２について説
明する。図８（ａ）および図８（ｂ）は、それぞれ基板
Ｋ１および基板Ｋ２の断面図であり、透明電極３、８と
カラーフィルタ層６、トップコート層７とが、図のよう
に形成されている。ここでの透明電極３、８の成膜法と
しては、Ｉｎ−Ｓｎ酸化物（ＩＴＯ）ターゲットによる
スパッタリング成膜技術が最も多く採用されているのが
現状である。実際にＩＴＯ膜を形成する方法には色々あ
り、従来法、すなわち印刷法によってもＩＴＯ膜は形成
でき、一定の成果も上がっている。しかし、薄膜の形成
が困難で厚膜しか形成できないことや、細線パターンが
作れないことなどが、この印刷法の欠点として挙げられ
る。また、焼成温度は４００〜６００℃でガラス基板の
方からの制約もある。

【０００６】一方、スパッタ法やＥＢ（エレクトロンビ
ーム）法によりＩＴＯ膜を形成する方法では、その焼成
温度が２００〜４００℃と低く、ガラス基板１、２への
ダメージがない。電気抵抗値も約２，０００Åで１０オ
ーム／□程度になり、膜質も密に詰まっているために結
晶粒自体は小さくても電気伝導性が確保される事にな
る。また、大面積のガラス基板に均一な電気特性の膜を
形成するには、装置やターゲットに依存するものの量産
性に優れている。透明電極の配線パターンを作るにはフ
ォトリソグラフィを用いれば、２０μｍの抜き幅から数
μｍまで達成でき、抜き幅が狭いものほど高細精化やパ
ネル透過率を高めることができる。

【０００７】このような透明電極を用いた１０型カラー
ＳＴＮ（６４０×４８０ドット）でユーザーを満足させ
るような製品に仕立てるには、面積抵抗値で７〜１０オ
ーム／□が必要とされている。それ以上大きな面積抵抗
値では液晶パネルにクロストークが増大し、液晶パネル
の中のしきい値電圧値で左右の領域で差が生じて輝度傾
斜と呼ぶ現象も発生する。このクロストークは、階調や
文字パターンなどの表示パターンによる縦線、横線の影
（シャドウイング）のことである。

【０００８】図９は液晶表示素子における液晶モジュー
ル１８上に四角形１９を表示した時のクロストーク２０
の出具合いを示すものである。今後、カラーＳＴＮ液晶
表示素子では、１２型から１７型の画面サイズが考えら
れており、表示容量としてＳＶＧＡからＸＧＡ，ＳＸＧ
Ａなどに対応できるものがＣＲＴ代替モニターとして注
目されている。

【０００９】このような傾向に対しても、さらにクロス
トークや輝度傾斜の増大による表示ムラの発生が懸念さ
れており、表示パターンに合わせて補正する電圧印加波
形を考慮した駆動回路の採用や、透明電極の面積抵抗値
を小さくすることなどにより、液晶パネルのＣ（容量成
分）とＲ（抵抗成分）を下げることが求められている。

【００１０】また、表示応答速度の高速化のための液晶
パネルの狭ギャップ化についても、液晶パネルの容量成
分が増大するため、同様にクロストークや輝度傾斜の増
大による表示ムラが発生する。例えば、パネルの応答速
度はギャップの二乗に比例しているので、ＣＲＴに近づ
けるために液晶パネルのギャップは狭くする傾向があ
り、ここ最近では、ＡＰＴ駆動のＳＴＮで動画対応をね
らった４〜５μｍのギャップが求められており、ここで
も同時に表示ムラが問題となる。

【００１１】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな従来の液晶表示装置では、液晶パネルの大面積化、
高細精化、高速化の傾向はＳＴＮ、ＴＦＴでもあり、今
後もこれらの市場が拡大すると予測される中で、特に、
ＳＴＮでは、大面積化のために表示面積を大きくしよう
とすると、透明電極の配線が長くなり、そのために配線
抵抗値が大きくなるため、液晶パネルのＲ成分が不均一
かつ増大し、クロストークや輝度傾斜の現象が現れ表示
ムラが発生するという問題点を有しており、また、高細
精化のために画素密度を増大すると、配線電極の線幅を
細くする必要があり、これによっても配線抵抗値が大き
くなって、同様にクロストークや輝度傾斜が増大し、表
示ムラが発生する傾向になるという問題点を有してい
た。このような表示ムラや均一性の問題はＴＦＴにおい
ても同様に発生する。

【００１２】また、表示応答速度の高速化のために液晶
パネルのギャップを小さくすると、液晶パネルの容量成
分が増大するため、同様に表示ムラが増大するという問
題点を有していた。

【００１３】本発明は、上記の問題点を解決するもの
で、大画面サイズのモニター装置における画像表示やＳ
ＴＮ型液晶表示装置における動画像表示において、表示
ムラのない高品位な表示画像を得ることができるととも
に、これらの特性が得られる製品の製造作業を簡略化し
てその作業性を向上し、低コスト化を実現することがで
きる液晶表示装置を提供する。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記の課題を解決するた
めに、本発明の請求項１に記載の液晶表示装置は、少な
くとも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置
において、前記基板の少なくとも一方の基板上の透明電
極の一部または全部を基板の厚さ方向に埋め込んだ構成
とする。

【００１５】請求項２に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部に溝を形成し、その溝に金属層を埋
め込み、その上に前記金属層と導通するように透明電極
を形成した構成とする。

【００１６】請求項５に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部にサンドブラストにより溝を形成
し、その溝に金属層を埋め込み、その上に前記金属層と
導通した透明電極を形成した構成とする。

【００１７】請求項６に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部にエッチングにより溝を形成し、そ
の溝に金属層を埋め込み、その上に前記金属層と導通し
た透明電極を形成した構成とする。

【００１８】請求項７に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部にダイシングソウにより溝を形成
し、その溝に金属層を埋め込み、その上に前記金属層と
導通した透明電極を形成した構成とする。

【００１９】請求項８に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部に金属ワイヤーを埋め込み、その上
に前記金属ワイヤーと導通した透明電極を形成した構成
とする。

【００２０】請求項９に記載の液晶表示装置は、少なく
とも一対の基板間に液晶を挟持して成る液晶表示装置に
おいて、前記基板の少なくとも一方の基板の透明電極を
形成する箇所の一部に金属層を形成して、それ以外の箇
所に前記金属層の厚み相当の絶縁層を設け、その上に前
記金属層と導通した透明電極を形成した構成とする。

【００２１】上記の構成によると、液晶素子における配
線抵抗値を小さくしてクロストークや輝度傾斜を抑え、
これらに起因する表示ムラを防止するとともに、表示サ
イズの大型化および表示画面の高細精化さらに表示応答
速度の高速化を容易に実現する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を示す
液晶表示装置について、図面を参照しながら説明する。

【００２３】なお、本実施の形態の液晶表示装置として
も、図１に示す従来例と同様に、単純マトリクス型液晶
表示装置を例に挙げ、そのうちのカラーＳＴＮ液晶表示
素子について説明する。この説明にあたって、装置全体
の基本構成も、図１に示す従来例と同様であるものとす
る。

【００２４】従って、本実施の形態の液晶表示装置の基
本構成を、図１を用いて以下に説明する。図１におい
て、一方側には、ガラス基板１と、その上に形成された
透明電極３とで構成された基板Ｋ１が設けられ、さらに
基板Ｋ１の上にポリイミドなどからなる配向膜４が形成
されている。反対側には、ガラス基板２と、その上に形
成されたカラーフィルタ層６と、その上に平滑性を得る
ために形成された有機物から成るトップコート層７と、
その上に形成された透明電極８とで構成された基板Ｋ２
が設けられ、さらに基板Ｋ２の上に配向膜４と同様ポリ
イミドなどからなる配向膜９が形成されている。上記の
ように構成された基板Ｋ１と基板Ｋ２とは、スペーサ１
０を介し、少なくとも一方の基板の周辺に印刷されたシ
ール樹脂１１により、それらのギャップを一定に保つよ
うに接着されており、そのギャップ中に液晶１２を封入
してカラーＳＴＮ液晶表示素子を構成している。

【００２５】以上のように、本実施の形態の液晶表示装
置の構成は、基本的には従来のものと同様であるが、基
板Ｋ１そのものの構成が従来のものとは異なっている。
従って、ここでは、基板Ｋ１についてのみ詳細に説明す
る。

【００２６】第１の実施の形態を示す液晶表示装置にお
ける基板Ｋ１について説明する。図２および図３は本実
施の形態における基板Ｋ１の断面図である。図２は、ガ
ラス基板１上で配線電極として透明電極３が設けられる
位置に、その透明電極３と同等の線幅の溝１３を掘り、
溝１３に透明電極３を埋め込んだものである。一方、図
３の場合には、溝１３は、ガラス基板１上で配線電極と
して設けられる透明電極３に対応する位置に、その透明
電極３の一部のみが埋め込まれるように、数十から数μ
ｍ程度の幅で形成されている。

【００２７】図２および図３において、透明電極３に用
いられる薄膜材料としては、透明で導電率の高いＩＴＯ
が一般的である。そして、溝１３の位置に透明電極３を
形成する方法としては、従来と同様にスパッタ法やＥＢ
で薄膜形成して、フォトリソグラフィでパターニングす
る方法が可能である。一方、スクリーン印刷法も可能で
あり、このスクリーン印刷法は、ピッチの大きな時にパ
ターニング性を考えると非常に作業性が良好であり、透
過率の問題があるものの、バックライトの光量を増大さ
せてもさしつかえのないモニターなどの製品用の液晶モ
ジュールに適している。

【００２８】第２の実施の形態を示す液晶表示装置にお
ける基板Ｋ１について説明する。図４は本実施の形態に
おける基板Ｋ１の断面図である。図４において、１３は
ガラス基板１上に形成した溝であり、さらに、この溝１
３には金属層１４が埋められている。そして、ガラス基
板１上の溝１３に対応した位置に透明電極３がパターニ
ングされている。

【００２９】このように、基板Ｋ１が液晶表示装置にお
ける液晶表示素子を構成するものであるために、ガラス
基板１上の溝１３は、液晶表示素子の表示容量や画面サ
イズにより、その電極配線に合わせた溝ピッチや溝幅が
求められる。たとえば、１０型のＶＧＡ（６４０×４８
０ドット）では、溝１３の溝ピッチは約０．１ｍｍ、溝
幅は数μｍ〜３０μｍ程度が要求される。そして、今後
製品化される画面サイズや表示容量（ドット数）によっ
ては、溝ピッチや溝幅のさらに狭いものが必要となる。

【００３０】そこで、溝１３を形成する方法としてはサ
ンドブラスト、エッチング、ダイシングソウが考えられ
るが、まずはじめに、サンドブラスト法について以下に
説明する。

【００３１】図５はサンドブラスト法によるガラス基板
１の製造プロセスを示すのフロー図である。まず、図５
（ａ）のガラス基板１上に、図５（ｂ）に示すようにレ
ジスト１５を塗布して、フォトリソグラフィにより図５
（ｃ）のレジストパターンＰを形成する。ガラス基板１
においてレジストパターンＰのレジスト１５部分に覆わ
れていない部分１ａには、サンドブラスト加工の細かい
硬質粒子で一定の条件で掘削すれば、図５（ｄ）に示す
溝１３が形成される。その後、ガラス基板１上のレジス
トパターンＰを除去すれば、図５（ｅ）に示すように溝
１３が形成されたガラス基板１が得られる。

【００３２】また、ファインなレジストパターンＰを求
める場合には、プラズマディスプレイでよく使われてい
るガラスペーストでできたフィルムをガラス基板１に張
り付けてから、レジスト１５を塗布してレジストパター
ンＰを形成する方法がある。その後、図５により示した
ものと同様の製造プロセスを施すことができる。この方
法ではフォトマスクを用いるので安定して大面積に微細
パターンを作ることができる。

【００３３】次に、溝１３を形成する方法としてエッチ
ング法について説明する。このエッチング法において使
用するエッチングマスクとしては、無機質膜や感光性レ
ジストやその他に、あらかじめフォトリソグラフィによ
りパターニングされた耐ＨＦ性のあるクロム膜がある。

【００３４】これらのマスクパターンは求める溝１３の
ピッチや幅に合わせて設計される。そして、ガラス基板
１に対してＨＦ系エッチャントを用いてエッチングを行
う。このとき、レジストとガラス基板１の密着性が十分
でないと、ピンホールの欠陥が起こったり、ガラス基板
１の表面が極薄く溶けて解像度を劣化させる。

【００３５】その他の溝１３を形成する方法であるダイ
シングソウによる方法について説明する。このダイシン
グソウによる方法は、ガラス基板１を機械的な手法で掘
るものであり、ダイシングソウの刃先によって溝幅が決
まる。また、正確な溝ピッチを得るために、精度の良い
機構が構成できる精密パルスモーターなどが使用され
る。

【００３６】しかし、カラーフィルター基板やフィルム
基板の場合では、ダイシングソウやサンドブラストで溝
を掘ることは困難であり、これらの基板に対してはエッ
チング方式が最も適している。

【００３７】次に、金属層１４の形成方法について述べ
る。図３に示すように、透明電極３などの配線電極の一
部だけを溝１３に埋め込む場合には、その部分は遮光性
を有していてもよく、配線電極の溝１３に埋め込まれた
部分を、図４に示す金属層１４で構成することができ
る。この金属層１４は、メタルを用いてスパッタ法やＥ
Ｂなどにより薄膜形成した後、フォトリソグラフィでパ
ターニングして溝１３内に形成する。上記のようにスパ
ッタ法やＥＢなどにより薄膜形成する以外に、無電解メ
ッキで薄膜を形成することもでき、このようにして薄膜
を形成した後、その薄膜に対してフォトリソグラフィで
パターン化し金属層１４を形成してもよい。このように
金属層１４を無電解メッキによる薄膜から形成する場合
には、その金属層１４として数μｍの膜厚のものでも形
成可能となる。金属層１４の形成方法として上記の他に
印刷法も考えられる。

【００３８】以上の各方法により形成した金属層１４の
上に透明電極３を設けて、これら金属層１４と透明電極
３との間は電気的導通をとる。この際に、溝１３の深さ
に対して金属層１４の方が厚い場合、研磨工程を通して
導通が取れるように平坦化しなければならない。

【００３９】第３の実施の形態を示す液晶表示装置にお
ける基板Ｋ１について説明する。図６は本実施の形態に
おける基板Ｋ１の断面図であり、図４に示す金属層１４
の代わりに金属ワイヤー１６をガラス基板１中に埋め込
んで構成されている。この基板Ｋ１では、図６に示すよ
うに、金属ワイヤー１６を透明電極３などの配線電極の
一部に位置するように設ける。金属ワイヤー１６の材質
としてはＴｉ、Ｃｒ、Ａｕなどが適している。

【００４０】以上のように構成される基板Ｋ１の形成方
法について以下に説明する。まず、上記で述べたような
サンドブラスト、エッチング、ダイシングソウによる方
法で、ガラス基板１に金属ワイヤー１６の線径と相当幅
の溝を掘り、この溝に金属ワイヤー１６を埋め込む。金
属ワイヤー１６の埋め込んだ後の固定方法としては、金
属ワイヤー１６に機械的に圧力を加えて埋め込むか、又
は、金属ワイヤー１６と溝との隙間にガラスペーストや
アクリル系の透明な接着性樹脂などを充填し硬化させて
金属ワイヤー１６を固定する。金属ワイヤー１６は、そ
の一弧を、図６に示すように、ガラス基板１の表面上に
位置させて、その上の配線電極となる透明電極３と電気
的導通が得られるように形成される。

【００４１】また、ガラス基板１を製造する際に金属ワ
イヤー１６を埋め込んでしまうことも可能であるが、従
来のガラス基板の製造方式のコルバンやフュージョンで
はインラインなので金属ワイヤーを用いた生産は困難で
ある。

【００４２】第４の実施の形態を示す液晶表示装置にお
ける基板Ｋ１について説明する。図７は本実施の形態に
おける基板Ｋ１の断面図であり、ガラス基板１上に金属
層１４および平滑層１７を形成した上に、配線電極であ
る透明電極３を形成して構成されている。

【００４３】以上のように構成される基板Ｋ１の形成方
法について以下に説明する。まず、ガラス基板１の上に
金属層１４を形成する。この形成方法としては、スクリ
ーン印刷法でパターニングしたり、スパッタ法やＥＢに
よる薄膜や無電解メッキによる膜を形成してフォトリソ
グラフィでパターニングする方法がある。また、金属層
１４の形成位置は透明電極３などの配線電極の形成位置
でその一部に対応する箇所とし、金属層１４の幅は数μ
ｍ〜数十μｍが適当である。この場合、ガラス基板１の
上の金属層１４は突起状態であり、金属層１４の厚み分
を埋めるように、平滑層１７を設ける。平滑層１７の材
料としては、熱硬化型や紫外線硬化型のアクリル系樹脂
が用いられ、この樹脂をスピンコートやロールコートで
塗布する場合は、コート後研磨工程により金属層１４の
表面上の樹脂を削り落とすか、またはフォトリソグラフ
ィでパターン化するとよい。

【００４４】その他の塗布方法には、平滑層１７用の樹
脂をスクリーン印刷で金属層１４以外の部分に埋める方
法があり、この塗布の後表面性が良くない場合は研磨工
程を通すことが望ましい。以上のような工程の後に、さ
らに、金属層１４と電気的導通を取るように透明電極３
を形成する。

【００４５】ここでは、基板としてガラス基板１を用い
た場合を説明したが、カラーフィルタやフィルムなどを
用いた場合についても、同様に実施できる。上記の各構
成により、液晶素子における配線抵抗値を小さくしてク
ロストークや輝度傾斜を抑え、これらに起因する表示ム
ラを防止するとともに、表示サイズの大型化および表示
画面の高細精化さらに表示応答速度の高速化を容易に実
現することができる。

【００４６】そのため、大画面サイズのモニター装置に
おける画像表示やＳＴＮ型液晶表示装置における動画像
表示において、表示ムラのない高品位な表示画像を得る
ことができるとともに、これらの特性が得られる製品の
製造作業を簡略化してその作業性を向上し、低コスト化
を実現することができる。

【００４７】なお、上記の各実施の形態の説明では、対
をなす基板Ｋ１と基板Ｋ２との間に液晶を挟持してなる
液晶素子を一組だけ備えた液晶表示装置を例に挙げて説
明したが、この液晶素子を複数組備えた液晶表示装置に
おいても、各液晶素子を上記の各実施の形態と同様の構
成にすることにより、同様の効果を得ることができる。

【００４８】

【発明の効果】以上のように本発明によれば、液晶素子
における配線抵抗値を小さくしてクロストークや輝度傾
斜を抑え、これらに起因する表示ムラを防止するととも
に、表示サイズの大型化および表示画面の高細精化さら
に表示応答速度の高速化を容易に実現することができ
る。

【００４９】そのため、大画面サイズのモニター装置に
おける画像表示やＳＴＮ型液晶表示装置における動画像
表示において、表示ムラのない高品位な表示画像を得る
ことができるとともに、これらの特性が得られる製品の
製造作業を簡略化してその作業性を向上し、低コスト化
を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】一般的なカラーＳＴＮ液晶表示素子の構成を示
す断面図

【図２】本発明の第１の実施の形態における基板Ｋ１の
構成を示す断面図

【図３】同実施の形態における基板Ｋ１の別の構成を示
す断面図

【図４】本発明の第２の実施の形態における基板Ｋ１の
構成を示す断面図

【図５】同実施の形態における基板Ｋ１の製造プロセス
を示すフロー図

【図６】本発明の第３の実施の形態における基板Ｋ１の
構成を示す断面図

【図７】本発明の第４の実施の形態における基板Ｋ１の
構成を示す断面図

【図８】従来の液晶表示素子における各基板Ｋ１，Ｋ２
の構成を示す断面図

【図９】同従来例における液晶モジュールのクロストー
クの説明図

【符号の説明】

３透明電極１３溝１４金属層１５レジスト１６金属ワイヤー１７平滑層

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板上の透明電極の一部または全部を基板の厚さ方
向に埋め込んだことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項２】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部に溝を形成
し、その溝に金属層を埋め込み、その上に前記金属層と
導通するように透明電極を形成したことを特徴とする液
晶表示装置。
【請求項３】溝に埋め込まれる金属層を無電解メッキ
により形成した請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項４】記溝に埋め込まれる金属層を印刷法によ
り形成した請求項２に記載の液晶表示装置。
【請求項５】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部にサンドブラ
ストにより溝を形成し、その溝に金属層を埋め込み、そ
の上に前記金属層と導通した透明電極を形成したことを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項６】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部にエッチング
により溝を形成し、その溝に金属層を埋め込み、その上
に前記金属層と導通した透明電極を形成したことを特徴
とする液晶表示装置。
【請求項７】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部にダイシング
ソウにより溝を形成し、その溝に金属層を埋め込み、そ
の上に前記金属層と導通した透明電極を形成したことを
特徴とする液晶表示装置。
【請求項８】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部に金属ワイヤ
ーを埋め込み、その上に前記金属ワイヤーと導通した透
明電極を形成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項９】少なくとも一対の基板間に液晶を挟持し
て成る液晶表示装置において、前記基板の少なくとも一
方の基板の透明電極を形成する箇所の一部に金属層を形
成して、それ以外の箇所に前記金属層の厚み相当の絶縁
層を設け、その上に前記金属層と導通した透明電極を形
成したことを特徴とする液晶表示装置。
【請求項１０】前記金属層を無電解メッキ法により形
成した請求項９に記載の液晶表示装置。
【請求項１１】前記金属層を印刷法により形成した請
求項９に記載の液晶表示装置。