JPH09275100A - 薄膜成膜装置および成膜方法 - Google Patents
薄膜成膜装置および成膜方法Info
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- JPH09275100A JPH09275100A JP8281196A JP8281196A JPH09275100A JP H09275100 A JPH09275100 A JP H09275100A JP 8281196 A JP8281196 A JP 8281196A JP 8281196 A JP8281196 A JP 8281196A JP H09275100 A JPH09275100 A JP H09275100A
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- reaction chamber
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- film forming
- oxide film
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
- C23C16/4401—Means for minimising impurities, e.g. dust, moisture or residual gas, in the reaction chamber
- C23C16/4405—Cleaning of reactor or parts inside the reactor by using reactive gases
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Abstract
(57)【要約】
【課題】 薄膜成膜装置を使用して基板上にＳｉ酸化膜
を形成する場合、反応室内に堆積物が付着し、次の薄膜
成膜工程において堆積物が基板に付着して汚染源となり
膜質が低下するという問題点があった。 【解決手段】 金属製反応室内１の基板設置台３を含む
内壁をフッ素樹脂製カバー１０で覆い、基板設置台３に
薄板状基板２を載置した後、Ｈ2Ｏ2とＳｉＨ4とを薄板
状基板２表面に供給してＳｉ酸化膜の成膜を行う。薄板
状基板２を取り出した後、無水フッ酸と水蒸気とを同時
に反応室１内に導入して反応室１内に付着したＳｉ酸化
膜の堆積物を除去する。 【効果】 反応室内が腐食されることなく、反応室内の
堆積物を短時間に確実に除去することのできる薄膜成膜
装置および成膜方法が得られる効果がある。
を形成する場合、反応室内に堆積物が付着し、次の薄膜
成膜工程において堆積物が基板に付着して汚染源となり
膜質が低下するという問題点があった。 【解決手段】 金属製反応室内１の基板設置台３を含む
内壁をフッ素樹脂製カバー１０で覆い、基板設置台３に
薄板状基板２を載置した後、Ｈ2Ｏ2とＳｉＨ4とを薄板
状基板２表面に供給してＳｉ酸化膜の成膜を行う。薄板
状基板２を取り出した後、無水フッ酸と水蒸気とを同時
に反応室１内に導入して反応室１内に付着したＳｉ酸化
膜の堆積物を除去する。 【効果】 反応室内が腐食されることなく、反応室内の
堆積物を短時間に確実に除去することのできる薄膜成膜
装置および成膜方法が得られる効果がある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は半導体製造装置お
よび半導体装置の製造方法に関し、特に超ＬＳＩ多層配
線用絶縁膜であるＳｉ酸化膜を形成する薄膜成膜装置お
よびその成膜方法に関するものである。
よび半導体装置の製造方法に関し、特に超ＬＳＩ多層配
線用絶縁膜であるＳｉ酸化膜を形成する薄膜成膜装置お
よびその成膜方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】近年目覚ましい発展をとげている半導体
工業において、ＣＶＤや真空蒸着などによる薄膜形成プ
ロセスは欠くことの出来ない重要な製造工程の一部であ
り、現在多数の薄膜成膜装置が稼働している。
工業において、ＣＶＤや真空蒸着などによる薄膜形成プ
ロセスは欠くことの出来ない重要な製造工程の一部であ
り、現在多数の薄膜成膜装置が稼働している。
【０００３】図２は従来の薄膜成膜装置を示す構成断面
図である。図において、１は金属性密閉反応室、２は薄
板状基板、３は温調機能付き基板設置台、４は反応ガス
供給配管、５は金属性ガス吹き出し口、６は堆積物除去
用ガス供給配管、７は高周波電源である。薄板状基板２
にＳｉ酸化膜を形成する場合、まず薄板状基板２を基板
設置台３上に載置した後、反応室１を真空に引く。薄板
状基板２を基板設置台３により所定温度に設定した後、
反応ガス供給配管４から供給されるＨ2Ｏ2とＳｉＨ4と
を金属性ガス吹き出し口５より薄板状基板２表面に供給
する。これら反応ガスと薄板状基板２表面とを反応させ
ることによって薄板状基板２上にＳｉ酸化膜を形成す
る。
図である。図において、１は金属性密閉反応室、２は薄
板状基板、３は温調機能付き基板設置台、４は反応ガス
供給配管、５は金属性ガス吹き出し口、６は堆積物除去
用ガス供給配管、７は高周波電源である。薄板状基板２
にＳｉ酸化膜を形成する場合、まず薄板状基板２を基板
設置台３上に載置した後、反応室１を真空に引く。薄板
状基板２を基板設置台３により所定温度に設定した後、
反応ガス供給配管４から供給されるＨ2Ｏ2とＳｉＨ4と
を金属性ガス吹き出し口５より薄板状基板２表面に供給
する。これら反応ガスと薄板状基板２表面とを反応させ
ることによって薄板状基板２上にＳｉ酸化膜を形成す
る。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】従来の薄膜成膜装置お
よび成膜方法は以上のようであり、薄板状基板２上にＳ
ｉ酸化膜を形成する工程において、図２に示すようにＳ
ｉ酸化膜は薄板状基板２上ばかりでなく反応室１内壁や
反応室１内部品、特に薄板状基板２とほぼ同じ温度に保
たれている基板設置台３に堆積する。その堆積物は次の
薄膜成膜工程において薄板状基板２に付着して汚染源と
なり膜質が低下するという問題点があった。
よび成膜方法は以上のようであり、薄板状基板２上にＳ
ｉ酸化膜を形成する工程において、図２に示すようにＳ
ｉ酸化膜は薄板状基板２上ばかりでなく反応室１内壁や
反応室１内部品、特に薄板状基板２とほぼ同じ温度に保
たれている基板設置台３に堆積する。その堆積物は次の
薄膜成膜工程において薄板状基板２に付着して汚染源と
なり膜質が低下するという問題点があった。
【０００５】この堆積物を除去する方法として、従来は
図２に示すように基板設置台３をアースに落とし、堆積
物除去用ガス供給配管６より供給されたＣＦ4を高周波
電源７によって励起させてプラズマを発生させることに
より行っていた。ところが、このフッ素系プラズマによ
る堆積物の除去はプラズマの電極内には有効であるが周
辺部分には充分ではなかった。また、長時間このフッ素
系プラズマを使用するとプラズマガスによる汚染がおこ
るという問題点もあった。
図２に示すように基板設置台３をアースに落とし、堆積
物除去用ガス供給配管６より供給されたＣＦ4を高周波
電源７によって励起させてプラズマを発生させることに
より行っていた。ところが、このフッ素系プラズマによ
る堆積物の除去はプラズマの電極内には有効であるが周
辺部分には充分ではなかった。また、長時間このフッ素
系プラズマを使用するとプラズマガスによる汚染がおこ
るという問題点もあった。
【０００６】これらを解決するものとして、特開平３−
９４０５９号公報にはＴＥＯＳ酸化膜成膜装置において
フッ化水素を導入して反応室内壁の堆積物を除去した
後、水蒸気でフッ化水素を除去する方法および装置が開
示されている。しかしこの方法では除去速度が遅く生産
性が低くなるという問題点があった。また、装置につい
ては反応室は金属で出来ているので、内部がフッ化水素
によって腐食されてしまうという問題点があった。
９４０５９号公報にはＴＥＯＳ酸化膜成膜装置において
フッ化水素を導入して反応室内壁の堆積物を除去した
後、水蒸気でフッ化水素を除去する方法および装置が開
示されている。しかしこの方法では除去速度が遅く生産
性が低くなるという問題点があった。また、装置につい
ては反応室は金属で出来ているので、内部がフッ化水素
によって腐食されてしまうという問題点があった。
【０００７】この発明は上記のような問題点を解消する
ためになされたもので、反応室内が腐食されることな
く、反応室内の堆積物を短時間に確実に除去することの
できる薄膜成膜装置および成膜方法を提供することを目
的としている。
ためになされたもので、反応室内が腐食されることな
く、反応室内の堆積物を短時間に確実に除去することの
できる薄膜成膜装置および成膜方法を提供することを目
的としている。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この発明の請求項１に係
る薄膜成膜装置は、反応室と、上記反応室内において基
板を載置する基板設置台と、上記基板にＳｉ酸化膜を形
成するための成膜ガスを供給する成膜ガス供給手段と、
上記Ｓｉ酸化膜形成時に上記反応室内に付着した堆積物
を除去するための水蒸気と無水フッ酸とを同時に供給す
る堆積物除去ガス供給手段とを備えるようにしたもので
ある。
る薄膜成膜装置は、反応室と、上記反応室内において基
板を載置する基板設置台と、上記基板にＳｉ酸化膜を形
成するための成膜ガスを供給する成膜ガス供給手段と、
上記Ｓｉ酸化膜形成時に上記反応室内に付着した堆積物
を除去するための水蒸気と無水フッ酸とを同時に供給す
る堆積物除去ガス供給手段とを備えるようにしたもので
ある。
【０００９】この発明の請求項２に係る薄膜成膜装置
は、成膜ガスをＨ2Ｏ2とＳｉＨ4とし、反応室内壁およ
び反応室内部品をフッ素樹脂で覆うようにしたものであ
る。
は、成膜ガスをＨ2Ｏ2とＳｉＨ4とし、反応室内壁およ
び反応室内部品をフッ素樹脂で覆うようにしたものであ
る。
【００１０】この発明の請求項３に係る薄膜成膜装置
は、反応室内壁および基板設置台との間に閉空間を形成
するようにフッ素樹脂壁を設け、上記閉空間に窒素を供
給する手段および上記閉空間を排気する手段を備え、上
記反応室内と上記閉空間との圧力値が等しくなるように
したものである。
は、反応室内壁および基板設置台との間に閉空間を形成
するようにフッ素樹脂壁を設け、上記閉空間に窒素を供
給する手段および上記閉空間を排気する手段を備え、上
記反応室内と上記閉空間との圧力値が等しくなるように
したものである。
【００１１】この発明の請求項４に係る成膜方法は、反
応室内の基板設置台上に基板を載置し、上記反応室内を
真空にした後上記基板を所定温度に設定し、上記基板表
面に成膜ガスを供給してＳｉ酸化膜を形成する成膜工程
の前または後において、上記反応室内に無水フッ酸と水
蒸気とを同時に供給して、上記反応室内部に付着した堆
積物を除去する工程を備えるようにしたものである。
応室内の基板設置台上に基板を載置し、上記反応室内を
真空にした後上記基板を所定温度に設定し、上記基板表
面に成膜ガスを供給してＳｉ酸化膜を形成する成膜工程
の前または後において、上記反応室内に無水フッ酸と水
蒸気とを同時に供給して、上記反応室内部に付着した堆
積物を除去する工程を備えるようにしたものである。
【００１２】
実施の形態１．図１はこの発明の薄膜成膜装置を示す構
成断面図である。図において１は金属製密閉反応室、２
は薄板状基板、３は温度制御用のヒーターと冷媒配管と
を内部に備えた温調機能付き基板設置台、４は反応ガス
供給配管、５ａはフッ素樹脂製ガス吹き出し口、６ａは
堆積物除去用ガス供給配管であり、反応ガス供給配管４
から分岐して配管されている。８はエアー圧により操作
されるガス供給弁、９は堆積物除去用ガス専用吹き出し
口、１０はフッ素樹脂製カバー、１１はＮ2供給配管、
１２はＮ2パージ部圧力調整用排気バルブ、１３はＮ2パ
ージ部圧力調整用圧力センサー、１４は反応室１の圧力
調整用排気バルブ、１５は反応室１の圧力調整用圧力セ
ンサーである。
成断面図である。図において１は金属製密閉反応室、２
は薄板状基板、３は温度制御用のヒーターと冷媒配管と
を内部に備えた温調機能付き基板設置台、４は反応ガス
供給配管、５ａはフッ素樹脂製ガス吹き出し口、６ａは
堆積物除去用ガス供給配管であり、反応ガス供給配管４
から分岐して配管されている。８はエアー圧により操作
されるガス供給弁、９は堆積物除去用ガス専用吹き出し
口、１０はフッ素樹脂製カバー、１１はＮ2供給配管、
１２はＮ2パージ部圧力調整用排気バルブ、１３はＮ2パ
ージ部圧力調整用圧力センサー、１４は反応室１の圧力
調整用排気バルブ、１５は反応室１の圧力調整用圧力セ
ンサーである。
【００１３】次に、図１に示した薄膜成膜装置およびＳ
ｉ酸化膜の形成方法について説明する。図に示すよう
に、金属性の密閉反応室１内に備えられた温調機能付き
基板設置台３に薄板状基板２を載置した後、反応室１内
を真空に引く。基板設置台３にはヒーターや冷媒配管が
内蔵されており、これらの機能によって基板設置台３を
−１０℃から３０℃程度に保つことによって成膜時の薄
板状基板２の温度制御を行う。その後、反応ガス供給配
管４からＳｉＨ4とＨ2０2とをフッ素樹脂製ガス吹き出
し口５ａより薄板状基板２上に供給して反応させること
によって薄板状基板２上にＳｉ酸化膜の成膜を行う。こ
のとき、Ｓｉ酸化膜は薄板状基板２上ばかりでなく反応
室１内壁や反応室１内部品、特に薄板状基板２とほぼ同
じ温度に保たれている基板設置台３などにも堆積する。
ｉ酸化膜の形成方法について説明する。図に示すよう
に、金属性の密閉反応室１内に備えられた温調機能付き
基板設置台３に薄板状基板２を載置した後、反応室１内
を真空に引く。基板設置台３にはヒーターや冷媒配管が
内蔵されており、これらの機能によって基板設置台３を
−１０℃から３０℃程度に保つことによって成膜時の薄
板状基板２の温度制御を行う。その後、反応ガス供給配
管４からＳｉＨ4とＨ2０2とをフッ素樹脂製ガス吹き出
し口５ａより薄板状基板２上に供給して反応させること
によって薄板状基板２上にＳｉ酸化膜の成膜を行う。こ
のとき、Ｓｉ酸化膜は薄板状基板２上ばかりでなく反応
室１内壁や反応室１内部品、特に薄板状基板２とほぼ同
じ温度に保たれている基板設置台３などにも堆積する。
【００１４】その後、反応室内１の堆積物を除去するた
めに、薄板状基板２を取り出した後、反応室１内を真空
に保ち、反応ガス供給配管４から分岐して配管されてい
る堆積物除去用ガス供給配管６ａより無水フッ酸と水蒸
気とを同時に導入して、フッ素樹脂製ガス吹き出し口５
ａおよび反応室１内の堆積物除去を行う。さらに、堆積
物の付着量の多い部分近くに堆積物膜除去用ガス専用吹
き出し口９を設け、やはり膜除去用ガス供給配管６ａよ
り無水フッ酸と水蒸気とを導入して堆積物除去を行う。
このとき、無水フッ酸のみを導入するよりも水蒸気を添
加したほうが無水フッ酸のイオン化が促進され、反応室
１内の堆積物を短時間に確実に除去することができる。
めに、薄板状基板２を取り出した後、反応室１内を真空
に保ち、反応ガス供給配管４から分岐して配管されてい
る堆積物除去用ガス供給配管６ａより無水フッ酸と水蒸
気とを同時に導入して、フッ素樹脂製ガス吹き出し口５
ａおよび反応室１内の堆積物除去を行う。さらに、堆積
物の付着量の多い部分近くに堆積物膜除去用ガス専用吹
き出し口９を設け、やはり膜除去用ガス供給配管６ａよ
り無水フッ酸と水蒸気とを導入して堆積物除去を行う。
このとき、無水フッ酸のみを導入するよりも水蒸気を添
加したほうが無水フッ酸のイオン化が促進され、反応室
１内の堆積物を短時間に確実に除去することができる。
【００１５】また、ガス吹き出し口５ａはフッ素樹脂製
とし、基板設置台３を含む金属製反応室１内壁にはフッ
素樹脂製カバー１０を設けている。成膜用ガスおよび堆
積物除去用ガスは反応室１のフッ素樹脂製カバー１０の
内部にのみ供給される構造となっており、金属製反応室
１内が無水フッ酸によって腐食されることから保護して
いる。これはＳｉＨ4とＨ2０2との反応を用いたＳｉ酸
化膜形成装置では成膜温度が１００℃以下であるために
フッ素樹脂によるコーティングが可能であることによ
る。
とし、基板設置台３を含む金属製反応室１内壁にはフッ
素樹脂製カバー１０を設けている。成膜用ガスおよび堆
積物除去用ガスは反応室１のフッ素樹脂製カバー１０の
内部にのみ供給される構造となっており、金属製反応室
１内が無水フッ酸によって腐食されることから保護して
いる。これはＳｉＨ4とＨ2０2との反応を用いたＳｉ酸
化膜形成装置では成膜温度が１００℃以下であるために
フッ素樹脂によるコーティングが可能であることによ
る。
【００１６】さらに、フッ素樹脂製カバー１０と金属製
反応室１内壁との間はＮ2供給配管１１から供給される
Ｎ2によってパージされ、Ｎ2パージ部圧力調整用圧力セ
ンサー１３の示すＮ2パージ部の圧力値と反応室１の圧
力調整用圧力センサー１５の示す反応室１内部の圧力値
とが等しくなるようにＮ2パージ部圧力調整用排気バル
ブ１２およびＮ2パージ部圧力調整用圧力センサー１３
が作動し制御する構造となっている。これにより、フッ
素樹脂製カバー１０を透過するフッ素ガスの量を低減で
きるとともに透過したフッ素ガスを速やかに排気するこ
とができ、金属製反応室１内の腐食をさらに防御でき
る。
反応室１内壁との間はＮ2供給配管１１から供給される
Ｎ2によってパージされ、Ｎ2パージ部圧力調整用圧力セ
ンサー１３の示すＮ2パージ部の圧力値と反応室１の圧
力調整用圧力センサー１５の示す反応室１内部の圧力値
とが等しくなるようにＮ2パージ部圧力調整用排気バル
ブ１２およびＮ2パージ部圧力調整用圧力センサー１３
が作動し制御する構造となっている。これにより、フッ
素樹脂製カバー１０を透過するフッ素ガスの量を低減で
きるとともに透過したフッ素ガスを速やかに排気するこ
とができ、金属製反応室１内の腐食をさらに防御でき
る。
【００１７】
【発明の効果】以上のようにこの発明によれば、反応室
と、上記反応室内において基板を載置する基板設置台
と、上記基板にＳｉ酸化膜を形成するための成膜ガスを
供給する成膜ガス供給手段と、上記Ｓｉ酸化膜形成時に
上記反応室内に付着した堆積物を除去するための水蒸気
と無水フッ酸とを同時に供給する堆積物除去ガス供給手
段とを備えるようにしたので、反応室内の堆積物を短時
間に確実に除去することができる効果がある。
と、上記反応室内において基板を載置する基板設置台
と、上記基板にＳｉ酸化膜を形成するための成膜ガスを
供給する成膜ガス供給手段と、上記Ｓｉ酸化膜形成時に
上記反応室内に付着した堆積物を除去するための水蒸気
と無水フッ酸とを同時に供給する堆積物除去ガス供給手
段とを備えるようにしたので、反応室内の堆積物を短時
間に確実に除去することができる効果がある。
【００１８】また、成膜ガスをＨ2Ｏ2とＳｉＨ4とし、
反応室内壁および反応室内部品をフッ素樹脂で覆うよう
にしたので、成膜温度をフッ素樹脂使用可能範囲に設定
することができ、金属製反応室内が無水フッ酸によって
腐食されることを防止できる効果がある。
反応室内壁および反応室内部品をフッ素樹脂で覆うよう
にしたので、成膜温度をフッ素樹脂使用可能範囲に設定
することができ、金属製反応室内が無水フッ酸によって
腐食されることを防止できる効果がある。
【００１９】また、反応室内壁および基板設置台との間
に閉空間を形成するようにフッ素樹脂壁を設け、上記閉
空間に窒素を供給する手段および上記閉空間を排気する
手段を備え、上記反応室内と上記閉空間との圧力値が等
しくなるようにしたので、フッ素樹脂壁を透過するフッ
素ガスの量を低減できるとともに透過したフッ素ガスを
速やかに排気することができ、金属製反応室内の腐食を
防止できる効果がある。
に閉空間を形成するようにフッ素樹脂壁を設け、上記閉
空間に窒素を供給する手段および上記閉空間を排気する
手段を備え、上記反応室内と上記閉空間との圧力値が等
しくなるようにしたので、フッ素樹脂壁を透過するフッ
素ガスの量を低減できるとともに透過したフッ素ガスを
速やかに排気することができ、金属製反応室内の腐食を
防止できる効果がある。
【００２０】また、反応室内の基板設置台上に基板を載
置し、上記反応室内を真空にした後上記基板を所定温度
に設定し、上記基板表面に成膜ガスを供給してＳｉ酸化
膜を形成する成膜工程の前または後において、上記反応
室内に無水フッ酸と水蒸気とを同時に供給して、上記反
応室内部に付着した堆積物を除去する工程を備えるよう
にしたので、反応室内の堆積物を短時間に確実に除去す
ることができ、基板上に品質の良好なＳｉ酸化膜を形成
できる効果がある。
置し、上記反応室内を真空にした後上記基板を所定温度
に設定し、上記基板表面に成膜ガスを供給してＳｉ酸化
膜を形成する成膜工程の前または後において、上記反応
室内に無水フッ酸と水蒸気とを同時に供給して、上記反
応室内部に付着した堆積物を除去する工程を備えるよう
にしたので、反応室内の堆積物を短時間に確実に除去す
ることができ、基板上に品質の良好なＳｉ酸化膜を形成
できる効果がある。
【図１】 この発明の薄膜成膜装置を示す構成断面図で
ある。
ある。
【図２】 従来の薄膜成膜成装置を示す構成断面図であ
る。
る。
１ 金属製密閉反応室、２ 薄板状基板、３ 基板設置
台、４ 反応ガス供給配管、５ａ フッ素樹脂製ガス吹
き出し口、６ａ 堆積物除去用ガス供給配管、１０ フ
ッ素樹脂製カバー、１１ Ｎ2供給配管、１２ Ｎ2パー
ジ部圧力調整用排気バルブ、１３ Ｎ2パージ部圧力調
整用圧力センサー、１４ 反応室圧力調整用排気バル
ブ、１５ 反応室圧力調整用圧力センサー。
台、４ 反応ガス供給配管、５ａ フッ素樹脂製ガス吹
き出し口、６ａ 堆積物除去用ガス供給配管、１０ フ
ッ素樹脂製カバー、１１ Ｎ2供給配管、１２ Ｎ2パー
ジ部圧力調整用排気バルブ、１３ Ｎ2パージ部圧力調
整用圧力センサー、１４ 反応室圧力調整用排気バル
ブ、１５ 反応室圧力調整用圧力センサー。
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 山室 崇 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 赤井 博之 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内 (72)発明者 中村 正 兵庫県伊丹市瑞原四丁目１番地 菱電セミ コンダクタシステムエンジニアリング株式 会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 反応室と、上記反応室内において基板を
載置する基板設置台と、上記基板にＳｉ酸化膜を形成す
るための成膜ガス供給手段と、上記Ｓｉ酸化膜形成時に
上記反応室内に付着した堆積物を除去するための水蒸気
と無水フッ酸とを同時に供給する堆積物除去ガス供給手
段とを備えたことを特徴とする薄膜成膜装置。 - 【請求項２】 成膜ガスをＨ2Ｏ2とＳｉＨ4とし、反応
室内壁および反応室内部品をフッ素樹脂で覆うようにし
たことを特徴とする請求項１記載の薄膜成膜装置。 - 【請求項３】 反応室内壁および基板設置台との間に閉
空間を形成するようにフッ素樹脂壁を設け、上記閉空間
に窒素を供給する手段および上記閉空間を排気する手段
を備え、上記反応室内と上記閉空間との圧力値が等しく
なるようにしたことを特徴とする請求項２記載の薄膜成
膜装置。 - 【請求項４】 反応室内の基板設置台上に基板を載置
し、上記反応室内を真空にした後上記基板を所定温度に
設定し、上記基板表面に成膜ガスを供給してＳｉ酸化膜
を形成する成膜工程の前または後において、 上記反応室内に無水フッ酸と水蒸気とを同時に供給し
て、上記反応室内部に付着した堆積物を除去する工程を
備えたことを特徴とする成膜方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08281196A JP3507614B2 (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 薄膜成膜装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP08281196A JP3507614B2 (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 薄膜成膜装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09275100A true JPH09275100A (ja) | 1997-10-21 |
| JP3507614B2 JP3507614B2 (ja) | 2004-03-15 |
Family
ID=13784804
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP08281196A Expired - Fee Related JP3507614B2 (ja) | 1996-04-04 | 1996-04-04 | 薄膜成膜装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3507614B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007197A1 (fr) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adaptateur, chambre et dispositif de traitement au plasma |
| JP2002105649A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置及び真空成膜方法 |
| EP1209249A3 (en) * | 2000-11-27 | 2003-06-04 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor manufacturing system and method for cleaning the same |
| JP2010059495A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
-
1996
- 1996-04-04 JP JP08281196A patent/JP3507614B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002007197A1 (fr) * | 2000-07-18 | 2002-01-24 | Applied Materials Inc. | Adaptateur, chambre et dispositif de traitement au plasma |
| JP2002105649A (ja) * | 2000-09-28 | 2002-04-10 | Toppan Printing Co Ltd | 真空成膜装置及び真空成膜方法 |
| EP1209249A3 (en) * | 2000-11-27 | 2003-06-04 | Canon Sales Co., Inc. | Semiconductor manufacturing system and method for cleaning the same |
| JP2010059495A (ja) * | 2008-09-04 | 2010-03-18 | Tokyo Electron Ltd | 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及びこの成膜方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体 |
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3507614B2 (ja) | 2004-03-15 |
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