JPH09283247A - Ｉｃソケット - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 特性インピーダンス値の整合及びクロストー
クの低減を確実に達成できる高周波対応型の無挿抜力型
ＩＣソケットを提供する。 【解決手段】 ＩＣソケット１０は、相互固定される上
方部材１２と下方部材１６、及びそれら部材間の空間１
４に摺動可能に設置される中間部材１８を備える。上方
部材１２、下方部材１６及び中間部材１８に設けた複数
の上方貫通孔２６、下方貫通孔２８及び中間貫通孔３０
からなる複数の受容部３２に、ＩＣデバイス２４の複数
のリード３４に接続される複数のコンタクト３６が受容
される。中間部材１８は電気良導性材料からなり、複数
の中間貫通孔３０の周面の略全体に導電性周壁８０が形
成される。導電性周壁８０は接地用コンタクト３６ｇに
電気的に接続され、導電性周壁８０と信号用コンタクト
３６ｓとの間には、中間部材１８とは別体に成形された
電気絶縁性スペーサ８６が介在される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、ＩＣデバイスを脱
着可能に支持してＩＣデバイスと外部回路との間を電気
的に接続するＩＣソケットに関し、特に、ＩＣデバイス
をＩＣソケットに搭載する際のリード挿入力及びＩＣソ
ケットから脱離する際のリード引抜き力を必要としない
無挿抜力型のＩＣソケットに関する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣソケットは、例えばコンピュータ等
の、ＩＣデバイスの交換や増減設を行うことが予測され
る電子回路において、ＩＣデバイスを脱着可能に支持す
るとともに、ソケット内に組み込まれたコンタクトを介
してＩＣデバイスと電子回路との間を電気的に接続する
コネクタとして使用される。また、ＩＣデバイスの導通
試験を行う際にも、多数のＩＣデバイスを適宜交換して
搭載可能なＩＣソケットが有利に使用されている。

【０００３】従来の典型的なＩＣソケットは、ブロック
状の電気絶縁性本体に設けた多数の貫通孔からなる受容
部のそれぞれに、導電体であるコンタクトを配設して構
成される。各コンタクトの一端は、受容部内でＩＣソケ
ットの一表面に近接して配置され、ＩＣデバイスのリー
ドに脱着可能にかつ電気的に接続される。他方、各コン
タクトの他端は、ＩＣソケットの他表面から外方へ突出
して、例えばＩＣソケットを搭載する電子装置や試験装
置の回路基板の導体接点部に半田付け等により電気的に
接続される。

【０００４】この種の典型的なＩＣソケットにおいて
は、ＩＣデバイスのリードの本数が増えるに従って、リ
ードをコンタクトに接続する際にリードに加えられる挿
入力、及びリードをコンタクトから分離する際にリード
に加えられる引抜き力が大きくなり、ＩＣデバイスの着
脱が困難になるとともに、リードを撓曲したり損傷した
りする危惧が生じていた。このような危惧を排除するた
めに、リード接続時の挿入力及びリード分離時の引抜き
力を要しないいわゆる無挿抜力（ＺＩＦ）型のＩＣソケ
ットが既に提案されている（例えば米国特許第 3,763,4
59号参照）。

【０００５】図８は、従来の無挿抜力型のＩＣソケット
２００の一例を示す。ＩＣソケット２００は、回路基板
２０１に対向配置される下方部材２０２と、空間２０３
を介して下方部材２０２に固定され、ＩＣデバイス２０
４に対向配置される上方部材２０５と、下方部材２０２
と上方部材２０５との間の空間２０３に摺動可能に配置
される中間部材２０６と、中間部材２０６を空間２０３
内で所定方向へ移動させるカム部材２０７とを備える。
下方部材２０２、上方部材２０５及び中間部材２０６の
相互に重畳可能な対応位置には、それぞれ複数の下方貫
通孔２０８、上方貫通孔２０９及び中間貫通孔２１０が
行列配置で設けられ、それら下方貫通孔２０８と上方貫
通孔２０９と中間貫通孔２１０との重畳により形成され
た複数の受容部に、ＩＣデバイス２０４の複数のリード
２１１にそれぞれ脱着可能に接続される複数のコンタク
ト２１２が受容される。

【０００６】コンタクト２１２は、主に上方貫通孔２０
９及び中間貫通孔２１０に収容されてＩＣデバイス２０
４のリード２１１に接続される二股状の接触部２１３
と、接触部２１３から延長され、下方貫通孔２０８から
外方へ突出して回路基板２０１の導体部分に接続される
ピン状の脚部２１４とを備える。二股状の接触部２１３
の一対の接点２１５は、無負荷状態では図８（ａ）に示
すように開いた状態に置かれ、相互接近方向への押圧力
を加えることにより接触部２１３が弾性変形して図８
（ｂ）に示すように閉じられる。この押圧力は、カム部
材２０７を図８で反時計方向へ回動させ、中間部材２０
６を図８で左方向へ移動させることにより、中間貫通孔
２１０の壁面から接触部２１３に加えられる。したがっ
てＩＣソケット２００では、コンタクト２１２の両接点
２１５を開いた状態で、挿入力を要さずにＩＣデバイス
２０４のリード２１１を上方貫通孔２０９に挿入して両
接点２１５の間に配置でき、次いでカム部材２０７を操
作して中間部材２０６を移動させることにより、両接点
２１５を閉じてコンタクト２１２とリード２１１とを正
確に接触させることができる。

【０００７】

【発明が解決しようとする課題】近年、ＩＣを搭載した
電子機器の高機能化の要求に伴い、ＩＣデバイスの動作
速度は飛躍的に高速化しており、それに対応して例えば
ＩＣソケット等のコネクタ類を含む伝送線路において
も、信号伝播速度の高速化及び伝送信号の高周波数化へ
の対策を施すことが求められている。一般に数十MHz を
超えるような高周波数帯域の信号を伝送する場合、例え
ばＩＣデバイスのリードとＩＣソケットのコンタクトと
の接続部等の線路接続部の前後における特性インピーダ
ンス値の不一致や、隣接線路間でのクロストーク等の雑
音の発生により、伝送信号の周波数特性が劣化する傾向
がある。そこで高速型のＩＣデバイスに対しては、ＩＣ
ソケットにおける特性インピーダンス値の整合及びクロ
ストークの低減を図ることが要求されるのである。

【０００８】一般にＩＣデバイスにおいて高周波対策を
施す場合、ＩＣデバイスの接地リードの本数を増やし、
信号リードを取り囲む位置に接地リードを配置する方法
が有効であることは知られている。このような高速型Ｉ
Ｃデバイスに対し、ＩＣソケット側では、ＩＣデバイス
のリード配置に対応して受容部に受容されたコンタクト
のうち、接地リードに接続されるコンタクト（以下、接
地用コンタクトと称する）に確実に接地電位を付与する
ことにより、ＩＣソケット内部の信号線路（すなわち信
号リードに接続されるコンタクト（以下、信号用コンタ
クトと称する））が接地電位の導体（すなわち接地用コ
ンタクト）によって取り囲まれ、実質的な電磁シールド
効果によりクロストークが低減されることになる。また
このような構造では、信号用コンタクトの周囲に配置さ
れる接地用コンタクトの個数や、信号用コンタクトと接
地用コンタクトとの間の距離に応じて、ＩＣソケットに
おける信号線路の特性インピーダンス値が決定される。
なおこのとき、従来のリード挿抜力を要する高周波用Ｉ
Ｃソケットでは、信号用コンタクトを接地電位のメッキ
層等のシールド構造によって包囲する方法が併用されて
いた（例えば特開昭５５−１５０２９７号公報、特開平
６−２６０５６８号公報参照）。

【０００９】しかしながら、信号用コンタクトを接地電
位のメッキ層等のシールド構造によって包囲する高周波
対策は、シールド構造を形成するために、例えばＩＣソ
ケットの電気絶縁性本体にメッキ工程を施した後、信号
用コンタクトとメッキ層との間に、機械的なメッキ層除
去加工や絶縁物の塗布等による電気絶縁処理を施すこと
が必要となり、ＩＣソケットの製造工程を煩雑にする傾
向があった。特に無挿抜力型ＩＣソケットでは、要挿抜
力型ＩＣソケットに比べて部品点数が多いので、このよ
うな電気絶縁処理に起因した製造工程の煩雑化を避ける
ために、一般にメッキ層等のシールド構造を設けずに、
信号用コンタクトに対する接地用コンタクトの配置の選
定だけにより電磁シールド効果を得ていた。

【００１０】接地用コンタクトの配置の選定だけによる
電磁シールド効果は、メッキ層等のシールド構造を併用
した場合に比べて明らかに劣るものである。そこで、従
来の無挿抜力型ＩＣソケットでは、ＩＣデバイスに信号
リードよりも充分に多い本数の接地リードを設け、それ
に対応して充分な個数の接地用コンタクトにより信号用
コンタクトを取り囲むことが提案されていたが、このよ
うな方法では、単位面積当りの信号伝送線路数が減少す
るので、ＩＣデバイスの能力を有効に発揮させることが
困難になる課題が生じる。このような課題は、今日のよ
うに電子機器の大容量伝送処理及び高密度実装の要求に
伴いＩＣデバイスのリードのさらなる多数化、狭ピッチ
化が進められている状況下において、ＩＣデバイスの能
力向上を妨げるものとなる。すなわち、無挿抜力型ＩＣ
ソケットは本来、多数のリードを有するＩＣデバイスに
対して有効に機能するものであるが、高周波対策を施す
ことによって、電子機器の大容量伝送処理及び高密度実
装の要求に対応し得るＩＣデバイスの能力を、有効に発
揮させることを困難にしてしまう危惧があった。

【００１１】さらに、一般に多数のリードを有するＩＣ
デバイスでは、全ての信号リードが高周波対策を必要と
する訳ではなく、しかも同一リード配置のＩＣデバイス
においても高周波対策を要する信号リードの位置が異な
る場合がある。この場合、高周波対策を要する信号リー
ドの周囲に集中的にシールド構造を配置することが、ク
ロストーク低減の観点から有利であり、またそのような
シールド構造の配置を適宜調節することにより、ＩＣソ
ケットにおける信号線路の特性インピーダンス値を調整
することが可能となる。しかもこの場合、高周波対策を
要しない信号リードの周囲にシールド構造を配置しなけ
れば、その分だけＩＣデバイスの信号リードの本数を増
やすこともできる。しかしながら、従来のメッキ層等に
よるシールド構造は、ＩＣソケットに画一的に設けられ
るので、多様な信号リード配置を有する異なるＩＣデバ
イスに対し、ＩＣソケットにおけるシールド構造の配置
を調整して、適正なクロストーク低減作用及び特性イン
ピーダンス値整合作用を得たりすることは困難であっ
た。

【００１２】したがって本発明の主目的は、伝送信号の
高速化及び高周波数化に対応して、特性インピーダンス
値の整合及びクロストークの低減を確実に達成できると
ともに、多様な信号リード配置を有する異なるＩＣデバ
イスに対してシールド構造の配置を調整でき、しかも電
気絶縁処理工程を単純化することにより、容易に製造可
能な高周波対応型の無挿抜力型ＩＣソケットを提供する
ことにある。

【００１３】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するため
に、本発明は、複数の貫通孔を備えた第１支持部材と、
第１支持部材に相対移動可能に連結され、第１支持部材
の複数の貫通孔にそれぞれ重畳可能な対応位置に複数の
貫通孔を備えた第２支持部材と、第１支持部材の貫通孔
と第２支持部材の貫通孔とが重畳して形成される複数の
受容部にそれぞれ受容された複数のコンタクトとを具備
し、それらコンタクトが第１及び第２支持部材の相対移
動により複数の受容部内で弾性変形して、それら受容部
に挿入されたＩＣデバイスの複数の信号リード及び接地
リードにそれぞれ選択的に接続及び分離される無挿抜力
型のＩＣソケットにおいて、複数のコンタクトのうち、
ＩＣデバイスの複数の信号リードに選択的に接続される
信号用コンタクトの間を、接地電位を保持して実質的に
電磁シールドするシールド手段を具備し、シールド手段
は、第１及び第２支持部材の少なくとも一方に、複数の
貫通孔を画成する周面の略全体に広がりかつ全ての貫通
孔の間で相互に接続されるように設けられた複数の導電
性周壁からなり、導電性周壁が、複数のコンタクトのう
ち、受容部内でＩＣデバイスの接地リードに選択的に接
続される接地用コンタクトと導通関係に置かれるととも
に、信号用コンタクトを受容する複数の受容部内では、
信号用コンタクトと導電性周壁との間に、第１及び第２
支持部材とは別体に成形された電気絶縁性スペーサがそ
れぞれ介在されることを特徴とするＩＣソケットを提供
する。

【００１４】本発明はさらに、上記のＩＣソケットにお
いて、第１及び第２支持部材の少なくとも一方が全体と
して電気良導性材料からなり、前記導電性周壁が前記貫
通孔の前記周面によって形成されるＩＣソケットを提供
する。

【００１５】本発明はさらに、上記のＩＣソケットにお
いて、導電性周壁を有した複数の貫通孔のうち、信号用
コンタクトを受容する受容部を形成する貫通孔が、接地
用コンタクトを受容する受容部を形成する貫通孔よりも
大きな開口寸法を有し、電気絶縁性スペーサが、それら
貫通孔の寸法差に相当する寸法を有するＩＣソケットを
提供する。

【００１６】本発明はさらに、上記のＩＣソケットにお
いて、導電性周壁を有した複数の貫通孔が相互に略同一
形状を有し、信号用コンタクトを受容する受容部に配置
された電気絶縁性スペーサと略同一形状の電気良導性ス
ペーサが、接地用コンタクトを受容する受容部内で接地
用コンタクトと導電性周壁との間に介在されるＩＣソケ
ットを提供する。

【００１７】本発明はさらに、上記のＩＣソケットにお
いて、第１支持部材が、第２支持部材を摺動可能に挟持
する２つの相補支持部材からなり、第２支持部材及び２
つの相補支持部材のうちの少なくとも１つが導電性周壁
を備えるＩＣソケットを提供する。

【００１８】

【発明の実施の形態】以下、添付図面を参照して、本発
明をその好適な実施の形態に基づき詳細に説明する。図
１〜図３は、本発明の実施形態による無挿抜力型のＩＣ
ソケット１０を示す。ＩＣソケット１０は、上方部材１
２と、相互間に所定空間１４を画成しつつ上方部材１２
に固定され、上方部材１２とともに第１支持部材を構成
する下方部材１６と、上方部材１２と下方部材１６との
間の空間１４に摺動可能に設置され、第２支持部材を構
成する中間部材１８とを備える。さらにＩＣソケット１
０には、中間部材１８を空間１４内で所定方向へ移動さ
せるカム部材２０が、空間１４内で中間部材１８に当接
可能な位置に設置される。

【００１９】ＩＣソケット１０は、下方部材１６を外部
の回路基板２２に対向配置して回路基板２２に実装さ
れ、ＩＣデバイス２４が、上方部材１２に対向してＩＣ
ソケット１０に搭載される。上方部材１２、下方部材１
６及び中間部材１８は、それぞれ複数の上方貫通孔２
６、下方貫通孔２８及び中間貫通孔３０を、相互に重畳
可能な対応の行列配置で備える。それら上方貫通孔２６
と下方貫通孔２８と中間貫通孔３０とが孔軸方向へ重畳
することにより、ＩＣソケット１０に複数の受容部３２
が形成され、それら複数の受容部３２に、ＩＣデバイス
２４の複数のリード３４に接続される複数のコンタクト
３６が受容される。

【００２０】上方部材１２、下方部材１６及び中間部材
１８は、外力に抗して少なくともＩＣデバイス２４及び
複数のコンタクト３６を所定姿勢に支持し得る剛性を有
した板状部材であり、図示実施形態では、上方部材１２
及び下方部材１６が全体としてプラスチック等の電気絶
縁性材料からなり、中間部材１８が全体として金属等の
電気良導性材料からなる。上方部材１２は、ＩＣデバイ
ス２４に対向する略平坦な矩形主表面３８と、主表面３
８の反対側で主表面３８に略平行に延びる矩形裏面４０
とを備え、下方部材１６は、上方部材１２の裏面４０に
略平行に延びる矩形主表面４２と、主表面４２の反対側
で主表面４２に略平行に延びて回路基板２２に対向する
矩形裏面４４とを備え、中間部材１８は、上方部材１２
の裏面４０に対向する略平坦な矩形主表面４６と、主表
面４６の反対側で主表面４６に略平行に延びて下方部材
１６の主表面４２に対向する矩形裏面４８とを備える。
複数の受容部３２を画成する複数の上方貫通孔２６、下
方貫通孔２８及び中間貫通孔３０は、主表面３８、４
２、４６及び裏面４０、４４、４８に略直交して形成さ
れる。

【００２１】下方部材１６は、矩形主表面４２の一対の
対向辺に沿って主表面４２から突設される一対の直立壁
５０を備え、それら直立壁５０の頂面５１に上方部材１
２の裏面４０を当接することにより、上方部材１２の裏
面４０と下方部材１６の主表面４２との間に、中間部材
１８を摺動可能に配置する空間１４が画成される。上方
部材１２は、例えばボルト５２等の固定手段により下方
部材１６の直立壁５０に固定される。カム部材２０は、
略楕円柱状のカム部分５４と、カム部分５４の一端に固
定されるレバー５６とを備える。下方部材１６の主表面
４２には、一方の直立壁５０に略平行に隣接して延びる
凹部５８が形成され、凹部５８にカム部材２０のカム部
分５４が回動可能に受容支持される。図３に示すよう
に、凹部５８に受容されたカム部分５４の外周面は、中
間部材１８の主表面４６に略直交する一側面１９に当接
される。なお、好ましくはカム部分５４の外周面の一部
には突起６０が設けられ、凹部５８に隣接する直立壁５
０に設けた肩面６２に突起６０が掛合することにより、
カム部材２０の回動が係止される（図３参照）。

【００２２】図示実施形態では、ＩＣデバイス２４はＰ
ＧＡ（ピングリッドアレイ）と称するパッケージ構造を
有し、パッケージ本体に行列状配置で突設された複数の
リード３４を有する。ＩＣデバイス２４は、それ自体の
高周波対策として、複数のリード３４のうち信号リード
３４ｓ（以下、信号線路に関連する構成要素は、参照符
号の末尾にｓを付して記載する）と接地リード３４ｇ
（以下、接地線路に関連する構成要素は、参照符号の末
尾にｇを付して記載する）とを、いずれも千鳥状にかつ
互いに隣合うように配置したものである。

【００２３】コンタクト３６は、高周波電気信号の伝送
が可能な電気良導性の弾性材料からなる導電体であり、
受容部３２の主に上方貫通孔２６及び中間貫通孔３０に
受容される二股状の接触部６４と、接触部６４から延長
されて受容部３２の下方貫通孔２８に受容されるピン状
の脚部６６とを備える。接触部６４は、上方部材１２の
上方貫通孔２６を介して外部から容易に接近可能な位置
に配置され、ＩＣデバイス２４のリード３４に脱着可能
にかつ電気的に接続される。コンタクト３６の脚部６６
は、下方部材１６の下方貫通孔２８を介して外方へ突出
し、ＩＣソケット１０を回路基板２２に実装したときに
は、回路基板２２のスルーホール６８に挿通されて導体
７０に半田付け等により電気的に接続される。なお、上
方貫通孔２６及び下方貫通孔２８は、それぞれコンタク
ト３６の接触部６４の自由端及び脚部６６を固定的に支
持可能な寸法を有し、中間貫通孔３０は、中間部材１８
の移動時にコンタクト３６の接触部６４に当接されて接
触部６４を弾性変形させるに充分な寸法を有する。

【００２４】コンタクト３６の二股状の接触部６４は、
一対の接触片７２、７４を備える。それら接触片７２、
７４は、無負荷状態では図１及び図３（ａ）に示すよう
に、それらの自由端に設けた接点７６、７８がＩＣデバ
イス２４のリード３４の直径よりも大きな距離だけ相互
に離れた状態に置かれ、また、相互接近方向への押圧力
を加えることにより弾性変形して、図３（ｂ）に示すよ
うに両接点７６、７８が閉じられる。この押圧力は、中
間部材１８を上方部材１２及び下方部材１６に対し図２
（ａ）及び図３（ａ）で左方向へ移動させることによ
り、後述するように中間貫通孔３０の壁面から一方の接
触片７２に加えられる。コンタクト３６は、接触片７
２、７４のこのような弾性的変形及び復元により、受容
部３２に挿入されたＩＣデバイス２４のリード３４に選
択的に接続及び分離される。

【００２５】ＩＣソケット１０にＩＣデバイス２４を搭
載する際には、まずカム部材２０を、カム部分５４が楕
円断面の長軸を図２（ａ）及び図３（ａ）に示すように
略鉛直方向へ向けた状態に配置し、中間部材１８を空間
１４内で同図右方に偏移させる。このとき、受容部３２
に受容されたコンタクト３６の接点７６、７８は開いた
状態に置かれ、挿入力を要さずにＩＣデバイス２４のリ
ード３４を受容部３２内の両接点７６、７８の間に配置
できる。次いでカム部材２０を図２（ａ）及び図３
（ａ）で反時計方向へ回動操作して、楕円断面の長軸を
略水平方向へ向けると、中間部材１８が上方部材１２及
び下方部材１６に対し図２（ａ）及び図３（ａ）で左方
向へ移動して、中間貫通孔３０の壁面がコンタクト３６
の接触部６４の一方の接触片７２に押圧力を加える。そ
れにより両接点７６、７８が閉じられ、コンタクト３６
とリード３４とが所定圧力下で正確に接触させられる。

【００２６】ＩＣソケット１０はさらに、ＩＣデバイス
２４の複数の信号リード３４ｓに選択的に接続される複
数のコンタクト３６（すなわち信号用コンタクト３６
ｓ）の間を、接地電位を保持して実質的に電磁シールド
するシールド手段を具備する。ＩＣソケット１０のシー
ルド手段は、金属等の電気良導性材料から形成される中
間部材１８からなり、より詳しくは、複数の中間貫通孔
３０を画成する周面の略全体に広がる導電性周壁８０か
らなる。ＩＣソケット１０では、中間部材１８の全体が
電気良導性材料から形成されるので、導電性周壁８０
は、全ての中間貫通孔３０の間で相互に電気的に接続さ
れる。

【００２７】またＩＣソケット１０においては、中間部
材１８の長手方向及び横手方向に隣合う中間貫通孔３０
が、異なる開口寸法及び周面形状を有した中間貫通孔３
０ｇ、３０ｓとして形成される。小寸の中間貫通孔３０
ｇでは、中間部材１８の主表面４６における開口が裏面
４８における開口よりも小さく、主表面４６と導電性周
壁８０との間に鋭角な縁部８２が形成される。したがっ
て中間貫通孔３０ｇに受容されたコンタクト３６は、接
点開放時にその一対の接触片７２、７４が縁部８２に近
接して配置され、空間１４内で中間部材１８を移動する
ことにより縁部８２が一方の接触片７２に当接されて、
接点７６、７８を閉じるための押圧力が接触片７２に確
実に加えられるようになっている。

【００２８】これに対し、大寸の中間貫通孔３０ｓで
は、中間部材１８の裏面４８における開口は中間貫通孔
３０ｇと同寸であるが、主表面４６における開口が拡張
され、導電性周壁８０に肩部８４が形成されている。し
たがって中間貫通孔３０ｓに受容されたコンタクト３６
は、接点開放時にその一対の接触片７２、７４が導電性
周壁８０から離れて配置され、空間１４内で中間部材１
８を移動しても導電性周壁８０が両接触片７２、７４の
接点７６、７８を閉じることはできないようになってい
る。

【００２９】このような中間貫通孔３０ｇ、３０ｓの構
成は、ＩＣソケット１０の信号リード３４ｓ及び接地リ
ード３４ｇの配置に対応したものである。したがって、
中間貫通孔３０ｇを有する受容部３２にはＩＣデバイス
２４の接地リード３４ｇが挿入され、中間貫通孔３０ｓ
を有する受容部３２にはＩＣデバイス２４の信号リード
３４ｓが挿入される。

【００３０】中間貫通孔３０ｇを有する受容部３２に受
容されたコンタクト３６は、少なくとも中間部材１８の
移動により接点７６、７８を閉じたときに、接触部６４
を介して導電性周壁８０に電気的に接続される。したが
って、このコンタクト３６を回路基板２２の接地用導体
７０ｇに接続すれば、コンタクト３６及び導電性周壁８
０に接地電位が付与される。このような接地電位のコン
タクト３６（すなわち接地用コンタクト３６ｇ）に、Ｉ
Ｃデバイス２４の接地リード３４ｇが中間部材１８の移
動により選択的に接続される。なお、この接地電位は、
導電性周壁８０が全ての中間貫通孔３０の間で相互に電
気的に接続されているので、全ての接地用コンタクト３
６ｇ及び導電性周壁８０において同一電位に保持され
る。

【００３１】中間貫通孔３０ｓを有する受容部３２で
は、中間部材１８の移動時にもコンタクト３６が導電性
周壁８０に接触しないように、コンタクト３６と導電性
周壁８０との間に、中間部材１８とは別体に成形された
中空筒状のスペーサ８６が介在される。スペーサ８６
は、プラスチック等の電気絶縁性材料からなり、コンタ
クト３６と導電性周壁８０との間を電気的に絶縁する。
またスペーサ８６は、中間貫通孔３０ｇと中間貫通孔３
０ｓとの寸法差に相当する寸法を有し、導電性周壁８０
の肩部８４に当接配置されたときに、中間貫通孔３０ｇ
と略同一の内部空間を中間貫通孔３０ｓ内に画成する。
すなわちスペーサ８６は、中間貫通孔３０ｇの縁部８２
と同様の鋭角な縁部８８を、中間部材１８の主表面４６
側に画成する。その結果、中間貫通孔３０ｓにおいて
も、中間部材１８を移動したときに、スペーサ８６の縁
部８８がコンタクト３６の一方の接触片７２に当接され
て押圧力を確実に加え、接点７６、７８を閉じることが
可能になる。

【００３２】したがって、中間貫通孔３０ｓを有する受
容部３２に受容されたコンタクト３６を回路基板２２の
信号用導体７０ｓに接続すれば、コンタクト３６は信号
用コンタクト３６ｓとして高周波信号を伝送することが
できる。この信号用コンタクト３６ｓに、ＩＣデバイス
２４の信号リード３４ｓが中間部材１８の移動により選
択的に接続される。

【００３３】上記構成を有するＩＣソケット１０は、高
周波信号伝送対策として、回路基板２２及びＩＣデバイ
ス２４に対して特性インピーダンス値を整合させ、かつ
ＩＣソケット１０内の信号線路間クロストークを低減す
る作用効果を奏する。ＩＣソケット１０の中間部材１８
の中間貫通孔３０ｓにおいては、信号線路を構成する信
号用コンタクト３６ｓが電気絶縁性のスペーサ８６によ
って包囲され、かつスペーサ８６が導電性周壁８０によ
って包囲されており、同軸ケーブルに類似した構造が形
成されている。一般に同軸構造においては、線路の特性
インピーダンス値は、絶縁体の比誘電率並びに中心導体
の外径寸法及び外周導体の内径寸法により決定されるこ
とが周知である。つまり、絶縁体材料が決定され比誘電
率が一定の条件下であれば、線路の特性インピーダンス
値は中心導体及び外周導体の寸法により左右される。し
たがってＩＣソケット１０では、中間貫通孔３０ｓ及び
スペーサ８６の形状及び寸法を適宜調整することによ
り、信号線路の特性インピーダンス値を適当に制御する
ことが可能となり、その結果、回路基板２２及びＩＣデ
バイス２４に対して特性インピーダンス値を整合させる
ことができる。

【００３４】また、ＩＣソケット１０内の信号用コンタ
クト３６ｓは、中間部材１８の中間貫通孔３０ｓにおい
て同一接地電位を有する導電性周壁８０によって包囲さ
れているので、複数の信号用コンタクト３６ｓの間が中
間貫通孔３０ｓ内のコンタクト部分に関して電磁シール
ドされる。その結果、ＩＣソケット１０における信号線
路間クロストークが低減される。なおこのようなクロス
トーク低減作用は、前述したように信号用コンタクト３
６ｓと接地用コンタクト３６ｇとを交互に配置したとき
に一層向上する。これは、導電性周壁８０を有しない上
方部材１２及び下方部材１６においても、信号用コンタ
クト３６ｓを取り囲むように配置された接地用コンタク
ト３６ｇが、複数の信号用コンタクト３６ｓの間を実質
的に電磁シールドするからである。

【００３５】なおＩＣソケット１０では、中間部材１８
とは別部材として成形されたスペーサ８６を中間貫通孔
３０に挿入するだけで、信号用コンタクト３６ｓと導電
性周壁８０との間を電気絶縁でき、しかも信号線路に擬
似的な同軸構造を形成できるので、高周波対策を施した
ＩＣソケットを極めて容易に製造できる。

【００３６】上記説明から理解されるように、本発明に
係るＩＣソケットでは、相対移動可能に連結される第１
支持部材及び第２支持部材の双方に、コンタクトを包囲
する導電性周壁を設けることにより、特性インピーダン
ス値の整合作用及びクロストークの低減作用をさらに向
上させることができる。図４は、そのような構成を有し
た本発明の他の実施形態によるＩＣソケット９０を示
す。なお図４では、図１〜図３に示した構成要素と同一
又は類似の構成要素には同一の参照符号を付し、その説
明を省略する。

【００３７】ＩＣソケット９０は、いずれも全体として
金属等の電気良導性材料からなる上方部材１２、下方部
材１６、及び中間部材１８を備える。したがってＩＣソ
ケット９０のシールド手段は、中間部材１８の導電性周
壁８０に加えて、電気良導性材料からなる上方部材１２
の複数の上方貫通孔２６を画成する周面の略全体に広が
る導電性周壁９２、及び電気良導性材料からなる下方部
材１６の複数の下方貫通孔２８を画成する周面の略全体
に広がる導電性周壁９４を含んで構成される。導電性周
壁９２は、全ての上方貫通孔２６の間で相互に電気的に
接続され、同様に導電性周壁９４は、全ての下方貫通孔
２８の間で相互に電気的に接続される。この場合、上方
貫通孔２６及び下方貫通孔２８は、中間部材１８の中間
貫通孔３０ｇ、３０ｓに対応して、異なる開口寸法及び
周面形状を有した上方貫通孔２６ｇ、２６ｓ及び下方貫
通孔２８ｇ、２８ｓを含む。

【００３８】小寸の上方貫通孔２６ｇ及び下方貫通孔２
８ｇは、それぞれコンタクト３６の接触部６４及び脚部
６６を固定的に支持可能な寸法を有し、中間貫通孔３０
ｇと協働して接地用コンタクト３６ｇを受容する受容部
３２を構成する。他方、大寸の上方貫通孔２６ｓ及び下
方貫通孔２８ｓは、中間貫通孔３０ｓと協働して信号用
コンタクト３６ｓを受容する受容部３２を構成する。こ
の受容部３２では、信号用コンタクト３６ｓと導電性周
壁９２、９４との間を電気的に絶縁するとともに信号用
コンタクト３６ｓの接触部６４及び脚部６６を固定的に
支持するために、信号用コンタクト３６ｓと導電性周壁
９２、９４との間に、それぞれ上方部材１２及び下方部
材１６とは別体に成形された中空筒状の電気絶縁性スペ
ーサ９６、９８が介在される。スペーサ９６、９８は、
上方貫通孔２６ｇと上方貫通孔２６ｓ、及び下方貫通孔
２８ｇと下方貫通孔２８ｓとの、それぞれの寸法差に相
当する寸法を有し、各貫通孔２６ｓ、２８ｓ内で導電性
周壁９２、９４に当接配置されたときに、上方貫通孔２
６ｇ及び下方貫通孔２８ｇと略同一の内部空間を上方貫
通孔２６ｓ及び下方貫通孔２８ｓ内にそれぞれ画成す
る。

【００３９】このようなＩＣソケット９０の構成によれ
ば、中間部材１８の中間貫通孔３０ｓだけでなく、上方
部材１２の上方貫通孔２６ｓ及び下方部材１６の下方貫
通孔２８ｓにおいても、導電性周壁９２、９４並びにス
ペーサ９６、９８により同軸ケーブルに類似した構造が
形成される。したがってＩＣソケット９０では、上方貫
通孔２６ｓ及びスペーサ９６、下方貫通孔２８ｓ及びス
ペーサ９８、並びに中間貫通孔３０ｓ及びスペーサ８６
の、それぞれの形状及び寸法を適宜調整することによ
り、信号線路の特性インピーダンス値を適当に制御する
ことが非常に容易になり、その結果、回路基板２２及び
ＩＣデバイス２４に対して特性インピーダンス値を容易
にかつ広範囲で整合させることが可能となる。

【００４０】また、ＩＣソケット９０内の信号用コンタ
クト３６ｓは、上方部材１２の上方貫通孔２６ｓ、下方
部材１６の下方貫通孔２８ｓ、並びに中間部材１８の中
間貫通孔３０ｓにおいて、同一接地電位を有する導電性
周壁９２、９４、８０によって包囲されているので、複
数の信号用コンタクト３６ｓの間がＩＣソケット９０に
収容されるコンタクト部分に関して電磁シールドされ
る。すなわち、ＩＣソケット９０内では信号線路がその
全長に亙って確実に電磁シールドされるので、ＩＣソケ
ット９０における信号線路間クロストークが一層大幅に
低減される。

【００４１】なお、この実施形態において、上方部材１
２及び下方部材１６のいずれか一方を、ＩＣソケット１
０と同様に電気絶縁性材料から形成することもできる。
この場合、信号線路に対する電磁シールド長さは、ＩＣ
ソケット１０より長くかつＩＣソケット９０より短くな
る。したがって高周波対策に関しても、ＩＣソケット１
０より優れかつＩＣソケット９０よりは劣る効果が得ら
れる。

【００４２】上記各実施形態では、上方部材１２、下方
部材１６、及び中間部材１８が、全体として金属等の電
気良導性材料からなることにより、それぞれに導電性周
壁９２、９４、８０が形成される構成を示したが、本発
明はこれに限定されるものではなく、例えばプラスチッ
ク等の電気絶縁性材料の基体に金属メッキ等の電気良導
性被覆を被着することによって、導電性周壁９２、９
４、８０を形成することもできる。この場合、導電性周
壁を形成する電気良導性材料の容積は上記各実施形態よ
りも小さくなり、したがって接地電位を保持する接地容
量が減少するが、一般に数GHz の高周波信号伝送におい
ては、接地容量の差はクロストーク低減作用に殆ど影響
しないことが分かっている。したがってそのような高周
波信号伝送に本発明のＩＣソケットを適用する場合、支
持部材全体を金属等の電気良導性材料から成形するより
も、プラスチック等の電気絶縁性材料の基体に金属メッ
キ等の電気良導性被覆を被着した方が、重量及び材料コ
ストが軽減される利点がある。ただし、数百MHz の範囲
では、接地容量がクロストーク低減作用に影響するの
で、支持部材全体を金属等の電気良導性材料から成形す
る方が好ましい。

【００４３】また、上記各実施形態では、複数のリード
３４のうち信号リード３４ｓと接地リード３４ｇとがい
ずれも千鳥状にかつ互いに隣合うように配置された高周
波用のＩＣデバイス２４に対して使用される構成を説明
したが、本発明はこれに限定されるものではなく、例え
ば複数のリードのうち少なくとも１本が接地リードで他
の全てが信号リードであるようなＩＣデバイスに対して
も適用できる。図５は、そのような構成を有した本発明
のさらに他の実施形態によるＩＣソケット１００を示
す。なお図５では、図１〜図３に示した構成要素と同一
又は類似の構成要素には同一の参照符号を付し、その説
明を省略する。

【００４４】ＩＣソケット１００は、全体としてプラス
チック等の電気絶縁性材料からなる上方部材１２及び下
方部材１６と、プラスチック等の電気絶縁性材料の基体
の全表面に金属メッキ等の電気良導性被覆１０２を被着
してなる中間部材１８とを備える。したがってＩＣソケ
ット１００では、導電性周壁８０は、中間部材１８の中
間貫通孔３０の周面に被着された電気良導性被覆１０２
から形成される。また導電性周壁８０は、中間部材１８
の全表面に被着された電気良導性被覆１０２により、全
ての中間貫通孔３０の間で相互に電気的に接続される。
なお、電気良導性被覆１０２は、必ずしも中間部材１８
の全表面に被着されなくても良く、例えば図示実施形態
において、中間部材１８の裏面４８側の電気良導性被覆
１０２を省略しても良い。

【００４５】また、ＩＣソケット１００の中間部材１８
は、全てが略同一形状の複数の中間貫通孔３０を備え
る。詳述すれば、ＩＣソケット１００では、接地用コン
タクト３６ｇを受容する受容部３２を構成する中間貫通
孔３０ｇと信号用コンタクト３６ｓを受容する受容部３
２を構成する中間貫通孔３０ｓとは、いずれも各コンタ
クト３６の接点開放時にその一対の接触片７２、７４が
導電性周壁８０から離れて配置され、空間１４内で中間
部材１８を移動しても導電性周壁８０が両接触片７２、
７４の接点７６、７８を閉じることができないような、
略同一の開口寸法及び周面形状を有する。

【００４６】そして、中間貫通孔３０ｓ内の信号用コン
タクト３６ｓと導電性周壁８０との間、及び中間貫通孔
３０ｇ内の接地用コンタクト３６ｇと導電性周壁８０と
の間には、互いに略同一形状を有した電気絶縁性スペー
サ８６及び電気良導性スペーサ１０４が介在される。電
気絶縁性スペーサ８６は、信号用コンタクト３６ｓと導
電性周壁８０との間を電気的に絶縁するとともに、中間
部材１８を移動したときに信号用コンタクト３６ｓの一
方の接触片７２に当接されて押圧力を確実に加え、接点
７６、７８を閉じることを可能にする。電気良導性スペ
ーサ１０４は、接地用コンタクト３６ｇと導電性周壁８
０との間を電気的に接続するとともに、中間部材１８を
移動したときに接地用コンタクト３６ｇの一方の接触片
７２に当接されて押圧力を確実に加え、同様に接点７
６、７８の閉鎖を可能にする。

【００４７】このようにＩＣソケット１００では、中間
部材１８の導電性周壁８０は、電気良導性スペーサ１０
４を介して中間貫通孔３０ｇ内の接地用コンタクト３６
ｇに電気的に接続される。しかも、導電性周壁８０が全
ての中間貫通孔３０の間で相互に電気的に接続されてい
るので、全ての中間貫通孔３０ｇにおける導電性周壁８
０に同一接地電位が付与される。したがってＩＣソケッ
ト１００では、ＩＣデバイス２４の複数のリード３４の
うち少なくとも１本が接地リード３４ｇであれば、他の
全てが信号リード３４ｓであっても、導電性周壁８０が
電磁シールド作用を果たし、電気絶縁性スペーサ８６と
協働して前述したような特性インピーダンス値の整合及
びクロストークの低減効果が得られる。

【００４８】一般に高周波ＩＣデバイスは、前述したよ
うに信号リードを接地リードで取り囲むようなリード配
置を有することが望ましく、従来、高周波対策のために
リード総数に対する信号リード数の割合を減らさざるを
得ない場合があった。その結果、電子機器の高密度実装
化及び大容量伝送処理の要求に本来対応し得るＩＣデバ
イスの能力を、有効に発揮させることが困難になってい
た。これに対し、ＩＣソケット１００によれば、ＩＣデ
バイス２４の複数のリード３４のうち少なくとも１本が
接地リード３４ｇであれば高周波対策を施すことができ
るので、ＩＣデバイスの能力を最大限に発揮させること
ができる。このような作用効果は、多数化及び狭ピッチ
化されたリード配置を有するＩＣデバイスに対し、特に
有効に作用する。

【００４９】さらにＩＣソケット１００では、搭載され
るＩＣデバイス２４の信号リード３４ｓ及び接地リード
３４ｇの配置に対応して、電気絶縁性スペーサ８６及び
電気良導性スペーサ１０４を、導電性周壁８０を有した
所望位置の中間貫通孔３０に選択的に介在させることが
できる。すなわち、電気絶縁性スペーサ８６を介在させ
た中間貫通孔３０を含む受容部３２に受容されたコンタ
クト３６が、信号用コンタクト３６ｓとして高周波信号
を伝送し、電気良導性スペーサ１０４を介在させた中間
貫通孔３０を含む受容部３２に受容されたコンタクト３
６が、接地用コンタクト３６ｇとして導電性周壁８０に
接地電位を付与する。したがってＩＣソケット１００
は、多様な信号及び接地リード分布を有する異なるＩＣ
デバイスに対し、シールド構造の配置を適宜調整して適
用できる。

【００５０】本発明に係るＩＣソケットは、上記以外の
様々な構成を有することができる。例えば上記各実施形
態において、コンタクト３６の代わりに、図６に示すよ
うな無負荷時には接点が閉じた状態に置かれる形式のコ
ンタクト１１０を使用することができる。コンタクト１
１０は、高周波電気信号の伝送が可能な電気良導性の弾
性材料からなる導電体であり、二股状の接触部１１２
と、接触部１１２から延長されるピン状の脚部１１４と
を備える。接触部１１２は、脚部１１４に略平行に延び
る接触片１１６と、脚部１１４に交差して延びる接触片
１１８とを備える。それら接触片１１６、１１８は、無
負荷状態では図６及び図７（ａ）に示すように、それら
の自由端に設けた接点１２０、１２２が近接して閉じた
状態に置かれ、また、相互離反方向への押圧力を加える
ことにより弾性変形して、図７（ｂ）に示すように両接
点１２０、１２２が閉じられる。この押圧力は、中間部
材１８の図７で右方向への移動により、中間貫通孔３０
の壁面から一方の接触片１１８に加えられる。コンタク
ト１１０は、接触片１１８のこのような弾性的変形及び
復元により、受容部３２に挿入されたＩＣデバイス２４
のリード３４に選択的に接続及び分離される。

【００５１】コンタクト１１０は、コンタクト３６に比
べて、信号伝送方向に直線状に延びる形状を有するの
で、優れた高周波伝送特性を備えたものである。また、
弾性復元力は接点１２０、１２２を閉じる方向に加わる
ので、所定のリード接触圧力を経時でも安定して得るこ
とができる。さらに構造上、接点１２０、１２２を開く
距離、すなわち中間部材の移動距離を小さくでき、コン
タクト１１０の配置間隔を狭くできるので、ＩＣデバイ
スのリード配置の一層の狭ピッチ化（例えば１．２７mm
以下）に対応できる。

【００５２】また、本発明に係るＩＣソケットは、例え
ば実開平２−６４１８４号公報に開示されるような、支
持部材として相対移動可能に連結された２つの部材のみ
を備えた無挿抜力型ＩＣソケットにも適用できる。この
場合、上記実施形態における上方部材１２が省略され、
ＩＣデバイスは、中間部材１８に相当する可動支持部材
に搭載される。ＩＣデバイスのリードをＩＣソケットの
コンタクトに接続する際には、まず下方部材１６に相当
する静止支持部材の受容孔に受容されたコンタクトに対
し、リードを非接触状態に受容可能な位置に配置された
可動支持部材の受容孔にリードを挿入する。次いでＩＣ
デバイスを可動支持部材と共に静止支持部材に対して移
動すると、リードが静止支持部材の受容孔に受容された
コンタクトに接続される。このようなソケット構成にお
いても、可動支持部材及び静止支持部材の少なくとも一
方に導電性周壁を設け、信号用コンタクトと導電性周壁
との間に電気絶縁性スペーサを介在させることにより、
上記各実施形態と同様の高周波対策をＩＣソケットに施
すことができる。

【００５３】本発明に係るＩＣソケットは、上記したよ
うなＰＧＡ構造のＩＣデバイスのみならず、各コンタク
トの配置を適宜変更することにより、例えばＤＩＰ（デ
ュアルインラインパッケージ）、ＳＩＰ（シングルイン
ラインパッケージ）、ＺＩＰ（ジグザグインラインパッ
ケージ）、ＳＯＩ（スモールアウトラインＩリードパッ
ケージ）、ＱＦＩ（クワッドフラットＩリードパッケー
ジ）等のパッケージ構造を有するＩＣデバイスに適用で
きる。

【００５４】本発明に係るＩＣソケットは、様々な材料
から形成できる。例えば上記各実施形態において、電気
絶縁性材料からなる上方部材１２、下方部材１６、中間
部材１８、カム部材２０、及びスペーサ８６は、ＰＢＴ
（ポリブチレンテレフタレート）、ＰＥＩ（ポリエーテ
ルイミド）、ＰＥＳ（ポリエーテルスルホン）等の、耐
熱性及び機械的強度に優れた樹脂材料から形成されるこ
とが好ましい。また、上方部材１２、下方部材１６、中
間部材１８を電気良導性材料から形成する場合は、黄
銅、亜鉛等の電磁波を吸収し易い金属材料や導電性樹脂
材料から形成することが好ましい。同様にスペーサ１０
４も金属材料や導電性樹脂材料から形成できる。導電性
周壁８０、９２、９４を電気良導性被覆から形成する場
合は、上記樹脂材料に金属メッキを施すことが有利であ
る。コンタクト３６、１１０は、ベリリウム銅や燐青銅
等のばね性を有する金属材料からなることが好ましい。
それらコンタクトの少なくとも接点部分には、ニッケル
下地の金メッキを施すことが望ましい。

【００５５】本発明に係るＩＣソケットは、様々な方法
で製造できる。例えば上記各実施形態において、電気絶
縁性材料からなる上方部材１２、下方部材１６、中間部
材１８、カム部材２０、及びスペーサ８６は、樹脂材料
から射出成型により形成できる。また、電気良導性材料
からなる上方部材１２、下方部材１６、中間部材１８、
スペーサ１０４は、鋳造、切削加工等により形成でき
る。

【００５６】

【発明の効果】以上の説明から明らかなように、本発明
によれば、伝送信号の高速化及び高周波数化に対応し
て、特性インピーダンス値の整合及びクロストークの低
減を確実に達成でき、しかも容易に形成可能な電磁シー
ルド構造を有する高周波対応型の無挿抜力型ＩＣソケッ
トが提供される。したがって本発明は、電子機器の高機
能化の促進に寄与する。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施形態によるＩＣソケットの分解斜
視図である。

【図２】図１のＩＣソケットを組立てた状態で示す斜視
図で、（ａ）コンタクト開放時、及び（ｂ）コンタクト
閉鎖時、の各状態を示す。

【図３】図２のＩＣソケットを回路基板に搭載した状態
で示す部分断面図で、（ａ）ＩＣデバイス未接続時、及
び（ｂ）ＩＣデバイス接続時、の各状態を示す。

【図４】本発明の他の実施形態によるＩＣソケットを回
路基板に搭載した状態で示す部分断面図で、（ａ）ＩＣ
デバイス未接続時、及び（ｂ）ＩＣデバイス接続時、の
各状態を示す。

【図５】本発明のさらに他の実施形態によるＩＣソケッ
トを回路基板に搭載した状態で示す部分断面図で、
（ａ）ＩＣデバイス未接続時、及び（ｂ）ＩＣデバイス
接続時、の各状態を示す。

【図６】本発明のＩＣソケットに使用可能な他のコンタ
クトの斜視図である。

【図７】図７のコンタクトの、（ａ）接点閉鎖時、
（ｂ）接点開放時、及び（ｃ）リード接続時、の各状態
を示す。

【図８】従来のＩＣソケットを回路基板に搭載した状態
で示す部分断面図で、（ａ）ＩＣデバイス未接続時、及
び（ｂ）ＩＣデバイス接続時、の各状態を示す。

【符号の説明】

１０、９０、１００…ＩＣソケット １２…上方部材 １４…空間 １６…下方部材 １８…中間部材 ２０…カム部材 ２２…回路基板 ２４…ＩＣデバイス ２６…上方貫通孔 ２８…下方貫通孔 ３０…中間貫通孔 ３２…受容部 ３４…リード ３６…コンタクト ６４…接触部 ６６…脚部 ７２、７４…接触片 ７６、７８…接点 ８０、９２、９４…導電性周壁 ８６、９６、９８…スペーサ １０４…電気良導性スペーサ

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の貫通孔を備えた第１支持部材と、
   該第１支持部材に相対移動可能に連結され、該第１支持
   部材の複数の貫通孔にそれぞれ重畳可能な対応位置に複
   数の貫通孔を備えた第２支持部材と、該第１支持部材の
   貫通孔と該第２支持部材の貫通孔とが重畳して形成され
   る複数の受容部にそれぞれ受容された複数のコンタクト
   とを具備し、それらコンタクトが該第１及び第２支持部
   材の相対移動により該複数の受容部内で弾性変形して、
   それら受容部に挿入されたＩＣデバイスの複数の信号リ
   ード及び接地リードにそれぞれ選択的に接続及び分離さ
   れる無挿抜力型のＩＣソケットにおいて、 前記複数のコンタクトのうち、ＩＣデバイスの複数の信
   号リードに選択的に接続される信号用コンタクトの間
   を、接地電位を保持して実質的に電磁シールドするシー
   ルド手段を具備し、 該シールド手段は、前記第１及び第２支持部材の少なく
   とも一方に、複数の前記貫通孔を画成する周面の略全体
   に広がりかつ全ての前記貫通孔の間で相互に接続される
   ように設けられた複数の導電性周壁からなり、 該導電性周壁が、前記複数のコンタクトのうち、前記受
   容部内でＩＣデバイスの接地リードに選択的に接続され
   る接地用コンタクトと導通関係に置かれるとともに、 前記信号用コンタクトを受容する複数の前記受容部内で
   は、該信号用コンタクトと前記導電性周壁との間に、前
   記第１及び第２支持部材とは別体に成形された電気絶縁
   性スペーサがそれぞれ介在されること、を特徴とするＩ
   Ｃソケット。
2. 【請求項２】 前記第１及び第２支持部材の少なくとも
   一方が全体として電気良導性材料からなり、前記導電性
   周壁が前記貫通孔の前記周面によって形成される請求項
   １に記載のＩＣソケット。
3. 【請求項３】 前記導電性周壁を有した複数の前記貫通
   孔のうち、前記信号用コンタクトを受容する前記受容部
   を形成する該貫通孔が、前記接地用コンタクトを受容す
   る前記受容部を形成する該貫通孔よりも大きな開口寸法
   を有し、前記電気絶縁性スペーサが、それら貫通孔の寸
   法差に相当する寸法を有する請求項１又は２に記載のＩ
   Ｃソケット。
4. 【請求項４】 前記導電性周壁を有した複数の前記貫通
   孔が相互に略同一形状を有し、前記信号用コンタクトを
   受容する前記受容部に配置された前記電気絶縁性スペー
   サと略同一形状の電気良導性スペーサが、前記接地用コ
   ンタクトを受容する前記受容部内で該接地用コンタクト
   と前記導電性周壁との間に介在される請求項１又は２に
   記載のＩＣソケット。
5. 【請求項５】 前記第１支持部材が、前記第２支持部材
   を摺動可能に挟持する２つの相補支持部材からなり、該
   第２支持部材及び該２つの相補支持部材のうちの少なく
   とも１つが前記導電性周壁を備える請求項１〜４のいず
   れか１項に記載のＩＣソケット。