JPH09283392A

JPH09283392A - 基板の重ね合わせ方法及び装置

Info

Publication number: JPH09283392A
Application number: JP8088453A
Authority: JP
Inventors: Hideji Tanaka; 秀治田中; Yoshio Maeda; 佳男前田
Original assignee: Seiko Epson Corp
Current assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 1996-04-10
Filing date: 1996-04-10
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】２枚の基板を接合する前に、相互に重ね合わ
せるための方法及び装置において、２枚の基板を撓みや
歪みがなく内部応力が残存しない状態で重ね合わせる方
法を実現する。【解決手段】上部機構２０は、駆動手段により昇降可
能に接続された支持盤２１と、この支持盤２１の底面に
固定された吸着ヘッド２２，２３と、支持盤２１の底面
に固定された昇降シリンダ２４と、昇降シリンダ２４の
可動ロッドに接続固定された可動板２５と、可動板２５
に支持された押圧ピン２６とから構成される。吸着ヘッ
ド２２，２３にはそれぞれ排気孔２２ａ，２３ａが形成
され吸着面２２ｂ，２３ｂにおいて複数の開口を備えて
いる。押圧ピン２６は、可動板２５に形成された挿通孔
に対して昇降自在に挿通され、コイルバネ２７によって
下方に付勢され、その先端のピンヘッド２６ａの表面は
半球状に形成されている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は基板の重ね合わせ方
法及び装置に係り、特に、半導体基板とガラス基板との
接合や半導体基板同士の接合を行うに際して、事前に基
板を相互に接触させ、重ね合わせるための方法及び装置
として好適な技術に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体基板同士や半導体基板とガ
ラス基板とを接合するための種々の技術が知られてい
る。この中で、例えばマイクロマシニング分野において
は、シリコンウエハ（以下、半導体基板という。）とホ
ウケイ酸ガラス基板（以下、ガラス基板という。）とを
接触させ、この状態で陽極接合により半導体基板とガラ
ス基板とを接合する技術があり、この技術により圧力セ
ンサ、インクジェットヘッド等の種々のマイクロ部品を
製造する試みがなされている。

【０００３】陽極接合技術とは、例えば半導体基板とガ
ラス基板の接合面を相互に接触させた状態で３００〜４
００℃に加熱し、半導体基板に正電位を、ガラス基板に
負電位を与えて直流電圧を印加することにより、両者を
永久的に接合させることができるものである。

【０００４】図１０はこのような陽極接合技術を用いた
インクジェットヘッドの製造工程を示すものである。ガ
ラス基板１１の表面には表面凹部１１ａが縦横に配列さ
れた状態に多数形成されている。このガラス基板１１の
上には、シリコンウエハから成る半導体基板１２が重ね
られている。

【０００５】この半導体基板１２にはエッチング溝１２
ａが形成され、このエッチング溝１２ａによって薄肉部
１２ｂが形成され、圧力センサ等にも用いられるいわゆ
るダイヤフラム型の半導体基板となっている。半導体基
板１２の上にはさらにガラス基板１３が重ねられる。

【０００６】半導体基板１２及びガラス基板１１，１３
の接合面は極めて平坦性が高く、清浄な表面に形成され
ているので、相互に接触させるだけでぴったりと密着す
る。このようにして、ガラス基板１１、半導体基板１２
及びガラス基板１３が積層された状態で、図示しない保
持治具によって相互に固定する。この保持治具には、ガ
ラス基板１１、半導体基板１２及びガラス基板１３にそ
れぞれ所定の電圧を印加できるように印加電極が設けら
れている。

【０００７】上記印加電極を電源１４に接続することに
より、まずガラス基板１１と半導体基板１２との間に数
百Ｖの直流電圧を印加し、陽極接合を行い、次に、半導
体基板１２とガラス基板１３との間に電源１５を接続し
て、同様に陽極接合を行う。このようにして半導体基板
１２の両側にガラス基板１１，１３が接合されることに
よって、薄肉部１２ｂを振動部とするインクジェットヘ
ッドが多数形成された接合体が完成する。この接合体は
後に、ダイシング等によって個々のインクジェットヘッ
ドに分離される。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記陽
極接合に際して、事前に基板を相互に位置決めし、接触
させて重ね合わせた状態とする必要があるが、従来は手
作業により半導体基板をガラス基板上に載置し、この状
態を治具によって保持固定していた。ところが、半導体
基板やガラス基板の表面を平坦性及び清浄性の高い表面
に形成しているため、一旦接触するとぴったりと密着し
相互にスライドさせることは極めて困難になる。そのた
め、基板を接触させた段階で、２枚の基板の接触状態が
決定され、例えば一方の基板が撓んだまま接触させてし
まうと、基板の撓み状態が解消されずにそのままの状態
で接合されることとなり、基板間に空間が発生したり、
接合不良の領域が残存したりするという問題点がある。

【０００９】ここで、半導体基板の表面には微細な凹凸
形状が各種パターニング、エッチング、堆積技術等によ
って形成されており、特に圧力センサやインクジェット
ヘッド等を形成する場合には、半導体基板に極めて薄い
薄肉部が形成されることがあるため、ガラス基板上に半
導体基板を載置するときに、半導体基板が微妙に撓んだ
り歪んだりするため、接合後において２枚の基板間に内
部応力が残存し、マイクロ部品等の形成素子の特性が悪
化してしまうという問題点がある。

【００１０】そこで、本発明は上記問題点を解決するも
のであり、その課題は、上記のような基板間の接合を行
う前に２枚の基板を撓みや歪みがなく、内部応力が残存
しない状態で重ね合わせる方法及び装置を実現すること
にある。

【００１１】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するため
に本発明が講じた手段は、第１基板の少なくとも複数箇
所を吸着保持するとともに、前記第１基板を、対向配置
された第２基板に対して凸形状になるように前記第１基
板の裏面側から支持し、前記第１基板における前記第２
基板に対して最も突出した突出領域から前記第２基板に
接触させ、前記第１基板と前記第２基板との接触領域に
おいて前記凸形状を解消しながら、前記突出領域からそ
の隣接領域へと次第に前記第１基板を前記第２基板に対
して接触させて行くことにより前記第１基板と前記第２
基板とを重ね合わせることを特徴とする基板の重ね合わ
せ方法である。

【００１２】この手段によれば、第１基板を凸形状に保
持してまずその突出領域から第２基板に接触させ、その
隣接領域へと徐々に接触させていくことによって、第１
基板が不用意に撓んだり、歪んだりすることなく、スム
ーズに接触させていくことができるので、撓みや歪みを
残すことなく重ね合わせることができ、接合後において
も内部応力の残存することのない接合体を形成すること
ができる。

【００１３】ここで、前記第１基板は半導体ウエハであ
り、前記第２基板はガラス基板である場合が有る。

【００１４】この場合にはまた、前記第１基板は、局所
的に薄肉部を備えたダイヤフラム型半導体基板である場
合がある。この場合には薄肉部の存在によって半導体基
板に撓みや歪みが発生し易く、またその薄肉部の撓みや
歪みによって製造される素子特性が悪影響を被り易いの
で、特に効果的である。

【００１５】次に、基板の重ね合わせ装置としては、第
１基板の少なくとも複数箇所の周縁領域を吸着保持する
複数の吸着保持部と、前記第１基板を、前記第１基板の
裏面側から支持可能とする支持保持部と、保持された前
記第１基板を対向配置された第２基板に対して接離可能
とする駆動手段とを設けるものである。この場合には特
に、半導体基板には種々の微細構造が形成されている場
合が多いが、周縁領域を吸着保持することによって微細
構造を回避して保持することができるので、半導体基板
へ与える機械的影響を低減することができる。

【００１６】また、第１基板の表面を吸着保持するとと
もに、相互にその吸着保持面をその法線方向に移動可能
に構成された複数の吸着保持部と、該吸着保持部を第１
基板に対向配置された第２基板に対して接離可能とする
駆動手段とを設ける場合も有る。

【００１７】これらの場合において、前記第１基板を前
記第２基板に対して凸形状になるように保持し、前記第
１基板における前記第２基板に対して最も突出した突出
領域から前記第２基板に接触させ、前記第１基板と前記
第２基板との接触領域において前記凸形状を解消しなが
ら、前記突出領域からその隣接領域へと次第に前記第１
基板を前記第２基板に対して接触させて行くことによっ
て前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わせるように
構成することが好ましい。

【００１８】また、前記支持保持部又は前記吸着保持部
を前記駆動手段に対して前記第１基板に向けて付勢され
た状態で直接若しくは間接的に取付けることが望まし
い。

【００１９】この手段によれば、支持保持部又は吸着保
持部が第１基板に向けて付勢された状態で駆動手段に対
して取付けられているため、第１基板を第２基板に接触
させる際にこれらの基板に必要以上の応力を加えてしま
う恐れがなく、また、第１基板が第２基板に接触した後
には支持保持部又は吸着保持部はその付勢力に抗して移
動させられるため、第１基板は自然にその凸形状が解消
されていくことになるので、細かな位置制御等を行うこ
となく、第１基板を第２基板に接触させ、重ね合わせて
いくことができる。

【００２０】

【発明の実施の形態】次に、添付図面を参照して本発明
に係る基板の重ね合わせ方法及び装置の実施形態につい
て説明する。以下に示す各実施形態は、インクジェット
ヘッドの製造に際して用いるように構成された半導体基
板とガラス基板との重ね合わせ方法或いは装置であっ
て、その方法又は装置により基板を重ね合わせた後に、
陽極接合によって接合させることを前提として行うもの
である。

【００２１】しかし、本発明においては、半導体基板と
ガラス基板との重ね合わせに限らず、半導体基板同士、
ガラス基板同士、或いは他の材質の基板の重ね合わせに
対して適用することも可能であり、重ね合わせた後の接
合方法としては陽極接合以外でも他の各種接合方法を施
すことが可能である。

【００２２】（第１実施形態）図１は第１実施形態にお
ける重ね合わせ装置の構造を示す概略縦断面図（ａ）及
び上部機構の概略底面図（ｂ）である。本実施形態は底
盤１６と、この底盤１６の上方に昇降可能に配置される
上部機構２０とから構成される。上部機構２０は、図示
しない駆動手段、例えばリニアスライダ、流体圧シリン
ダ、ボールねじ等の各種機構により昇降可能に接続され
た支持盤２１と、この支持盤２１の底面に固定された左
右一対の吸着ヘッド２２，２３と、この吸着ヘッド２
２，２３の間の位置において支持盤２１の底面に固定さ
れ、エア圧や油圧等により動作する昇降シリンダ２４
と、昇降シリンダ２４の可動ロッドに接続固定された可
動板２５と、可動板２５に支持された押圧ピン２６とか
ら構成されている。

【００２３】吸着ヘッド２２，２３にはそれぞれ排気孔
２２ａ，２３ａが形成され、この排気孔２２ａ，２３ａ
は図示しない排気チューブを介して排気装置へと接続さ
れている。排気孔２２ａ，２３ａは吸着ヘッド２２，２
３の吸着面２２ｂ，２３ｂにおいて複数の開口を備えて
いる。

【００２４】押圧ピン２６は、可動板２５に形成された
挿通孔に対して昇降自在に挿通されているとともに、コ
イルバネ２７によって下方に付勢されている。押圧ピン
２６の先端のピンヘッド２６ａの表面は半球状に形成さ
れている。

【００２５】上記機構２０は、まず、図示しない基板供
給部からガラス基板１１を吸着ヘッド２２，２３によっ
て図示一点鎖線のように吸着保持し、底盤１６とガラス
基板１１に形成された位置合わせマーク等を基準として
画像処理等の公知の方法により位置合わせを行い、底盤
１６の上に載置する。次に、図２に示すように、半導体
基板１２を同様に吸着ヘッド２２，２３によって吸着保
持する。このとき、昇降シリンダ２４を動作させて可動
板２５を下降させ、押圧ピン２６のピンヘッド２６ａが
半導体基板１２の裏面（上面）の略中央部に接触するよ
うにする。

【００２６】このとき、押圧ピン２６はコイルバネ２７
によって下方に付勢されているので、半導体基板１２は
ピンヘッド２６ａにより押圧ピン２６の自重とコイルバ
ネ２７の弾性力とによって押圧され、図示のように下方
に向けて凸形状となるように僅かに湾曲する。押圧ピン
２６の押圧力は、上記押圧ピン２６の自重とコイルバネ
２７の弾性力とを適宜調整することによって、予め半導
体基板１２に対して充分な湾曲を加えることができ、し
かも、その湾曲の程度を、半導体基板１２を損傷したり
半導体基板１２に歪みを与えたりしない程度に抑制でき
る。

【００２７】次に、図３に示すように、上部機構２０全
体を図示しない駆動手段により下降させ、上記と同様に
位置合わせを行った後、半導体基板１２の接合面の略中
央部に形成された突出領域（押圧ピン２６の押圧による
湾曲によって形成された凸形状の最も突出している部
分）を底盤１６上に載置されているガラス基板１２の表
面に接触させる。このとき、押圧ピン２６は半導体基板
１２がガラス基板１１に接触することによってコイルバ
ネ２７の弾性力に抗して上方へ押し返され、これをピン
ヘッド２６ａや可動板２５に係合する基部２６ｂに取付
けられた感圧センサ等により検知することによって図３
の状態で駆動手段を一時停止することもできる。

【００２８】次に、駆動手段により上部機構２０をさら
に下降させていくと、半導体基板１２は最初に接触して
いた中心部から周囲へと順にガラス基板１１の表面に接
触していく。このとき、半導体基板１２におけるガラス
基板１１に対する接触領域（既に接触している部分）で
は、ピンヘッド２６ａが上部機構２０の下降に従って上
方へ押し返され、これにより、接触領域では上記凸形状
が解消されていき、自然にガラス基板１１にぴったりと
接触する。

【００２９】このようにして最終的には図４に示すよう
に半導体基板１２がガラス基板１１の表面に全て接触し
た状態に充分に近くなったところで、吸着ヘッド２２，
２３の吸着を解除し、半導体基板１２を解放すると、あ
とは自然に半導体基板１２がガラス基板１１の上に載置
された状態となる。

【００３０】本実施形態によれば、半導体基板１２の略
中心部を突出させた凸曲面形状として、まずその中心部
をガラス基板１１上に接触させ、その後、その周囲を順
にガラス基板１１の表面に接触させていくので、半導体
基板１２とガラス基板１１との重ね合わせにおいて基板
の撓みや変形を残すことが殆どなく、接合後においても
内部応力（歪み）の残存を大幅に低減することができ
る。

【００３１】また、押圧ピン２６の弾性力により半導体
基板１２を凸曲面形状に変形させるように構成したの
で、半導体基板１２に必要以上の押圧力を加えることが
ないため、押圧力のかけ過ぎを防止できるとともに、弾
性力により駆動手段の位置ずれを吸収することができる
ので、細かな位置制御をすることなく、半導体基板１２
をガラス基板１１上に接触させることができる。

【００３２】（第２実施形態）次に、本発明に係る第２
実施形態について説明する。この実施形態においては、
図５に示すように、底盤１６の上方に上部機構３０が配
置され、この上部機構３０は、図示しない駆動手段によ
り昇降可能に構成された支持盤３１と、支持盤３１に穿
設された挿通孔に昇降自在に挿通されるとともに、外表
面にネジ溝が刻設され、しかも中心に排気孔３２ａが形
成されたネジ軸３２と、ネジ軸３２の上端部に螺合した
位置決めナット３３と、ネジ軸３２の下端部に螺合され
たバネ止めナット３４と、支持盤３１とバネ止めナット
３４との間に弾装されたコイルバネ３５とから構成され
る。

【００３３】ネジ軸３２、位置決めナット３３、バネ止
めナット３４及びコイルバネ３５からなる組立体は、図
５（ｂ）に示すように、支持盤３１の中心部と周囲４箇
所の計５箇所にそれぞれ取付けられている。ネジ軸３２
の排気孔３２ａは図示しない排気チューブを介して排気
装置に接続されるとともに、ネジ軸３２の先端に形成さ
れた吸着面３２ｂに開口を備えている。

【００３４】本実施形態では、まず第１実施形態と同様
にガラス基板１１を底盤１６上に位置決め載置し、その
上に半導体基板１２を接触させる。このとき、接触させ
る前の半導体基板１２は、図６に示すように、端部１２
Ａをやや下方に、端部１２Ａとは反対側の端部１２Ｂを
やや上方に位置させた状態となるように、半導体基板１
２の接合面が水平面よりも多少傾斜するように吸着保持
する。

【００３５】このようにするには、端部１２Ａの側のネ
ジ軸３２を位置決めナット３３の回転により下方に移動
させ、端部１２Ｂの側のネジ軸３２を位置決めナット３
３の回転により上方に移動させればよい。ここで、コイ
ルバネ３５の弾性力を均等にするには、ネジ軸３２の移
動量を打ち消すようにバネ止めナット３４を回転させ
て、支持盤３１とバネ止めナット３４との間隔を一定に
保持すればよい。

【００３６】ここで、半導体基板１２は、重ね合わされ
るガラス基板１１に対して凸形状になるように、すなわ
ち本実施形態では下に凸になるように、僅かでも湾曲さ
せることが必要になる。これは、仮に半導体基板１２が
上に凸になるように僅かでも凹形状に湾曲すると、重ね
合わされるガラス基板１１と半導体基板１２との間に非
接触状態になる領域が発生し易く、接合不良の原因とな
るからである。

【００３７】次に、図示しない駆動手段により上部機構
３０を下降させ、まず、半導体基板１２の端部１２Ａ近
傍の突出領域をガラス基板１１の表面に接触させる。こ
のとき、接触した端部１２Ａの側のネジ軸３２に半導体
基板１２を介してガラス基板１１から応力が加わって
も、ネジ軸３２がコイルバネ３５の弾性により上方へ移
動するので、ネジ軸３２、位置決めナット３３、ネジ止
めナット３４の自重及びコイルバネ３５の弾性力以上の
応力が半導体基板１２に加わることはない。

【００３８】このとき、上記第１実施形態と同様に、各
ネジ軸３２の吸着している半導体基板１２の部分がガラ
ス基板１１に接触した旨をセンサ等により検出して、駆
動手段を制御することも可能である。

【００３９】次に、さらに駆動手段によって上部機構３
０を下降させていくと、半導体基板１２は端部１２Ａか
ら徐々に中央部に向かってガラス基板１１に接触し、図
８に示すように中央部が接触し、さらに上部機構３０を
下降させていくと、図９に示すように端部１２Ｂの近傍
まで半導体基板１２がガラス基板１１に接触する。この
状態で、ネジ軸３２の吸着を解除し、上部機構３０から
半導体基板１２を解放し、残りの部分を自然に接触させ
ると、ガラス基板と半導体基板との重ね合わせが完了す
る。

【００４０】このように、半導体基板１２をやや凸曲面
状にした状態で、その一端から他端に向けて徐々にガラ
ス基板１１の表面に接触させていくことができるので、
上記第１実施形態と同様に半導体基板１２の撓み、歪
み、変形を生ずることなく、２枚の基板を重ね合わせる
ことができ、しかも接合後の内部応力の残存量を大幅に
低減できる。

【００４１】上記各実施形態では、半導体基板１２を略
中心部又は端部からそれぞれ接触させていくようにして
いるが、それ以外のいずれの場所から接触させていって
も構わない。この場合、一方の基板表面を最初の接触点
から常に凸曲面状にした状態で徐々に他方の基板表面に
接触させていくことにより、２枚の基板間に離反した領
域や接合不良の領域を発生させることなく、しかも撓み
や歪みを残すことなく重ね合わせることができる。

【００４２】上記各実施形態では、ガラス基板１１に半
導体基板１２を重ね合わせる場合を例にとって説明した
が、その後、半導体基板１２の上には、短冊状の複数の
ガラス基板１３を同様にして重ね合わせ、最終的にガラ
ス基板１１、半導体基板１２及びガラス基板１３を積層
した状態で保持固定し、図１０に示すようにして陽極接
合を施すことによって、インクジェットヘッドを製造す
るための接合体を形成することができる。

【００４３】

【発明の効果】以上説明したように本発明によれば以下
の効果を奏する。

【００４４】請求項１、請求項６によれば、第１基板を
凸形状に保持してまずその突出領域から第２基板に接触
させ、その隣接領域へと徐々に接触させていくことによ
って、第１基板が不用意に撓んだり歪んだりすることな
く、スムーズに接触させていくことができるので、撓み
や歪みを残すことなく重ね合わせることができ、接合後
においても内部応力の残存することのない接合体を形成
することができる。

【００４５】請求項３によれば、薄肉部の存在によって
半導体基板に撓みや歪みが発生し易く、またその薄肉部
の撓みや歪みによって製造される素子特性が悪影響を被
り易いので、特に効果的である。

【００４６】請求項４又は請求項５によれば、前記第１
基板を前記第２基板に対して凸形状になるように保持
し、前記第１基板における前記第２基板に対して最も突
出した突出領域から前記第２基板に接触させ、前記第１
基板と前記第２基板との接触領域において前記凸形状を
解消しながら、前記突出領域からその隣接領域へと次第
に前記第１基板を前記第２基板に対して接触させて行く
ことによって前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わ
せることができる。特に、請求項４の場合、半導体基板
には種々の微細構造が形成されている場合が多いが、周
縁領域を吸着保持することによって微細構造を回避して
保持することができるので、半導体基板へ与える機械的
影響を低減することができる。

【００４７】請求項７又は請求項８によれば、支持保持
部又は吸着保持部が第１基板に向けて付勢された状態で
駆動手段に対して取付けられているため、第１基板を第
２基板に接触させる際にこれらの基板に必要以上の応力
を加えてしまう恐れがなく、また、第１基板が第２基板
に接触した後には支持保持部又は吸着保持部はその付勢
力に抗して移動させられるため、第１基板は自然にその
凸形状が解消されていくことになるので、細かな位置制
御等を行うことなく、第１基板を第２基板に接触させ、
重ね合わせていくことができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る第１実施形態を示す概略縦断面図
（ａ）及び上部機構の概略底面図（ｂ）である。

【図２】第１実施形態における重ね合わせ前の状態を示
す概略縦断面図である。

【図３】第１実施形態における重ね合わせ途中の状態を
示す概略縦断面図である。

【図４】第１実施形態における重ね合わせ完了時の状態
を示す概略縦断面図である。

【図５】本発明に係る第２実施形態を示す概略縦断面図
（ａ）及び上部機構の概略底面図（ｂ）である。

【図６】第２実施形態における重ね合わせ前の状態を示
す概略縦断面図である。

【図７】第２実施形態における重ね合わせ途中の状態を
示す概略縦断面図である。

【図８】第２実施形態における重ね合わせ途中の状態を
示す概略縦断面図である。

【図９】第２実施形態における重ね合わせ完了時の状態
を示す概略縦断面図である。

【図１０】インクジェットヘッドの製造工程の中の陽極
接合による基板接合の状態を示す概略説明図である。

【符号の説明】

１１，１３ガラス基板１２半導体基板１６底盤２０上部機構２１支持盤２２，２３吸着ヘッド２４昇降シリンダ２５可動板２６押圧ピン２６ａピンヘッド

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】第１基板の少なくとも複数箇所を吸着保
持するとともに、前記第１基板を、対向配置された第２
基板に対して凸形状になるように前記第１基板の裏面側
から支持し、前記第１基板における前記第２基板に対し
て最も突出した突出領域から前記第２基板に接触させ、
前記第１基板と前記第２基板との接触領域において前記
凸形状を解消しながら、前記突出領域からその隣接領域
へと次第に前記第１基板を前記第２基板に対して接触さ
せて行くことにより前記第１基板と前記第２基板とを重
ね合わせることを特徴とする基板の重ね合わせ方法。
【請求項２】請求項１において、前記第１基板は半導
体ウエハであり、前記第２基板はガラス基板であること
を特徴とする基板の重ね合わせ方法。
【請求項３】請求項２において、前記第１基板は、局
所的に薄肉部を備えたダイヤフラム型半導体基板である
ことを特徴とする基板の重ね合わせ方法。
【請求項４】第１基板の少なくとも複数箇所の周縁領
域を吸着保持する複数の吸着保持部と、前記第１基板
を、前記第１基板の裏面側から支持可能とする支持保持
部と、保持された前記第１基板を対向配置された第２基
板に対して接離可能とする駆動手段とを有することを特
徴とする基板の重ね合わせ装置。
【請求項５】第１基板の表面を吸着保持するととも
に、相互にその吸着保持面をその法線方向に移動可能に
構成された複数の吸着保持部と、該吸着保持部を第１基
板に対向配置された第２基板に対して接離可能とする駆
動手段とを有することを特徴とする基板の重ね合わせ装
置。
【請求項６】請求項４又は請求項５において、前記第
１基板を前記第２基板に対して凸形状になるように保持
し、前記第１基板における前記第２基板に対して最も突
出した突出領域から前記第２基板に接触させ、前記第１
基板と前記第２基板との接触領域において前記凸形状を
解消しながら、前記突出領域からその隣接領域へと次第
に前記第１基板を前記第２基板に対して接触させて行く
ことによって前記第１基板と前記第２基板とを重ね合わ
せるように構成したことを特徴とする基板の重ね合わせ
装置。
【請求項７】請求項４において、前記支持保持部は前
記駆動手段に対して前記第１基板に向けて付勢された状
態で直接若しくは間接的に取付けられていることを特徴
とする基板の重ね合わせ装置。
【請求項８】請求項５において、前記吸着保持部は前
記駆動手段に対して前記第１基板に向けて付勢された状
態で直接若しくは間接的に取付けられていることを特徴
とする基板の重ね合わせ装置。