JPH09283399A - Ｘ線露光装置 - Google Patents
Ｘ線露光装置Info
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- JPH09283399A JPH09283399A JP8086173A JP8617396A JPH09283399A JP H09283399 A JPH09283399 A JP H09283399A JP 8086173 A JP8086173 A JP 8086173A JP 8617396 A JP8617396 A JP 8617396A JP H09283399 A JPH09283399 A JP H09283399A
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- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F9/00—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically
- G03F9/70—Registration or positioning of originals, masks, frames, photographic sheets or textured or patterned surfaces, e.g. automatically for microlithography
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- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Exposure And Positioning Against Photoresist Photosensitive Materials (AREA)
- Exposure Of Semiconductors, Excluding Electron Or Ion Beam Exposure (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 Ｘ線マスクで転写されるＬＳＩパターンとウ
ェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重ね
あわせ精度を、チップサイズが大きくなっても向上させ
るＸ線露光装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線露光装置が、複数のＸ線マスクを同
時に装着できるマスクステージ機構１３と、マスクステ
ージ１３に装着された複数のＸ線マスクの位置関係を所
定の重ねあわせ精度でアライメントを行う機構と、マス
クステージが所定の範囲にわたって駆動可能な移動機構
と、複数のマスクステージに装着されたＸ線マスクが実
質同一の位置になるよう駆動できる移動機構とを有して
いる。このＸ線露光装置によりひとつのチップを小さな
複数のX線マスクにより転写させる。
ェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重ね
あわせ精度を、チップサイズが大きくなっても向上させ
るＸ線露光装置を提供する。 【解決手段】 Ｘ線露光装置が、複数のＸ線マスクを同
時に装着できるマスクステージ機構１３と、マスクステ
ージ１３に装着された複数のＸ線マスクの位置関係を所
定の重ねあわせ精度でアライメントを行う機構と、マス
クステージが所定の範囲にわたって駆動可能な移動機構
と、複数のマスクステージに装着されたＸ線マスクが実
質同一の位置になるよう駆動できる移動機構とを有して
いる。このＸ線露光装置によりひとつのチップを小さな
複数のX線マスクにより転写させる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置の製造工
程Ｘ線露光方法に用いるＸ線露光装置に関するものであ
る。
程Ｘ線露光方法に用いるＸ線露光装置に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置、特に大規模集積回路
（ＬＳＩ）装置の高密度化、高速化に伴って素子の微細
化が要求されており、またその製造工程のおける写真蝕
刻工程で使われる光の波長が短いほど微細な素子を形成
することができる。このため、波長が１ｎｍ程度の軟Ｘ
線（以下、Ｘ線と称する）を光源とするＸ線露光方法が
次世代の露光方法として有望視されている。
（ＬＳＩ）装置の高密度化、高速化に伴って素子の微細
化が要求されており、またその製造工程のおける写真蝕
刻工程で使われる光の波長が短いほど微細な素子を形成
することができる。このため、波長が１ｎｍ程度の軟Ｘ
線（以下、Ｘ線と称する）を光源とするＸ線露光方法が
次世代の露光方法として有望視されている。
【０００３】このＸ線露光法に用いられるＸ線マスクに
は、Ｘ線が透過する際に生じる減衰をできるだけ小さく
するために軽元素物質よりなるＸ線透過薄膜を用い、該
Ｘ線を吸収する重金属よりなる半導体基板上に転写パタ
ーンを形成するためのＸ線吸収膜（以下、吸収体パター
ン）を形成するのが通常である。
は、Ｘ線が透過する際に生じる減衰をできるだけ小さく
するために軽元素物質よりなるＸ線透過薄膜を用い、該
Ｘ線を吸収する重金属よりなる半導体基板上に転写パタ
ーンを形成するためのＸ線吸収膜（以下、吸収体パター
ン）を形成するのが通常である。
【０００４】上記のＸ線露光法においてＸ線マスクと半
導体基板とを位置合わせする際の両者間のずれを検出す
る方法としては、Ｘ線マスクに形成された格子状のアラ
イメントマークと半導体基板に形成された格子状のアラ
イメントマークとに可視光（アライメント光）であるレ
ーザー光を同時に照射し、該レーザー項により生じたそ
れぞれの反射回折光を比較する方法がもっとも精度のよ
い位置合わせ方法のひとつとして採用されている。
導体基板とを位置合わせする際の両者間のずれを検出す
る方法としては、Ｘ線マスクに形成された格子状のアラ
イメントマークと半導体基板に形成された格子状のアラ
イメントマークとに可視光（アライメント光）であるレ
ーザー光を同時に照射し、該レーザー項により生じたそ
れぞれの反射回折光を比較する方法がもっとも精度のよ
い位置合わせ方法のひとつとして採用されている。
【０００５】従来のＸ線露光装置にはマスクステージに
１枚のＸ線マスクが装着され、ウェハステージには１枚
のウェハが装着される（例えば、特開平２−２３４４１
３号公報、特開平２−１００３１１号公報）。Ｘ線マス
クとウェハはおよそ２０μｍのギャップで対向され、Ｘ
線マスクとウェハとの位置合わせが行われる。その後X
線が照射され、Ｘ線マスク上のＬＳＩパターンがウェハ
上に転写される。
１枚のＸ線マスクが装着され、ウェハステージには１枚
のウェハが装着される（例えば、特開平２−２３４４１
３号公報、特開平２−１００３１１号公報）。Ｘ線マス
クとウェハはおよそ２０μｍのギャップで対向され、Ｘ
線マスクとウェハとの位置合わせが行われる。その後X
線が照射され、Ｘ線マスク上のＬＳＩパターンがウェハ
上に転写される。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記の
ような構成では、今後チップサイズが大きくなり、転写
されるパターン領域が大きくなるにつれて、Ｘ線マスク
のＬＳＩパターン描画領域も拡大していくため、Ｘ線マ
スクのパターン位置精度を維持していくことが困難にな
ってきており、マスクで転写されるＬＳＩパターンとウ
ェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重ね
あわせ精度を所定の範囲におさめることが困難になって
いく。
ような構成では、今後チップサイズが大きくなり、転写
されるパターン領域が大きくなるにつれて、Ｘ線マスク
のＬＳＩパターン描画領域も拡大していくため、Ｘ線マ
スクのパターン位置精度を維持していくことが困難にな
ってきており、マスクで転写されるＬＳＩパターンとウ
ェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重ね
あわせ精度を所定の範囲におさめることが困難になって
いく。
【０００７】本発明は上記問題点に鑑み、その目的はマ
スクで転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに転
写されているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度をチッ
プサイズが大きくなっても向上させるＸ線露光装置を提
供することにある。
スクで転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに転
写されているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度をチッ
プサイズが大きくなっても向上させるＸ線露光装置を提
供することにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
めに、請求項１〜２の発明は、複数のX線マスクを同時
に装着できるマスクステージ機構と、マスクステージに
装着された前記複数のＸ線マスクの位置関係を所定の重
ねあわせ精度でアライメントを行う機構とを持つことに
より、ひとつのチップを小さな複数のX線マスクにより
転写することで、マスクで転写されるＬＳＩパターンと
ウェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重
ねあわせ精度をチップサイズが大きくなっても向上させ
るＸ線露光装置を提供することにある。
めに、請求項１〜２の発明は、複数のX線マスクを同時
に装着できるマスクステージ機構と、マスクステージに
装着された前記複数のＸ線マスクの位置関係を所定の重
ねあわせ精度でアライメントを行う機構とを持つことに
より、ひとつのチップを小さな複数のX線マスクにより
転写することで、マスクで転写されるＬＳＩパターンと
ウェハ上にすでに転写されているＬＳＩパターンとの重
ねあわせ精度をチップサイズが大きくなっても向上させ
るＸ線露光装置を提供することにある。
【０００９】具体的に請求項１の発明が講じた解決手段
は、Ｘ線露光装置が、複数のＸ線マスクを同時に装着で
きるマスクステージ機構と、前記マスクステージに装着
された前記複数のＸ線マスクの位置関係を所定の重ねあ
わせ精度でアライメントを行う機構と、前記マスクステ
ージが所定の範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前
記複数のマスクステージに装着されたＸ線マスクが実質
同一の位置になるよう駆動できる移動機構とを有するも
のである。
は、Ｘ線露光装置が、複数のＸ線マスクを同時に装着で
きるマスクステージ機構と、前記マスクステージに装着
された前記複数のＸ線マスクの位置関係を所定の重ねあ
わせ精度でアライメントを行う機構と、前記マスクステ
ージが所定の範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前
記複数のマスクステージに装着されたＸ線マスクが実質
同一の位置になるよう駆動できる移動機構とを有するも
のである。
【００１０】また、請求項２の発明は、請求項１の構成
に、被転写物を装着する可動ステージを所定範囲にわた
って駆動可能な移動機構と、前記可動ステージに装着さ
れた被転写物の所定領域が実質同一位置になるよう駆動
できる移動機構とパターンを前記可動ステージに装着さ
れた被転写物の所定領域に転写する手段を付加するもの
である。この構成により、マスクステージに装着された
複数のＸ線マスクのＬＳＩパターンを１度のウェハ装着
で転写することができる。
に、被転写物を装着する可動ステージを所定範囲にわた
って駆動可能な移動機構と、前記可動ステージに装着さ
れた被転写物の所定領域が実質同一位置になるよう駆動
できる移動機構とパターンを前記可動ステージに装着さ
れた被転写物の所定領域に転写する手段を付加するもの
である。この構成により、マスクステージに装着された
複数のＸ線マスクのＬＳＩパターンを１度のウェハ装着
で転写することができる。
【００１１】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施例を図面を参
照しながら説明する。
照しながら説明する。
【００１２】（実施の形態１）図１は本発明の実施の形
態１にかかわるＸ線露光装置のマスクステージ部の構成
図を示したものである。
態１にかかわるＸ線露光装置のマスクステージ部の構成
図を示したものである。
【００１３】同図において、１１はＸ線マスクＡ、１２
はＸ線マスクＢ、１３はマスク粗動ステージ、１４はＸ
線マスクＡ１１の位置をわずかに変化させることのでき
るマスク微動ステージＡ、１５はＸ線マスクＢ１２の位
置をわずかに変化させることのできるマスク微動ステー
ジＢ、１６はＸ線マスクＡ上に設けられたＸ線マスク間
の位置合わせ用アライメントマークＡ、１７はＸ線マス
クＢに設けられたＸ線マスク間の位置合わせ用アライメ
ントマークＢ、１８はマスクステージ上のX線マスク間
の位置合わせに用いるＸ線マスクアライメントシステ
ム、１９はマスクステージ駆動系である。
はＸ線マスクＢ、１３はマスク粗動ステージ、１４はＸ
線マスクＡ１１の位置をわずかに変化させることのでき
るマスク微動ステージＡ、１５はＸ線マスクＢ１２の位
置をわずかに変化させることのできるマスク微動ステー
ジＢ、１６はＸ線マスクＡ上に設けられたＸ線マスク間
の位置合わせ用アライメントマークＡ、１７はＸ線マス
クＢに設けられたＸ線マスク間の位置合わせ用アライメ
ントマークＢ、１８はマスクステージ上のX線マスク間
の位置合わせに用いるＸ線マスクアライメントシステ
ム、１９はマスクステージ駆動系である。
【００１４】以下、図１に基づいて実施の形態１に関わ
るX線露光装置について説明する。Ｘ線マスクＡ１１と
Ｘ線マスクＢ１２はマスクステージ１３にマスクローダ
（図示されていない）によって装着される。マスクステ
ージ駆動系１７は、Ｘ線マスクアライメント光学系１６
でX線マスクＡ１１の位置を認識できるよう、装着され
たＸ線マスクＡ１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マス
クＡ１１の位置をＸ線マスクアライメントシステム１８
に認識させる。
るX線露光装置について説明する。Ｘ線マスクＡ１１と
Ｘ線マスクＢ１２はマスクステージ１３にマスクローダ
（図示されていない）によって装着される。マスクステ
ージ駆動系１７は、Ｘ線マスクアライメント光学系１６
でX線マスクＡ１１の位置を認識できるよう、装着され
たＸ線マスクＡ１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マス
クＡ１１の位置をＸ線マスクアライメントシステム１８
に認識させる。
【００１５】つづいて、同様にマスクステージ駆動系１
７はＸ線マスクアライメント光学系１６でＸ線マスクＢ
１２の位置を認識できるよう、装着されたＸ線マスクＢ
１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マスクＢ１２の位置
をＸ線マスクアライメントシステム１８に認識させる。
Ｘ線マスクＡ１１とＸ線マスクＢ１２の位置が所定のあ
らかじめ定められた相対位置に入るように、マスク微動
ステージＡとマスク微動ステージＢを駆動させる。再
度、マスクステージ駆動系１７は、Ｘ線マスクアライメ
ント光学系１６でX線マスクＡ１１の位置を認識できる
よう、装着されたＸ線マスクＡ１１を所定の位置に移動
させ、Ｘ線マスクＡ１１の位置をＸ線マスクアライメン
トシステム１８に認識させる。
７はＸ線マスクアライメント光学系１６でＸ線マスクＢ
１２の位置を認識できるよう、装着されたＸ線マスクＢ
１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マスクＢ１２の位置
をＸ線マスクアライメントシステム１８に認識させる。
Ｘ線マスクＡ１１とＸ線マスクＢ１２の位置が所定のあ
らかじめ定められた相対位置に入るように、マスク微動
ステージＡとマスク微動ステージＢを駆動させる。再
度、マスクステージ駆動系１７は、Ｘ線マスクアライメ
ント光学系１６でX線マスクＡ１１の位置を認識できる
よう、装着されたＸ線マスクＡ１１を所定の位置に移動
させ、Ｘ線マスクＡ１１の位置をＸ線マスクアライメン
トシステム１８に認識させる。
【００１６】つづいて、同様にマスクステージ駆動系１
７はＸ線マスクアライメント光学系１６でＸ線マスクＢ
１２の位置を認識できるよう、装着されたＸ線マスクＢ
１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マスクＢ１２の位置
をＸ線マスクアライメントシステム１８に認識させる。
Ｘ線マスクＡ１１とＸ線マスクＢ１２の位置が所定の
あらかじめ定められた相対位置に入らなければ、もう一
度マスク微動ステージＡとマスク微動ステージＢを所定
のあらかじめ定められた相対位置に入るよう駆動させ、
もう一度上記の工程を繰りかえす。
７はＸ線マスクアライメント光学系１６でＸ線マスクＢ
１２の位置を認識できるよう、装着されたＸ線マスクＢ
１１を所定の位置に移動させ、Ｘ線マスクＢ１２の位置
をＸ線マスクアライメントシステム１８に認識させる。
Ｘ線マスクＡ１１とＸ線マスクＢ１２の位置が所定の
あらかじめ定められた相対位置に入らなければ、もう一
度マスク微動ステージＡとマスク微動ステージＢを所定
のあらかじめ定められた相対位置に入るよう駆動させ、
もう一度上記の工程を繰りかえす。
【００１７】以下、本実施の形態１の発明が、マスクで
転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに転写され
ているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度がチップサイ
ズが大きくなっても向上することを説明する。
転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに転写され
ているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度がチップサイ
ズが大きくなっても向上することを説明する。
【００１８】現在、Ｘ線マスクの１４ｍｍ×１４ｍｍ角
のパターン位置精度は３０ｎｍ（３σ）程度と言われて
いる。これが２５ｍｍ×２５ｍｍ角になると７０ｎｍ
（３σ）程度とされている。チップサイズが大きくなる
にしたがって、同レベルのＸ線マスク製造技術では、パ
ターン位置精度が悪くなっていく。これは、Ｘ線マスク
が、ＳｉＮやＳｉＣで形成されている１〜２μｍ厚程度
の薄膜上にＬＳＩパターンが形成される構成となってお
り、薄膜の領域が拡大するに従い、薄膜の応力制御やＬ
ＳＩパターンとなるＸ線吸収体の加工の制御が、非常に
難しいためである。
のパターン位置精度は３０ｎｍ（３σ）程度と言われて
いる。これが２５ｍｍ×２５ｍｍ角になると７０ｎｍ
（３σ）程度とされている。チップサイズが大きくなる
にしたがって、同レベルのＸ線マスク製造技術では、パ
ターン位置精度が悪くなっていく。これは、Ｘ線マスク
が、ＳｉＮやＳｉＣで形成されている１〜２μｍ厚程度
の薄膜上にＬＳＩパターンが形成される構成となってお
り、薄膜の領域が拡大するに従い、薄膜の応力制御やＬ
ＳＩパターンとなるＸ線吸収体の加工の制御が、非常に
難しいためである。
【００１９】一方、Ｘ線露光装置などで用いられている
アライメントシステムのマスクとウェハ基板の重ねあわ
せ精度は３０ｎｍ（３σ）以下を達成している。
アライメントシステムのマスクとウェハ基板の重ねあわ
せ精度は３０ｎｍ（３σ）以下を達成している。
【００２０】１４ｍｍ×１４ｍｍ角のＸ線マスクのパタ
ーン位置精度が３０ｎｍ（３σ）および１４×２８ｍｍ
角のＸ線マスクのパターン位置精度を５５ｎｍ（３σ）
とする。
ーン位置精度が３０ｎｍ（３σ）および１４×２８ｍｍ
角のＸ線マスクのパターン位置精度を５５ｎｍ（３σ）
とする。
【００２１】１４ｍｍ×１４ｍｍ角のＸ線マスクを２枚
利用して、その２枚のＸ線マスクを従来のＸ線露光装置
などで用いられているアライメントシステムを利用し
て、重ね合わせを行えば、総合重ねあわせ精度は√（３
０×３０＋３０×３０）＝４２ｎｍ（３σ）程度とな
り、１枚のＸ線マスクで大型のチップを描画するよりも
パターン位置精度が向上する。
利用して、その２枚のＸ線マスクを従来のＸ線露光装置
などで用いられているアライメントシステムを利用し
て、重ね合わせを行えば、総合重ねあわせ精度は√（３
０×３０＋３０×３０）＝４２ｎｍ（３σ）程度とな
り、１枚のＸ線マスクで大型のチップを描画するよりも
パターン位置精度が向上する。
【００２２】本発明の実施の形態１は従来１枚のＸ線マ
スクでひとつのチップのＬＳＩパターンを露光していた
Ｘ線露光装置を、複数のＸ線マスクでひとつのチップの
ＬＳＩパターンを露光するために、マスクステージに複
数のＸ線マスクを所定の相対位置精度の範囲で装着する
ようにしたものである。
スクでひとつのチップのＬＳＩパターンを露光していた
Ｘ線露光装置を、複数のＸ線マスクでひとつのチップの
ＬＳＩパターンを露光するために、マスクステージに複
数のＸ線マスクを所定の相対位置精度の範囲で装着する
ようにしたものである。
【００２３】なお、上記実施の形態１において、Ｘ線マ
スク２枚がひとつのマスクステージ上に装着されている
が、チップの大きさとＸ線マスクの大きさにしたがっ
て、３枚以上のＸ線マスクが装着された構成でもよい。
スク２枚がひとつのマスクステージ上に装着されている
が、チップの大きさとＸ線マスクの大きさにしたがっ
て、３枚以上のＸ線マスクが装着された構成でもよい。
【００２４】（実施の形態２）実施の形態１におけるＸ
線露光装置において、被転写物を装着する可動ステージ
を所定範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前記可動
ステージに装着された被転写物の所定領域が実質同一位
置になるよう駆動できる移動機構とパターンを前記可動
ステージに装着された被転写物の所定領域に転写する手
段を付加したものである。
線露光装置において、被転写物を装着する可動ステージ
を所定範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前記可動
ステージに装着された被転写物の所定領域が実質同一位
置になるよう駆動できる移動機構とパターンを前記可動
ステージに装着された被転写物の所定領域に転写する手
段を付加したものである。
【００２５】図２は本実施の形態２にかかわるＸ線露光
装置の構成図である。同図において、２１は実施の形態
１に示したＸ線露光装置のマスクステージ部、２２はＳ
ｉウェハ、２３はＳｉウェハ上に形成されたアライメン
トマーク、２４はＳｉウェハを装着したウェハステー
ジ、２５はマスクステージ上に装着されたＸ線マスク
Ａ、２６はマスクステージに装着されたＸ線マスクＢ、
２７はＸ線マスクＡ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＣ、２８はＸ線マスクＢ上に
形成されたウェハとの位置合わせ用アライメントマーク
Ｄ、３０はＸ線マスクとウェハ間の位置合わせに用いる
アライメント光学系である。
装置の構成図である。同図において、２１は実施の形態
１に示したＸ線露光装置のマスクステージ部、２２はＳ
ｉウェハ、２３はＳｉウェハ上に形成されたアライメン
トマーク、２４はＳｉウェハを装着したウェハステー
ジ、２５はマスクステージ上に装着されたＸ線マスク
Ａ、２６はマスクステージに装着されたＸ線マスクＢ、
２７はＸ線マスクＡ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＣ、２８はＸ線マスクＢ上に
形成されたウェハとの位置合わせ用アライメントマーク
Ｄ、３０はＸ線マスクとウェハ間の位置合わせに用いる
アライメント光学系である。
【００２６】以下、図２に基づいて実施の形態２に関わ
るＸ線露光装置について説明する。実施の形態１により
マスクステージ部２１に装着されたＸ線マスクＡ２５と
ウェハステージ２４に装着されたＳｉウェハ２２をギャ
ップ２０μｍに対向させる。 Ｘ線マスクＡ２５上に形
成されたアライメントマークＣ２７とウェハ上に形成さ
れたアライメントマーク２２を用いて、 Ｘ線マスクＡ
２５とＳｉウェハ２２はアライメント光学系３０を通し
たアライメントシステムにより、所定の範囲に位置合わ
せが行われる。その後、Ｘ線を照射し、Ｓｉウェハ２２
上にＸ線マスクＡ２５上に形成されたＬＳＩパターンを
転写させる。
るＸ線露光装置について説明する。実施の形態１により
マスクステージ部２１に装着されたＸ線マスクＡ２５と
ウェハステージ２４に装着されたＳｉウェハ２２をギャ
ップ２０μｍに対向させる。 Ｘ線マスクＡ２５上に形
成されたアライメントマークＣ２７とウェハ上に形成さ
れたアライメントマーク２２を用いて、 Ｘ線マスクＡ
２５とＳｉウェハ２２はアライメント光学系３０を通し
たアライメントシステムにより、所定の範囲に位置合わ
せが行われる。その後、Ｘ線を照射し、Ｓｉウェハ２２
上にＸ線マスクＡ２５上に形成されたＬＳＩパターンを
転写させる。
【００２７】ついで、Ｘ線露光装置のマスクステージ部
２１は前記Ｘ線マスクＡ２５が位置していた場所に、マ
スクステージ部２１に装着されたＸ線マスクＢ２６を移
動させるように駆動し、さらに、ウェハステージ２４は
ウェハステージ位置を所定の移動量だけ左右上下に移動
し、Ｘ線マスクＢ２６とウェハステージ２４に装着され
たＳｉウェハ２２をギャップ２０μｍに対向させる。Ｘ
線マスクＢ２６上に形成されたアライメントマークＤ２
８とウェハ上に形成されたアライメントマーク２２を用
いて、 Ｘ線マスクＢ２６とＳｉウェハ２２はアライメ
ント光学系３０を通したアライメントシステムにより、
所定の範囲に位置合わせが行われる。その後Ｘ線を照射
し、Ｓｉウェハ２２上にＸ線マスクＢ２６上に形成され
たＬＳＩパターンを転写させる。
２１は前記Ｘ線マスクＡ２５が位置していた場所に、マ
スクステージ部２１に装着されたＸ線マスクＢ２６を移
動させるように駆動し、さらに、ウェハステージ２４は
ウェハステージ位置を所定の移動量だけ左右上下に移動
し、Ｘ線マスクＢ２６とウェハステージ２４に装着され
たＳｉウェハ２２をギャップ２０μｍに対向させる。Ｘ
線マスクＢ２６上に形成されたアライメントマークＤ２
８とウェハ上に形成されたアライメントマーク２２を用
いて、 Ｘ線マスクＢ２６とＳｉウェハ２２はアライメ
ント光学系３０を通したアライメントシステムにより、
所定の範囲に位置合わせが行われる。その後Ｘ線を照射
し、Ｓｉウェハ２２上にＸ線マスクＢ２６上に形成され
たＬＳＩパターンを転写させる。
【００２８】この構成により、マスクステージに装着さ
れた複数のＸ線マスク上に形成されたＬＳＩパターンを
１度のウェハの装着によりウェハ上に所定の重ねあわせ
精度の範囲で転写することができ、ちょうどウェハステ
ージの移動距離をＸ線マスクで形成されたＬＳＩパター
ン領域と同じにすることにより、大きなチップサイズの
半導体チップを製造することができる。
れた複数のＸ線マスク上に形成されたＬＳＩパターンを
１度のウェハの装着によりウェハ上に所定の重ねあわせ
精度の範囲で転写することができ、ちょうどウェハステ
ージの移動距離をＸ線マスクで形成されたＬＳＩパター
ン領域と同じにすることにより、大きなチップサイズの
半導体チップを製造することができる。
【００２９】
【発明の効果】以上説明したように、本発明では、Ｘ線
マスクで転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに
転写されているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度を、
チップサイズが大きくなっても向上させるＸ線露光装置
を実現することができる。
マスクで転写されるＬＳＩパターンとウェハ上にすでに
転写されているＬＳＩパターンとの重ねあわせ精度を、
チップサイズが大きくなっても向上させるＸ線露光装置
を実現することができる。
【図１】本発明の実施の形態１におけるＸ線露光装置の
マスクステージ部の構成図
マスクステージ部の構成図
【図２】本発明の実施の形態２にかかわるＸ線露光装置
の構成図
の構成図
１１ Ｘ線マスクＡ １２ Ｘ線マスクＢ １３ マスク粗動ステージ １４ Ｘ線マスクＡ１１の位置をわずかに変化させるこ
とのできるマスク微動ステージＡ １５ Ｘ線マスクＢ１２の位置をわずかに変化させるこ
とのできるマスク微動ステージＢ １６ Ｘ線マスクＡ上に設けられたＸ線マスク間の位置
合わせ用アライメントマークＡ １７ Ｘ線マスクＢ上に設けられたＸ線マスク間の位置
合わせ用アライメントマークＢ １８ マスクステージ上のX線マスク間の位置合わせに
用いるＸ線マスクアライメント光学系 ２１ Ｘ線露光装置のマスクステージ部 ２２ Ｓｉウェハ ２３ Ｓｉウェハ上に形成されたアライメントマーク ２４ Ｓｉウェハを装着したウェハステージ ２５ マスクステージ上に装着されたＸ線マスクＡ ２６ マスクステージ上に装着されたＸ線マスクＢ ２７ Ｘ線マスクＡ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＣ ２８ Ｘ線マスクＢ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＤ ３０ Ｘ線マスクとウェハ間の位置合わせに用いるアラ
イメント光学系
とのできるマスク微動ステージＡ １５ Ｘ線マスクＢ１２の位置をわずかに変化させるこ
とのできるマスク微動ステージＢ １６ Ｘ線マスクＡ上に設けられたＸ線マスク間の位置
合わせ用アライメントマークＡ １７ Ｘ線マスクＢ上に設けられたＸ線マスク間の位置
合わせ用アライメントマークＢ １８ マスクステージ上のX線マスク間の位置合わせに
用いるＸ線マスクアライメント光学系 ２１ Ｘ線露光装置のマスクステージ部 ２２ Ｓｉウェハ ２３ Ｓｉウェハ上に形成されたアライメントマーク ２４ Ｓｉウェハを装着したウェハステージ ２５ マスクステージ上に装着されたＸ線マスクＡ ２６ マスクステージ上に装着されたＸ線マスクＢ ２７ Ｘ線マスクＡ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＣ ２８ Ｘ線マスクＢ上に形成されたウェハとの位置合わ
せ用のアライメントマークＤ ３０ Ｘ線マスクとウェハ間の位置合わせに用いるアラ
イメント光学系
Claims (2)
- 【請求項１】 複数のＸ線マスクを同時に装着できるマ
スクステージ機構と、前記マスクステージに装着された
前記複数のＸ線マスクの位置関係を所定の重ねあわせ精
度でアライメントを行う機構と、前記マスクステージが
所定の範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前記複数
のマスクステージに装着されたＸ線マスクが実質同一の
位置になるよう駆動できる移動機構とを有することを特
徴とするＸ線露光装置。 - 【請求項２】 被転写物を装着する可動ステージを所定
範囲にわたって駆動可能な移動機構と、前記可動ステー
ジに装着された被転写物の所定領域が実質同一位置にな
るよう駆動できる移動機構とパターンを前記可動ステー
ジに装着された被転写物の所定領域に転写する手段を有
することを特徴とする請求項１記載のＸ線露光装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086173A JPH09283399A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Ｘ線露光装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086173A JPH09283399A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Ｘ線露光装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283399A true JPH09283399A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13879375
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8086173A Pending JPH09283399A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | Ｘ線露光装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283399A (ja) |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP8086173A patent/JPH09283399A/ja active Pending
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