JPH09283549A

JPH09283549A - 半導体装置およびその製造方法

Info

Publication number: JPH09283549A
Application number: JP8090805A
Authority: JP
Inventors: Toshiharu Takahashi; 敏治高橋
Original assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Co Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd; Akita Electronics Systems Co Ltd
Priority date: 1996-04-12
Filing date: 1996-04-12
Publication date: 1997-10-31

Abstract

(57)【要約】【課題】ワイヤ等の被封止物の一部をパッケージ面に
露出させない。【解決手段】トランスファモールドによって形成され
る樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置しかつ支
持リードに支持される支持板と、前記支持板の周囲に一
端を臨ませ他端を前記封止体の外に延在させる複数のリ
ードと、前記支持板の主面に固定される一つ以上の半導
体チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電
気的に接続するワイヤとを有する半導体装置であって、
前記支持板の主面と裏面または前記支持板の裏面と前記
半導体チップの主面には一部が前記封止体の表面と略同
一面となる面を有する高さ規定体がそれぞれ一つ以上設
けられている。前記高さ規定体は絶縁体である。前記高
さ規定体はワイヤの付け根部分を被っている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は半導体装置（混成集
積回路装置）およびその製造方法に関し、特に樹脂封止
型半導体装置において封止体の表面（主面と裏面）にワ
イヤ，支持板，配線基板等の被封止物部分を露出させな
いトランスファモールド技術に適用して有効な技術に関
する。

【０００２】

【従来の技術】ＩＣ（集積回路装置）等の半導体装置に
おいて、半導体チップ等を被うパッケージ構造として樹
脂（レジン）による封止構造が知られている。

【０００３】樹脂封止型半導体装置は、リードフレーム
を使用して製造される。リードフレームは、薄い金属板
をエッチングや精密プレスによってパターニングするこ
とによって形成される。リードフレームの一例について
説明すると、リードフレームは矩形の枠体と、この枠体
の中央に位置し、前記枠体から延在する２本または４本
の支持リードに支持される支持板と、前記枠体から延在
して先端を前記支持板の周囲に近接させる複数のリード
と、前記リードや枠体を連結するとともに、トランスフ
ァモールド時に溶けた樹脂の流出を防止するダムとから
なっている。

【０００４】樹脂封止型半導体装置の製造においては、
最初に前記支持板の主面に半導体チップを固定する。そ
の後、前記半導体チップの電極とリードの先端を導電性
のワイヤで接続する。つぎに、トランスファモールド装
置のモールド型にリードフレームを型締めした後、モー
ルド型のキャビティに溶けた樹脂を注入して封止体（パ
ッケージ）で半導体チップやワイヤ等を被う。また、ト
ランスファモールド後は、不要なリードフレーム部分を
切断除去するとともに、パッケージから突出するリード
を所望の形状に成形することによって所望の半導体装置
を製造する。

【０００５】半導体装置は、パッケージの厚さをより薄
くし、半導体装置の薄型化が図られている。レジンパッ
ケージの厚さを１ｍｍと薄くしたＴＱＦＰ（Thin Quad
FlatPackage) については、たとえば、日経ＢＰ社発行
「日経マイクロデバイス」1988年９月号、同年９月１日
発行、P115〜P121に記載されている。この文献には、チ
ップ上とダイ・パッド下での樹脂の流れの違いによって
ダイ・パッドが変位すること、ワイヤの高さを２００μ
ｍ以下に抑えたこと、モールド時のワイヤ変形によるシ
ョート対策について記載されている。

【０００６】一方、工業調査会発行「最新ハイブリッド
実装技術」1988年５月15日発行、P13 およびP14 に記載
されているように、リードフレームを使用し、封止をト
ランスファモールドによって行うトランスファモールド
形ハイブリッドＩＣ（混成集積回路装置）が知られてい
る。

【０００７】また、特願平6-273202号公報には、トラン
スファモールド時、モールド型の上下型に設けた突子で
支持板を挟み（クランプ）、流入するレジンで前記支持
板が上下しないようにして、パッケージの表面にワイヤ
を露出させない混成集積回路装置の製造技術について記
載されている。また、この技術では、前記支持板を枠形
状とし、支持板の裏面（下面）に放熱板を固定させる構
造とし、かつモールド時には、前記クランプ時、放熱板
の下面をモールド型のキャビティ底面に密着させ、放熱
板の下面（裏面）にレジンが回り込まないようにしてモ
ールドすることが記載されている。

【０００８】

【発明が解決しようとする課題】前記文献にも記載され
ているように、樹脂封止型半導体装置の製造におけるト
ランスファモールド時、キャビティ内に流入する樹脂の
流入圧力によって支持板が上下に変動したり傾いたりす
ることがある。この場合、パッケージの表面に支持板や
ワイヤの一部が露出する現象が発生することがある。

【０００９】また、前記樹脂の流入圧力によってワイヤ
が変形し、隣接するワイヤとの間でショートを起こす状
態となる場合もある。

【００１０】特に封止体の薄型化が進む現況では、ワイ
ヤの一部露出は大きな問題となるおそれがある。

【００１１】本発明の目的は、ワイヤや支持板等の被封
止物部分がパッケージ面に露出することがない耐湿性に
優れた半導体装置およびその製造方法を提供することに
ある。

【００１２】本発明の前記ならびにそのほかの目的と新
規な特徴は、本明細書の記述および添付図面からあきら
かになるであろう。

【００１３】

【課題を解決するための手段】本願において開示される
発明のうち代表的なものの概要を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【００１４】（１）トランスファモールドによって形成
される樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置しか
つ支持リードに支持される支持板と、前記支持板の周囲
に一端を臨ませ他端を前記封止体の外に延在させる複数
のリードと、前記支持板の主面に固定される一つ以上の
半導体チップと、前記半導体チップの電極と前記リード
を電気的に接続するワイヤとを有する半導体装置であっ
て、前記支持板の裏面と前記半導体チップの主面には一
部が前記封止体の表面と略同一面となる面を有する高さ
規定体がそれぞれ一つ以上設けられている。前記高さ規
定体は絶縁体である。前記高さ規定体はワイヤの付け根
部分を被っている。

【００１５】このような半導体装置はつぎの方法によっ
て製造される。

【００１６】トランスファモールド装置のモールド型に
組み立てが終了したリードフレームを型締めし、その後
前記モールド型のキャビティ内に樹脂を注入してリード
フレームの主面と裏面を被う封止体を形成することを特
徴とする半導体装置の製造方法であって、前記キャビテ
ィ内に位置する被封止物部分が上下に移動しないよう
に、モールド型の型締め時、前記キャビティの底面およ
び天井面にそれぞれ接触する位置決め面を有する高さ規
定体を前記被封止物部分の主面と裏面にそれぞれ選択的
に設けておき、その後トランスファモールドを行う。

【００１７】具体的には、半導体チップ固定用の支持板
を有するリードフレームを用意する工程と、前記支持板
の主面に半導体チップを固定する工程と、前記半導体チ
ップの電極とリードフレームのリード先端を導電性のワ
イヤで接続する工程と、トランスファモールド装置のモ
ールド型に前記リードフレームを型締めした後、前記モ
ールド型のキャビティ内に溶けた樹脂を注入して前記支
持板，前記半導体チップ，ワイヤ等を封止体で被うモー
ルド工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前
記モールド工程前に前記支持板の裏面と前記半導体チッ
プの主面に前記高さ規定体を形成し、その後トランスフ
ァモールドを行う。前記高さ規定体は前記封止体を構成
する樹脂と同一系統の絶縁性樹脂の塗布および硬化処理
によって形成する。前記高さ規定体でワイヤの付け根部
分を被う。前記リードフレームの主面側と裏面側にそれ
ぞれ設けられる高さ規定体を、半硬化時、下型と上型と
で挟んで成形し、所定の厚さにする。

【００１８】（２）トランスファモールドによって形成
される樹脂からなる封止体と、前記封止体の内外に亘っ
て延在する複数のリードと、前記封止体内に位置しかつ
前記リードの裏面に絶縁体を介して固定される半導体チ
ップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的
に接続するワイヤとを有するＬＯＣ（Lead On Chip）構
造の半導体装置であって、前記半導体チップの主面およ
び裏面と前記リードの主面には一部が前記封止体の表面
と略同一面となる面を有する高さ規定体がそれぞれ一つ
以上設けられている。前記高さ規定体は絶縁体である。
前記高さ規定体はワイヤの付け根部分を被っている。

【００１９】このような半導体装置はつぎの方法によっ
て製造される。

【００２０】半導体チップを絶縁体を介してリードの裏
面に固定する構造のリードフレームを用意する工程と、
前記リードフレームのリードの裏面に絶縁体を介して半
導体チップを固定する工程と、前記半導体チップの電極
とリードフレームのリードを導電性のワイヤで接続する
工程と、トランスファモールド装置のモールド型に前記
リードフレームを型締めした後、前記モールド型のキャ
ビティ内に溶けた樹脂を注入して前記半導体チップ，ワ
イヤ等を封止体で被うモールド工程とを有する半導体装
置の製造方法であって、前記モールド工程前に前記半導
体チップの裏面と前記半導体チップの主面および前記リ
ードの主面に前記高さ規定体を取り付け、その後トラン
スファモールドを行う。前記高さ規定体は前記封止体を
構成する樹脂と同一系統の絶縁性樹脂の塗布および硬化
処理によって形成する。前記高さ規定体でワイヤの付け
根部分を被う。前記リードフレームの主面側と裏面側に
それぞれ設けられる高さ規定体を、半硬化時、下型と上
型とで挟んで成形し、所定の厚さにする。

【００２１】（３）トランスファモールドによって形成
される樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置しか
つ支持リードに支持される配線基板と、前記配線基板の
周囲に一端を臨ませ他端を前記封止体の外に延在させる
複数のリードと、前記配線基板の主面に固定される一つ
以上の半導体チップおよび受動部品と、所望の電極や配
線間を電気的に接続するワイヤとを有する混成集積回路
装置構造の半導体装置であって、前記配線基板の主面お
よび裏面，前記半導体チップの主面，前記支持板の裏面
には一部が前記封止体の表面と略同一面となる面を有す
る高さ規定体がそれぞれ一つ以上設けられている。前記
高さ規定体は絶縁体である。また、前記高さ規定体はワ
イヤの付け根部分を被っている。

【００２２】このような半導体装置はつぎの方法によっ
て製造される。

【００２３】配線基板を固定したリードフレームを用意
する工程と、前記配線基板の主面に半導体チップや受動
部品を固定する工程と、所定の電極や配線間を導電性の
ワイヤで接続する工程と、トランスファモールド装置の
モールド型に前記リードフレームを型締めした後、前記
モールド型のキャビティ内に溶けた樹脂を注入して前記
配線基板，半導体チップ，受動部品，ワイヤ等を封止体
で被うモールド工程とを有する混成集積回路型の半導体
装置の製造方法であって、前記モールド工程前に前記配
線基板の主面および裏面，前記半導体チップの主面，前
記支持板の裏面に前記高さ規定体を取り付け、その後ト
ランスファモールドを行う。前記高さ規定体は前記封止
体を構成する樹脂と同一系統の絶縁性樹脂の塗布および
硬化処理によって形成する。前記高さ規定体でワイヤの
付け根部分を被う。前記リードフレームの主面側と裏面
側にそれぞれ設けられる高さ規定体を、半硬化時、下型
と上型とで挟んで成形し、所定の厚さにする。

【００２４】前記（１）の手段によれば、（ａ）トラン
スファモールド前にリードフレームの支持板の裏面と、
前記支持板の主面に固定された半導体チップの主面（上
面）に高さ規定体が取り付けられ、その後トランスファ
モールドが行われる。モールド型内において、前記支持
板の裏面の高さ規定体の位置決め面がキャビティ底面に
接触し、前記半導体チップの主面の高さ規定体の位置決
め面がキャビティ天井面に接触するため、キャビティ内
に溶けたレジンが勢い良く流入しても、前記支持板およ
び半導体チップは、上下の高さ規定体を介してモールド
型に接触するため、上下に変動することがない。この結
果、前記支持板の下側および上側、すなわち、半導体チ
ップの主面側のレジンの厚さが薄く設計されていても、
支持板の一部や半導体チップとリードとの間に張られる
ワイヤ（ワイヤループ）の一部が封止体の表面に露出す
ることがなくなる。

【００２５】（ｂ）前記高さ規定体は、前記封止体を構
成する樹脂と同一の絶縁性樹脂の塗布および硬化処理に
よって形成されるとともに、前記リードフレームの表裏
面側にそれぞれ設けられる高さ規定体を、半硬化時、下
型と上型で挟んで一定の厚さとするため、モールド型に
型締めした際、上下の高さ規定体の位置決め面はそれぞ
れキャビティ底面およびキャビティ天井面に接触するよ
うになり、支持板や半導体チップは確実に保持される。
また、前記高さ規定体がキャビティ底面やキャビティ天
井面を越えて長く突出しないことから、高さ規定体によ
って半導体チップを押し潰して破損させることもない。

【００２６】（ｃ）前記高さ規定体はワイヤの付け根部
分を被っていることから、キャビティ内に溶けたレジン
が勢い良く流入しても、前記ワイヤは前記高さ規定体で
支持されているため、倒れ（変形）難くなり、ワイヤ間
ショート等の発生を防止することができる。

【００２７】前記（２）の手段によれば、前記手段
（１）の場合と同様に、トランスファモールド時、高さ
規定体の作用によって被封止物部分の露出が防止でき
る。すなわち、半導体チップの主面（上面）に絶縁体
（絶縁性フィルム）を介してリードを固定するＬＯＣ
（Lead On Chip）構造の半導体装置の場合でもワイヤ露
出，半導体チップ露出，リード露出が防止できる。ま
た、前記高さ規定体はワイヤの付け根部分を被っている
ことから、キャビティ内に溶けたレジンが勢い良く流入
しても、前記ワイヤは前記高さ規定体で支持されている
ため、倒れ（変形）難くなり、ワイヤのショートが起き
難くなる。

【００２８】前記（３）の手段によれば、前記手段
（１）の場合と同様に、トランスファモールド時、高さ
規定体の作用によって被封止物部分の露出が防止でき
る。すなわち、半導体チップや受動部品等が固定された
配線基板の主面と裏面を始めとして、配線基板を支持す
る支持板の裏面や半導体チップの主面等にも高さ規定体
が設けられ、その後トランスファモールドによって封止
体が形成されるため、モールド時配線基板の高さが変動
しなくなり、封止体の表面にワイヤ，配線基板，支持板
等が露出するようなことがなくなる。また、前記高さ規
定体はワイヤの付け根部分を被っていることから、キャ
ビティ内に溶けたレジンが勢い良く流入しても、前記ワ
イヤは前記高さ規定体で支持されているため、変形し難
くなり、ワイヤのショートが起き難くなる。

【００２９】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照して本発明の実
施の形態を詳細に説明する。なお、発明の実施の形態を
説明するための全図において、同一機能を有するものは
同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略する。

【００３０】（実施形態１）図１乃至図５は本発明の一
実施形態（実施形態１）である半導体装置の製造方法に
係わる図であって、図１はトランスファモールド状態を
示す模式的断面図、図２は半導体装置を示す断面図、図
３は半導体チップが固定されワイヤボンディングが行わ
れたリードフレームを示す平面図、図４は半導体チップ
が固定されワイヤボンディングが行われたリードフレー
ムの一部の断面図、図５は支持板の表裏面側に設けた高
さ規定体部分を示す拡大断面図である。

【００３１】本実施形態１の半導体装置１は、図２に示
すように、外観的には偏平な樹脂（レジン）からなる封
止体（パッケージ）２と、このパッケージ２の周面、４
辺から突出する複数のリード３とからなっている。たと
えば、前記パッケージ１の厚さは略１ｍｍ程度である。

【００３２】前記リード３はパッケージ２の内外に亘っ
て延在するとともに、ガルウィング型となっている。前
記パッケージ２の内部には支持板４が位置している。こ
の支持板４はタブとも称され、同図では図示しない支持
リード（タブ吊りリード）によって支持されている。

【００３３】前記支持板４の主面、すなわち図中上面に
は接合材５（図５参照）を介してＩＣ等を構成する半導
体チップ６が固定されている。また、半導体チップ６の
上面の図示しない電極と、前記パッケージ２内に延在す
るリード３の先端は導電性のワイヤ７を介して電気的に
接続されている。

【００３４】また、前記支持板４の主面（図中上面）側
と裏面側裏面には樹脂で形成された高さ規定体１１およ
び高さ規定体１０が複数設けられている。前記支持板４
の裏面側の高さ規定体１０は、支持板４の裏面のモール
ド時の高さを規定するものであり、支持板４の裏面の４
隅に設けられている。前記高さ規定体１０の平坦な一表
面は位置決め面１２となり、前記パッケージ２の裏面の
表面と同一面となっている。

【００３５】また、支持板４の主面側の高さ規定体１１
は、支持板４の主面に固定される半導体チップ６の主面
のモールド時の高さを規定するものであり、本実施形態
１では前記半導体チップ６の周辺部分に設けられてい
る。前記高さ規定体１１は半導体チップ６の図示しない
電極に固定されるワイヤ７の付け根部分を被っている。
これにより、ワイヤ７は前記高さ規定体１１に被われ、
支持・保護される結果倒れたり、変形しないようになっ
ている。すなわち、半導体装置１の製造におけるトラン
スファモールド時、ワイヤ７が流入する樹脂によって倒
れて変形しないため、隣接するワイヤ７同士が接触した
り、ショートを起こす程ワイヤ同士が近接する状態とは
ならない。

【００３６】前記高さ規定体１１の平坦な一表面は位置
決め面１３となり、前記パッケージ２の主面の表面と同
一面となっている。

【００３７】つぎに、本実施形態１の半導体装置の製造
方法について説明する。半導体装置１の製造において
は、図３に示すようにリードフレーム１５が用意され
る。このリードフレーム１５は、０．１５ｍｍ程度の厚
さのＦｅ−Ｎｉ系合金あるいはＣｕ合金等からなる金属
板をエッチングまたは精密プレスによってパターニング
することによって形成される。

【００３８】リードフレーム１５は複数の単位リードパ
ターンを一方向に直列に並べた短冊体となっている。単
位リードパターンは、一対の平行に延在する外枠１６
と、この一対の外枠１６を連結しかつ外枠１６に直交す
る方向に延在する一対の内枠１７とによって形成される
枠内に形成されている。

【００３９】また、前記枠の中央には、半導体チップを
搭載するための矩形状の支持板（タブ）４が設けられて
いる。この支持板４は、前記枠の４隅に張り出した支持
片２０から延在する支持リード（タブ吊りリード）２１
に支持されている。

【００４０】また、前記枠の各外枠１６および内枠１７
の内側から枠の中央に向かって複数のリード３が延在し
ている。前記リード３は、枠の各辺ごとに相互に平行と
なり、先端を前記支持板４の周囲に近接させるパターン
となっている。また、各辺において、前記リード３は、
前記支持片２０間に亘って設けられた細いダム２２と交
差するパターンとなっている。したがって、各リード３
は前記ダム２２によってその途中を支持されることにな
る。前記ダム２２は、後述するトランスファモールド
時、溶けたレジンの流出を阻止するダムとして作用す
る。また、このダム２２の内側の片持梁状のリード部分
を一般にインナーリードと呼称し、外側の部分をアウタ
ーリードと呼称する。

【００４１】前記支持リード２１は、途中で一段階段状
に折れ曲がっている。この結果、前記支持板４はリード
３よりも一段低くなる（図４参照）。

【００４２】また、前記外枠１６には、ガイド孔２５，
２６が設けられている。このガイド孔２５，２６は、リ
ードフレーム１５の移送や位置決め等のガイドとして利
用される。なお、前記リードフレーム１５は必要に応じ
て所望個所にメッキが施される。

【００４３】つぎに、このようなリードフレーム１５に
対して組み立てが行われる。すなわち、前記支持板４の
主面には、図３および図４に示すように、接合材５（図
５参照）を介して半導体チップ６が固定される。また、
前記半導体チップ６の図示しない電極と、対応するリー
ド３の先端とが導電性のワイヤ７で電気的に接続され
る。

【００４４】なお、本実施形態１では、支持板４に一つ
の半導体チップ６を固定する例について説明するが、半
導体チップは複数個であってもよい。

【００４５】つぎに、前記支持板４の裏面および半導体
チップ６の主面にそれぞれ高さ規定体１０，１１が形成
される。この高さ規定体１０，１１は、絶縁性の樹脂を
ディスペンサを使用して部分的に塗布し、かつ硬化させ
ることによって形成する。

【００４６】パッケージ２は、熱硬化性のエポキシ樹脂
で形成するため、前記高さ規定体１０，１１も熱硬化性
のエポキシ樹脂で形成する。

【００４７】前記高さ規定体１０，１１の高さは、先端
面がパッケージ２の表面と同一か、わずかに突出するよ
うに高く形成する。

【００４８】前記高さ規定体１０，１１は、トランスフ
ァモールド時、支持板４や半導体チップ６を上下に変動
させないためにも、矩形状の支持板４や半導体チップ６
の周辺に設けることが望ましい。本実施形態１では、支
持板４の裏面に設けられる高さ規定体１０は、矩形状の
支持板４の４隅に設けられる。しかし、支持板４や半導
体チップ６の中央部分であっても、後述するように、高
さ規定体１０，１１の位置決め面１２，１３の面積が大
きい場合は、支持板４および半導体チップ６を充分支持
でき、支持板４や半導体チップ６の上下の変動や揺れを
防止することができる。

【００４９】また、半導体チップ６の主面に設けられる
高さ規定体１１は、図３の２本の二点鎖線で示されるよ
うに、半導体チップ６の電極に固定されるワイヤ７の付
け根部分を被うように設けられる。

【００５０】高さ規定体１１をワイヤ７の付け根部分を
被うように設けることによって、ワイヤ７を高さ規定体
１１で支持・保護するため倒れ難くなり、後述するトラ
ンスファモールド時、キャビティ内に勢い良く流入する
レジンによっても倒れ難くなり、ワイヤ７同士が接触し
たり、相互に近接しなくなり、ショート防止が達成でき
る。

【００５１】図４において、二点鎖線は、トランスファ
モールドにおけるモールド型のキャビティ底面３０とキ
ャビティ天井面３１を示すものであり、上下の高さ規定
体１０，１１の先端は、前記キャビティ底面３０または
キャビティ天井面３１よりも僅かに突出している。

【００５２】つぎに、前記高さ規定体１０，１１を自然
乾燥や短時間のベーク処理によって半硬化させる。

【００５３】つぎに、図５に示すように、下型３２と上
型３３によって支持板４の主面と裏面側に位置する高さ
規定体１０，１１を挟み、支持板４の裏面の高さ規定体
１０の下面から高さ規定体１１の上面までの厚さを所定
の厚さ、すなわち、モールド型のキャビティ底面からキ
ャビティ天井面に至る長さに合わせる。この下型３２と
上型３３による挟み加工によって、高さ規定体１０およ
び高さ規定体１１の先端には平坦な位置決め面１２，１
３が形成される。

【００５４】なお、リードフレーム１５の支持板４の裏
面に設ける高さ規定体１０は半導体チップ６を固定する
前に設けておいてもよい。この場合、高さ規定体１０は
完全に硬化した状態、すなわち、ベーク処理やキュア処
理によって完全に硬化させておいてもよい。この場合、
支持板４の裏面に高さ規定体１０を設けたリードフレー
ム１５として供給・販売することができる。

【００５５】また、前記高さ規定体１０は、リードフレ
ーム１５の支持板４にコイニング等のプレス加工によっ
て、リードフレーム母材を部分的に突出させることによ
っても形成することができる。この構造では、ライン上
を順次流れる金属板を各プレスステーションで順次所定
の穴明けを行ってリードフレームを製造する精密プレス
加工において、コイニング加工として１ステーションを
増加させるだけでよく、リードフレームの製造コストの
低減が可能である。

【００５６】つぎに、リードフレーム１５を、トランス
ファモールド装置のモールド型４０に型締めし、前記ゲ
ート４５からキャビティ４３内に溶けた樹脂４４を流入
させてモールドを行い、支持板４，半導体チップ６，ワ
イヤ７，リード３の先端部分等の被封止物部分を封止体
（パッケージ）２で被う。図１はモールド型４０の下型
４１と上型４２の間に組み立てが終了したリードフレー
ム１５を型締めした状態を示す一部の断面図である。

【００５７】下型４１と上型４２によってキャビティ４
３が形成される。また、このキャビティ４３に溶けた樹
脂４４を案内するゲート４５等の樹脂案内路等が形成さ
れる。さらに、図示はしないが、キャビティ４３内の空
気を外部に逃がすエアーベント等も形成される。

【００５８】組み立てが終了したリードフレーム１５
を、図１に示すように、モールド型４０の下型４１上に
位置決め載置した後、モールド型４０の型締めを行え
ば、前記下型４１と上型４２による挟み加工によって高
さ規定体１０の下面から高さ規定体１１の上面までの高
さ調整がなされていることから、前記高さ規定体１０，
１１の位置決め面１２，１３がそれぞれキャビティ４３
のキャビティ底面３０とキャビティ天井面３１に過不足
なく接触することになる。これによって、支持板４およ
び半導体チップ６は、キャビティ４３内において、所望
の高さを維持することができるとともに、上下の変動が
起きなくなる。

【００５９】したがって、前記ゲート４５から溶けた樹
脂４４をキャビティ４３内に勢い良く流入させても、前
記支持板４および半導体チップ６は上下に変動すること
がない。このため、支持板４がパッケージ２の裏面（下
面）に露出したり、半導体チップ６やワイヤ７の一部が
パッケージ２の主面（上面）に露出する不良は発生しな
いことになる。

【００６０】また、半導体チップ６の主面に設けられる
高さ規定体１１は、図１乃至図５に示すように、ワイヤ
７の付け根部分側を被うため、従来のようにキャビティ
４３内に流入する溶けた樹脂４４によって流されて倒れ
ることもなく、ワイヤ７同士の接触や相互の近接状態も
発生しなくなり、ショート発生が防止できる。

【００６１】なお、本実施形態１では、前記高さ規定体
１０および高さ規定体１１は半硬化状態となっているこ
とから、トランスファモールド装置における上下型の型
締め圧によって変形するため、型締め圧によって半導体
チップ６が破損するおそれはない。

【００６２】しかし、本実施形態１では、前記高さ規定
体１０および高さ規定体１１を挟み加工後完全に硬化さ
せておいてもよい。この場合、前記挟み加工において、
高さ規定体１０の下面から高さ規定体１１の上面までの
長さを、キャビティ４３の底面から天井面に至る長さよ
りも十数μｍ程度低くしておけば、高さ規定体１１を介
して半導体チップ６が圧縮されることがなく、半導体チ
ップ６の圧縮による損傷を危惧する必要がなくなる。こ
の際、高さ規定体１０の下面から高さ規定体１１の上面
までの長さが、キャビティ４３の底面から天井面に至る
長さよりも十数μｍ程度短くなっていることから、支持
板４および半導体チップ６は上下に十数μｍ変動可能と
なるが、十数μｍ程度の支持板４や半導体チップ６の上
下変化では、ワイヤ７のループの上端部分がパッケージ
２の表面に露出したり、耐湿性を悪化させる程パッケー
ジ２の表面に近接することもない。

【００６３】前記キャビティ４３に充填された樹脂は、
一時的なベーク（キュア）処理によって仮硬化される。
その後、ファイナルキュアが行われ樹脂は完全に硬化さ
れる。この際、前記高さ規定体１０，１１は、パッケー
ジ２と同一系統の樹脂で形成されていることから、パッ
ケージ２の硬化時に同時に硬化する。そして、高さ規定
体１０，１１とパッケージ２との界面は密着し、耐湿性
を損なうようなことはなくなる。

【００６４】つぎに、リードフレーム１５の不要部分は
切断除去される。また、パッケージ２の周囲から突出す
るリード３は成形されてガルウィング型とされる。これ
によって、図２に示すような半導体装置１が製造され
る。

【００６５】本実施形態１の半導体装置の製造方法によ
れば、トランスファモールドにおいて支持板４や半導体
チップ６が上下方向等に変動しないことから、パッケー
ジ２の表面に被封止物部分である支持板４，半導体チッ
プ６，ワイヤ７等が露出しなくなり、モールドの歩留り
向上を達成することができる。

【００６６】また、前記支持板４，半導体チップ６，ワ
イヤ７等がパッケージ２の表面近傍に位置することがな
くなるため、半導体装置の耐湿性が向上する。

【００６７】本実施形態１の半導体装置の製造方法によ
れば、ワイヤ７はその付け根部分が高さ規定体１１で被
われていることから、トランスファモールド時溶けた樹
脂４４によって流されないため、断線あるいはワイヤ７
同士の接触や相互の近接状態の発生が防止できる。した
がって、モールドの歩留りの向上が達成できるばかりで
なく、製品となった半導体装置の信頼性が高くなる。

【００６８】（実施形態２）図６は本発明の他の実施形
態（実施形態２）であるＬＯＣ構造の半導体装置を示す
断面図である。

【００６９】ＬＯＣ構造の半導体装置１は、図６に示す
ように、樹脂からなる封止体（パッケージ）２内におい
て、半導体チップ６の主面（図では上面）に絶縁性フィ
ルム（絶縁体）５０を介してリード３の先端部分が固定
されている。本実施形態１では、パッケージ２の両側に
リード３を突出させる構造となっている。また、リード
３はＪ−ベンド構造となっている。

【００７０】前記リード３はパッケージ２の両側からパ
ッケージ２内に入り、それぞれの先端部分が絶縁性フィ
ルム５０を介して半導体チップ６に固定されている。

【００７１】前記半導体チップ６の中央線に沿って図示
しない電極が設けられ、これら電極と両側のリード３の
先端部分は導電性のワイヤ７で電気的に接続されてい
る。

【００７２】このようなＬＯＣ構造の半導体装置１にお
いて、前記半導体チップ６の裏面（下面）に高さ規定体
１０が設けられ、半導体チップ６の主面側のリード３の
主面（上面）に高さ規定体１１が設けられている。ま
た、前記高さ規定体１０，１１には、前記実施形態１と
同様に位置決め面１２，１３が設けられている。前記位
置決め面１２，１３は、パッケージ２の主面と裏面に対
してそれぞれ同一面となっている。

【００７３】前記半導体チップ６の裏面の高さ規定体１
０は、半導体チップ６の裏面の高さを規定するものであ
り、半導体チップ６の４隅に設けられている。また、半
導体チップ６の主面に延在するリード３の高さを規定す
るために、前記半導体チップ６の４隅に対応するリード
３上に高さ規定体１１が設けられている。

【００７４】また、半導体チップ６の主面の中央線に沿
って高さ規定体１１が設けられている。半導体チップ６
の主面の中央線に沿って設けられる高さ規定体１１は、
ワイヤ７の付け根部分を被い、ワイヤ７が倒れないよう
に支持・保護している。

【００７５】本実施形態２のＬＯＣ構造の半導体装置は
つぎの方法によって製造される。

【００７６】半導体チップを絶縁体を介してリードの裏
面に固定する構造のリードフレーム、すなわち、ＬＯＣ
用のリードフレームを用意する。このリードフレーム
は、特に図示はしないが、たとえば、矩形枠の内枠の内
側から外枠に平行に複数のリードを延在させる構造とな
っている。両側の内枠から延在するリードの先端は、枠
の中心線に一定の間隔を隔てる位置まで延在している。
また、各リードは、一対の外枠間に亘って設けられるダ
ムによって支持される構造となっている。

【００７７】ＬＯＣ構造の半導体装置１の組立において
は、前記リードフレームのリード先端部分が両面接着型
の絶縁性フィルム５０を介して半導体チップ６の主面に
絶縁的に固定される。半導体チップ６は、主面の中央線
に沿って電極が設けられていることから、この部分には
リード３が掛からないように固定される。

【００７８】つぎに、常用のワイヤボンディングによっ
て、前記半導体チップ６の図示しない中央の電極とリー
ド３の先端部分が導電性のワイヤ７で接続される。

【００７９】つぎに、前記半導体チップ６の主面と裏面
およびリード３の主面（上面）に高さ規定体１０および
高さ規定体１１が形成される。前記高さ規定体１０，１
１は、前記実施形態１と同様な方法によって形成され
る。すなわち、絶縁性のエポキシ樹脂をディスペンサを
使用して部分的に塗布し、かつ半硬化させる。この際、
突出高さを大きくとる。その後、挟み加工を行って高さ
規定体１０の下面から高さ規定体１１の上面に至る長さ
が、キャビティの高さと一致するようにする。

【００８０】なお、前記半導体チップ６の裏面の高さ規
定体１０は、半導体チップ６の裏面の高さを規定するも
のであり、半導体チップ６の４隅に設けられる。また、
半導体チップ６の主面に延在するリード３の高さを規定
するために、前記半導体チップ６の４隅に対応するリー
ド３上に高さ規定体１１が設けられる。

【００８１】また、半導体チップ６の主面の中央線に沿
って高さ規定体１１が設けられる。半導体チップ６の主
面の中央線に沿って設けられる高さ規定体１１は、ワイ
ヤ７の付け根部分を被う。これによってワイヤ７は高さ
規定体１１で支持・保護されるため倒れ難くなり、後述
するトランスファモールド時、キャビティ内に勢い良く
流入するレジンによっても倒れ難くなり、ワイヤ７同士
が接触したり、相互に近接しなくなり、ショート防止が
達成できる。

【００８２】なお、前記半導体チップ６の裏面（下面）
に設ける高さ規定体１０は、半導体チップ６の状態で設
けてもよい。

【００８３】つぎに、組立が終了したリードフレームを
トランスファモールド装置のモールド型に型締めし、モ
ールドを行い、パッケージ２を形成する。

【００８４】つぎに、不要なリードフレーム部分を切断
除去した後、成形を行ってパッケージ２から突出するリ
ード３をＪ−ベンド型にする。これによって、図６に示
すＬＯＣ構造の半導体装置１が製造される。

【００８５】本実施形態２のＬＯＣ構造の半導体装置１
は、その製造において支持板４の主面と裏面およびリー
ド３の主面に高さ規定体１０，１１を設け、その後トラ
ンスファモールドすることから、半導体チップ６やリー
ド３は上下動しなくなり、パッケージ２の表面に半導体
チップ６やワイヤ７等の被封止物部分が露出したり、パ
ッケージ２の表面に近接しなくなる。この結果、ＬＯＣ
構造の半導体装置１の製造歩留りが向上する。また、パ
ッケージ２の表面に半導体チップ６やワイヤ７等の被封
止物部分が近接しなくなり、耐湿性が向上し、ＬＯＣ構
造の半導体装置１の信頼性が高くなる。

【００８６】本実施形態２のＬＯＣ構造の半導体装置１
は、ワイヤ７の付け根部分が高さ規定体１１で支持され
ていることから、トランスファモールド時に流入する樹
脂によって流されることがなく変形しないため、ワイヤ
のショート不良が発生しなくなる。したがって、製造歩
留りの向上が図れるとともに、製造されたＬＯＣ構造の
半導体装置１の信頼性向上が図れる。

【００８７】本実施形態２では半導体チップ６の主面に
絶縁性フィルム５０を介してリード３を固定したＬＯＣ
構造の半導体装置１に本発明を適用した例について説明
したが、リードの主面（上面）に絶縁性フィルムを介し
て半導体チップを固定したＣＯＬ（Chip On Lead）構造
の半導体装置にも同様に適用でき、同様に被封止物部分
のパッケージ面への露出防止やワイヤのショート防止を
図ることができる。

【００８８】（実施形態３）図７は本発明の他の実施形
態（実施形態３）である混成集積回路構造の半導体装置
を示す断面図、図８は本実施形態３の半導体装置の製造
において使用されるリードフレームの平面図である。

【００８９】本実施形態３の半導体装置１は、配線基板
を固定したリードフレームを使用して製造される。

【００９０】本実施形態３の半導体装置１は、図７に示
すように、外観的には、前記実施形態１と同様に矩形偏
平状のレジンで形成されるパッケージ２と、このパッケ
ージ２の周囲から突出するガルウィング型の複数のリー
ド３とからなっている。前記パッケージ２の厚さは、前
記実施形態１に比較して厚く、たとえば、２〜３ｍｍ程
度である。

【００９１】本実施形態３の半導体装置１においては、
パッケージ２内に埋め込まれる支持板４は、図８に示す
ように矩形枠形状となっている。そして、この支持板４
の主面に矩形状の配線基板６０が接合材で固定された構
造となっている。

【００９２】配線基板６０は、特に図示はしないが、主
面に配線や電極（パッド）が設けられている。たとえ
ば、半導体チップ６を搭載する部分には固定用パッドが
設けられている。また、チップコンデンサやチップ抵抗
等の受動部品６１を搭載する部分には、前記受動部品６
１の電極が固定されるパッド（電極）が設けられてい
る。また、前記半導体チップ６の周囲には、ワイヤボン
ディング用のパッド（電極）が設けられている。さら
に、配線基板６０の周辺部分には、リード３に接続され
るワイヤ７を接続するためのパッド（電極）が設けられ
ている。

【００９３】図７では、配線基板６０の主面に２つの半
導体チップ６と１つの受動部品６１が固定された状態を
示す。また、前記半導体チップ６の電極と配線基板６０
のパッド（あるいは配線）は導電性のワイヤ７によって
電気的に接続されている。また、配線基板６０の周辺部
分のパッドとパッケージ２内に延在するリード３の先端
は導電性のワイヤ７で接続されている。

【００９４】また、本実施形態３においても、前記実施
形態１と同様に配線基板６０の主面側と裏面側に高さ規
定体１０および高さ規定体１１が設けられている。前記
高さ規定体１０，１１には、前記実施形態１と同様に位
置決め面１２，１３が設けられている。この位置決め面
１２，１３は、パッケージ２の主面と裏面に対してそれ
ぞれ同一面となっている。

【００９５】前記配線基板６０の裏面側の高さ規定体１
０は、配線基板６０の裏面の高さを規定するものであ
り、配線基板６０の４隅に設けられている。この場合に
は、高さ規定体１０は一部が支持板４上に亘って設けら
れている。

【００９６】配線基板６０の主面側の高さ規定体１１
は、配線基板６０の主面の高さを規定するためのもので
あり、前記配線基板６０の周辺部分に設けるのが望まし
い。また、各ワイヤ７の付け根部分を支持・保護するこ
とが、前記実施形態１と同様にワイヤの倒れ防止となる
ことから望ましい。そこで、本実施形態３では、ワイヤ
７が接続される部分の配線基板６０，半導体チップ６，
リード３の各主面部分に高さ規定体１１が設けられてい
る。高さ規定体１１が配線基板６０の主面側で散在して
いることから、後述するトランスファモールド時、配線
基板６０の主面の変動が抑えられる。

【００９７】本実施形態３の半導体装置１はつぎの方法
によって製造される。

【００９８】半導体装置１の製造において、図８に示す
ような配線基板付きリードフレームが用意される。

【００９９】このリードフレーム１５は、前記実施形態
１のリードフレームにおいて、支持板４が枠状となって
いる。そして、この支持板４に矩形状の配線基板６０が
接合材を介して固定された構造となっている。前記支持
板４は、複数の半導体チップや受動部品を搭載するた
め、前記実施形態１の場合よりも大きな寸法となってい
る。

【０１００】配線基板６０は、特に図示はしないが、前
述のように主面（上面）に配線や電極（パッド）が設け
られている。たとえば、半導体チップ６を搭載する部分
には固定用パッドが設けられ、チップコンデンサやチッ
プ抵抗等の受動部品６１を搭載する部分には前記受動部
品６１の電極が固定されるパッド（電極）が設けられ、
前記半導体チップ６の周囲の面にはワイヤボンディング
用のパッド（電極）が設けられ、配線基板６０の周辺部
分にはリード３に接続されるワイヤ７を接続するための
パッド（電極）が設けられている。

【０１０１】半導体装置１の組立においては、前記リー
ドフレーム１５の配線基板６０の主面に、常用のボンデ
ィング方法によって複数の半導体チップ６や受動部品６
１が搭載される。図７では、配線基板６０の主面に２つ
の半導体チップ６と１つの受動部品６１が固定された状
態を示す。

【０１０２】つぎに、常用のワイヤボンディング方法に
よって、前記半導体チップ６の電極と配線基板６０のパ
ッド（あるいは配線）は導電性のワイヤ７によって電気
的に接続される。また、同様に配線基板６０の周辺部分
のパッドと、前記配線基板６０の周囲に先端を近接させ
るリード３の先端部分が導電性のワイヤ７で接続され
る。

【０１０３】つぎに、前記配線基板６０の主面側と裏面
側に前記実施形態１と同様な方法で高さ規定体１０およ
び高さ規定体１１が形成される。すなわち、絶縁性のエ
ポキシ樹脂をディスペンサを使用して部分的に塗布し、
かつ半硬化させる。その後、挟み加工によって高さ規定
体１０の下面から高さ規定体１１の上面に至る長さが、
キャビティの高さと一致するようにする。

【０１０４】前記配線基板６０の裏面側の高さ規定体１
０は、配線基板６０の裏面の高さを規定するものであ
り、配線基板６０の４隅に設けられている。この場合に
は、高さ規定体１０は一部が支持板４上に亘って設けら
れている。

【０１０５】配線基板６０の主面側の高さ規定体１１
は、配線基板６０の主面の高さを規定するためのもので
あり、前記配線基板６０の周辺部分に設けるのが望まし
い。また、各ワイヤ７の付け根部分を支持・保護するこ
とが、前記実施形態１と同様にワイヤの倒れ防止となる
ことから望ましい。そこで、本実施形態３では、ワイヤ
７が接続される部分の配線基板６０，半導体チップ６，
リード３の各主面部分に高さ規定体１１が設けられる。
高さ規定体１１が配線基板６０の主面側で散在している
ことから、後述するトランスファモールド時、配線基板
６０の主面の変動が抑えられる。

【０１０６】つぎに、組立が終了したリードフレーム１
５をトランスファモールド装置のモールド型に型締め
し、モールドを行い、パッケージ２を形成する。この
際、高さ規定体１０，１１の位置決め面１２，１３は、
モールド型のキャビティのキャビティ底面またはキャビ
ティ天井面に接触するため、配線基板６０等は流入する
樹脂によって上下に変動することがない。この結果、被
封止物部分である支持板４，配線基板６０，半導体チッ
プ６，受動部品６１，ワイヤ７等の一部がパッケージ２
の表面に露出したり、パッケージ２の表面に近接するよ
うなことがなくなり、モールド歩留りの向上が図れると
ともに、半導体装置１の耐湿性の向上が図れる。

【０１０７】つぎに、不要なリードフレーム部分を切断
除去した後、成形を行ってパッケージ２から突出するリ
ード３をガルウィング型に形成する。これによって、図
７に示す混成集積回路構造の半導体装置１が製造され
る。

【０１０８】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体
装置１は、パッケージ２の表面に被封止物部分が露出し
たり、パッケージ２の表面近傍に被封止物部分が近接し
なくなり、信頼性が向上するとともに、耐湿性が向上す
る。

【０１０９】また、各ワイヤ７の付け根部分は高さ規定
体１１で被われ、支持・保護されていることから、トラ
ンスファモールド時にワイヤが倒れたりする変形がな
く、ショート防止が図れ、信頼性の向上を図ることがで
きる。

【０１１０】本実施形態３の混成集積回路構造の半導体
装置の製造方法によれば、トランスファモールド時、配
線基板６０が上下動したり、ワイヤ７が変形することが
ないことから、外観不良やショート不良が防止でき、製
造歩留りの向上から製品コストの低減を図ることができ
る。

【０１１１】なお、本実施形態３では、支持板４は矩形
枠状となることから配線基板６０の裏面は部分的に露出
する。そこで、この露出部分に放熱板（ヒート・スプレ
ッダ）を設けてもよい。この放熱板は、たとえば、銅等
熱伝導性の良好な金属で形成される。この放熱板の裏面
は、パッケージ２の裏面に露出する。

【０１１２】この場合、前記配線基板６０の裏面側の高
さ規定体１０は、支持板４の裏面に設けられる。この実
施形態の場合には、トランスファモールド時、配線基板
６０が上下に変動しないことから、放熱板の露出する裏
面にレジンが付着することがなく、放熱性の良好な半導
体装置を製造することができる。すなわち、この実施形
態の半導体装置は、実装された場合、マザーボードやシ
ャーシに前記放熱板が接触することから、半導体装置内
で発生した熱は直接前記マザーボードやシャーシに伝熱
されることになる。

【０１１３】以上本発明者によってなされた発明を実施
形態に基づき具体的に説明したが、本発明は上記実施形
態に限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範
囲で種々変更可能であることはいうまでもない。

【０１１４】本発明は少なくとも上下に変動する板状物
の両面をトランスファモールドによって封止する技術に
は適用できる。

【０１１５】

【発明の効果】本願において開示される発明のうち代表
的なものによって得られる効果を簡単に説明すれば、下
記のとおりである。

【０１１６】（１）トランスファモールド前にリードフ
レームの支持板の裏面と、前記支持板の主面に固定され
た半導体チップの主面（上面）に樹脂による高さ規定体
を取り付け、トランスファモールド時には、前記支持板
の裏面の高さ規定体の下面をキャビティ底面に接触させ
るとともに、前記半導体チップの主面の高さ規定体の上
面をキャビティ天井面に接触させた状態でモールドを行
うため、前記支持板および半導体チップはキャビティ内
に溶けたレジンが勢い良く流入しても、上下に変動する
ことがなく、パッケージの表面に被封止物部分である支
持板，半導体チップ，ワイヤが露出しなくなる。この結
果、封止歩留りが高くなるとともに、半導体装置の耐湿
性が高くなる。

【０１１７】（２）前記高さ規定体は、ワイヤの付け根
部分を被っていることから、キャビティ内に溶けたレジ
ンが勢い良く流入しても、前記ワイヤは前記高さ規定体
で支持されているため、変形しなくなり、ワイヤショー
ト等の発生を防止することができ、封止歩留りの向上が
図れるとともに、半導体装置の信頼性が高くなる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施形態（実施形態１）である半導
体装置の製造方法におけるトランスファモールド状態を
示す模式的断面図である。

【図２】本実施形態１の半導体装置を示す断面図であ
る。

【図３】本実施形態１の半導体装置の製造方法におい
て、半導体チップが固定され、ワイヤボンディングが行
われたリードフレームを示す平面図である。

【図４】本実施形態１の半導体装置の製造方法におい
て、半導体チップが固定されワイヤボンディングが行わ
れたリードフレームの一部の断面図である。

【図５】本実施形態１の半導体装置の製造方法におい
て、支持板の表裏面側に設けた高さ調整体部分を示す拡
大断面図である。

【図６】本発明の他の実施形態（実施形態２）であるＬ
ＯＣ構造の半導体装置を示す断面図である。

【図７】本発明の他の実施形態（実施形態３）である混
成集積回路構造の半導体装置を示す断面図である。

【図８】本実施形態３の半導体装置の製造において使用
されるリードフレームを示す平面図である。

【符号の説明】

１…半導体装置、２…封止体（パッケージ）、３…リー
ド、４…支持板、５…接合材、６…半導体チップ、７…
ワイヤ、１０，１１…高さ規定体、１２，１３…位置決
め面、１５…リードフレーム、１６…外枠、１７…内
枠、２０…支持片、２１…支持リード、２５，２６…ガ
イド孔、３０…キャビティ底面、３１…キャビティ天井
面、３２…下型、４０…モールド型、４１…下型、４２
…上型、５０…絶縁性フィルム、６０…配線基板、６１
…受動部品。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】トランスファモールドによって形成され
る樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置しかつ支
持リードに支持される支持板と、前記支持板の周囲に一
端を臨ませ他端を前記封止体の外に延在させる複数のリ
ードと、前記支持板の主面に固定される一つ以上の半導
体チップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電
気的に接続するワイヤとを有する半導体装置であって、
前記支持板の主面と裏面または前記支持板の裏面と前記
半導体チップの主面には一部が前記封止体の表面と略同
一面となる面を有する高さ規定体がそれぞれ一つ以上設
けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項２】トランスファモールドによって形成され
る樹脂からなる封止体と、前記封止体の内外に亘って延
在する複数のリードと、前記封止体内に位置しかつ前記
リードに絶縁体を介して固定される一つ以上の半導体チ
ップと、前記半導体チップの電極と前記リードを電気的
に接続するワイヤとを有する半導体装置であって、前記
半導体チップの主面と裏面または前記半導体チップの主
面と前記リードの裏面には一部が前記封止体の表面と略
同一面となる面を有する高さ規定体がそれぞれ一つ以上
設けられていることを特徴とする半導体装置。
【請求項３】トランスファモールドによって形成され
る樹脂からなる封止体と、前記封止体内に位置しかつ支
持リードに支持される配線基板と、前記配線基板の周囲
に一端を臨ませ他端を前記封止体の外に延在させる複数
のリードと、前記配線基板の主面に固定される一つ以上
の半導体チップおよび受動部品と、所望の電極や配線間
を電気的に接続するワイヤとを有する混成集積回路装置
構造の半導体装置であって、前記配線基板の主面と裏面
もしくは前記半導体チップの主面と前記配線基板の裏面
または／および前記支持板の裏面には一部が前記封止体
の表面と略同一面となる面を有する高さ規定体がそれぞ
れ一つ以上設けられていることを特徴とする半導体装
置。
【請求項４】前記高さ規定体は絶縁体であることを特
徴とする請求項１乃至請求項３のいずれか１項記載の半
導体装置。
【請求項５】前記高さ規定体はワイヤの付け根部分を
被っていることを特徴とする請求項１乃至請求項４のい
ずれか１項記載の半導体装置。
【請求項６】トランスファモールド装置のモールド型
に組み立てが終了したリードフレームを型締めし、その
後前記モールド型のキャビティ内に樹脂を注入してリー
ドフレームの主面と裏面を被う封止体を形成することを
特徴とする半導体装置の製造方法であって、前記キャビ
ティ内に位置する被封止物部分が上下に移動しないよう
に、モールド型の型締め時、前記キャビティの底面およ
び天井面にそれぞれ接触する位置決め面を有する高さ規
定体を前記被封止物部分の主面と裏面にそれぞれ選択的
に設けておき、その後トランスファモールドを行うこと
を特徴とする半導体装置の製造方法。
【請求項７】半導体チップ固定用の支持板を有するリ
ードフレームを用意する工程と、前記支持板の主面に半
導体チップを固定する工程と、前記半導体チップの電極
とリードフレームのリード先端を導電性のワイヤで接続
する工程と、トランスファモールド装置のモールド型に
前記リードフレームを型締めした後、前記モールド型の
キャビティ内に溶けた樹脂を注入して前記支持板，前記
半導体チップ，ワイヤ等を封止体で被うモールド工程と
を有する半導体装置の製造方法であって、前記モールド
工程前に前記支持板の主面と裏面または前記支持板の裏
面と前記半導体チップの主面に前記高さ規定体を形成
し、その後トランスファモールドを行うことを特徴とす
る請求項６記載の半導体装置の製造方法。
【請求項８】半導体チップを絶縁体を介してリードの
主面または裏面に固定する構造のリードフレームを用意
する工程と、前記リードフレームのリードの主面または
裏面に絶縁体を介して半導体チップを固定する工程と、
前記半導体チップの電極とリードフレームのリードを導
電性のワイヤで接続する工程と、トランスファモールド
装置のモールド型に前記リードフレームを型締めした
後、前記モールド型のキャビティ内に溶けた樹脂を注入
して前記半導体チップ，ワイヤ等を封止体で被うモール
ド工程とを有する半導体装置の製造方法であって、前記
モールド工程前に前記半導体チップの主面と裏面または
前記半導体チップの主面と前記リードの裏面に前記高さ
規定体を取り付け、その後トランスファモールドを行う
ことを特徴とする請求項６記載の半導体装置の製造方
法。
【請求項９】配線基板を固定したリードフレームを用
意する工程と、前記配線基板の主面に半導体チップや受
動部品を固定する工程と、所定の電極や配線間を導電性
のワイヤで接続する工程と、トランスファモールド装置
のモールド型に前記リードフレームを型締めした後、前
記モールド型のキャビティ内に溶けた樹脂を注入して前
記配線基板，半導体チップ，受動部品，ワイヤ等を封止
体で被うモールド工程とを有する混成集積回路型の半導
体装置の製造方法であって、前記モールド工程前に前記
配線基板の主面と裏面もしくは前記半導体チップの主面
と前記配線基板の裏面または／および前記支持板の裏面
に前記高さ規定体を取り付け、その後トランスファモー
ルドを行うことを特徴とする請求項６記載の半導体装置
の製造方法。
【請求項１０】前記高さ規定体は前記封止体を構成す
る樹脂と同一系統の絶縁性樹脂の塗布および硬化処理に
よって形成することを特徴とする請求項６乃至請求項９
のいずれか１項記載の半導体装置の製造方法。
【請求項１１】前記高さ規定体でワイヤの付け根部分
を被うことを特徴とする請求項１０記載の半導体装置の
製造方法。
【請求項１２】前記リードフレームの主面と裏面にそ
れぞれ設けられる高さ規定体を、半硬化時、下型と上型
とで挟んで成形し、所定の厚さにすることを特徴とする
請求項１０または請求項１１記載の半導体装置の製造方
法。