JPH09283578A - マグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置 - Google Patents
マグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置Info
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- JPH09283578A JPH09283578A JP8128914A JP12891496A JPH09283578A JP H09283578 A JPH09283578 A JP H09283578A JP 8128914 A JP8128914 A JP 8128914A JP 12891496 A JP12891496 A JP 12891496A JP H09283578 A JPH09283578 A JP H09283578A
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Abstract
(57)【要約】 （修正有）
【課題】 被測定磁場の変化が入力に誘導電圧を送り込
んで測定誤差を生じさせることを回避したマグネトレジ
スティブ素子ウエハの感磁特性測定装置を提供する。 【解決手段】ＸＹＺステージ２上にマグネトレジスティ
ブ素子のウエ１を載置し、一対の測定用磁場発生コイル
３が発生させる磁場がプローブ４とこれに接続されて測
定装置の入力回路に至るリード線とで形成するループ状
平面と平行になるように構成して、測定用磁場の変化が
発生させる誘導電圧が測定装置の入力に混入しないよう
にする。
んで測定誤差を生じさせることを回避したマグネトレジ
スティブ素子ウエハの感磁特性測定装置を提供する。 【解決手段】ＸＹＺステージ２上にマグネトレジスティ
ブ素子のウエ１を載置し、一対の測定用磁場発生コイル
３が発生させる磁場がプローブ４とこれに接続されて測
定装置の入力回路に至るリード線とで形成するループ状
平面と平行になるように構成して、測定用磁場の変化が
発生させる誘導電圧が測定装置の入力に混入しないよう
にする。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は、マグネットレジスティ
ブ素子（ＭＲ素子）の感磁特性測定装置に関するもので
ある。
ブ素子（ＭＲ素子）の感磁特性測定装置に関するもので
ある。
【０００２】
【従来の技術】マグネットレジスティブ素子（以下「Ｍ
Ｒ素子」と記載する。）は、これに磁界を透過させるこ
とによって、電気抵抗が変化する素子であり、近年コン
ピュータの記憶媒体であるハードディスクの検出部にお
いて使用されている。
Ｒ素子」と記載する。）は、これに磁界を透過させるこ
とによって、電気抵抗が変化する素子であり、近年コン
ピュータの記憶媒体であるハードディスクの検出部にお
いて使用されている。
【０００３】もとよりＭＲ素子は、磁界の透過に対し
て、電気抵抗が変化する特性を示すことが要求される
が、このような特性を有するか否かは、素子として完成
後の検査のみでは、良品を形成する効率が低い為、生成
過程であるウエハ状態の時に感磁特性を検査し、不良素
子を見付け、これを除外することが肝要である。
て、電気抵抗が変化する特性を示すことが要求される
が、このような特性を有するか否かは、素子として完成
後の検査のみでは、良品を形成する効率が低い為、生成
過程であるウエハ状態の時に感磁特性を検査し、不良素
子を見付け、これを除外することが肝要である。
【０００４】従来ＭＲ素子の感磁測定装置においては、
図１（ａ）に示すように、ＸＹＺステージ２（三次元方
向に移動することができるステージ）上にＭＲ素子のウ
エハ１を載置し、このようなＸＹＺステージ２及びこれ
に載置されているＭＲ素子のウエハ１の両サイドに磁場
発生コイル３を、上下両サイドにおいて夫々反対極性の
磁極３１が向かい合うように配置する構成を採用してい
る。
図１（ａ）に示すように、ＸＹＺステージ２（三次元方
向に移動することができるステージ）上にＭＲ素子のウ
エハ１を載置し、このようなＸＹＺステージ２及びこれ
に載置されているＭＲ素子のウエハ１の両サイドに磁場
発生コイル３を、上下両サイドにおいて夫々反対極性の
磁極３１が向かい合うように配置する構成を採用してい
る。
【０００５】このような装置における測定法方として
は、ＭＲウエハ１を載置したＸＹＺステージ２が一度下
方に下げ（Ｚ方向を下方に移動させ）、その後横方向に
移動し（ＸＹ平面方向に移動し）、更に上昇させ（Ｚ軸
方向に上側に移動し）、ＭＲ素子１にプローブ針を接触
させたうえで磁場発生コイル３による電流を導通し、磁
界を発生させて検査を行っている。
は、ＭＲウエハ１を載置したＸＹＺステージ２が一度下
方に下げ（Ｚ方向を下方に移動させ）、その後横方向に
移動し（ＸＹ平面方向に移動し）、更に上昇させ（Ｚ軸
方向に上側に移動し）、ＭＲ素子１にプローブ針を接触
させたうえで磁場発生コイル３による電流を導通し、磁
界を発生させて検査を行っている。
【０００６】しかしながら、一対の磁場発生コイル間の
方向と直交する平面方向を基準とした場合、一対のプロ
ーブ４を図１（ｂ）に示すように、当該平面に対する一
対の磁界の投影線は通常交差していない状態で配置して
いる為、測定時に磁界を変化させた場合（一対のコイル
に導通する電流値を変化させた場合）には必然的に、一
対のプローブ４、ＭＲ素子ウエハ１及び測定器によって
形成される閉回路を通過する磁束が変化することに帰
し、当該磁束の変化によって当該閉回路には誘導電圧が
発生し、当該誘導電圧が測定におけるノイズ電圧とな
り、測定値に対する誤差の原因となる。
方向と直交する平面方向を基準とした場合、一対のプロ
ーブ４を図１（ｂ）に示すように、当該平面に対する一
対の磁界の投影線は通常交差していない状態で配置して
いる為、測定時に磁界を変化させた場合（一対のコイル
に導通する電流値を変化させた場合）には必然的に、一
対のプローブ４、ＭＲ素子ウエハ１及び測定器によって
形成される閉回路を通過する磁束が変化することに帰
し、当該磁束の変化によって当該閉回路には誘導電圧が
発生し、当該誘導電圧が測定におけるノイズ電圧とな
り、測定値に対する誤差の原因となる。
【０００７】
【発明が解決を必要とする課題】本発明は、前記従来技
術において、必然的に発生する誘導起電圧に伴う測定誤
差を減少させるか場合によっては絶無とする構成による
マグネットレジスティブ素子ウエハの感磁特性測定装置
を提供することを目的とするものである。
術において、必然的に発生する誘導起電圧に伴う測定誤
差を減少させるか場合によっては絶無とする構成による
マグネットレジスティブ素子ウエハの感磁特性測定装置
を提供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決する為の手段】前記課題を解決する為、本
発明の構成は、 （１）．ＸＹＺステージ上にマグネットレジスティブ素
子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによって発
生する磁界によって、マグネットレジスティブ素子ウエ
ハの感磁特性測定装置において、当該一対の磁場発生コ
イルの磁極間の方向と直交する方向の平面における、一
対のプローブの投影線が交差した状態となるようにプロ
ーブを配置したことによるマグネットレジスティブ素子
ウエハの感磁特性測定装置。 （２）．ＸＹＺステージ上にマグネットレジスティブ素
子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによって発
生する磁界によって、マグネットレジスティブ素子ウエ
ハの感磁特性測定装置において、該一対の磁場発生コイ
ル間を結ぶ方向と直交する平面に対し、一対のプローブ
の投影線が重畳した状態となるように配置したことによ
るマグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置。から
なる。
発明の構成は、 （１）．ＸＹＺステージ上にマグネットレジスティブ素
子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによって発
生する磁界によって、マグネットレジスティブ素子ウエ
ハの感磁特性測定装置において、当該一対の磁場発生コ
イルの磁極間の方向と直交する方向の平面における、一
対のプローブの投影線が交差した状態となるようにプロ
ーブを配置したことによるマグネットレジスティブ素子
ウエハの感磁特性測定装置。 （２）．ＸＹＺステージ上にマグネットレジスティブ素
子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによって発
生する磁界によって、マグネットレジスティブ素子ウエ
ハの感磁特性測定装置において、該一対の磁場発生コイ
ル間を結ぶ方向と直交する平面に対し、一対のプローブ
の投影線が重畳した状態となるように配置したことによ
るマグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置。から
なる。
【０００９】
【発明の作用】前記１の構成においては、図２（ａ）、
（ｂ）、（ｃ）に示すように、一対のプローブ４が一対
の磁場発生コイル３間の方向と直交する平面に対する投
影線が交差している為、該投影線の交差位置よりも下方
では、磁界に伴う磁束の変化によって発生する誘起電圧
の方向、及び該交差する位置より上方における誘起電圧
の方向は相互に逆転しており、これによって誘起電圧は
キャンセルすることになる。尚、図２においては、図４
（ａ）、（ｂ）に関して後述するように、一対の磁場発
生コイル３は、ＭＲ素子ウエハ１の上方の近接した位置
に配置している。
（ｂ）、（ｃ）に示すように、一対のプローブ４が一対
の磁場発生コイル３間の方向と直交する平面に対する投
影線が交差している為、該投影線の交差位置よりも下方
では、磁界に伴う磁束の変化によって発生する誘起電圧
の方向、及び該交差する位置より上方における誘起電圧
の方向は相互に逆転しており、これによって誘起電圧は
キャンセルすることになる。尚、図２においては、図４
（ａ）、（ｂ）に関して後述するように、一対の磁場発
生コイル３は、ＭＲ素子ウエハ１の上方の近接した位置
に配置している。
【００１０】もとより、一対のプローブ４の前記平面の
投影線は交差しているが、一対のプローブ４自体が相互
に接触して交差している訳ではない（プローブ４同士が
接触した場合には、ＭＲ素子ウエハ１の抵抗変化を測定
することができないから。尚、前記投影線が交差しなが
らプローブ４が相互に接触しない構成については実施例
によって後述する。）。
投影線は交差しているが、一対のプローブ４自体が相互
に接触して交差している訳ではない（プローブ４同士が
接触した場合には、ＭＲ素子ウエハ１の抵抗変化を測定
することができないから。尚、前記投影線が交差しなが
らプローブ４が相互に接触しない構成については実施例
によって後述する。）。
【００１１】前記（２）の構成の場合には、図３
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、一対のプローブ
４の前記平面に対する投影線が重畳するように配置して
いる為、一対のプローブ４、ＭＲ素子ウエハ１及び測定
装置の閉回路は、一対のコイル３間において発生する磁
束と交差せず、従って、磁界の変化に伴って磁束が変化
したとしても、誘起電圧を基本的に発生しない。
（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すように、一対のプローブ
４の前記平面に対する投影線が重畳するように配置して
いる為、一対のプローブ４、ＭＲ素子ウエハ１及び測定
装置の閉回路は、一対のコイル３間において発生する磁
束と交差せず、従って、磁界の変化に伴って磁束が変化
したとしても、誘起電圧を基本的に発生しない。
【００１２】尚、出願人らは、一対の磁場発生コイル３
を、図１（ａ）、（ｂ）に示すような、配置構成に代え
て、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ＭＲ素子ウエハ
１の上方の近接した位置に配置する構成による実用新案
を本願とは別に別途出願しており、図３（ａ）、（ｂ）
の一対の磁場発生コイル３の配置もこれに対応した場合
を示しているが、前記２の構成の場合には、一対のプロ
ーブ４が一対の磁場発生コイル３方向に傾斜することか
ら、前記図４（ａ）、（ｂ）に示す配置の場合には、プ
ローブが４磁場発生コイル３と接触しないよう、充分そ
の傾斜方向に配慮する必要がある。
を、図１（ａ）、（ｂ）に示すような、配置構成に代え
て、図４（ａ）、（ｂ）に示すように、ＭＲ素子ウエハ
１の上方の近接した位置に配置する構成による実用新案
を本願とは別に別途出願しており、図３（ａ）、（ｂ）
の一対の磁場発生コイル３の配置もこれに対応した場合
を示しているが、前記２の構成の場合には、一対のプロ
ーブ４が一対の磁場発生コイル３方向に傾斜することか
ら、前記図４（ａ）、（ｂ）に示す配置の場合には、プ
ローブが４磁場発生コイル３と接触しないよう、充分そ
の傾斜方向に配慮する必要がある。
【００１３】
【実施例１】実施例１は、前記（１）の構成における典
型例を示しており、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、一対の直線上のプローブ４は、単に前記平面方
向に傾斜するだけでなく、一対の磁場発生コイル３間の
方向に相互に反対方向に傾斜しており、かつ前記平面方
向に対する投影線は交差するように配置されている。
型例を示しており、図５（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示す
ように、一対の直線上のプローブ４は、単に前記平面方
向に傾斜するだけでなく、一対の磁場発生コイル３間の
方向に相互に反対方向に傾斜しており、かつ前記平面方
向に対する投影線は交差するように配置されている。
【００１４】このような配置によって、一対のプローブ
４は相互に接触せずに、前記（１）の構成に基づく作用
を奏することができる。
４は相互に接触せずに、前記（１）の構成に基づく作用
を奏することができる。
【００１５】
【実施例２】実施例２は、前記（１）、（２）の構成に
おける他の例を示すが、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に
示すように、一対の相互に接触しない湾曲したプローブ
４を採用し、当該湾曲によって、一対のプローブ４が相
互に接触することを避けている。
おける他の例を示すが、図６（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に
示すように、一対の相互に接触しない湾曲したプローブ
４を採用し、当該湾曲によって、一対のプローブ４が相
互に接触することを避けている。
【００１６】実施例２の場合には、前記平面に対する一
対のプローブ４の投影線は、図６（ｂ）に示すように、
略８の字形状を呈している。
対のプローブ４の投影線は、図６（ｂ）に示すように、
略８の字形状を呈している。
【００１７】実施例２においても、プローブ４相互が接
触せずに、前記（１）の構成に基づく作用を奏すること
ができる。
触せずに、前記（１）の構成に基づく作用を奏すること
ができる。
【００１８】実施例２の構成は、図４（ａ）、（ｂ）に
示すような、一対の磁場発生コイル３を、ＭＲ素子ウエ
ハ１の上部において近接して設けた場合に、好適に採用
される。
示すような、一対の磁場発生コイル３を、ＭＲ素子ウエ
ハ１の上部において近接して設けた場合に、好適に採用
される。
【００１９】
【実施例３】実施例３は、前記（２）の構成における典
型例を示すが、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、一対のプローブ４が、前記平面方向において同一角
度をなして傾斜している。
型例を示すが、図７（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、一対のプローブ４が、前記平面方向において同一角
度をなして傾斜している。
【００２０】この為、一対のプローブ４、ＭＲ素子ウエ
ハ１及び測定器による閉回路と、一対の磁場発生コイル
３に基づく磁束とが交差せず、前記（２）の構成に基づ
く作用を奏することができる。
ハ１及び測定器による閉回路と、一対の磁場発生コイル
３に基づく磁束とが交差せず、前記（２）の構成に基づ
く作用を奏することができる。
【００２１】
【実施例４】実施例４は、前記（２）の構成における他
の例を示すが、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、一対のプローブ４を一対の磁場発生コイル３間の方
向に沿って配置し、かつこれらのプローブ４がＭＲ素子
ウエハ１及びこれを載置しているＸＹＺテーブル２に対
し直交方向となっている点に特徴を有している。
の例を示すが、図８（ａ）、（ｂ）、（ｃ）に示すよう
に、一対のプローブ４を一対の磁場発生コイル３間の方
向に沿って配置し、かつこれらのプローブ４がＭＲ素子
ウエハ１及びこれを載置しているＸＹＺテーブル２に対
し直交方向となっている点に特徴を有している。
【００２２】実施例４においても、前記閉回路が前記磁
束と交差しない為、前記（２）の構成に基づく作用を奏
することができる。
束と交差しない為、前記（２）の構成に基づく作用を奏
することができる。
【００２３】
【発明の効果】以上の如き本願発明の場合には、従来技
術の場合のように、磁界を変化させて測定する場合に必
然的に発生する誘起電圧による測定誤差を避け、ＭＲ素
子ウエハの感磁特性を正確に測定することができるの
で、本願発明の価値は絶大である。
術の場合のように、磁界を変化させて測定する場合に必
然的に発生する誘起電圧による測定誤差を避け、ＭＲ素
子ウエハの感磁特性を正確に測定することができるの
で、本願発明の価値は絶大である。
【図１】（ａ）、（ｂ）従来のＭＲ素子ウエハの感磁特
性装置の正面図及び側面図
性装置の正面図及び側面図
【図２】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）請求項１の構成の作用
原理を説明する正面図、上面図及び側面図
原理を説明する正面図、上面図及び側面図
【図３】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）請求項２の構成の作用
原理を説明する正面図、上面図及び側面図
原理を説明する正面図、上面図及び側面図
【図４】（ａ）、（ｂ）一対の磁場発生コイルを図１に
示す従来技術と異なるように配置した構成を示す正面図
及び側面図
示す従来技術と異なるように配置した構成を示す正面図
及び側面図
【図５】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）実施例１の構成を示す
正面図、上面図及び側面図
正面図、上面図及び側面図
【図６】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）実施例２の構成を示す
正面図上面図及び側面図
正面図上面図及び側面図
【図７】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）実施例３の構成を示す
正面図上面図及び側面図
正面図上面図及び側面図
【図８】（ａ）、（ｂ）、（ｃ）実施例４の構成を示す
正面図上面図及び側面図
正面図上面図及び側面図
１：ＭＲ素子ウエハ ２：ＸＹＺステージ ３：磁石又は磁場発生コイル ３１：磁極 ３２：磁力線 ４：プローブ
フロントページの続き (72)発明者 吉野 彰 和歌山県和歌山市大垣内689番地３ 阪和 電子工業株式会社内 (72)発明者 中家 利幸 和歌山県和歌山市大垣内689番地３ 阪和 電子工業株式会社内 (72)発明者 伊藤 安幸 東京都千代田区永田町２丁目４番３号 東 機通商株式会社内 (72)発明者 難波 勝 東京都千代田区永田町２丁目４番３号 東 機通商株式会社内 (72)発明者 桜井 俊二 神奈川県横浜市緑区白山１丁目18番２号 カール・ズース・ジャパン株式会社内 (72)発明者 八木 進 神奈川県横浜市緑区白山１丁目18番２号 カール・ズース・ジャパン株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 ＸＹＺステージ上にマグネットレジステ
ィブ素子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによ
って発生する磁界によって、マグネットレジスティブ素
子ウエハの感磁特性測定装置において、当該一対の磁場
発生コイルの磁極間の方向と直交する方向の平面におけ
る、一対のプローブの投影線が交差した状態となるよう
にプローブを配置したことによるマグネットレジスティ
ブ素子ウエハの感磁特性測定装置。 - 【請求項２】 ＸＹＺステージ上にマグネットレジステ
ィブ素子のウエハを載置し、一対の磁場発生コイルによ
って発生する磁界によって、マグネットレジスティブ素
子ウエハの感磁特性測定装置において、該一対の磁場発
生コイル間を結ぶ方向と直交する平面に対し、一対のプ
ローブの投影線が重畳した状態となるように配置したこ
とによるマグネットレジスティブ素子の感磁性測定装
置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128914A JP2963390B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | マグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8128914A JP2963390B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | マグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283578A true JPH09283578A (ja) | 1997-10-31 |
| JP2963390B2 JP2963390B2 (ja) | 1999-10-18 |
Family
ID=14996497
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8128914A Expired - Fee Related JP2963390B2 (ja) | 1996-04-16 | 1996-04-16 | マグネットレジスティブ素子の感磁性測定装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2963390B2 (ja) |
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515475B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields |
| JP2003069111A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Daido Steel Co Ltd | 磁気抵抗素子の感応特性評価装置 |
| JP2011146618A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Tohoku Tokushuko Kk | 磁気抵抗評価装置 |
| US20150263274A1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic field applying apparatus and manufacturing method of magnetic memory device |
-
1996
- 1996-04-16 JP JP8128914A patent/JP2963390B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US6515475B2 (en) | 2001-02-16 | 2003-02-04 | International Business Machines Corporation | Determination of track width of magnetoresistive sensors during magnetic head fabrication using magnetic fields |
| JP2003069111A (ja) * | 2001-08-23 | 2003-03-07 | Daido Steel Co Ltd | 磁気抵抗素子の感応特性評価装置 |
| JP2011146618A (ja) * | 2010-01-18 | 2011-07-28 | Tohoku Tokushuko Kk | 磁気抵抗評価装置 |
| US20150263274A1 (en) * | 2014-03-12 | 2015-09-17 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Magnetic field applying apparatus and manufacturing method of magnetic memory device |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2963390B2 (ja) | 1999-10-18 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |