JPH09283687A - リードフレーム及び半導体装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ダイボンド剤が隣の半導体チップに付着して
引き起こる不具合を、電流の流路を狭めたり放熱性を妨
げることなく解消する。 【解決手段】 リードフレーム１は、ベース（タブ）２
及びリード３を備えている。ベース２には２個の半導体
チップ８が実装されるようになっており、各実装領域の
境界部にはベース２を曲げ加工した溝９が形成されてい
る。余分なダイボンド剤１１は溝９に流れて溜まること
で、隣の実装領域に流れることが防止されるようになっ
ている。また、溝９が曲げ加工であることから、溝９が
形成されてもその部位でベース２の断面積が狭められて
いない。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体チップが同
一の基板部（ベース）上に複数個実装されるタイプのリ
ードフレーム及び半導体装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】一般にリードフレームは、銅板等の薄い
板材をエッチングや打ち抜き等の手法により加工して形
成されており、半導体チップが実装されるベース（タ
ブ）とリードとが一体的に形成されてなる。製造される
ＩＣ等の製品が小型であれば、リードフレームは一本に
複数組のベースとリードを備えた複数個取りとされる。

【０００３】図６に示すように、リードフレーム５１に
は、ベース（タブ）５２とリード５３とが一体形成され
ており、半導体チップ（以下、単にチップという）５４
はベース５２上に実装される。チップ５４は通常導電性
のダイボンド剤５５（例えば銀エポキシ接着剤、シリコ
ン接着剤、半田等）によりベース５２上に接着される。

【０００４】ベース５２上にダイボンド剤５５をチップ
５４のサイズに合わせた適量付着させ、そのダイボンド
剤５５上に載せて押えることでチップ５４は実装される
（但し、ダイボンド剤５５が半田の場合は、半田を加熱
溶融した後に固化させることで接着される）。その後、
チップ５４とリード５３との間に配線ワイヤ５６がボン
ディングされる。そして、ワイヤボンディング後、ベー
ス５２と共にチップ５４を樹脂等でモールドし、樹脂か
ら出たリード５３が所定形状にフォーミング（整形）さ
れてＩＣパッケージが製造される。ダイボンド剤５５を
ベース５２上に適量付着させる方法としては、転写によ
る方法、印刷による方法、ディスペンサによる方法等が
ある。

【０００５】ところで、図６に示すように、一つのベー
ス５２に複数個（例えば２個）のチップ５４を実装する
場合、製品の小型化を図るうえで、ベース５２上におけ
るチップ５４間の隙間（実装間隔）を狭くしてその実装
密度を高くすることが望ましい。しかし、隣接するチッ
プ５４間の隙間が狭いと、ダイボンド剤５５の塗布量の
ばらつき等に起因してダイボンド剤５５が他のチップに
付着するなどの不具合をもたらす。特に、ディスペンサ
を用いた場合、ダイボンド剤５５の粘度が温度等に依存
して変化すると、その塗布量にばらつきが生じ易い。

【０００６】ダイボンド剤５５の塗布量にばらつきが生
じると、例えば図７に示すような問題が生じる。すなわ
ち、ダイボンド剤５５の塗布量が多いと、図７（ａ）に
示すようにチップ５４が斜めに実装されたり、図７
（ｂ）に示すように隣接するチップ５４の表面にダイボ
ンド剤５５がはい上がりチップ５４の表面を汚すという
問題が生じる。このようにチップ５４が斜めに実装され
たり、チップ５４の表面がダイボンド剤５５で汚れた場
合、配線ワイヤ５６が巧く接続されない接続不良の原因
となる。

【０００７】また、図７（ｃ）に示すように、個々のチ
ップ５４を導電性のダイボンド剤５５ａと絶縁性のダイ
ボンド剤５５ｂとを用いて実装する場合、導電性のダイ
ボンド剤５５ａが隣のチップ５４に流れて付着すると、
ベース５２と電気絶縁させるはずのチップ５４の短絡不
良を招く。

【０００８】この解決策として、例えば図８に示すよう
に、各チップ５４の実装域の境界部にエッチング又は打
ち抜きによりベース５２に貫通穴５７を形成し、貫通穴
５７にてダイボンド剤５５が相手側の実装領域に流れ出
ないようにし、図７に示した不具合の発生を防止するよ
うにしていた。

【０００９】

【発明が解決しようとする課題】しかし、貫通穴５７を
形成すると、ベース５２の断面積が貫通穴５７の部分で
狭くなる。そのため、ベース５２を流れる電流の流路が
狭められたり、チップ５４で発生した熱がベース５２を
伝導して放熱されるときの熱の拡がりが貫通穴５７によ
り妨げられてその放熱特性が低下するという問題があっ
た。

【００１０】特開平１−３０９３３６号公報には、図９
に示すように、半導体容器６１に各チップ６２を取り囲
む溝６３を設け、余分なマウント材（ロー材）６４を溝
６３に流すことによりチップ６２の表面へのマウント材
６４のはい上がりを抑え、チップ６２の薄型化を実現さ
せることが可能な半導体容器が開示されている。

【００１１】また、実開平１−１６９０３７号公報に
は、金属ベースに半導体チップを個々に区切る溝を設
け、金属ベースが湾曲しても溝で大きく屈曲すること
で、半導体チップに曲げ応力がかかり難くした半導体装
置が開示されている。

【００１２】これらの半導体容器や半導体装置のように
各実装領域を区画する溝を設けることで、前述したダイ
ボンド剤が隣のチップに付着することによる不具合を解
消することが可能である。しかし、溝により金属ベース
や半導体容器の断面積がその部分で小さくなるため、電
流の流路が狭められたり放熱性が低下する問題は解消さ
れない。

【００１３】本発明は前記の問題点に鑑みてなされたも
のであって、その目的は、ダイボンド剤が隣の半導体チ
ップに付着して引き起こる不具合を、電流の流路を狭め
たり放熱性を妨げることなく解消することができるリー
ドフレーム及び半導体装置を提供することにある。

【００１４】

【課題を解決するための手段】上記問題点を解決するた
め請求項１に記載の発明では、複数の半導体チップを実
装可能な基板部と、該基板部に実装された半導体チップ
と配線されるリードとが一体に形成されたリードフレー
ムにおいて、前記基板部は、各半導体チップを該基板部
上に接着するための接着剤が隣の半導体チップの実装領
域に流れることを防ぐための液止部を形成するように折
曲げられている。

【００１５】請求項２に記載の発明では、請求項１に記
載のリードフレームにおいて、前記液止部は、各半導体
チップの実装領域の境界部を折曲げて形成された溝であ
る。請求項３に記載の発明では、請求項１に記載のリー
ドフレームにおいて、前記液止部は、各半導体チップの
実装領域の境界部を折曲げて形成された突起である。

【００１６】請求項４に記載の発明では、請求項１〜請
求項３のいずれか一項に記載のリードフレームにおい
て、前記基板部はプレス加工により前記リードより厚み
方向に変位しており、前記液止部は該プレス加工により
曲げ形成されている。

【００１７】請求項５に記載の発明では、半導体装置
は、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の前記リ
ードフレームに半導体チップを実装して製造されてい
る。従って、請求項１に記載の発明によれば、複数の半
導体チップが基板部上に実装される。基板部の表面には
各半導体チップの実装領域に適量の接着剤が付着され
る。半導体チップをその接着剤にて基板部上の所定実装
領域に接着させるとき、余分な接着剤ははみ出て隣の実
装領域へ流れようとする。しかし、流れ出た余分な接着
剤は液止部にて隣の実装領域に流れないように阻止され
るため、隣の半導体チップに付着することがない。ま
た、液止部は、基板部を折曲げて形成されているため、
基板部の断面積は液止部においても十分確保される。従
って、基板部を流れる電流の流路や、基板部を拡散する
熱の通路が、液止部によって妨げられることはない。ま
た、液止部は曲げ加工で形成可能であるので、平板状の
リードフレームに簡単に後加工することが可能である。

【００１８】請求項２に記載の発明によれば、半導体チ
ップを接着剤にて基板部上の所定実装領域に接着させる
ときにはみ出て流れる余分な接着剤は、各実装領域の境
界部に設けられた溝に流れ込む。そのため、余分な接着
剤が溝に溜まることで、接着剤が隣の半導体チップに付
着することがない。また、溝は基板部が折曲げられて形
成されているため、基板部の断面積は溝の部位において
も十分確保される。従って、基板部を流れる電流の流路
や、基板部を拡散する熱の通路が、溝によって妨げられ
ることはない。

【００１９】請求項３に記載の発明によれば、半導体チ
ップをその接着剤にて基板部上の所定実装領域に接着さ
せるときにはみ出て流れる余分な接着剤は、各実装領域
の境界に設けられた突起にて隣の実装領域へ流れ出るこ
とが堰止められる。そのため、余分な接着剤が隣の半導
体チップに付着することがない。また、突起は基板部が
折曲げられて形成されているため、基板部の断面積は突
起の部分においても十分確保される。従って、基板部を
流れる電流の流路や、基板部を拡散する熱の通路が、突
起によって妨げられることはない。

【００２０】請求項４に記載の発明によれば、液止部
は、基板部をリードより厚み方向に変位させるプレス加
工時に一緒に曲げ形成される。そのため、液止部を形成
するためだけにリードフレームの加工工程を増やす必要
がない。

【００２１】請求項５に記載の発明によれば、半導体装
置は、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のリー
ドフレームに半導体チップを実装して製造されているた
め、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載の作用が
得られ、短絡不良や絶縁不良が低減する。

【００２２】

【発明の実施の形態】以下、本発明を具体化した一実施
形態を図１〜図４に従って説明する。図３に示すよう
に、リードフレーム１は、所定厚（１ｍｍ以下）の銅板
をエッチングして所定形状に形成されている。リードフ
レーム１は、基板部としてのベース（タブ）２、リード
３、リードフレーム１の外周枠を形成して各リード３を
互いに接続しているタイバー４、各ベース２を区画して
リードフレーム１を幅方向に横切る支持部５、支持部５
から延びてベース２を吊り下げ支持する吊下げ支持部６
を備えている。本実施形態では、１本のリードフレーム
１に複数個（１０〜２０個程度）のベース２と、それと
組をなす複数本ずつのリード３を備えている。従って、
１本のリードフレーム１から図４に示す半導体装置７が
複数個製造される。また、ベース２には２個の半導体チ
ップ８（図１に示す）が実装されるようになっており、
ベース２には各実装領域の境界部に曲げ加工による液止
部としての溝９が形成されている。

【００２３】本実施形態では、エッチングにより形成さ
れた平板状のリードフレーム１に対し、半導体チップ８
を実装する前にベース２に所定の加工が加えられてお
り、図３は加工後のリードフレーム１の形状を示してい
る。すなわち、図４に示すように、半導体装置７は樹脂
をモールドすることで封止されるが、その樹脂でモール
ドされた本体１０の厚み方向ほぼ中央に半導体チップ８
が配置されるように、ベース２をリード３の位置よりも
所定量だけ押し下げる加工をリードフレーム１に施して
いる。そのため、リードフレーム１の側面視は、図３
（ｂ）に示すように、押し下げられたベース２がタイバ
ー４の位置よりも下方へ所定量だけ変位している（但
し、図３（ｂ）は誇張した図であり、実際の下方変位量
はリードフレーム１の厚みより小さい）。この加工は金
型を用いたプレス成形により行われる。このプレス成形
用の金型は溝９を形成するための形状にその成形面が製
造されており、溝９はリードフレーム１のプレス成形時
に一緒に形成されている。

【００２４】ベース２に実装される２個の半導体チップ
８は、ベース２の長手方向に所定間隔を開けて接着剤と
してのダイボンド剤１１により接着される。前記溝９
は、各半導体チップ８の実装領域の境界部にプレス成形
による曲げ加工により形成されているため、ベース２の
断面積は溝９が形成されたことによって狭められること
なく、ベース２はほぼ均一な断面積を有している。

【００２５】本実施形態では、ダイボンド剤１１として
導電性の銀エポキシ接着剤が使用されており、半導体チ
ップ８の実装前にそのチップサイズに合わせた適量のダ
イボンド剤１１がベース２の各実装領域中央に塗布され
る。ダイボンド剤１１はディスペンサ方式、印刷方式、
転写方式等の公知の方法により塗布される。ダイボンド
剤１１には、その他のシリコン接着剤や半田ペースト等
を使用することもでき、必要に応じて絶縁性のものを使
用することもできる。図１に示すように、半導体チップ
８のベース２への実装後、半導体チップ８とリード３と
の間にワイヤ配線１２がボンディングされるようになっ
ている。

【００２６】次に、上記のように構成されたリードフレ
ーム１の作用を説明する。リードフレーム１は予め金型
を用いたプレス成形により図３（ａ），（ｂ）に示す形
状に形成される。すなわち、エッチング形成後の平板状
のリードフレーム１をプレス成形することで、ベース２
がリード３に対して押し下げ加工されるとともに、ベー
ス２の各実装領域の境界部に曲げ加工による溝９が形成
される。この溝９は金型を用いた曲げ加工により形成さ
れているため、ベース２の断面積は溝９によって狭めら
れることなく、他の部分と同程度の断面積が確保され
る。

【００２７】次に、半導体チップ８を接着させるための
ダイボンド剤１１がベース２の表面の各実装領域に塗布
される。このダイボンド剤１１の塗布は、ディスペンサ
方式、印刷方式、転写方式等の公知の方法により行われ
る。

【００２８】ダイボンド剤１１の塗布後、塗布されたダ
イボンド剤１１の上に半導体チップ８が押圧されて載せ
られる。このときダイボンド剤１１は、半導体チップ８
の下面全体に押し広げられ、少し半導体チップ８の外側
にはみ出た状態で接着される。通常は適量塗布されるた
めダイボンド剤１１のはみ出し量は図１に示すように溝
９には至らない。

【００２９】ダイボンド剤１１の塗布量にばらつきがあ
ると、余分に塗布されたダイボンド剤１１は半導体チッ
プ８の外側に押し出される。特にディスペンサ方式によ
りダイボンド剤１１を塗布した場合には、ダイボンド剤
１１の粘度のばらつきにより塗布量にばらつきが発生し
易い。隣の実装領域に向かって流れ出た余分なダイボン
ド剤１１は、図２に示すように溝９に流れ込み、溝９に
溜まるためそれ以上隣の実装領域側へ流れ出すことが阻
止される。また、仮りに溝９を越えて隣の実装領域にダ
イボンド剤１１が流れ出たとしても、余分なダイボンド
剤１１の多くが溝９に溜まることで消費されるため、隣
の半導体チップ８に付着して不具合をもたらすほどの量
が流れ出ることはまず起こらない。

【００３０】従って、従来技術で述べた図７（ａ）〜
（ｃ）に示すような不具合は発生しない。すなわち、ダ
イボンド剤１１の塗布量が多いために、半導体チップ８
が斜めに実装されたり（図７（ａ）の場合）、ダイボン
ド剤１１が隣の半導体チップ８の表面にはい上がってそ
の表面を汚すこと（図７（ｂ）の場合）は起こらない。
半導体チップ８が斜めに実装されたり、半導体チップ８
の表面がダイボンド剤１１で汚れた場合、配線ワイヤ１
２が巧く接続されない接続不良等の原因となる。しか
し、本実施形態のリードフレーム１によれば、そのよう
な原因による配線ワイヤ１２の接続不良（断線不良）が
起こる心配はない。

【００３１】また、各半導体チップ８を接着するダイボ
ンド剤１１として導電性のものと絶縁性のものとを使用
した場合、導電性のダイボンド剤１１が隣の半導体チッ
プ８に流れて接触して起こる短絡不良（図７（ｃ）の場
合）が起こる心配もない。

【００３２】半導体チップ８のベース２への実装後に半
導体チップ８とリード３との間にワイヤ配線１２がボン
ディングされた後、半導体チップ８は樹脂をモールドす
ることにより封止される。すなわち、チップ実装後のリ
ードフレーム１は金型にセットされ、金型に樹脂が充填
されることにより半導体チップ８は封止される。そし
て、金型から取り出された樹脂封止後のリードフレーム
１を各半導体装置７毎に切り離した後、タイバー４が切
断され、さらに本体１０から出たリード３の形状がフォ
ーミング（整形）され、半導体装置７（ＩＣパッケー
ジ）が完成する。

【００３３】半導体装置７の使用中、ベース２はグラン
ドとして機能し、ベース２中を電流が流れる。ベース２
には溝９が形成されているが、この溝９は曲げ加工によ
り形成されたもので、溝におけるベース２の断面積は他
の部分と同じ程度（但し、プレス成形時に多少圧延され
るが）確保されている。そのため、電流の流路が溝９の
部分にて狭められることがなく十分確保される。例え
ば、電流流路が狭められると、信号遅れや発熱を誘発す
る恐れがあるが、本実施形態の半導体装置７によれば、
そのような心配はない。

【００３４】また、半導体チップ８で発熱した熱の一部
はベース２へ逃げる。このとき溝９によりベース２の断
面積が狭められていないことから、熱の拡散が溝９の部
分で抑えられることがないため放熱特性も良好となる。
なお、ダイボンド剤１１として半田（半田ペースト等）
が使用された場合は、加熱溶融時に流れ出た余分なダイ
ボンド剤１１が同様に溝９に流れ込むことで、隣の半導
体チップ８にダイボンド剤１１が付着することが回避さ
れる。

【００３５】以上詳述したように本実施形態によれば、
以下に示す効果を得る。 （ａ）ベース２の各実装領域の境界部に曲げ加工による
溝９を形成し、隣の実装領域に向かって流れ出たダイボ
ンド剤１１を溝９に溜めることで、それ以上流れ出るこ
とを阻止し、隣の半導体チップ８に付着することを防止
した。そのため、ダイボンド剤１１の塗布量のばらつき
により多目にダイボンド剤１１が塗布されたことに起因
する、半導体チップ８の傾斜状態での実装や、半導体チ
ップ８の表面へのダイボンド剤１１のはい上がりによる
汚れが原因で起こるワイヤ配線１２の接続不良（断線不
良）や、絶縁すべき半導体チップ８に隣から流れてきた
導電性のダイボンド剤１１が接触して起こる短絡不良等
の不具合の発生を低減できる。

【００３６】しかも、溝９をベース２の断面積が狭めら
れることがないように曲げ加工にて形成したため、製造
された半導体装置７において、ベース２を流れる電流の
流路を十分確保できるとともに、熱の拡散も損なわれず
良好な放熱特性を得ることができる。

【００３７】（ｂ）金型を用いてベース２を押し下げ加
工するためのプレス成形工程で、一緒に溝９を曲げ加工
するようにしたので、溝９を曲げ加工するためだけの工
程が余分に増えることなく、金型の設計変更だけで済ま
せることができる。

【００３８】（ｃ）溝９を曲げ加工にて形成するように
したため、必要に応じて溝９を簡単に後加工できる。 （ｄ）ダイボンド剤１１が隣の実装領域に流れ難くなる
ため、さらに半導体チップ８の実装間隔を狭く設計する
ことができ、ひいては半導体装置７の小型化を図ること
ができる。

【００３９】尚、本発明は上記実施例に限定されるもの
ではなく、発明の趣旨を逸脱しない範囲で例えば次のよ
うに変更することができる。 （１）図５に示すように、ベース２を曲げ加工して液止
部としての突起１３を設けてもよい。隣の実装領域に流
れ出たダイボンド剤が突起１３により堰止められること
で、ダイボンド剤１１が隣の実装領域に流れることを阻
止できる。よって、余分なダイボンド剤１１が隣の半導
体チップ８に付着して起こる接続不良（断線不良）や短
絡不良等の不具合を防止できる。また、曲げ加工で突起
１３を形成しているため、必要に応じて突起１３を後加
工できる。また、突起１３を形成したことでベース２の
断面積が他の部分より狭くなることはないので、ベース
２を流れる電流の流路及び放熱性を十分確保できる。

【００４０】（２）溝９や突起１３は曲げ加工でなくて
もよい。例えば鋳込み成形により折れ曲げ形状に溝や突
起を形成してもよい。 （３）リードフレーム１を打ち抜き形成する場合に、打
ち抜き金型の成形面を溝や突起を曲げ加工可能な形状に
製造し、打ち抜き工程で溝や突起を曲げ加工させてもよ
い。この構成によれば、ベース２の押し下げ加工をしな
い場合でも、溝や突起を形成するだけのための余分な工
程を増やさずに済む。

【００４１】（４）液止部は溝や突起だけの形状に限定
されない。例えば突起の両側または片側に溝を形成した
折り曲げ構造を採用してもよい。この構成によれば、ダ
イボンド剤１１を溝に溜めることと、突起で堰止めるこ
との２重の作用により、さらに多量のダイボンド剤を隣
の実装領域に流れ出さないように吸収できる。従って、
半導体装置７のさらなる小型化の実現が可能となる。

【００４２】（５）液止部は溝や突起に限定されない。
例えば実装領域の境界線に沿って溝と突起が交互に形成
された構成としてもよい。 （６）溝や突起等の液止部を形成するだけのための工程
を一つ増やしたリードフレームの製造方法を採用しても
よい。

【００４３】（７）図１及び図５の構成では、ベース５
の両端を横切って溝９や突起１３を形成したが、ベース
２の幅方向に横切らず溝や突起等の液止部を必要な長さ
だけ形成した構成としてもよい。液止部は、隣の実装領
域にダイボンド剤が流れ出ないように阻止できればよ
い。例えば前記実施形態のようにベース２を横切った溝
であると、溝に流れ込んだダイボンド剤１１がベース２
の両端から流れ出す心配があるが、溝をベースの両端に
横切らせなければベース２の両端からダイボンド剤が流
れ出すことを抑えることができる。

【００４４】（８）リードフレーム１は複数個取りに限
定されない。１個取りのリードフレームに本発明を適用
してもよい。リードフレームが１個取りであっても同様
の効果を得ることができる。

【００４５】（９）ベースに実装される半導体チップの
個数は２個に限定されない。例えば３個以上の半導体チ
ップを同一ベース上に実装する構成のリードフレームに
本発明を適用することができる。例えばベース上に４個
の半導体チップを実装する場合、溝や突起等の液止部を
各実装領域の境界部に十字状に形成するようにベースを
折り曲げた構造とすればよい。

【００４６】（１０）溝や突起等の液止部を各実装領域
の境界だけでなく、各実装領域を囲むような形状に設け
てもよい。 （１１）リードフレームは樹脂封止される半導体装置用
のものに限定されない。例えばセラミックパッケージに
封止させるタイプの半導体装置用のリードフレームに本
発明を適用してもよい。

【００４７】前記実施例から把握され、特許請求の範囲
に記載されていない発明を、その効果とともに以下に記
載する。 （イ）請求項１〜請求項３のいずれか一項に記載の発明
において、前記液止部は曲げ加工により形成されてい
る。この構成によれば、リードフレームに液止部を簡単
に後加工できる。

【００４８】（ロ）請求項１〜請求項３のいずれか一項
に記載の発明において、前記リードフレームは、前記基
板部と前記リード部とが複数組一体形成されている複数
個取りである。この構成によれば、一度に複数組の曲げ
加工ができる。

【００４９】

【発明の効果】以上詳述したように請求項１に記載の発
明によれば、各半導体チップを基板部上に接着するため
の接着剤が隣の実装領域に流れることを防ぐための液止
部を形成するように基板部を折曲げているため、余分な
接着剤が隣の半導体チップに付着することを液止部によ
り防止でき、しかも液止部において基板部を流れる電流
の流路や放熱性が阻害されることを回避できる。また、
液止部は曲げ加工により簡単に後加工できる。

【００５０】請求項２に記載の発明によれば、液止部
は、各半導体チップの実装領域の境界部を折曲げて形成
された溝であるため、余分な接着剤が溝に流れ込んで溜
まることにより、余分な接着剤が隣の半導体チップに付
着することを防止でき、しかも基板部を流れる電流の流
路や放熱性も確保できる。

【００５１】請求項３に記載の発明によれば、液止部
は、各半導体チップの実装領域の境界部を折曲げて形成
された突起であるため、余分な接着剤が突起にて堰止め
られることにより、余分な接着剤が隣の半導体チップに
付着することを防止でき、しかも基板部を流れる電流の
流路や放熱性を確保できる。

【００５２】請求項４に記載の発明によれば、基板部を
リードより厚み方向に変位させるプレス加工により液止
部は曲げ形成されているため、リードフレームの加工工
程を増やさずに液止部を形成することができる。

【００５３】請求項５に記載の発明によれば、半導体装
置は、請求項１〜請求項４のいずれか一項に記載のリー
ドフレームから製造されているため、電流流路の断面積
や放熱性を損なうことなく、接着剤が隣の半導体チップ
に付着することに起因する短絡不良や絶縁不良を低減す
ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】半導体チップ実装後のリードフレームの部分斜
視図。

【図２】ベースの部分側断面図。

【図３】(a) はリードフレームの部分平面図、(b) は同
じく部分側面図。

【図４】半導体装置の斜視図。

【図５】別例のリードフレームの部分斜視図。

【図６】従来技術におけるリードフレームの部分斜視
図。

【図７】同じく半導体チップの接着状態を示す側面図。

【図８】同じくリードフレームの部分斜視図。

【図９】同じく半導体容器の側断面図。

【符号の説明】

１…リードフレーム、２…基板部としてのベース、３…
リード、７…半導体装置、８…半導体チップ、９…液止
部としての溝、１１…接着剤としてのダイボンド剤、１
３…液止部としての突起。

Claims (5)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数の半導体チップを実装可能な基板部
   と、該基板部に実装された半導体チップと配線されるリ
   ードとが一体に形成されたリードフレームにおいて、 前記基板部は、各半導体チップを該基板部上に接着する
   ための接着剤が隣の半導体チップの実装領域に流れるこ
   とを防ぐための液止部を形成するように折曲げられてい
   るリードフレーム。
2. 【請求項２】 前記液止部は、各半導体チップの実装領
   域の境界部を折曲げて形成された溝である請求項１に記
   載のリードフレーム。
3. 【請求項３】 前記液止部は、各半導体チップの実装領
   域の境界部を折曲げて形成された突起である請求項１に
   記載のリードフレーム。
4. 【請求項４】 前記基板部はプレス加工により前記リー
   ドより厚み方向に変位しており、前記液止部は該プレス
   加工により曲げ形成されている請求項１〜請求項３のい
   ずれか一項に記載のリードフレーム。
5. 【請求項５】 請求項１〜請求項４のいずれか一項に記
   載の前記リードフレームに半導体チップを実装して製造
   された半導体装置。