JPH09283696A - 半導体混載実装方法 - Google Patents
半導体混載実装方法Info
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- JPH09283696A JPH09283696A JP8092357A JP9235796A JPH09283696A JP H09283696 A JPH09283696 A JP H09283696A JP 8092357 A JP8092357 A JP 8092357A JP 9235796 A JP9235796 A JP 9235796A JP H09283696 A JPH09283696 A JP H09283696A
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- substrate
- tab
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- module substrate
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- H10W90/721—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bump connectors
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Landscapes
- Wire Bonding (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 安価な基板を用いても接合不良を起こすこと
なく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃わない場合
にもＭＣＭ化することのできる半導体混載実装方法を提
供する。 【解決手段】 ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを絶縁性接着剤
３を介して接着し、上記ベアＩＣ１をフェースダウンで
封止樹脂７を介してモジュール基板６にフリップチップ
実装し、上記ＴＡＢ２のアウタリード８を上記モジュー
ル基板６に実装する。
なく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃わない場合
にもＭＣＭ化することのできる半導体混載実装方法を提
供する。 【解決手段】 ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを絶縁性接着剤
３を介して接着し、上記ベアＩＣ１をフェースダウンで
封止樹脂７を介してモジュール基板６にフリップチップ
実装し、上記ＴＡＢ２のアウタリード８を上記モジュー
ル基板６に実装する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体ＩＣの実装
に関し、特に複数のＩＣをモジュール化して実装するマ
ルチチップモジュール（以下、ＭＣＭという）に使用す
る半導体混載実装方法に関するものである。
に関し、特に複数のＩＣをモジュール化して実装するマ
ルチチップモジュール（以下、ＭＣＭという）に使用す
る半導体混載実装方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図３は、従来の半導体混載実装方法によ
り実装されたＭＣＭの上面図を示しており、図４は、従
来の半導体混載実装方法により実装されたＭＣＭの樹脂
封止後の側面図である。
り実装されたＭＣＭの上面図を示しており、図４は、従
来の半導体混載実装方法により実装されたＭＣＭの樹脂
封止後の側面図である。
【０００３】図３及び図４において、複数のＩＣ３１は
モジュール基板３２にそれぞれ実装され、金（Ａｕ）線
等のワイヤー３３によりワイヤーボンディングした後
に、封止樹脂３４により封止されＭＣＭとして完成す
る。その後に、他の部品とともにＭＣＭは、ハンダ３５
等によりマザー基板３６に接合される。
モジュール基板３２にそれぞれ実装され、金（Ａｕ）線
等のワイヤー３３によりワイヤーボンディングした後
に、封止樹脂３４により封止されＭＣＭとして完成す
る。その後に、他の部品とともにＭＣＭは、ハンダ３５
等によりマザー基板３６に接合される。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の半導体混載実装方法では、ＩＣの数が増加した場
合、モジュール基板の面積が大きくなるにしたがい、モ
ジュール基板の反りが大きくなり、モジュール基板とマ
ザー基板との接合部に短絡あるいは未接合などの接合不
良が発生するという問題があった。
来の半導体混載実装方法では、ＩＣの数が増加した場
合、モジュール基板の面積が大きくなるにしたがい、モ
ジュール基板の反りが大きくなり、モジュール基板とマ
ザー基板との接合部に短絡あるいは未接合などの接合不
良が発生するという問題があった。
【０００５】また、ＩＣにワイヤーボンディング法を用
いた場合には樹脂封止を行うため、モジュール基板の面
積が大きくなって封止する樹脂量が増加すると、封止樹
脂とモジュール基板との熱膨脹係数の違いからモジュー
ル基板の反りがさらに大きくなり接合不良の原因となる
ものであった。
いた場合には樹脂封止を行うため、モジュール基板の面
積が大きくなって封止する樹脂量が増加すると、封止樹
脂とモジュール基板との熱膨脹係数の違いからモジュー
ル基板の反りがさらに大きくなり接合不良の原因となる
ものであった。
【０００６】さらに、品質保証されたベアＩＣ（以下、
ＫＧＤ（Known Good Die）という）が入手困難な場合
に、モジュール化したい全てのＩＣがＫＧＤで存在しな
いために、ＭＣＭ化できない場合が多く発生していた。
ＫＧＤ（Known Good Die）という）が入手困難な場合
に、モジュール化したい全てのＩＣがＫＧＤで存在しな
いために、ＭＣＭ化できない場合が多く発生していた。
【０００７】本発明は、上記従来の問題点を解決するも
のであり、安価な基板を用いても接合不良を起こすこと
なく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃わない場合
にもＭＣＭ化することのできる半導体混載実装方法を提
供することを目的とするものである。
のであり、安価な基板を用いても接合不良を起こすこと
なく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃わない場合
にもＭＣＭ化することのできる半導体混載実装方法を提
供することを目的とするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、ベアＩＣとＴＡＢとを絶縁性接着剤を介
して接着し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂
を介して基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡＢのア
ウタリードを上記基板に実装するようにしたものであ
る。
成するために、ベアＩＣとＴＡＢとを絶縁性接着剤を介
して接着し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂
を介して基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡＢのア
ウタリードを上記基板に実装するようにしたものであ
る。
【０００９】以上により、安価な基板を用いても接合不
良を起こすことなく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤ
が揃わない場合にも、ＭＣＭ化することのできるもので
ある。
良を起こすことなく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤ
が揃わない場合にも、ＭＣＭ化することのできるもので
ある。
【００１０】
【発明の実施の形態】本発明の請求項１に記載の発明
は、ベアＩＣとＴＡＢとを絶縁性接着剤を介して接着
し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂を介して
基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡＢのアウタリー
ドを上記基板に実装するものであり、基板の大きさを小
型化することができ、安価な基板を用いても接合不良を
起こすことなく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃
わない場合にも、ＭＣＭ化することのできる作用を有す
る。
は、ベアＩＣとＴＡＢとを絶縁性接着剤を介して接着
し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂を介して
基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡＢのアウタリー
ドを上記基板に実装するものであり、基板の大きさを小
型化することができ、安価な基板を用いても接合不良を
起こすことなく、モジュール化したいＩＣのＫＧＤが揃
わない場合にも、ＭＣＭ化することのできる作用を有す
る。
【００１１】また、請求項２に記載の発明は、請求項１
に記載の発明で、ベアＩＣとＴＡＢをコンパクトパッケ
ージ化したものであり、モジュール基板の面積を小さく
でき、基板の反りを少なくし接合不良を防止できる。
に記載の発明で、ベアＩＣとＴＡＢをコンパクトパッケ
ージ化したものであり、モジュール基板の面積を小さく
でき、基板の反りを少なくし接合不良を防止できる。
【００１２】また、請求項３に記載の発明は、ベアＩＣ
とＴＡＢとを放熱性の高い干渉材を介して積層し、上記
ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂を介して基板にフ
リップチップ実装し、上記ＴＡＢのアウタリードを上記
基板に実装するものであり、モジュール基板の面積を小
さくでき、基板の反りを少なくし接合不良を防止でき
る。
とＴＡＢとを放熱性の高い干渉材を介して積層し、上記
ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂を介して基板にフ
リップチップ実装し、上記ＴＡＢのアウタリードを上記
基板に実装するものであり、モジュール基板の面積を小
さくでき、基板の反りを少なくし接合不良を防止でき
る。
【００１３】また、請求項４に記載の発明は、請求項３
に記載の発明で、ベアＩＣとＴＡＢをコンパクトパッケ
ージ化したものであり、モジュール基板の面積を小さく
でき、基板の反りを少なくし接合不良を防止できる。
に記載の発明で、ベアＩＣとＴＡＢをコンパクトパッケ
ージ化したものであり、モジュール基板の面積を小さく
でき、基板の反りを少なくし接合不良を防止できる。
【００１４】以下、本発明の実施の形態について、図１
〜図２とともに説明する。 （実施の形態１）図１および図２は、本発明の実施の形
態におけるベアＩＣとＴＡＢとによる半導体混載実装方
法を示す側断面図および上面図である。図１および図２
において、１はベアＩＣ、２はＴＡＢであり、それぞれ
絶縁性接着剤３を介して接合されている。４はバンプで
あり、このバンプ４により導電性接着剤５を介してベア
ＩＣ１およびモジュール基板６が接続される。７はベア
ＩＣ１をモジュール基板６上に封止する封止樹脂であ
る。８はアウタリードであり、このアウタリード８はＴ
ＡＢ２とモジュール基板６とを接続するものである。
〜図２とともに説明する。 （実施の形態１）図１および図２は、本発明の実施の形
態におけるベアＩＣとＴＡＢとによる半導体混載実装方
法を示す側断面図および上面図である。図１および図２
において、１はベアＩＣ、２はＴＡＢであり、それぞれ
絶縁性接着剤３を介して接合されている。４はバンプで
あり、このバンプ４により導電性接着剤５を介してベア
ＩＣ１およびモジュール基板６が接続される。７はベア
ＩＣ１をモジュール基板６上に封止する封止樹脂であ
る。８はアウタリードであり、このアウタリード８はＴ
ＡＢ２とモジュール基板６とを接続するものである。
【００１５】次に、上記実施の形態における実装方法に
ついて説明する。まず、ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを絶縁
性接着剤３を介して接着固定する。次に、一体化したベ
アＩＣ１をフェースダウンでバンプ４を形成し、導電性
接着剤５で仮接合した後、ベアＩＣ１とモジュール基板
６との間を封止樹脂７にて封止する（これをＦＣ実装と
いう）。その後、ＴＡＢ２とモジュール基板６とをアウ
タリード８にて接合する。
ついて説明する。まず、ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを絶縁
性接着剤３を介して接着固定する。次に、一体化したベ
アＩＣ１をフェースダウンでバンプ４を形成し、導電性
接着剤５で仮接合した後、ベアＩＣ１とモジュール基板
６との間を封止樹脂７にて封止する（これをＦＣ実装と
いう）。その後、ＴＡＢ２とモジュール基板６とをアウ
タリード８にて接合する。
【００１６】上記実施の形態によれば、以下に示すよう
な利点を有するものである。 （１）ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを積層した構成であるた
めに、実装面積が半減し、モジュール基板６を小さくす
ることができ、モジュール基板６全体の反りが小さくな
り、マザー基板への接合部での短絡や接合不良等を回避
することができる。
な利点を有するものである。 （１）ベアＩＣ１とＴＡＢ２とを積層した構成であるた
めに、実装面積が半減し、モジュール基板６を小さくす
ることができ、モジュール基板６全体の反りが小さくな
り、マザー基板への接合部での短絡や接合不良等を回避
することができる。
【００１７】（２）ベアＩＣをフェースダウンしてバン
プを形成し、ベアＩＣ１とモジュール基板との間を封止
樹脂にて封止（ＦＣ実装）しているため、ベアＩＣをワ
イヤーボンディングにより実装する従来方法に比べて、
ワイヤー部分に封止樹脂を上部から山状に覆う必要がな
く、封止樹脂とモジュール基板との線膨脹係数の差が原
因で生じる基板の反りも少なくなり、これにより、マザ
ー基板への接合部での短絡や接合不良等を確実に回避で
きる。
プを形成し、ベアＩＣ１とモジュール基板との間を封止
樹脂にて封止（ＦＣ実装）しているため、ベアＩＣをワ
イヤーボンディングにより実装する従来方法に比べて、
ワイヤー部分に封止樹脂を上部から山状に覆う必要がな
く、封止樹脂とモジュール基板との線膨脹係数の差が原
因で生じる基板の反りも少なくなり、これにより、マザ
ー基板への接合部での短絡や接合不良等を確実に回避で
きる。
【００１８】（３）モジュール化したいベアＩＣのＫＧ
Ｄが揃わない場合にも、ＴＡＢで置き換えることによ
り、全てのＩＣに対してＫＧＤを使用することなく、Ｍ
ＣＭ化することが可能となる。
Ｄが揃わない場合にも、ＴＡＢで置き換えることによ
り、全てのＩＣに対してＫＧＤを使用することなく、Ｍ
ＣＭ化することが可能となる。
【００１９】なお、上記実施の形態では、一方をベアＩ
Ｃで構成した例で説明したが、ベアＩＣに予めバンプを
メッキ等で形成し、コンパクトパッケージ化した構成の
ものを使用した場合にも同様の効果が得られるものであ
る。
Ｃで構成した例で説明したが、ベアＩＣに予めバンプを
メッキ等で形成し、コンパクトパッケージ化した構成の
ものを使用した場合にも同様の効果が得られるものであ
る。
【００２０】また、上記実施の形態では、ベアＩＣ１と
ＴＡＢ２とを絶縁性接着剤３により接合固定した構成で
あるが、絶縁性接着剤３の代わりに、放熱性の高い物
質、あるいはベアＩＣ１とＴＡＢ２とを干渉を防ぐ材料
に置き換えた場合にも、上記実施の形態と同様の効果が
得られるものである。
ＴＡＢ２とを絶縁性接着剤３により接合固定した構成で
あるが、絶縁性接着剤３の代わりに、放熱性の高い物
質、あるいはベアＩＣ１とＴＡＢ２とを干渉を防ぐ材料
に置き換えた場合にも、上記実施の形態と同様の効果が
得られるものである。
【００２１】
【発明の効果】以上のように本発明は、ベアＩＣとＴＡ
Ｂとを絶縁性接着剤を介して接着し、上記ベアＩＣをフ
ェースダウンで封止樹脂を介して基板にフリップチップ
実装し、上記ＴＡＢのアウタリードを上記基板に実装し
たものであり、以下のような効果を有するものである。
Ｂとを絶縁性接着剤を介して接着し、上記ベアＩＣをフ
ェースダウンで封止樹脂を介して基板にフリップチップ
実装し、上記ＴＡＢのアウタリードを上記基板に実装し
たものであり、以下のような効果を有するものである。
【００２２】ベアＩＣとＴＡＢとを積層した構成である
ため、従来のように横並べに実装した場合に比べて実装
面積が半減しモジュール基板を小さくすることができ、
高密度実装が可能となると共に、モジュール基板の反り
が小さくなり、接合不良を回避することができる。
ため、従来のように横並べに実装した場合に比べて実装
面積が半減しモジュール基板を小さくすることができ、
高密度実装が可能となると共に、モジュール基板の反り
が小さくなり、接合不良を回避することができる。
【００２３】また、ベアＩＣをフェースダウンしてバン
プを形成し、ベアＩＣとモジュール基板との間を封止樹
脂にて封止（ＦＣ実装）しているため、ベアＩＣをワイ
ヤーボンディングにより実装する従来方法に比べて、ワ
イヤー部分に封止樹脂を上部から山状に覆う必要がな
く、封止樹脂とモジュール基板との線膨脹係数の差が原
因で生じる基板の反りも少なくなり、マザー基板への接
合部での短絡や接合不良等を確実に回避できる。
プを形成し、ベアＩＣとモジュール基板との間を封止樹
脂にて封止（ＦＣ実装）しているため、ベアＩＣをワイ
ヤーボンディングにより実装する従来方法に比べて、ワ
イヤー部分に封止樹脂を上部から山状に覆う必要がな
く、封止樹脂とモジュール基板との線膨脹係数の差が原
因で生じる基板の反りも少なくなり、マザー基板への接
合部での短絡や接合不良等を確実に回避できる。
【００２４】さらに、モジュール化したいベアＩＣのＫ
ＧＤが揃わない場合にも、ＴＡＢで置き換えることによ
り、ＭＣＭ化することが可能となる。
ＧＤが揃わない場合にも、ＴＡＢで置き換えることによ
り、ＭＣＭ化することが可能となる。
【図１】本発明の実施の形態における半導体混載実装方
法を示す側断面図
法を示す側断面図
【図２】同実施の形態の半導体混載実装方法を示す上面
図
図
【図３】従来の半導体混載実装方法を示す上面図
【図４】従来の半導体混載実装方法を示す側断面図
１ ベアＩＣ ２ ＴＡＢ ３ 絶縁性接着剤 ４ バンプ ５ 導電性接着剤 ６ モジュール基板 ７ 封止樹脂 ８ アウタリード
Claims (4)
- 【請求項１】 ベアＩＣとＴＡＢとを絶縁性接着剤を介
して接着し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封止樹脂
を介して基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡＢのア
ウタリードを上記基板に実装する半導体混載実装方法。 - 【請求項２】 ベアＩＣとＴＡＢとがコンパクトパッケ
イージ化したことを特徴とする請求項１記載の半導体混
載実装方法。 - 【請求項３】 ベアＩＣとＴＡＢとを放熱性の高い干渉
材を介して積層し、上記ベアＩＣをフェースダウンで封
止樹脂を介して基板にフリップチップ実装し、上記ＴＡ
Ｂのアウタリードを上記基板に実装する半導体混載実装
方法。 - 【請求項４】 ベアＩＣとＴＡＢとがコンパクトパッケ
イージ化したことを特徴とする請求項３記載の半導体混
載実装方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092357A JPH09283696A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 半導体混載実装方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8092357A JPH09283696A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 半導体混載実装方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283696A true JPH09283696A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=14052159
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8092357A Pending JPH09283696A (ja) | 1996-04-15 | 1996-04-15 | 半導体混載実装方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283696A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100281115B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2001-02-01 | 김영환 | 멀티칩모듈 |
| WO2001037332A1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Indian Space Research Organisation | A high density hybrid integrated circuit package having a flip-con structure |
| KR20020016278A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 듀흐 마리 에스. | 플립 칩 기술 공정에서 개량된 칩 실장 방법 |
-
1996
- 1996-04-15 JP JP8092357A patent/JPH09283696A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100281115B1 (ko) * | 1998-05-12 | 2001-02-01 | 김영환 | 멀티칩모듈 |
| WO2001037332A1 (en) * | 1999-11-16 | 2001-05-25 | Indian Space Research Organisation | A high density hybrid integrated circuit package having a flip-con structure |
| KR20020016278A (ko) * | 2000-08-25 | 2002-03-04 | 듀흐 마리 에스. | 플립 칩 기술 공정에서 개량된 칩 실장 방법 |
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