JPH09283781A - 光起電力装置 - Google Patents
光起電力装置Info
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- JPH09283781A JPH09283781A JP8086550A JP8655096A JPH09283781A JP H09283781 A JPH09283781 A JP H09283781A JP 8086550 A JP8086550 A JP 8086550A JP 8655096 A JP8655096 A JP 8655096A JP H09283781 A JPH09283781 A JP H09283781A
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-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
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- Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
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- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】光起電力装置の有効面積を減少させることのな
い集電極構造を提供する。 【解決手段】 光起電力装置の光入射面に形成されるバ
ス電極３は、滞留部３Ａ”を有する半田付着部３Ａ上に
半田層３Ｂが形成されてなる。この時半田付着部３Ａが
滞留部３Ａ”を有しているので、半田付着部３Ａ上にの
った余剰の半田は滞留部３Ａ”に滞留することとなる。
従って、余剰の半田垂れ領域が形成されることがなく、
有効面積の減少を抑制することができる。
い集電極構造を提供する。 【解決手段】 光起電力装置の光入射面に形成されるバ
ス電極３は、滞留部３Ａ”を有する半田付着部３Ａ上に
半田層３Ｂが形成されてなる。この時半田付着部３Ａが
滞留部３Ａ”を有しているので、半田付着部３Ａ上にの
った余剰の半田は滞留部３Ａ”に滞留することとなる。
従って、余剰の半田垂れ領域が形成されることがなく、
有効面積の減少を抑制することができる。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、光入射側に集電極
を備えた光起電力装置に関するものであり、特に集電極
による有効面積の減少を抑制する技術に関するものであ
る。
を備えた光起電力装置に関するものであり、特に集電極
による有効面積の減少を抑制する技術に関するものであ
る。
【０００２】
【従来の技術】太陽電池はクリーンで非枯渇のエネルギ
ー源であることから、石油、石炭等の化石燃料に替わる
将来のエネルギー源として期待されている。斯かる太陽
電池用の材料としては、単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン等の結晶系シリコン半導体材料が一般に用いられてい
る。そして、斯かる結晶系シリコン半導体材料を用いた
光起電力装置にあっては、その光入射面に櫛型状の集電
極が設けられている。
ー源であることから、石油、石炭等の化石燃料に替わる
将来のエネルギー源として期待されている。斯かる太陽
電池用の材料としては、単結晶シリコンや多結晶シリコ
ン等の結晶系シリコン半導体材料が一般に用いられてい
る。そして、斯かる結晶系シリコン半導体材料を用いた
光起電力装置にあっては、その光入射面に櫛型状の集電
極が設けられている。
【０００３】斯かる集電極は、一般に、光入射によって
半導体層中に生成された光キャリアを収集するための複
数本の細いフィンガ電極と、収集されたキャリアを外部
に取り出すためのバス電極と、から構成されている。
半導体層中に生成された光キャリアを収集するための複
数本の細いフィンガ電極と、収集されたキャリアを外部
に取り出すためのバス電極と、から構成されている。
【０００４】図３は斯かる従来の光起電力装置の素子構
造図であり、同図（Ａ）は光入射側からみた平面図、同
図（Ｂ）は図（Ａ）中Ａ−Ａで示した箇所の断面図であ
る。
造図であり、同図（Ａ）は光入射側からみた平面図、同
図（Ｂ）は図（Ａ）中Ａ−Ａで示した箇所の断面図であ
る。
【０００５】図３（Ａ）において、１は単結晶シリコン
からなる光電変換層であり、層面に平行にｐｎ接合が形
成されている。また２…は、前記光電変換層１で発生し
た光キャリアを収集するための複数本のフィンガ電極で
あり、３、３は前記フィンガ電極２…で収集した光キャ
リアを収集するためのバス電極である。
からなる光電変換層であり、層面に平行にｐｎ接合が形
成されている。また２…は、前記光電変換層１で発生し
た光キャリアを収集するための複数本のフィンガ電極で
あり、３、３は前記フィンガ電極２…で収集した光キャ
リアを収集するためのバス電極である。
【０００６】さらに、同図（Ｂ）を参照して、前記フィ
ンガ電極２…及びバス電極３、３は、前記光電変換層１
の光入射側に設けられた、銀や銅等の金属ペーストから
なる半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａと、該付着部上に
形成された半田層２Ｂ…及び３Ｂ、３Ｂとから構成され
ている。尚、図示はしないが、光入射面での光の反射を
抑制するために、ＴｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4或いはＩＴＯ等か
らなる反射防止膜が前記光電変換層上或いは前記半田層
上に適宜設けられる。
ンガ電極２…及びバス電極３、３は、前記光電変換層１
の光入射側に設けられた、銀や銅等の金属ペーストから
なる半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａと、該付着部上に
形成された半田層２Ｂ…及び３Ｂ、３Ｂとから構成され
ている。尚、図示はしないが、光入射面での光の反射を
抑制するために、ＴｉＯ2，Ｓｉ3Ｎ4或いはＩＴＯ等か
らなる反射防止膜が前記光電変換層上或いは前記半田層
上に適宜設けられる。
【０００７】図４は、斯かる従来の光起電力素子におい
て、半田層を形成する工程を説明するための概略説明図
である。
て、半田層を形成する工程を説明するための概略説明図
である。
【０００８】同図を参照して、光電変換層１の光入射面
には半田付着部２Ａ…、３Ａ、３Ａが形成されている。
これら半田付着部は、銀ペーストや銅ペーストを用いて
通常のスクリーン印刷法により形成することができる。
には半田付着部２Ａ…、３Ａ、３Ａが形成されている。
これら半田付着部は、銀ペーストや銅ペーストを用いて
通常のスクリーン印刷法により形成することができる。
【０００９】そして、前記半田付着部２Ａ…及び３Ａ、
３Ａが形成された光電変換層１を、溶融半田が満たされ
た半田浴１０に浸漬し、矢印１１の方向に動かし引き上
げることにより前記半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａ上
に半田層２Ｂ…及び３Ｂ、３Ｂを形成する。即ち、半田
は光電変換層１に対して濡れ性が悪いため、半田層は半
田付着部上にのみ選択的に形成されることとなる。
３Ａが形成された光電変換層１を、溶融半田が満たされ
た半田浴１０に浸漬し、矢印１１の方向に動かし引き上
げることにより前記半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａ上
に半田層２Ｂ…及び３Ｂ、３Ｂを形成する。即ち、半田
は光電変換層１に対して濡れ性が悪いため、半田層は半
田付着部上にのみ選択的に形成されることとなる。
【００１０】
【発明が解決しようとする課題】然し乍ら、図３に示す
如く、従来の集電極にあってはバス電極３における半田
付着部３Ａ、３Ａの線幅が１〜１．５ｍｍと太いためこ
の上に溶融半田がのりやすく、このうち余剰の溶融半田
はフィンガ電極間に流れ、フィンガ電極間での表面張力
により余剰の半田垂れ領域３Ｅが形成される、という課
題があった。そして、この半田垂れ領域３Ｅは光電変換
層１の受光面積を減少させることとなり、光起電力装置
の光電変換効率を低下させていた。
如く、従来の集電極にあってはバス電極３における半田
付着部３Ａ、３Ａの線幅が１〜１．５ｍｍと太いためこ
の上に溶融半田がのりやすく、このうち余剰の溶融半田
はフィンガ電極間に流れ、フィンガ電極間での表面張力
により余剰の半田垂れ領域３Ｅが形成される、という課
題があった。そして、この半田垂れ領域３Ｅは光電変換
層１の受光面積を減少させることとなり、光起電力装置
の光電変換効率を低下させていた。
【００１１】
【課題を解決するための手段】本発明は、斯かる課題を
解決するために、光電変換層の光入射側に、該光電変換
層で発生した光キャリアを収集するための複数本のフィ
ンガ電極と、該複数本のフィンガ電極で収集された前記
光キャリアを外部に取り出すためのバス電極と、を備え
た光起電力装置であって、前記バス電極が、滞留部を有
する半田付着部と、該半田付着部に付着した半田層と、
からなることを特徴とする。
解決するために、光電変換層の光入射側に、該光電変換
層で発生した光キャリアを収集するための複数本のフィ
ンガ電極と、該複数本のフィンガ電極で収集された前記
光キャリアを外部に取り出すためのバス電極と、を備え
た光起電力装置であって、前記バス電極が、滞留部を有
する半田付着部と、該半田付着部に付着した半田層と、
からなることを特徴とする。
【００１２】さらには、前記半田付着部が、互いに近接
して設けられた１対の細線部と、該１対の細線部間に設
けられた滞留部と、からなることを特徴とする。
して設けられた１対の細線部と、該１対の細線部間に設
けられた滞留部と、からなることを特徴とする。
【００１３】
【実施の形態】図１は、本発明光起電力装置の構造を説
明するための平面図であり、半田層が形成される前の状
態の平面図である。尚、同図において図３に示した従来
構造の光起電力装置と同じ機能を有する部分には、同じ
符号を付して表している。
明するための平面図であり、半田層が形成される前の状
態の平面図である。尚、同図において図３に示した従来
構造の光起電力装置と同じ機能を有する部分には、同じ
符号を付して表している。
【００１４】同図において、光電変換層１は、厚さ５０
０μｍのｐ型単結晶シリコンの光入射面に、約９００℃
の温度でリン（Ｐ）を０．５μｍの深さに拡散させるこ
とにより形成されている。
０μｍのｐ型単結晶シリコンの光入射面に、約９００℃
の温度でリン（Ｐ）を０．５μｍの深さに拡散させるこ
とにより形成されている。
【００１５】そして、前記光電変換層１の光入射面には
夫々半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａが形成されてい
る。尚、これら半田付着部は、Ａｌペーストを用いてス
クリーン印刷法により形成した。
夫々半田付着部２Ａ…及び３Ａ、３Ａが形成されてい
る。尚、これら半田付着部は、Ａｌペーストを用いてス
クリーン印刷法により形成した。
【００１６】さらに詳細に説明すると、フィンガ電極２
…における半田付着部２Ａ…は、線幅０．１ｍｍ程度で
あって、夫々のフィンガ電極間は３ｍｍ程度となるよう
形成されている。
…における半田付着部２Ａ…は、線幅０．１ｍｍ程度で
あって、夫々のフィンガ電極間は３ｍｍ程度となるよう
形成されている。
【００１７】そして、バス電極３における半田付着部３
Ａは、線幅が約０．１ｍｍ程度の１対の細線３Ａ’，３
Ａ’を、０．５ｍｍの間隔で互いに近接するように設け
られている。
Ａは、線幅が約０．１ｍｍ程度の１対の細線３Ａ’，３
Ａ’を、０．５ｍｍの間隔で互いに近接するように設け
られている。
【００１８】ここで本発明の特徴は、バス電極３におけ
る半田付着部３Ａが互いに近接して設けられた１対の細
線３Ａ’、３Ａ’からなり、これら１対の細線間に光電
変換層１を露出させて半田の滞留部３Ａ”を設けた点に
ある。
る半田付着部３Ａが互いに近接して設けられた１対の細
線３Ａ’、３Ａ’からなり、これら１対の細線間に光電
変換層１を露出させて半田の滞留部３Ａ”を設けた点に
ある。
【００１９】即ち、本発明光起電力装置におけるバス電
極３の半田付着部３Ａは、従来のように連続体として設
けられたものではなく、その一部が下地となる光電変換
層１を露出させて設けられている。
極３の半田付着部３Ａは、従来のように連続体として設
けられたものではなく、その一部が下地となる光電変換
層１を露出させて設けられている。
【００２０】斯かる半田付着部３Ａを備えた光電変換層
１を半田浴１０内に浸漬し、半田層の形成を行うと、溶
融半田はまず半田付着部３Ａ上、即ち本実施形態にあっ
ては互いに近接して設けられた１対の細線３Ａ’、３
Ａ’上に付着する。ここで、該細線３Ａ’、３Ａ’上に
余分に付着した余剰の溶融半田は、該細線３Ａ’、３
Ａ’が互いに近接して設けられているので、表面張力に
よりこれら細線３Ａ’、３Ａ’間における滞留部３Ａ”
に滞留することとなる。従って、従来の光起電力装置の
ように余剰の半田垂れ領域３Ｅが発生することがなく、
有効面積の低下を抑制することができる。
１を半田浴１０内に浸漬し、半田層の形成を行うと、溶
融半田はまず半田付着部３Ａ上、即ち本実施形態にあっ
ては互いに近接して設けられた１対の細線３Ａ’、３
Ａ’上に付着する。ここで、該細線３Ａ’、３Ａ’上に
余分に付着した余剰の溶融半田は、該細線３Ａ’、３
Ａ’が互いに近接して設けられているので、表面張力に
よりこれら細線３Ａ’、３Ａ’間における滞留部３Ａ”
に滞留することとなる。従って、従来の光起電力装置の
ように余剰の半田垂れ領域３Ｅが発生することがなく、
有効面積の低下を抑制することができる。
【００２１】表１に、本発明を１０ｃｍ角の結晶シリコ
ン太陽電池に適用した場合における有効面積、短絡電流
及び出力電力を、従来構造と比較して示す。
ン太陽電池に適用した場合における有効面積、短絡電流
及び出力電力を、従来構造と比較して示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】表１からわかるように、本発明光起電力装
置では余剰の半田垂れ領域の発生を防止することができ
るため、従来のように有効面積が減少することがなく、
これに伴い短絡電流及び出力電力が向上する。
置では余剰の半田垂れ領域の発生を防止することができ
るため、従来のように有効面積が減少することがなく、
これに伴い短絡電流及び出力電力が向上する。
【００２４】上記の如く、本発明の光起電力装置にあっ
ては、バス電極３における半田付着部３Ａが半田の滞留
部３Ａ”を有しているので、半田層形成工程において該
半田付着部３Ａ上に付着した余剰の半田は表面張力によ
り半田付着部３Ａ中の滞留部３Ａ”に滞留することにな
る。
ては、バス電極３における半田付着部３Ａが半田の滞留
部３Ａ”を有しているので、半田層形成工程において該
半田付着部３Ａ上に付着した余剰の半田は表面張力によ
り半田付着部３Ａ中の滞留部３Ａ”に滞留することにな
る。
【００２５】さらに、本実施形態にあっては、バス電極
３における半田付着部３Ａを互いに近接して設けられた
１対の細線部３Ａ’、３Ａ’と、その間の滞留部３Ａ”
とから構成したので構造が単純であり、形成の際に複雑
なパターンを必要とせず容易に形成できる。
３における半田付着部３Ａを互いに近接して設けられた
１対の細線部３Ａ’、３Ａ’と、その間の滞留部３Ａ”
とから構成したので構造が単純であり、形成の際に複雑
なパターンを必要とせず容易に形成できる。
【００２６】尚、本実施形態にあっては、上記細線部３
Ａ’、３Ａ’を連続した直線状としたが、これに限らず
破線等のように不連続であっても良い。
Ａ’、３Ａ’を連続した直線状としたが、これに限らず
破線等のように不連続であっても良い。
【００２７】また、本実施形態にあってはバス電極３の
数を２本としたが、これに限らず、光起電力装置のサイ
ズに応じて１本から複数本まで適宜定めることができ
る。
数を２本としたが、これに限らず、光起電力装置のサイ
ズに応じて１本から複数本まで適宜定めることができ
る。
【００２８】図２は、本発明光起電力装置における半田
付着部の他の実施形態を示す平面図である。
付着部の他の実施形態を示す平面図である。
【００２９】同図に示すように、本発明光起電力装置に
おける半田付着部は半田の滞留部を有しているものであ
れば良く、種々の形状をとることができる。例えば同図
（Ａ）では、互いに近接して設けられた１対の細線１
０、１０の間に、これらと交差するように第２の細線部
１１…が設けられており、これら第２の細線部１１…間
に滞留部１２…を有している。また同図（Ｂ）において
は、連続した付着部２０の複数箇所に、光電変換層を露
出して滞留部２１…が設けてある。これらの半田付着部
を用いることにより、半田付着部上にのった余剰の溶融
半田は表面張力により滞留部に滞留することとなるので
フィンガ電極を伝って余剰の半田垂れ領域を形成するこ
とがなく、従って光起電力装置の有効面積が低下するこ
とがない。
おける半田付着部は半田の滞留部を有しているものであ
れば良く、種々の形状をとることができる。例えば同図
（Ａ）では、互いに近接して設けられた１対の細線１
０、１０の間に、これらと交差するように第２の細線部
１１…が設けられており、これら第２の細線部１１…間
に滞留部１２…を有している。また同図（Ｂ）において
は、連続した付着部２０の複数箇所に、光電変換層を露
出して滞留部２１…が設けてある。これらの半田付着部
を用いることにより、半田付着部上にのった余剰の溶融
半田は表面張力により滞留部に滞留することとなるので
フィンガ電極を伝って余剰の半田垂れ領域を形成するこ
とがなく、従って光起電力装置の有効面積が低下するこ
とがない。
【００３０】
【発明の効果】以上のように、本発明光起電力装置によ
れば、半導体層の光入射側に余剰の半田垂れ領域が形成
されず、従って有効面積の低下を防止することができ、
光起電力装置の出力電力が向上する。
れば、半導体層の光入射側に余剰の半田垂れ領域が形成
されず、従って有効面積の低下を防止することができ、
光起電力装置の出力電力が向上する。
【図１】本発明の実施形態に係わる光起電力装置の半田
層形成前の平面図である。
層形成前の平面図である。
【図２】本発明光起電力装置のバス電極における半田付
着部の他の実施形態を示す概略平面図である。
着部の他の実施形態を示す概略平面図である。
【図３】従来の光起電力装置の素子構造図である。
【図４】半田層を形成する工程を説明するための概略説
明図である。
明図である。
【符号の従明】 １…光電変換層、２…フィンガ電極、３…バス電極、２
Ａ、３Ａ…半田付着部、２Ｂ、３Ｂ…半田層、３Ａ’…
細線部、３Ａ”…滞留部、１０…半田浴
Ａ、３Ａ…半田付着部、２Ｂ、３Ｂ…半田層、３Ａ’…
細線部、３Ａ”…滞留部、１０…半田浴
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 家永 照彦 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内 (72)発明者 辻本 博信 大阪府守口市京阪本通２丁目５番５号 三 洋電機株式会社内
Claims (2)
- 【請求項１】 光電変換層の光入射側に、該光電変換層
で発生した光キャリアを収集するためのフィンガ電極
と、該フィンガ電極で収集された前記光キャリアを外部
に取り出すためのバス電極と、を備えた光起電力装置で
あって、 前記バス電極が、滞留部を有する半田付着部と、該半田
付着部に付着した半田層と、からなることを特徴とする
光起電力装置。 - 【請求項２】 前記半田付着部が、互いに近接して設け
られた１対の細線部と、該１対の細線部間に設けられた
滞留部と、からなることを特徴とする請求項１記載の光
起電力装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086550A JPH09283781A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 光起電力装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8086550A JPH09283781A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 光起電力装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09283781A true JPH09283781A (ja) | 1997-10-31 |
Family
ID=13890121
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8086550A Pending JPH09283781A (ja) | 1996-04-09 | 1996-04-09 | 光起電力装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09283781A (ja) |
Cited By (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332269A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2007109956A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| WO2007077655A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | 太陽電池 |
| JP2008135655A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル |
| WO2008139787A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| JP2010027778A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2010118704A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| US8440907B2 (en) | 2006-04-14 | 2013-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and solar cell module |
| WO2014069118A1 (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| WO2014083846A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| EP2743991A3 (en) * | 2012-12-17 | 2016-10-12 | Motech Industries Inc. | Solar cell and solar cell module |
-
1996
- 1996-04-09 JP JP8086550A patent/JPH09283781A/ja active Pending
Cited By (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2000332269A (ja) * | 1999-05-19 | 2000-11-30 | Sharp Corp | 太陽電池及びその製造方法 |
| JP2007109956A (ja) * | 2005-10-14 | 2007-04-26 | Sharp Corp | 太陽電池、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| WO2007077655A1 (ja) * | 2005-12-28 | 2007-07-12 | Naoetsu Electronics Co., Ltd. | 太陽電池 |
| US8440907B2 (en) | 2006-04-14 | 2013-05-14 | Sharp Kabushiki Kaisha | Solar cell, solar cell string and solar cell module |
| JP2008135655A (ja) * | 2006-11-29 | 2008-06-12 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール、太陽電池モジュールの製造方法、及び太陽電池セル |
| WO2008139787A1 (ja) * | 2007-05-10 | 2008-11-20 | Sharp Kabushiki Kaisha | 太陽電池、太陽電池の製造方法、太陽電池ストリングおよび太陽電池モジュール |
| JP2010027778A (ja) * | 2008-07-17 | 2010-02-04 | Shin-Etsu Chemical Co Ltd | 太陽電池 |
| JP2010118704A (ja) * | 2010-02-26 | 2010-05-27 | Sanyo Electric Co Ltd | 太陽電池モジュール |
| WO2014069118A1 (ja) * | 2012-11-01 | 2014-05-08 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池及び太陽電池モジュール |
| CN104756259A (zh) * | 2012-11-01 | 2015-07-01 | 信越化学工业株式会社 | 太阳能电池以及太阳能电池模块 |
| KR20150080920A (ko) * | 2012-11-01 | 2015-07-10 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 태양전지 및 태양전지 모듈 |
| JP5954428B2 (ja) * | 2012-11-01 | 2016-07-20 | 信越化学工業株式会社 | 太陽電池の製造方法 |
| US20180175223A1 (en) * | 2012-11-01 | 2018-06-21 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
| KR20200031700A (ko) * | 2012-11-01 | 2020-03-24 | 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 | 태양전지 및 태양전지 모듈 |
| US12183840B2 (en) | 2012-11-01 | 2024-12-31 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Solar cell and solar cell module |
| WO2014083846A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2014-06-05 | 三洋電機株式会社 | 太陽電池 |
| JPWO2014083846A1 (ja) * | 2012-11-30 | 2017-01-05 | パナソニックＩｐマネジメント株式会社 | 太陽電池 |
| US10269992B2 (en) | 2012-11-30 | 2019-04-23 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Solar cell |
| EP2743991A3 (en) * | 2012-12-17 | 2016-10-12 | Motech Industries Inc. | Solar cell and solar cell module |
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