JPH092845A - 導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法 - Google Patents
導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法Info
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- JPH092845A JPH092845A JP17545495A JP17545495A JPH092845A JP H092845 A JPH092845 A JP H092845A JP 17545495 A JP17545495 A JP 17545495A JP 17545495 A JP17545495 A JP 17545495A JP H092845 A JPH092845 A JP H092845A
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Abstract
(57)【要約】
【目的】本発明は、基板の材料が制限されることなく、
導電体薄膜の酸化を抑さえ、接合強度が高く低温にて形
成可能な導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその
形成方法を提供することを目的とするものである。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、基板上に
形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により
接合してなる接合体及びその形成方法において、前記非
晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして含有し
ていることを特徴とするものである。
導電体薄膜の酸化を抑さえ、接合強度が高く低温にて形
成可能な導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその
形成方法を提供することを目的とするものである。 【構成】本発明は上記目的を達成するために、基板上に
形成した導電体薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により
接合してなる接合体及びその形成方法において、前記非
晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして含有し
ていることを特徴とするものである。
Description
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は基板上に形成した導電体
薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接
合体及びその形成方法に関するものである。
薄膜と非晶質絶縁体とを陽極接合により接合してなる接
合体及びその形成方法に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来、ガラスと導電体材料の接合を行う
方法としては、ガラスを高温加熱し液状にして金属に接
着する、あるいは接着剤による接合が用いられてきた。
高温加熱ではガラスを液状になる温度まで加熱する必要
があり、ガラスの原形を留めることができない。接着剤
を用いる方法では、接合体の使用可能温度範囲が低く、
また経時変化等の問題がある。また、これら接着方法で
は接着時の接合寸法精度を保った精密な接合は期待でき
ない。これに対して、陽極接合法では、熱膨張係数の比
較的近い非晶質絶縁体であるナトリウムイオンを可動イ
オンとするガラスと導電体材料を２００〜４００℃と比
較的低温で、数十〜数ｋＶ程度の電圧を印加することに
より接合できるために、上述の問題点が解消される
（Ｇ．Ｗａｌｌｉｓ ｅｔ ａｌ．，“ＦｉｅｌｄＡｓ
ｓｉｓｔｅｄ Ｇｌａｓｓ−Ｍｅｔａｌ Ｓｅａｌｉｎ
ｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎ
ｏ．１０，ｐｐ３９４６−３９４９，１９６９）。導電
体材料とガラスの熱膨張係数差が大きい場合にはガラス
と熱膨張係数の略一致した基板上に成膜した導電体薄膜
を用いることにより接合することが可能である（須田
他、“マロリー接着法による機密シール技術”、東北大
学科学計測研究会報告、第３３巻、第１号、ｐｐｌ６５
〜１７５、１９８４）。導電体薄膜はガラス、半導体、
金属、セラミックス等の様々な基板上に真空蒸着法を用
いることにより形成でき、基板の熱膨張係数と略一致し
たガラスを用いることで導電体薄膜を介してガラスと他
種類の基板との接合体を形成することが可能となる。こ
れにより、導電体薄膜とガラスとの陽極接合を行い、ガ
ス封入、真空管、マイクロメカニクスデバイス、光学品
等の様々な分野への応用が期待できる。このような陽極
接合では、導電体薄膜としてＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、
Ｗ等の酸化物を比較的容易に形成する材料が用いられ、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着
法、化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成される。特
に、Ａｌは抵抗が小さく、作製が容易かつ安価な導電体
材料であり、様々なデバイスに適合しやすく、陽極接合
用の導電体薄膜として好ましい材料である。
方法としては、ガラスを高温加熱し液状にして金属に接
着する、あるいは接着剤による接合が用いられてきた。
高温加熱ではガラスを液状になる温度まで加熱する必要
があり、ガラスの原形を留めることができない。接着剤
を用いる方法では、接合体の使用可能温度範囲が低く、
また経時変化等の問題がある。また、これら接着方法で
は接着時の接合寸法精度を保った精密な接合は期待でき
ない。これに対して、陽極接合法では、熱膨張係数の比
較的近い非晶質絶縁体であるナトリウムイオンを可動イ
オンとするガラスと導電体材料を２００〜４００℃と比
較的低温で、数十〜数ｋＶ程度の電圧を印加することに
より接合できるために、上述の問題点が解消される
（Ｇ．Ｗａｌｌｉｓ ｅｔ ａｌ．，“ＦｉｅｌｄＡｓ
ｓｉｓｔｅｄ Ｇｌａｓｓ−Ｍｅｔａｌ Ｓｅａｌｉｎ
ｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｖｏｌ．４０，Ｎ
ｏ．１０，ｐｐ３９４６−３９４９，１９６９）。導電
体材料とガラスの熱膨張係数差が大きい場合にはガラス
と熱膨張係数の略一致した基板上に成膜した導電体薄膜
を用いることにより接合することが可能である（須田
他、“マロリー接着法による機密シール技術”、東北大
学科学計測研究会報告、第３３巻、第１号、ｐｐｌ６５
〜１７５、１９８４）。導電体薄膜はガラス、半導体、
金属、セラミックス等の様々な基板上に真空蒸着法を用
いることにより形成でき、基板の熱膨張係数と略一致し
たガラスを用いることで導電体薄膜を介してガラスと他
種類の基板との接合体を形成することが可能となる。こ
れにより、導電体薄膜とガラスとの陽極接合を行い、ガ
ス封入、真空管、マイクロメカニクスデバイス、光学品
等の様々な分野への応用が期待できる。このような陽極
接合では、導電体薄膜としてＡｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、
Ｗ等の酸化物を比較的容易に形成する材料が用いられ、
抵抗加熱蒸着法、スパッタリング法、電子ビーム蒸着
法、化学気相成長法（ＣＶＤ）等により形成される。特
に、Ａｌは抵抗が小さく、作製が容易かつ安価な導電体
材料であり、様々なデバイスに適合しやすく、陽極接合
用の導電体薄膜として好ましい材料である。
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、Ａｌは
陽極接合時にガラス中への引き込み、及びＡｌの表面酸
化が起こるという問題を生じる（Ｐ．Ｂ．ＤｅＮｅｅ，
“Ｌｏｗ ＥｎｅｒｇｙＭｅｔａｌ−Ｇｌａｓｓ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｎｏ．４
０，ｐｐ５３９６−５３９７，１９６９）。したがっ
て、陽極接合にＡｌ薄膜を用いる場合には、Ａｌ薄膜が
酸化されＡｌ酸化物が形成される。図２（Ｂ）、（Ｃ）
に青板ガラス上に形成したＡｌ薄膜（膜厚１００ｎｍ）
を青板ガラスに陽極接合した接合体のＡｌ接合面の２０
０倍の光学顕微鏡写真を示す。図（Ｂ）の陽極接合条件
は、接合温度が２５０℃、印加電圧が５００Ｖであり、
２０分間電圧を印加し接合した。図（Ｃ）の陽極接合条
件は、接合温度が３５０℃、印加電圧が３００Ｖであ
り、２０分間電圧を印加し接合した。図２（Ｂ）、
（Ｃ）において、黒く見える箇所は透過光による顕微鏡
観察により光が透過しておりＡｌの酸化が起こった箇所
であり、Ａｌ薄膜の反射像を観察しているために黒く見
える。前記接合体をせん断し、Ａｌとガラスとの接合面
を観察したところ、Ａｌの酸化が起こった部分はガラス
と接合していなかった。すなわち、Ａｌの酸化は接合に
寄与せず、Ａｌとガラスとの接合する面積を減少させ、
有効接合面積を小さくし、接合強度を低下させる原因と
なる。図２（Ｂ）、（Ｃ）に見られる様に接合温度が高
いとＡｌの酸化は促進され、また陽極接合時間の経過と
共にＡｌ薄膜の酸化が促進される。上記導電体薄膜の酸
化の問題は、Ａｌ薄膜のみならず陽極接合に用いる導電
体薄膜に共通の課題であり、酸化を防止することは、接
合強度の低下を抑さえると共に安定した接合を行う上で
重要である。導電体薄膜の酸化を抑さえるには、より低
温での陽極接合をする必要がある。さらに、ナトリウム
イオンを可動イオンとするガラスを用いた場合、陽極接
合時の接合温度は２００℃から４００℃程度であり、該
温度で接合した後に接合体を室温に除冷する際に生じる
熱応力により基板またはガラスが破損しないよう導電体
薄膜を形成した基板とほぼ等しい熱膨張係数を有するガ
ラス基板を用いる必要がある。また、強誘電体からなる
圧電体を基板として用いる場合、接合後室温に除冷する
際、接合温度まで加熱された該基板の焦電性による自発
分極にて生じた応力により圧電体またはガラスが破損す
ることがある。しかしながら、ガラスと基板の熱膨張係
数を室温から接合温度までの各温度で略一致させること
は困難であり、陽極接合に用いる基板の材料が自ずと制
限されることになる。基板材料によらずに陽極接合法に
て接合体を形成するには、熱膨張係数による熱応力を低
減する上で、より低温での陽極接合をすることが好まし
い。
陽極接合時にガラス中への引き込み、及びＡｌの表面酸
化が起こるという問題を生じる（Ｐ．Ｂ．ＤｅＮｅｅ，
“Ｌｏｗ ＥｎｅｒｇｙＭｅｔａｌ−Ｇｌａｓｓ Ｂｏ
ｎｄｉｎｇ”，Ｊ．Ａｐｐｌ．Ｐｈｙｓ．，Ｎｏ．４
０，ｐｐ５３９６−５３９７，１９６９）。したがっ
て、陽極接合にＡｌ薄膜を用いる場合には、Ａｌ薄膜が
酸化されＡｌ酸化物が形成される。図２（Ｂ）、（Ｃ）
に青板ガラス上に形成したＡｌ薄膜（膜厚１００ｎｍ）
を青板ガラスに陽極接合した接合体のＡｌ接合面の２０
０倍の光学顕微鏡写真を示す。図（Ｂ）の陽極接合条件
は、接合温度が２５０℃、印加電圧が５００Ｖであり、
２０分間電圧を印加し接合した。図（Ｃ）の陽極接合条
件は、接合温度が３５０℃、印加電圧が３００Ｖであ
り、２０分間電圧を印加し接合した。図２（Ｂ）、
（Ｃ）において、黒く見える箇所は透過光による顕微鏡
観察により光が透過しておりＡｌの酸化が起こった箇所
であり、Ａｌ薄膜の反射像を観察しているために黒く見
える。前記接合体をせん断し、Ａｌとガラスとの接合面
を観察したところ、Ａｌの酸化が起こった部分はガラス
と接合していなかった。すなわち、Ａｌの酸化は接合に
寄与せず、Ａｌとガラスとの接合する面積を減少させ、
有効接合面積を小さくし、接合強度を低下させる原因と
なる。図２（Ｂ）、（Ｃ）に見られる様に接合温度が高
いとＡｌの酸化は促進され、また陽極接合時間の経過と
共にＡｌ薄膜の酸化が促進される。上記導電体薄膜の酸
化の問題は、Ａｌ薄膜のみならず陽極接合に用いる導電
体薄膜に共通の課題であり、酸化を防止することは、接
合強度の低下を抑さえると共に安定した接合を行う上で
重要である。導電体薄膜の酸化を抑さえるには、より低
温での陽極接合をする必要がある。さらに、ナトリウム
イオンを可動イオンとするガラスを用いた場合、陽極接
合時の接合温度は２００℃から４００℃程度であり、該
温度で接合した後に接合体を室温に除冷する際に生じる
熱応力により基板またはガラスが破損しないよう導電体
薄膜を形成した基板とほぼ等しい熱膨張係数を有するガ
ラス基板を用いる必要がある。また、強誘電体からなる
圧電体を基板として用いる場合、接合後室温に除冷する
際、接合温度まで加熱された該基板の焦電性による自発
分極にて生じた応力により圧電体またはガラスが破損す
ることがある。しかしながら、ガラスと基板の熱膨張係
数を室温から接合温度までの各温度で略一致させること
は困難であり、陽極接合に用いる基板の材料が自ずと制
限されることになる。基板材料によらずに陽極接合法に
て接合体を形成するには、熱膨張係数による熱応力を低
減する上で、より低温での陽極接合をすることが好まし
い。
【０００３】そこで、本発明は上記問題を解決し、基板
の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さ
え、接合強度が高く低温にて形成可能な導電体薄膜と非
晶質絶縁体との接合体及びその形成方法を提供すること
を目的とするものである。
の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を抑さ
え、接合強度が高く低温にて形成可能な導電体薄膜と非
晶質絶縁体との接合体及びその形成方法を提供すること
を目的とするものである。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明は上記目的を達成
するため、リチウムイオンを可動イオンとして含有する
非晶質絶縁体を構成し、基板上に形成した導電体薄膜と
陽極接合により接合するようにしたものである。本発明
の接合体は、上記のように構成した点に特徴を有するも
のであるが、本発明においてはその非晶質絶縁体を、感
光性ガラスで構成し、また、基板を圧電体、特に圧電セ
ラミックスを用いて構成している。そして、本発明にお
いてはその非晶質絶縁体を、前記導電体薄膜の形成され
た基板と別の基板上に形成するようにしてもよい。ま
た、その接合体の形成方法として、基板上に導電体薄膜
を形成し、該導電体薄膜にリチウムを含有する非晶質絶
縁体を接し、加熱しつつ前記導電体薄膜と絶縁体薄膜と
に電圧を印加し導電体薄膜と非晶質絶縁体とを接合する
ことにより行うことができる。この場合においても、そ
の非晶質絶縁体を前記導電体薄膜の形成された基板とは
別の基板上に形成し、導電体薄膜と接合するようにして
もよい。
するため、リチウムイオンを可動イオンとして含有する
非晶質絶縁体を構成し、基板上に形成した導電体薄膜と
陽極接合により接合するようにしたものである。本発明
の接合体は、上記のように構成した点に特徴を有するも
のであるが、本発明においてはその非晶質絶縁体を、感
光性ガラスで構成し、また、基板を圧電体、特に圧電セ
ラミックスを用いて構成している。そして、本発明にお
いてはその非晶質絶縁体を、前記導電体薄膜の形成され
た基板と別の基板上に形成するようにしてもよい。ま
た、その接合体の形成方法として、基板上に導電体薄膜
を形成し、該導電体薄膜にリチウムを含有する非晶質絶
縁体を接し、加熱しつつ前記導電体薄膜と絶縁体薄膜と
に電圧を印加し導電体薄膜と非晶質絶縁体とを接合する
ことにより行うことができる。この場合においても、そ
の非晶質絶縁体を前記導電体薄膜の形成された基板とは
別の基板上に形成し、導電体薄膜と接合するようにして
もよい。
【０００５】
【作用】本発明は上記したように、リチウムイオンを可
動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、これを
基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接合す
ることにより、低温による陽極接合が可能となり、前記
基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を
抑さえて接合強度の高い接合体を提供することが可能と
なる。以下に、これを更に詳細に説明する。陽極接合法
では、導電体薄膜とガラスに電圧を印加し接合時の温度
を上げることによりガラス中の可動イオン（陽イオン）
が移動し易くなり、ガラス界面近傍に空間電荷層が形成
され、このとき発生する静電引力にて導電体薄膜とガラ
スが接合する。本発明の接合体では、ナトリウムイオン
に比ベイオン半径の小さいリチウムイオンを主たる可動
イオンとする非晶質絶縁体を用いることにより、２００
℃以下の低温でも移動することが容易となり、接合に寄
与するに十分な静電引力を発生できる空間電荷層が形成
でき、約２００℃以下の低温にて陽極接合が可能とな
る。これにより導電体薄膜の酸化を抑さえることがで
き、熱膨張係数の異なる様々な基板との接合体を形成す
ることが可能となる。上記理由により本発明の非晶質絶
縁体はリチウムイオンを含有しておればよく、他の可動
イオンであるナトリウムイオンを含有していても何ら差
しつかえない。本発明の非晶質絶縁体のリチウムの濃度
としては、リチウムイオンが移動し静電引力を発生させ
るため非晶質絶縁体の界面の空間電荷層とバルクとの電
気抵抗の差が必要であり、リチウムイオンを形成する修
飾酸化物であるＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3等の含
有率としては少なくとも１％以上が必要である。また、
リチウムイオン量が多すぎると、抵抗率が減少し陽極接
合時の電圧印加により絶縁破壊が起こりやすく、さらに
ガラスの網状構造の弛みが大きくなり機械的強度も低減
するために、安定して接合でき且つ機械的強度の高い接
合体を得るにはリチウムイオンを形成する修飾酸化物の
含有率は３０％以下が好ましい。感光性ガラスは、Ｌｉ
2Ｏ、又は／及びＬｉ2ＣＯ3の含有率が１０〜２０％で
あり（ガラス工学ハンドブック、森谷、他 編集、朝倉
書店、昭和４１年発刊、ｐ７６３−７７４）、本発明の
接合体に用いる非晶質絶縁体として好ましい。また化学
切削用感光ガラスでは、紫外線を照射した後に加熱し光
の照射部と未照射部とでのフッ酸エッチング速度が異な
ることを利用しガラス基板への高精度の加工が可能であ
り、体積抵抗率が高く絶縁性に優れており、機械的強度
も高いことから、マイクロメカニクス等に用いる構造体
形成材料として最適である。これら、リチウムイオンを
有するガラスを用い他の基板上に薄膜形成し該リチウム
イオンを有する非晶質絶縁体の薄膜と導電体薄膜を陽極
接合してもよいことは言うまでもない。
動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、これを
基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接合す
ることにより、低温による陽極接合が可能となり、前記
基板の材料が制限されることなく、導電体薄膜の酸化を
抑さえて接合強度の高い接合体を提供することが可能と
なる。以下に、これを更に詳細に説明する。陽極接合法
では、導電体薄膜とガラスに電圧を印加し接合時の温度
を上げることによりガラス中の可動イオン（陽イオン）
が移動し易くなり、ガラス界面近傍に空間電荷層が形成
され、このとき発生する静電引力にて導電体薄膜とガラ
スが接合する。本発明の接合体では、ナトリウムイオン
に比ベイオン半径の小さいリチウムイオンを主たる可動
イオンとする非晶質絶縁体を用いることにより、２００
℃以下の低温でも移動することが容易となり、接合に寄
与するに十分な静電引力を発生できる空間電荷層が形成
でき、約２００℃以下の低温にて陽極接合が可能とな
る。これにより導電体薄膜の酸化を抑さえることがで
き、熱膨張係数の異なる様々な基板との接合体を形成す
ることが可能となる。上記理由により本発明の非晶質絶
縁体はリチウムイオンを含有しておればよく、他の可動
イオンであるナトリウムイオンを含有していても何ら差
しつかえない。本発明の非晶質絶縁体のリチウムの濃度
としては、リチウムイオンが移動し静電引力を発生させ
るため非晶質絶縁体の界面の空間電荷層とバルクとの電
気抵抗の差が必要であり、リチウムイオンを形成する修
飾酸化物であるＬｉ2Ｏ、Ｌｉ2Ｏ3、Ｌｉ2ＣＯ3等の含
有率としては少なくとも１％以上が必要である。また、
リチウムイオン量が多すぎると、抵抗率が減少し陽極接
合時の電圧印加により絶縁破壊が起こりやすく、さらに
ガラスの網状構造の弛みが大きくなり機械的強度も低減
するために、安定して接合でき且つ機械的強度の高い接
合体を得るにはリチウムイオンを形成する修飾酸化物の
含有率は３０％以下が好ましい。感光性ガラスは、Ｌｉ
2Ｏ、又は／及びＬｉ2ＣＯ3の含有率が１０〜２０％で
あり（ガラス工学ハンドブック、森谷、他 編集、朝倉
書店、昭和４１年発刊、ｐ７６３−７７４）、本発明の
接合体に用いる非晶質絶縁体として好ましい。また化学
切削用感光ガラスでは、紫外線を照射した後に加熱し光
の照射部と未照射部とでのフッ酸エッチング速度が異な
ることを利用しガラス基板への高精度の加工が可能であ
り、体積抵抗率が高く絶縁性に優れており、機械的強度
も高いことから、マイクロメカニクス等に用いる構造体
形成材料として最適である。これら、リチウムイオンを
有するガラスを用い他の基板上に薄膜形成し該リチウム
イオンを有する非晶質絶縁体の薄膜と導電体薄膜を陽極
接合してもよいことは言うまでもない。
【０００６】本発明の接合体は低温にて接合し形成する
ことから、導電体薄膜を形成する基板としては、Ｓｉ、
Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体、ガラス、石英、ア
ルミナ、ＭｇＯ等の絶縁体、圧電体等様々の材料を用い
ることが可能である。圧電体としては、ＬｉＮｂＯ3、
ＬｉＴａＯ3、水晶等の単結晶圧電体、チタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚ
ｒ−Ｔｉ）Ｏ3、以下ＰＺＴと略記）、（Ｐｂ、Ｌａ）
（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3等の圧電セラミックスを用いること
が可能である。陽極接合では、導電体薄膜としてはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ等の材料が用いられる。ま
た、これら材料とＡｕ、Ｐｔ等の非酸化性の貴金属材料
との合金を用いることも可能である。陽極接合法により
ガラスと基板上に形成した導電体薄膜を接合する場合、
接合する面の凹凸が大きいと接合に寄与する実行面積が
凸部での接触部分のみとなり接合強度が低下することか
ら、平滑性の良い基板を用いる必要がある。導電体薄膜
を形成する基板として焼結体からなるセラミックスを用
いる場合には接合面は研磨したものを用いる。図１は本
発明の接合体を形成する陽極接合装置を示す概略図であ
り、また本発明の接合体の実施形態も示している。導電
体薄膜１２を蒸着した基板１をヒーター付きプラテン２
０に設置し、リチウムイオンを含む非晶質絶縁体である
ガラス４を接する。陽極接合用の直流電源２１と前記導
電体薄膜１２に電気的に接続している針状電極２２、及
びガラス４に電気的に接続している針状電極２３との間
をリード線２４にて電気的に接続する。プラテン２０を
加熱し、電圧を印加しガラス４と、導電体薄膜を蒸着し
た基板１を陽極接合する。
ことから、導電体薄膜を形成する基板としては、Ｓｉ、
Ｇｅ、ＧａＡｓ、ＩｎＰ等の半導体、ガラス、石英、ア
ルミナ、ＭｇＯ等の絶縁体、圧電体等様々の材料を用い
ることが可能である。圧電体としては、ＬｉＮｂＯ3、
ＬｉＴａＯ3、水晶等の単結晶圧電体、チタン酸バリウ
ム（ＢａＴｉＯ3）、チタン酸ジルコン酸鉛（Ｐｂ（Ｚ
ｒ−Ｔｉ）Ｏ3、以下ＰＺＴと略記）、（Ｐｂ、Ｌａ）
（Ｚｒ、Ｔｉ）Ｏ3等の圧電セラミックスを用いること
が可能である。陽極接合では、導電体薄膜としてはＡ
ｌ、Ｔｉ、Ｎｉ、Ｓｉ、Ｗ等の材料が用いられる。ま
た、これら材料とＡｕ、Ｐｔ等の非酸化性の貴金属材料
との合金を用いることも可能である。陽極接合法により
ガラスと基板上に形成した導電体薄膜を接合する場合、
接合する面の凹凸が大きいと接合に寄与する実行面積が
凸部での接触部分のみとなり接合強度が低下することか
ら、平滑性の良い基板を用いる必要がある。導電体薄膜
を形成する基板として焼結体からなるセラミックスを用
いる場合には接合面は研磨したものを用いる。図１は本
発明の接合体を形成する陽極接合装置を示す概略図であ
り、また本発明の接合体の実施形態も示している。導電
体薄膜１２を蒸着した基板１をヒーター付きプラテン２
０に設置し、リチウムイオンを含む非晶質絶縁体である
ガラス４を接する。陽極接合用の直流電源２１と前記導
電体薄膜１２に電気的に接続している針状電極２２、及
びガラス４に電気的に接続している針状電極２３との間
をリード線２４にて電気的に接続する。プラテン２０を
加熱し、電圧を印加しガラス４と、導電体薄膜を蒸着し
た基板１を陽極接合する。
【０００７】
【実施例】以下、本発明を実施例に基づき詳細に説明す
る。 ［実施例１］図１に本発明の実施例１における接合体の
構成及び陽極接合装置の概略図を示す。本実施例の接合
体の構成は以下の通りである。 基板１：青板ガラス（日本板硝子社製） ３０ｍｍ×ｌ２ｍｍ×０．５ｍｍ（厚さ） 導電体薄膜１２：Ａｌ（１００ｎｍ） 非晶質絶縁体４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品名
ＰＥＧ３） ３０ｍｍ×１２ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ） Ａｌ導電体薄膜は電子ビーム蒸着法を用いて成膜した。
以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて陽
極接合を行い接合体を形成した。表１に、実施例の接合
体である試料（ａ）の陽極接合条件を示す。比較の為に
形成した非晶質絶縁体を青板ガラスにした以外は同様の
構成の試料（ｂ）、（ｃ）の陽極接合条件も表１に合わ
せて示す。なお、青板ガラスは板ソーダガラスであり、
アルカリ酸化物Ｎａ2Ｏの組成成分比が１３〜１５％の
ものを用いてあり、リチウムは含有していない。
る。 ［実施例１］図１に本発明の実施例１における接合体の
構成及び陽極接合装置の概略図を示す。本実施例の接合
体の構成は以下の通りである。 基板１：青板ガラス（日本板硝子社製） ３０ｍｍ×ｌ２ｍｍ×０．５ｍｍ（厚さ） 導電体薄膜１２：Ａｌ（１００ｎｍ） 非晶質絶縁体４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品名
ＰＥＧ３） ３０ｍｍ×１２ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ） Ａｌ導電体薄膜は電子ビーム蒸着法を用いて成膜した。
以上の構成にて、図１における陽極接合装置を用いて陽
極接合を行い接合体を形成した。表１に、実施例の接合
体である試料（ａ）の陽極接合条件を示す。比較の為に
形成した非晶質絶縁体を青板ガラスにした以外は同様の
構成の試料（ｂ）、（ｃ）の陽極接合条件も表１に合わ
せて示す。なお、青板ガラスは板ソーダガラスであり、
アルカリ酸化物Ｎａ2Ｏの組成成分比が１３〜１５％の
ものを用いてあり、リチウムは含有していない。
【０００８】
【表１】 接合後の非晶質絶縁体４と導電体薄膜の接合面の光学顕
微鏡写真を図２に示す。導電体薄膜の反射像を観察して
いるために光が透過した部分は黒く見え、酸化が起こっ
た箇所である。図２（Ａ）は試料（ａ）、図２（Ｂ）は
試料（ｂ）、図２（Ｃ）は試料（ｃ）の写真に基づく図
である。写真の倍率はすべて２００倍となっている。図
２（Ｂ）、（Ｃ）と比較して低温にて接合した図２
（Ａ）では酸化した部分が減少しており、図２（Ｂ）と
比べ酸化された箇所の数は２分の１以下となっている。
図３を用いて、本実施例の構成の接合体の接合温度と接
合強度の依存性を測定した結果（黒丸）を示す。なお、
接合強度は曲げ強度試験にて測定した。結果に示すせん
断応力は接合した接合体の剥がれた際の曲げ荷重により
計算した接合面にかかるせん断応力である。比較に非晶
質絶縁体を青板ガラスとした接合体の接合強度の結果
（白抜き丸）も示す。実施例の接合体では９０℃以上で
導電体薄膜と感光性ガラスは接合され、１０５℃を越え
る接合温度では接合した界面でせん断する前にガラスが
表面の引っ張り応力により破損し、せん断応力を測定す
ることはできなかった。この試料寸法の測定可能なせん
断応力の上限は３０ｋｇ／ｃｍ2であり、これ以上の機
械的強度で接合されていることが分かった。このため、
図３では１０５℃を越えるせん断応力を示さなかった。
比較例である青板ガラスからなる接合体では２２０℃に
てせん断応力は２０ｋｇ／ｃｍ2となり、２５０℃以上
ではせん断する前にガラスが破損した。青板ガラスから
なる接合体では、本実施例の接合体と同じ接合強度を得
る接合温度が１００℃以上高いことが分かる。すなは
ち、本実施例において低温にて陽極接合した接合体は、
陽極接合時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられて
おり、高い接合強度を有している。
微鏡写真を図２に示す。導電体薄膜の反射像を観察して
いるために光が透過した部分は黒く見え、酸化が起こっ
た箇所である。図２（Ａ）は試料（ａ）、図２（Ｂ）は
試料（ｂ）、図２（Ｃ）は試料（ｃ）の写真に基づく図
である。写真の倍率はすべて２００倍となっている。図
２（Ｂ）、（Ｃ）と比較して低温にて接合した図２
（Ａ）では酸化した部分が減少しており、図２（Ｂ）と
比べ酸化された箇所の数は２分の１以下となっている。
図３を用いて、本実施例の構成の接合体の接合温度と接
合強度の依存性を測定した結果（黒丸）を示す。なお、
接合強度は曲げ強度試験にて測定した。結果に示すせん
断応力は接合した接合体の剥がれた際の曲げ荷重により
計算した接合面にかかるせん断応力である。比較に非晶
質絶縁体を青板ガラスとした接合体の接合強度の結果
（白抜き丸）も示す。実施例の接合体では９０℃以上で
導電体薄膜と感光性ガラスは接合され、１０５℃を越え
る接合温度では接合した界面でせん断する前にガラスが
表面の引っ張り応力により破損し、せん断応力を測定す
ることはできなかった。この試料寸法の測定可能なせん
断応力の上限は３０ｋｇ／ｃｍ2であり、これ以上の機
械的強度で接合されていることが分かった。このため、
図３では１０５℃を越えるせん断応力を示さなかった。
比較例である青板ガラスからなる接合体では２２０℃に
てせん断応力は２０ｋｇ／ｃｍ2となり、２５０℃以上
ではせん断する前にガラスが破損した。青板ガラスから
なる接合体では、本実施例の接合体と同じ接合強度を得
る接合温度が１００℃以上高いことが分かる。すなは
ち、本実施例において低温にて陽極接合した接合体は、
陽極接合時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられて
おり、高い接合強度を有している。
【０００９】［実施例２］図４に本発明の接合体の実施
例２の断面図を示す。本実施例の接合体の構成は以下の
通りである。 基板３１：圧電セラミックス（富士セラミックス社製、
製品番号Ｃ−８） １２ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ） 導電体薄膜３６、３７：Ａｌ（３００ｎｍ） 非晶質絶縁体３４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品
名ＰＥＧ３） １２ｍｍ×８ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ） 用いた圧電セラミックスは分極処理された角板形であ
り、その熱膨張係数は２０℃〜２１０℃で分極方向で−
１〜−３．６×１０-6／℃、長手方向では２．２〜３．
６×１０-6／℃である。また、非晶質絶縁体３４の熱膨
張係数は８．４×１０-6／℃である。本実施例の非晶質
絶縁体と基板との熱膨張係数は２倍以上異なっている。
圧電セラミックスは焼結体であるため、表面を研磨した
後に導電体薄膜３６、３７を形成した。Ａｌ導電体薄膜
３６、３７は電子ビーム蒸着法を用いて圧電セラミック
スの両面に成膜した。以上の構成にて、図１における陽
極接合装置を用いて陽極接合を行い接合体を形成した。
陽極接合条件は、接合温度が１１０℃、印加電圧が１０
００Ｖであり、２０分間電圧を印加し接合した。接合後
の非晶質絶縁体３４と導電体薄膜３６の接合面を光学顕
微鏡にて観察したところ、図２（Ａ）と同様に導電体薄
膜の酸化は抑さえられていた。
例２の断面図を示す。本実施例の接合体の構成は以下の
通りである。 基板３１：圧電セラミックス（富士セラミックス社製、
製品番号Ｃ−８） １２ｍｍ×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ） 導電体薄膜３６、３７：Ａｌ（３００ｎｍ） 非晶質絶縁体３４：感光性ガラス（ＨＯＹＡ社製、商品
名ＰＥＧ３） １２ｍｍ×８ｍｍ×ｌｍｍ（厚さ） 用いた圧電セラミックスは分極処理された角板形であ
り、その熱膨張係数は２０℃〜２１０℃で分極方向で−
１〜−３．６×１０-6／℃、長手方向では２．２〜３．
６×１０-6／℃である。また、非晶質絶縁体３４の熱膨
張係数は８．４×１０-6／℃である。本実施例の非晶質
絶縁体と基板との熱膨張係数は２倍以上異なっている。
圧電セラミックスは焼結体であるため、表面を研磨した
後に導電体薄膜３６、３７を形成した。Ａｌ導電体薄膜
３６、３７は電子ビーム蒸着法を用いて圧電セラミック
スの両面に成膜した。以上の構成にて、図１における陽
極接合装置を用いて陽極接合を行い接合体を形成した。
陽極接合条件は、接合温度が１１０℃、印加電圧が１０
００Ｖであり、２０分間電圧を印加し接合した。接合後
の非晶質絶縁体３４と導電体薄膜３６の接合面を光学顕
微鏡にて観察したところ、図２（Ａ）と同様に導電体薄
膜の酸化は抑さえられていた。
【００１０】接合後に接合体の長手方向の一端を固定
し、基板の両面の導電体薄膜３６、３７を電極として直
流電圧を印加したところ接合体は屈曲し、キュリー点
（Ｔｃ＝２１０℃）以下の低温にて接合したことによ
り、接合後も圧電セラミックスは圧電性を有していた。
次に交流電圧（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖp-p）を１時
間印加し振動させた後に、接合体を観察したところ、接
合面での剥がれは見られず、十分な接合強度を有してい
た。このことから、本実施例の接合体は圧電アクチュエ
ータとして利用することが可能である。すなはち、本実
施例において低温にて陽極接合した接合体は、陽極接合
時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられており、さ
らに、熱膨張係数の異なる基板材料を用いても破損する
ことなく高い接合強度を有していた。本発明の接合体に
用いる基板は、熱応力や焦電性に起因する材料制限がな
い。
し、基板の両面の導電体薄膜３６、３７を電極として直
流電圧を印加したところ接合体は屈曲し、キュリー点
（Ｔｃ＝２１０℃）以下の低温にて接合したことによ
り、接合後も圧電セラミックスは圧電性を有していた。
次に交流電圧（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖp-p）を１時
間印加し振動させた後に、接合体を観察したところ、接
合面での剥がれは見られず、十分な接合強度を有してい
た。このことから、本実施例の接合体は圧電アクチュエ
ータとして利用することが可能である。すなはち、本実
施例において低温にて陽極接合した接合体は、陽極接合
時に発生する導電体薄膜の酸化が抑さえられており、さ
らに、熱膨張係数の異なる基板材料を用いても破損する
ことなく高い接合強度を有していた。本発明の接合体に
用いる基板は、熱応力や焦電性に起因する材料制限がな
い。
【００１１】［実施例３］本発明の実施例３として、基
板に分極処理された角板形の基板寸法１２ｍｍ×８ｍｍ
×０．３ｍｍ（厚さ）のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
3）を用い、実施例２と同様の構成の接合体を形成し
た。基板の両面に成膜した導電体薄膜には、Ｃｒを下敷
き層とするＡｌ−Ａｕ合金薄膜を用いた。該導電体薄膜
は、電子ビーム蒸着法を用いてＣｒ（膜厚５０ｎｍ）、
Ａｕ（膜厚９０ｎｍ）、Ａｌ（膜厚ｌ０ｎｍ）を同一真
空中で順次基板上に成膜した後に、該基板を１００℃で
３０分間熱処理し合金化することにより作製した。Ｃｒ
は基板と導電体薄膜の密着力を上げるために導入した。
非晶質絶縁体は同様のものを用いた。以上の構成にて、
図１における陽極接合装置を用いて実施例２と同様の陽
極接合条件にて接合体を形成した。接合後に接合体の長
手方向の一端を固定し、基板の両面の圧電セラミックス
の両面の導電体薄膜を電極として直流電圧を印加したと
ころ接合体は屈曲した。キュリー点（Ｔｃ＝１２０℃）
以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧電セラ
ミックスは圧電性を有していた。すなはち、本実施例に
おいて低温にて陽極接合し形成した接合体は、予め分極
処理されたチタン酸バリウムの圧電性をなくすことなく
非晶質絶縁体と高い接合強度で接合できていた。
板に分極処理された角板形の基板寸法１２ｍｍ×８ｍｍ
×０．３ｍｍ（厚さ）のチタン酸バリウム（ＢａＴｉＯ
3）を用い、実施例２と同様の構成の接合体を形成し
た。基板の両面に成膜した導電体薄膜には、Ｃｒを下敷
き層とするＡｌ−Ａｕ合金薄膜を用いた。該導電体薄膜
は、電子ビーム蒸着法を用いてＣｒ（膜厚５０ｎｍ）、
Ａｕ（膜厚９０ｎｍ）、Ａｌ（膜厚ｌ０ｎｍ）を同一真
空中で順次基板上に成膜した後に、該基板を１００℃で
３０分間熱処理し合金化することにより作製した。Ｃｒ
は基板と導電体薄膜の密着力を上げるために導入した。
非晶質絶縁体は同様のものを用いた。以上の構成にて、
図１における陽極接合装置を用いて実施例２と同様の陽
極接合条件にて接合体を形成した。接合後に接合体の長
手方向の一端を固定し、基板の両面の圧電セラミックス
の両面の導電体薄膜を電極として直流電圧を印加したと
ころ接合体は屈曲した。キュリー点（Ｔｃ＝１２０℃）
以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧電セラ
ミックスは圧電性を有していた。すなはち、本実施例に
おいて低温にて陽極接合し形成した接合体は、予め分極
処理されたチタン酸バリウムの圧電性をなくすことなく
非晶質絶縁体と高い接合強度で接合できていた。
【００１２】［実施例４］図５に本発明の接合体の実施
例４の断面図を示す。本実施例はリチウムイオンを有す
るガラスからなる非晶質絶縁体を真空蒸着法を用い第２
基板上に薄膜形成し、該非晶質絶縁体薄膜と第１基板上
の導電体薄膜を陽極接合した接合体に関するものであ
る。非晶質絶縁体薄膜４４は、酸化リチウム（Ｌｉ2
Ｏ）粉末のペレットを石英ガラスのスパッタリング用タ
ーゲット上に置き、真空蒸着法の一つであるスパッタリ
ング法を用いて第２基板４１上に膜厚が１０μｍとなる
ように形成した。非晶質絶縁体薄膜４４は、リチウム酸
化物を８％含有するシリコン酸化膜となっている。図５
において、本実施例の接合体の構成は以下の通りであ
る。第１基板４０はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）４
６、４７を電子ビーム蒸着法により圧電セラミックス４
２（富士セラミックス社製、製品番号Ｃ−８、１２ｍｍ
×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ））の両面に成膜したもの
であり、第２基板４１はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）
４８を電子ビーム蒸着法によりパイレックスガラス４３
（コーニング＃７７４０、１２ｍｍ×８ｍｍ×０．５ｍ
ｍ（厚さ））に成膜したものである。用いた圧電セラミ
ックスは予め分極処理してある。以上の構成にて、図１
における陽極接合装置を用いて非晶質絶縁体薄膜４４と
Ａｌ導電体薄膜４６を陽極接合し接合体を形成した。陽
極接合条件は、接合温度が１５０℃、導電体薄膜４６と
導電体薄膜４８に３０Ｖの電圧を１０分間印加し接合し
た。接合後に接合体の長手方向の一端を固定し、基板の
両面の導電体薄膜４６、４７を電極として直流電圧を印
加したところ接合体は屈曲し、キュリー点（Ｔｃ＝２１
０℃）以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧
電セラミックスは圧電性を有していた。次に交流電圧
（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖp-p）を１時間印加し振動
させた後に、接合体を観察したところ、接合面での剥が
れは見られず、十分な接合強度を有していた。このこと
から、本実施例の接合体は圧電アクチュエータとして利
用することが可能である。すなはち、本実施例により、
リチウムを含有する非晶質絶縁体薄膜と導電体薄膜を陽
極接合し高い接合強度を有する接合体を提供することが
可能となった。
例４の断面図を示す。本実施例はリチウムイオンを有す
るガラスからなる非晶質絶縁体を真空蒸着法を用い第２
基板上に薄膜形成し、該非晶質絶縁体薄膜と第１基板上
の導電体薄膜を陽極接合した接合体に関するものであ
る。非晶質絶縁体薄膜４４は、酸化リチウム（Ｌｉ2
Ｏ）粉末のペレットを石英ガラスのスパッタリング用タ
ーゲット上に置き、真空蒸着法の一つであるスパッタリ
ング法を用いて第２基板４１上に膜厚が１０μｍとなる
ように形成した。非晶質絶縁体薄膜４４は、リチウム酸
化物を８％含有するシリコン酸化膜となっている。図５
において、本実施例の接合体の構成は以下の通りであ
る。第１基板４０はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）４
６、４７を電子ビーム蒸着法により圧電セラミックス４
２（富士セラミックス社製、製品番号Ｃ−８、１２ｍｍ
×８ｍｍ×０．３ｍｍ（厚さ））の両面に成膜したもの
であり、第２基板４１はＡｌ導電体薄膜（１００ｎｍ）
４８を電子ビーム蒸着法によりパイレックスガラス４３
（コーニング＃７７４０、１２ｍｍ×８ｍｍ×０．５ｍ
ｍ（厚さ））に成膜したものである。用いた圧電セラミ
ックスは予め分極処理してある。以上の構成にて、図１
における陽極接合装置を用いて非晶質絶縁体薄膜４４と
Ａｌ導電体薄膜４６を陽極接合し接合体を形成した。陽
極接合条件は、接合温度が１５０℃、導電体薄膜４６と
導電体薄膜４８に３０Ｖの電圧を１０分間印加し接合し
た。接合後に接合体の長手方向の一端を固定し、基板の
両面の導電体薄膜４６、４７を電極として直流電圧を印
加したところ接合体は屈曲し、キュリー点（Ｔｃ＝２１
０℃）以下の低温にて接合したことにより、接合後も圧
電セラミックスは圧電性を有していた。次に交流電圧
（周波数１０ｋＨｚ、５０Ｖp-p）を１時間印加し振動
させた後に、接合体を観察したところ、接合面での剥が
れは見られず、十分な接合強度を有していた。このこと
から、本実施例の接合体は圧電アクチュエータとして利
用することが可能である。すなはち、本実施例により、
リチウムを含有する非晶質絶縁体薄膜と導電体薄膜を陽
極接合し高い接合強度を有する接合体を提供することが
可能となった。
【００１３】
【発明の効果】本発明は、以上のようにリチウムイオン
を可動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、こ
れを基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接
合することにより、低温による陽極接合が可能となり、
これにより基板の材料が制限されることなく、導電体薄
膜の酸化を抑さえて接合強度の高い接合体を形成するこ
とができる。また、本発明においては、その非晶質絶縁
体を前記導電体薄膜の形成された基板とは別の基板上に
形成し、導電体薄膜と接合する構成を採用することによ
っても、同様に陽極接合時の接合温度を低温化すること
ができ、上記効果を達成することができる。
を可動イオンとして含有する非晶質絶縁体を構成し、こ
れを基板上に形成した導電体薄膜と陽極接合によって接
合することにより、低温による陽極接合が可能となり、
これにより基板の材料が制限されることなく、導電体薄
膜の酸化を抑さえて接合強度の高い接合体を形成するこ
とができる。また、本発明においては、その非晶質絶縁
体を前記導電体薄膜の形成された基板とは別の基板上に
形成し、導電体薄膜と接合する構成を採用することによ
っても、同様に陽極接合時の接合温度を低温化すること
ができ、上記効果を達成することができる。
【図１】本発明の接合体の実施例１の構成及び形成する
陽極接合装置の概略図である。
陽極接合装置の概略図である。
【図２】本発明の実施例１である接合体のガラスから見
た導電体薄膜の接合面の光学顕微鏡写真に基づく図であ
る。
た導電体薄膜の接合面の光学顕微鏡写真に基づく図であ
る。
【図３】本発明の実施例１である接合体の接合温度と接
合強度の依存性を示す図である。
合強度の依存性を示す図である。
【図４】本発明の接合体の実施例２の断面図である。
【図５】本発明の接合体の実施例３の断面図である。
【符号の説明】 １、３１ 基板 ４、３４ 非晶質絶縁体 １２、３６、３７、４６、４７、４８ 導電体薄膜 ２０ プラテン ２１ 直流電源 ２２、２３ 針状電極 ２４ リード線 ４０ 第１基板 ４１ 第２基板 ４２ 圧電セラミックス ４３ パイレックスガラス ４４ 非晶質絶縁体薄膜
Claims (9)
- 【請求項１】 基板上に形成した導電体薄膜と非晶質絶
縁体とを陽極接合により接合してなる接合体において、
前記非晶質絶縁体がリチウムイオンを可動イオンとして
含有していることを特徴とする導電体薄膜と非晶質絶縁
体との接合体。 - 【請求項２】 前記非晶質絶縁体が、感光性ガラスより
なることを特徴とする請求項１に記載の導電体薄膜と非
晶質絶縁体との接合体。 - 【請求項３】 前記基板が、圧電体よりなることを特徴
とする請求項１に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体との
接合体。 - 【請求項４】 前記圧電体が、圧電セラミックスよりな
ることを特徴とする請求項３に記載の導電体薄膜と非晶
質絶縁体との導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。 - 【請求項５】 前記非晶質絶縁体が、前記導電体薄膜の
形成された基板と別の基板上に形成されていることを特
徴とする請求項１に記載の導電体薄膜と非晶質絶縁体と
の接合体。 - 【請求項６】 前記導電体薄膜の形成された基板又は／
及び前記非晶質絶縁体の形成された基板が、圧電体より
なることを特徴とする請求項５に記載の導電体薄膜と非
晶質絶縁体との接合体。 - 【請求項７】 前記圧電体が、圧電セラミックスよりな
ることを特徴とする請求項６に記載の導電体薄膜と非晶
質絶縁体との導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体。 - 【請求項８】 基板上に導電体薄膜を形成し、該導電体
薄膜にリチウムを含有する非晶質絶縁体を接し、加熱し
つつ前記導電体薄膜と前記絶縁体薄膜とに電圧を印加し
前記導電体薄膜と前記非晶質絶縁体とを接合することを
特徴とする接合体の形成方法。 - 【請求項９】 前記非晶質絶縁体を前記導電体薄膜の形
成された基板とは別の基板上に形成し、前記導電体薄膜
と接合するようにしたことを特徴とする請求項８に記載
の接合体の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17545495A JP3599428B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP17545495A JP3599428B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH092845A true JPH092845A (ja) | 1997-01-07 |
| JP3599428B2 JP3599428B2 (ja) | 2004-12-08 |
Family
ID=15996360
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP17545495A Expired - Fee Related JP3599428B2 (ja) | 1995-06-19 | 1995-06-19 | 導電体薄膜と非晶質絶縁体との接合体及びその形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3599428B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| EP2363374A2 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-07 | Seiko Instruments Inc. | Manufacturing Method of MEMS Package, and Oscillator |
| KR101068115B1 (ko) * | 2009-04-03 | 2011-09-27 | 한밭대학교 산학협력단 | 이미지 센서 플립칩 접속용 유리기판의 제조방법 |
| KR20110108290A (ko) | 2010-03-26 | 2011-10-05 | 세이코 인스트루 가부시키가이샤 | 전자 디바이스 패키지의 제조 방법, 전자 디바이스 패키지 및 발진기 |
| EP2552020A2 (en) | 2011-07-28 | 2013-01-30 | Seiko Instruments Inc. | Electronic device, oscillator, and method of manufacturing electronic device |
| CN113677824A (zh) * | 2019-04-18 | 2021-11-19 | 赛安希股份公司 | 促进薄层的粘附 |
-
1995
- 1995-06-19 JP JP17545495A patent/JP3599428B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (10)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR101068115B1 (ko) * | 2009-04-03 | 2011-09-27 | 한밭대학교 산학협력단 | 이미지 센서 플립칩 접속용 유리기판의 제조방법 |
| EP2363374A2 (en) | 2010-03-05 | 2011-09-07 | Seiko Instruments Inc. | Manufacturing Method of MEMS Package, and Oscillator |
| JP2011188145A (ja) * | 2010-03-05 | 2011-09-22 | Seiko Instruments Inc | 電子デバイスパッケージの製造方法、電子デバイスパッケージ及び発振器 |
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