JPH09286688A - シリコン単結晶へのガスドープ方法 - Google Patents
シリコン単結晶へのガスドープ方法Info
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- JPH09286688A JPH09286688A JP12412196A JP12412196A JPH09286688A JP H09286688 A JPH09286688 A JP H09286688A JP 12412196 A JP12412196 A JP 12412196A JP 12412196 A JP12412196 A JP 12412196A JP H09286688 A JPH09286688 A JP H09286688A
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Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造におい
て、シリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑制す
るとともに、不純物として用いる窒素の過剰添加による
有転位化を回避することが可能なシリコン単結晶へのガ
スドープ方法を提供する。 【解決手段】 溶融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶
棒２に窒素と高純度アルゴンとの混合ガスを混合ガス吹
き付けノズル３を通して吹き付け、表面が窒化されたシ
リコン多結晶棒２を溶融することにより、シリコン単結
晶５に窒素を添加する。シリコン多結晶棒２に対する窒
素と高純度アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間を調整
し、窒素の総吹き付け量を１．０×１０22〜６．０×１
０23ａｔｏｍｓとすることにより、シリコン単結晶５に
含まれる窒素濃度を制御し、窒素の過剰添加による有転
位化を回避する。
て、シリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑制す
るとともに、不純物として用いる窒素の過剰添加による
有転位化を回避することが可能なシリコン単結晶へのガ
スドープ方法を提供する。 【解決手段】 溶融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶
棒２に窒素と高純度アルゴンとの混合ガスを混合ガス吹
き付けノズル３を通して吹き付け、表面が窒化されたシ
リコン多結晶棒２を溶融することにより、シリコン単結
晶５に窒素を添加する。シリコン多結晶棒２に対する窒
素と高純度アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間を調整
し、窒素の総吹き付け量を１．０×１０22〜６．０×１
０23ａｔｏｍｓとすることにより、シリコン単結晶５に
含まれる窒素濃度を制御し、窒素の過剰添加による有転
位化を回避する。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、浮遊帯域溶融法に
よるシリコン単結晶の製造における不純物添加方法に係
り、特にシリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑
制するとともに、不純物の過剰添加による有転位化を回
避することを目的としたシリコン単結晶へのガスドープ
方法に関する。
よるシリコン単結晶の製造における不純物添加方法に係
り、特にシリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑
制するとともに、不純物の過剰添加による有転位化を回
避することを目的としたシリコン単結晶へのガスドープ
方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】浮遊帯域溶融法（以下ＦＺ法という）に
よってシリコン単結晶棒を製造する場合、モノシラン等
を熱分解あるいは加熱還元して得られたシリコン多結晶
棒の先端を、不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱によ
り溶解し、種結晶と接触させてなじませた後、部分的な
溶融帯域を、通常、下部から上部に移動させることによ
り、種結晶と同一の結晶軸をもつ単結晶化を行ってい
る。
よってシリコン単結晶棒を製造する場合、モノシラン等
を熱分解あるいは加熱還元して得られたシリコン多結晶
棒の先端を、不活性ガス雰囲気中で高周波誘導加熱によ
り溶解し、種結晶と接触させてなじませた後、部分的な
溶融帯域を、通常、下部から上部に移動させることによ
り、種結晶と同一の結晶軸をもつ単結晶化を行ってい
る。
【０００３】上記ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造に
おいて、不純物のドープ方法としては、ノズルを用いて
溶融帯域にホスフィン等を含むアルゴンガスを吹きつけ
る。これにより、シリコン単結晶の全体的な電気的特性
を制御することができる。
おいて、不純物のドープ方法としては、ノズルを用いて
溶融帯域にホスフィン等を含むアルゴンガスを吹きつけ
る。これにより、シリコン単結晶の全体的な電気的特性
を制御することができる。
【０００４】更に、従来の技術によれば、最近の傾向と
してシリコン単結晶棒が大径化するに従い、雰囲気ガス
中に窒素を混入する工夫がなされている。たとえば、特
公平３−４１４３７号公報に示されているように、雰囲
気ガス中に微量の窒素ガスを混入させることでシリコン
ウェーハの機械的強度が上昇するため、窒素ガスの混入
による窒素ドープが有効とされている。
してシリコン単結晶棒が大径化するに従い、雰囲気ガス
中に窒素を混入する工夫がなされている。たとえば、特
公平３−４１４３７号公報に示されているように、雰囲
気ガス中に微量の窒素ガスを混入させることでシリコン
ウェーハの機械的強度が上昇するため、窒素ガスの混入
による窒素ドープが有効とされている。
【０００５】また、従来の技術では、窒素等の多原子ガ
ス元素をシリコン多結晶棒に拡散する工夫もなされてい
る。たとえば、特開昭５９−１３７３９３号公報で開示
されているように、窒素雰囲気中でシリコン多結晶棒に
窒素を拡散させることによりシリコン単結晶の窒素濃度
を均一化することができる。このように、多原子ガス元
素をシリコン多結晶棒に拡散させることが有効である。
ス元素をシリコン多結晶棒に拡散する工夫もなされてい
る。たとえば、特開昭５９−１３７３９３号公報で開示
されているように、窒素雰囲気中でシリコン多結晶棒に
窒素を拡散させることによりシリコン単結晶の窒素濃度
を均一化することができる。このように、多原子ガス元
素をシリコン多結晶棒に拡散させることが有効である。
【０００６】特公平３−４１４３７号公報に示されてい
るように、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造において
アルゴンガス雰囲気中に容積比０．０５〜３％の窒素ガ
スを混入させることで、また、特開昭５９−１３７３９
３号公報で開示されているように、窒素を拡散させたシ
リコン多結晶棒を用いてＦＺ法によるシリコン単結晶の
製造を行うことで、シリコン単結晶中に窒素がドープさ
れる。この窒素ドープは、シリコン単結晶に従来それな
しでは多発したスワール状結晶欠陥等の発生を抑制する
効果がある。
るように、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造において
アルゴンガス雰囲気中に容積比０．０５〜３％の窒素ガ
スを混入させることで、また、特開昭５９−１３７３９
３号公報で開示されているように、窒素を拡散させたシ
リコン多結晶棒を用いてＦＺ法によるシリコン単結晶の
製造を行うことで、シリコン単結晶中に窒素がドープさ
れる。この窒素ドープは、シリコン単結晶に従来それな
しでは多発したスワール状結晶欠陥等の発生を抑制する
効果がある。
【０００７】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来のガスドープ方法を用いて窒素をドープする場合、次
のような問題点がある。 （１）ホスフィン等をドープする場合、溶融帯域にホス
フィン等を含むアルゴンガスを吹き付けているが、窒素
はシリコン融液との反応性が乏しいため、ノズルを通し
て溶融帯域に窒素ガスを含んだアルゴンガスを吹き付け
ても窒素のドープはほとんど行われない。 （２）１２００℃以上の固体シリコンに対する窒素ガス
の反応性は高く、特公平３−４１４３７号公報が示すよ
うに雰囲気ガス中に窒素ガスを混入すると、１２００℃
以上に加熱された固体シリコンの原料多結晶棒の表面に
窒化物の薄膜が形成され、原料多結晶棒の溶融とともに
融液シリコン中に窒素が溶解し、シリコン単結晶中に窒
素のドープができる。しかし、育成直後の温度から１２
００℃までの温度域にあるシリコン単結晶の表面にも窒
化物が形成されるため、シリコン単結晶の直径方向にお
ける窒素濃度は外周部近傍が他の領域に比べて高くなっ
てしまう。また、窒素とアルゴンとの混合ガス雰囲気中
でシリコン単結晶の育成を続けていると、窒素が供給さ
れ続けるが、窒素のシリコンに対する偏析係数が７×１
０-4と小さいため、シリコン融液中の窒素濃度が増加す
る。そして、シリコン単結晶中の窒素の固溶度が４．５
×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 を超えると有転位化が起き
る。 （３）特開昭５９−１３７３９３号公報が示すように、
窒素を拡散させたシリコン多結晶棒を用いてシリコン単
結晶を育成すると、前記（２）項と同様にシリコン多結
晶棒から窒化物が供給され続けるため、シリコン単結晶
中の窒素の固溶度が４．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
を超えると有転位化が起きる。
来のガスドープ方法を用いて窒素をドープする場合、次
のような問題点がある。 （１）ホスフィン等をドープする場合、溶融帯域にホス
フィン等を含むアルゴンガスを吹き付けているが、窒素
はシリコン融液との反応性が乏しいため、ノズルを通し
て溶融帯域に窒素ガスを含んだアルゴンガスを吹き付け
ても窒素のドープはほとんど行われない。 （２）１２００℃以上の固体シリコンに対する窒素ガス
の反応性は高く、特公平３−４１４３７号公報が示すよ
うに雰囲気ガス中に窒素ガスを混入すると、１２００℃
以上に加熱された固体シリコンの原料多結晶棒の表面に
窒化物の薄膜が形成され、原料多結晶棒の溶融とともに
融液シリコン中に窒素が溶解し、シリコン単結晶中に窒
素のドープができる。しかし、育成直後の温度から１２
００℃までの温度域にあるシリコン単結晶の表面にも窒
化物が形成されるため、シリコン単結晶の直径方向にお
ける窒素濃度は外周部近傍が他の領域に比べて高くなっ
てしまう。また、窒素とアルゴンとの混合ガス雰囲気中
でシリコン単結晶の育成を続けていると、窒素が供給さ
れ続けるが、窒素のシリコンに対する偏析係数が７×１
０-4と小さいため、シリコン融液中の窒素濃度が増加す
る。そして、シリコン単結晶中の窒素の固溶度が４．５
×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3 を超えると有転位化が起き
る。 （３）特開昭５９−１３７３９３号公報が示すように、
窒素を拡散させたシリコン多結晶棒を用いてシリコン単
結晶を育成すると、前記（２）項と同様にシリコン多結
晶棒から窒化物が供給され続けるため、シリコン単結晶
中の窒素の固溶度が４．５×１０15ａｔｏｍｓ／ｃｍ3
を超えると有転位化が起きる。
【０００８】本発明は上記従来の問題点に着目してなさ
れたもので、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造におい
て、シリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑制す
るとともに、不純物として用いる窒素の過剰添加による
有転位化を回避することが可能なシリコン単結晶へのガ
スドープ方法を提供することを目的としている。
れたもので、ＦＺ法によるシリコン単結晶の製造におい
て、シリコン単結晶中に生じる結晶欠陥の発生を抑制す
るとともに、不純物として用いる窒素の過剰添加による
有転位化を回避することが可能なシリコン単結晶へのガ
スドープ方法を提供することを目的としている。
【０００９】
【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明に係るシリコン単結晶へのガスドープ方法
は、ＦＺ法を用いてシリコン単結晶を製造する際に、溶
融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶棒に窒素と高純度
アルゴンとの混合ガスをノズルを通して吹き付け、表面
が窒化されたシリコン多結晶棒を溶融することによりシ
リコン単結晶に窒素を添加し、シリコン単結晶における
結晶欠陥の発生を抑制する構成とした。
め、本発明に係るシリコン単結晶へのガスドープ方法
は、ＦＺ法を用いてシリコン単結晶を製造する際に、溶
融帯域近傍の赤熱したシリコン多結晶棒に窒素と高純度
アルゴンとの混合ガスをノズルを通して吹き付け、表面
が窒化されたシリコン多結晶棒を溶融することによりシ
リコン単結晶に窒素を添加し、シリコン単結晶における
結晶欠陥の発生を抑制する構成とした。
【００１０】上記構成において、シリコン多結晶棒に対
する窒素と高純度アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間
を調整し、窒素の総吹き付け量を１．０×１０22〜６．
０×１０23ａｔｏｍｓとすることにより、シリコン単結
晶に添加する窒素濃度を制御し、窒素の過剰添加による
有転位化を回避することを特徴としている。
する窒素と高純度アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間
を調整し、窒素の総吹き付け量を１．０×１０22〜６．
０×１０23ａｔｏｍｓとすることにより、シリコン単結
晶に添加する窒素濃度を制御し、窒素の過剰添加による
有転位化を回避することを特徴としている。
【００１１】
【発明の実施の形態および実施例】本発明においては、
窒素と高純度アルゴンとの混合ガスを用いて溶融帯域近
傍のシリコン多結晶棒（固体シリコン部分）に吹き付け
ることによってシリコン多結晶棒の表面に窒化物を形成
させるので、この多結晶棒を溶解することによりシリコ
ン単結晶に窒素をドープすることができる。
窒素と高純度アルゴンとの混合ガスを用いて溶融帯域近
傍のシリコン多結晶棒（固体シリコン部分）に吹き付け
ることによってシリコン多結晶棒の表面に窒化物を形成
させるので、この多結晶棒を溶解することによりシリコ
ン単結晶に窒素をドープすることができる。
【００１２】また、シリコン単結晶中の窒素濃度は窒化
物の形成量すなわち窒素とアルゴンとの混合ガス比なら
びに混合ガスの吹き付け時間に依存するため、混合ガス
の吹き付け時間を調整することによりシリコン単結晶の
窒素濃度を制御することができる。
物の形成量すなわち窒素とアルゴンとの混合ガス比なら
びに混合ガスの吹き付け時間に依存するため、混合ガス
の吹き付け時間を調整することによりシリコン単結晶の
窒素濃度を制御することができる。
【００１３】次に、本発明に係るシリコン単結晶へのガ
スドープ方法の実施例について図面を参照して説明す
る。図１は本発明によるガスドープ方法を示す概略断面
模式図である。同図において、高周波誘導加熱コイル１
の上方には、シリコン多結晶棒２の軸線に向かって開口
する混合ガス吹き付けノズル３がシリコン多結晶棒２の
外周に近接して設置されている。シリコン多結晶棒２は
高周波誘導加熱コイル１により加熱されてシリコン融液
４となった後、凝固してシリコン単結晶５となる。この
ような装置を用いてシリコン多結晶棒２と図示しない種
結晶とを互いに反対方向に回転させながら、シリコン単
結晶５を育成する。
スドープ方法の実施例について図面を参照して説明す
る。図１は本発明によるガスドープ方法を示す概略断面
模式図である。同図において、高周波誘導加熱コイル１
の上方には、シリコン多結晶棒２の軸線に向かって開口
する混合ガス吹き付けノズル３がシリコン多結晶棒２の
外周に近接して設置されている。シリコン多結晶棒２は
高周波誘導加熱コイル１により加熱されてシリコン融液
４となった後、凝固してシリコン単結晶５となる。この
ような装置を用いてシリコン多結晶棒２と図示しない種
結晶とを互いに反対方向に回転させながら、シリコン単
結晶５を育成する。
【００１４】実施例１〜４では、アルゴンガス雰囲気中
で混合ガス吹き付けノズル３を通して窒素と高純度アル
ゴンとの混合ガスをシリコン多結晶棒２の溶融帯域近傍
に吹き付けながら、直径１２７ｍｍ、結晶方位＜１１１
＞のシリコン単結晶５を育成した。窒素の総吹き付け量
はそれぞれ５．０×１０22ａｔｏｍｓ，１．０×１０23
ａｔｏｍｓ，２．０×１０23ａｔｏｍｓ，４．０×１０
23ａｔｏｍｓとした。
で混合ガス吹き付けノズル３を通して窒素と高純度アル
ゴンとの混合ガスをシリコン多結晶棒２の溶融帯域近傍
に吹き付けながら、直径１２７ｍｍ、結晶方位＜１１１
＞のシリコン単結晶５を育成した。窒素の総吹き付け量
はそれぞれ５．０×１０22ａｔｏｍｓ，１．０×１０23
ａｔｏｍｓ，２．０×１０23ａｔｏｍｓ，４．０×１０
23ａｔｏｍｓとした。
【００１５】このようにして育成したシリコン単結晶の
転位状態を観察した後、無転位単結晶から直径１２５ｍ
ｍ、厚さ８００±１０μｍのウェーハを切り出し、厚さ
が６５０±１０μｍとなるように前記ウェーハの両面を
鏡面に仕上げた。これらのウェーハをＳｅｃｃｏエッチ
液で３０分間エッチングし、欠陥（フローパターン）の
発生状況を調べた。
転位状態を観察した後、無転位単結晶から直径１２５ｍ
ｍ、厚さ８００±１０μｍのウェーハを切り出し、厚さ
が６５０±１０μｍとなるように前記ウェーハの両面を
鏡面に仕上げた。これらのウェーハをＳｅｃｃｏエッチ
液で３０分間エッチングし、欠陥（フローパターン）の
発生状況を調べた。
【００１６】上記実施例１〜４と比較するため、ＦＺ法
による４水準のシリコン単結晶育成を行った。比較例１
ではアルゴンガス雰囲気中で混合ガス吹き付けノズル３
を通して高純度アルゴンのみをシリコン多結晶棒２の溶
融帯域近傍に吹き付けながら、シリコン単結晶５を育成
した。また、比較例２，３では、アルゴンガス雰囲気中
で混合ガス吹き付けノズル３を通して窒素と高純度アル
ゴンとの混合ガスをシリコン多結晶棒２の溶融帯域近傍
に吹き付けながら、シリコン単結晶５を育成した。窒素
の総吹き付け量はそれぞれ２．０×１０21ａｔｏｍｓ，
１．０×１０24ａｔｏｍｓとした。更に、比較例４では
混合ガス吹き付けノズル３によるガスドープを行わなか
った。育成したシリコン単結晶は、比較例１〜４とも前
記実施例と同様に直径１２７ｍｍ、結晶方位＜１１１＞
である。
による４水準のシリコン単結晶育成を行った。比較例１
ではアルゴンガス雰囲気中で混合ガス吹き付けノズル３
を通して高純度アルゴンのみをシリコン多結晶棒２の溶
融帯域近傍に吹き付けながら、シリコン単結晶５を育成
した。また、比較例２，３では、アルゴンガス雰囲気中
で混合ガス吹き付けノズル３を通して窒素と高純度アル
ゴンとの混合ガスをシリコン多結晶棒２の溶融帯域近傍
に吹き付けながら、シリコン単結晶５を育成した。窒素
の総吹き付け量はそれぞれ２．０×１０21ａｔｏｍｓ，
１．０×１０24ａｔｏｍｓとした。更に、比較例４では
混合ガス吹き付けノズル３によるガスドープを行わなか
った。育成したシリコン単結晶は、比較例１〜４とも前
記実施例と同様に直径１２７ｍｍ、結晶方位＜１１１＞
である。
【００１７】このようにして育成したシリコン単結晶の
転位状態を観察した後、無転位単結晶から直径１２５ｍ
ｍ、厚さ８００±１０μｍのウェーハを切り出し、厚さ
が６５０±１０μｍとなるように前記ウェーハの両面を
鏡面に仕上げ、実施例１〜４と同一条件でエッチング
し、欠陥の発生状況を調べた。
転位状態を観察した後、無転位単結晶から直径１２５ｍ
ｍ、厚さ８００±１０μｍのウェーハを切り出し、厚さ
が６５０±１０μｍとなるように前記ウェーハの両面を
鏡面に仕上げ、実施例１〜４と同一条件でエッチング
し、欠陥の発生状況を調べた。
【００１８】前記各実施例、比較例の育成結晶状態と欠
陥（フローパターン）の発生状況を表１に示す。
陥（フローパターン）の発生状況を表１に示す。
【００１９】
【表１】
【００２０】表１から明らかなように、本発明により結
晶品質であるフローパターン欠陥の発生が解消すること
と、窒素の過剰添加による有転位化を回避できることが
認められる。
晶品質であるフローパターン欠陥の発生が解消すること
と、窒素の過剰添加による有転位化を回避できることが
認められる。
【００２１】
【発明の効果】以上説明したように、ＦＺ法における本
発明によるシリコン単結晶へのガスドープ方法は、ノズ
ルによる吹き付け方式を用いて窒素と高純度アルゴンと
の混合ガスの吹き付け位置ならびに窒素の総吹き付け量
を任意に調整することにしたので、望ましくない位置で
の窒素ドープや、過剰量の窒素ドープによる有転位化を
回避することが容易となる。従って、結晶欠陥を低減し
た大径の無転位シリコン単結晶を高収量で製造すること
ができる。
発明によるシリコン単結晶へのガスドープ方法は、ノズ
ルによる吹き付け方式を用いて窒素と高純度アルゴンと
の混合ガスの吹き付け位置ならびに窒素の総吹き付け量
を任意に調整することにしたので、望ましくない位置で
の窒素ドープや、過剰量の窒素ドープによる有転位化を
回避することが容易となる。従って、結晶欠陥を低減し
た大径の無転位シリコン単結晶を高収量で製造すること
ができる。
【図１】本発明によるガスドープ方法を示す概略断面模
式図である。
式図である。
１ 高周波誘導加熱コイル ２ シリコン多結晶棒 ３ 混合ガス吹き付けノズル ４ シリコン融液 ５ シリコン単結晶
Claims (2)
- 【請求項１】 浮遊帯域溶融法を用いてシリコン単結晶
を製造する際に、溶融帯域近傍の赤熱したシリコン多結
晶棒に窒素と高純度アルゴンとの混合ガスをノズルを通
して吹き付け、表面が窒化されたシリコン多結晶棒を溶
融することによりシリコン単結晶に窒素を添加し、シリ
コン単結晶における結晶欠陥の発生を抑制することを特
徴とするシリコン単結晶へのガスドープ方法。 - 【請求項２】 シリコン多結晶棒に対する窒素と高純度
アルゴンとの混合ガスの吹き付け時間を調整し、窒素の
総吹き付け量を１．０×１０22〜６．０×１０23ａｔｏ
ｍｓとすることにより、シリコン単結晶に添加する窒素
濃度を制御し、窒素の過剰添加による有転位化を回避す
ることを特徴とする請求項１記載のシリコン単結晶への
ガスドープ方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12412196A JPH09286688A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | シリコン単結晶へのガスドープ方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12412196A JPH09286688A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | シリコン単結晶へのガスドープ方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09286688A true JPH09286688A (ja) | 1997-11-04 |
Family
ID=14877450
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12412196A Withdrawn JPH09286688A (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | シリコン単結晶へのガスドープ方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09286688A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN1333114C (zh) * | 2006-04-21 | 2007-08-22 | 天津市环欧半导体材料技术有限公司 | 气相掺杂区熔硅单晶的生产方法 |
| JP2009221079A (ja) * | 2008-03-18 | 2009-10-01 | Shin Etsu Handotai Co Ltd | Ｆｚ法による半導体結晶製造方法および半導体結晶製造装置 |
| CN103866375A (zh) * | 2012-12-10 | 2014-06-18 | 有研半导体材料股份有限公司 | 一种掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
| JP2017105650A (ja) * | 2015-12-07 | 2017-06-15 | 株式会社Sumco | シリコン単結晶の製造方法 |
| CN111270300A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 有研半导体材料有限公司 | 一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP12412196A patent/JPH09286688A/ja not_active Withdrawn
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| CN106894083A (zh) * | 2015-12-07 | 2017-06-27 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
| CN106894083B (zh) * | 2015-12-07 | 2019-08-06 | 胜高股份有限公司 | 单晶硅的制造方法 |
| CN111270300A (zh) * | 2018-12-04 | 2020-06-12 | 有研半导体材料有限公司 | 一种气相掺杂区熔硅单晶的制备方法 |
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