JPH09288074A - 試料温度制御方法及び装置 - Google Patents
試料温度制御方法及び装置Info
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- JPH09288074A JPH09288074A JP12395796A JP12395796A JPH09288074A JP H09288074 A JPH09288074 A JP H09288074A JP 12395796 A JP12395796 A JP 12395796A JP 12395796 A JP12395796 A JP 12395796A JP H09288074 A JPH09288074 A JP H09288074A
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Abstract
の両端の温度差自体を制御対象としてフィードバック制
御することにより、その温度差を高精度に一定に保った
状態で、試料温度を変化させる。 【解決手段】 熱電材料からなる試料50の両端がそれ
ぞれ専用の赤外線ランプ56、58で加熱される。試料
50の両端の温度Ta、Tbは熱電対64、66で測定
される。第1温度制御装置70では、上端温度Taが所
定の昇温曲線に追従するように第1加熱電源72に信号
が出力される。一方、上端温度Taと下端温度Tbの温
度差ΔTが第2温度制御装置78に送られて、この温度
差ΔTが所定の一定値に保たれるように、第2加熱電源
80に信号が出力される。これにより、下端温度Tbは
上端温度Taに対して常に一定の温度差ΔTを保つよう
に追従していく。試料50の両端で発生する熱起電力は
電圧計82で検出される。
Description
電力を測定する場合の試料温度制御方法及び装置に関
し、特に、試料の二つの位置を別個の加熱装置で加熱す
ることによって、第1位置と第2位置の温度差を一定に
保ちながら試料の温度を変化させる試料温度制御方法及
び装置に関する。
差当たりの熱起電力があり、この熱起電力は温度に依存
して変化する。したがって、熱電材料を室温から高温ま
で変化させながら、単位温度差当たりの熱起電力を各温
度で測定することが行なわれている。熱起電力の測定装
置としては、特開平4−125458号公報、特開平5
−18913号公報、特開昭60−39541号公報な
どに記載されているものが知られている。
たっては、熱電材料の二つの地点の温度差とその間の熱
起電力を測定する必要がある。その場合、温度差を一定
に保った状態で熱起電力を測定すれば、実測された熱起
電力の温度依存性は、そのまま、単位温度差当たりの熱
起電力の温度依存性に等しくなり、データ分析に便利で
ある。また、温度差を一定に保った状態で熱起電力を測
定すれば、測定結果の再現性や信頼性が向上すると考え
られる。そこで、試料の二つの地点の温度差を一定に保
った条件で熱起電力の温度依存性を測定できるような装
置が開発されてきている。
力の温度依存性を測定するための従来の測定装置の構成
図である。熱電材料からなる試料10の両端は、石英製
の赤外線導入ロッド12、14を介して、それぞれ専用
の赤外線ランプ16、18で加熱される。試料10の両
端には電極板20、22が接触しており、この電極板2
0、22にそれぞれ熱電対24、26が接着されてい
る。試料10の上端の温度Ta(以下、第1温度とい
う。)は、熱電対24で起電力として検出され、これが
第1温度計測装置28で温度に変換される。この検出温
度は第1温度制御装置30に送られ、この第1温度制御
装置30では、第1温度Taが所定の第1昇温曲線に追
従するように、第1加熱電源32に加熱信号が出力され
る。そして、第1加熱電源32からの供給電力によって
赤外線ランプ16が加熱される。
第2温度という。)は、熱電対26で起電力として検出
され、これが第2温度計測装置34で温度に変換され
る。この検出温度は、第2温度制御装置36に送られ、
第2温度Tbが所定の第2昇温曲線に追従するように、
第2加熱電源38に加熱信号が出力される。そして、試
料の両端の温度差を一定に保ちながら試料温度を上昇さ
せるには、目標となる第1昇温曲線と第2昇温曲線の間
に温度差を付けておけばよい。試料10の両端で発生す
る熱起電力は電圧計40で検出される。
である。試料の上端の温度Taは、第1昇温曲線42を
目標値として一定の昇温速度で上昇する。また、試料の
下端の温度Tbは、第2昇温曲線44を目標値として一
定の昇温速度で上昇する。第1昇温曲線42と第2昇温
曲線44は、昇温速度が同じに設定され、かつ、二つの
昇温曲線42、44の温度差ΔTが一定になるように設
定される。試料の熱起電力の測定を開始するには、ま
ず、第1温度Taが第1昇温曲線42に追従するように
赤外線ランプ16に電力を供給する。試料の上端が室温
から昇温を開始して、時間tだけ経過すると、第1昇温
曲線42は室温よりもちょうどΔTだけ高くなる。この
ときに、試料の下端側の赤外線ランプ18にも電力供給
を開始して、第2温度Tbが第2昇温曲線44に追従す
るように制御する。このようにして、試料の両端の温度
は、それぞれの目標とする昇温曲線に追従するように制
御され、その結果として、温度差ΔTが一定に保たれな
がら試料温度が上昇する。このような条件のもとで熱起
電力の温度依存性が測定される。
力測定装置では、試料の両端の温度は、それぞれ、目標
となる温度曲線に追従するようにフィードバック制御さ
れ、その結果として、両端の温度差が一定に保たれなが
ら昇温する。しかしながら、試料の両端の温度が別個の
フィードバック制御系で昇温制御されるので、実際に
は、試料の両端の温度差は必ずしも一定に保たれない。
なぜならば、二つのフィードバック制御系の特性の違い
や、制御開始時点が時間tだけずれることに伴う乱れ、
などが影響して、温度差はかなり変動する。
なされたものであり、その目的は、試料の二つの位置を
別個の加熱装置で加熱することによって、第1位置と第
2位置の温度差を一定に保ちながら試料の温度を変化さ
せる場合に、その温度差を高精度に一定に保つことにあ
る。
方法は、熱電材料からなる試料の二つの位置(以下、第
1位置と第2位置という。)を別個の加熱装置で加熱す
ることによって、第1位置と第2位置の温度差を一定に
保ちながら試料の温度を変化させて、前記温度差に起因
する試料の熱起電力を試料温度の関数として測定する場
合の試料温度制御方法において、次の(イ)〜(ニ)の
段階を備える。(イ)前記第1位置の温度と前記第2位
置の温度をそれぞれ検出する段階。(ロ)前記第1位置
の温度が所定の温度変化曲線に追従するように、第1位
置加熱用の第1加熱装置を制御することによって、前記
第1位置の温度をフィードバック制御する段階。(ハ)
検出された第1位置の温度と第2位置の温度からその温
度差を求める段階。(ニ)前記温度差が所定の一定値に
なるように、第2位置加熱用の第2加熱装置を制御する
ことによって、前記温度差をフィードバック制御する段
階。
電材料からなる試料の二つの位置(以下、第1位置と第
2位置という。)を別個の加熱装置で加熱することによ
って、第1位置と第2位置の温度差を一定に保ちながら
試料の温度を変化させて、前記温度差に起因する試料の
熱起電力を試料温度の関数として測定する場合の試料温
度制御装置において、次の(イ)〜(ト)の構成を備え
る。(イ)前記第1位置の温度を検出する第1温度検出
装置。(ロ)前記第2位置の温度を検出する第2温度検
出装置。(ハ)前記第1位置を加熱するための第1加熱
装置。(ニ)前記第2位置を加熱するための第2加熱装
置。(ホ)前記第1温度検出装置からの温度信号を受け
て、前記第1位置の温度が所定の温度変化曲線に追従す
るように前記第1加熱装置に加熱信号を出力する第1温
度制御装置。(ヘ)前記第1温度検出装置からの温度信
号と前記第2温度検出装置からの温度信号とを受けて、
前記第1位置と第2位置の温度差を求める温度差演算装
置。(ト)前記温度差演算装置からの温度差信号を受け
て、前記温度差が所定の一定値になるように前記第2加
熱装置に加熱信号を出力する第2温度制御装置。
度差自体を制御対象としてフィードバック制御している
ので、温度差が高精度に一定に保たれる。
するのが便利であるが、これに限定することなく、試料
の途中の任意の2か所であってもよい。加熱装置として
は、温度制御の応答性が高いとの理由で赤外線ランプが
好ましいが、これ以外のヒータを用いてもよい。
熱電材料の熱起電力の測定以外にも、試料の2地点間の
温度差を一定に保持しながら試料温度を変化させるよう
なその他の熱分析方法及び装置にも適用できる。
装置の一実施形態を示す構成図である。熱電材料からな
る試料50は、真空排気された赤外線加熱炉の内部に配
置される。試料50の両端は、石英製の赤外線導入ロッ
ド52、54を介して、それぞれ専用の赤外線ランプ5
6、58で加熱される。試料50の両端にはニッケル製
の電極板60、62が接触しており、この電極板60、
62にそれぞれ熱電対64、66が接着されている。試
料50の上端の温度Ta(以下、第1温度という。)
は、熱電対64で起電力として検出され、これが第1温
度計測装置68で温度に変換される。熱電対の起電力・
温度変換表はその材質に応じた公知のものを使用でき
る。この第1温度計測装置68で計測された第1温度T
aは、第1温度制御装置70に送られ、この第1温度T
aが所定の昇温曲線に追従するように、第1加熱電源7
2に加熱信号が出力される。そして、この第1加熱電源
72から赤外線ランプ56に電力が供給される。
第2温度という。)は、熱電対66で起電力として検出
され、これが第2温度計測装置74で温度に変換され
る。そして、第1温度計測装置68で計測された第1温
度Taと、第2温度計測装置74で計測された第2温度
Tbは、温度差演算装置76に入力され、両者の温度差
ΔT=Ta−Tbが求められる。この温度差ΔTが第2
温度制御装置78に送られて、温度差ΔTが所定の一定
値に保たれるように、第2加熱電源80に加熱信号が出
力される。そして、この第2加熱電源80から赤外線ラ
ンプ58に電力が供給される。その結果、試料50の下
端の第2温度Tbは、上端の第1温度Taに対して常に
一定の温度差ΔTを保つように追従していく。試料50
の両端で発生する熱起電力は電圧計82で検出される。
また、第1温度計測装置68の出力と、第2温度計測装
置74の出力と、電圧計82の出力は、記録装置に入力
されて、この記録装置で、単位温度差当たりの熱起電力
と試料温度とが記録される。
関係を説明すると、第1加熱電源72と赤外線ランプ5
6がこの発明の第1加熱装置を構成し、第2加熱電源8
0と赤外線ランプ58がこの発明の第2加熱装置を構成
する。また、熱電対64と第1温度計測装置68がこの
発明の第1温度検出装置を構成し、熱電対66と第2温
度計測装置74がこの発明の第2温度検出装置を構成す
る。
えて、各温度における試料の電気抵抗も同時に測定する
ようにしてもよい。
グラフの一例である。試料の上端の第1温度Taは昇温
曲線84に追従して上昇する。この実施形態では、室温
から1000℃まで昇温できる。図1の第1温度制御装
置70にはこの昇温曲線84が目標値として記憶されて
いる。この第1温度制御装置70は、第1温度計測装置
68の出力信号すなわち第1温度Taを受け取って、こ
の第1温度Taが昇温曲線84に追従するように、第1
加熱電源72に加熱信号を出力する。この加熱信号に基
づいて第1加熱電源72は赤外線ランプ56に電力を供
給する。このようにして、第1温度Taはフィードバッ
ク制御される。この第1温度制御装置70によるフィー
ドバック制御では公知のPID制御が用いられている。
る一定の温度差が記憶されている。この目標値は時間と
共に変化せずに常に一定である。この第2温度制御装置
78は、温度差演算装置76の出力信号すなわち実測し
た温度差ΔTを受け取って、この温度差ΔTが目標の温
度差となるように、第2加熱電源80に加熱信号を出力
する。この加熱信号に基づいて第2加熱電源80は赤外
線ランプ58に電力を供給する。このようにして、試料
の上端と下端の温度差が一定となるようにフィードバッ
ク制御される。この第2温度制御装置78によるフィー
ドバック制御においても公知のPID制御が用いられて
いる。この実施形態では、目標の温度差は2℃〜50℃
の間で設定できる。
置では、試料温度を所定の昇温曲線に追従させるフィー
ドバック制御は第1温度制御装置70が担当し、試料の
両端の温度差を一定に保つフィードバック制御は第2温
度制御装置78が担当している。このようにして、温度
差を一定に保つためのフィードバック制御系が昇温フィ
ードバック制御系とは別個になっているので、温度差は
高精度に一定に保たれる。
ラフの一例である。横軸の温度は、試料の第1温度Ta
と第2温度Tbの平均値であり、この平均値をもって試
料温度としている。縦軸は単位温度差当たりの熱起電力
である。
を以下に説明する。温度範囲は室温〜1000℃であ
り、試料50の両端の目標温度差は2℃〜50℃の間で
数段階に設定できる。温度制御の性能としては、第1温
度Taの目標温度追従性が±0.5℃以下であり、温度
差ΔTの変動も±0.5℃以下である。試料50の寸法
は、その断面が一辺5〜10mmの正方形で、長さが5
〜15mmである。ニッケル製の電極板60、62は厚
さ0.2mmの円板である。使用する熱電対64、66
は白金−白金ロジウム合金か、クロメル−アルメルであ
る。
の実施形態を示す構成図である。図1の構成と異なる点
は、図1の温度差演算装置76を削除して、その代わり
に、差分出力装置86を設けたことである。図1の構成
と同じ部分には同じ符号を付けてあり、その説明は省略
する。
1温度計測装置68に入力されると共に、差分出力装置
86の第1増幅器88にも入力される。そして、熱電対
64の出力は、第1増幅器88と第1アイソレーション
・アンプ92で増幅されてから、差動増幅器94の一方
の入力端子に入力される。また、熱電対66の起電力
は、第2温度計測装置74に入力されると共に、差分出
力装置86の第2増幅器90にも入力される。そして、
熱電対66の出力は、第2増幅器90と第2アイソレー
ション・アンプ96で増幅されてから、差動増幅器94
の他方の入力端子に入力される。そして、この差動増幅
器94からは、熱電対64の起電力と熱電対66の起電
力との差分に比例した電圧信号ΔVが出力される。
に入力される。この第2温度制御装置98は、入力され
た電圧信号ΔVが、所定の目標温度差に相当する目標電
圧になるように、第2加熱電源80に加熱信号を出力す
る。これにより、試料の下端の温度は、上端に対して所
定の目標温度差になるように制御される。
力をそれぞれの温度計測装置で温度に変換してからその
差分を求める代わりに、各熱電対の起電力の差分を直接
求めて、これを第2温度制御装置にフィードバックして
おり、次の利点がある。図1において、試料の両端の目
標温度差を小さい値に設定する場合を考えると、第1温
度計測装置68と第2温度計測装置74における起電力
・温度変換の精度を高くする必要がある。この変換精度
が低いと、各温度計測装置68、74での変換誤差が温
度差演算装置76の出力精度に大きく影響する。したが
って、変換精度の高い高価な温度計測装置を使う必要が
ある。これに対して、図6に示すように、二つの熱電対
の起電力について温度変換をすることなく、差分出力装
置86で起電力の差分を求めれば、温度計測装置での温
度変換精度の影響を受けることがなく、目標温度差が小
さい場合でも、試料の両端の温度差を高精度に一定に制
御できる。
加熱エネルギーを導入するのに、石英製の赤外線導入ロ
ッド52、54を用いているが、この石英製ロッドを使
わずに、反射板による集光加熱で試料を加熱してもよ
い。
自体を制御対象としてフィードバック制御しているの
で、その温度差を高精度に一定に保った状態で、試料温
度を変化させることができる。
す構成図である。
である。
である。
示す構成図である。
Claims (5)
- 【請求項1】 熱電材料からなる試料の二つの位置(以
下、第1位置と第2位置という。)を別個の加熱装置で
加熱することによって、第1位置と第2位置の温度差を
一定に保ちながら試料の温度を変化させて、前記温度差
に起因する試料の熱起電力を試料温度の関数として測定
する場合の試料温度制御方法において、次の段階を備え
る試料温度制御方法。 (イ)前記第1位置の温度と前記第2位置の温度をそれ
ぞれ検出する段階。 (ロ)前記第1位置の温度が所定の温度変化曲線に追従
するように、第1位置加熱用の第1加熱装置を制御する
ことによって、前記第1位置の温度をフィードバック制
御する段階。 (ハ)検出された第1位置の温度と第2位置の温度から
その温度差を求める段階。 (ニ)前記温度差が所定の一定値になるように、第2位
置加熱用の第2加熱装置を制御することによって、前記
温度差をフィードバック制御する段階。 - 【請求項2】 熱電材料からなる試料の二つの位置(以
下、第1位置と第2位置という。)を別個の加熱装置で
加熱することによって、第1位置と第2位置の温度差を
一定に保ちながら試料の温度を変化させて、前記温度差
に起因する試料の熱起電力を試料温度の関数として測定
する場合の試料温度制御装置において、次の構成を備え
る試料温度制御装置。 (イ)前記第1位置の温度を検出する第1温度検出装
置。 (ロ)前記第2位置の温度を検出する第2温度検出装
置。 (ハ)前記第1位置を加熱するための第1加熱装置。 (ニ)前記第2位置を加熱するための第2加熱装置。 (ホ)前記第1温度検出装置からの温度信号を受けて、
前記第1位置の温度が所定の温度変化曲線に追従するよ
うに前記第1加熱装置に加熱信号を出力する第1温度制
御装置。 (ヘ)前記第1温度検出装置からの温度信号と前記第2
温度検出装置からの温度信号とを受けて、前記第1位置
と第2位置の温度差を求める温度差演算装置。 (ト)前記温度差演算装置からの温度差信号を受けて、
前記温度差が所定の一定値になるように前記第2加熱装
置に加熱信号を出力する第2温度制御装置。 - 【請求項3】 前記第1加熱装置と第2加熱装置は、そ
れぞれ、赤外線ランプを備えることを特徴とする請求項
2記載の試料温度制御装置。 - 【請求項4】 試料の二つの位置(以下、第1位置と第
2位置という。)を別個の加熱装置で加熱することによ
って、第1位置と第2位置の温度差を一定に保ちながら
試料の温度を変化させる試料温度制御方法において、次
の段階を備える試料温度制御方法。 (イ)前記第1位置の温度と前記第2位置の温度をそれ
ぞれ検出する段階。 (ロ)前記第1位置の温度が所定の温度変化曲線に追従
するように、第1位置加熱用の第1加熱装置を制御する
ことによって、前記第1位置の温度をフィードバック制
御する段階。 (ハ)検出された第1位置の温度と第2位置の温度から
その温度差を求める段階。 (ニ)前記温度差が所定の一定値になるように、第2位
置加熱用の第2加熱装置を制御することによって、前記
温度差をフィードバック制御する段階。 - 【請求項5】 試料の二つの位置(以下、第1位置と第
2位置という。)を別個の加熱装置で加熱することによ
って、第1位置と第2位置の温度差を一定に保ちながら
試料の温度を変化させる試料温度制御装置において、次
の構成を備える試料温度制御装置。 (イ)前記第1位置の温度を検出する第1温度検出装
置。 (ロ)前記第2位置の温度を検出する第2温度検出装
置。 (ハ)前記第1位置を加熱するための第1加熱装置。 (ニ)前記第2位置を加熱するための第2加熱装置。 (ホ)前記第1温度検出装置からの温度信号を受けて、
前記第1位置の温度が所定の温度変化曲線に追従するよ
うに前記第1加熱装置に加熱信号を出力する第1温度制
御装置。 (ヘ)前記第1温度検出装置からの温度信号と前記第2
温度検出装置からの温度信号とを受けて、前記第1位置
と第2位置の温度差を求める温度差演算装置。 (ト)前記温度差演算装置からの温度差信号を受けて、
前記温度差が所定の一定値になるように前記第2加熱装
置に加熱信号を出力する第2温度制御装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12395796A JP3670757B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 試料温度制御方法及び装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP12395796A JP3670757B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 試料温度制御方法及び装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09288074A true JPH09288074A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3670757B2 JP3670757B2 (ja) | 2005-07-13 |
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ID=14873536
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|---|---|---|---|
| JP12395796A Expired - Fee Related JP3670757B2 (ja) | 1996-04-23 | 1996-04-23 | 試料温度制御方法及び装置 |
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|---|---|
| JP (1) | JP3670757B2 (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005134276A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱解析情報提供方法、及び熱解析情報提供システム |
| CN111811957A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-10-23 | 上海交通大学 | 基于控制热拉伸试验升温装置的升温方法 |
| JP2024036025A (ja) * | 2022-09-05 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
-
1996
- 1996-04-23 JP JP12395796A patent/JP3670757B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2005134276A (ja) * | 2003-10-31 | 2005-05-26 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 熱解析情報提供方法、及び熱解析情報提供システム |
| CN111811957A (zh) * | 2019-11-11 | 2020-10-23 | 上海交通大学 | 基于控制热拉伸试验升温装置的升温方法 |
| JP2024036025A (ja) * | 2022-09-05 | 2024-03-15 | 東京エレクトロン株式会社 | 基板処理装置 |
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| JP3670757B2 (ja) | 2005-07-13 |
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