JPH09289335A - 光結合素子 - Google Patents
光結合素子Info
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- JPH09289335A JPH09289335A JP10007296A JP10007296A JPH09289335A JP H09289335 A JPH09289335 A JP H09289335A JP 10007296 A JP10007296 A JP 10007296A JP 10007296 A JP10007296 A JP 10007296A JP H09289335 A JPH09289335 A JP H09289335A
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- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
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- H10W90/701—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts
- H10W90/751—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires
- H10W90/756—Package configurations characterised by the relative positions of pads or connectors relative to package parts of bond wires between a chip and a stacked lead frame, conducting package substrate or heat sink
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- Photo Coupler, Interrupter, Optical-To-Optical Conversion Devices (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 互いに対向配置された発光素子と受光素子と
を有する光結合素子において、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響を軽減する。 【解決手段】 発光素子１と受光素子２との間に、受光
素子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８、または導電性
透過膜８′を積層したポリイミド膜１２、または導電性
透過膜８′を積層したガラス板を介在させてある。
を有する光結合素子において、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響を軽減する。 【解決手段】 発光素子１と受光素子２との間に、受光
素子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８、または導電性
透過膜８′を積層したポリイミド膜１２、または導電性
透過膜８′を積層したガラス板を介在させてある。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、発光素子と受光素
子とが光学的に結合され、一体化されてなる光結合素子
に関する。
子とが光学的に結合され、一体化されてなる光結合素子
に関する。
【０００２】
【従来の技術】従来の光結合素子は図９に示すように、
あらかじめ対向するように折り曲げられた金属製のリー
ドフレーム３，３′に発光素子１および受光素子２を個
々にダイボンドし、金線４によりワイヤボンドを施した
後、発光素子１には応力緩和のために透明シリコーン樹
脂５でプリコートを施す。その後、これらをスポット溶
接したり、あるいはローディングフレームにセットする
こと等により発光素子１および受光素子２を対向させ、
光学的に結合するよう透光性樹脂６（エポキシ樹脂）に
て１次トランスファーモールドを行い、さらに、遮光性
樹脂７（エポキシ樹脂）にて２次トランスファーモール
ドを行う。
あらかじめ対向するように折り曲げられた金属製のリー
ドフレーム３，３′に発光素子１および受光素子２を個
々にダイボンドし、金線４によりワイヤボンドを施した
後、発光素子１には応力緩和のために透明シリコーン樹
脂５でプリコートを施す。その後、これらをスポット溶
接したり、あるいはローディングフレームにセットする
こと等により発光素子１および受光素子２を対向させ、
光学的に結合するよう透光性樹脂６（エポキシ樹脂）に
て１次トランスファーモールドを行い、さらに、遮光性
樹脂７（エポキシ樹脂）にて２次トランスファーモール
ドを行う。
【０００３】受光素子２はバイポーラプロセスを用い受
光領域にＰＮ接合部を形成しており、表面側より光を受
ける。
光領域にＰＮ接合部を形成しており、表面側より光を受
ける。
【０００４】この受光素子２として、その受光領域外
に、一旦光電変換した信号を処理する増幅回路、コンパ
レータ回路や出力回路等を一体的に設けたＩＣチップを
用いる場合がある。この場合、受光領域と、その他の増
幅回路、コンパレータ回路や出力回路等は、受光素子２
内に併設される。
に、一旦光電変換した信号を処理する増幅回路、コンパ
レータ回路や出力回路等を一体的に設けたＩＣチップを
用いる場合がある。この場合、受光領域と、その他の増
幅回路、コンパレータ回路や出力回路等は、受光素子２
内に併設される。
【０００５】受光素子２が発光素子１から放射された光
を直接受けると、増幅回路、コンパレータ回路、出力回
路などのパターンにも、発光素子１から放射された光が
当たり、雑音の原因になっている。これらの雑音をでき
るだけ少なくするため、ダミーの受光素子を用いて、こ
れと比較することによって誤動作を防いだり、増幅回
路、コンパレータ回路、出力回路などのパターン上をシ
ールドしたりする方法が用いられてきた。
を直接受けると、増幅回路、コンパレータ回路、出力回
路などのパターンにも、発光素子１から放射された光が
当たり、雑音の原因になっている。これらの雑音をでき
るだけ少なくするため、ダミーの受光素子を用いて、こ
れと比較することによって誤動作を防いだり、増幅回
路、コンパレータ回路、出力回路などのパターン上をシ
ールドしたりする方法が用いられてきた。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】１次−２次間の絶縁が
要求される光結合素子では、入出力間の遅い信号に対し
ては電気的に絶縁されるが、急激に変化する電圧が加わ
った場合、光結合素子の入出力間の浮遊容量により、出
力にノイズが発生することがある。
要求される光結合素子では、入出力間の遅い信号に対し
ては電気的に絶縁されるが、急激に変化する電圧が加わ
った場合、光結合素子の入出力間の浮遊容量により、出
力にノイズが発生することがある。
【０００７】最近ではネットワーク通信用などの用途
に、高速・高ＣＭＲ（Common Mode Rejection ）特性が
要求されており、他にも機器のテスト項目にノイズテス
トが含まれる傾向が多く、光結合素子はＣＭＲの高いも
のが必要になってきている。ＣＭＲを高くするために
は、光結合素子の発光素子と受光素子間の絶縁距離を大
きくして入出力間の浮遊容量を小さくする方法や、前記
のように増幅回路、コンパレータ回路、出力回路などの
パターン上をシールドしたりする方法が用いられてき
た。
に、高速・高ＣＭＲ（Common Mode Rejection ）特性が
要求されており、他にも機器のテスト項目にノイズテス
トが含まれる傾向が多く、光結合素子はＣＭＲの高いも
のが必要になってきている。ＣＭＲを高くするために
は、光結合素子の発光素子と受光素子間の絶縁距離を大
きくして入出力間の浮遊容量を小さくする方法や、前記
のように増幅回路、コンパレータ回路、出力回路などの
パターン上をシールドしたりする方法が用いられてき
た。
【０００８】しかしながら、発光素子と受光素子間の距
離は、絶縁距離を大きく確保するために素子の搭載部分
にオフセット折り曲げを行っても、光結合素子の構造上
の限界があり、絶縁距離を充分に大きくとることはむず
かしかった。
離は、絶縁距離を大きく確保するために素子の搭載部分
にオフセット折り曲げを行っても、光結合素子の構造上
の限界があり、絶縁距離を充分に大きくとることはむず
かしかった。
【０００９】本発明は、上記課題に対し、光結合素子の
１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響を軽減し
得る光結合素子の提供を目的とする。
１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響を軽減し
得る光結合素子の提供を目的とする。
【００１０】
【課題を解決するための手段】本発明に係る請求項１の
光結合素子は、互いに対向配置された発光素子と受光素
子とを有する光結合素子において、発光素子と受光素子
との間に受光素子を覆う状態にメッシュ状導電膜を介在
させてあることを特徴としている。メッシュ状導電膜の
介在により、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の
影響を軽減することができる。
光結合素子は、互いに対向配置された発光素子と受光素
子とを有する光結合素子において、発光素子と受光素子
との間に受光素子を覆う状態にメッシュ状導電膜を介在
させてあることを特徴としている。メッシュ状導電膜の
介在により、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の
影響を軽減することができる。
【００１１】本発明に係る請求項２の光結合素子は、互
いに対向配置された発光素子と受光素子とを有する光結
合素子において、発光素子と受光素子との間に受光素子
を覆う状態に導電性透過膜を積層したポリイミド膜を介
在させてあることを特徴としている。導電性透過膜を積
層したポリイミド膜の介在により、１次−２次間に生じ
る雑音による誤動作の影響を軽減することができる。
いに対向配置された発光素子と受光素子とを有する光結
合素子において、発光素子と受光素子との間に受光素子
を覆う状態に導電性透過膜を積層したポリイミド膜を介
在させてあることを特徴としている。導電性透過膜を積
層したポリイミド膜の介在により、１次−２次間に生じ
る雑音による誤動作の影響を軽減することができる。
【００１２】本発明に係る請求項３の光結合素子は、互
いに対向配置された発光素子と受光素子とを有する光結
合素子において、発光素子と受光素子との間に受光素子
を覆う状態に導電性透過膜を積層したガラス板を介在さ
せてあることを特徴としている。導電性透過膜を積層し
たガラス板の介在により、１次−２次間に生じる雑音に
よる誤動作の影響を軽減することができ、かつ、１次−
２次間の絶縁性を高めることができる。
いに対向配置された発光素子と受光素子とを有する光結
合素子において、発光素子と受光素子との間に受光素子
を覆う状態に導電性透過膜を積層したガラス板を介在さ
せてあることを特徴としている。導電性透過膜を積層し
たガラス板の介在により、１次−２次間に生じる雑音に
よる誤動作の影響を軽減することができ、かつ、１次−
２次間の絶縁性を高めることができる。
【００１３】
【発明の実施の形態】以下、本発明に係る光結合素子の
実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
実施の形態を図面を用いて詳細に説明する。
【００１４】〔実施の形態１〕図１は本発明の実施の形
態１に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
態１に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
【００１５】図１において、発光素子１と受光素子２が
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペースト
（Ａｇペースト等）により接続する。メッシュ状導電膜
８は、Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成さ
れ、そのメッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜
３００μｍである。発光素子１および受光素子２がほぼ
同一光軸上になるよう対向配置させ透光性樹脂６にて１
次トランスファーモールドを行う。その後、さらにその
周囲を遮光性樹脂７にて２次トランスファーモールドす
ることにより、実施の形態１の光結合素子を構成してい
る。
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペースト
（Ａｇペースト等）により接続する。メッシュ状導電膜
８は、Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成さ
れ、そのメッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜
３００μｍである。発光素子１および受光素子２がほぼ
同一光軸上になるよう対向配置させ透光性樹脂６にて１
次トランスファーモールドを行う。その後、さらにその
周囲を遮光性樹脂７にて２次トランスファーモールドす
ることにより、実施の形態１の光結合素子を構成してい
る。
【００１６】受光側リードフレーム３′において受光素
子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるの
で、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽
減され、高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素子が
得られる。
子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるの
で、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽
減され、高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素子が
得られる。
【００１７】〔実施の形態２〕図２は本発明の実施の形
態２に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
態２に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
【００１８】この実施の形態２の光結合素子は、上記実
施の形態１（図１）の構造を前提として、受光側リード
フレーム３′の端部にメッシュ状導電膜８を接続するた
めのオフセット突起９を一体的に形成し、そのオフセッ
ト突起９に対して受光素子２を覆うメッシュ状導電膜８
を導電性ペースト（Ａｇペースト等）あるいはスポット
溶接にて接続したものである。その他の構成は実施の形
態１と同様であるので、対応する部分に同一符号を付す
にとどめ、説明を省略する。
施の形態１（図１）の構造を前提として、受光側リード
フレーム３′の端部にメッシュ状導電膜８を接続するた
めのオフセット突起９を一体的に形成し、そのオフセッ
ト突起９に対して受光素子２を覆うメッシュ状導電膜８
を導電性ペースト（Ａｇペースト等）あるいはスポット
溶接にて接続したものである。その他の構成は実施の形
態１と同様であるので、対応する部分に同一符号を付す
にとどめ、説明を省略する。
【００１９】この実施の形態２の光結合素子において
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるので、１次
−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽減され、
高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素子が得られ
る。
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるので、１次
−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽減され、
高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素子が得られ
る。
【００２０】〔実施の形態３〕図３は本発明の実施の形
態３に係るドッキングタイプの光結合素子の構造を示す
断面図である。
態３に係るドッキングタイプの光結合素子の構造を示す
断面図である。
【００２１】図３において、発光素子１と受光素子２が
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペースト
（Ａｇペースト等）により接続する。メッシュ状導電膜
８は、Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成さ
れ、そのメッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜
３００μｍである。発光素子１および受光素子２がほぼ
同一光軸上になるよう対向配置させ、発光素子１の周囲
と受光素子２の周囲とにおいて両リードフレーム３，
３′間にシリコーン樹脂５をモールドしてオプティカル
パスを形成し、その後、さらにその周囲を遮光性樹脂７
にてトランスファーモールドすることにより、実施の形
態３の光結合素子を構成している。その他の構成は実施
の形態１（図１）と同様であるので、対応する部分に同
一符号を付すにとどめ、説明を省略する。
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペースト
（Ａｇペースト等）により接続する。メッシュ状導電膜
８は、Ｆｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成さ
れ、そのメッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜
３００μｍである。発光素子１および受光素子２がほぼ
同一光軸上になるよう対向配置させ、発光素子１の周囲
と受光素子２の周囲とにおいて両リードフレーム３，
３′間にシリコーン樹脂５をモールドしてオプティカル
パスを形成し、その後、さらにその周囲を遮光性樹脂７
にてトランスファーモールドすることにより、実施の形
態３の光結合素子を構成している。その他の構成は実施
の形態１（図１）と同様であるので、対応する部分に同
一符号を付すにとどめ、説明を省略する。
【００２２】受光側リードフレーム３′において受光素
子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるの
で、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽
減され、高ＣＭＲのドッキングタイプの光結合素子が得
られる。
子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるの
で、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽
減され、高ＣＭＲのドッキングタイプの光結合素子が得
られる。
【００２３】〔実施の形態４〕図示は省略するが、この
実施の形態４の光結合素子は、上記実施の形態３（図
３）の構造を前提として、実施の形態２（図２）の場合
と同様に、受光側リードフレーム３′の端部にメッシュ
状導電膜８を接続するためのオフセット突起９を一体的
に形成し、そのオフセット突起９に対して受光素子２を
覆うメッシュ状導電膜８を導電性ペースト（Ａｇペース
ト等）あるいはスポット溶接にて接続したものである。
その他の構成は実施の形態１と同様であるので、対応す
る部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略する。
実施の形態４の光結合素子は、上記実施の形態３（図
３）の構造を前提として、実施の形態２（図２）の場合
と同様に、受光側リードフレーム３′の端部にメッシュ
状導電膜８を接続するためのオフセット突起９を一体的
に形成し、そのオフセット突起９に対して受光素子２を
覆うメッシュ状導電膜８を導電性ペースト（Ａｇペース
ト等）あるいはスポット溶接にて接続したものである。
その他の構成は実施の形態１と同様であるので、対応す
る部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略する。
【００２４】この実施の形態４の光結合素子において
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるので、１次
−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽減され、
高ＣＭＲのドッキングタイプの光結合素子が得られる。
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあるので、１次
−２次間に生じる雑音による誤動作の影響が軽減され、
高ＣＭＲのドッキングタイプの光結合素子が得られる。
【００２５】〔実施の形態５〕図４は本発明の実施の形
態５に係る光結合素子の構造を示す断面図である。
態５に係る光結合素子の構造を示す断面図である。
【００２６】発光素子１と受光素子２をそれぞれ個別の
金、銀等からなるメッキパターン１０，１０′を設けた
液晶ポリマー等からなる射出成形樹脂基板１１，１１′
にダイボンドし、金線４を介してワイヤボンドし、透光
性樹脂（シリコーン樹脂）６，６′にて樹脂封止を行
い、受光素子２が搭載された側の樹脂基板１１′上に受
光素子２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペー
スト（Ａｇペースト等）により接続し、発光素子１側の
樹脂基板１１および発光素子側の透光性樹脂６と受光素
子側の樹脂基板１１′と受光素子側の透光性樹脂６′を
接着剤にて貼り合わせることにより、実施の形態５の光
結合素子を構成している。メッシュ状導電膜８は、Ｆ
ｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成され、その
メッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜３００μ
ｍである。
金、銀等からなるメッキパターン１０，１０′を設けた
液晶ポリマー等からなる射出成形樹脂基板１１，１１′
にダイボンドし、金線４を介してワイヤボンドし、透光
性樹脂（シリコーン樹脂）６，６′にて樹脂封止を行
い、受光素子２が搭載された側の樹脂基板１１′上に受
光素子２を覆うようにメッシュ状導電膜８を導電性ペー
スト（Ａｇペースト等）により接続し、発光素子１側の
樹脂基板１１および発光素子側の透光性樹脂６と受光素
子側の樹脂基板１１′と受光素子側の透光性樹脂６′を
接着剤にて貼り合わせることにより、実施の形態５の光
結合素子を構成している。メッシュ状導電膜８は、Ｆ
ｅ，Ｃｕ，Ａｕ，Ａｇ，Ｐｔ，Ｒｈ等で構成され、その
メッシュは５〜２００μｍ、その厚みは１０〜３００μ
ｍである。
【００２７】受光素子２側の樹脂基板１１′において受
光素子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあ
るので、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響
が軽減され、高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素
子が得られる。
光素子２を覆う状態にメッシュ状導電膜８を搭載してあ
るので、１次−２次間に生じる雑音による誤動作の影響
が軽減され、高ＣＭＲの２層モールドタイプの光結合素
子が得られる。
【００２８】〔実施の形態６〕図５は本発明の実施の形
態６に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
態６に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
【００２９】図５において、発光素子１と受光素子２が
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリイミド
膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）により接続
する。導電性透過膜８′はＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｚｎ
Ｏ，Ｃｄ2 ＳｎＯ4 ，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成され、
その厚みは１０〜３００μｍである。発光素子１および
受光素子２がほぼ同一光軸上になるよう対向配置させ透
光性樹脂６にて１次トランスファーモールドを行う。そ
の後、さらにその周囲を遮光性樹脂７にて２次トランス
ファーモールドすることにより、実施の形態６の光結合
素子を構成している。その他の構成は実施の形態１（図
１）と同様であるので、対応する部分に同一符号を付す
にとどめ、説明を省略する。
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリイミド
膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）により接続
する。導電性透過膜８′はＩｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｚｎ
Ｏ，Ｃｄ2 ＳｎＯ4 ，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成され、
その厚みは１０〜３００μｍである。発光素子１および
受光素子２がほぼ同一光軸上になるよう対向配置させ透
光性樹脂６にて１次トランスファーモールドを行う。そ
の後、さらにその周囲を遮光性樹脂７にて２次トランス
ファーモールドすることにより、実施の形態６の光結合
素子を構成している。その他の構成は実施の形態１（図
１）と同様であるので、対応する部分に同一符号を付す
にとどめ、説明を省略する。
【００３０】受光側リードフレーム３′において受光素
子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミ
ド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲの２層モー
ルドタイプの光結合素子が得られる。
子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミ
ド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲの２層モー
ルドタイプの光結合素子が得られる。
【００３１】なお、導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
【００３２】〔実施の形態７〕図６は本発明の実施の形
態７に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
態７に係る２層モールドタイプの光結合素子の構造を示
す断面図である。
【００３３】この実施の形態７の光結合素子は、上記実
施の形態６（図５）の構造を前提として、受光側リード
フレーム３′の端部に導電性透過膜８′を積層したポリ
イミド膜１２を接続するためのオフセット突起９を一体
的に形成し、そのオフセット突起９に対して受光素子２
を覆う導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２導
電性ペースト（Ａｇペースト等）あるいはスポット溶接
にて接続することにより、実施の形態７の光結合素子を
構成している。その他の構成は実施の形態６（図５）と
同様であるので、対応する部分に同一符号を付すにとど
め、説明を省略する。
施の形態６（図５）の構造を前提として、受光側リード
フレーム３′の端部に導電性透過膜８′を積層したポリ
イミド膜１２を接続するためのオフセット突起９を一体
的に形成し、そのオフセット突起９に対して受光素子２
を覆う導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２導
電性ペースト（Ａｇペースト等）あるいはスポット溶接
にて接続することにより、実施の形態７の光結合素子を
構成している。その他の構成は実施の形態６（図５）と
同様であるので、対応する部分に同一符号を付すにとど
め、説明を省略する。
【００３４】この実施の形態７の光結合素子において
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２
を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑音による
誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲの２層モールドタイ
プの光結合素子が得られる。
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２
を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑音による
誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲの２層モールドタイ
プの光結合素子が得られる。
【００３５】なお、導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
【００３６】〔実施の形態８〕図７は本発明の実施の形
態８に係るドッキングタイプの光結合素子の構造を示す
断面図である。
態８に係るドッキングタイプの光結合素子の構造を示す
断面図である。
【００３７】図７において、発光素子１と受光素子２が
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリイミド
膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）により接続
する。導電性透過膜８′は、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｚ
ｎＯ，Ｃｄ2 ＳｎＯ4，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成さ
れ、その厚みは１０〜３００μｍである。発光素子１お
よび受光素子２がほぼ同一光軸上になるよう対向配置さ
せ、発光素子１の周囲と受光素子２の周囲とにおいて両
リードフレーム３，３′間にシリコーン樹脂５をモール
ドしてオプティカルパスを形成し、その後、さらにその
周囲を遮光性樹脂７にてトランスファーモールドするこ
とにより、実施の形態８の光結合素子を構成している。
その他の構成は実施の形態３（図３）と同様であるの
で、対応する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省
略する。
各々個別にリードフレーム３，３′に搭載され、それぞ
れが金線４によりワイヤボンドが施された後、受光素子
２が搭載された受光側リードフレーム３′上に受光素子
２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリイミド
膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）により接続
する。導電性透過膜８′は、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，Ｚ
ｎＯ，Ｃｄ2 ＳｎＯ4，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成さ
れ、その厚みは１０〜３００μｍである。発光素子１お
よび受光素子２がほぼ同一光軸上になるよう対向配置さ
せ、発光素子１の周囲と受光素子２の周囲とにおいて両
リードフレーム３，３′間にシリコーン樹脂５をモール
ドしてオプティカルパスを形成し、その後、さらにその
周囲を遮光性樹脂７にてトランスファーモールドするこ
とにより、実施の形態８の光結合素子を構成している。
その他の構成は実施の形態３（図３）と同様であるの
で、対応する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省
略する。
【００３８】受光側リードフレーム３′において受光素
子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミ
ド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキン
グタイプの光結合素子が得られる。
子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミ
ド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキン
グタイプの光結合素子が得られる。
【００３９】なお、導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
【００４０】〔実施の形態９〕図示は省略するが、この
実施の形態９の光結合素子は、上記実施の形態８（図
７）の構造を前提として、実施の形態２（図２）の場合
と同様に、受光側リードフレーム３′の端部に導電性透
過膜８′を積層したポリイミド膜１２を接続するための
オフセット突起９を一体的に形成し、そのオフセット突
起９に対して受光素子２を覆う導電性透過膜８′を積層
したポリイミド膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト
等）あるいはスポット溶接にて接続したものである。そ
の他の構成は実施の形態８（図７）と同様であるので、
対応する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略す
る。
実施の形態９の光結合素子は、上記実施の形態８（図
７）の構造を前提として、実施の形態２（図２）の場合
と同様に、受光側リードフレーム３′の端部に導電性透
過膜８′を積層したポリイミド膜１２を接続するための
オフセット突起９を一体的に形成し、そのオフセット突
起９に対して受光素子２を覆う導電性透過膜８′を積層
したポリイミド膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト
等）あるいはスポット溶接にて接続したものである。そ
の他の構成は実施の形態８（図７）と同様であるので、
対応する部分に同一符号を付すにとどめ、説明を省略す
る。
【００４１】この実施の形態９の光結合素子において
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２
を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑音による
誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキングタイプ
の光結合素子が得られる。
も、受光側リードフレーム３′において受光素子２を覆
う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイミド膜１２
を搭載してあるので、１次−２次間に生じる雑音による
誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキングタイプ
の光結合素子が得られる。
【００４２】なお、導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
【００４３】〔実施の形態１０〕図８は本発明の実施の
形態１０に係る光結合素子の構造を示す断面図である。
形態１０に係る光結合素子の構造を示す断面図である。
【００４４】発光素子１と受光素子２をそれぞれ個別の
金、銀等からなるメッキパターン１０，１０′を設けた
液晶ポリマー等からなる射出成形樹脂基板１１，１１′
にダイボンドし、金線４を介してワイヤボンドし、透光
性樹脂（シリコーン樹脂）６，６′にて樹脂封止を行
い、受光素子２が搭載された側の樹脂基板１１′上に受
光素子２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリ
イミド膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）によ
り接続し、発光素子１側の樹脂基板１１および発光素子
側の透光性樹脂６と受光素子側の樹脂基板１１′と受光
素子側の透光性樹脂６′を接着剤にて貼り合わせること
により、実施の形態１０の光結合素子を構成している。
導電性透過膜８′は、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，
Ｃｄ2 ＳｎＯ4 ，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成され、その
厚みは１０〜３００μｍである。
金、銀等からなるメッキパターン１０，１０′を設けた
液晶ポリマー等からなる射出成形樹脂基板１１，１１′
にダイボンドし、金線４を介してワイヤボンドし、透光
性樹脂（シリコーン樹脂）６，６′にて樹脂封止を行
い、受光素子２が搭載された側の樹脂基板１１′上に受
光素子２を覆うように導電性透過膜８′を積層したポリ
イミド膜１２を導電性ペースト（Ａｇペースト等）によ
り接続し、発光素子１側の樹脂基板１１および発光素子
側の透光性樹脂６と受光素子側の樹脂基板１１′と受光
素子側の透光性樹脂６′を接着剤にて貼り合わせること
により、実施の形態１０の光結合素子を構成している。
導電性透過膜８′は、Ｉｎ2 Ｏ3 ，ＳｎＯ2 ，ＺｎＯ，
Ｃｄ2 ＳｎＯ4 ，ＣｄＯ，ＴｉＯ2 等で構成され、その
厚みは１０〜３００μｍである。
【００４５】受光側２側の樹脂基板１１′において受光
素子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる
雑音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキ
ングタイプの光結合素子が得られる。
素子２を覆う状態に導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２を搭載してあるので、１次−２次間に生じる
雑音による誤動作の影響が軽減され、高ＣＭＲのドッキ
ングタイプの光結合素子が得られる。
【００４６】なお、導電性透過膜８′を積層したポリイ
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
ミド膜１２に代えて、厚さが１〜１００μｍの導電性透
過膜８′を積層したガラス板を接続してもよく、この場
合は１次−２次間の絶縁性をさらに高めることができ
る。
【００４７】
【発明の効果】本発明に係る請求項１の光結合素子によ
れば、発光素子と受光素子との間に介在させたメッシュ
状導電膜により、１次−２次間に生じる雑音による誤動
作の影響を軽減し、高ＣＭＲを得ることができる。
れば、発光素子と受光素子との間に介在させたメッシュ
状導電膜により、１次−２次間に生じる雑音による誤動
作の影響を軽減し、高ＣＭＲを得ることができる。
【００４８】本発明に係る請求項２の光結合素子によれ
ば、発光素子と受光素子との間に介在させた導電性透過
膜を積層したポリイミド膜により、１次−２次間に生じ
る雑音による誤動作の影響を軽減し、高ＣＭＲを得るこ
とができる。
ば、発光素子と受光素子との間に介在させた導電性透過
膜を積層したポリイミド膜により、１次−２次間に生じ
る雑音による誤動作の影響を軽減し、高ＣＭＲを得るこ
とができる。
【００４９】本発明に係る請求項３の光結合素子によれ
ば、発光素子と受光素子との間に介在させた導電性透過
膜を積層したガラス板により、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響を軽減し、かつ、１次−２次間の
絶縁性を高めることができる。
ば、発光素子と受光素子との間に介在させた導電性透過
膜を積層したガラス板により、１次−２次間に生じる雑
音による誤動作の影響を軽減し、かつ、１次−２次間の
絶縁性を高めることができる。
【図１】本発明の実施の形態１に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図２】本発明の実施の形態２に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図３】本発明の実施の形態３に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図４】本発明の実施の形態５に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図５】本発明の実施の形態６に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図６】本発明の実施の形態７に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図７】本発明の実施の形態８に係る光結合素子の構造
を示す断面図である。
を示す断面図である。
【図８】本発明の実施の形態１０に係る光結合素子の構
造を示す断面図である。
造を示す断面図である。
【図９】従来の２層モールドタイプの光結合素子の断面
図である。
図である。
１……発光素子 ２……受光素子 ３……発光側リードフレーム ３′…受光側リードフレーム ４……金線 ５……シリコーン樹脂 ６……透光性樹脂 ７……遮光性樹脂 ８……メッシュ状導電膜 ８′…導電性透過膜 ９……オフセット突起 １０……メッキパターン １０′…メッキパターン １１……射出成形樹脂基板 １１′…射出成形樹脂基板 １２……ポリイミド膜
Claims (3)
- 【請求項１】 互いに対向配置された発光素子と受光素
子とを有する光結合素子において、発光素子と受光素子
との間に受光素子を覆う状態にメッシュ状導電膜を介在
させてあることを特徴とする光結合素子。 - 【請求項２】 互いに対向配置された発光素子と受光素
子とを有する光結合素子において、発光素子と受光素子
との間に受光素子を覆う状態に導電性透過膜を積層した
ポリイミド膜を介在させてあることを特徴とする光結合
素子。 - 【請求項３】 互いに対向配置された発光素子と受光素
子とを有する光結合素子において、発光素子と受光素子
との間に受光素子を覆う状態に導電性透過膜を積層した
ガラス板を介在させてあることを特徴とする光結合素
子。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007296A JP3416697B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光結合素子 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10007296A JP3416697B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光結合素子 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09289335A true JPH09289335A (ja) | 1997-11-04 |
| JP3416697B2 JP3416697B2 (ja) | 2003-06-16 |
Family
ID=14264263
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10007296A Expired - Fee Related JP3416697B2 (ja) | 1996-04-22 | 1996-04-22 | 光結合素子 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3416697B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2008235831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nec Electronics Corp | フォトカプラおよびその組立方法 |
| CN100459172C (zh) * | 2003-01-17 | 2009-02-04 | 夏普株式会社 | 光电耦合半导体器件的制造方法 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
| JP2014135473A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Renesas Electronics Corp | 光結合素子 |
| CN117810219A (zh) * | 2024-01-09 | 2024-04-02 | 深圳市奥伦德元器件有限公司 | 一种高耐压绝缘光电耦合器及其制备方法 |
-
1996
- 1996-04-22 JP JP10007296A patent/JP3416697B2/ja not_active Expired - Fee Related
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| CN100459172C (zh) * | 2003-01-17 | 2009-02-04 | 夏普株式会社 | 光电耦合半导体器件的制造方法 |
| JP2008235831A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-10-02 | Nec Electronics Corp | フォトカプラおよびその組立方法 |
| JP2011228339A (ja) * | 2010-04-15 | 2011-11-10 | Renesas Electronics Corp | 光結合装置 |
| JP2014135473A (ja) * | 2012-12-11 | 2014-07-24 | Renesas Electronics Corp | 光結合素子 |
| CN117810219A (zh) * | 2024-01-09 | 2024-04-02 | 深圳市奥伦德元器件有限公司 | 一种高耐压绝缘光电耦合器及其制备方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP3416697B2 (ja) | 2003-06-16 |
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