JPH09291358A - 光学薄膜の製造方法および光学薄膜 - Google Patents
光学薄膜の製造方法および光学薄膜Info
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- JPH09291358A JPH09291358A JP8102419A JP10241996A JPH09291358A JP H09291358 A JPH09291358 A JP H09291358A JP 8102419 A JP8102419 A JP 8102419A JP 10241996 A JP10241996 A JP 10241996A JP H09291358 A JPH09291358 A JP H09291358A
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Landscapes
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- Optical Filters (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 事実上、スパッタリング法により吸収のない
ＭｇＦ2 薄膜を製造する。 【解決手段】 まず、ガラス基板上へＳｉＯ2 を蒸着す
る。ターゲット材料８はガラス製の皿に載せられてマグ
ネトロンスパッタリングカソード７上に設置されてい
る。マグネトロンスパッタリングカソード７にＲＦ電圧
をかけてプラズマを発生させ、ガラス基板１１にターゲ
ット材料８をスパッタリングする。９はターゲットシー
ルドである。１０はシャッターである。
ＭｇＦ2 薄膜を製造する。 【解決手段】 まず、ガラス基板上へＳｉＯ2 を蒸着す
る。ターゲット材料８はガラス製の皿に載せられてマグ
ネトロンスパッタリングカソード７上に設置されてい
る。マグネトロンスパッタリングカソード７にＲＦ電圧
をかけてプラズマを発生させ、ガラス基板１１にターゲ
ット材料８をスパッタリングする。９はターゲットシー
ルドである。１０はシャッターである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、スパッタリング法
を用いて光学薄膜を製造する方法および光学薄膜に関す
る。
を用いて光学薄膜を製造する方法および光学薄膜に関す
る。
【０００２】
【従来の技術】従来、薄膜を形成する場合、手法の容易
さや成膜速度の速さ等の点から真空蒸着法が多く用いら
れてきた。これは、反射防止膜やハーフミラー，エッジ
フィルター等の光学薄膜を形成する場合も同様である。
一方、近年になり、光学薄膜やその他の薄膜において
も、真空蒸着法に比較して自動化・省力化・大面積基板
への適用性などの点で有利なスパッタリング法によるコ
ーティングの要求が高まってきた。
さや成膜速度の速さ等の点から真空蒸着法が多く用いら
れてきた。これは、反射防止膜やハーフミラー，エッジ
フィルター等の光学薄膜を形成する場合も同様である。
一方、近年になり、光学薄膜やその他の薄膜において
も、真空蒸着法に比較して自動化・省力化・大面積基板
への適用性などの点で有利なスパッタリング法によるコ
ーティングの要求が高まってきた。
【０００３】しかし、真空蒸着法とスパッタリング法と
の原理的な違いから、真空蒸着法では問題なく製造でき
る膜でも、スパッタリング法によると問題の発生する場
合があった。その例として代表的なものにＭｇＦ2 があ
る。ＭｇＦ2 は化学的に安定で、絶縁性に優れている
上、他の物質では得られにくい低屈折率を持った物質で
ある。このため、従来から光学膜を構成するに当たって
欠かすことのできない材料とされてきたが、ＭｇＦ2 の
薄膜を通常のスパッタリング法により製造すると、可視
域において膜に大きい光吸収が発生してしまう。
の原理的な違いから、真空蒸着法では問題なく製造でき
る膜でも、スパッタリング法によると問題の発生する場
合があった。その例として代表的なものにＭｇＦ2 があ
る。ＭｇＦ2 は化学的に安定で、絶縁性に優れている
上、他の物質では得られにくい低屈折率を持った物質で
ある。このため、従来から光学膜を構成するに当たって
欠かすことのできない材料とされてきたが、ＭｇＦ2 の
薄膜を通常のスパッタリング法により製造すると、可視
域において膜に大きい光吸収が発生してしまう。
【０００４】上記可視域における吸収は、プラズマ中の
Ｆイオンが基板ホルダ側に励起される負のプラズマポテ
ンシャルにより反発するため、薄膜内に取り込まれるＦ
重量が不足することや、プラズマ中での水の解離により
励起されたＯイオンとＭｇイオンとの酸化反応により形
成されるＭｇＯが主な原因とされる。これらの原因から
くる前記可視域における吸収を抑える方法としては、い
くつかの方法が提案されている。
Ｆイオンが基板ホルダ側に励起される負のプラズマポテ
ンシャルにより反発するため、薄膜内に取り込まれるＦ
重量が不足することや、プラズマ中での水の解離により
励起されたＯイオンとＭｇイオンとの酸化反応により形
成されるＭｇＯが主な原因とされる。これらの原因から
くる前記可視域における吸収を抑える方法としては、い
くつかの方法が提案されている。
【０００５】上記方法として、例えば特開平４−２２３
４０１号公報に開示されているターゲット中にＳｉを混
ぜておく方法や、また特開平４−２８９１６５号公報に
開示されているフッ素ガスまたはフッ素含有化合物ガス
をスパッタ時にアシストする方法を挙げることができ
る。上記各方法によれば、膜自身の吸収を無くしたり、
または小さくすることができる。
４０１号公報に開示されているターゲット中にＳｉを混
ぜておく方法や、また特開平４−２８９１６５号公報に
開示されているフッ素ガスまたはフッ素含有化合物ガス
をスパッタ時にアシストする方法を挙げることができ
る。上記各方法によれば、膜自身の吸収を無くしたり、
または小さくすることができる。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、前記特
開平４−２２３４０１号公報および特開平４−２８９１
６５号公報記載の方法によれば、ＭｇＦ2 膜自身の光吸
収は減少するものの、ＰｂＯやリン酸、その他特定の元
素を含有するようなガラスでは、ＭｇＦ2 膜の形成中に
プラズマ中の荷電粒子が入射することによって基板表面
が損傷し、前記基板と前記膜との境界でも吸収を発生す
ることがある。この吸収は光学素子として重大な欠陥と
なりうるものであり、所望の特性を持った光学素子を得
るためには是非とも抑える必要がある。このため、前記
境界面における光吸収を抑えるための技術が望まれてい
る。
開平４−２２３４０１号公報および特開平４−２８９１
６５号公報記載の方法によれば、ＭｇＦ2 膜自身の光吸
収は減少するものの、ＰｂＯやリン酸、その他特定の元
素を含有するようなガラスでは、ＭｇＦ2 膜の形成中に
プラズマ中の荷電粒子が入射することによって基板表面
が損傷し、前記基板と前記膜との境界でも吸収を発生す
ることがある。この吸収は光学素子として重大な欠陥と
なりうるものであり、所望の特性を持った光学素子を得
るためには是非とも抑える必要がある。このため、前記
境界面における光吸収を抑えるための技術が望まれてい
る。
【０００７】請求項１〜４の課題は、ＭｇＦ2 光学薄膜
を製造する際に基板と膜との境界における吸収を抑える
ための方法および吸収の発生しない光学薄膜を提供する
ことにある。
を製造する際に基板と膜との境界における吸収を抑える
ための方法および吸収の発生しない光学薄膜を提供する
ことにある。
【０００８】
【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、基板
の表面にＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうちの
少なくとも一つを含む酸化物薄膜を形成し、該酸化物薄
膜上にスパッタリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成する
ことを特徴とする光学薄膜の製造方法である。
の表面にＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうちの
少なくとも一つを含む酸化物薄膜を形成し、該酸化物薄
膜上にスパッタリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成する
ことを特徴とする光学薄膜の製造方法である。
【０００９】請求項１の発明においては、スパッタリン
グ法により成膜する際に発生するプラズマの中には多く
の荷電粒子が存在している。その一部は基板に入射する
が、これらは基板中の成分を解離，欠落させるなどの作
用がある。その結果、基板と膜との界面で光吸収が生じ
てしまう。そこで、レンズ等の光学素子の上へ、スパッ
タリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成する前に、前記基
板への入射電子による光学特性の変化の発生が少ない、
または全くない材質の薄膜を予め形成しておくことによ
り、前記光吸収の発生を抑えることができる。
グ法により成膜する際に発生するプラズマの中には多く
の荷電粒子が存在している。その一部は基板に入射する
が、これらは基板中の成分を解離，欠落させるなどの作
用がある。その結果、基板と膜との界面で光吸収が生じ
てしまう。そこで、レンズ等の光学素子の上へ、スパッ
タリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成する前に、前記基
板への入射電子による光学特性の変化の発生が少ない、
または全くない材質の薄膜を予め形成しておくことによ
り、前記光吸収の発生を抑えることができる。
【００１０】実際に、上記構成によれば、前記光吸収の
発生を有効に抑えることができるのを、我々の数多い実
験の中で確認されている。また、実験の中で、前記光学
特性が変化しにくい、または無い材料として、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 が特に有効であることも見
いだされており、前記薄膜の材料を前記酸化物に限定し
ている。
発生を有効に抑えることができるのを、我々の数多い実
験の中で確認されている。また、実験の中で、前記光学
特性が変化しにくい、または無い材料として、Ｓｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 が特に有効であることも見
いだされており、前記薄膜の材料を前記酸化物に限定し
ている。
【００１１】請求項２の発明は、粒径０．１〜１０ｍｍ
の顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原料を電極近傍に設け、
該電極に交流電圧を印加することにより前記膜原料上に
プラズマを発生せしめ、このプラズマにより前記膜原料
の表面温度を上昇させるとともに前記膜原料をスパッタ
リングしてＭｇＦ2 薄膜を形成することを特徴とする請
求項１記載の光学薄膜の製造方法である。
の顆粒状のＭｇＦ2 からなる膜原料を電極近傍に設け、
該電極に交流電圧を印加することにより前記膜原料上に
プラズマを発生せしめ、このプラズマにより前記膜原料
の表面温度を上昇させるとともに前記膜原料をスパッタ
リングしてＭｇＦ2 薄膜を形成することを特徴とする請
求項１記載の光学薄膜の製造方法である。
【００１２】請求項２の発明において、ターゲットであ
る顆粒状ＭｇＦ2 粒子の粒径を０．１〜１０ｍｍと数値
限定しているのは、次の理由からである。まず、顆粒の
大きさがあまりに小さすぎるとチャンバ内で舞い上が
り、パーティクルとなるため粒径は０．１ｍｍ以上の方
が良く、望ましくは０．５ｍｍ以上が良い。また、顆粒
が大きすぎるとエッジ部が少なくなり、プラズマを発生
させたときに上記エッジ部に電場・磁場が集中せず、そ
の結果、膜原料表面の温度を上昇させる効果が少なくな
るため、粒径１０ｍｍ以下、望ましくは５ｍｍ以下が良
い。顆粒の大きさや形状は均一である必要はない。
る顆粒状ＭｇＦ2 粒子の粒径を０．１〜１０ｍｍと数値
限定しているのは、次の理由からである。まず、顆粒の
大きさがあまりに小さすぎるとチャンバ内で舞い上が
り、パーティクルとなるため粒径は０．１ｍｍ以上の方
が良く、望ましくは０．５ｍｍ以上が良い。また、顆粒
が大きすぎるとエッジ部が少なくなり、プラズマを発生
させたときに上記エッジ部に電場・磁場が集中せず、そ
の結果、膜原料表面の温度を上昇させる効果が少なくな
るため、粒径１０ｍｍ以下、望ましくは５ｍｍ以下が良
い。顆粒の大きさや形状は均一である必要はない。
【００１３】請求項１のＭｇＦ2 膜をスパッタリング法
により形成する手法としては、いくつかのものがある
が、それらは通常スパッタ時にＭｇイオンやＦイオンが
多く発生する。これらのイオンは前記荷電粒子に加えて
基板を損傷する原因となることがあり、ＭｇＦ2 を形成
するに当たっては前記イオンの発生が少ない手法を取る
ことが好ましい。
により形成する手法としては、いくつかのものがある
が、それらは通常スパッタ時にＭｇイオンやＦイオンが
多く発生する。これらのイオンは前記荷電粒子に加えて
基板を損傷する原因となることがあり、ＭｇＦ2 を形成
するに当たっては前記イオンの発生が少ない手法を取る
ことが好ましい。
【００１４】請求項２に示したＭｇＦ2 薄膜の形成方法
では、膜原料を０．１〜１０ｍｍの粒径をした顆粒状と
したことで膜原料がプラズマにより加熱され易く、膜原
料がスパッタリングされたときにＭｇとＦとの結合が切
れずにＭｇＦ2 分子または分子群という形で空間に飛び
出すことになり、雰囲気中のＭｇイオンやＦイオンの存
在確率が比較的少なくなる。このため、前記ＭｇＦ2 の
形成方法として請求項２に挙げた方法を適用すること
で、基板表面における光吸収の抑制に、より効果を上げ
ることができる。
では、膜原料を０．１〜１０ｍｍの粒径をした顆粒状と
したことで膜原料がプラズマにより加熱され易く、膜原
料がスパッタリングされたときにＭｇとＦとの結合が切
れずにＭｇＦ2 分子または分子群という形で空間に飛び
出すことになり、雰囲気中のＭｇイオンやＦイオンの存
在確率が比較的少なくなる。このため、前記ＭｇＦ2 の
形成方法として請求項２に挙げた方法を適用すること
で、基板表面における光吸収の抑制に、より効果を上げ
ることができる。
【００１５】請求項３の発明は、Ｓｉまたは金属をター
ゲットとし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッ
タリングする反応性スパッタリング法により前記酸化物
薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光学薄
膜の製造方法である。
ゲットとし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッ
タリングする反応性スパッタリング法により前記酸化物
薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光学薄
膜の製造方法である。
【００１６】請求項３の発明においては、請求項１に挙
げた酸化物膜の形成方法として真空蒸着法を初めとする
いくつかのものを挙げることができるが、基板の表面に
酸化物薄膜を形成した後にスパッタリングによりＭｇＦ
2 膜を形成することを考えると、生産設備や生産工程の
簡略化が可能である等の理由から、前記酸化物薄膜もス
パッタリング法により形成することが好ましい。
げた酸化物膜の形成方法として真空蒸着法を初めとする
いくつかのものを挙げることができるが、基板の表面に
酸化物薄膜を形成した後にスパッタリングによりＭｇＦ
2 膜を形成することを考えると、生産設備や生産工程の
簡略化が可能である等の理由から、前記酸化物薄膜もス
パッタリング法により形成することが好ましい。
【００１７】さらに、スパッタリングのターゲットとし
てＳｉまたは金属を用い、少なくとも酸素ガスを導入し
ながら反応性スパッタリングを行うと、酸化物よりもＳ
ｉまたはＺｒ，Ａｌといった金属の方がスパッタ率が良
いことから成膜速度が速くなり、成膜速度が遅いという
従来のスパッタリング法の欠点を排除できる。このた
め、生産効率という面からも反応性スパッタリング法が
好ましい。以上のように、工業的な生産を考えたとき、
請求項１の酸化物薄膜の成膜方法として請求項３の方法
を適用することで、広い意味での生産効率を上げること
ができる。
てＳｉまたは金属を用い、少なくとも酸素ガスを導入し
ながら反応性スパッタリングを行うと、酸化物よりもＳ
ｉまたはＺｒ，Ａｌといった金属の方がスパッタ率が良
いことから成膜速度が速くなり、成膜速度が遅いという
従来のスパッタリング法の欠点を排除できる。このた
め、生産効率という面からも反応性スパッタリング法が
好ましい。以上のように、工業的な生産を考えたとき、
請求項１の酸化物薄膜の成膜方法として請求項３の方法
を適用することで、広い意味での生産効率を上げること
ができる。
【００１８】スパッタガスとしては、反応性スパッタリ
ングにより酸化物薄膜を形成するために少なくとも酸素
ガスを導入する。酸素ガス以外には、成膜速度を速くす
ることを目的としてＡｒガス等を一緒に導入しても良
い。また、ここでのスパッタリング法は、直流電圧（以
下、ＤＣ電圧という）を印加しつつ行うＤＣ反応性スパ
ッタリング法でも良いし、交流電圧の一種である高周波
電圧（以下、ＲＦ電圧という）を印加しつつ行うＲＦ反
応性スパッタリング法でも良い。しかし、交流電圧を用
いると光吸収の大きい酸化物薄膜ができやすく、さらに
荷電粒子が基板内に入り込み基板にダメージを与えやす
いため、ＤＣ電圧を用いる方が好ましい。
ングにより酸化物薄膜を形成するために少なくとも酸素
ガスを導入する。酸素ガス以外には、成膜速度を速くす
ることを目的としてＡｒガス等を一緒に導入しても良
い。また、ここでのスパッタリング法は、直流電圧（以
下、ＤＣ電圧という）を印加しつつ行うＤＣ反応性スパ
ッタリング法でも良いし、交流電圧の一種である高周波
電圧（以下、ＲＦ電圧という）を印加しつつ行うＲＦ反
応性スパッタリング法でも良い。しかし、交流電圧を用
いると光吸収の大きい酸化物薄膜ができやすく、さらに
荷電粒子が基板内に入り込み基板にダメージを与えやす
いため、ＤＣ電圧を用いる方が好ましい。
【００１９】請求項４の発明は、空気側から第１層目が
スパッタリング法により形成されたＭｇＦ2 薄膜であ
り、第２層目がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の
うちの少なとも一つを含む酸化物薄膜を設けたことを特
徴とする光学薄膜である。
スパッタリング法により形成されたＭｇＦ2 薄膜であ
り、第２層目がＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の
うちの少なとも一つを含む酸化物薄膜を設けたことを特
徴とする光学薄膜である。
【００２０】請求項４の発明においては、反射防止膜や
光学フィルター等の光学膜で、性能の良いものをつくろ
うとしたとき、光学インピーダンスの差を少なくすると
いう意味から、空気から第１層目に屈折率の低い物質を
用いると有効である場合が多い。その意味で、空気側第
１層目に他の物質にはない低い屈折率（約１．３８）を
持つＭｇＦ2 膜を利用することの意味は大きい。
光学フィルター等の光学膜で、性能の良いものをつくろ
うとしたとき、光学インピーダンスの差を少なくすると
いう意味から、空気から第１層目に屈折率の低い物質を
用いると有効である場合が多い。その意味で、空気側第
１層目に他の物質にはない低い屈折率（約１．３８）を
持つＭｇＦ2 膜を利用することの意味は大きい。
【００２１】しかしながら、ＭｇＦ2 膜をスパッタリン
グによって製造する際、ＭｇＦ2 を成膜する面が例えば
ＰｂＯをその成分として持っていると、スパッタリング
によりＭｇＦ2 が成膜される時点で、プラズマで発生す
る熱や電子によりＰｂＯが還元されて変質層を作り、吸
収を生じてしまう。その他、リン酸を含むものが成膜面
にあった場合などでも、プラズマの影響によりＭｇＦ2
自体にではなく、ＭｇＦ2 よりも基板内部で吸収を生じ
る場合が多く、光学素子として欠陥のあるものになりや
すい。
グによって製造する際、ＭｇＦ2 を成膜する面が例えば
ＰｂＯをその成分として持っていると、スパッタリング
によりＭｇＦ2 が成膜される時点で、プラズマで発生す
る熱や電子によりＰｂＯが還元されて変質層を作り、吸
収を生じてしまう。その他、リン酸を含むものが成膜面
にあった場合などでも、プラズマの影響によりＭｇＦ2
自体にではなく、ＭｇＦ2 よりも基板内部で吸収を生じ
る場合が多く、光学素子として欠陥のあるものになりや
すい。
【００２２】しかし、ＭｇＦ2 よりも基板側の膜がＳｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１つを含む膜
であった場合、この吸収を生じる変質層の発生の少ない
ことが実験からわかっている。このようなことから、請
求項４に挙げた光学薄膜は、高性能な光学膜を構成しよ
うとするときに有効なものであることがわかる。
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 ，Ａｌ2 Ｏ3 の少なくとも１つを含む膜
であった場合、この吸収を生じる変質層の発生の少ない
ことが実験からわかっている。このようなことから、請
求項４に挙げた光学薄膜は、高性能な光学膜を構成しよ
うとするときに有効なものであることがわかる。
【００２３】
（実施の形態１）本実施の形態では、ＳｉＯ2 を成膜す
るための蒸着装置と、ＭｇＦ2 を成膜するためのスパッ
タ装置とを用いる。これらの構成を、図１および図２を
用いて説明する。図１は、前記蒸着装置の真空槽の内部
構成を示す概略構成図である。
るための蒸着装置と、ＭｇＦ2 を成膜するためのスパッ
タ装置とを用いる。これらの構成を、図１および図２を
用いて説明する。図１は、前記蒸着装置の真空槽の内部
構成を示す概略構成図である。
【００２４】１は蒸着源であり、蒸着源１には蒸着材料
としてＳｉＯ2 が載っている。該ＳｉＯ2 は電子ビーム
加熱法により安定した加熱が行われる。２はシャッター
である。３は成膜を行うガラス基板であり、特にここで
はＢＰＨ５０（（株）オハラ製）とする。ＢＰＨ５０は
その組成にＰｂＯを含むため、そのまま表面にスパッタ
リング法でＭｇＦ2 膜を形成すると表面のＰｂＯが還元
され、膜の密着層において吸収を生じてしまう。例え
ば、このガラス基板に石英ガラスを用いると、前記膜の
密着層における吸収は全く生じないことに注意が必要で
ある。
としてＳｉＯ2 が載っている。該ＳｉＯ2 は電子ビーム
加熱法により安定した加熱が行われる。２はシャッター
である。３は成膜を行うガラス基板であり、特にここで
はＢＰＨ５０（（株）オハラ製）とする。ＢＰＨ５０は
その組成にＰｂＯを含むため、そのまま表面にスパッタ
リング法でＭｇＦ2 膜を形成すると表面のＰｂＯが還元
され、膜の密着層において吸収を生じてしまう。例え
ば、このガラス基板に石英ガラスを用いると、前記膜の
密着層における吸収は全く生じないことに注意が必要で
ある。
【００２５】ガラス基板３は４の回転ドーム上に据え付
けられており、蒸着中は回転ドーム４の回転によって蒸
着源１直上の軸を中心に回転する。５はガラス基板３を
蒸着中一定温度に加熱しておくための加熱ヒーターであ
る。６はガラス基板３への膜厚を監視，制御するための
水晶振動子式の膜厚計である。
けられており、蒸着中は回転ドーム４の回転によって蒸
着源１直上の軸を中心に回転する。５はガラス基板３を
蒸着中一定温度に加熱しておくための加熱ヒーターであ
る。６はガラス基板３への膜厚を監視，制御するための
水晶振動子式の膜厚計である。
【００２６】図２は前記スパッタ装置の真空槽の内部構
成を示す概略構成図である。７はマグネトロンスパッタ
リングカソードである。８はスパッタリング材料の径が
１〜３ｍｍ程度の顆粒状ＭｇＦ2 粒子のターゲット材料
である。ターゲット材料８はガラス製の皿に載せられて
マグネトロンスパッタリングカソード７上に設置されて
いる。９はマグネトロンスパッタリングカソード７およ
びターゲット材料８を囲繞し、常に電位がグラウンドレ
ベルにあるターゲットシールドである。１０はシャッタ
ーである。
成を示す概略構成図である。７はマグネトロンスパッタ
リングカソードである。８はスパッタリング材料の径が
１〜３ｍｍ程度の顆粒状ＭｇＦ2 粒子のターゲット材料
である。ターゲット材料８はガラス製の皿に載せられて
マグネトロンスパッタリングカソード７上に設置されて
いる。９はマグネトロンスパッタリングカソード７およ
びターゲット材料８を囲繞し、常に電位がグラウンドレ
ベルにあるターゲットシールドである。１０はシャッタ
ーである。
【００２７】１１は成膜を行うガラス基板であり、ガラ
ス基板１１は１２の基板ホルダーにより保持されてい
る。基板ホルダー１２の回転中心はマグネトロンスパッ
タリングカソード７の直上に位置せず、偏心した位置に
ある。成膜中は基板ホルダー１２が回転する。この回転
と前記偏心との効果により、膜はガラス基板１１上へ均
一に成膜される。
ス基板１１は１２の基板ホルダーにより保持されてい
る。基板ホルダー１２の回転中心はマグネトロンスパッ
タリングカソード７の直上に位置せず、偏心した位置に
ある。成膜中は基板ホルダー１２が回転する。この回転
と前記偏心との効果により、膜はガラス基板１１上へ均
一に成膜される。
【００２８】以上の構成からなる装置を用いての製造方
法を以下に述べる。まず、ガラス基板３の表面を清浄な
状態にする。その後、ガラス基板３を図１に示すような
状態、すなわち蒸着装置の回転ドーム４下面で回転ドー
ム４の回転中心からずれた位置に設置した後、真空槽の
排気を行う。排気を開始すると同時に、基板加熱用のヒ
ーター５によるガラス基板３の加熱と、回転ドーム４の
回転とを開始する。これにより、ガラス基板３の温度を
３００℃程度に安定させる。
法を以下に述べる。まず、ガラス基板３の表面を清浄な
状態にする。その後、ガラス基板３を図１に示すような
状態、すなわち蒸着装置の回転ドーム４下面で回転ドー
ム４の回転中心からずれた位置に設置した後、真空槽の
排気を行う。排気を開始すると同時に、基板加熱用のヒ
ーター５によるガラス基板３の加熱と、回転ドーム４の
回転とを開始する。これにより、ガラス基板３の温度を
３００℃程度に安定させる。
【００２９】１０-4Ｐａ程度の真空度が得られ、なおか
つガラス基板３の温度が安定するのに十分な時間が経過
した後、蒸発源１にある蒸着材料であるＳｉＯ2 の加熱
を始める。ここで、シャッター２は閉じているものとす
る。蒸着材料であるＳｉＯ2が十分に加熱されて安定し
たら、シャッター２を開いて蒸着を開始する。蒸着する
膜の厚さは膜厚計６によってモニターする。膜厚計の値
が所望の値を示したらシャッター２を閉じる。ここで
は、ガラス基板３上に物理的膜厚２０ｎｍのＳｉＯ2 を
成膜したものとする。シャッター２を閉めた直後、蒸着
材料の加熱，ガラス基板３の加熱および回転ドーム４の
回転を停止し、蒸着による一連の成膜作業を終了する。
つガラス基板３の温度が安定するのに十分な時間が経過
した後、蒸発源１にある蒸着材料であるＳｉＯ2 の加熱
を始める。ここで、シャッター２は閉じているものとす
る。蒸着材料であるＳｉＯ2が十分に加熱されて安定し
たら、シャッター２を開いて蒸着を開始する。蒸着する
膜の厚さは膜厚計６によってモニターする。膜厚計の値
が所望の値を示したらシャッター２を閉じる。ここで
は、ガラス基板３上に物理的膜厚２０ｎｍのＳｉＯ2 を
成膜したものとする。シャッター２を閉めた直後、蒸着
材料の加熱，ガラス基板３の加熱および回転ドーム４の
回転を停止し、蒸着による一連の成膜作業を終了する。
【００３０】次に、蒸着装置の真空槽からＳｉＯ2 が成
膜されたガラス基板３を取り出すため、真空槽をリーク
する。そして、取り出したガラス基板３をスパッタ装置
の真空槽に移す。その際、ガラス基板３（＝１１）を図
２に示すような状態、すなわち基板ホルダ１２の下面で
基板ホルダ１２の回転中心からズレた位置に取り付け
る。その後、直ちにスパッタ装置の真空槽を排気する。
１０-4Ｐａ程度の真空度が得られたら、基板ホルダ１２
を回転させる。同時に、真空槽内にＯ2 ガスを導入して
０．４Ｐａの圧力を得る。
膜されたガラス基板３を取り出すため、真空槽をリーク
する。そして、取り出したガラス基板３をスパッタ装置
の真空槽に移す。その際、ガラス基板３（＝１１）を図
２に示すような状態、すなわち基板ホルダ１２の下面で
基板ホルダ１２の回転中心からズレた位置に取り付け
る。その後、直ちにスパッタ装置の真空槽を排気する。
１０-4Ｐａ程度の真空度が得られたら、基板ホルダ１２
を回転させる。同時に、真空槽内にＯ2 ガスを導入して
０．４Ｐａの圧力を得る。
【００３１】真空槽内の圧力が安定したらマグネトロン
スパッタリングカソード７にＲＦ電圧をかけると、ター
ゲット材料８の上にプラズマが発生し、ターゲット材料
８は正イオンによりスパッタリングされる。この時はま
だシャッター１０が閉じており、いわゆるプレスパッタ
の状態となる。通常のプレスパッタはターゲット表面の
酸化物などを落とし、スパッタを安定させることを主な
目的として行うが、ここでは前記の目的の他、スパッタ
時にターゲット材料８が分子または分子群の状態で跳び
やすいようにターゲットの温度を上昇させる。
スパッタリングカソード７にＲＦ電圧をかけると、ター
ゲット材料８の上にプラズマが発生し、ターゲット材料
８は正イオンによりスパッタリングされる。この時はま
だシャッター１０が閉じており、いわゆるプレスパッタ
の状態となる。通常のプレスパッタはターゲット表面の
酸化物などを落とし、スパッタを安定させることを主な
目的として行うが、ここでは前記の目的の他、スパッタ
時にターゲット材料８が分子または分子群の状態で跳び
やすいようにターゲットの温度を上昇させる。
【００３２】ターゲット材料８の温度が上昇してプラズ
マの状態が安定したら、シャッター１０を開けてガラス
基板１１の表面にＭｇＦ2 薄膜を形成する。物理的膜厚
が１００ｎｍとなる時間が経過したら再びシャッター１
０を閉める。この時、予め成膜速度を計測しておき、シ
ャッター１０を開閉する時間で膜厚を制御している。ま
た、スパッタ条件は石英ガラスの基板上に成膜したと
き、膜に吸収が生じない条件を用いている。
マの状態が安定したら、シャッター１０を開けてガラス
基板１１の表面にＭｇＦ2 薄膜を形成する。物理的膜厚
が１００ｎｍとなる時間が経過したら再びシャッター１
０を閉める。この時、予め成膜速度を計測しておき、シ
ャッター１０を開閉する時間で膜厚を制御している。ま
た、スパッタ条件は石英ガラスの基板上に成膜したと
き、膜に吸収が生じない条件を用いている。
【００３３】シャッター１０を閉めてから、徐々にマグ
ネトロンスパッタリングカソード７にかけていたＲＦ電
圧を落とし、プラズマを消失させる。同時に、基板ホル
ダー１２の回転を止め、真空槽をリークする。この時点
で、ガラス基板１１上には、基板側より１層目に物理的
膜厚２０ｎｍのＳｉＯ2 膜が、２層目に物理的膜厚１０
０ｎｍのＭｇＦ2 膜が形成されている。この２層薄膜の
付いた基板の吸収は、４００ｎｍの波長の光に対して
０．１％以下となる。比較のため、同じ基板にＳｉＯ2
膜を付けず、ここで示したものと同じ条件でＭｇＦ2 を
成膜したところ、４００ｎｍで６％以上の吸収を生じ
た。
ネトロンスパッタリングカソード７にかけていたＲＦ電
圧を落とし、プラズマを消失させる。同時に、基板ホル
ダー１２の回転を止め、真空槽をリークする。この時点
で、ガラス基板１１上には、基板側より１層目に物理的
膜厚２０ｎｍのＳｉＯ2 膜が、２層目に物理的膜厚１０
０ｎｍのＭｇＦ2 膜が形成されている。この２層薄膜の
付いた基板の吸収は、４００ｎｍの波長の光に対して
０．１％以下となる。比較のため、同じ基板にＳｉＯ2
膜を付けず、ここで示したものと同じ条件でＭｇＦ2 を
成膜したところ、４００ｎｍで６％以上の吸収を生じ
た。
【００３４】本実施の形態によれば、ガラス基板上にＭ
ｇＦ2 をスパッタにて形成する前に、予め薄いＳｉＯ2
膜を形成したことにより、ＭｇＦ2 の成膜時に発生する
ガラス基板と膜との境界に生じる吸収を最低限に抑える
ことができた。また、これによりガラス基板の材質によ
る膜の品質の違いを最低限に抑えることができる。さら
に、ここではＳｉＯ2 の膜厚を２０ｎｍと薄くしたこと
から、近似的にＳｉＯ 2 膜を無視してＭｇＦ2 単層の反
射防止膜として扱うことができる。実際に、ＢＰＨ５０
は屈折率が１．７４と大きいため、屈折率の低いＭｇＦ
2 を膜材料とすると、単層でも効果の大きい反射防止膜
となる。
ｇＦ2 をスパッタにて形成する前に、予め薄いＳｉＯ2
膜を形成したことにより、ＭｇＦ2 の成膜時に発生する
ガラス基板と膜との境界に生じる吸収を最低限に抑える
ことができた。また、これによりガラス基板の材質によ
る膜の品質の違いを最低限に抑えることができる。さら
に、ここではＳｉＯ2 の膜厚を２０ｎｍと薄くしたこと
から、近似的にＳｉＯ 2 膜を無視してＭｇＦ2 単層の反
射防止膜として扱うことができる。実際に、ＢＰＨ５０
は屈折率が１．７４と大きいため、屈折率の低いＭｇＦ
2 を膜材料とすると、単層でも効果の大きい反射防止膜
となる。
【００３５】（実施の形態２）本実施の形態では、２つ
のマグネトロンスパッタリングカソードを持つスパッタ
リング装置を用いる。図３は、スパッタリング装置の真
空槽の内部構成を示す概略構成図である。
のマグネトロンスパッタリングカソードを持つスパッタ
リング装置を用いる。図３は、スパッタリング装置の真
空槽の内部構成を示す概略構成図である。
【００３６】２１はＢＰＨ５０（（株）オハラ製）のガ
ラス基板で、このガラス基板２１上に多層膜を形成す
る。ガラス基板２１は基板ホルダ２２へ図３に示すよう
に、すなわち基板ホルダ２２の下面で基板ホルダ２２の
回転中心からずれた状態で取り付けられている。基板ホ
ルダ２２は、２つのマグネトロンスパッタリングカソー
ド２３，２８に対してそれぞれ偏心した位置にあり、基
板ホルダ２２が成膜時に回転することにより膜厚分布を
均一にする。
ラス基板で、このガラス基板２１上に多層膜を形成す
る。ガラス基板２１は基板ホルダ２２へ図３に示すよう
に、すなわち基板ホルダ２２の下面で基板ホルダ２２の
回転中心からずれた状態で取り付けられている。基板ホ
ルダ２２は、２つのマグネトロンスパッタリングカソー
ド２３，２８に対してそれぞれ偏心した位置にあり、基
板ホルダ２２が成膜時に回転することにより膜厚分布を
均一にする。
【００３７】一方のマグネトロンスパッタリングカソー
ド２３に取り付けられるターゲット２４の材料はＺｒで
ある。２６はマグネトロンスパッタリングカソード２３
およびターゲット２４を囲繞するターゲットシールドで
ある。２７はターゲット２４のシャッターである。もう
一方のマグネトロンスパッタリングカソード２８に取り
付けられるターゲット２９は多孔質のＭｇＦ2 であり、
膜材料自体の熱伝導は悪くなっている。３０はマグネト
ロンスパッタリングカソード２８およびターゲット２９
を囲繞するターゲットシールドである。３１はターゲッ
ト２９のシャッターである。
ド２３に取り付けられるターゲット２４の材料はＺｒで
ある。２６はマグネトロンスパッタリングカソード２３
およびターゲット２４を囲繞するターゲットシールドで
ある。２７はターゲット２４のシャッターである。もう
一方のマグネトロンスパッタリングカソード２８に取り
付けられるターゲット２９は多孔質のＭｇＦ2 であり、
膜材料自体の熱伝導は悪くなっている。３０はマグネト
ロンスパッタリングカソード２８およびターゲット２９
を囲繞するターゲットシールドである。３１はターゲッ
ト２９のシャッターである。
【００３８】２つのシャッター２７，３１は成膜を行う
場合にのみ開き、この開いている時間を制御することに
よって目的の膜厚を得る。２つのターゲットシールド２
６，３０および２つのシャッター２７，３１は常に電位
がグランドレベルに保たれている。また、２つのターゲ
ット２４，２９は、それぞれ各マグネトロンスパッタリ
ングカソード２３，２８に取り付けられたバッキングプ
レートに接着されている。
場合にのみ開き、この開いている時間を制御することに
よって目的の膜厚を得る。２つのターゲットシールド２
６，３０および２つのシャッター２７，３１は常に電位
がグランドレベルに保たれている。また、２つのターゲ
ット２４，２９は、それぞれ各マグネトロンスパッタリ
ングカソード２３，２８に取り付けられたバッキングプ
レートに接着されている。
【００３９】以上の構成からなる装置を用いての製造方
法を以下に述べる。まず、ガラス基板２１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板２１を図３に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ２２下面
で基板ホルダ２２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。１０-4Ｐａ程度の真空度が得
られた後、基板ホルダ２２を回転させると同時に、真空
槽内に酸素とアルゴンとの混合ガスを導入して適当な圧
力を得る。
法を以下に述べる。まず、ガラス基板２１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板２１を図３に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ２２下面
で基板ホルダ２２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。１０-4Ｐａ程度の真空度が得
られた後、基板ホルダ２２を回転させると同時に、真空
槽内に酸素とアルゴンとの混合ガスを導入して適当な圧
力を得る。
【００４０】真空槽内の圧力が安定したら、マグネトロ
ンスパッタリングカソード２３にＤＣ電圧をかけてター
ゲット２４の上にプラズマを発生させる。この時、まだ
シャッター２７は閉じており、プレスパッタの状態とな
る。ターゲット２４表面の酸化物などを落とすのに十分
な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター２７
を開ける。スパッタされたＺｒは、ガラス基板２１に付
くまでの間またはガラス基板２１についてすぐに雰囲気
中にある酸素分子と結合し、ＺｒＯ2 となる。
ンスパッタリングカソード２３にＤＣ電圧をかけてター
ゲット２４の上にプラズマを発生させる。この時、まだ
シャッター２７は閉じており、プレスパッタの状態とな
る。ターゲット２４表面の酸化物などを落とすのに十分
な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター２７
を開ける。スパッタされたＺｒは、ガラス基板２１に付
くまでの間またはガラス基板２１についてすぐに雰囲気
中にある酸素分子と結合し、ＺｒＯ2 となる。
【００４１】光学膜厚（ｎｄ）が１１１ｎｍとなる時間
が経過したら再びシャッター２７を閉める。この時、予
め成膜速度が計測してあり、シャッター２７を開閉する
時間で膜厚を制御している。また、シャッター２７を閉
めてから徐々にマグネトロンスパッタリングカソード２
３にかけていたＤＣ電圧を落とし、プラズマを消失させ
る。この時点で、ガラス基板２１の上には膜厚１１１ｎ
ｍのＺｒＯ2 膜が形成されたことになる。
が経過したら再びシャッター２７を閉める。この時、予
め成膜速度が計測してあり、シャッター２７を開閉する
時間で膜厚を制御している。また、シャッター２７を閉
めてから徐々にマグネトロンスパッタリングカソード２
３にかけていたＤＣ電圧を落とし、プラズマを消失させ
る。この時点で、ガラス基板２１の上には膜厚１１１ｎ
ｍのＺｒＯ2 膜が形成されたことになる。
【００４２】次に、導入するガスを酸素に変え、０．４
Ｐａの圧力を得る。真空槽内の圧力が安定したら、マグ
ネトロンスパッタリングカソード２８にＲＦ電圧をかけ
てターゲット２９の上にプラズマを発生させる。この
時、まだシャッター３１は閉じており、いわゆるプレス
パッタの状態となる。通常のプレスパッタはターゲット
表面の酸化物などを落とし、スパッタを安定させること
を主な目的として行うが、ここでは上述した目的の他、
スパッタ時にターゲット２９が分子または分子群の状態
で跳びやすいようにターゲットの温度を上昇させる。
Ｐａの圧力を得る。真空槽内の圧力が安定したら、マグ
ネトロンスパッタリングカソード２８にＲＦ電圧をかけ
てターゲット２９の上にプラズマを発生させる。この
時、まだシャッター３１は閉じており、いわゆるプレス
パッタの状態となる。通常のプレスパッタはターゲット
表面の酸化物などを落とし、スパッタを安定させること
を主な目的として行うが、ここでは上述した目的の他、
スパッタ時にターゲット２９が分子または分子群の状態
で跳びやすいようにターゲットの温度を上昇させる。
【００４３】ターゲット２９の温度が上昇して安定した
らシャッター３１を開ける。この時のスパッタ条件は石
英ガラスの基板上に成膜したとき、ＭｇＦ2 膜に吸収が
生じない条件を用いている。光学膜厚（ｎｄ）が１１１
ｎｍとなる時間が経過したら再びシャッター３１を閉め
る。この時、予め成膜速度が計測してあり、シャッター
３１を開閉する時間で膜厚を制御している。また、シャ
ッター３１を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリ
ングカソード２８にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラ
ズマを消失させる。この時点で、ＺｒＯ2 膜の形成され
たガラス基板２１上へ、さらに膜厚が１１１ｎｍのＭｇ
Ｆ2 膜が形成されている。
らシャッター３１を開ける。この時のスパッタ条件は石
英ガラスの基板上に成膜したとき、ＭｇＦ2 膜に吸収が
生じない条件を用いている。光学膜厚（ｎｄ）が１１１
ｎｍとなる時間が経過したら再びシャッター３１を閉め
る。この時、予め成膜速度が計測してあり、シャッター
３１を開閉する時間で膜厚を制御している。また、シャ
ッター３１を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリ
ングカソード２８にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラ
ズマを消失させる。この時点で、ＺｒＯ2 膜の形成され
たガラス基板２１上へ、さらに膜厚が１１１ｎｍのＭｇ
Ｆ2 膜が形成されている。
【００４４】以上の工程を繰り返し、ガラス基板２１上
に交互にＺｒＯ2 膜とＭｇＦ2 膜とを形成し、最終的に
図４に示すような１７層の多層膜を作成する。多層膜の
完成後、真空槽をリークして前記多層膜が表面に形成さ
れたガラス基板を取り出す。前記多層膜は波長４４４ｎ
ｍで最大の反射率（９９％以上）を示す高反射率のミラ
ーとなる。ＺｒＯ2 とＭｇＦ2 とは４４３ｎｍで吸収を
持たないため、この波長の光を発振するレーザー（Ｃｄ
イオンレーザー）用のレーザ発信用ミラーとして利用で
きる。
に交互にＺｒＯ2 膜とＭｇＦ2 膜とを形成し、最終的に
図４に示すような１７層の多層膜を作成する。多層膜の
完成後、真空槽をリークして前記多層膜が表面に形成さ
れたガラス基板を取り出す。前記多層膜は波長４４４ｎ
ｍで最大の反射率（９９％以上）を示す高反射率のミラ
ーとなる。ＺｒＯ2 とＭｇＦ2 とは４４３ｎｍで吸収を
持たないため、この波長の光を発振するレーザー（Ｃｄ
イオンレーザー）用のレーザ発信用ミラーとして利用で
きる。
【００４５】本実施の形態によれば、ガラス基板上にま
ずＺｒＯ2 膜を形成したことで、ＭｇＦ2 を形成する際
に生じるガラス基板側の損傷による吸収は発生しない。
さらに、ＺｒＯ2 およびＭｇＦ2 を形成する際、共にス
パッタリングを用いたことから、成膜に用いる装置は共
通であり、同じ真空槽内で極めてシンプルに多層膜を作
成できる。また、両ターゲットがバッキングプレートに
接着されていることから、実施の形態１のようにターゲ
ットが水平な位置を保たなくとも良く、真空槽内のマグ
ネトロンスパッタリングカソード位置を自由に変えるこ
とが可能である。
ずＺｒＯ2 膜を形成したことで、ＭｇＦ2 を形成する際
に生じるガラス基板側の損傷による吸収は発生しない。
さらに、ＺｒＯ2 およびＭｇＦ2 を形成する際、共にス
パッタリングを用いたことから、成膜に用いる装置は共
通であり、同じ真空槽内で極めてシンプルに多層膜を作
成できる。また、両ターゲットがバッキングプレートに
接着されていることから、実施の形態１のようにターゲ
ットが水平な位置を保たなくとも良く、真空槽内のマグ
ネトロンスパッタリングカソード位置を自由に変えるこ
とが可能である。
【００４６】（実施の形態３）本実施の形態ではスパッ
タリング装置を用いる。図５は、スパッタリング装置の
真空槽の内部構成を示す概略構成図である。４１はＢＳ
Ｌ７（（株）オハラ製）のガラス基板で、このガラス基
板４１上に多層膜を形成する。ガラス基板４１は基板ホ
ルダ４２へ図５に示すように、すなわち基板ホルダ４２
の下面で基板ホルダ４２の回転中心からずれた位置に取
り付けられる。
タリング装置を用いる。図５は、スパッタリング装置の
真空槽の内部構成を示す概略構成図である。４１はＢＳ
Ｌ７（（株）オハラ製）のガラス基板で、このガラス基
板４１上に多層膜を形成する。ガラス基板４１は基板ホ
ルダ４２へ図５に示すように、すなわち基板ホルダ４２
の下面で基板ホルダ４２の回転中心からずれた位置に取
り付けられる。
【００４７】基板ホルダ４２は、マグネトロンスパッタ
リングカソード４３に対して偏心した位置にあり、成膜
時に回転することによって膜厚分布を均一にする。マグ
ネトロンスパッタリングカソード４３の上には膜材料を
載せるための皿４４が載っている。皿４４には膜材料を
載せるための複数のくぼみがあり、軸４５を中心に回転
することで、マグネトロンスパッタリングカソード４３
の上に来る膜材料を変えることができる。皿４４には膜
材料としてＭｇＦ2 粉末，ＺｒＯ2 粉末およびＡｌ2 Ｏ
3 粉末が載っている。また、皿４４の材質は電気絶縁性
の高いセラミックスであり、マグネトロンスパッタリン
グカソード４３の高電圧がかかっても問題のない構造と
なっている。
リングカソード４３に対して偏心した位置にあり、成膜
時に回転することによって膜厚分布を均一にする。マグ
ネトロンスパッタリングカソード４３の上には膜材料を
載せるための皿４４が載っている。皿４４には膜材料を
載せるための複数のくぼみがあり、軸４５を中心に回転
することで、マグネトロンスパッタリングカソード４３
の上に来る膜材料を変えることができる。皿４４には膜
材料としてＭｇＦ2 粉末，ＺｒＯ2 粉末およびＡｌ2 Ｏ
3 粉末が載っている。また、皿４４の材質は電気絶縁性
の高いセラミックスであり、マグネトロンスパッタリン
グカソード４３の高電圧がかかっても問題のない構造と
なっている。
【００４８】４６はマグネトロンスパッタリングカソー
ド４３および皿４４内のターゲットを囲繞するターゲッ
トシールドである。４７は皿４４内のターゲットのシャ
ッターである。ターゲットシールド４６およびシャッタ
ー４７の電位はグラウンドレベルに保たれている。ま
た、４８はスパッタ中の材料が他の膜材料に付くことを
防ぐための防着板である。
ド４３および皿４４内のターゲットを囲繞するターゲッ
トシールドである。４７は皿４４内のターゲットのシャ
ッターである。ターゲットシールド４６およびシャッタ
ー４７の電位はグラウンドレベルに保たれている。ま
た、４８はスパッタ中の材料が他の膜材料に付くことを
防ぐための防着板である。
【００４９】以上の構成からなる装置を用いての製造方
法を以下に述べる。まず、ガラス基板４１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板４１を図５に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ４２下面
で基板ホルダ４２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。ここで、皿４４を回転させる
ことでマグネトロンスパッタリングカソード４３の上の
膜材料をＡｌ2 Ｏ3 にする。１０-4Ｐａ程度の真空度が
得られた後、基板ホルダー４２を回転させると同時に、
真空槽内にＡｒガスを導入して０．５Ｐａ程度の圧力を
得る。
法を以下に述べる。まず、ガラス基板４１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板４１を図５に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ４２下面
で基板ホルダ４２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。ここで、皿４４を回転させる
ことでマグネトロンスパッタリングカソード４３の上の
膜材料をＡｌ2 Ｏ3 にする。１０-4Ｐａ程度の真空度が
得られた後、基板ホルダー４２を回転させると同時に、
真空槽内にＡｒガスを導入して０．５Ｐａ程度の圧力を
得る。
【００５０】真空槽内の圧力が安定したら、マグネトロ
ンスパッタリングカソード４３にＲＦ電圧をかけて膜材
料（Ａｌ2 Ｏ3 ）の上にプラズマを発生させる。この
時、まだシャッター４７は閉じており、プレスパッタの
状態となる。ターゲット表面の酸化物を落とすのに十分
な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター４７
を開ける。光学膜厚（ｎｄ）が１２５ｎｍとなる時間が
経過したら再びシャッター４７を閉める。ここで、成膜
速度は予め計測してあるものとし、シャッター４７を開
閉する時間で膜厚を制御している。これは、以降の膜の
形成においても同様である。
ンスパッタリングカソード４３にＲＦ電圧をかけて膜材
料（Ａｌ2 Ｏ3 ）の上にプラズマを発生させる。この
時、まだシャッター４７は閉じており、プレスパッタの
状態となる。ターゲット表面の酸化物を落とすのに十分
な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター４７
を開ける。光学膜厚（ｎｄ）が１２５ｎｍとなる時間が
経過したら再びシャッター４７を閉める。ここで、成膜
速度は予め計測してあるものとし、シャッター４７を開
閉する時間で膜厚を制御している。これは、以降の膜の
形成においても同様である。
【００５１】シャッター４７を閉めてから徐々にマグネ
トロンスパッタリングカソード４３にかけていたＲＦ電
圧を落とし、プラズマを消失させる。この時点で、ガラ
ス基板４１の上には光学膜厚（ｎｄ）が１２５ｎｍのＡ
ｌ2 Ｏ3 膜が形成されている。ここで、皿４４を回転す
ることによりマグネトロンスパッタリングカソード４３
の上にある膜材料をＺｒＯ2 に変更すると共に、ガスの
圧力を０．４Ｐａ程度の圧力に変更する。真空槽内の圧
力が安定したら、マグネトロンスパッタリングカソード
４３にＲＦ電圧をかけて膜材料（ＺｒＯ2 ）の上にプラ
ズマを発生させる。この時、まだシャッター４７は閉じ
ており、プレスパッタの状態となる。
トロンスパッタリングカソード４３にかけていたＲＦ電
圧を落とし、プラズマを消失させる。この時点で、ガラ
ス基板４１の上には光学膜厚（ｎｄ）が１２５ｎｍのＡ
ｌ2 Ｏ3 膜が形成されている。ここで、皿４４を回転す
ることによりマグネトロンスパッタリングカソード４３
の上にある膜材料をＺｒＯ2 に変更すると共に、ガスの
圧力を０．４Ｐａ程度の圧力に変更する。真空槽内の圧
力が安定したら、マグネトロンスパッタリングカソード
４３にＲＦ電圧をかけて膜材料（ＺｒＯ2 ）の上にプラ
ズマを発生させる。この時、まだシャッター４７は閉じ
ており、プレスパッタの状態となる。
【００５２】ターゲット表面の酸化物などを落とすのに
十分な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター
４７を開ける。光学膜厚（ｎｄ）が２５０ｎｍとなる時
間が経過したら再びシャッター４７を閉める。シャッタ
ー４７を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリング
カソード４３にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラズマ
を消失させる。この時点で、ガラス基板４１の上には光
学膜厚が１２５ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜と光学膜厚が２５０
ｎｍのＺｒＯ2 とが形成されている。
十分な時間が経過し、プラズマが安定したらシャッター
４７を開ける。光学膜厚（ｎｄ）が２５０ｎｍとなる時
間が経過したら再びシャッター４７を閉める。シャッタ
ー４７を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリング
カソード４３にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラズマ
を消失させる。この時点で、ガラス基板４１の上には光
学膜厚が１２５ｎｍのＡｌ2 Ｏ3 膜と光学膜厚が２５０
ｎｍのＺｒＯ2 とが形成されている。
【００５３】次に、皿４４を回転することによりマグネ
トロンスパッタリングカソード４３の上にある膜材料を
ＭｇＦ2 に変更すると共に、導入するガスを酸素に変更
してその圧力を０．４Ｐａ程度とする。真空槽内の圧力
が安定したら、マグネトロンスパッタリングカソード４
３にＲＦ電圧をかけてターゲットの上にプラズマを発生
させる。この時、まだシャッター４７は閉じており、い
わゆるプレスパッタの状態となる。
トロンスパッタリングカソード４３の上にある膜材料を
ＭｇＦ2 に変更すると共に、導入するガスを酸素に変更
してその圧力を０．４Ｐａ程度とする。真空槽内の圧力
が安定したら、マグネトロンスパッタリングカソード４
３にＲＦ電圧をかけてターゲットの上にプラズマを発生
させる。この時、まだシャッター４７は閉じており、い
わゆるプレスパッタの状態となる。
【００５４】通常のプレスパッタはターゲット表面の酸
化物などを落とし、スパッタを安定させることを主な目
的として行うが、ここでは前記の目的の他、スパッタ時
にターゲット材料が分子または分子群の状態で跳びやす
いようにターゲットの温度を上昇させる。ターゲットの
温度が上昇し、安定したらシャッター４７を開ける。こ
の時のスパッタ条件は石英ガラスの基板上に成膜したと
きにＭｇＦ2 膜に吸収が生じない条件を用いている。
化物などを落とし、スパッタを安定させることを主な目
的として行うが、ここでは前記の目的の他、スパッタ時
にターゲット材料が分子または分子群の状態で跳びやす
いようにターゲットの温度を上昇させる。ターゲットの
温度が上昇し、安定したらシャッター４７を開ける。こ
の時のスパッタ条件は石英ガラスの基板上に成膜したと
きにＭｇＦ2 膜に吸収が生じない条件を用いている。
【００５５】光学膜厚（ｎｄ）が１２５ｎｍとなる時間
が経過したら再びシャッター４７を閉める。また、シャ
ッター４７を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリ
ングカソード４３にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラ
ズマを消失させる。この時点で、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2
およびＭｇＦ2 の三層反射防止膜が形成されたことにな
る。なお、ここで成膜した三層膜は可視域全体で反射率
が０．８％以下、特に５００ｎｍの波長の光に対しては
０．１％以下である反射防止膜となっている。
が経過したら再びシャッター４７を閉める。また、シャ
ッター４７を閉めてから徐々にマグネトロンスパッタリ
ングカソード４３にかけていたＲＦ電圧を落とし、プラ
ズマを消失させる。この時点で、Ａｌ2 Ｏ3 ，ＺｒＯ2
およびＭｇＦ2 の三層反射防止膜が形成されたことにな
る。なお、ここで成膜した三層膜は可視域全体で反射率
が０．８％以下、特に５００ｎｍの波長の光に対しては
０．１％以下である反射防止膜となっている。
【００５６】本実施の形態によれば、ＭｇＦ2 を形成す
る際に発生する基板の損傷による吸収は、ＭｇＦ2 より
も基板側に吸収の発生しにくいＡｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ
2 の膜が形成してあるために発生しない。それぞれの膜
の形成には同じマグネトロンスパッタリングカソードを
使用し、なおかつ電源を含めて成膜に使う装置が共通で
あり、装置の構成要素が少なくなっている。
る際に発生する基板の損傷による吸収は、ＭｇＦ2 より
も基板側に吸収の発生しにくいＡｌ2 Ｏ3 およびＺｒＯ
2 の膜が形成してあるために発生しない。それぞれの膜
の形成には同じマグネトロンスパッタリングカソードを
使用し、なおかつ電源を含めて成膜に使う装置が共通で
あり、装置の構成要素が少なくなっている。
【００５７】（実施の形態４）本実施の形態は、前記実
施の形態２と同様な構成の２つのマグネトロンスパッタ
リングカソードを持つスパッタリング装置を用いるもの
である。前記実施の形態２と異なる点は、前記実施の形
態２におけるＺｒターゲット４をＳｉに置き換えた点の
みである。従って、この実施の形態では図３を用いて説
明を行う。
施の形態２と同様な構成の２つのマグネトロンスパッタ
リングカソードを持つスパッタリング装置を用いるもの
である。前記実施の形態２と異なる点は、前記実施の形
態２におけるＺｒターゲット４をＳｉに置き換えた点の
みである。従って、この実施の形態では図３を用いて説
明を行う。
【００５８】以上の構成からなる装置を用いての製造方
法を以下に述べる。まず、ガラス基板２１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板２１を図３に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ２２下面
で基板ホルダ２２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。１０-4Ｐａ程度の真空度が得
られた後、基板ホルダ２２を回転させると同時に、真空
槽内に酸素ガスを導入して０．６Ｐａの圧力を得る。
法を以下に述べる。まず、ガラス基板２１の表面を清浄
な状態にする。その後、ガラス基板２１を図３に示すよ
うな状態、すなわちスパッタ装置の基板ホルダ２２下面
で基板ホルダ２２の回転中心からずれた位置に設置した
後、真空槽の排気を行う。１０-4Ｐａ程度の真空度が得
られた後、基板ホルダ２２を回転させると同時に、真空
槽内に酸素ガスを導入して０．６Ｐａの圧力を得る。
【００５９】真空槽内の圧力が安定したら、マグネトロ
ンスパッタリングカソード２３にＤＣ電圧をかけてター
ゲット２４の上にプラズマを発生させる。この時、まだ
シャッター２７は閉じており、プレスパッタの状態とな
る。プラズマが安定したら直ちにシャッター２７を開け
る。スパッタされたＳｉおよびＳｉＯX は、基板に付く
までの間または基板についてすぐに雰囲気中にある酸素
分子と結合し、ＳｉＯ 2 となる。
ンスパッタリングカソード２３にＤＣ電圧をかけてター
ゲット２４の上にプラズマを発生させる。この時、まだ
シャッター２７は閉じており、プレスパッタの状態とな
る。プラズマが安定したら直ちにシャッター２７を開け
る。スパッタされたＳｉおよびＳｉＯX は、基板に付く
までの間または基板についてすぐに雰囲気中にある酸素
分子と結合し、ＳｉＯ 2 となる。
【００６０】光学膜厚（ｎｄ）が２０ｎｍとなる時間が
経過したら再びシャッター２７を閉める。この時、予め
成膜速度が計測してあり、シャッター２７を開閉する時
間で膜厚を制御している。また、シャッター２７を閉じ
てから徐々にマグネトロンスパッタリングカソード２３
にかけていたＤＣ電圧を落とし、プラズマを消失させ
る。この時点で、ガラス基板２１の上には、物理的膜厚
が２０ｎｍのＳｉＯ2 膜が形成されたことになる。
経過したら再びシャッター２７を閉める。この時、予め
成膜速度が計測してあり、シャッター２７を開閉する時
間で膜厚を制御している。また、シャッター２７を閉じ
てから徐々にマグネトロンスパッタリングカソード２３
にかけていたＤＣ電圧を落とし、プラズマを消失させ
る。この時点で、ガラス基板２１の上には、物理的膜厚
が２０ｎｍのＳｉＯ2 膜が形成されたことになる。
【００６１】次に、導入ガス（酸素）の導入量を変え、
０．４Ｐａの圧力を得る。真空槽内の圧力が安定した
ら、マグネトロンスパッタリングカソード２８にＲＦ電
圧をかけてターゲット２９の上にプラズマを発生させ
る。この時、まだシャッター３１は閉じており、いわゆ
るプレスパッタの状態となる。 通常のプレスパッタは
ターゲット表面の酸化物などを落とし、スパッタを安定
させることを主な目的として行うが、ここでは前記の目
的の他、スパッタ時にターゲット材料２９が分子または
分子群の状態で跳びやすいようにターゲットの温度を上
昇させる。
０．４Ｐａの圧力を得る。真空槽内の圧力が安定した
ら、マグネトロンスパッタリングカソード２８にＲＦ電
圧をかけてターゲット２９の上にプラズマを発生させ
る。この時、まだシャッター３１は閉じており、いわゆ
るプレスパッタの状態となる。 通常のプレスパッタは
ターゲット表面の酸化物などを落とし、スパッタを安定
させることを主な目的として行うが、ここでは前記の目
的の他、スパッタ時にターゲット材料２９が分子または
分子群の状態で跳びやすいようにターゲットの温度を上
昇させる。
【００６２】ターゲット２９の温度が上昇し、安定した
らシャッター３１を開ける。この時のスパッタ条件は、
石英ガラスの基板上に成膜したときにＭｇＦ2 膜に吸収
が生じない条件を用いている。物理的膜厚が１００ｎｍ
となる時間が経過したら再びシャッター３１を閉める。
この時、予め成膜速度が計測してあり、シャッター３１
を開閉する時間で膜厚を制御している。
らシャッター３１を開ける。この時のスパッタ条件は、
石英ガラスの基板上に成膜したときにＭｇＦ2 膜に吸収
が生じない条件を用いている。物理的膜厚が１００ｎｍ
となる時間が経過したら再びシャッター３１を閉める。
この時、予め成膜速度が計測してあり、シャッター３１
を開閉する時間で膜厚を制御している。
【００６３】また、シャッター３１を閉めてから徐々に
マグネトロンスパッタリングカソード２８にかけていた
ＲＦ電圧を落とし、プラズマを消失させる。この時点
で、ＳｉＯ2 膜の形成されたガラス基板２１上へさらに
膜厚が１００ｎｍのＭｇＦ2 膜が形成されている。膜の
完成後、真空槽をリークし、前記多層膜が表面に形成さ
れたガラス基板を取り出す。ここで成膜された２層膜
は、前記実施の形態１で形成された膜と同じ膜構成とな
っている。
マグネトロンスパッタリングカソード２８にかけていた
ＲＦ電圧を落とし、プラズマを消失させる。この時点
で、ＳｉＯ2 膜の形成されたガラス基板２１上へさらに
膜厚が１００ｎｍのＭｇＦ2 膜が形成されている。膜の
完成後、真空槽をリークし、前記多層膜が表面に形成さ
れたガラス基板を取り出す。ここで成膜された２層膜
は、前記実施の形態１で形成された膜と同じ膜構成とな
っている。
【００６４】本実施の形態によれば、ガラス基板上にま
ずＳｉＯ2 の膜を形成することで、ＭｇＦ2 を形成する
際に生じる基板側の損傷による吸収を最小限に抑えるこ
とができた。この他、前記実施の形態１と同様な効果が
得られるが、前記実施の形態１と比べて各々の膜をスパ
ッタリング法によって形成したことから、タクトタイム
の大幅な短縮がなされた。また、両ターゲットがバッキ
ングプレートに接着されていることから、前記実施の形
態１のようにターゲットが水平な位置を保たなくともよ
く、真空槽内のマグネトロンスパッタリングカソード位
置を自由に変えることが可能である。
ずＳｉＯ2 の膜を形成することで、ＭｇＦ2 を形成する
際に生じる基板側の損傷による吸収を最小限に抑えるこ
とができた。この他、前記実施の形態１と同様な効果が
得られるが、前記実施の形態１と比べて各々の膜をスパ
ッタリング法によって形成したことから、タクトタイム
の大幅な短縮がなされた。また、両ターゲットがバッキ
ングプレートに接着されていることから、前記実施の形
態１のようにターゲットが水平な位置を保たなくともよ
く、真空槽内のマグネトロンスパッタリングカソード位
置を自由に変えることが可能である。
【００６５】以上の説明によれば、以下に示す発明を把
握することもできる。すなわち、 （１） 基板の表面に酸化物薄膜を形成し、この酸化物
薄膜上にスパッタリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成す
ることを特徴とする光学薄膜の製造方法。 （２） 粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 から
なる膜原料を電極近傍に設け、該電極に高周波電圧を印
加することで前記膜原料上にプラズマを発生せしめ、こ
のプラズマにより前記膜原料の表面温度を上昇させると
ともに前記膜原料をスパッタリングしてＭｇＦ2 薄膜を
形成することを特徴とする（１）項記載の光学薄膜の製
造方法。 （３） ＳｉまたはＺｒ，Ａｌなどの金属をターゲット
とし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッタリン
グするＤＣ反応性スパッタリング法により前記酸化物薄
膜を形成することを特徴とする（１）項記載の光学薄膜
の製造方法。 （４） 空気側にスパッタリング法により形成されたＭ
ｇＦ2 薄膜を有し、このＭｇＦ2 薄膜よりも基板側に酸
化物薄膜を有することを特徴とする光学薄膜。 （５） ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の少なく
とも一つを含む酸化物薄膜であることを特徴とする
（４）項記載の光学薄膜。 （６） ＳｉまたはＺｒ，Ａｌなどの金属をターゲット
とし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッタリン
グするＤＣ反応性スパッタリング法により形成した酸化
物薄膜であることを特徴とする（４）項記載の光学薄
膜。 （７） 粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 から
なる膜原料を電極近傍に設け、該電極に高周波電圧を印
加することで前記膜原料上にプラズマを発生せしめ、こ
のプラズマにより前記膜原料の表面温度を上昇させると
ともに前記膜原料をスパッタリングして形成したＭｇＦ
2 薄膜であることを特徴とする（４）項記載の光学薄
膜。 （８） 反射防止膜であることを特徴とする（４）項記
載の光学薄膜。 （９） ミラー膜であることを特徴とする（４）項記載
の光学薄膜。 （１０） 顆粒状の材料をターゲットとし、スパッタリ
ング法により基板表面に薄膜を形成する薄膜の製造装置
において、前記顆粒状の材料の収納部を複数有して回転
可能に構成した皿を具備することを特徴とする薄膜の製
造装置。
握することもできる。すなわち、 （１） 基板の表面に酸化物薄膜を形成し、この酸化物
薄膜上にスパッタリング法によりＭｇＦ2 薄膜を形成す
ることを特徴とする光学薄膜の製造方法。 （２） 粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 から
なる膜原料を電極近傍に設け、該電極に高周波電圧を印
加することで前記膜原料上にプラズマを発生せしめ、こ
のプラズマにより前記膜原料の表面温度を上昇させると
ともに前記膜原料をスパッタリングしてＭｇＦ2 薄膜を
形成することを特徴とする（１）項記載の光学薄膜の製
造方法。 （３） ＳｉまたはＺｒ，Ａｌなどの金属をターゲット
とし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッタリン
グするＤＣ反応性スパッタリング法により前記酸化物薄
膜を形成することを特徴とする（１）項記載の光学薄膜
の製造方法。 （４） 空気側にスパッタリング法により形成されたＭ
ｇＦ2 薄膜を有し、このＭｇＦ2 薄膜よりも基板側に酸
化物薄膜を有することを特徴とする光学薄膜。 （５） ＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 の少なく
とも一つを含む酸化物薄膜であることを特徴とする
（４）項記載の光学薄膜。 （６） ＳｉまたはＺｒ，Ａｌなどの金属をターゲット
とし、少なくともＯ2 ガスを導入しながらスパッタリン
グするＤＣ反応性スパッタリング法により形成した酸化
物薄膜であることを特徴とする（４）項記載の光学薄
膜。 （７） 粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ2 から
なる膜原料を電極近傍に設け、該電極に高周波電圧を印
加することで前記膜原料上にプラズマを発生せしめ、こ
のプラズマにより前記膜原料の表面温度を上昇させると
ともに前記膜原料をスパッタリングして形成したＭｇＦ
2 薄膜であることを特徴とする（４）項記載の光学薄
膜。 （８） 反射防止膜であることを特徴とする（４）項記
載の光学薄膜。 （９） ミラー膜であることを特徴とする（４）項記載
の光学薄膜。 （１０） 顆粒状の材料をターゲットとし、スパッタリ
ング法により基板表面に薄膜を形成する薄膜の製造装置
において、前記顆粒状の材料の収納部を複数有して回転
可能に構成した皿を具備することを特徴とする薄膜の製
造装置。
【００６６】
【発明の効果】本発明は、ＭｇＦ2 光学薄膜をスパッタ
リング法により製造する際に生じる基板と膜との境界に
おける吸収を抑えることができる。これにより、事実
上、スパッタリング法により吸収のないＭｇＦ2 薄膜を
製造することができる。
リング法により製造する際に生じる基板と膜との境界に
おける吸収を抑えることができる。これにより、事実
上、スパッタリング法により吸収のないＭｇＦ2 薄膜を
製造することができる。
【図１】実施の形態１を示す概略構成図である。
【図２】実施の形態１を示す概略構成図である。
【図３】実施の形態２を示す概略構成図である。
【図４】実施の形態２を示す図表である。
【図５】実施の形態３を示す概略構成図である。
１ 蒸着源 ２，１０ シャッター ３，１１ ガラス基板 ４ 回転ドーム ５ 加熱ヒーター ６ 膜厚計 ７ マグネトロンスパッタリングカソード ８ ターゲット材料 ９ ターゲットシールド １２ 基板ホルダー
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.6 識別記号 庁内整理番号 ＦＩ 技術表示箇所 Ｇ０２Ｂ 5/08 Ｇ０２Ｂ 5/26 5/26 1/10 Ａ (72)発明者 池田 浩 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 豊原 延好 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 浦田 憲和 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内 (72)発明者 生水 利明 東京都渋谷区幡ヶ谷２丁目43番２号 オリ ンパス光学工業株式会社内
Claims (4)
- 【請求項１】 基板の表面にＳｉＯ2 ，ＺｒＯ2 および
Ａｌ2 Ｏ3 のうちの少なくとも一つを含む酸化物薄膜を
形成し、この酸化物薄膜上にスパッタリング法によりＭ
ｇＦ2 薄膜を形成することを特徴とする光学薄膜の製造
方法。 - 【請求項２】 粒径０．１〜１０ｍｍの顆粒状のＭｇＦ
2 からなる膜原料を電極近傍に設け、この電極に交流電
圧を印加することにより前記膜原料上にプラズマを発生
せしめ、このプラズマにより前記膜原料の表面温度を上
昇させるとともに前記膜原料をスパッタリングしてＭｇ
Ｆ2 薄膜を形成することを特徴とする請求項１記載の光
学薄膜の製造方法。 - 【請求項３】 Ｓｉまたは金属をターゲットとし、少な
くともＯ2 ガスを導入しながらスパッタリングする反応
性スパッタリング法により前記酸化物薄膜を形成するこ
とを特徴とする請求項１記載の光学薄膜の製造方法。 - 【請求項４】 空気側から第１層目がスパッタリング法
により形成されたＭｇＦ2 薄膜であり、第２層目がＳｉ
Ｏ2 ，ＺｒＯ2 およびＡｌ2 Ｏ3 のうちの少なくとも一
つを含む酸化物薄膜を設けたことを特徴とする光学薄
膜。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102419A JPH09291358A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 光学薄膜の製造方法および光学薄膜 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP8102419A JPH09291358A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 光学薄膜の製造方法および光学薄膜 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09291358A true JPH09291358A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14326935
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP8102419A Withdrawn JPH09291358A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | 光学薄膜の製造方法および光学薄膜 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09291358A (ja) |
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH11246968A (ja) * | 1998-03-05 | 1999-09-14 | Olympus Optical Co Ltd | 光学薄膜の製造方法 |
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