JPH09293709A - Ｃｖｄ装置 - Google Patents
Ｃｖｄ装置Info
- Publication number
- JPH09293709A JPH09293709A JP10283896A JP10283896A JPH09293709A JP H09293709 A JPH09293709 A JP H09293709A JP 10283896 A JP10283896 A JP 10283896A JP 10283896 A JP10283896 A JP 10283896A JP H09293709 A JPH09293709 A JP H09293709A
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- exhaust pipe
- gas
- electrodes
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Links
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Landscapes
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 排気配管内面への固形物の生成を軽減し、メ
ンテナンス頻度を激減すると共に装置の稼動時間を増大
する。 【解決手段】 排気配管１内に電極２，３を設置し、こ
の電極２，３に通電して上流側より流した気体を放電
し、セルフクリーニングを行うことを特徴とする。
ンテナンス頻度を激減すると共に装置の稼動時間を増大
する。 【解決手段】 排気配管１内に電極２，３を設置し、こ
の電極２，３に通電して上流側より流した気体を放電
し、セルフクリーニングを行うことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、超ＬＳＩ製造工程
のうち、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を堆積する
化学的気相成長装置（ＣＶＤ装置）に関する。
のうち、シリコン酸化膜、シリコン窒化膜等を堆積する
化学的気相成長装置（ＣＶＤ装置）に関する。
【０００２】
【従来の技術】図２は従来装置の１例の要部を示す断面
図である。この従来例は、内，外側反応管４，５よりな
る反応管６内に、多数の基板７を載置したボート８を搬
入し、反応ガスを流通することにより減圧下で基板７に
薄膜を堆積するものである。この薄膜を堆積する場合、
副生成物が排気配管１内面に付着し固形物となる。従
来、この固形物をクリーニングして除去したり排気配管
を加熱することにより排気配管内面への副生成物の付着
を防止し、固形物の生成を防止したりしている。
図である。この従来例は、内，外側反応管４，５よりな
る反応管６内に、多数の基板７を載置したボート８を搬
入し、反応ガスを流通することにより減圧下で基板７に
薄膜を堆積するものである。この薄膜を堆積する場合、
副生成物が排気配管１内面に付着し固形物となる。従
来、この固形物をクリーニングして除去したり排気配管
を加熱することにより排気配管内面への副生成物の付着
を防止し、固形物の生成を防止したりしている。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】上記従来例にあって
は、排気配管内面の固形物を除去するクリーニング作業
を頻繁に定期的に行う必要があり、装置の稼動時間が短
くなると共に、固形物が剥離してパーティクルが増大す
るという課題がある。又、排気配管を加熱して副生成物
の付着を防止するようにしても、十分に副生成物の付着
を防止し固形物の生成を防止することができないという
課題がある。
は、排気配管内面の固形物を除去するクリーニング作業
を頻繁に定期的に行う必要があり、装置の稼動時間が短
くなると共に、固形物が剥離してパーティクルが増大す
るという課題がある。又、排気配管を加熱して副生成物
の付着を防止するようにしても、十分に副生成物の付着
を防止し固形物の生成を防止することができないという
課題がある。
【０００４】
【課題を解決するための手段】本発明装置は、上記の課
題を解決するため、図１に示すように排気配管１内に電
極２，３を設置し、この電極２，３に通電して上流側よ
り流した気体を放電し、セルフクリーニングを行うこと
を特徴とする。
題を解決するため、図１に示すように排気配管１内に電
極２，３を設置し、この電極２，３に通電して上流側よ
り流した気体を放電し、セルフクリーニングを行うこと
を特徴とする。
【０００５】
【発明の実施の形態】図１は本発明装置の実施形態の１
例を示す要部の断面図である。本形態は、排気配管１内
に電極２，３を設置し、この電極２，３に例えば直流電
源１０を接続して通電すると共に上流側よりガス注入管
９で反応ガス、例えばＮＦ3 ガスを流入することにより
該ガスをプラズマ化し、固形物をエッチングする。これ
により排気配管１の内面への固形物の生成を防止するこ
とができる。ＣｌＦ3 等の反応ガスを用いた反応管内の
セルフクリーニングと併用することによりメンテナンス
頻度を激減することができる。本発明によるセルフクリ
ーニングを行う場合はメンテナンス周期を９０日にで
き、セルフクリーニングを行わない従来の場合のメンテ
ナンス周期１０日よりも大幅に改善することができる。
例を示す要部の断面図である。本形態は、排気配管１内
に電極２，３を設置し、この電極２，３に例えば直流電
源１０を接続して通電すると共に上流側よりガス注入管
９で反応ガス、例えばＮＦ3 ガスを流入することにより
該ガスをプラズマ化し、固形物をエッチングする。これ
により排気配管１の内面への固形物の生成を防止するこ
とができる。ＣｌＦ3 等の反応ガスを用いた反応管内の
セルフクリーニングと併用することによりメンテナンス
頻度を激減することができる。本発明によるセルフクリ
ーニングを行う場合はメンテナンス周期を９０日にで
き、セルフクリーニングを行わない従来の場合のメンテ
ナンス周期１０日よりも大幅に改善することができる。
【０００６】
【発明の効果】上述のように本発明によれば、セルフク
リーニングを行うことにより排気配管内面への固形物の
生成を軽減でき、メンテナンス頻度を激減することがで
きると共に装置の稼働時間を増大することができる。
リーニングを行うことにより排気配管内面への固形物の
生成を軽減でき、メンテナンス頻度を激減することがで
きると共に装置の稼働時間を増大することができる。
【図１】本発明装置の実施形態の１例を示す要部の断面
図である。
図である。
【図２】従来装置の１例の要部を示す断面図である。
１ 排気配管 ２，３ 電極 ４ 内側反応管 ５ 外側反応管 ６ 反応管 ７ 基板 ８ ボート ９ ガス注入管 １０ 直流電源
Claims (1)
- 【請求項１】 排気配管内に電極を設置し、この電極に
通電して上流側より流した気体を放電し、セルフクリー
ニングを行うことを特徴とするＣＶＤ装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283896A JPH09293709A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Ｃｖｄ装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP10283896A JPH09293709A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Ｃｖｄ装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH09293709A true JPH09293709A (ja) | 1997-11-11 |
Family
ID=14338132
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP10283896A Pending JPH09293709A (ja) | 1996-04-24 | 1996-04-24 | Ｃｖｄ装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH09293709A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526660A (ja) * | 1998-10-07 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 内部加熱される排気装置 |
| JP2002343785A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Randomaaku Technol:Kk | 薄膜形成残渣処理装置 |
-
1996
- 1996-04-24 JP JP10283896A patent/JPH09293709A/ja active Pending
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2002526660A (ja) * | 1998-10-07 | 2002-08-20 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 内部加熱される排気装置 |
| JP2002343785A (ja) * | 2001-05-18 | 2002-11-29 | Randomaaku Technol:Kk | 薄膜形成残渣処理装置 |
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